TWI495057B - 封裝組件及調諧封裝之自然共振頻率之方法 - Google Patents

封裝組件及調諧封裝之自然共振頻率之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI495057B
TWI495057B TW098146542A TW98146542A TWI495057B TW I495057 B TWI495057 B TW I495057B TW 098146542 A TW098146542 A TW 098146542A TW 98146542 A TW98146542 A TW 98146542A TW I495057 B TWI495057 B TW I495057B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
package
leads
column
geometry
package assembly
Prior art date
Application number
TW098146542A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201041099A (en
Inventor
Robert Bauer
Torsten Hauck
Original Assignee
Freescale Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Freescale Semiconductor Inc filed Critical Freescale Semiconductor Inc
Publication of TW201041099A publication Critical patent/TW201041099A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI495057B publication Critical patent/TWI495057B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Description

封裝組件及調諧封裝之自然共振頻率之方法
本發明大體上係關於電子器件之封裝，且更明確言之，本發明係關於一種封裝組件及調諧封裝之自然共振頻率之方法。
使用電子器件的封裝以容納各種電子器件。通常，該等封裝係安裝在一印刷電路板(PCB)上之半導體封裝。安裝一器件於一PCB上之若干方案係可行。例如，表面安裝技術(SMT)係直接在PCB表面上安裝電子器件封裝之一方式，而通孔技術係指用於針通孔(PTH)電子器件封裝之一安裝方案，其涉及使用在零件上的接針插入到PCB中所鑽的孔內並焊接到其相反側之焊墊上。
一封裝具有取決於其機械屬性之一自然共振頻率，亦即，該封裝具有在某種共振頻率下以最大振幅振盪之一傾向。在此等頻率處，甚至小週期驅動力即可產生大振幅振動，這是因為該封裝儲存振動能量。例如，一半導體封裝可併入感測器元件，例如慣性感測器元件，諸如加速計或角速率感測器，其可使用在汽車應用中。如果一傳感器感測器元件之一操作頻率接近該封裝組件之自然共振頻率，該感測器組件會故障或失效，這是因為該感測器傳感器元件可能受到應力、扭曲或甚至損壞。
US 5,889,658展示一種用於囊封並使用引線之一單一列垂直地表面安裝一半導體器件之封裝組件。代替使用一標準引線形狀及一標準節距，該引線形狀可被修正以藉由改變外部引線偏位而調整該封裝之共振頻率。
US 5,644,081展示經通孔安裝的具有一自由形成引線框架之一微加速計封裝，該引線框架可增強該封裝的剛度並降低在該加速計中之過度振動。
US 5,659,950描述一種形成囊封一電子晶粒的一封裝組件之方法。一單一直線封裝具備從該封裝之一側突出之一列引線及連接至一不同側之兩個額外支撐，以改良所示之封裝組件之剛度及自然彎曲頻率。
本發明提供在後附申請專利範圍中描述的一種封裝組件、一種感測器系統及一種調諧一封裝之一自然共振頻率之方法。
本發明之特殊實施例被陳述在附屬技術方案中。
本發明之此等及其他態樣將從下文描述的實施例而變得顯而易見並參考下文描述的實施例而說明。
將僅憑藉實例參考圖示而描述本發明之進一步細節、態樣及實施例。在圖中的元件係為簡單清楚地說明且不必按比例繪示。在不同圖中的相同元件符號係指相同或相似零件。
下文將相比於先前技術封裝組件之實例而描述較佳實施例。
參考圖1，其繪示一先前技術標準四面扁平封裝(QFP)組件之俯視圖10及側視圖12之一示意圖。一QFP係具有引線14從該封裝體16的四個側面之各者延伸出來的一積體電路封裝。可使用一引線14用於連接該封裝至一器件載體(諸如一PCB)。一引線可例如為一接針。主要使用一QFP用於表面安裝器件(SMD)。在所繪示的實施例中，使用鷗翼引線用於連接封裝組件至一PCB(圖中未繪示)。
現參考圖2，其繪示一先前技術標準小外形封裝組件之俯視圖20及側視圖22之一示意圖，圖2具有一短邊28及一長邊29。一小外形積體電路封裝係一表面安裝積體電路封裝。在所繪示的實例中，使用從該封裝體26突出的鷗翼引線24用於連接該封裝組件至一PCB(圖中未繪示)。
現參考圖3，其繪示圖2沿著圖2中的直線II-II在不同共振模式下之組件之一橫截面視圖的三維表示之一示意圖。
圖3中繪示之圖示的第一部分30提供不經受接近該封裝體之一共振頻率的振動的封裝組件之一橫截面視圖。所繪示之實例封裝組件可具有0.8毫米之一節距、0.4毫米之一引線寬度且該封裝體可為一液晶聚合物塑膠體。然而，應注意的是，可替代地選擇具有其他典型幾何佈局參數值之一封裝；且該封裝體可從其他基礎材料形成。所繪示之封裝囊封兩個電子電路且可免於歸因於接收到的振動能量之任何扭曲。
該圖示之第二部分32繪示相同的視圖，但其中該封裝組件歸因於接收接近所繪示之實例封裝體的一第一共振模式(或共振頻率)的一刺激而受到應力。此可例如為約18.3kHz(例如在約125℃)，此可為外殼(亦即，該封裝體)之一搖擺模式，尤其歸因於短邊引線(圖中未繪示)之側彎曲。在所繪示之實施例中，所繪示的長邊引線31亦被彎曲。
在圖3中繪示的該圖示之第三部分34再次繪示該封裝體的相同部分，現在一第二共振模式中(對於所繪示之實例，其可為約20 kHz)扭曲該封裝並尤其彎曲長邊引線31。
在圖3中繪示的該圖示之第四部分36繪示該封裝體之一第三共振模式中的組件部分，其可為約21 kHz，其中所選擇實例幾何參數如上文所述。該封裝體之該共振模式可尤其引起到該封裝體之底部38及頂部39的應力。然而，該第三共振模式可加壓於短邊引線及長邊引線31小於共振模式，因為例如應力可在引線之間更相等地分佈。
現參考圖4至圖8，提供及相比於圖1、圖2及圖3中之該等實例標準封裝組件而描述一封裝組件40、60、70、80之實例實施例。該封裝組件可包括：一電子器件106、108；一封裝體46、66、76、86；至少具有一第一幾何形狀的第一複數個引線44、64、74、84及具有一第二幾何形狀的第二複數個引線48、68、78、88，該等引線從該封裝體突出。該第一複數個引線之每一者經定位於該封裝體的角隅；或該第一複數個引線及該第二複數個引線可排列在至少一第一列50及經定位平行於該第一列之一第二列52；該等列的每一者包括至少兩個引線。該第一列藉由沿著該封裝體之一對稱平面54對映化該第一列而可變化成該第二列，且該第一複數個引線的每一者可具有與該第二幾何形狀不同之該第一幾何形狀。
因此該封裝組件可具有一自然共振頻率變化，例如相比於與所描述之封裝組件相同的另一封裝組件之一自然頻率而升高，但既不具有不同於該第二幾何形狀之該第一幾何形狀又不具有經定位於另一封裝體之角隅中的該第一複數個引線。
至少在第一次施加振動能量至該封裝組件前，複數個引線的每一者可具有相同形狀，此能量可例如彎曲引線。
該第一複數個引線44、64、74、84可放置在該封裝的角隅或可與上文描述之具有不同形狀的該第二複數個引線一起成列安置。然而應注意的是此亦可包含的是，引線的該第一複數個引線可具有一不同形狀且同時亦可安置在封裝角隅中。
該電子器件106、108可為一半導體器件。然而，該電子器件可為包括一個或多個電子及/或電/機械零件的任何器件，例如微機電系統(MEMS)。例如，一感測器可為一半導體器件。且該電子器件亦可例如包括機械零件。
圖4繪示一封裝組件的一第一實施例之一實例的俯視圖40及側視圖42之一示意圖。所繪示之組件可為基於一標準四面扁平封裝之一修正，如圖1中所繪示。圖4中繪示的該封裝組件包括一第一複數個引線44及具有不同形狀之第二複數個引線48。該等引線被分群為四列50、52、58、59，每一者在該封裝的各側，依據該封裝體之對稱平面54、56而對稱。該第一列50可藉由沿著對稱平面56對映化該第一列而可變化成該第二列52，且該第三列58可藉由沿著對稱平面54對映化該第一列而可變化成該第四列59。
為調諧該封裝之一自然共振頻率，可取決於一目標共振頻率而選擇引線對的形狀、位置及數目。該目標頻率的選擇可取決於電子器件之一操作頻率。所繪示之實施例提供每列兩個引線44，該等引線具有與其他引線48之標準形狀不同之一形狀。對於該第一實施例，此等不同形狀的引線對齊其他引線但接近該封裝之角隅而提供。
該第一複數個引線44之幾何形狀可不同於可具有一標準引線形狀的該第二複數個引線48之幾何形狀，例如根據由JEDEC固態技術協會定義的標準。該第一複數個引線形狀可與該第二複數個引線形狀例如在寬度及/或深度及/或高度或長度上不同。
一引線的術語「幾何形狀」可指其三維外觀。因此一第一幾何形狀可在當其外觀在三個空間維度之至少一者中不同時與一第二幾何形狀不同。
該第一複數個引線44之該第一幾何形狀可僅在互相正交的三個空間方向之一者中不同於該第二幾何形狀。此可例如對設計有利並增強易取得應用的相容性且基於易取得資源而製造。
例如，該第一複數個引線44之每一者的一寬度可不同於該第二複數個引線48之每一者的一寬度。該第一複數個引線44之每一者的寬度可例如被選擇為大於該第二複數個引線48之每一者的寬度，形成「帶狀引線(ribbon lead)」。此可增強引線勁度及該封裝組件的剛度並增大該目標自然共振頻率。
該第一複數個引線44的每一者之寬度可例如為該第二複數個引線48之一者的寬度之n倍加上在該第二複數個引線之兩個鄰近引線之間一節距的(n-1)倍的一總和，n為一整數。藉由「熔合」鄰近引線成為具有一更大寬度之一新引線，可僅需要相比於一標準佈局的極少改變，而容許可選擇調諧該封裝的剛度並因此增大其共振頻率。可藉由合併鄰近單一引線而建立帶狀引線。運用此方法，仍可使用標準材料、封裝技術及組件程序。
圖5繪示一封裝組件的一第二實施例之一實例的俯視圖60及側視圖62之一示意圖。僅將描述不同於在圖4中繪示的該第一實施例之零件。第一複數個引線64(亦即，「帶狀引線」)可定位於每一列之中央，容許該封裝共振頻率之一不同變化而保持該封裝體66之一平衡共振特性。
除相比於該第二複數個引線68之該第一複數個引線64的位置及形狀以外，可藉由應用兩種以上類型的引線而完成共振頻率精細調諧。因此，該封裝組件可包括具有不同於該第一幾何形狀及該第二幾何形狀之一第三幾何形狀的第三複數個引線。然而，可使用超過三種類型的引線。
圖6繪示一封裝組件的一第三實施例之一實例的俯視圖70及側視圖72之一示意圖。再次，僅將描述不同於在圖4中繪示的該第一實施例之零件。如所繪示，第一複數個引線74可放置在該封裝體76之角隅中，以獲得增強的該封裝的剛度而容許相對於其他引線78之一未改變器件佈局。作為一實例，圖6說明該第一複數個引線74的每一者可被連接至該封裝體之角隅且可具有不同於該第二幾何形狀之該第一幾何形狀。因此，引線74可不僅放置在該封裝的角隅，但亦可作為帶狀引線而實施。
圖7繪示一封裝組件的一第四實施例之一實例的俯視圖80及側視圖82之一示意圖。再次，僅將繪示不同於在圖4中繪示的該第一實施例之零件。所繪示的第四實施例說明可相比於圖2中提供之標準小外形封裝組件的一經修正小外形封裝組件。類似於圖4中所繪示的該第一實施例，繪示在圖7中的該封裝組件包括一第一複數個引線84及具有不同形狀之第二複數個引線88。該等引線被分群為四列94、96、98、100，每一者在該封裝的各側上，依據該封裝體86之對稱平面92、90而對稱。該第一列94可藉由沿著對稱平面92對映化該第一列而可變化成該第二列96，且該第三列98可藉由沿著對稱平面90對映化該第三列而可變化成該第四列100。
現參考圖8，其繪示圖7沿著圖7中的直線II-II在不同共振模式下之實例之一橫截面視圖的三維表示之一示意圖。
在圖8中所繪示的圖示之第一部分110提供不經受接近該封裝體之一共振頻率的振動的該封裝組件之一橫截面視圖。所繪示之實例封裝組件可基於根據在圖3中繪示之具有0.8毫米之一節距、0.4毫米之一引線寬度的一實例的一封裝組件。所繪示之封裝囊封兩個電子電路106、108及可例如免於歸因於接收到的振動能量之應力。
圖8中繪示的該圖示之第二部分112繪示相同視圖，但其中該封裝組件歸因於接收接近所繪示實例封裝體之一第一共振模式(或共振頻率)的一刺激而受到應力。此可例如為約20.6 kHz，此可為該外殼(亦即，該封裝體)之一搖擺模式，尤其歸因於短邊引線(圖中未繪示)之側彎曲。在所繪示之實例中，所繪示的第一列94及第二列96之長邊引線之引線84、88亦被彎曲。當將此相比於圖3中所繪示的該實例標準封裝，歸因於帶狀引線84之使用的封裝之增大的剛度可從18.3 kHz增加第一共振頻率，而無帶狀引線84。
圖8中繪示的該圖示之第三部分114再次繪示該封裝體的相同部分，現以一第二共振模式，此對於所繪示之實例可為約21 kHz，引起對該封裝體之底部118及頂部119的應力。然而，第二共振頻率可相比於圖3中繪示之實例而從例如20 kHz升高，引起對該封裝的較小扭曲及降低的引線彎曲。
圖8中繪示的該圖示之第四部分116繪示在該封裝體之一第三共振模式下的組件部分，此可為約24.8 kHz，其中所選擇實例幾何參數如上文所述，扭曲該封裝及彎曲例如長邊引線。
該封裝自然共振頻率之進一步增加可例如藉由在該封裝之角隅中添加額外帶狀引線而完成。該第一複數個引線的每一者可被連接至該封裝體之角隅且可具有不同於該第二幾何形狀的該第一幾何形狀。
該封裝的共振可例如相關於具有某一操作頻率範圍的器件。藉由應用適當引線幾何而調諧封裝剛度可確保在該封裝的操作頻率與共振頻率之間具有一偏位。如一實例，該電子器件106、108可包括至少一感測器元件，例如一內部感測器元件，諸如一加速計、一角速率感測器、一迴轉儀或任何組合式感測器。例如由該封裝體的振動引起的感測器件的額外振動可使感測精確度。一傳感器感測器元件(例如一加速計的一傳感器感測器元件)可具有一操作頻率，且系統調諧該封裝自然共振頻率可容許具有從該傳感器元件操作頻率之一所需偏位。
該封裝體可例如為一預先模製孔穴封裝體。該電子器件(例如，可另外經受一模製程序加應力之一感測器器件)可被放置在該孔穴中。然而，該封裝亦可為一覆模封裝(overmolded package)。
所描述的調諧一封裝自然共振頻率之原理可應用於任何器件封裝及安裝技術。例如可將其應用於通孔安裝模組。且該封裝組件可為一表面安裝器件(SMD)。SMD引線形狀及一引線至一PCB的接觸面積大小可容許僅藉由小修正(諸如增加該引線寬度)而影響該封裝組件的剛度。此可例如應用於鷗翼形狀引線，其略微伸出、落下且接著再次伸出。因此，該第一複數個封裝引線及第二複數個封裝引線可為鷗翼形狀。然而，可應用其他引線形狀，諸如J引線。
該封裝組件可為可應用對稱引線修正以完成該封裝體的調諧平衡共振特性而同時容許一統一焊接黏著操作的任何封裝組件。因此，該封裝組件可例如為一四面扁平封裝(QFP)組件或一小外形封裝(SOP)組件。其亦可例如為一雙重直線(DIL)封裝。
現亦參考圖9，其闡釋一感測器系統120之一實例的一示意圖，包括如上文所述之一封裝組件40、60、70、80。一感測器系統可為使用一個或多個感測器的任何系統且包括至少提供如上文所述之一封裝組件的一電子器件。
現參考圖10，其闡釋調諧一封裝之一自然共振頻率的一方法之一實施例的一實例之一示意圖。所闡釋的方法容許實施所描述的封裝組件之優點及特徵作為調諧一封裝之一自然共振頻率的一方法之部分。
調諧一封裝之一自然共振頻率的該方法可包括提供一電子器件(130)；提供一封裝體(132)；提供至少具有一第一幾何形狀的第一複數個引線及具有一第二幾何形狀之第二複數個引線(134)，該等引線從該封裝體突出。且該方法可包括：將該第一複數個引線之每一者定位在該封裝體之角隅(136)；或/及提供具有不同於該第二幾何形狀之該第一幾何形狀的複數個引線之每一者(138)；及排列該第一複數個引線及該第二複數個引線於至少一第一列及經定位平行於該第一列之一第二列中(140)；其中該等列的每一者包括至少兩個引線；該第一列藉由沿著該封裝體之一對稱平面對映化該第一列而可變化成該第二列。
在前述說明中，已參考本發明之實施例的特殊實例描述本發明。然而，顯然的是，可在不脫離在隨附申請專利範圍中陳述的本發明之廣泛精神及範圍下對其作出多種修正及改變。例如，該等引線可為適合於黏著一封裝組件至一載體的任何類型引線。因此，除非另外暗示或陳述，引線可例如直接或間接地連接至該載體。
因為實施本發明的該封裝組件係基於熟悉此項技術者已知的封裝，為理解及瞭解本發明之以下概念及為不模糊及轉移本發明之教示，將不在比上文說明的被視為必要的細節更廣之一範圍中解釋封裝組件細節。
此外，該封裝組件及引線可在與所繪示的實例中不同之一方式中實施。
因此，應理解的是，本文所描述的架構僅係例示性的，且實際上可實施完成相同功能的許多其他架構。以一簡要但仍係明確的意義而言，完成相同功能的零件之任何配置係有效「關聯」的，致使完成所需功能。因此，本文的任何兩個組合以完成一特殊功能的零件可被視為互相「關聯」，致使完成所需功能，不考慮架構或中間零件。同樣地，如此關聯的任何兩個零件亦可被視為互相「可操作地耦接」以完成所需功能。
然而，其他修正、變動及替代亦係可行的。因此，該等說明及圖式被視為一說明性而非一限制性意義。
在請求項中，放置於圓括弧之間的參考符號不應被理解為限制該請求項。詞語「包括」不排除列在一請求項以外的其他元件或步驟的存在。此外，本文使用的術語「一」被定義為一或一以上。同樣，在請求項中的介紹性片語的使用，諸如「至少一」及「一個或多個」不應被解釋為暗示由不定冠詞「一」引入的另一請求項元件限制對僅含有一個此元件的發明含有此引入請求項元件的任何特殊請求項，甚至是在當相同請求項包括該介紹性片語「一個或多個」或「至少一」及不定冠詞諸如「一」。此同樣適用於定冠詞的使用。除非另外陳述，諸如「第一」及「第二」之術語被用於在該等術語描述的元件之間任意區別。因此，該等術語不必希望指示臨時或其他順序的此類元件。某些措施係在互不相同之請求項中敘述，這一純粹事實並不表示不可有利地使用該等措施之組合。
雖然已結合特殊裝置在上文描述本發明之原理，待清楚理解的是該說明僅憑藉實例而做出且不作為對於本發明之範圍的一限制。
14．．．引線
16．．．封裝體
24．．．鷗翼引線
26．．．封裝體
28．．．短邊
29．．．長邊
30．．．第一部分
31．．．長邊引線
32．．．第二部分
34．．．第三部分
36．．．第四部分
38．．．底部
39．．．頂部
40、60、70、80．．．封裝組件
44、64、74、84．．．第一複數個引線
46、66、76、86．．．封裝體
48、68、78、88．．．第二複數個引線
50．．．第一列
52．．．第二列
54、56．．．對稱平面
58．．．第三列
59．．．第四列
92、90．．．對稱平面
94．．．第一列
96．．．第二列
98．．．第三列
100．．．第四列
106、108．．．電子器件
110．．．第一部分
112．．．第二部分
114．．．第三部分
116．．．第四部分
118．．．底部
119．．．頂部
120．．．感測器系統
II-II．．．直線
SMD．．．表面安裝器件
圖1繪示一先前技術標準四面扁平封裝組件之俯視圖及側視圖之一示意圖；
圖2繪示一先前技術標準小外形封裝組件之俯視圖及側視圖之一示意圖；
圖3繪示圖2沿著圖2中的直線II-II在不同共振模式下之組件之一橫截面視圖的三維表示之一示意圖；
圖4繪示一封裝組件的一第一實施例之一實例的俯視圖及側視圖之一示意圖；
圖5繪示一封裝組件的一第二實施例之一實例的俯視圖及側視圖之一示意圖；
圖6繪示一封裝組件的一第三實施例之一實例的俯視圖及側視圖之一示意圖；
圖7繪示一封裝組件的一第四實施例之一實例的俯視圖及側視圖之一示意圖；
圖8繪示圖7沿著圖7中的直線II-II在不同共振模式下之實例之一橫截面視圖的三維表示之一示意圖；
圖9繪示一感測器系統之一實例的一示意圖；及
圖10繪示調諧一封裝之一自然共振頻率的一方法之一實施例的一實例之一示意流程圖。
80．．．俯視圖
82．．．側視圖
84．．．第一複數個引線
88．．．第二複數個引線
86．．．封裝體
92、90．．．對稱平面
94．．．第一列
96．．．第二列
98．．．第三列
100．．．第四列

Claims (14)

  1. 一種封裝組件(40,60,70,80)，其包括：一電子器件(106,108)；一封裝體(46,66,76,86)；至少具有一第一幾何形狀的第一複數個引線(44,64,74,84)及具有一第二幾何形狀之第二複數個引線(48,68,78,88)，該等引線從該封裝體突出；該第一複數個引線的每一者經定位於該封裝體的角隅中，或該第一複數個引線及該第二複數個引線排列在至少一第一列(50)中及經定位平行於該第一列之一第二列(52)中；該等列的每一者包括至少兩個引線；該第一列藉由沿著該封裝體之一對稱平面(56,92)對映化該第一列而可變化成該第二列並產生複數個引線對；該第一複數個引線的每一者具有不同於該第二幾何形狀之該第一幾何形狀；其中取決於一目標共振頻率而選擇引線對的形狀、位置及數目。
  2. 如請求項1之封裝組件，其中該電子器件係一半導體器件。
  3. 如請求項1或2之封裝組件，其中該第一幾何形狀僅在互相正交的三個空間方向之一者不同於該第二幾何形狀。
  4. 如請求項1或2之封裝組件，其中該第一複數個引線之每一者的一寬度不同於該第二複數個引線之每一者的一寬度。
  5. 如請求項4之封裝組件，其中該第一複數個引線之每一者的該寬度係該第二複數個引線之一者的該寬度之n倍加上介於該第二複數個引線之兩個鄰近引線之間一節距的(n-1)倍的一總和，n為一整數。
  6. 如請求項1或2之封裝組件，其包括具有不同於該第一幾何形狀及該第二幾何形狀之一第三幾何形狀的第三複數個引線。
  7. 如請求項1或2之封裝組件，其中該第一複數個引線之每一者被連接至該封裝體的角隅且具有不同於該第二幾何形狀之該第一幾何形狀。
  8. 如請求項1或2之封裝組件，其中該電子器件包括至少一感測器元件。
  9. 如請求項1或2之封裝組件，其中該封裝體係一預先模製孔穴封裝體。
  10. 如請求項1或2之封裝組件，其中該封裝組件係一表面安裝器件(SMD)。
  11. 如請求項1或2之封裝組件，其中該第一複數個封裝引線及該第二複數個封裝引線係鷗翼形狀。
  12. 如請求項1或2之封裝組件，其中該封裝組件係一四面扁 平封裝(QFP)組件或一小外形封裝(SOP)組件。
  13. 一種感測器系統(120)，其包括如前述請求項中任一者之封裝組件。
  14. 一種調諧一封裝之一自然共振頻率之方法，其包括提供(130)一電子器件；提供(132)一封裝體；提供(134)從該封裝體突出之至少具有一第一幾何形狀的第一複數個引線及具有一第二幾何形狀之第二複數個引線；將該第一複數個引線之每一者定位(136)在該封裝體之諸角隅；提供(138)具有不同於該第二幾何形狀之該第一幾何形狀的該第一複數個引線之每一者；及排列(140)該第一複數個引線於至少一第一列及該第二複數個引線於經定位平行於該第一列之一第二列；該等列的每一者包括至少兩個引線；該第一列藉由沿著該封裝體之一對稱平面對映化該第一列而可變化成該第二列。
TW098146542A 2009-02-23 2009-12-31 封裝組件及調諧封裝之自然共振頻率之方法 TWI495057B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/IB2009/050724 WO2010095006A1 (en) 2009-02-23 2009-02-23 Package assembly and method of tuning a natural resonant frequency of a package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201041099A TW201041099A (en) 2010-11-16
TWI495057B true TWI495057B (zh) 2015-08-01

Family

ID=42633454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098146542A TWI495057B (zh) 2009-02-23 2009-12-31 封裝組件及調諧封裝之自然共振頻率之方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8947887B2 (zh)
CN (1) CN102282671B (zh)
TW (1) TWI495057B (zh)
WO (1) WO2010095006A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205249536U (zh) * 2015-12-23 2016-05-18 珠海市圣昌电子有限公司 一种用于切相调光电源的切相调光器维持电流控制电路
CN109155888B (zh) * 2016-02-29 2021-11-05 韦斯伯技术公司 用于产生表示检测到声刺激的信号的压电mems装置
CN114175153A (zh) 2019-03-14 2022-03-11 韦斯伯技术公司 具有以不同功耗水平确定的数字输出的麦克风
KR20210141551A (ko) 2019-03-14 2021-11-23 베스퍼 테크놀로지스 인코포레이티드 음향 자극 검출을 위한 적응형 임계값을 갖는 압전 mems 장치
US11726105B2 (en) 2019-06-26 2023-08-15 Qualcomm Incorporated Piezoelectric accelerometer with wake function

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5877548A (en) * 1996-06-24 1999-03-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Terminal configuration in semiconductor IC device
JP2001203226A (ja) * 2000-12-19 2001-07-27 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05326796A (ja) * 1992-05-21 1993-12-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用パッケージ
JPH07142673A (ja) * 1993-11-15 1995-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置
JPH07153889A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5659950A (en) 1995-03-23 1997-08-26 Motorola, Inc. Method of forming a package assembly
US5644081A (en) 1995-09-28 1997-07-01 Delco Electronics Corp. Microaccelerometer package with integral support braces
US5889658A (en) 1997-11-25 1999-03-30 Motorola, Inc. Package assembly for an electronic component
JP3514221B2 (ja) * 2000-08-10 2004-03-31 株式会社デンソー プリント配線基板
JP3839267B2 (ja) * 2001-03-08 2006-11-01 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びそれを用いた通信端末装置
JP4010792B2 (ja) * 2001-10-19 2007-11-21 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5877548A (en) * 1996-06-24 1999-03-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Terminal configuration in semiconductor IC device
JP2001203226A (ja) * 2000-12-19 2001-07-27 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8947887B2 (en) 2015-02-03
US20120026716A1 (en) 2012-02-02
TW201041099A (en) 2010-11-16
CN102282671B (zh) 2014-03-12
CN102282671A (zh) 2011-12-14
WO2010095006A1 (en) 2010-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8309385B2 (en) Inertial sensor, inertial sensor device and manufacturing method of the same
US9257372B2 (en) Surface mount package for a semiconductor integrated device, related assembly and manufacturing process
TWI495057B (zh) 封裝組件及調諧封裝之自然共振頻率之方法
JP5090715B2 (ja) センサ感知軸線の移動用小型パッケージ
US6035712A (en) Sensor device and method of producing the same using lead frame
US8624380B2 (en) Vertical mount package for MEMS sensors
US20080157298A1 (en) Stress Mitigation in Packaged Microchips
JP5494947B2 (ja) 電子デバイスの製造方法及び電子モジュールの製造方法
US20070228499A1 (en) MEMS device package with thermally compliant insert
TWI596712B (zh) 感測器模組與感測器模組裝置
JP5686153B2 (ja) 慣性センサ装置
KR101099586B1 (ko) 수직 실장형 반도체 패키지
JP2019095387A (ja) 流量計
JP2011149789A (ja) モーションセンサーの製造方法、およびモーションセンサー
JP2005274219A (ja) 半導体加速度センサ装置並びにその製造方法
KR100900235B1 (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP5729231B2 (ja) 角速度センサ装置およびその製造方法
JP2022061946A (ja) 金属製キャップを有する電子部品
JP2015012160A (ja) モールドパッケージおよびその製造方法
KR101067813B1 (ko) 모션센서 및 그의 제조방법
JP2007208016A (ja) モールドパッケージ
JP2010169614A (ja) 電子デバイスおよび電子モジュール、並びにそれらの製造方法
JP2005345368A (ja) ３軸磁気検出素子および３軸磁気検出装置、ならびその製造方法
JP2010219286A (ja) 電子デバイスおよび電子モジュール
JP2015224874A (ja) 角速度センサ装置