TWI493237B - 用於提供光學衰減的塗層光纖及相關的裝置、鏈路及方法 - Google Patents

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Description

用於提供光學衰減的塗層光纖及相關的裝置、鏈路及方法
本說明書依專利法規定主張於西元2009年10月15日申請之申請案號12/579,473之優先權權益。將該文件全篇內容納入本文做為參考。
本發明揭示關於通訊至光纖或來自光纖之光的光學衰減。
光纖可在各種應用中用來傳輸或處理光。應用的範例包括輸送光至整合光學元件(或於基材上形成之裝置)及從整合光學元件(或於基材上形成之裝置)接收光，並在分波長多工(wavelength-division multiplex)光學通訊裝置及系統中傳輸資訊頻道。其他範例包括將光纖開關矩陣裝置或光纖陣列組成陣列連接器，且產生用於光學放大或雷射振盪之光學增益。光纖主要用做「光水管」(light pipes)以將光限制在光纖之範圍內並將光由一點傳送至另一點。
典型的光纖可簡化為包含光纖纖心及圍繞著光纖纖心之光纖纖衣層(cladding layer)。光纖纖心之折射率大於光纖纖衣層之折射率以將光限制在光纖的範圍內。光線以與光纖纖心之徑向光纖軸夾一角度之方式耦合至光纖纖心，只要該角度落在發生全反射之最大角度內，便會在光纖纖心與光纖纖衣層之交界處發生全反射。全反射 (total internal reflection，TIR)為當光線由大於臨界角之角度(相對於表面之法向量)照射至媒介邊界時發生的光學現象。若在邊界之另一側之材料的折射率指數較低，則光線無法通過且所有光線都會被反射。在入射角大於臨界角時會發生TIR。TIR將一或多個選定光纖模態(mode)之光線的光學能量限制在一定的空間中，以將光能量沿著光纖纖心引導。
光纖連結之光功率位準為光學光源之光功率位準的函數。光學光源之光功率位準可能需為大於預設之最小光功率位準以最小化因光偵測器雜訊所產生的偵測錯誤。然而，在許多光纖連結中，光功率位準必需被控制在不超過預設最大光功率位準，以使其符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。因此，光功率位準被控制在可將偵測錯誤最小化之最小光功率位準及符合人眼安全之最大功率之間。然而，將最大光功率位準限制在一預定之最大光功率位準(如符合人眼安全要求)可能使光纖連結之效能受限。以垂直共振腔面射型雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，VCSELs)為例，其在一特定之光功率位準操作時效率最佳。偏離此最佳功率可能減低效率、速度及可靠度。
實施例詳細揭示包括用於將光射入光纖或由光纖接收 光之光學衰減的塗層光纖及相關之設備、連結以及方法。在一實施例中，光纖包括一光纖端。例如，光纖端可為光源端，其經組態而位於(或安裝於)鄰接一光學光源以接收由光學光源發出之光；及(或)為偵測器端，其經組態而位於(或安裝於)鄰接一光偵測器，其接收來自光纖之光。塗層材料配置於該光纖端之至少一部分且經組態以使導向該光纖端之光的一部分光學衰減。
以此為例，光學光源可被控制以產生以較高光功率位準導向光纖的光，並同時限制光纖中之最大光功率位準。舉例而言，光纖之光功率可被限制以符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。然而，有時可能需要將光學光源以超過該限制之最大光功率輸出位準操作。例如，當光學光源被驅動於超過一定的臨界驅動電流時，該光學光源之線性性質會增進。另外，以較高的光功率驅動光學光源可產生遠場光型(far-field light pattern)，其可激發少數或一些預定集合之模態(mode)或模態組。限制在多模光纖連結中受激發之模態或模態組的數量可減少模態色散(modal dispersion)並因此增加光纖連結的頻寬。做為另一範例，將光學光源過載(overdrive)可補償可能會使光功率減損之各種情況，例如受光學光源之溫度或老化的影響。
除此之外，也可能需要將塗層材料配置在光纖之偵測器端以使得光會光學性地衰減。將塗層材料配置在光纖之偵測器端以光學性地將光衰減，藉此可限制來自於光 纖並由光偵測器所偵測到之光的特定模態或模態組，其可減少模態色散並因此增加頻寬效能。
塗層材料之物質種類及(或)塗層材料之厚度可被選擇性地控制，以控制塗層材料所提供之光學衰減量。塗層材料之厚度可由一塗層材料移除製程來控制，或是以沉積所需之塗層材料之厚度的製程來控制(舉例)。在其他實施例中，配置在光纖端之塗層材料可以光學衰減圖案之方式配置。該光學衰減圖案可使光之特定之模態或模態組衰減或被擋下，同時讓其他模態及模態組通過塗層材料。以此方法，光學衰減圖案可用以限制在光纖中被激發之模態或模態組之數量，並(或)限制光偵測器所偵測到之模態或模態組以限制模態色散，且因此增加頻寬效能。
在另一實施例中，提供一種提供光纖連結之光學衰減的方法。該方法包含提供具有一光纖端之光纖之步驟。該光纖端可為光源端及(或)偵測器端。塗層材料配置在光纖端之至少一部分上，且經組態以使導向該光學端之光的一部分光學衰減。該光纖端經斜切以提供用以反射光之反射面。若光纖端為光源端，則被反射的光可為自光源接收之光；若光纖端為偵測器端，則被反射的光為反射至光偵測器之傳播光。可藉由例如雷射切割或將該光纖端拋光之方式產生光纖端之斜切角。
其他特徵及優點會在接下來的實施方式中詳述，且熟悉此項技藝者可由此處所述之文字敘述及實施例(包括 接下來的實施方式、申請專利範圍以及所附之圖式)之實行中了解這些特徵及優點。
亦需了解以上之描述及接下來的實施方式中所呈現之實施例為提供概述及架構，以理解所揭露之內容的本質及特性。此處包含之附圖為提供更深入之了解，且其併入並構成說明書之一部分。圖式繪示各種實施例，且與文字說明一起用於解說所揭露之概念的原理及操作。
現在參照實施例做詳細說明，實施例之範例繪示於所附之圖式中，其中僅有部分實施例，而並非全部的實施例皆被繪示。實際上，本發明之概念可以各種不同方式實施，而不應被認定為限於此處之實施例，如此本案之揭露內容得以滿足適用之法律要件。相似的元件符號儘可能用以標示相似之元件或部件。
在實施方式中所揭露之實施例包括具有塗層之光纖及相關之裝置、連結以及使射入光纖之光或從光纖接收之光會光學性衰減的方法。在一實施例中，光纖包括一光纖端。舉例而言，光纖端可為光源端，其經組態以使其位於(或安裝於)鄰接一光學光源處以接收由該光學光源所射出之光；及(或)為一偵測器端，其經組態以使其位於(或安裝於)鄰接一光偵測器處，而該光偵測器接收來自光纖之光。塗層材料配置於該光纖端之至少一 部分且經組態以使導向該光纖端之光的一部分光學衰減。
以此為例，光學光源可被控制在高輸出光功率位準下產生導向光纖之光，並限制光纖中之最大光功率位準。例如，光纖可被限制以符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。然而，有時可能需要將光學光源以超過該限制之最大光功率輸出位準操作。例如，當光學光源被驅動於超過一定的臨界驅動電流時，該光學光源之線性性質會增進。另外，以較高的光功率驅動光學光源可產生遠場光型，其可激發少數或一些預定組之模態或模態組。限制在多模光纖連結中受激發之模態或模態組的數量可減少模態色散並因此增加光纖連結的頻寬。做為另一範例，將光學光源過載可補償可能會使光功率減損之各種情況，例如受光學光源之溫度或老化的影響。
除此之外，也可能需要將塗層材料配置在光纖之偵測器端以使得光會光學性地衰減。將塗層材料配置在光纖之偵測器端以使得光會光學性地衰減，可限制光偵測器由光纖所偵測到之光的特定模態或模態組，其可減少模態色散並因此增加頻寬效能。
在討論在光纖上配置塗層材料以提供光學衰減之前，先參照第1及2圖討論一範例光纖連結。此處，第1圖繪示一範例光纖連結10。光纖連結10包含光纖12，其包含一內纖心14。本實施例中之光纖12為多模光纖，意即內纖心14中存在有多重傳播路徑，其由光射入配置 於光纖之光源端18的面15之射入角所定義。然而，在光纖連結10中亦可使用單模光纖。在第1圖中僅繪示光纖12之內纖心14，但應了解在光纖12中具有光纖纖衣層(圖未示)以包覆內纖心14，以使光在光纖12中傳播時大致將光限制在內纖心14中。光纖纖衣層包覆內纖心14之例繪示於第2圖之光纖12中，詳述於後。
請參照第1圖，在此實施例中，光學光源16配置在光纖12之光源端18以將光17L在第一區(I)射入光纖12。光17L從光學光源16使用全反射(TIR)之方式耦接至光纖12。在此，光纖12之光源端18由一雷射以一角度斜切(也就是雷射切割)(此後稱為切割光纖端20、斜切光纖端20，或雷射切割光纖端20)以將光17R內部反射至光纖12之內纖心14。光學光源16可以垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)為例，或其他光學光源。在第二區(II)中，光17R於光纖12之內纖心14傳播直到其到達光纖12之偵測器端22，其相對於光源端18。光17R以沿著內纖心14如一連串之直線接續般之方式在光纖12中向下傳播係如第1圖所示，此可為當使用步階式折射率(step-index)內纖心時之情況。這些直線亦可用以在具漸變式折射率(graded index)之內纖心中粗略表示光的非直線路徑。光偵測器24配置於光纖12之偵測器端22以偵測在光纖12中傳播之光17R。斜切光纖端26亦配置在光纖12之偵測器端22以將光17R轉向下而成為光17D，並在第三區(III)進入光偵測器24以進行偵測。
第2圖繪示第1圖之光纖12之光源端18之放大側視圖，其提供本例中光纖12之斜切光纖端20之更多細節。如第2圖中所示，光纖12經定位，從而使斜切光纖端20與光學光源16對齊以接收由光學光源16射出之光17L。在本實施例中，光纖12被配置成用以接收光17L，光17L以與光纖12之光纖軸A1 垂直的方式射出。光學光源16配置於基材28上，其中光纖12可對準光學光源16以使其可有效率的將光訊號由光學光源16傳送至光纖12。可提供斜切光纖端20之角度Θ1 ，使得由光學光源16射出之光17L可透過全反射方式在斜切光纖端20反射而成為光17R並轉向至光纖12之內纖心14。舉例而言，在一實施例中，斜切光纖端20之角度θ1 可約為45度(或為其他角度)以提供較佳之光學表現(例如減少逆反射(back reflection)、在多模光纖中增加頻寬等)。在光17R沿內纖心14向偵測器端22傳播時，光17R由斜切光纖端20反射，並因包覆光纖12之內纖心14之光纖纖衣層30的反射而大致上留在內纖心14中(請一併參照第1圖)。
由於在本實施例中之來自光學光源16之光17L以發散角發散，因此光17L會以涵蓋在一範圍內之角度射入內纖心14。因此，光17L會如同光17R般，以與光纖軸A1 夾一發射角之方式，自具有斜切角之光纖端20發射出射出。結果會激發多模光纖12之多模態或模態組且因此造成模態色散。模態組為在內纖心14中具有相同傳播 路徑之光線群(family)，從而該等光線會同時到達偵測器端22而形成一群組。模態色散會限制光纖連結10之頻寬。此外，模態色散會因光纖12之長度增長而增加。
在許多的光纖連結中(如第1及2圖中之光纖連結10，光纖連結10包括單模及多模之光纖連結兩者)，來自光纖而被光偵測器所接收之光的光功率位準可被控制。光之光功率位準可被控制在大於預定之最小光功率位準，以將由雜訊所造成之位元錯誤(包括光偵測器錯誤)減到最小。舉例而言，在第1圖中光偵測器24所接收之光17D可能被要求要達到或大於-10dBm之光功率位準以提供每秒200億位元(Gbps)之頻寬。為了將接收的光之光功率位準控制在大於一預定之最小光功率位準，可控制一光學光源以控制射入光纖之內纖心的光之光功率。如此，光學光源可被控制以在其最大輸出功率位準將光射入光纖中。然而，許多光纖連結及相關之應用會限制光學光源之最大光功率位準，例如需符合人眼的安全要求或避免光偵測器飽和。例如，最大光功率位準可能為+3dBm。如此，光學光源可被控制以在其最大及最小預定光功率位準之間之光功率位準將光射入光纖中。
有許多原因使光學光源需要以在超過該最大光功率位準或該光纖連結之限制的操作點上驅動。例如，當光學光源被驅動於超過一定的臨界驅動電流時，該光學光源之線性性質會增進，其可造成更開(open)的眼圖(eye diagram)以在高操作頻率時有較佳的表現。此外，在多 模光纖連結中，將光學光源以較高之光功率位準驅動可產生遠場光型，其可激發少數或預定組之模態或模態組。例如，VCSEL光學光源之遠場光型的形狀係以驅動電流之函數之方式改變。限制在多模光纖連結中受激發之模態或模態組的數量可減少模態色散並因此增加光纖連結的頻寬。並且，有時可能需要使光學光源(例如為VCSEL)過載以補償會使光功率減損之各種情況。例如，溫度之變化可能改變給定驅動電流至光學光源之光功率輸出。而且，基於半導體之光學光源(例如為VCSEL)的光功率位準可能因半導體老化效應而隨時間減低。
為了要以較高之輸出光功率位準操作光學光源且限制光纖連結中之最大光功率位準，可使用光學衰減。在此，第3圖繪示一光纖連結34之範例實施例的側視圖，其中光學衰減配置於光學光源38與光纖40之間。在此實施例中(會於後文詳述)光學衰減以塗層材料36之方式提供。塗層材料36為塗佈或增加至光纖40之至少一部分上的材料。在此實施例中，經配置之塗層材料36在光纖40之一外表面39上。塗層材料36具有吸收光之特性以提供光學衰減。在此實施例中，提供光學衰減的塗層材料36之一部分37配置於光學光源38及光纖40之間之光徑45，而由光學光源38射出之光42L在到達光纖40之前通過該光徑45。其結果為該塗層材料36之吸收特性使射入光纖40之光衰減。
塗層材料36之光吸收特性及配置於該光徑45之塗層 材料36之該部分37的厚度，會控制發射進入光纖40之光42L之光學衰減的量。塗層材料36之該部分37的厚度可被控制以控制光42L之光學衰減的量。塗層材料36使光42L光學表減為光學衰減後之光42L’，如第3圖中所示。如此，可以超出光纖連結34之最大光功率位準的較高輸出光功率位準來驅動光學光源38以射出光42L，但光學衰減後之光42L’及由光學衰減後之光42L’反射得到之光42R卻不會超出光纖連結34之最大光功率位準。如前文之論述，光纖連結34可具有預定之最大光功率位準以符合某些規格及要求(例如人眼安全或避免光偵測器飽和)，其中該預定之最大光功率位準低於該光學光源38可提供之最大輸出光功率位準。
請繼續參照第3圖，由塗層材料36之該部分37所提供之光學衰減配置於光纖40之光源端44。在此實施例中光學光源38配置於基材46上。光纖40可對準光學光源38以使其可有效率地將來自光學光源38之光42L傳送至光纖40。如第3圖中所示，在此實施例中，光42L從光學光源38射入光纖40，其垂直於一光纖軸A2 ，並進入該光纖40之光纖纖衣層48。其他相對於基材46之發射角及光纖角亦有可能。塗層材料36配置在光纖纖衣層48與光學光源38之間以使光42L在到達光纖纖衣層48之前必須通過塗層材料36之該部分37。光纖纖衣層48包覆著光纖40之內纖心50。光42L被光學衰減為光學衰減之光42L’，如第3圖中所示。光學衰減之總量為 塗層材料36之種類及厚度的函數，其範例會於後詳述。光學衰減後之光42L’經過光纖纖衣層48並進入光纖40之內纖心50，並在該處以全反射在光纖40之斜切光纖端54的斜切端面52被反射。因此，反射光42R被以與光纖40之光纖軸A2 不平行之角度轉向至光纖40之內纖心50。
因光42L經光學衰減，光學光源38可經控制，以在較反射入光纖40之內纖心50的反射光42R之光功率位準高之光輸出功率位準射出光42L。例如(如上述)為了增進效能或光纖連結之頻寬，可能需要在較高之光功率位準驅動光學光源38以產生光42L。若輸出光功率位準因任何原因超出所需之(或經設計之)光纖連結的最大光功率位準，由塗層材料36之該部分37所提供之光學衰減可經設計使光42L光學衰減為經光學衰減之光42L’以減少進入光纖40之光纖纖衣層48及(或)內纖心50的光42L之光功率位準。
由於在本實施例中之來自光學光源38之光42L以發散角發散，因此經光學衰減之光42L’會以涵蓋在一範圍內之角度射入光纖40之內纖心50。因此，經光學衰減之光42L’由射出斜切光纖端面52以一較大之出射角射出而成為反射光42R。其結果會激發光纖40之多模態或模態組且因此造成模態色散。模態組為在內纖心50中具有相同傳播路徑之光線群，其同時到達光纖40之偵測器端。模態色散會限制光纖連結34之頻寬。此外，模態色 散會因光纖40之長度增長而增加。光42L亦可由光學光源38以較小之出射角射出而進入光纖40之內纖心50，以減少內纖心50中被激發之模態或模態組並藉此減少模態色散。
此實施例中之塗層材料36整合至光纖40之斜切光纖端54，如第3圖所示。斜切光纖端54可以雷射切割或由拋光製程切割，如上所述。斜切光纖端或光纖端上之面可依已知之切割方法由雷射處理形成。例如，可使用具有可變式擴束器(beam expander)之二氧化碳雷射及具有二十五(25)釐米(mm)之焦距之聚焦鏡之雷射切割機台。因此，當光纖被用雷射切割時，光纖或光纖端亦可稱為雷射切割光纖，或雷射切割端。雷射處理可用來在單一光纖或一組排列成一維或二維陣列之光纖上形成一斜面(angled facet)。具有雷射切割端(其具有一角度)之光纖可應用於許多方面。例如，如VCSEL之光源垂直的發出光，而因此在某些應用中因精簡化之考量而需要將其直角(或稱90度)旋轉。具有含一角度之雷射切割端之光纖亦可用以使光直角旋轉以進入光偵測器，例如第1圖所示之光偵測器24。
在此實施例中，塗層材料36配置於光纖40中光纖纖衣層48之外表面56上，如第3圖所示。在製作時，塗層材料36可在光纖40之斜切之前或之後塗佈至光纖40之光纖纖衣層48之外表面56上。塗層材料36可使用於整個外表面36或外表面36之一部分。在此實施例中， 若塗層材料36之塗佈在斜切之前，塗層材料36材料會留在光纖纖衣層48之外表面上。在其他實施例中，若光纖40或光纖40之光源端不具有光纖纖衣層48，則塗層材料36可例如配置於光纖40之內纖心50之外表面57上。塗層材料36亦可透過雷射濺鍍(ablation)或拋光作業之方式，塗佈至因局部移除部分或全部光纖40之光源端44附近的光纖纖衣層48而造成的光纖表面。將塗層材料36塗佈至光纖40上之製程包括(但不限於此)下列：浸泡塗佈(dip coating)、噴塗法(spraying)、刷鍍(brushing)、網印(screen printing)、濺鍍(sputtering)及化學氣相沉積。
塗層材料36之類型對光學衰減量的影響依塗層材料36之光吸收特性而定。例如，塗層材料36可為耐性塗層材料，如金屬或碳基材料，其使光在一設定之厚度可通過，但會光學衰減。金屬之範例包括(但不限於)鈦、鋁及金。其他範例包括(但不限於)充滿可吸收或散射光之粒子的聚合物塗層，以及可散射光之折射光柵或粗糙表面。聚合物之範例包括(但不限於)丙烯酸脂(acrylate)、鐵氟龍(PTFE)及尼龍(nylon)。當塗佈於薄層以使塗佈有塗層材料36之光纖40之總厚度最小化時，可能需要提供具有良好之光吸收能力的塗層材料36。
塗層材料36亦可為可吸收或散射液體，其塗佈在光纖40上以提供光學衰減。例如，光纖可為隨機空氣線光纖 (RAL)而不是非隨機空氣線光纖，其中毛細力會將液態塗層吸入光徑45上之一組RAL通道中。藉由調整液體之吸收及散射的特性，或是控制液體在RAL通道中分佈之方式可改變光學衰減。
在特定之實施例中，塗層材料36可由提供其他優點及目的之材料中選出。例如，塗層材料36可為聚合物或丙烯酸脂層，其保護光纖40之外表面39使其不受傷害且(或)可保存光纖40之機械強度。塗層材料36之種類亦可由提供光纖40密封或阻障層及(或)增加光纖40耐久性之材料中選出。可提供光學衰減及密封之塗層材料36例如包括(但不限於)碳基塗層及金屬基塗層，如鋁基或鈦基塗層。塗層材料36亦可為金屬纖維層，其可藉由在光電封裝中將具有金屬光纖鍍膜之光纖40銲入一通孔(feed-through hole)而形成氣密。
如上述，在由光學光源38射出之光42L及光纖40之間的光徑45上之塗層材料36的該部分37的厚度，亦可控制光42L之光學衰減的總量。如此，光42L之光學衰減的量可由調整塗層材料36之該部分37之厚度來控制。例如，在製造時可使用塗層材料移除製程以將塗層材料36之厚度W1 減少為厚度W2 以提供塗層材料36之該部分37並藉此調整光42L之光學衰減，如第3圖所示。如第3圖所示，在光纖40之光源端44之塗層材料36之該部分37已被移除以將厚度減至光學光源38與光纖40之間的光徑45上之塗層材料36的厚度W2 。與未 移除該部分37而使光42L通過厚度為W1 之塗層材料36之該部分37的情況相較下，此步驟可減少由光學光源38射入光纖40之光纖纖衣層48之光42L的光學衰減量。
至於厚度的範例，在碳基塗層之情況中，厚度W1 可為200微米(μm)，而厚度W2 可為10μm，其中光42L因通過塗層材料36之該部分37而從3dBm光學地衰減為光學衰減後之0dBm的光42L’。在塗層移除後留在光纖40與光學光源38之間之光徑45上的塗層材料36之該部分37，可以任何厚度提供以達到所需的光學衰減效能。若在製造光纖40時執行了塗層材料移除製程，則在光學光源38及光纖40之間的光徑45上留下的塗層厚度可被微調以用於任何所需之應用上。可在製程中留下不同的厚度以用於不同的應用。
如上所述，塗層材料移除製程可在製造時用來移除配置於光纖40上之塗層材料36之該部分37以減少厚度，並因此減少由塗層材料36所提供之光學衰減效能。第4圖繪示第3圖之光纖40，其中斜切端面52已被配置在光纖40之斜切光纖端54上且塗層材料36已塗佈至光纖纖衣層48之外表面56上。斜切端面52例如可透過對光纖40進行雷射切割或拋光之方式來提供。若使用雷射切割，塗層材料36可選用非聚合物材料(如碳或金屬)，如此當光纖40需被斜切之部分在受雷射光照時，塗層材料36不會改變形狀或分解。塗層材料移除製程接著在塗層材料36之該部分37上執行，以使其具有光學光源38 及光纖40之間的光徑45上的塗層材料36之厚度W2 (見第3圖)。塗層移除製程可包括(但不限於)雷射濺鍍、化學蝕刻、機械摩擦以及拋光。
舉例而言，第5圖繪示塗層移除裝置及移除第3圖及第4圖之光纖40之塗層材料36的該部分37以將厚度減少至厚度W2 (第3圖)並增加光纖40之光學衰減效能之製程。塗層材料36之該部分37的厚度可在光纖40之光源端44附近選擇性地減少，以使得當光纖40在對準光學光源38時光徑45上會配置有所需的光學衰減。如第5圖所繪示，提供雷射60。雷射60例如為在波長10.6μm操作之二氧化碳雷射。在此例中，雷射60經定位以放射雷射光束62至需被移除厚度至厚度W2 之塗層材料36之該部分37。雷射光束62將塗層材料36之部分濺鍍以依需求減少塗層材料之厚度。在此實施例中，雷射60經控制以使雷射光束62被導向光纖40及光學光源38之間之光徑45上之塗層材料36之該部分37。經移除以選擇性地控制改變剩餘厚度的塗層材料36之該部分37，可藉由調整施加至塗層材料36上之雷射光束62的強度及時間之方式來改變。雷射60亦可將雷射光束62以平行而非垂直於光軸A2 之方式導向塗層材料36(如第5圖所示)以移除塗層材料36之該部分37。另外，雷射60亦可將雷射光束62由光纖40之任一側導向塗層材料36，其方向為進出第5圖之頁面之方向。
再次的，亦可使用其他的移除製程，且在此揭露之光 纖、塗層移除裝置及製程實施例並不限於雷射移除或濺鍍。除了塗層移除製程外，其他製程亦可用來將塗層材料配置於光纖上以提供光學衰減，其中包括第3圖中之光學衰減。例如，可在塗層材料36上使用與塗層材料36相容之化學處理以將塗層材料36之部分移除來控制厚度。亦可使用微影光罩及(或)蝕刻製程。塗層材料36之厚度亦可透過控制塗佈至光纖40上之塗層材料36的厚度至所需之厚度來控制，而不執行移除製程。在此例中，塗層材料可塗佈至整個光纖或光纖之一部分，例如為第3圖中之光纖40的光源端44。光纖上之塗層配置或沉積製程之範例包括(但不限於)：浸泡塗佈(dip coating)、刷鍍(brushing)、網印(screen printing)、濺鍍及化學氣相沉積。可選擇塗層材料36之種類以幫助控制厚度。例如，對氧化之塗層材料36(例如為碳或塗層金屬)進行之雷射輔助氧化(laser-assisted oxidation)可用來控制塗層材料36之厚度。
不論光纖上配置之塗層材料的厚度是如何提供或控制的，由光纖之本體上所配置之塗層材料來提供光學衰減具有一些不受限之優點。例如，若塗層材料與光纖之本體整合在一起，則塗層材料所提供之光學衰減的作用與光學光源相對於光纖的位置及其光場結構無關。若塗層材料塗佈至整個光纖之周圍，則塗層材料所提供之光學衰減會自動對準至光纖以簡化光纖之組裝製程。若塗層材料因其他因素需要配置於光纖之周圍(如使用密封封 裝通孔密封之金屬化或密封纖維塗層材料)，則相同的塗層材料可被選擇性地移除以控制光學衰減而不需額外的材料或部件。此外，以光纖塗層材料做為光學衰減器即不需在光學光源或光纖與光學光源之間加上額外的部件。
如上所述，光纖上所配置之塗層材料之一部分可被移除至所需的厚度以提供射入光纖中之光的光學衰減。亦如上述，若沉積製程可控制塗層材料之沉積以達到所需之光學衰減效能需要的厚度，則塗層材料之厚度可由不使用移除製程之沉積製程來提供。以塗層材料移除製程來控制配置於光纖上之塗層材料的厚度以提供光學衰減可有其他或額外的功能或好處。例如，可將單一厚度之塗層材料塗佈至光纖上，其中可依需求控制並調整移除之塗層材料之厚度以依所處理之光纖的應用來微調至所欲之光學衰減量。選擇性地控制光學光源與光纖間之光徑上的塗層材料移除以使光纖僅有某些模態或模態組被光學光源激發，其於以下舉例詳述。
以上參照第3-5圖所討論之實施例包括將塗層材料36之該部分37移除至一致或實質上一致之殘留厚度以提供光學衰減。如此一來，在光徑45上殘留之由塗層材料36所提供之光學衰減，對於由光學光源38射出而進入光纖40之不同階(order)或不同模態之光42L可為一致或實質上一致。然而，亦可移除配置於光纖上之塗層材料的特定區域或多個區域以提供特定的光學衰減圖形 或遮罩，其使射入光纖之光的不同階或模態並非被一致地光學衰減。如此，第6及7圖繪示光纖之實施例，其中配置於光纖附近之塗層材料的一部分被依所需之光學衰減圖案及遮罩而選擇性地移除。結果，光纖被組態設定，使得從光學光源射出而進入光纖之光的不同階或模態會不一致地光學衰減。
現在看到第6圖，其提供另一範例光纖連結70之側視圖，其中用來提供光學衰減之塗層材料配置在光纖74與光學光源72之間。光學光源72及光纖74可為與上述繪示於第3-5圖中之光學光源38及光纖40相同或類似之光學光源及光纖。如此，光纖74可被安裝於基材75上以使光纖74之光源端76與光學光源72對準，而使來自光學光源72之光78L可有效率的由光學光源72傳輸至光纖74。
如第6圖所繪示，在此實施例中，光78L沿垂直於光纖A3之光徑73由光學光源72射入光纖74，並進入該光纖74之光纖纖衣層80。光纖纖衣層80包覆光纖74之內纖心82。光78L在通過可進行光學衰減之塗層材料84時被光學衰減為光學衰減之光78L’；更詳細而言，光78L通過塗層材料84上之環狀遮罩或環狀圖案86，其中塗層材料84被選擇性移除或沉積至一所需厚度以提供所欲之光學衰減量，如上所述。塗層材料84之種類以及用於提供所需厚度之塗層材料84的移除或沉積製程可為前述之任一者。經光學衰減之光78L’接著通過光纖纖 衣層80並進入光纖74之內纖心82，在此其通過全反射方式被光纖74之斜切光纖端90之斜切端面88反射為光78R。結果，反射光78R被以非平行於光纖74之光纖軸A3 之角度轉向至光纖74之內纖心82。
在此實施例中，配置在塗層材料84上之環狀圖案86由移除塗層材料84之中間部或點94附近之環狀區域92之塗層材料84的一部分而形成。當光纖74與光學光源72對準時(例如為第6圖中所示)塗層材料84之中間部94經組態以阻擋自光學光源72射出的光78L或使其大幅光學衰減，光78L在一般狀況下會被斜切端面88反射並以大致上或實質上平行於光纖軸A3 之角度被導向內纖心82。在此實施例中，該角度對應至較低階之傳輸光纖模態(guide fiber mode)之傳播方向。因此，此實施例中配置於光纖74上之塗層材料84上的環狀圖案86經組態以阻擋或過濾較低階模態的光。由光學光源72射出之光78L以較高之角度通過塗層材料84之環狀區域92，並可通過至光纖74而成為經光學衰減之光78L’。如此造成光纖74中之較高階模態或模態被激發，其可限制模態色散並增進光纖連結70之光纖連結頻寬。
第7圖中繪示一實施例，其中塗層材料遮罩或圖案配置於光纖上之塗層材料，並經組態以阻擋自光學光源72射出的光78L或使其大幅光學衰減，光78L在一般狀況下會被反射並以大致上或實質上不平行於光纖之光纖軸的角度導向光纖。此角度對應至較高階之傳輸光纖模態 之傳播方向。如此可提供(如第7圖中所示)包含第6圖之光纖74之光纖連結70’。在第7圖中所繪示與第6圖中相似之元件以相同之元件符號標示。而在實施例中，不同之光學衰減遮罩或圖案96係配置在光徑73上之塗層材料84。光學衰減圖案96可為與第6圖中配置於塗層材料84上之環狀圖案86相反之圖案。在本實施例中之光學衰減圖案96為環狀凹陷圖案，其包括由塗層材料84上所移除之開口98且經組態為一所需之厚度以使光78L可被以垂直或實質上垂直於光纖軸A3 之角度導向內纖心82並通過光纖纖衣層80而成為經光學衰減之光78L’。此圖案亦可做成非環狀，或截面為凹陷狀以外之其他輪廓(profile)。舉例而言，輪廓可為相同深度之局部區域。按角度導向至光纖軸A3 之光78L被環繞著開口98且厚度較厚之光學衰減圖案96的部分100阻擋或被大幅光學衰減。如此造成光纖74中較低階之模態或模態組被激發，其可限制模態色散並增進光纖連結70’之光纖連結頻寬。
經設計以在不同射出角以不同之程度阻擋光或使其光學衰減之光學衰減遮罩或圖案亦可配置於光纖之接收端。此包括(但不限於)分別繪示於第6及7圖中之配置於光纖40及74上之環狀圖案86及凹陷圖案。承上述，第8-11圖繪示將光學衰減遮罩及圖案配置於光纖之接收端以使向光偵測器傳播之光光學衰減的範例。此光學衰減可減少被導向之光的光功率，或使其光學衰減或 阻擋特定之光的光纖模態或模態組。
第8圖繪示具有塗佈至光纖110之塗層材料112的光纖110之接收器端108的側視圖。在此實施例中，塗層材料112塗佈至包覆光纖110之內纖心118的光纖纖衣層116的外表面114上，其與前述之實施例類似。光120R由光學光源(圖未示)射入光纖110而使光120R在光纖110之內纖心118中傳播。光可藉由如第6圖或任何其他上述所揭露之實施例中所提供之光學光源處射入光纖110，其中光被射出後經全反射反射至光纖之內纖心。光120R經光纖110之接收器端108上所配置之斜切端面122以全反射反射而成為光120C。可使用任何前述用於將斜切端面配置於光纖之光源端之製程，將斜切端面122配置於光纖110之接收器端108。在本實施例中，光纖110安裝在基材124上或安裝於其附近並對準一光偵測器126，使得光120C可被導向光偵測器126。
在此實施例中，環狀遮罩或環狀圖案128配置於塗層材料112上以選擇性地控制光120C之光學衰減。環狀圖案128可配置於塗層材料112上，其相同或類似於第6圖中之光纖74之光源端76上之塗層材料84所配置之環狀圖案86。環狀圖案128藉由移除塗層材料112之中間部或點132附近之一環狀區域130中之塗層材料112的一部分而配置在塗層材料112上。該移除可依例如前述之任何方法完成。當光纖110與光學光偵測器126對準時(例如為第8圖中所示)塗層材料112之中間部132 經組態以阻擋光120R或使其大幅光學衰減，光120R在一般狀況下會被斜切端面122反射並以大致上垂直或實質上垂直於光纖110之光纖軸A4 之角度被導向光偵測器126。在此實施例中，該角度對應至較低階之波導光纖模態或模態組之傳播方向。因此，此實施例中配置於光纖110上之塗層材料112上的環狀圖案128經組態以阻擋或過濾較低階模態的光。按較高之角度被光纖110之斜切端面122反射之光120R會通過塗層材料112上所配置之環狀區域130，並可通過至光偵測器126而成為經光學衰減之光120C’。如此，不論光120R是否有激發光纖中之較低階模態或模態組，此較低階模態或模態組會被光學衰減或阻擋而無法進入光偵測器126。其可限制模態色散並增進光纖110之光纖連結頻寬。
第9-11圖繪示第8圖中具有可光學衰減或阻擋光120R之其他模態或模態組之環狀圖案128的光纖110之側視圖以為範例。第9圖繪示配置於光纖110上之塗層材料112的環狀圖案128如何阻擋光120C之某些較低階模態或模態組。在此實施例中，光120R在內纖心118中按粗略地平行於光纖軸A4 的角度傳播，以激發光纖110中較低階之模態或模態組。被光纖110之斜切端面122反射的某些光被環狀圖案128之中間部132或光學衰減或阻擋，如第8圖所示。然而，被經光學衰減之光120C”之其他較低階之模態或模態組通過環狀區域130而到達中間部132之側面。但光纖110與光偵測器126對準而使 經光學衰減之光120C”不會到達光偵測器126而可有效地被過濾。如此可限制模態色散並增進光纖110之光纖連結頻寬。
第10-11圖亦繪示置於光纖110上之塗層材料112的環狀圖案128如何阻擋光120C之某些較高階模態或模態組(例如負角度)，同時使120C之其他較高階模態或模態組被光偵測器126偵測到。被光纖110之斜切端面122反射的某些光被環狀圖案128之中間部132光學衰減或阻擋，如第8圖所示。光纖110與光偵測器126對準而使經光學衰減之光120C”’的一些較高階模態或模態組通過穿過環狀區域130而到達中間部132之側面，並打到光偵測器126。經光學衰減之光120C””雖亦經環狀圖案128之環狀區域130但不會到達光偵測器126而可被有效地過濾。如此可限制模態色散並增進光纖110之光纖連結頻寬。
光學衰減遮罩或圖案亦可配置在光纖之接收器端以阻擋光之較低階模態或模態組或將其光學衰減。就此而言，第12圖繪示具有塗佈至光纖140上之塗層材料142之光纖140的接收器端130之側視圖。在此實施例中，塗層材料142塗佈至包覆著光纖140之內纖心148的光纖纖衣層146的外表面144上，其與前述之實施例類似。由於從光學光源(圖未示)射入光纖140的光之故，使得光150R在光纖140之內纖心148中傳播。光可藉由如第6圖或任何其他上述所揭露之實施例中所提供之光學 光源射入光纖140，其中光被射出後經全反射反射至光纖之內纖心。光150R經光纖140之接收器端138上所配置之斜切端面152以全反射反射而成為光150C。斜切端面152可由任何前述用於將斜切端面配置於光纖之光源端之製程將斜切端面152配置於光纖140之接收器端138上。在本實施例中，光纖140安裝在基材154上，並對準光偵測器156以使光150C可被導向光偵測器156。
在此實施例中，光學衰減圖案158可配置於光纖140之接收器端138上所配置之塗層材料142，其為與第8圖中配置於塗層材料112上之環狀圖案128相反之圖案及(或)相同或類似於第7圖中之塗層材料84上所配置之光學衰減圖案96。就此而言，在本實施例中之光學衰減圖案158為環狀凹陷圖案，其包括由塗層材料142上所移除之開口160且經組態為一所需之厚度，以使自斜切端面152被反射之光150C可垂直或大致上垂直於光纖140之光纖軸A5 而通過該處，成為光150C’。因此，在實施例中，光150C’中較低階之模態或模態組可通過塗層材料142。光纖140可對準光偵測器156以使光150C’可到達光偵測器156。被以不垂直或不實質上垂直於光纖140之光軸A5 的角度反射的光150R會被開口160周圍具有較厚之厚度的光學衰減圖案158之部分162阻擋或大幅的光學衰減。因此，在此實施例中，光150C’中較高階之模態或模態組會被阻擋而無法通過塗層材料142及到達光偵測器156，或是被大幅的光學衰減。如此 可限制模態色散並增進光纖140之光纖連結頻寬。
此處所揭露之實施例並不受限於任何特定之光纖連結、光纖、斜切、塗層材料及(或)塗層材料沉積或移除製程。且可使用可提供所需之光學衰減特性之任何種類之塗層材料，並可使用可提供所需之光學衰減特性之任何厚度之塗層材料，且可使用可提供所需之光學衰減特性之任何種類之塗層遮罩或圖案。亦可使用任何種類之光學光源及光偵測器。
如上所述，此除所揭露之經切割之光纖端可以雷射切割製程配置或形成在各別之光纖或光纖陣列上。亦可使用拋光製程來提供斜切。斜切製程可在塗層材料配置於光纖上之前或之後執行及/或在移除塗層材料之一部分以提供所需之光學衰減之前或之後執行。單一或多個雷射切割面可配置或形成於陣列光纖之末端，亦可形成於各別之光纖末端上。一光纖陣列可包含多個光纖，每個都具有一外表面、一內纖心以及具有一或多個此處揭露之類型之雷射切割面的一切割(例如為雷射切割)光纖端。
此外，此處所使用之「光纖纜線」及(或)「光纖」等用語意欲包括所有種類之單模或多模之光波導，其包括一或多個裸光纖、束管(loose-tube)光纖、緊密緩衝(tight-buffered)光纖、帶狀(ribbonized)光纖、彎曲不敏感(bend-insensitive)光纖或任何其他適於用來傳輸光訊號之媒介。彎曲不敏感光纖之一例為由康寧公司 所製造之ClearCurve® 光纖。
熟知本領域之技術者應可思及在此所述之許多之修改及其他實施例及具有先前之敘述及相關圖式中所教示之優點之相關實施例。因此，需了解此處之說明及申請專利範圍並不限於揭露之特定實施例，且其修改及其他實施例應被包括在後附之申請專利範圍之範疇中。實施例之修改及變化若落於後附之申請專利範圍及其均等之範圍中，亦應包括於實施例中。雖然此處使用了特定之用語，但其僅用以描述並應做廣義之解釋，而不應用以限制。
10‧‧‧光纖連結
12‧‧‧光纖
14‧‧‧內纖心
15‧‧‧面
16‧‧‧光學光源
18‧‧‧光源端
17L、17R、17D‧‧‧光
(I)‧‧‧第一區
(II)‧‧‧第二區
(III)‧‧‧第三區
20、26‧‧‧斜切光纖端
22‧‧‧偵測器端
24‧‧‧光偵測器
28‧‧‧基材
30‧‧‧光纖纖衣層
θ1 ‧‧‧角度
A1 ‧‧‧光纖軸
34、70、70’‧‧‧光纖連結
36、84、112、142‧‧‧塗層材料
37、100、162‧‧‧部分
38、72‧‧‧光學光源
39、56、57、114、144‧‧‧外表面
40、74、110、140‧‧‧光纖
42L、42R、78L、78R、120C、120R、150C、150R‧‧‧ 光
42L’、78L’、120C’、120C”、120C”’、120C””、150C’‧‧‧光學衰減後之光
44、76‧‧‧光源端
45、73‧‧‧光徑
46、75、124、154‧‧‧基材
48、80、116、146‧‧‧光纖纖衣層
50、82、118、148‧‧‧內纖心
52、88、122、152‧‧‧斜切端面
54、90‧‧‧斜切光纖端
86、128‧‧‧環狀圖案
92、130‧‧‧環狀區域
94、132‧‧‧中間部
96、158‧‧‧光學衰減圖案
98、160‧‧‧開口
108‧‧‧接收器端
126‧‧‧光偵測器
A1 、A2 、A3 、A4 、A5 ‧‧‧光纖軸
W1 、W2 ‧‧‧厚度
第1圖繪示一範例光纖連結，其包含配置於射出光至光纖之光源端之光學光源與在光纖之偵測器端偵測該光的光偵測器之間的光纖。
第2圖為第1圖中之光纖之光源端的放大側視圖。
第3圖為配置於範例光纖之光源端上的範例塗層材料之側視圖，其用於使從光學光源朝向光纖射出之光光學衰減。
第4圖為第3圖之光纖之側視圖，其中塗層材料在塗層材料之一部分被選擇性的移除以提供所需之光學衰減之前配置至光纖上。
第5圖繪示例示性的雷射移除第4圖中之光纖上所配 置之塗層材料的一選擇性部分以提供所需之塗層材料厚度並提供所需之光學衰減。
第6圖為範例之選擇性光學衰減圖案之側視圖，配置於一範例光纖之光源端之塗層材料上，且其經配置以阻擋特定之模態及(或)模態組或將其衰減而使其在光纖中不被激發。
第7圖為另一範例之選擇性光學衰減圖案之側視圖，配置於一範例光纖之光源端之塗層材料上，且其經組態以減少在光纖中被激發之模態及(或)模態組的數量。
第8圖為一範例之選擇性光學衰減圖案之側視圖，其配置於一範例光纖之偵測器端之塗層材料上，且其經組態以阻擋光之較低階的模態或模態組或使其光學衰減。
第9-11圖為額外之側視圖，其繪示依第8圖中之配置於一範例光纖之偵測器端之塗層材料上的選擇性光學衰減圖案以阻擋光之較低階的模態或模態組或使其光學衰減。
第12圖為為另一範例之選擇性光學衰減圖案之側視圖，其配置於一範例光纖之偵測器端之塗層材料上，且其經組態以阻擋光之較高階的模態或模態組或使其光學衰減。
10‧‧‧光纖連結
12‧‧‧光纖
14‧‧‧內纖心
15‧‧‧面
16‧‧‧光學光源
18‧‧‧光源端
17L、17R、17D‧‧‧光
(I)‧‧‧第一區
(II)‧‧‧第二區
(III)‧‧‧第三區
20、26‧‧‧斜切光纖端
22‧‧‧偵測器端
24‧‧‧光偵測器

Claims (13)

  1. 一種光纖設備，包含：一光纖，該光纖具有一纖心、一光纖纖衣及配置於該光纖纖衣之一外表面上的一塗層材料，以及一光纖端，其中該塗層材料經組態以使導向至該光纖端之光的一部分光學衰減；及一光學衰減圖案，該光學衰減圖案配置於該光纖之該塗層材料之至少一部分中，以使導向該光纖端之光的該部分選擇性地光學衰減。
  2. 如申請專利範圍第1項之光纖設備，其中該塗層材料包括由包含碳、金屬及聚合物之群組所組成之材料。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光纖設備，其中該塗層材料提供一密封(hermetic seal)給該光纖。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光纖設備，其中該塗層材料以一第一厚度提供以控制導向至該光纖端之光的該部分之光學衰減量，其中該第一厚度在10微米至200微米(micrometer，μm)之間。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之光纖設備，其中該光纖端經斜切(angle-cleaved)。
  6. 如申請專利範圍第1項之光纖設備，其中該光學衰減圖案包含一環狀圖案或一凹陷圖案。
  7. 如申請專利範圍第1項之光纖設備，其中該光學衰減圖案經組態以使導向該光纖端之光的該部分之至少一發散角光學衰減。
  8. 一種提供光學衰減給光纖鏈路之方法，其包含以下步驟：提供一光纖，該光纖具有一纖心、一光纖纖衣及配置於該光纖纖衣之一外表面上的一塗層材料，以及一光纖端；其中於該光纖端之至少一部分上的該塗層材料經組態而使導向該光纖端之光的一部分光學衰減；移除該光纖之該塗層材料之一部分至一所欲之厚度；以及斜切該光纖端。
  9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該塗層材料配置在該光纖纖衣之整個該外表面上。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之方法，更包含配置一光學衰減圖案於該塗層材料之至少一部分。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中配置該光學衰減圖案之步驟包含由下列群組中之一選出之方法：移除該塗層材料之該至少一部分；在該塗層材料之該至少一部分中蝕刻一圖案；以及在該塗層材料之該至少一部分中使用化學處理。
  12. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該光學衰減圖案包含一環狀圖案或一凹陷圖案。
  13. 如申請專利範圍第10項之方法，更包含該光學衰減圖案使導向該光纖端之光的該部分之至少一發散角光學衰減之步驟。
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