TWI494418B - 組成物 - Google Patents

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TWI494418B TW100113998A TW100113998A TWI494418B TW I494418 B TWI494418 B TW I494418B TW 100113998 A TW100113998 A TW 100113998A TW 100113998 A TW100113998 A TW 100113998A TW I494418 B TWI494418 B TW I494418B
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Tadahiro Kobayashi
Koshiro Ochiai
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Sumitomo Chemical Co
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Description

組成物
本發明是有關新穎的組成物。
在液晶顯示裝置或電致發光(EL)顯示裝置中,有使用偏光件(例如,參照Semiconductor FPD World增刊號,Press Journal股份有限公司,2001年8月27日發行,總卷數第266號,P.372)
本發明是提供下述者:
[1]一種組成物,係含有式(1)表示的液晶化合物與式(2)表示的液晶化合物;U1 -V1 -W1 -X1 -Y1 -X3 -Y2 -X2 -W2 -V2 -U2  (1)(式中,X1 、X2 及X3 獨立地表示可具有取代基之1,4-伸苯基或可具有取代基之反式-環己烷-1,4-二基。但是,X1 、X2 及X3 之中至少一個是表示可具有取代基的1,4-伸苯基。
Y1 及Y2 獨立地表示-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-、單鍵、-N=N-、-CRa =CRb -、-C≡C-或-CRa =N-。
Ra 及Rb 獨立地表示氫原子或碳數1至4的烷基。
U1 表示氫原子或聚合性基。
U2 表示聚合性基。
V1 及V2 獨立地表示可具有取代基的碳數1至20之烷二基,該烷二基所含之-CH2 -亦可以-O-、-S-或-NH-置換。
W1 及W2 獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-COO-或-OCOO-。)
(式中,A1 及A2 獨立地表示可具有取代基的1,4-伸苯基。
A3 獨立地表示可具有取代基之1,4-伸苯基或可具有取代基的萘-1,4-二基。
A4 是表示苯基、苯基苯基、環己基苯基或(4-烷基環己基)苯基,該烷基之碳數是1至10。
B1 、B2 及B3 獨立地表示-O-、-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-或單鍵。
T1 表示可具有取代基的碳數1至11之烷二基。
n表示1至3的整數。
Z表示聚合性基。)
[2]如[1]中所述之組成物,其中,復含有溶劑。
[3]如[1]或[2]中所述之組成物,其中,聚合性基為丙烯醯基氧基。
[4]如[1]至[3]中任一項所述之組成物,其中,復含有聚合起始劑。
[5]一種偏光件,係藉由使[1]至[4]中任一項所述之組成物中的式(1)表示之液晶化合物與式(2)表示之液晶化合物聚合而得者。
[6]如[5]中所述之偏光件,其中,聚合是在組成物配向成液晶相之溫度進行。
[7]一種偏光件,係由將[1]至[4]中任一項所述之組成物塗佈在支撐基材,並以該組成物配向成液晶相之溫度進行光照射而得者。
[8]如[6]或[7]所述之偏光件,其中,前述液晶相為層列相(smectic phase)。
[9]一種顯示裝置,係含有[5]至[8]中任一項所述之偏光件與發光源。
[10]一種式(2)表示之液晶化合物,
(式中,A1 及A2 獨立地表示可具有取代基的1,4-伸苯基。
A3 表示可具有取代基的1,4-伸苯基或可具有取代基的萘-1,4-二基。
A4 表示苯基、苯基苯基、環己基苯基或(4-烷基環己基)苯基,該烷基之碳數是1至10。
B1 、B2 及B3 獨立地表示-O-、-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-或單鍵。
T1 表示可具有取代基的碳數1至11之烷二基。
n表示1至3的整數。
Z表示聚合性基)。
本發明的組成物是含有式(1)表示的液晶化合物(以下簡稱為化合物(1))與式(2)表示的液晶化合物(以下簡稱為化合物(2)),並以復含有溶劑為佳。
U1 -V1 -W1 -X1 -Y1 -X3 -Y2 -X2 -W2 -V2 -U2  (1)
式(1)中,X1 、X2 及X3 獨立地表示可具有取代基之1,4-伸苯基或可具有取代基之反式-環己烷-1,4-二基,X1 、X2 及X3 之中的至少一個是可具有取代基的1,4-伸苯基。可具有取代基的1,4-伸苯基之取代基,可列舉出甲基、乙基、丁基等碳數1至4的烷基、氰基,及氟基(氟原子)、氯基(氯原子)、溴基(溴原子)等鹵素基(鹵素原子),並以碳數1至4的烷基為佳。可具有取代基的反式-環己烷-1,4-二基之取代基,可列舉出甲基、乙基、丁基等碳數1至4的烷基、氰基,及氟基(氟原子)、氯基(氯原子)、溴基(溴原子)等鹵素基(鹵素原子)。同時,構成反式-1,4-伸環己基之-CH2 -,亦可以-O-、-S-或-NR-置換。R表示碳數1至6的烷基或苯基。
X1 、X2 及X3 中的至少一個是可具有取代基的1,4-伸苯基,並以可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基較佳,而以無取代的1,4-伸苯基特佳。
X1 、X2 及X3 是相互獨立的無取代之1,4-伸苯基、具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基或無取代的反式-環己烷-1,4-二基,並宜使其中至少一個為無取代的1,4-伸苯基或具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基。
X1 、X2 及X3 中的至少二個,宜獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,並以可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基較佳,而以無取代的1,4-伸苯基特佳。
X1 、X2 及X3 中的至少二個,宜獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,另外一個為可具有取代基之反式-環己烷-1,4-二基,並以X1 、X2 及X3 中的至少二個獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,而另外一個為無取代之反式-環己烷-1,4-二基為較佳。
就容易合成的觀點而言,以X1 、X2 及X3 全部為可具有取代基之1,4-伸苯基為佳,並以X1 、X2 及X3 全部為無取代的1,4-伸苯基為較佳。
式(1)中,Y1 及Y2 獨立地表示-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-、單鍵、-N=N-、-CRa =CRb -、-C≡C-或-CRa =N-。此等基的結合位置可以是任何方向。亦即,此等基也可與X1 、X2 及X3 在任一方向結合,例如Y1 為-COO-時,-X1 -Y1 -X3 -表示的基可以是-X1 -COO-X3 -,也可以是-X1 -OOC-X3 -,例如Y2 為-CH2 O-時,-X3 -Y2 -X2 -表示的基可以是-X3 -CH2 O-X2 -,也可以是-X3 -OCH2 -X2 -。
Ra 及Rb 獨立地表示氫原子或碳數1至4的烷基。碳數1至4的烷基,可列舉出甲基、乙基及丁基。
Y1 宜為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,並以-COO-時較佳。Y2 宜為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-。式(1)中,W1 及W2 獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-COO-或-OCOO-。如W1 為-COO-時,此基也可以任何方向與V1 及X1 結合。如W1 為-COO-時,-V1 -W1 -X1 -表示的基可以是-V1 -COO-X1 -,也可以是-V1 -OOC-X1 -。如W2 為-COO-時,-X2 -W2 -V2 -表示的基可以是-X2 -COO-V2 -,也可以是-X2 -OOC-V2 -。W1 及W2 宜獨立地為單鍵或-O-。
式(1)中,V1 及V2 獨立地表示可具有取代基的碳數1至20的烷二基,該烷二基中所含的-CH2 -,也可以-O-、-S-或-NH-置換。
碳數1至20的烷二基,可列舉出亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、癸烷-1,10-二基、十四烷-1,14-二基及二十烷-1,20-二基,以碳數2至12的烷二基為佳,並以碳數4至12的烷二基較佳,並以碳數6至12的烷二基更佳,而以碳數6至10的烷二基特佳。該烷二基可具有的取代基,可列舉出氟基(氟原子)、氯基(氯原子)、溴基(溴原子)等鹵素基(鹵素原子)及氰基。烷二基宜為無取代的烷二基,並以無取代的直鏈狀烷二基為較佳。
式(1)中,U1 表示氫原子或聚合性基,並宜為聚合性基。U2 表示聚合性基。U1 及U2 宜為聚合性基,並以光聚合性基為較佳。此處“聚合性基”是指關於由聚合起始劑產生的活性自由基、酸等而聚合反應的基,“光聚合性基”是指關於由光聚合起始劑產生的活性自由基、酸等而聚合反應的基。如U1 及U2 為聚合性基時,U1 及U2 宜為相同種類的聚合性基,並以相同的聚合性基為較佳。聚合性基可列舉出乙烯基、乙烯氧基、1-氯乙烯基、異丙烯基、4-乙烯苯基、丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、環氧乙基(oxiranyl)及環氧丙基(oxetanyl)。其中尤以丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、乙烯氧基、環氧乙基及環氧丙基為佳,而以丙烯醯基氧基為較佳。
化合物(1)可列舉出:X1 、X2 及X3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之1,4-伸苯基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,X3 為可具有取代基之反式-環己烷-1,4-二基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基的化合物(1);X1 及X2 為無取代的之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-伸苯基的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基的化合物(1);X1 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基的化合物(1);Y1 為-CH2 CH2 -;-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-的化合物(1);X1 及X2 為無取代的1,4-伸苯基,X3 為無取代的反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 及X2 為無取代的1,4-伸苯基,X3 為無取代的反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-的化合物(1);X1 及X3 為無取代的1,4-伸苯基,X2 為無取代的反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 及X3 為無取代的1,4-伸苯基,X2 為無取代的反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,X2 為無取代的反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,X2 為無取代的反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO,Y2 為-COO-的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20的烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及 W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20的烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 為無取代之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 為無取代之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 為無取代之-1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 為無取代之-1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數1至20之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及 W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之-1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之-1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4之烷基的1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 為無取代之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X2 為無取代之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 為無取代之-1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或聚合性基,U2 為聚合性基的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 、X2 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 、X2 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,Y1 為-COO-,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或-CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12的烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X2 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X2 為無取代之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X2 為無取代之1,4-伸苯基,X3 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-或,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12的烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X3 獨立地為可具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12的烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-CH2 CH2 -、-COO-或單鍵,Y2 為-CH2 CH2 -、-COO-或CH2 O-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12之烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1);X1 及X3 為無取代之1,4-伸苯基,X2 為無取代之反式-環己烷-1,4-二基,Y1 為-COO-,Y2 為-COO-,W1 及W2 獨立地為單鍵或-O-,V1 及V2 獨立地為碳數4至12的烷二基,U1 為氫原子或丙烯醯基氧基,U2 為丙烯醯基氧基的化合物(1)。
具體的化合物(1)可列舉出式(1-1)至式(1-21)表示的化合物。而且,下述式中表示的基是指反式-環己烷-1,4-二基。
化合物(1)以顯示層列相的化合物為佳。在形成有配向膜的玻璃基板上塗佈化合物(1)之後,一邊加熱所塗佈的化合物,一邊以偏光顯微鏡進行紋路的觀察,即可確認化合物(1)顯示之相。
層列相係可列舉出層列B相、層列D相、層列E相、層列F相、層列G相、層列H相、層列I相、層列J相及層列K相。在層列相中,化合物(1)是呈高配向秩序的狀態。
化合物(1)是以顯示層列B相的化合物及顯示層列B相為傾斜相的層列F相或層列I相之化合物較佳,而以顯示層列B相的化合物特佳。
化合物(1)可由例如Recl.Trav.Chim.Pays-Bas 115,321-328(1996)、Liquid Crystals,33,723-737(2006)等所記載之方法而製造。
在本發明的組成物中化合物(1)之含量,相對於組成物之固形份,宜為70至99.99質量%,並以90至99.9質量%為較佳。只要在上述範圍內,即有可使化合物(1)的配向性變高之傾向。此處,固形份是指組成物中除了溶劑之外的成分。
本發明的組成物,也可含有二以上的化合物(1)。
化合物(2)是顯示二色性的液晶化合物。“二色性”是指分子在長軸方向的吸光度與在短軸方向的吸光度不同的性質。
式(2)中,A1 及A2 表示獨立地可具有取代基之1,4-伸苯基。取代基可列舉出甲基、乙基、丁基等碳數1至4的烷基;甲氧基、乙氧基、丁氧基等碳數1至4的烷氧基;三氟甲基等碳數1至4的氟烷基;氰基、氟基(氟原子)、氯基(氯原子)、溴基(溴原子)等鹵素基(鹵素原子)等,並以碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基及碳數1至4的氟烷基為佳,而以碳數1至2的烷基、碳數1至2的烷氧基及碳數1至2的氟烷基為較佳。
具有取代基之1,4-伸苯基,可列舉出2-甲基-1,4-伸苯基等在第2位上具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基、2-三氟甲基-1,4-伸苯基等在第2位上具有碳數1至4的氟烷基之1,4-伸苯基及2-甲氧基-1,4-伸苯基等在第2位上具有碳數1至4的烷氧基之1,4-伸苯基,並以第2位上具有碳數1至2的烷基之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至2的氟烷基之1,4-伸苯基及第2位上具有碳數1至2的烷氧基之1,4-伸苯基為佳。
A1 宜為無取代的1,4-伸苯基。A2 宜為可具有取代基的1,4-伸苯基,並以無取代的1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至4的氟烷基之1,4-伸苯基或第2位上具有碳數1至4的烷氧基之1,4-伸苯基較佳,而以無取代的1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至2的烷基之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至2的氟烷基之1,4-伸苯基或第2位上具有碳數1至2的烷氧基之1,4-伸苯基特佳。
式(2)中,A3 表示獨立且可具有取代基的1,4-伸苯基或可具有取代基的萘-1,4-二基。取代基可列舉出甲基、乙基、丁基等碳數1至4的烷基;甲氧基、乙氧基、丁氧基等碳數1至4的烷氧基;三氟甲基等碳數1至4的氟烷基;氰基、氟基(氟原子)、氯基(氯原子)、溴基(溴原子)等鹵素基(鹵素原子)等,並以碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基及碳數1至4的氟烷基為佳,而以碳數1至2的烷基、碳數1至2的烷氧基及碳數1至2的氟烷基為較佳。
具有取代基之1,4-伸苯基,可列舉出2-甲基-1,4-伸苯基等在第2位上具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基、2-三氟甲基-1,4-伸苯基等在第2位上具有碳數1至4的氟烷基之1,4-伸苯基及2-甲氧基-1,4-伸苯基等在第2位上具有碳數1至4的烷氧基之1,4-伸苯基,並以第2位上具有碳數1至2的烷基之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至2的氟烷基之1,4-伸苯基及第2位上具有碳數1至2的烷氧基之1,4-伸苯基為佳。具有取代基之萘-1,4-二基,可列舉出2-甲基萘-1,4-二基等在第2位上具有碳數1至4的烷基之萘-1,4-二基、2-三氟甲基萘-1,4-二基等在第2位上具有碳數1至4的氟烷基之萘-1,4-二基及2-甲氧基萘-1,4-二基等在第2位上具有碳數1至4的烷氧基之萘-1,4-二基,並以第2位上具有碳數1至2的烷基之萘-1,4-二基、第2位上具有碳數1至2的氟烷基之萘-1,4-二基及第2位上具有碳數1至2的烷氧基之萘-1,4-二基為佳。
A3 宜為獨立且無取代之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至4的烷基之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至4的氟烷基之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至4的烷氧基之1,4-伸苯基、無取代之萘-1,4-二基、第2位上具有碳數1至4的烷基之萘-1,4-二基或第2位上具有碳數1至4的烷氧基之萘-1,4-二基,而以無取代的1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至2的烷基之1,4-伸苯基、第2位上具有碳數1至2的氟烷基之1,4-伸苯基或第2位上具有碳數1至2的烷氧基之1,4-伸苯基、無取代之萘-1,4-二基、第2位上具有碳數1至2的烷基之萘-1,4-二基或第2位上具有碳數1至2的烷氧基之萘-1,4-二基為較佳。
式(2)中,A4 表示苯基、苯基苯基、環己基苯基或(4-烷基環己基)苯基,該烷基的碳數是1至10。作為苯基苯基可列舉如4-苯基苯基。作為環己基苯基可列舉如4-環己基苯基。作為(4-烷基環己基)苯基可列舉如4-(4-烷基環己基)苯基。作為碳數1至10的烷基可列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基及癸基,並宜為碳數1至6的烷基,而以碳數1至6的直鏈狀烷基為較佳。A4 宜為苯基、苯基苯基或環己基苯基。
式(2)中,B1 、B2 及B3 獨立地表示-O-、-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-或單鍵。此等基之結合位置可以是任何方向。亦即,此等基可在任何方向與Z、T1 、A1 及A2 結合,例如B3 為-COO-時,-A1 -B3 -A2 -表示的基可以是-A1 -COO-A2 -,也可以是-A1 -OOC-A2 -。B1 宜為單鍵或-CH2 CH2 -,並以單鍵為較佳。B2 宜為-O-或-CH2 O2 -,並以-O-為較佳。B3 宜為-COO-。
式(2)中,T1 表示可具有取代基的碳數1至11的烷二基。碳數1至11的烷二基可列舉出亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、癸烷-1,10-二基及十一烷-1,11-二基,並宜為碳數4至11的烷二基,而以碳數6至11的烷二基為較佳。作為該烷二基可具有的取代基可列舉出氟基(氟原子)、氯基(氯原子)、溴基(溴原子)等鹵素基(鹵素原子)及氰基。烷二基宜為無取代的烷二基,並以無取代的直鏈狀烷二基為較佳。
式(2)中,n表示1至3的整數,並宜為1或2。
式(2)中,Z表示聚合性基,聚合性基可列舉如與前述U1 及U2 所示之聚合性基相同者,並宜為丙烯醯基氧基、甲基丙烯醯基氧基、乙烯基氧基、環氧乙基及環氧丙基,而以丙烯醯基氧基較佳。
作為化合物(2)可列舉出:A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代之1,4-伸苯基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基之化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基的萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基之化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基的化合物(2);A1 及A2 為無取代的1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基的萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基之化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或A碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代的萘-1,4-二基之化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基的萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基之化合物(2);A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代的1,4-伸苯基,A4 為苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為苯基的化合物(2);A1 及A2 為無取代之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代的萘-1,4-二基,A4 為苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基的萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代之1,4-伸苯基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 及A2 為無取代的1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代之萘-1,4-二基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-苯基苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代之1,4-伸苯基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為的可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 及A2 為無取代的1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代之萘-1,4-二基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-環己基苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代之1,4-伸苯基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基,該烷基為碳數1至6之烷基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基,該烷基為碳數1至6的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基之化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基之化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 及A2 為無取代的1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基之化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代之萘-1,4-二基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A4 為4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 及A2 為無取代之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代的1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 及A2 為無取代之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基;碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基的化合物(2);B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基、B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 、A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 為無取代基之1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 、A2 及A3 為無取代之1,4-伸苯基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 及A3 獨立地為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 及A2 獨立地為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 為無取代基之1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 及A2 為無取代之1,4-伸苯基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 為可具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為可具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為無取代之萘-1,4-二基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2);以及A1 為無取代之1,4-伸苯基,A2 為具有取代基之1,4-伸苯基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,A3 為具有取代基之萘-1,4-二基,該取代基為碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基或碳數1至4的氟烷基,B2 為-O-,B3 為-COO-,A4 為苯基、4-苯基苯基、4-環己基苯基或4-(4-烷基環己基)苯基,B1 為單鍵,Z為丙烯醯基氧基的化合物(2)。
具體的化合物(2)可列舉出式(2-1)至式(2-18)表示的化合物。
具體的化合物(2)亦可列舉出式(2-19)及式(2-20)表示的化合物。
化合物(2)對應其結構可藉由適當組合Methoden der Organischen Chemie,Organic Reactions,Organic Syntheses,Comprehensive Organic Synthesis,新實驗化學講座等所記載之已知的有機合成反應(例如縮合反應、酯化反應、Williamson反應、UIlmann反應、Wittig反應、Schiff鹼反應、苯甲基化反應、薗頭(Sonogashira)反應、鈴木-宮浦反應、根岸反應、熊田反應、檜山反應、布赫瓦爾德-哈特維希(Buchwald-Hartwig)反應、弗裡德爾-克拉夫茨(Friedel-Crafts)反應、赫克(Heck)反應、縮醛(aldol)反應等)而製造。
例如,B3 為-COO-的化合物(2)可藉由式(3)表示的化合物與式(4)表示的化合物反應而製得。此反應亦可在酯化劑的存在下進行,酯化劑可列舉出二環己基羧基二醯亞胺等羧基二醯亞胺化合物。亦可將式(3)表示的化合物轉換成對應的酸氯化物之後,與式(4)表示的化合物反應。
Z-B1 -T1 -B2 -A1 -COOH (3)
(式中,Z、B1 、T1 、B2 及A1 表示與上述相同意義。)
(式中,A2 、A3 及A4 及n表示與上述相同意義。)
化合物(2)在本發明的組成物中之含量,宜為相對於組成物之固形分的0.01至30質量%,並以0.1至10質量%為較佳。只要在上述範圍內,化合物(1)的配向不會混亂,而可使化合物(1)與化合物(2)聚合,因此,可使所得的偏光件之二色比有變高的傾向。
二色比是指入射至偏光件的光中,相互垂直振動之二個直線偏光的吸收強度之比。二色比可定義為沿著穿透軸的吸光度(AH )及沿著消光軸(以垂直入射測定)的吸光度(AV )之比(AV /AH )。穿透軸(偏光軸)是指入射至偏光件的入射光之中,可穿透偏光件的成分之偏光方向,消光軸(吸收軸)是指入射至偏光件的入射光之中,經偏光件吸收的成分之偏光方向。
本發明的組成物亦可含有二個以上的化合物(2)。
通常具有聚合性基的液晶化合物,經配向後在聚合時,雖然有配向容易變亂的傾向,但因化合物(2)本身顯示液晶性,故即使將化合物(1)與化合物(2)混合時,所得的組成物是安定且有顯示液晶相的傾向,此外,由於此等的配向不混亂,可使化合物(1)與化合物(2)聚合,故所得的偏光件有二色比偏高之傾向。
本發明的組成物,宜為復含有聚合起始劑之組成物。
聚合起始劑是可起動化合物(1)與化合物(2)聚合反應之化合物,宜為藉由光照射而產生酸或自由基之光聚合起始劑,並以藉由光照射而產生自由基之光聚合起始劑為較佳。
光聚合起始劑可列舉出安息香化合物、二苯甲酮化合物、苯乙酮化合物、醯基膦氧化物化合物、三化合物、錪鎓(iodonium)鹽及鋶鎓(sulfonium)鹽。
安息香化合物可列舉出安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚及安息香異丁醚。二苯甲酮化合物可列舉出二苯甲酮、鄰-苯甲醯安息香酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4-苯甲醯基-4’-甲基二苯基硫化物、3,3’,4,4’-四(過氧第三丁基羰基)二苯甲酮及2,4,6-三甲基二苯甲酮。苯乙酮化合物可列舉出二乙氧苯乙酮、2-甲基-2-瑪林基-1-(4-甲基苯硫基)丙烷-1-酮、2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-瑪林基苯基)丁烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1,2-二苯基-2,2-二甲氧乙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮及2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷-1-酮的寡聚物。
醯基膦氧化物化合物可列舉出2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基膦氧化物。三化合物可列舉出2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧苯基)-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基萘基)-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(4-二乙基胺基-2-甲基苯基)乙烯基]-1,3,5-三及2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-1,3,5-三
光聚合起始劑亦可使用Irgacure 907、Irgacure 184、Irgacure 651、Irgacure 819、Irgacure 250、Irgacure 369(以上均為Ciba Japan股份有限公司製)、Seikuol BZ、Seikuol Z、Seikuol BEE(以上均為精工化學股份有限公司製)、Kayacure BP100(日本化藥股份有限公司製)、Kayacure-UVI-6992(Dow公司製)、Adekaoptomer-SP-152或Adekaoptomer-SP-170(以上均為ADEKA股份有限公司製)、TAZ-A、TAZ-PP(以上是日本DKSH公司製)及TAZ-104(三和化學公司製)等市售的光聚合起始劑。
聚合起始劑的含量,相對於化合物(1)與化合物(2)之合計量為100質量份時,宜為0.1質量份至30質量份,並以0.5質量份至10質量份為較佳。只要在上述範圍內,即可使化合物(1)及化合物(2)之配向不混亂而聚合。
本發明的組成物亦可含有光增感劑。光增感劑可列舉出氧雜蒽酮(xanthone)或噻吨酮(thioxanthone)等氧雜蒽酮化合物(例如2,4-二乙基噻吨酮、2-異丙基噻吨酮等)、蒽或具有烷醚等取代基的蒽化合物(例如二丁氧基蒽等)、酚噻及紅螢烯(rubrene)。
藉由使用光增感劑可達成化合物(1)與化合物(2)聚合的高感度化或提高所得的偏光件隨時間之安定性。光增感劑的含量,相對於化合物(1)與化合物(2)之合計量為100質量份時,宜為0.1至30質量份,並以0.5至10質量份為較佳。只要在上述範圍內,即可使化合物(1)及化合物(2)之配向不混亂而聚合。
本發明的組成物亦可含有聚合抑制劑。聚合抑制劑可列舉出氫醌(hydroquinone)或具有烷醚等取代基之氫醌類、丁基兒茶酚(butyl catechol)等具有烷醚等取代基之兒茶酚類、鄰苯三酚類(pyrogallol)、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶基氧自由基等自由基補助劑、硫酚類、β-萘胺類及β-萘酚(naphthol)類。
藉由使用聚合抑制劑,可易於控制化合物(1)與化合物(2)之聚合,而可提高本發明的組成物之安定性。此外,聚合抑制劑的含量,相對於化合物(1)與化合物(2)之合計量為100質量份時,宜為0.1至30質量份,並以0.5至10質量份為較佳。只要在上述範圍內,即可使化合物(1)及化合物(2)之配向不混亂而聚合。
本發明的組成物亦可含有調平劑。調平劑可列舉出放射線硬化塗料用添加劑(BYK Japan製:BYK-352、BYK-353、BYK-361N)、塗料添加劑(Toray‧Dow Corning股份有限公司製:SH28PA、DC11PA、ST80PA)、塗料添加劑(信越化學工業股份有限公司製:KP321、KP323、X22-161A、KF6001)及氟系添加劑(DIC股份有限公司製:F-445、F-470、F-477、F-479)。
藉由使用調平劑,可使偏光件的表面平滑。再者,在偏光件的製程中,可控制本發明的組成物之流動性,或調整偏光件之交聯密度。調平劑的含量,相對於化合物(1)與化合物(2)之合計量為100質量份時,宜為0.01至30質量份,並以0.05至10質量份為較佳。只要在上述範圍內,即可使組成物之配向不混亂而聚合。
本發明的組成物以含有溶劑為佳。作為溶劑,宜為可溶解本發明的組成物中所含之成分,且對於聚合反應為惰性的有機溶劑。具體而言,可列舉出甲醇、乙醇、乙二醇、異丙二醇、丙二醇、甲賽璐蘇(methyl cellosolve)、丁賽璐蘇、丙二醇單甲醚等醇溶劑;乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯溶劑;丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮等酮溶劑;戊烷、己烷、庚烷等非氯系脂肪族烴溶劑;甲苯、二甲苯、酚等非氯系芳香族溶劑;乙腈等腈溶劑;四氫呋喃、二甲氧乙烷等醚溶劑、及氯仿、氯苯等氯系脂肪族烴溶劑。其中並以酮溶劑為佳。此等溶劑可單獨使用,亦可將二種以上組合後使用。
相對於本發明的組成物,溶劑的含量宜為50至98質量%。換言之,本發明的組成物之固形分,宜為2至50質量%。如固形分為2質量%以上時,膜厚不會變得太薄,而可獲得偏光件上必要之二色性。如固形分為50質量%以下時,將因組成物之黏度偏低,而不易在塗膜之膜厚上產生不均。
本發明的組成物之黏度,宜為0.1至10mPa‧s,並以0.1至7mPa‧s為較佳。只要黏度在此範圍內,即不易在偏光件之膜厚上產生不均。
本發明的偏光件可藉由將本發明的組成物中之化合物(1)與化合物(2)聚合而得。“偏光件”是指可將不偏光的入射光分解成垂直的二個偏光成分,使其中之一的偏光成分穿透,而吸收另一成分者。穿透的偏光成分之軸方向稱為穿透軸,吸收的偏光成分之軸方向稱為吸收軸。
本發明的組成物中所含的化合物(1)與化合物(2)聚合而得的偏光件,宜為化合物(1)與化合物(2)是以配向的狀態而固定之聚合物。就易於製造此種聚合物而言,宜使組成物中的化合物(1)與化合物(2)在使該組成物配向成液晶相時的溫度中聚合。
將本發明的組成物塗佈在支撐基材並乾燥後,藉由使本發明的組成物中所含的化合物(1)與化合物(2)聚合後,即可在支撐基材上獲得本發明的偏光件。因此,可降低生產成本,並且可連續地生產偏光件,而可生產輥狀的偏光件。
藉由在支撐基材或已形成配向膜等的支撐基材上,塗佈本發明的組成物、乾燥後,可得未聚合偏光件。當未聚合偏光件顯示向列(nematic)相、層列(smectic)相等液晶相時,所得的偏光件顯示二色性。較佳的液晶相是層列相,最好的液晶相是層列B相。
將本發明的組成物塗佈在支撐基材上之方法,可列舉出擠出塗佈法、直接凹板印刷塗佈法、反向凹板印刷塗佈法、CAP塗佈法及模壓塗佈法。亦可列舉出使用浸塗機、棒塗佈機、旋轉塗佈機等塗佈方法。
支撐基材可列舉出玻璃、塑膠板、塑膠膜及透光性膜。透光性膜可列舉出聚乙烯、聚丙烯、降莰烯(norbornene)聚合物等聚烯烴膜、聚乙烯醇膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚甲基丙烯酸酯膜、聚丙烯酸酯膜、纖維素酯膜、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)膜、聚碳酸酯膜、聚碸膜、聚醚碸膜、聚醚酮膜、聚苯硫(polyphenylene sulfide)膜及聚苯醚(polyphenylene oxide)膜。
使用支撐基材,即可在偏光件的製造、搬運或保管時,使偏光件不會破碎而容易處理。
在本發明的偏光件之製造方法中,以在支撐基材上形成配向膜後,將本發明的組成物塗佈在配向膜上為佳。配向膜宜具有不因塗佈本發明的組成物而溶解之耐溶劑性,此外,宜具有為去除溶劑或液晶化合物的配向而加熱之耐熱性。再者,宜為不會因刷磨配向(rubbing)的磨擦等而產生剥離的配向膜。此種配向膜宜為由配向性聚合物或含有配向性聚合物之組成物所形成的配向膜。
配向性聚合物可列舉出分子內具有醯胺鍵之聚醯胺或明膠類、分子內具有醯亞胺鍵之聚醯亞胺及其加水分解物的聚醯胺酸(polyamic acid)、聚乙烯醇、烷基改質聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚唑、聚乙烯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸及聚丙烯酸酯等聚合物。此等聚合物可單獨使用,亦可混合2種以上使用。此外,亦可為此等的共聚合物。此等聚合物可藉由脫水或脫胺等聚縮合、自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等連鎖聚合、配位聚合、開環聚合等而容易獲得。
配向性聚合物可溶解於溶劑中後塗佈。雖然並未限制溶劑,但具體上,可列舉出水;甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、丙二醇、甲賽璐蘇、丁賽璐蘇、丙二醇單甲醚等醇溶劑;乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇甲醚乙酸酯、γ-丁內酯、丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯等酯溶劑;丙酮、甲基乙基酮、環戊酮、環己酮、甲基戊基酮、甲基異丁基酮等酮溶劑;戊烷、己烷、庚烷等非氯系脂肪族烴溶劑;甲苯、二甲苯等非氯系芳香族烴溶劑;乙腈等腈溶劑;四氫呋喃、二甲氧基乙烷等醚溶劑;及氯仿、氯苯等氯系脂肪族烴溶劑。此等有機溶劑可單獨使用,也可將二種以上組合使用。
形成配向膜時,也可直接使用市售的配向膜材料。市售的配向膜材料可列舉出Sunever(註冊商標,日產化學工業股份有限公司製)及Optomer(註冊商標,JSR股份有限公司製)
使用此種配向膜,可降低不均,故可提供耐環境性或耐機械性更為提高的偏光件。
在支撐基材上形成配向膜的方法,例如,在支撐基材塗佈市售的配向膜材料或可作成配向膜材料的化合物之溶液,然後將其退火(annealing)的方法。
由此而得的配向膜之厚度,通常是10nm至10000nm,並宜為10nm至1000nm。在上述範圍內,即可使化合物(1)或化合物(2)於該配向膜上配向成所期望之角度。
此外,必要時此等配向膜可進行刷磨配向或偏光UV照射。藉此可將化合物(1)或化合物(2)配向成所期望之方向。亦即,可將製得的偏光件之吸收軸方向調整成所期望的方向。
將配向膜刷磨配向之方法,是將刷磨配向布捲附在旋轉中的刷磨配向輥,使其接觸到承載在平台上運送中的配向膜之方法。在進行刷磨配向或偏光UV照射時,只要進行遮罩,也可在所得偏光件上形成不同遲相軸方向的數個區域(domain)。
溶劑的乾燥方法可列舉出自然乾燥、通風乾燥及減壓乾燥。在使未聚合偏光件加熱乾燥時,具體的乾燥溫度宜為0至250℃,並以50至220℃為較佳,而以80至170℃為更佳。至於乾燥時間,宜為10秒至60分鐘,並以30秒至30分鐘為較佳。只要乾燥溫度及乾燥時間在上述範圍內,也可使用耐熱性未必充分之支撐基材作為支撐基材。
溶劑的乾燥雖然也可與聚合反應同時進行,但就成膜性而言,宜在聚合前使大部份的溶劑乾燥。
使上述所得未聚合偏光件中所含的化合物(1)與化合物(2)聚合、硬化。化合物(1)及化合物(2)保持配相而形成聚合物,而可得到固定在該配向之聚合物。由此而得的聚合物,不易因熱而影響配向性,故可得到隨時間之安定性優異的偏光件。
使未聚合偏光件中所含的化合物(1)與化合物(2)聚合的方法,只要對應合物(1)與化合物(2)所具有的聚合性基之種類而選擇即可。如該聚合性基為光聚合性基時藉由光聚合法,如該聚合性基為熱聚合性基時藉由熱聚合法,使上述未聚合偏光件聚合。本發明的偏光件中,宜藉由光聚合法使未聚合偏光件聚合。因只要由光聚合法即可在低溫使未聚合偏光件聚合,因此亦可使用耐熱性低的支撐基材,此外,也容易在工業上製造。光聚合法是藉由在未聚合偏光件照射可見光、紫外光或雷射光而進行。就容易處理而言,宜為紫外光。光照射宜在化合物(1)與化合物(2)配向為液晶相的溫度進行,並以在使此等配向為層列相的溫度進行較佳,而以在使此等配向為層列B相的溫度進行為更佳。此時,也可以遮罩等形成偏光件之圖樣。
亦可在未聚合偏光件的上面復積層配向膜後再聚合。
亦可列舉出在2片支撐基材上分別塗佈配向膜後,使該等塗佈面相對而形成晶胞,在晶胞中填充本發明的組成物之後,使本發明的組成物中之化合物(1)與化合物(2)聚合的方法。
聚合後,藉由剥離支撐基材,可獲得配向膜與本發明的偏光件之積層體,再者,亦可將配向膜剥離,而獲得本發明的偏光件之單層。本發明的偏光件之膜厚,宜為0.5至20μm。
由此而得的偏光件,可使用於各種的顯示裝置上。
再者,相較於在聚乙烯醇(PVA)中添加碘或二色性色素後延伸而得的偏光件,本發明的偏光件是薄膜。
第1圖是表示含有本發明的偏光件4之積層體1之概略圖。
積層體1是在支撐基材2之上積層配向膜3,並在配向膜3上積層本發明的偏光件4而成之積層體。本發明的偏光件4是由化合物(1)與化合物(2)配向成的聚合物所構成。
本發明的顯示裝置是含有本發明的偏光件與發光源。顯示裝置可列舉出EL(electroluminescence)顯示裝置、電場發射(field emission)(FED)顯示裝置、表面傳導型電子發射顯示裝置(SED;surface-conduction electron-emitter display)、液晶顯示裝置(穿透型液晶顯示裝置、半穿透型液晶顯示裝置、反射型液晶顯示裝置、直視型液晶顯示裝置、投影型液晶顯示裝置)及電子紙。同時,亦可列舉出3D顯示裝置或全像素(hologram)等立體顯示裝置。
第2圖是表示本發明的顯示裝置之一的液晶顯示裝置10之概略圖。液晶層17是以2片的基板14a及基板14b夾著。藉由在液晶顯示裝置中使用本發明的偏光件,可使液晶顯示裝置薄形化。
液晶層17中使用的液晶可列舉出向列型液晶、膽固醇型液晶、層列型液晶、圓盤型液晶、熱向型(thermotropic)液晶、液向型(lyotropic)液晶、低分子液晶、高分子液晶、強導電液晶、反強導電液晶、主鏈型液晶、側鏈型高分子液晶、電漿定址(plasma address)液晶(PDLC)及香蕉型液晶。此外,在本發明的液晶顯示裝置中使用的液晶模式,可列舉出TN(twisted nematic,扭轉向列)模式、STN(super twisted nematic,超級扭轉向列)模式、IPS(in-plane-switching,平面切換)模式、FFS(fringe field switching,邊界電場切換)模式、MVA(multi-domain vertical alignment,多向垂直排列)模式、PVA(patterned vertical alignment,圖形化垂直排列)模式、ASV(advanced super view,高對比流動超視覺)模式、ASM(axially symmetric aligned micro-cell,軸對稱微囊)模式、OCB(optical compensated birefringence,光學補償雙折射)模式、ECB(electrically controlled birefringence,電控雙折射)模式、FLC(ferroelectric liquid crystal,鐵電性液晶)模式、AFLC(antiferroelectric liquid crystal,反鐵電性液晶)模式、PDLC(polymer dispersed liquid crystal,聚合物分散液)模式及客主(guest host)模式。
在一邊的基板14a之單面配置彩色濾光片15。彩色濾光片15是夾著液晶層17而配置在與畫素電極22對向的位置上,黑色矩陣20是配置在與畫素電極間的邊界的對向之位置上。透明電極16是將此等包覆。彩色濾光片15與透明電極16之間也可具有保護層。
在另一邊的基板14b之單面上,規則整齊的排列薄膜電晶體21與畫素電極22。畫素電極22是夾著液晶層17而配置在與彩色濾光片15對向的位置上。在薄膜電晶體21與畫素電極22之間,配置層間絶緣膜18。
形成有薄膜電晶體21的基板14b,是使用可耐受製造薄膜電晶體21時的高溫之玻璃基板。此外,若是在低溫形成薄膜電晶體21時,也可使用塑膠基板。
薄膜電晶體21可列舉出在石英基板上形成高溫聚矽酮電晶體、在玻璃基板上形成低溫聚矽酮電晶體、在玻璃基板或塑膠基板上形成的非晶質矽酮電晶體。也可在玻璃基板上形成驅動IC,以達到液晶顯示裝置的薄型化。
在透明電極16與畫素電極22之間,配置液晶層17。液晶層17是以二片基板夾著,並形成隔板23用以保持一定的間隙。在與液晶層17隣接的面上,也可形成各種配向膜,以使液晶層17所含的液晶化合物配向成所期望的方向。
各構件是以基板14a、黑色矩陣20及彩色濾光片15、透明電極16、液晶層17、層間絶緣膜18、薄膜電晶體21及畫素電極22,以及基板14b的順序積層。
在夾著此種液晶層17的基板14a及基板14b之外側,積層具有各式各樣的光學功能之薄膜。第2圖中,在基板14a之外側,依序積層位相差膜13a(例如1/4波長板)、本發明的偏光件12a(例如直線偏光件),在基板14b之外側,依序積層位相差膜13b(例如1/4波長板)、本發明的偏光件12b(例如直線偏光件)。於偏光件12a之外側積層用以防止外部光線之反射之抗反射膜11。
在本發明的偏光件12b的外側形成作為發光源的背光源單元19。背光源單元19包含光源、導光體、反射板、擴散板及視角調整板。光源上,可使用電致發光(EL)、冷陰極管、熱陰極管、LED、雷射光源、水銀燈等各種光源。只要配合光源之特性而選擇本發明之偏光件即可。為了顯示裝置之薄型化,也可將作為發光源的背光源配置在側面或上下面上,以達到顯示裝置之薄型化。
若液晶顯示裝置10為穿透型液晶顯示裝置時,由光源發射的白光入射到薄光體後,可由反射板改變路徑後以擴散板擴散。擴散光在以視角調整板調整成具有所期望的指向性後,可由背光源單元19入射至本發明的偏光件12b。在無偏光的入射光中,僅一邊的直線偏光可穿透本發明的偏光件12b。此直線偏光可由位相差膜13b(例如1/4波長板)成為圓偏光,依序穿透基板14b、畫素電極22等而到達液晶層17。
可藉由畫素電極22與對向之透明電極(對向電極)16之間的電位差,控制液晶層17的液晶分子之配向狀態。當入射至液晶層17的圓偏光直接以該狀態穿透液晶層17及透明電極16,穿透彩色濾光片15及位相差膜13a,穿透本發明的偏光件12a時,此畫素顯示以彩色濾光片所決定最明亮的色。此外,若改變穿透液晶層17的光之偏光狀態,使穿透彩色濾光片15的光幾乎完全由位相差膜13a與本發明的偏光件12a吸收時,此畫素顯示黑色。若液晶層17的液晶分子呈現此二狀態的中間配向狀態時,因可使部份的光穿透,而部份的光吸收,故此畫素顯示中間色。
當液晶顯示裝置10為半穿透型液晶顯示裝置時,畫素電極22具有由透明材料形成的穿透部份與由光反射材料形成的反射部份,穿透部份顯示與前述的穿透型液晶顯示裝置相同的影像。另一方面,反射部份是利用於使外光由抗反射膜11的方向入射至液晶顯示裝置,穿透本發明的偏光件12a與位相差膜13a之後,使圓偏光通過液晶層17,由畫素電極22反射而顯示。
第3圖是表示本發明的顯示裝置之一的液晶顯示裝置24之概略圖。液晶顯示裝置24中,各構件是以抗反射膜11、位相差膜13a、基板14a、本發明的偏光件12a、彩色濾光片15及黑色矩陣20、透明電極16、液晶層17、層間絶緣膜18、薄膜電晶體21及畫素電極22、本發明的偏光件12b、基板14b、位相差膜13b、背光源單元19的順序積層。
液晶顯示裝置24中,本發明的偏光件12a及12b,是分別配置在基板14a及基板14b與液晶層17之間。
第4圖是表示本發明的顯示裝置之一的EL顯示裝置30之概略圖。EL顯示裝置30是在形成有畫素電極35的基板33上,積層作為發光源之發光層36及陰極電極37而成者。藉由在畫素電極35上外加正電壓,在陰極電極37外加負電壓後,即可在畫素電極35與陰極電極37之間施加電流,而使發光層36發光。
在製造EL顯示裝置30時,首先,在基板33上將薄膜晶體40形成為期望的形狀。然後,使層間絶緣膜34成膜,接著,以濺鍍法使畫素電極35成膜後,使其圖案化。然後,積層發光層36。
基板33可列舉出藍寶石玻璃基板、石英玻璃基板、鈉玻璃基板、氧化鋁等陶瓷基板、銅等金屬基板、塑膠基板等。也可在基板上形成熱傳導性膜。熱傳導性膜可列舉出鑽石薄膜(DLC等)。使用可反射光的材料作為畫素電極35時,光是由與基板33相反的方向射出。因此,不僅使用透明材料,也可使用不銹鋼等非穿透材料。基板可為單一材料,也可以接著劑將複數個基板貼合成積層基板。此等基板可以是板狀,也可以是薄膜狀。
作為薄膜電晶體40可列舉出與前述的薄膜電晶體21相同者。
在層間絶緣膜34上,形成凸起物41。凸起物41是配置在畫素電極35的周圍部份(相鄰畫素之間)。凸起物41的材料可列舉出丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等。凸起物41的厚度宜為1.0μm以上3.5μm以下,並以1.5μm以上2.5μm以下為較佳。
其次,說明由作為透明電極的畫素電極35、發光層36與陰極電極37形成的EL元件。如為有機EL元件時,發光層36是分別至少與一層電洞輸送層積層,例如是以電子注入輸送層、發光層、電洞輸送層、電洞注入層的順序積層而成發光源。
畫素電極35可列舉出ITO(錫摻雜氧化銦)、IZO(鋅摻雜氧化銦)、ZnO、SnO2 、In2 O3 等,尤其宜為ITO、IZO。畫素電極35的厚度是以可充分進行電洞注入的固定厚度以上為佳,並宜為10至500nm左右。
畫素電極35雖然可以蒸鍍法等形成,但宜藉由濺鍍法形成。濺鍍法並無特別的限制,只要使用Ar、He、Ne、Kr、Xe等惰性氣體,或此等的混合氣體即可。
陰極電極37的構成材料宜使用K、Li、Na、Mg、La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Zr等金屬元素單體,或含有此等金屬元素的2成分、3成分之合金系,用以提高安定性。合金系宜為Ag‧Mg(Ag:1至20at%)、Al‧Li(Li:0.3至14at%)、In‧Mg(Mg:50至80at%)、Al‧Ca(Ca:5至20at%)等。
陰極電極37可由蒸鍍、濺鍍法等形成,並宜由蒸鍍法形成。陰極電極37的厚度為0.1nm以上,並宜為1至500nm。
電洞注入層具有可使來自畫素電極35的電洞易於注入的功能,電洞輸送層具有輸送電洞及阻止電子的功能。
發光層的厚度、電洞注入層與電洞輸送層之合併厚度及電子注入輸送層的厚度,並無特別的限制,雖然可因形成方法而異,但宜為5至100nm。在電洞注入層/電洞輸送層中,可使用各種有機化合物。在形成電洞注入輸送層、發光層及電子注入輸送層時,宜使用可形成均質薄膜的真空蒸鍍法。
發光層36可使用利用一重項激發子發光(螢光)者、利用三重項激發子發光(磷光)者、含有利用一重項激發子發光(螢光)與利用三重項激發子發光(磷光)者、以有機物形成者、以無機物形成者、含有以有機物形成的物質與以無機物形成的物質者、高分子材料、低分子材料、含有高分子材料與低分子材料者等。但是,並不侷限於此等,可使用利用各種材質作為EL元件的EL顯示裝置。
在陰極電極37與密封蓋39之空間內配置乾燥劑38。可藉由乾燥劑38吸收水分防止發光層36之劣化。
在EL顯示裝置30的光入射面或光出射面形成的本發明之偏光件31,並不侷限於直線偏光件,也可以是楕圓偏光件。此外,本發明之偏光件31可以是前述的積層體1,也可以是將複數個本發明之偏光件4或位相差膜貼合而成者。
第5圖是表示本發明的顯示裝置之一的EL顯示裝置44之概略圖。由於EL顯示裝置44具有已使用薄膜密封膜42之密封結構,故也可將陣列基板(陰極電極37、發光層36、畫素電極35、層間絶緣膜34及基板33)設置在本發明的偏光件31側。
由於薄膜密封膜42防濕性高,故宜使用蒸鍍有DLC(類鑽石碳)之膜。蒸鍍DLC之膜,也可在陰極電極37的表面上直接蒸鍍而形成。此外,也可將樹脂薄膜與金屬薄膜多層積層後,形成薄膜密封膜42。
第6圖是表示本發明的顯示裝置之一的投射型顯示裝置之概略圖。
本發明的偏光件142及偏光件143,可使用於例如投射型顯示裝置(投影機)。
由作為發光源的光源(例如高壓水銀燈)111發射出的光束,可經通過第1透鏡陣列112、第2透鏡陣列113、偏光轉換元件114、重疊透鏡115後,進行在反光束截面的亮度均勻化與偏光化。
具體上,由光源111發射出的光束,可由微小透鏡112a形成矩陣狀的第1透鏡陣列112分割成許多微小的光束。第2透鏡陣列113及重疊透鏡115是配備成如同可使分割的光束各別照射在作為照明對象的3個液晶面板140R、140G、140B全部,因此,可使各液晶面板入射側表面,成為全部幾乎為均勻的照度。
偏光轉換元件114具有可使入射的光分離成偏光成分的功能,配置在第2透鏡陣列113與重疊透鏡115之間。藉此可使來自光源的隨機偏光預先轉換成具有特定的偏光方向之偏光,而減少在後述的入射側偏光件之光量損失,而提高畫面的亮度。
亮度均勻化及分離成偏光成分的光經由反射鏡22,用以分離成RGB三原色之二向色鏡(dichroic mirror)121、123、132的順序,而分離成紅色通道(第6圖中的“R”,實線記號)、綠色通道(第6圖中的“G”,點鏈線記號)、藍色通道(第6圖中的“B”,虛線記號),再分別入射至液晶面板140R、140G、140B。
在液晶面板140R、140G、140B中,在其入射側上配置本發明的偏光件142及在其出射側配置本發明的偏光件143。
說明在RGB各別的光路中夾著液晶面板,且配置在入射側與出射側上的二片偏光件。配置在各光路的本發明之偏光件142及偏光件143是配置成使其吸收軸垂直的方式,在配置在各光路的各液晶面板140R、140G、140B,藉由影像訊號控制各別畫素中的偏光狀態而轉換光量。
本發明之偏光件在藍色通道、綠色通道、紅色通道之任一光路中有用於作為耐久性優異的偏光件。
對應液晶面板140R、140G及140B的各影像數據,使入射光以各畫素不同的穿透率穿透而作成的光學像,可由交叉二向色稜境(cross dichroic prism)150合成,藉由投影透鏡170而擴大投影在螢幕180上。
本發明的偏光件亦可作為電子書的偏光件使用,可使其厚度變薄。電子書可列舉出藉由液晶等光學異方性分子或染料分子之配向而顯示者;藉由電泳、粒子移動、粒子旋轉、相變化等粒子的活動而顯示者;藉由使薄膜之一端移動而顯示者;藉由分子的發色/相變化而顯示者;藉由分子的光吸收而顯示者;藉由電子與電洞結合而自發光而顯示者等。顯示方式並無限制,具體而言,可列舉出微膠囊型電泳方式、水平移動型電泳方式、垂直移動型電泳方式、球狀扭轉球方式、磁性扭轉球方式、圓柱扭轉球方式、帶電碳粉方式、電子粉流體方式、磁泳方式、磁感熱方式、電濕潤方式、光散射(透明/白濁變化)方式、膽固醇液晶/光導電層方式、膽固醇液晶方式、雙安定性向列型液晶方式、強導電性液晶方式、二色性色素、液晶分散方式、可動膜方式、由隱色(leuco)染料的發消色方式、光致變色(photochromic)方式、電致變色(electrochromic)方式、電沉積方式及可撓式有機EL方式。
電子書不僅可供作書冊或影像的個人利用,也可利用於廣告顯示(招牌)等。
在立體顯示裝置中,可使用具有複數個不同遲相軸方向的區域之偏光件(例如參照日本特開2002-185983號公報)。本發明的偏光件因可以配向膜的一部份作為遮罩,藉由刷磨配向或偏光UV照射,即可容易在該偏光件上形成複數個不同遲相軸方向的區域,故也可供作為立體顯示裝置的偏光件使用。
(實施例)
以下,藉由實施例更詳細說明本發明。例中的「%」及「份」如無特別的限制,是表示質量%及質量份。
<合成例1:化合物(2-2)之合成>
(1)將4-羥基安息香酸乙酯150g、碳酸鉀186g及N,N-二甲基乙醯胺750g混合,使所得的混合物昇溫至80℃。將6-溴己醇244g滴入其中之後,於80℃中攪拌所得的混合物。使所得的反應混合物冷卻之後,加入乙酸乙酯,以水清洗,並餾去溶劑,可得以上述式(MG-a)表示的化合物(以下,簡稱為化合物(MG-a))為主成分之固體312g。
(2)使前述(1)中所得以化合物(MG-a)為主成分的固體312g溶解於甲醇。在所得的溶液中,滴下氫氧化鉀的甲醇溶液(含有氫氧化鉀328g)。於約70℃攪拌所得的混合物之後,使其冷卻。在所得的反應混合物中加入鹽酸,以過濾取出析出的固體。以水清洗之後,於50℃、減壓下,使其乾燥後,可得以上述式(MG-b)表示的化合物(以下,簡稱為化合物(MG-b))為主成分的固體195g。以化合物(MG-a)為基準時,收率是91%。
(3)將前述(2)中所得以化合物(MG-b)為主成分的固體195g與N,N-二甲基苯胺208g加入容器內,使該容器內取代成氮氣之後,加入1,4-二烷,調製成溶液。使調製的溶液昇溫至70℃之後,滴下氯化丙烯酸148g。攪拌所得的混合物之後,使其冷卻。在所得的反應混合物中加入乙酸乙酯之後,以水清洗,並餾去溶劑,可得以上述式(MG-c)表示的化合物(以下,簡稱為化合物(MG-c)為主成分的固體120g。以化合物(MG-b)為基準時,收率是50%。
(4)將前述(3)中所得化合物(MG-c)0.98g與N,N-二甲基-4-胺基吡啶0.04g及4-[4-(苯偶氮基)苯偶氮]-5-甲基酚0.89g加入氯仿29g中。將N,N’-二環己基羧基二醯亞胺0.83g溶解於氯仿5.9g中而調製成的溶液於室溫滴入其中。將所得的混合物攪拌2小時之後,過濾去除固形物。以2N鹽酸29g清洗所得的有機層之後,餾去溶劑。在所得的濃縮殘渣中添加甲醇,由於析出固形物,藉由過濾取出固形物。將取出的固形物乾燥,可得式(2-2)表示的化合物(以下,簡稱為化合物(2-2)8.2g。以4-[4-(苯偶氮基)苯偶氮]-5-甲基酚為基準時,收率是73%。1 H-NMR(CDCl3 );δ 1.52(m、8H)、2.35(s、3H)、4.06(t、2H)、4.18(t、2H)、5.82(m、1H)、6.13(m、1H)、6.41(m、1H)、7.00(m、2H)、7.33(m、1H)、7.51(m、3H)、7.96(m、4H)、8.10(m、4H)8.18(m、2H)
藉由偏光顯微鏡觀察紋路後,確認化合物(2-2)的相轉位溫度。將溫度提高時,可在106℃附近由結晶相轉換成層列液晶相,在119℃附近轉換成向列液晶相,直接加熱至218℃附近,則成為等方性液體相。使溫度由等方性液體相下降時,在218℃附近轉換成向列液晶相,但即使再降溫至40℃附近,也不會回復至結晶相。
<合成例2:化合物(2-18)之合成>
(1)將前述<合成例1>之(3)所得的化合物(MG-c)1.00g、N,N-二甲基-4-胺基吡啶0.04g及4-[4-(苯偶氮基)苯偶氮]-2-甲基酚0.90g加入氯仿29g中。將N,N’-二基環己基羧基二醯亞胺0.85g溶解於氯仿6.0g中調製成的溶液於室溫滴入其中。將所得的混合物攪拌2小時之後,過濾後去除固形物。以2N鹽酸30g清洗所得的有機層之後,餾去溶劑。在所得的濃縮殘渣中添加甲醇,由於析出固形物,過濾後取出固形物。將取出的固形物乾燥後,可得上述式(2-18)表示的化合物(以下,簡稱為化合物(2-18))8.5g。以4-[4-(苯偶氮基)苯偶氮]-2-甲基酚為基準時,收率是76%。1 H-NMR(CDCl3 );δ 1.52(m、8H)、2.35(s、3H)、4.06(t、2H)、4.18(t、2H)、5.82(m、1H)、6.13(m、1H)、6.41(m、1H)、7.00(m、2H)、7.33(m、1H)、7.51(m、3H)、7.96(m、4H)、8.10(m、4H)8.18(m、2H)
藉由偏光顯微鏡觀察紋路後,確認化合物(2-18)的相轉位溫度。將溫度提高時,在107℃附近可由結晶相轉換成層列液晶相,在118℃附近轉換成向列液晶相,直接加熱至217℃附近,則成為等方性液體相。使溫度由等方性液體相下降時,在218℃附近轉換成向列液晶相,但即使再降溫至40℃附近,也不會回復至結晶相。
<合成例3:式(1-6)表示的化合物之合成>
根據Recl. Trav. Chim,Pays-Bas 115,321-328(1996)中所記載的方法為基準,製造式(1-6)表示的化合物(以下,簡稱為化合物(1-6))。
藉由偏光顯微鏡觀察紋路後,確認化合物(1-6)的相轉位溫度。將溫度提高時,在95℃附近可由結晶相轉換成層列A相,在111℃附近轉換成向列液晶相,在113℃附近成為等方性液體相。使溫度由等方性液體相下降時,在112℃附近可轉位成向列液晶相,在110℃附近可轉換成層列A相,在94℃附近可轉換成層列B相,但即使再降溫至40℃附近,也不會回復至結晶相。
[實施例1至3] <組成物之調製>
藉由將表1-1及表1-2中所示之各成分混合後,調製成組成物1至4。
聚合起始劑:Irgacure 651(1,2-二苯基-2,2-二甲氧基乙烷-1-酮;CibaJapan股份有限公司製)
調平劑:BYK361N(BYK Chemi Japan製)
液晶化合物LC242:Paliocolor LC242(BASF公司註冊商標)
二色性色素:G207((股份有限公司)林原生物化學研究所製;不具有聚合性基之二色性色素)
<熱舉動之觀察>
將聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型,和光純藥工業股份有限公司製)的2質量%水溶液塗佈在玻璃基板上,在120℃加熱乾燥60分鐘後,形成厚度89nm的膜。在膜的表面上施以刷磨配向處理,形成配向膜。藉由旋轉塗佈法,將表1記載之組成物塗佈在施行刷磨配向處理的面。塗佈後的基板使用附有熱載台之偏光顯微鏡(熱載台:LTS350,Linkam公司製,偏光顯微鏡:BX-51,Olympus公司製),一邊在昇溫時以30℃/分鐘的昇溫速度由28℃加熱至120℃,一邊觀察組成物之舉動。降溫時,以自然冷卻使其由120℃降溫至28℃,觀察組成物之舉動。昇溫時的熱舉動之觀察結果如表2所示,降溫時的熱舉動之觀察結果如表3所示。
TA :轉換到層列相後開始形成單區域(monodomain)的溫度。
TB :轉換到向列相後開始形成單區域的溫度。
TC :轉換成等方性液體的溫度。
*1)確認在28℃,是以向列相為單區域配向。
TD :由等方性液體轉換到向列相後開始形成單區域的溫度。
TE :轉換到層列A相後開始形成單區域的溫度。
TF :轉換到層列B相後開始形成單區域的溫度。
*2)確認在28℃中,是以向列相為單區域配向。
*3)確認在40℃中,是以層列B相為單區域配向。
<偏光件的製造例>
將聚乙烯醇(聚乙烯醇1000完全皂化型,和光純藥工業股份有限公司製)的2質量%水溶液塗佈在玻璃基板,乾燥後,形成厚度89nm的膜。接著,在膜的表面上施以刷磨配向處理後,藉由旋轉塗佈法將表1的組成之組成物1塗佈在施行刷磨配向處理的面,以表4記載的溫度(Ta)乾燥1分鐘。然後於氮氣環境下,以表4記載的光照射時的溫度(Tb),照射1200mJ/cm2 的累積光量之紫外線,得到偏光件。
<表面的觀察>
利用偏光顯微鏡以400倍的倍率觀察所得的偏光件之表面狀態。如偏光件呈現單區域時,判斷其無配向缺陷,而評估為「○」,如偏光件不呈現單區域時,確認其配向缺陷,而評估為「×」。結果如表5所示。
<隨時間之安定性>
所得的偏光件保存在28℃之暗處,於空氣中放置1週之後,以偏光顯微鏡觀察所得的偏光件之表面狀態。如偏光件呈現單區域時,判斷其無配向缺陷,而評估為「○」,如偏光件不呈現單區域時,確認其配向缺陷,而評估為「×」。結果如表5所示。
<液晶相之觀察>
藉由偏光顯微鏡(BX-51,Olympus公司製)觀察所得的偏光件。結果如表5所示。“SmB”是指層列B相,“N”是指向列相。
<二色比之測定>
針對所得的偏光件,利用島津製作所製的紫外可見分光光度計UV-3150上組裝附偏光件折疊器(folder)之裝置,以雙光束法測定偏光件中所含的化合物(2)之極大吸收波長的穿透軸方向之吸光度(A1 )及吸收軸方向吸光度(A2 )。該折疊器是在參考側設置可減少50%光量的網孔。由測定後的穿透軸方向之吸光度(A1 )及吸收軸方向的吸光度(A2 )之值,計算出二色比(A2 /A1 )。此外,使用雷射顯微鏡(LEXT3000,Olympus公司製)測定所得的偏光件之膜厚(μm)。結果如表5所示。
可確認實施例表示的偏光件,隨時間之安定性優異。並且,以顯示層列B相的溫度光照射後之實施例1及3的偏光件顯示層列B相,且二色比較高的偏光件。
[產業上可利用性]
根據本發明,可得到隨時間之安定性優異的偏光件。
1...積層體
2...支撐基材
3...配向膜
4...本發明的偏光件
10...液晶顯示裝置
11...抗反射膜
12a、12b...本發明的偏光件
13a、13b...位相差膜
14a、14b、33...基板
15...彩色濾光片
16...透明電極
17...液晶層
18、34...層間絶緣膜
19...背光源單元
20...黑色矩陣
21、40...薄膜電晶體
22...畫素電極
23...隔板
24...液晶顯示裝置
30、44...EL顯示裝置
31...本發明的偏光件
35...畫素電極
36...發光層
37...陰極電極
38...乾燥劑
39...密封蓋
41...凸起物
42...薄膜密封膜
111...光源
112...第1透鏡陣列
112a...透鏡
113...第2透鏡陣列
114...偏光轉換元件
115...重疊透鏡
121、123、132...二向色鏡
122...反射鏡
140R、140G、140B...液晶面板
142、143...本發明的偏光件
150...交叉二向色稜鏡
170...投影透鏡
180...螢幕
第1圖是表示含有由本發明的組成物形成之偏光件4的積層體1之概略圖。
第2圖是表示本發明的顯示裝置之一的液晶顯示裝置10之概略圖。
第3圖是表示本發明的顯示裝置之一的液晶顯示裝置24之概略圖。
第4圖是表示本發明的顯示裝置之一的EL顯示裝置30之概略圖。
第5圖是表示本發明的顯示裝置之一的EL顯示裝置44之概略圖。
第6圖是表示本發明的顯示裝置之一的投射型液晶顯示裝置之概略圖。
1...積層體
2...支撐基材
3...配向膜
4...本發明的偏光件

Claims (10)

  1. 一種組成物,係含有式(1)表示的液晶化合物與式(2)表示的液晶化合物,U1 -V1 -W1 -X1 -Y1 -X3 -Y2 -X2 -W2 -V2 -U2 (1)(式中,X1 、X2 及X3 獨立地表示可具有選自碳數1至4的烷基、氰基及鹵素基所成群組之取代基之1,4-伸苯基或可具有選自碳數1至4的烷基、氰基及鹵素基所成群組之取代基之反式-環己烷-1,4-二基;但是,X1 、X2 及X3 中的至少一個是表示可具有選自碳數1至4的烷基、氰基及鹵素基所成群組之取代基的1,4-伸苯基;Y1 及Y2 獨立地表示-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-、單鍵、-N=N-、-CRa =CRb -、-C≡C-或-CRa =N-;Ra 及Rb 獨立地表示氫原子或碳數1至4的烷基;U1 表示氫原子或聚合性基;U2 表示聚合性基;V1 及V2 獨立地表示可具有選自氰基及鹵素基所成群組之取代基的碳數1至20之烷二基,該烷二基中所含的-CH2 -亦可以-O-、-S-或-NH-置換;W1 及W2 獨立地表示單鍵、-O-、-S-、-COO-或-OCOO-); (式中,A1 、A2 及A3 獨立地表示可具有選自碳數1至4 的烷基、碳數1至4的烷氧基、碳數1至4的氟烷基、氰基及鹵素基所成群組之取代基的1,4-伸苯基;A4 表示苯基、苯基苯基、環己基苯基或(4-烷基環己基)苯基,該烷基之碳數是1至10;B1 、B2 及B3 獨立地表示-O-、-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-或單鍵;T1 表示可具有選自氰基及鹵素基所成群組之取代基的碳數1至11之烷二基;n表示1至3的整數;Z表示聚合性基)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之組成物,其中,復含有溶劑。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物,其中,聚合性基為丙烯醯基氧基。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物,其中,復含有聚合起始劑。
  5. 一種偏光件,係藉由使申請專利範圍第1或2項所述之組成物中的式(1)表示之液晶化合物與式(2)表示之液晶化合物聚合而得者。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之偏光件,其中,聚合是在組成物配向成液晶相之溫度進行。
  7. 一種偏光件,係將申請專利範圍第1或2項所述之組成物塗佈在支撐基材,並以該組成物配向成液晶相之溫度進行光照射而得者。
  8. 如申請專利範圍第6或7項所述之偏光件,其中,前述液晶相為層列相(smectic phase)。
  9. 一種顯示裝置,係含有申請專利範圍第5至8項中任一項所述之偏光件與發光源。
  10. 一種式(2)表示之液晶化合物, (式中,A1 、A2 及A3 獨立地表示可具有選自碳數1至4的烷基、碳數1至4的烷氧基、碳數1至4的氟烷基、氰基及鹵素基所成群組之取代基的1,4-伸苯基;A4 表示苯基、苯基苯基、環己基苯基或(4-烷基環己基)苯基,該烷基之碳數是1至10;B1 、B2 及B3 獨立地表示-O-、-CH2 CH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCOO-或單鍵;T1 表示可具有選自氰基及鹵素基所成群組之取代基的碳數1至11之烷二基;n表示1至3的整數;Z表示聚合性基)。
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