TWI496190B - 壓印裝置，壓印方法及裝置製造方法 - Google Patents

壓印裝置，壓印方法及裝置製造方法 Download PDF

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Description

壓印裝置，壓印方法及裝置製造方法
實施例的一個揭露態樣係關於在被配置為將模子的圖案轉印到基板上的壓印材料上的壓印裝置中的標記檢測系統。
壓印技術是用於使在模子上形成的微細圖案與供應在基板上的壓印材料彼此接觸(壓印該圖案)以便由此形成圖案的技術。
現在將描述光學壓印方法作為壓印技術的一個示例。首先，由光可固化樹脂(在下文中稱為“壓印樹脂”)構成的層被形成在基板(例如，半導體晶圓(wafer))上。隨後，使壓印樹脂和其上形成有期望的微細的不平坦結構(圖案)的模子彼此接觸。隨後，在使壓印樹脂與模子保持彼此接觸的同時，透過照射紫外光使壓印樹脂固化。在壓印樹脂被固化之後，使壓印樹脂與模子彼此分離，藉此在基板上形成圖案。
壓印裝置在使模子與壓印樹脂彼此接觸之前對於每個曝光場(shot)執行對準。藉由使用透過模子(through-the-mold)的檢測系統(在下文中稱為“TTM檢測系統”)來實現壓印裝置的對準，該TTM檢測系統可以藉由同時檢測在模子和晶圓上形成的標記來執行對準。日本專利申請公開No.2005-286062討論了一種壓印裝置，在其中 用於利用紫外光照射樹脂層的照明系統被佈置在模子之上，並且以使得TTM檢測系統避開照明系統的方式佈置TTM檢測系統。
要求將TTM檢測系統佈置為相對於照明系統的光軸傾斜，以便防止TTM檢測系統干涉照明系統和照明光束。為了使得能夠通過被佈置為相對於照明系統的光軸傾斜的TTM檢測系統來進行晶圓對準，TTM檢測系統根據利特羅(Littrow)佈置而被佈置，並且透過獲取以利特羅角度繞射的光來檢測信號。然而，由於配置的限制，根據利特羅佈置而佈置的TTM檢測系統不能具有TTM檢測系統的足夠大的檢測數值孔徑(在下文中稱為“NA”)，導致檢測光量降低的問題，由此導致低對準精度。
實施例的一個公開態樣係關於透過增大TTM檢測系統的檢測數值孔徑來提高基板與模子之間的對準精度。
根據實施例的一個態樣，一種壓印裝置被配置為透過使用其上形成有圖案的模子來將該圖案轉印到供應在基板上的壓印材料，該壓印裝置包括：光接收元件；檢測系統，該檢測系統被配置為照射在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記，並且將從在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記反射的光引導到該光接收元件；以及中繼光學系統。該中繼光學系統被配置為在該中繼光學系統與該檢測系統之間形成從在該基板上形成的標記和在該 模子上形成的標記反射的光的圖像。該檢測系統被配置為將由該中繼光學系統成像的光引導到該光接收元件。
從以下參考附圖的示例性實施例的詳細描述中本發明揭露的更多的特徵和態樣將變得清晰。
下面將參考附圖來詳細描述實施例的各個示例性實施例、特徵以及態樣。
在下文中，將參考圖式描述這些實施例的示例性實施例。在所有圖式中由相同的圖式標記標識相同的部件，並且將省略重複的描述。
將描述第一示例性實施例。圖9示意性地示出傳統的壓印裝置1的配置。如圖9中所示出的，壓印裝置1包括被配置為發射用於使壓印樹脂固化的照明光3(主要為紫外光)的照明系統2、被配置為保持模子5的壓印頭4以及被配置為保持作為基板的晶圓8的晶圓台9。此外，壓印裝置1包括TTM檢測系統7、樹脂塗敷機構6以及控制單元10。如圖9中所示出地設定壓印裝置1的X軸、Y軸和Z軸。
TTM檢測系統7可以檢測在模子5上形成的模子對準標記(未示出)和在晶圓8上形成的晶圓對準標記(未示出)。可以基於對準標記的檢測結果來使模子5和晶圓8彼此對準。TTM檢測系統7利用在TTM檢測系統7中設置的光源向模子對準標記和晶圓對準標記發射測量光 11(主要為可見光或者紅外光)，並且隨後檢測從其反射的光。TTM檢測系統7被設置有例如光電轉換元件(例如，電荷耦合元件(CCD))以作為用於檢測反射光的光接收元件。
在這時候，可以透過使模子對準標記和晶圓對準標記的位置和焦點彼此對準來將模子5和晶圓8設定在彼此對準的相對位置(X、Y和Z)中。TTM檢測系統7的檢測結果被輸出到控制單元10，並且控制單元10可以透過基於TTM檢測系統7的檢測結果在X和Y方向上控制晶圓台9或者壓印頭4來調節模子5或者晶圓8在X和Y方向上的位置。
在藉由TTM檢測系統7檢測模子5和晶圓8的對準標記期間，由於在晶圓對準標記上供應有壓印樹脂，因此在單色光的情況下出現干涉條紋。因此，在該情況下，TTM檢測系統7檢測出添加有干涉條紋的信號的對準信號，使得進行精確的檢測變得不可能。此外，使用紫外線區域中的光作為測量光11導致供應在晶圓對準標記上的壓印樹脂曝光。因此，通常，期望的是，使用具有非曝光的光的波長的寬頻光作為TTM檢測系統7的照明光源，以便檢測出更少被干涉條紋污染的信號。術語“非曝光的光”被用來指的是具有與被發射為使壓印樹脂固化的光不同的波長的光。
在模子5與晶圓8之間的對準結束之後，在模子5上形成的圖案被轉印。利用樹脂塗敷機構6向晶圓8供應壓 印樹脂。壓印頭4在保持模子5的同時移動，並且使供應在晶圓8上的壓印樹脂與在模子5上形成的圖案彼此接觸(壓印)。在使模子5與晶圓8保持在該狀態的同時，從照明系統2發射照明光3(紫外光)以便使壓印樹脂固化。在壓印樹脂被固化之後，將模子5與固化的壓印樹脂彼此分離(脫模)。
將參考圖8A~8D描述如何透過利用壓印裝置1的壓印技術轉印圖案。在模子5上形成要被轉印到在基板上的壓印樹脂上的圖案13。
首先，如圖8A中所示出的，樹脂塗敷機構6將壓印樹脂14作為壓印材料供應到晶圓8上。將在假設壓印樹脂14是透過被光照射而被固化的光可固化樹脂的情況下描述該示例。晶圓台9移動使得供應有壓印樹脂14的晶圓8位於模子5正下方，如圖8B中所示出的。在供應有壓印樹脂14的晶圓8位於模子5正下方之後，將模子5壓在晶圓8上的壓印樹脂14上，如圖8C中所示出的。在該示例中，模子5被壓在壓印樹脂14上。然而，作為替代，晶圓夾具可以移動以便將向晶圓8供應的壓印樹脂14壓在模子5上。可替代地，模子5和晶圓8可以被彼此擠壓。
在使模子5保持壓在壓印樹脂14上的同時，從照明系統2發射紫外光15以便使壓印樹脂14固化。在壓印樹脂14被固化之後，模子5與壓印樹脂14分離，如圖8D中所示出的。結果，形成在模子5上的圖案13被轉印到 壓印樹脂14上，並且由此作為圖案13的反轉圖案的圖案16可以被形成。
然後，晶圓台9被移動，並且壓印樹脂14被供應給下一個曝光場以便向其轉印圖案。以這種方式重複地對晶圓8上的曝光場應用模子壓印和脫模可以使得在晶圓8上的所有曝光場上形成圖案16。
然而，由於模子5的壓印和脫模而對晶圓8施加力。力的施加可能導致晶圓8的位置相對於晶圓台9移位(displace)，如圖7A中所示出的。這是因為，與傳統的光學曝光裝置不同，模子5接觸在基板(晶圓)8上供應的壓印樹脂14。如果以如圖7A中所示出地晶圓8相對於晶圓台9移位的這種狀態將模子5壓印在下一個曝光場上，則圖案與基礎(foundation)的圖案未對準，由此使得裝置的良率降低。這導致在其中模子壓印和脫模被應用於曝光場並且在模子被壓印在下一個曝光場上之前測量下一個曝光場的對準標記12由此校正晶圓8的未對準的對準方法(晶片間對準(die-by-die alignment))的必要性。根據晶片間對準方法，對於每個曝光場測量曝光場的對準標記12，並且校正晶圓8的未對準，由此可以減少由於模子壓印和脫模而可能發生的晶圓8的未對準的影響，並且由此可以以高精度將模子5與基礎的圖案對準。
然而，在圖9中示出的傳統的壓印裝置1中，TTM檢測系統7被佈置為避開照明系統2和照明光3的照明光束。因此，有TTM檢測系統7的NA不能被充分地增大 的此種問題。TTM檢測系統7的NA 45取決於TTM檢測系統7本身的尺寸，而被佈置為避開照明系統2和照明光3的照明光束的TTM檢測系統7在其尺寸方面不能被增大，這不可避免地使增大NA 45變得不可能。
不能充分地增大TTM檢測系統7的NA 45導致在對準操作期間光量的減少，由此降低對準精度。由於TTM檢測系統7透過同時檢測在模子5上形成的對準標記和在晶圓8上形成的對準標記來建立對準，因此要求TTM檢測系統7被佈置在模子5之上。然而，模子5的上部在配置上是擁擠的，因此傳統的壓印裝置1不能增大TTM檢測系統7的NA 45，使得對準精度被降低。如果TTM檢測系統7的對準精度被降低，則在晶片間對準期間不能精確地校正晶圓8的未對準，由此導致在使用模子5壓印期間，模子5不能與基礎的圖案重疊，並且導致裝置的良率的降低。
因此，示例性實施例的特徵在於，它們允許增大使模子5和晶圓8彼此直接對準的TTM檢測系統7的NA 45，以便提供能夠提高對準精度的壓印裝置。結果，示例性實施例可以使在模子5上形成的圖案和晶圓8的曝光場區域彼此高度精確地重疊，由此有助於增大良率。
圖3示意性地示出根據第一示例性實施例的壓印裝置17的配置。圖3示出其特徵在於在模子5之上(在Z軸方向之上)設置中繼光學系統18的壓印裝置17。如圖3中所示出的，根據第一示例性實施例的壓印裝置17包括 被配置為保持晶圓8的晶圓台9、被配置為保持模子5的壓印頭4、樹脂塗敷機構6和控制單元10。
中繼光學系統18包括中繼光學系統內部透鏡49，並且由此可以在模子5之上產生在其處形成晶圓表面的圖像的晶圓表面的成像面47(共軛面)。中繼光學系統18用於經由模子5形成關於晶圓表面的圖像，並且中繼光學系統18的倍率可以是相同的倍率或者放大倍率，只要中繼光學系統18可以形成晶圓表面的圖像即可。期望的是，中繼光學系統18的畫面的尺寸(要被形成圖像的晶圓表面的區域)與整個一個曝光場區域對應。形成整個曝光場區域的圖像使得能夠檢測與該曝光場對應的多個標記。此外，中繼光學系統18的畫面的尺寸可以大於用來照射基板上的壓印材料的照明系統的照明光的區域。以這種方式，藉由中繼光學系統18，可以形成在模子5上形成的圖案要被轉印至其的區域外部形成的標記的圖像。形成的標記的圖像由檢測系統引導到光接收元件，由此執行標記檢測。
TTM檢測系統19(檢測光學系統)使用安裝在其中的光源來向形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記發射測量光11(主要為可見光或者紅外光)，並且檢測從其反射的光。上述的TTM檢測系統7在其中包括光接收元件，但是將在假設與TTM檢測系統19分離地設置光接收元件46的情況下進行描述。
TTM檢測系統19被佈置在中繼光學系統18之上。 從TTM檢測系統19發射的測量光11被透射通過中繼光學系統18中的中繼光學系統內部透鏡49，並且照射模子5和晶圓8。從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被透射通過中繼光學系統18和TTM檢測系統19，並且由用於TTM檢測系統19的光接收元件46檢測。可以基於檢測信號使模子5和晶圓8彼此對準。光接收元件46可以由例如光電轉換元件(例如，CCD照相機)具體實現。壓印裝置17以如下這種方式被配置，該方式使得尤其在模子5和晶圓8彼此接近地放置或者彼此緊密接觸時，從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被引導到光接收元件46。以這種方式，可以在壓印材料被固化之前使模子5和晶圓8彼此對準。
如圖3中所示出的，中繼光學系統18被佈置在模子5之上，其允許將TTM檢測系統19的位置移動到在配置上有餘地的空間，同時避免模子5之上的配置的擁擠。如圖3中所示出的，將TTM檢測系統19佈置在配置上有餘地的空間中，使得即使TTM檢測系統19在尺寸方面被增大也能夠佈置TTM檢測系統19，由此使得能夠增大TTM檢測系統19的NA。圖3中示出的TTM檢測系統19的NA 52可以被增大到充分地大於圖9中示出的TTM檢測系統7的NA 45。由於TTM檢測系統19的NA 52可以被增大，因此可以在對準操作期間保證足夠的光量。因此，與傳統技術相比，根據本示例性實施例的壓印裝置17可 以提高晶片間對準的精度。因此，根據本示例性實施例的壓印裝置17可以高度精確地校正在將模子5壓印在晶圓8上和從晶圓8釋放模子5時可能發生的晶圓5的未對準，並且可以在模子壓印時將模子5的圖案與基礎的圖案高度精確地對準。因此，根據本示例性實施例的壓印裝置17可以有助於提高裝置的良率。
如圖3中所示出的，根據本示例性實施例的壓印裝置17的照明系統20可以被佈置為相對於從TTM檢測系統19發射的測量光11的光軸傾斜，而不是被佈置在模子5的正上方。根據該配置，來自照明系統20的照明光3發光以便在模子5被壓印在晶圓8上之後使壓印樹脂固化。照明光3可以被透射通過模子5以便允許壓印樹脂被照明光3照射。因此，來自照明系統20的照明光3(紫外光)不通過圖3中示出的中繼光學系統18。因此，本示例性實施例的特徵還在於，中繼光學系統18具有被配置為形成與照明光3不同的光(非曝光的光)的圖像的中繼透鏡。
將參考圖1描述第二示例性實施例。
在圖3中示出的壓印裝置17中，照明系統20被佈置為相對於來自TTM檢測系統19的測量光11的光軸傾斜。然而，如果可能的話，期望的是在不傾斜照明系統的情況下佈置照明系統，使得照明光垂直地入射在晶圓8上。因此，第二示例性實施例將被描述為一種壓印裝置，其特徵在於在模子5之上佈置具有大的NA值以便實現高對準 精度的TTM檢測系統和照明系統兩者以使得測量光和照明光兩者可以垂直地入射在晶圓表面上的其配置。
圖1是示意性地示出包括佈置在模子5之上的配備有分束器22的中繼光學系統23的壓印裝置21的方塊圖。如圖1中所示出的，壓印裝置21包括被配置為保持晶圓8的晶圓台9、被配置為保持模子5的壓印頭4、樹脂塗敷機構6和控制單元10。
TTM檢測系統19經由中繼光學系統23被佈置。從TTM檢測系統19發射的測量光11被透射通過中繼光學系統內部透鏡49、設置在中繼光學系統23中的分束器22和中繼光學系統內部透鏡49，並且照射模子5和晶圓8。從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被透射通過中繼光學系統23和TTM檢測系統19，並且由用於TTM檢測系統19的光接收元件46檢測。可以基於檢測信號使模子5和晶圓8彼此對準。可以由設置在中繼光學系統23中的中繼光學系統內部透鏡49在模子5之上產生在其處形成晶圓表面的圖像的晶圓表面的成像面47。TTM檢測系統19可以與圖3中示出的TTM檢測系統19類似地被配置。
中繼光學系統23可以經由模子5產生基板表面的成像面47。中繼光學系統23的畫面的尺寸(要被形成圖像的晶圓表面的區域)可以被設定為整個曝光場區域，如根據第一示例性實施例的中繼光學系統18的情況一樣。此外，中繼光學系統23的畫面的尺寸可以被設定為大於照 射壓印材料的照明系統的照明光的區域。中繼光學系統23的畫面的尺寸可以被確定為任何尺寸，只要至少它使得能夠同時形成與曝光場對應的基板上形成的對準標記的圖像即可。
圖1中示出的壓印裝置21的TTM檢測系統19被佈置在配置上有餘地的空間中，以避免模子5之上的配置的擁擠，如圖3中示出的壓印裝置17的情況一樣。這使得即使TTM檢測系統19在尺寸方面被增大也能夠佈置TTM檢測系統19，藉此使得能夠增大TTM檢測系統19的NA。圖1中示出的TTM檢測系統19的NA 52可以被增大到充分地大於圖9中示出的傳統的壓印裝置1的TTM檢測系統7的NA 45。由於TTM檢測系統19的NA 52可以被增大，因此可以在對準操作期間獲取足夠的光量。因此，與傳統技術相比，根據第二示例性實施例的壓印裝置21可以提高晶片間對準的精度。因此，根據第二示例性實施例的壓印裝置21可以精確地校正在將模子5壓印在晶圓8上和從晶圓8釋放模子5時可能發生的晶圓5的未對準，並且可以在模子壓印時將模子5的圖案與基礎的圖案精確地對準。因此，根據第二示例性實施例的壓印裝置21可以有助於提高裝置的良率。
根據第二示例性實施例的壓印裝置21中的照明系統24被佈置在配置上有餘地的空間中，以避免模子5之上的配置的擁擠，如TTM檢測系統19的情況一樣。從照明系統24發射的照明光3被透射通過照明系統透鏡48以便 被引導到分束器22，並且隨後被分束器22反射。反射的照明光3被透射通過中繼光學系統內部透鏡49和模子5，並且供應在晶圓8上的壓印樹脂被照明光3照射。透過利用施加照明光3照射來使壓印樹脂固化。與照明系統24部分共用地配置分束器22。
以這種方式，在根據第二示例性實施例的壓印裝置21中，配備有分束器22的中繼光學系統23被佈置在模子5之上，由此允許TTM檢測系統19和照明系統24兩者被佈置在配置上有餘地的空間中。
此外，中繼光學系統23是藉由與照明光3不同的光(非曝光的光)形成整個曝光場的圖像的遠心光學系統(軸外主光線平行於光軸)。如上所述，中繼光學系統23可以同時形成多個對準標記的圖像。因此，可以透過將TTM檢測系統19配置成可移動的並且改變TTM檢測系統19的位置來測量多個對準標記的各個點。由於中繼光學系統23是遠心光學系統，因此軸外主光線平行於光軸，使得本示例性實施例可以提供便於構造改變TTM檢測系統19的圖像高度的裝置的優點。圖1示出在其中晶圓8上的三個點的圖像被形成在晶圓表面的成像面47上的示例，並且揭示可以透過改變TTM檢測系統19的位置來測量晶圓曝光場的不同點。為了簡化圖示，圖1未示出在分束器22內的光的折射，但是實際上，除了垂直入射在分束器22上的中繼光學系統23的軸上光線以外的光在被透射通過分束器22時被稍微偏移。
將參考圖2描述第三示例性實施例。
如上述示例性實施例的情況一樣，第三示例性實施例的特徵在於中繼光學系統被放置在檢測系統和模子5之間。此外，檢測系統經由中繼光學系統依次向模子5和晶圓8發射照明光，並且檢測從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光。第三示例性實施例被配置為基於檢測結果檢測在模子5和晶圓8之間的未對準，並且使模子5和晶圓8彼此對準。
在第二示例性實施例的描述中描述的分束器22的特徵在於它允許透射TTM檢測系統19的測量光11並且反射從照明系統24發射的照明光3。然而，分束器22的特徵可以是相反的。
根據第三示例性實施例的壓印裝置使用分束器26，該分束器26的特徵在於它反射TTM檢測系統19的測量光11並且允許透射從照明系統24發射的照明光3。圖2是示意性地示出配備有分束器26的壓印裝置25的方塊圖。
從TTM檢測系統19發射的測量光11被透射通過TTM檢測系統透鏡50以便被引導到分束器26，並且隨後由分束器26反射。反射的測量光11被透射通過中繼光學系統內部透鏡49，並且照射模子5和晶圓8。從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被透射通過TTM檢測系統19，並且然後由用於TTM檢測系統19的光接收元件46檢測。可以基於檢測信號使模子 5和晶圓8彼此對準。
中繼光學系統23可以與在第二示例性實施例的描述中描述的中繼光學系統23類似地被配置。然而，測量光11被分束器26反射，並且因此晶圓的表面(晶圓表面)的成像面47由設置在中繼光學系統23中的中繼光學系統內部透鏡49和TTM檢測系統透鏡50形成。以這種方式，晶圓表面的成像面47被形成在模子5之上。TTM檢測系統19可以與圖3中示出的TTM檢測系統19類似地被配置。
中繼光學系統23的畫面的尺寸(要被形成圖像的晶圓表面的區域)可以被設定為整個曝光場區域，如在第一示例性實施例中的中繼光學系統18的情況一樣。此外，中繼光學系統23的畫面的尺寸可以被設定為大於用來照射壓印材料的照明系統24的照明光的區域。中繼光學系統23的畫面的尺寸可以被確定為任何尺寸，只要至少它使得能夠同時形成與曝光場對應的基板上形成的對準標記的圖像即可。
從照明系統24發射的照明光3被透射通過設置在中繼光學系統23中的中繼光學系統內部透鏡49、分束器26和中繼光學系統內部透鏡49，並且被進一步透射通過模子5以便允許供應在晶圓8上的壓印樹脂被照明光3照射。透過利用照明光3照射來使壓印樹脂固化。
以這種方式，根據第三示例性實施例的壓印裝置25包括分束器26，該分束器26的特徵在於它反射測量光11 並且允許透射照明光3。因此，變得可以在模子5之上佈置具有大到足以實現高對準精度的NA的TTM檢測系統19以及照明系統24，如第二示例性實施例的情況一樣。
圖2中示出的壓印裝置25的特徵在於，中繼光學系統23包括分束器26，該分束器26在特性上被配置為反射從TTM檢測系統19發射的測量光11並且允許透射從照明系統24發射的照明光3。分束器26不一定必須在特性上被配置為完全地反射光或者完全地允許透射光。例如，分束器26可以在特性上被配置為反射從TTM檢測系統19發射的測量光11的90%並且允許透射測量光11的剩餘的10%。此外，分束器26可以在特性上被配置為允許透射從照明系統24發射的照明光3的90%並且反射照明光3的剩餘的10%。分束器26的反射和透射的比例可以為例如8：2或者7：3，而不是9：1。
將參考圖4描述第四示例性實施例。
包括配備有圖1和圖2中示出的分束器的中繼光學系統的壓印裝置可以提供這樣的優點，即，它允許TTM檢測系統和照明系統兩者被佈置在模子之上，並且TTM檢測系統的NA被充分地增大。然而，可能難以實現設置在中繼光學系統中的分束器的特性特徵。即使可以實現分束器的特性特徵，分束器也可能較昂貴。另一方面，在圖3中示出的沒有分束器的中繼光學系統18中，雖然TTM檢測系統19的NA 52可以被充分地增大並且TTM檢測系統19可以被佈置在模子5之上，但是別無選擇而只能相對 於TTM檢測系統19的光軸傾斜地佈置照明系統20。
因此，第四示例性實施例將被描述為包括沒有分束器的中繼光學系統的壓印裝置的示例。第四示例性實施例的特徵在於具有足夠大的NA的TTM檢測系統和照明系統兩者被佈置在模子5之上，並且它們的位置被切換。
圖4A和圖4B是示意性地示出根據第四示例性實施例的切換TTM檢測系統和照明系統的壓印裝置27的方塊圖。如圖4A和圖4B中所示出的，根據第四示例性實施例的壓印裝置27包括被配置為保持晶圓8的晶圓台9、被配置為保持模子5的壓印頭4、樹脂塗敷機構6和控制單元10。
TTM檢測系統28和照明系統29相對於模子5和晶圓8經由中繼光學系統30佈置，並且每一個包括驅動機構(未示出)。在對準操作期間，如圖4A中所示出的，從TTM檢測系統28(檢測光學系統)發射的測量光11被透射通過設置在中繼光學系統30中的中繼光學系統內部透鏡49，並且照射模子5和晶圓8。從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被透射通過中繼光學系統30和TTM檢測系統28，並且然後由用於TTM檢測系統28的光接收元件46檢測。可以基於檢測信號使模子5和晶圓8彼此對準。
中繼光學系統30可以經由模子5形成晶圓表面的成像面47。中繼光學系統30的畫面的尺寸(要被形成圖像的晶圓表面的區域)可以被設定為整個曝光場區域，如在 第一示例性實施例中的中繼光學系統18的情況一樣。此外，中繼光學系統30的畫面的尺寸可以被設定為大於照射壓印材料的照明系統29的照明光的區域。中繼光學系統30的畫面的尺寸可以被確定為任何尺寸，只要至少它使得能夠同時形成與曝光場對應的基板上形成的對準標記的圖像即可。晶圓的表面(晶圓表面)的成像面47由設置在中繼光學系統30中的中繼光學系統內部透鏡49形成。以這種方式，晶圓表面的成像面47被形成在模子5之上。TTM檢測系統28可以與圖3中示出的TTM檢測系統19類似地被配置。
另一方面，在用照明系統29照射晶圓8時，如圖4B中所示出的，TTM檢測系統28由照明系統29代替。從照明系統29發射的照明光3被透射通過設置在中繼光學系統30中的中繼光學系統內部透鏡49和模子5，並且允許供應在晶圓8上的壓印樹脂被照明光3照射。透過利用照明光3照射來使壓印樹脂固化。
以這種方式，根據切換TTM檢測系統28和照明系統29的壓印裝置27，可以在中繼光學系統30中沒有設置分束器的情況下將具有充分增大的NA的TTM檢測系統28和照明系統29佈置在模子5之上。
將參考圖5A到5C描述第五示例性實施例。
為了簡化描述，已經在假設僅僅有一個系統被設置作為TTM檢測系統的情況下描述了先前的示例性實施例。然而，TTM檢測系統可以被配置有多個系統。例如，在 需要在執行晶片間對準期間同時測量在曝光場的多個位置處形成的對準標記時，期望的是設置多個TTM檢測系統。即使僅僅設置一個TTM檢測系統，也可以透過移動台或者移動TTM檢測系統來測量在曝光場的多個位置處形成的對準標記。然而，在該情況下出現問題；由於移動台或者檢測系統，對準精度容易被惡化，並且處理量也被降低。模子5的上部在配置上是擁擠的，並且傳統上由於配置而難以在模子5之上佈置多個TTM檢測系統。
因此，第五示例性實施例的特徵在於，透過在模子5之上設置中繼光學系統，將具有充分增大的NA的多個TTM檢測系統(檢測光學系統)佈置在模子5之上。
圖5A到5C是各示意性地示出根據第五示例性實施例的包括多個TTM檢測系統的壓印裝置的方塊圖。如圖5A到5C中所示出的，根據第五示例性實施例的壓印裝置包括被配置為保持晶圓8的晶圓台9、被配置為保持模子5的壓印頭4、樹脂塗敷機構6和控制單元10。
圖5A是示意性地示出包括佈置在模子5之上的兩個TTM檢測系統的壓印裝置31的方塊圖。中繼光學系統34被設置在模子5之上，並且TTM檢測系統可以被放置在配置上有餘地的空間中，以避免模子5之上的在配置上擁擠的空間。在圖5A中示出的示例中，TTM檢測系統32和TTM檢測系統33被放置在配置上有餘地的空間中，並且因此它們分別可以具有足夠大的NA，由此實現高對準精度。
設置兩個TTM檢測系統允許同時檢測單個曝光場的兩個不同的對準標記，由此實現高度精確的對準測量。例如，X方向上的對準標記和Y方向上的對準標記的檢測使得能夠同時執行X方向上的對準測量和Y方向上的對準測量。此外，曝光場中的兩個不同的對準標記的檢測甚至使得能夠校正曝光場形狀。
此外，根據第五示例性實施例的中繼光學系統34是透過與照明光3不同的光(非曝光的光)形成整個曝光場的圖像的遠心光學系統，並且允許佈置多個TTM檢測系統。中繼光學系統34可以經由模子5形成晶圓表面的成像面47。中繼光學系統34可以與在第一示例性實施例的描述中描述的中繼光學系統18類似地被配置。可替代地，中繼光學系統34可以與在第二示例性實施例和第三示例性實施例的描述中描述的中繼光學系統23類似地被配置。此外，分束器可以被設置在中繼光學系統34中，使得從照明系統24發射的照明光3的光路和測量光11的光路的一部分被共用地配置。
此外，可以改變圖5A中示出的TTM檢測系統32和TTM檢測系統33的相對位置。可以透過改變TTM檢測系統32和TTM檢測系統33的位置來測量晶圓曝光場的每個點。中繼光學系統34的畫面的尺寸(要被形成圖像的晶圓表面的區域)可以被確定為任何尺寸，只要至少它使得能夠同時形成在基板上形成的多個對準標記的圖像即可。
從TTM檢測系統32和TTM檢測系統33發射的測量光11被透射通過中繼光學系統34，並且照射模子5和晶圓8。從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被透射通過中繼光學系統34、TTM檢測系統32和TTM檢測系統33，並且由用於TTM檢測系統32和33的光接收元件46中的每一個檢測。可以基於檢測信號使模子5和晶圓8彼此對準。由設置在中繼光學系統34中的中繼光學系統內部透鏡49在模子5之上形成在其處形成晶圓表面的圖像的晶圓表面的成像面47。TTM檢測系統32和33可以與圖3中示出的TTM檢測系統19類似地被配置。
在根據本示例性實施例的壓印裝置31中，照明系統35僅僅需要在模子5壓印在晶圓8上之後用照明光3照射供應在晶圓8上的壓印樹脂。因此，照明系統35可以被佈置為相對於從TTM檢測系統32和TTM檢測系統33發射的測量光11的光軸傾斜，而不是被佈置在模子5的上方。上述佈置允許從照明系統35發射的照明光3被透射通過模子5，以便允許在模子5壓印在晶圓8上之後照射供應在晶圓8上的壓印樹脂。透過利用施加照明光3照射來使壓印樹脂固化。以這種方式，從照明系統35發射的照明光3(紫外光)不通過圖5A中示出的中繼光學系統34。因此，根據本示例性實施例的中繼光學系統34的特徵還在於，中繼透鏡形成與照明光3不同的光(非曝光的光)的圖像。
參考圖5A描述的壓印裝置31被佈置有兩個系統作為多個TTM檢測系統。然而，壓印裝置可以包括任意多個TTM檢測系統(諸如三個系統或者四個系統)，而不是兩個系統。
圖5B是示意性地示出包括佈置在模子5之上的四個TTM檢測系統的壓印裝置36的方塊圖。在第五示例性實施例中，中繼光學系統34被設置在模子5之上，使得TTM檢測系統可以被佈置在配置上有餘地的空間中。因此，TTM檢測系統可以不僅被佈置在垂直方向(Z方向)上，而且被佈置在水平方向(X方向和Y方向)上。
除了與圖5A中示出的壓印裝置31類似的佈置在Z方向上的TTM檢測系統32和TTM檢測系統33之外，壓印裝置36還包括佈置在Y方向上的TTM檢測系統37和TTM檢測系統38，使得壓印裝置36總計包括四個TTM檢測系統。在本示例性實施例中，TTM檢測系統32和TTM檢測系統33與參考圖5A描述的TTM檢測系統相同。從TTM檢測系統37發射的測量光11和從TTM檢測系統38發射的測量光11分別被反射鏡39和反射鏡40反射，被透射通過中繼光學系統34，並且隨後照射模子5和晶圓8。從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被透射通過中繼光學系統34、TTM檢測系統37和TTM檢測系統38，並且然後由用於TTM檢測系統37和38的光接收元件46中的每一個檢測。可以基於檢測信號使模子5和晶圓8彼此對準。
反射鏡39和反射鏡40被佈置在成像面47附近，並且可以使反射光彎曲以便允許光接收元件46檢測它。可以透過在成像面47附近佈置反射鏡來在光有效直徑增大之前使光彎曲(反射)，並且由此可以容易地佈置多個TTM檢測系統。
在圖5B中示出的示例中，反射鏡39和反射鏡40被佈置在成像面47後面。然而，反射鏡39和反射鏡40可以被佈置在成像面47的前面。藉由以這種方式在由中繼光學系統34形成的成像面47處或附近佈置反射鏡39和40，可以減少整個壓印裝置36的高度並且提高設計的自由度。此外，本示例性實施例使一部分光束彎曲。然而，在期望進一步減少裝置的高度時，可以透過使所有光束彎曲來在水平方向上佈置檢測系統。
圖5C是示意性地示出包括佈置在成像面47的前面的反射鏡39和反射鏡40的壓印裝置53的方塊圖。圖5C中示出的TTM檢測系統37和TTM檢測系統38的特徵在於，在中繼光學系統34形成成像面47之前反射鏡39和反射鏡40使一部分光束彎曲。如圖5B中示出的示例的情況一樣，可以在光有效直徑增大之前使光彎曲，並且由此可以容易地佈置多個TTM檢測系統。
中繼光學系統34可以與在先前的示例性實施例的描述中描述的中繼光學系統18、23和30中的任何一個類似地被配置。然而，在如圖5C中所示出地反射鏡被佈置為在形成成像面47之前使反射光彎曲時，不一定形成成像 面47。在該情況下，在光被反射鏡39和反射鏡40彎曲之後，從對準標記反射的光的圖像被形成。為此，反射鏡39和反射鏡40可以被認為是中繼光學系統34的一部分。如本文中使用的，即使這種情況也由短語“中繼光學系統形成晶圓表面的成像面47”表示。
以這種方式，在模子5之上佈置中繼光學系統的方法的使用可以緩和模子5之上的配置的擁擠，並且使得能夠佈置具有足夠大的NA的多個TTM檢測系統。因此，即使在同時檢測多個對準標記時，TTM檢測系統也可以保證足夠的光量，由此實現高度精確的對準。
將參考圖6A到6C描述第六示例性實施例。
為了簡化圖示和描述，在圖5A到5C中示出的示例中，照明系統35被佈置為相對於TTM檢測系統的光軸傾斜。然而，即使在模子5之上佈置多個TTM檢測系統時，壓印系統也可以以使得來自照明系統的照明光垂直地入射在晶圓8上的方式被配置。
圖6A到6C是示意性地示出根據第六示例性實施例的壓印裝置41的方塊圖。壓印裝置41包括多個TTM檢測系統並且以使得來自照明系統的照明光垂直地入射在晶圓8上的方式被配置。如圖6A到6C中所示出的，根據第六示例性實施例的壓印裝置41包括被配置為保持晶圓8的晶圓台9、被配置為保持模子5的壓印頭4、樹脂塗敷機構6和控制單元10。此外，像圖5B中示出的壓印裝置36一樣，壓印裝置41被配置有TTM檢測系統32、33 、37和38(檢測光學系統)。
圖6A示出在對準操作期間的壓印裝置41。在對準操作期間，從TTM檢測系統32、33、37和38發射的測量光11被透射通過設置在中繼光學系統34中的中繼光學系統內部透鏡49，並且照射模子5和晶圓8。從形成在模子5上的對準標記和形成在晶圓8上的對準標記反射的光被透射通過中繼光學系統34以及TTM檢測系統32、33、37和38，並且然後由用於TTM檢測系統32、33、37和38的光接收元件46檢測。可以基於檢測信號使模子5和晶圓8彼此對準。以這種方式，在對準操作期間測量光11的光路與圖5B中示出的光路沒有不同。
中繼光學系統34可以與在先前的示例性實施例的描述中描述的中繼光學系統18、23、30和34中的任何一個類似地被配置。中繼光學系統34的畫面的尺寸(要被成像的晶圓表面的區域)可以被確定為任何尺寸，只要至少它使得能夠同時形成在基板上形成的多個對準標記的圖像即可。
在圖6A到6C示出的示例中，使測量光11和反射光彎曲的反射鏡39和40被佈置在中繼光學系統34的成像面47的後面。然而，如第五示例性實施例的情況一樣，反射鏡39和40可以被佈置在成像面47的前面或者可以被佈置在成像面47處。可以通過以這種方式在成像面47附近佈置反射鏡39和40來在光有效直徑增大之前使光彎曲，並且由此可以容易地佈置多個TTM檢測系統。
在根據第六示例性實施例的壓印裝置41中，照明系統42被佈置在模子5之上。在晶圓8被照射時，如圖6B中所示出的，用於照明系統42的反射鏡43被佈置在中繼光學系統34中。從照明系統42發射的照明光3被透射通過用於照明系統42的透鏡48，被彎曲反射鏡51彎曲，並且被引導到佈置在中繼光學系統34中的反射鏡43。由反射鏡43反射的照明光3被透射通過模子5，並且允許供應在晶圓8上的壓印樹脂被照射。透過利用照明光3照射來使壓印樹脂固化。
圖6C示出其中多個TTM檢測系統32、33、37和38以及照明系統42被集合作為佈置在模子5之上的一個單元44的壓印裝置41。第六示例性實施例使用將中繼光學系統34設置在模子5之上的方法，並且在該情況下，即使大的單元(像由TTM檢測系統32、33、37和38以及照明系統42構成的單元44)也可以被共同地佈置在模子5之上。將中繼光學系統34設置在模子5之上允許圖6C中示出的大的單元44被佈置在模子5之上，由此使得能夠利用各具有足夠大的NA的TTM檢測系統32、33、37和38實現高度精確的對準。
在第六示例性實施例中，反射鏡43到中繼光學系統34中的插入以及反射鏡43從中繼光學系統34的撤回允許測量光11和照明光3選擇性地照射模子5和晶圓8。在本示例性實施例中，反射鏡43可以用能夠使照明光3和測量光11分離的任意光學部件代替。例如，中繼光學 系統34可以用參考圖1和圖2描述的分束器代替。分束器的使用消除了用於移動反射鏡43的驅動機構(未示出)的必要性。
根據圖9中示出的傳統技術，模子5的上部出於結構的原因非常地擁擠，並且因此只有具有小的NA 45的TTM檢測系統7可以被佈置在模子5之上。根據上述示例性實施例中的任何一個，壓印裝置可以被配置有具有大的NA的TTM檢測系統，並且因此可以實現高度精確的對準。因此，根據上述示例性實施例的壓印裝置可以高度精確地校正在模子5和晶圓8之間產生的未對準，並且因此可以高度精確地將模子5與基礎的圖案對準。此外，該壓印裝置可以有助於提高裝置的良率。
已經基於在其中TTM檢測系統包括光源並且利用測量光照射對準標記的示例描述了所有先前的示例性實施例。然而，TTM檢測系統不一定必須包括光源。壓印裝置可以包括與TTM檢測系統分離的用於照射對準標記的光源(測量光照射單元)。壓印裝置可以以使得從測量光照射單元發射的光照射對準標記並且從對準標記反射的光被TTM檢測系統引導到光接收元件的方式被配置。
已經基於在其中中繼光學系統形成整個曝光場的圖像的示例描述了所有先前的示例性實施例。然而，中繼光學系統不一定必須形成整個曝光場的圖像。中繼光學系統可以以任意方式形成圖像，只要多個標記可以被同時引導到檢測系統即可。此外，壓印裝置可以使用形成包括多個曝 光場區域的圖像的中繼光學系統。
裝置(例如，半導體積體電路元件或者液晶顯示元件)製造方法包括利用上述壓印裝置在基板(晶圓、玻璃板以及膜狀基板)上形成圖案。此外，裝置製造方法可以包括對其上形成有圖案的基板執行刻蝕。如果裝置製造方法要製造其他產品(諸如圖案化的媒體(記錄媒體)或者光學元件)，則裝置製造方法可以包括對其上形成有圖案的基板執行其他處理，而不是執行刻蝕。與傳統方法相比，根據示例性實施例的產品製造方法在產品的性能、品質、生產率以及製造成本中的至少一個的方面是有利的。
雖然已經參考示例性實施例描述了實施例，但是應當理解，本發明揭露不限於所揭露的示例性實施例。以下申請專利範圍的範圍將被給予最寬的解釋從而包括所有的修改、等同結構與功能。
1‧‧‧壓印裝置
2‧‧‧照明系統
3‧‧‧照明光
4‧‧‧壓印頭
5‧‧‧模子
6‧‧‧樹脂塗敷機構
7‧‧‧TTM檢測系統
8‧‧‧晶圓
9‧‧‧晶圓台
10‧‧‧控制單元
11‧‧‧測量光
13‧‧‧圖案
14‧‧‧壓印樹脂
15‧‧‧紫外光
16‧‧‧圖案
12‧‧‧對準標記
45‧‧‧NA(數值孔徑)
17‧‧‧壓印裝置
18‧‧‧中繼光學系統
19‧‧‧TTM檢測系統
20‧‧‧照明系統
46‧‧‧光接收元件
47‧‧‧成像面
49‧‧‧中繼光學系統內部透鏡
52‧‧‧NA(數值孔徑)
22‧‧‧分束器
23‧‧‧中繼光學系統
21‧‧‧壓印裝置
24‧‧‧照明系統
48‧‧‧照明系統透鏡
26‧‧‧分束器
25‧‧‧壓印裝置
50‧‧‧TTM檢測系統透鏡
27‧‧‧壓印裝置
28‧‧‧TTM檢測系統
29‧‧‧照明系統
30‧‧‧中繼光學系統
31‧‧‧壓印裝置
34‧‧‧中繼光學系統
32‧‧‧TTM檢測系統
33‧‧‧TTM檢測系統
35‧‧‧照明系統
36‧‧‧壓印裝置
37‧‧‧TTM檢測系統
38‧‧‧TTM檢測系統
39‧‧‧反射鏡
40‧‧‧反射鏡
53‧‧‧壓印裝置
41‧‧‧壓印裝置
42‧‧‧照明系統
51‧‧‧彎曲反射鏡
43‧‧‧反射鏡
44‧‧‧單元
被加入說明書且構成說明書一部分的圖式示出了本實施例的示例性實施例、特徵和態樣，並且與描述一起用來解釋本發明揭露的原理。
圖1示意性地示出根據第二示例性實施例的壓印裝置。
圖2示意性地示出根據第三示例性實施例的壓印裝置。
圖3示意性地示出根據第一示例性實施例的壓印裝置 。
圖4A示意性地示出根據第四示例性實施例的壓印裝置。
圖4B示意性地示出根據第四示例性實施例的壓印裝置。
圖5A示意性地示出根據第五示例性實施例的壓印裝置。
圖5B示意性地示出根據第五示例性實施例的壓印裝置。
圖5C示意性地示出根據第五示例性實施例的壓印裝置。
圖6A示意性地示出根據第六示例性實施例的壓印裝置。
圖6B示意性地示出根據第六示例性實施例的壓印裝置。
圖6C示意性地示出根據第六示例性實施例的壓印裝置。
圖7A示出基板和對準標記。
圖7B示出基板和對準標記。
圖8A示意性地示出壓印技術。
圖8B示意性地示出壓印技術。
圖8C示意性地示出壓印技術。
圖8D示意性地示出壓印技術。
圖9示意性地示出傳統的壓印裝置。
4‧‧‧壓印頭
5‧‧‧模子
6‧‧‧樹脂塗敷機構
8‧‧‧晶圓
9‧‧‧晶圓台
10‧‧‧控制單元
11‧‧‧測量光
19‧‧‧TTM檢測系統
21‧‧‧壓印裝置
22‧‧‧分束器
23‧‧‧中繼光學系統
24‧‧‧照明系統
46‧‧‧光接收元件
47‧‧‧成像面
48‧‧‧照明系統透鏡
49‧‧‧中繼光學系統內部透鏡
52‧‧‧NA(數值孔徑)

Claims (21)

  1. 一種壓印裝置，被配置為透過使用模子來將圖案形成到在基板上的壓印材料，該壓印裝置包括：光接收元件；檢測系統，被配置為將來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光引導到該光接收元件；以及中繼光學系統，其中該中繼光學系統被配置為在該中繼光學系統與該檢測系統之間形成來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光的圖像，以及其中該檢測系統被配置為將來自該中繼光學系統的光引導到該光接收元件。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印裝置，還包括：光學部件，佈置在該中繼光學系統中，被配置為使來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的反射光與該照明光分離。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述的壓印裝置，還包括：該檢測系統中所包含的光源，其被配置為使用光來照射在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記，以及其中來自該光源的光的波長和該照明光的波長彼此不同。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的壓印裝置，其中該 照明光是紫外光而來自該光源的光是可見光或者紅外光。
  5. 根據申請專利範圍第2項所述的壓印裝置，其中該光學部件反射從該照明系統發射的該照明光，並且透射來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光。
  6. 根據申請專利範圍第2項所述的壓印裝置，其中該光學部件透射從該照明系統發射的該照明光，並且反射來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印裝置，還包括照明系統，被配置為發射用於使該壓印材料固化的照明光，其中該照明光被透射通過該中繼光學系統，並且該壓印材料被該照明光照射。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的壓印裝置，還包括切換機構，該切換機構被配置為切換該檢測系統和該照明系統的位置，其中該切換機構被配置為，在檢測來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光時，以使得該檢測系統將來自該中繼光學系統的光引導到該光接收元件的方式佈置該檢測系統，以及其中該切換機構被配置為，在使該壓印材料固化時，以使得該照明光經由該中繼光學系統照射該基板的方式佈置該照明系統。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印裝置，還包括： 照明系統，被配置為發射用於使該壓印材料固化的照明光；反射鏡，被配置為反射該照明光；以及用於移動該反射鏡的驅動機構，其中該驅動機構被配置為，在使該壓印材料固化時，透過移動將該反射鏡佈置在該中繼光學系統中。
  10. 根據申請專利範圍第2項所述的壓印裝置，其中透過該中繼光學系統將被形成圖像在該基板上的區域的尺寸係等於或大於在該基板上該照明光的照射區域。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印裝置，其中該中繼光學系統被配置為遠心光學系統。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印裝置，其中該檢測系統被配置為可移動的，並且藉由移動將來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光引導到該光接收元件。
  13. 根據申請專利範圍第1到12項中的任何一項所述的壓印裝置，還包括：複數對該光接收元件和該檢測系統，其中，透過在該複數對中的第一對的檢測系統，來自在該基板上形成的第一基板標記和在該模子上形成的第一模子標記的光被導到該光接收元件的該第一對，並且其中，透過在該複數對中的第二對的檢測系統，來自在該基板上形成的第二基板標記和在該模子上形成的第二模子標記的光被導到該光接收元件的該第二對。
  14. 根據申請專利範圍第13項所述的壓印裝置，還包括在該中繼光學系統形成的該基板的成像面處或附近的反射鏡，其中該反射鏡使來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光的光束的一部分彎曲。
  15. 根據申請專利範圍第1項所述的壓印裝置，其中透過該中繼光學系統將被形成圖像在該基板上的區域的尺寸係大於透過該中繼光學系統及該檢測系統將被形成圖像在該基板上的區域。
  16. 一種壓印方法，用於透過使用模子來將圖案形成到在基板上的壓印材料，該壓印方法包括：透過中繼光學系統在該中繼光學系統與檢測系統之間形成來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光的圖像；透過該檢測系統將來自該中繼光學系統的光引導到光接收元件；以及透過該光接收元件檢測在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記。
  17. 一種製造裝置的方法，包括如下步驟：利用壓印裝置在基板上形成圖案；以及在該形成的步驟中處理其上形成有該圖案的該基板，其中該壓印裝置被配置為透過使用模子來將圖案形成到在基板上的壓印材料，該壓印裝置包括：光接收元件；檢測系統，該檢測系統被配置為將來自在該基板上形 成的標記和在該模子上形成的標記的光引導到該光接收元件；以及中繼光學系統，其中該中繼光學系統被配置為在該中繼光學系統與該檢測系統之間形成來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光的圖像，以及其中該檢測系統被配置為將來自該中繼光學系統的光引導到該光接收元件。
  18. 一種壓印裝置，被配置為透過使用模子來將圖案形成到在基板上的壓印材料，該壓印裝置包括：光接收元件；中繼光學系統；檢測系統，被配置為將來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光引導到該光接收元件；以及移動單元，被配置為沿著成像面移動該檢測系統，其中透過該中繼光學系統將被形成圖像的基板表面的成像面係位在該中繼光學系統和該檢測系統之間。
  19. 一種壓印裝置，被配置為透過使用模子來將圖案形成到在基板上的壓印材料，該壓印裝置包括：光接收元件；中繼光學系統；以及檢測系統，被配置為將來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光引導到該光接收元件，其中該中繼光學系統，在該中繼光學系統和該檢測系 統之間，形成來自在該基板上形成的第一基板標記和第二基板標記的光的圖像以及形成來自在該模子上形成的第一模子標記和第二模子標記的光的圖像，其中該壓印裝置包括複數對該光接收元件和該檢測系統，並且其中，透過在該複數對中的第一對的檢測系統將來自該第一基板標記和該第一模子標記的光引導到該第一對的光接收元件，並且透過在該複數對中的第二對的檢測系統將來自該第二基板標記和該第二模子標記的光引導到該第二對的光接收元件。
  20. 一種壓印裝置，被配置為透過使用模子來將圖案形成到在基板上的壓印材料，該壓印裝置包括：光接收元件；中繼光學系統；檢測系統，被配置為經由該中繼光學系統將來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光引導到該光接收元件；照明系統，被配置為發射用於固化該壓印材料的照明光；以及移動單元，被配置為沿著成像面移動該檢測系統，其中該中繼光學系統包括光學部件，該光學部件透射來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光或者該發射的照明光之其中任一者，並且反射不被透射的另一者，並且 其中透過該中繼光學系統將被形成圖像的基板表面的成像面係位在該中繼光學系統和該檢測系統之間。
  21. 一種壓印裝置，被配置為透過使用模子來將圖案形成到在基板上的壓印材料，該壓印裝置包括：光接收元件；中繼光學系統；檢測系統，被配置為經由該中繼光學系統將來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光引導到該光接收元件；照明系統，被配置為發射用於固化該壓印材料的照明光，其中該中繼光學系統包括光學部件，該光學部件透射來自在該基板上形成的標記和在該模子上形成的標記的光或者該發射的照明光之其中任一者，並且反射不被透射的另一者，其中該中繼光學系統，在該中繼光學系統和該檢測系統之間，形成來自在該基板上形成的第一基板標記和第二基板標記的光的圖像以及形成來自在該模子上形成的第一模子標記和第二模子標記的光的圖像，其中該壓印裝置包括複數對該光接收元件和該檢測系統，並且其中，透過在該複數對中的第一對的檢測系統將來自該第一基板標記和該第一模子標記的光引導到該第一對的光接收元件，並且透過在該複數對中的第二對的檢測系統 將來自該第二基板標記和該第二模子標記的光引導到該第二對的光接收元件。
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