TWI491713B - Liquid crystal display device - Google Patents

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TWI491713B
TWI491713B TW103112269A TW103112269A TWI491713B TW I491713 B TWI491713 B TW I491713B TW 103112269 A TW103112269 A TW 103112269A TW 103112269 A TW103112269 A TW 103112269A TW I491713 B TWI491713 B TW I491713B
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carbon atoms
crystal display
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formula
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Shinji Ogawa
Yoshinori Iwashita
Junichiro Koike
Hiroshi Maki
Masami Shishikura
Ryosuke Asami
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Dainippon Ink & Chemicals
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Description

液晶顯示裝置
本發明係關於一種液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置現用於以鐘錶、計算器為首之家庭用各種電氣設備、測定設備、汽車用面板、文字處理機、電子記事本、列印機、電腦、電視等。作為液晶顯示方式，具代表性者可列舉：TN(扭轉向列)型、STN(超扭轉向列)型、DS(動態光散射)型、GH(Guest-Host)型、IPS(In-Plane Switching)型、OCB(光學補償雙折射)型、ECB(電控雙折射)型、VA(垂直定向)型、CSH(Color Super Homeotropic)型、或FLC(鐵電液晶)等。又，作為驅動方式，一般為先前之靜態驅動至多工驅動，關於單純矩陣方式，最近利用TFT(薄膜電晶體)或TFD(薄膜二極體)等驅動之主動矩陣(AM)方式成為主流。
通常之彩色液晶顯示裝置係如圖1所示般以如下方式構成：於具有定向膜(4)之2塊基板(1)之一者之定向膜與基板之間具備成為共用電極的透明電極層(3a)及彩色濾光層(2)，於另一者之定向膜與基板之間具備像素電極層(3b)，以定向膜彼此對向之方式配置該等基板，於其間夾持液晶層(5)。
上述彩色濾光層係由彩色濾光片構成，該彩色濾光片由黑矩陣與紅色著色層(R)、綠色著色層(G)、藍色著色層(B)及視需要之黃色著色層(Y)所構成。
關於構成液晶層之液晶材料，若雜質殘留於材料中，則會對顯示裝置之電氣特性產生重大影響，因此一直對雜質進行高度管理。又，關於形成定向膜之材料，亦已知定向膜與液晶層直接接觸，殘存於定向膜中之雜質會移動至液晶層，而對液晶層之電氣特性產生影響，業界正對由定向膜材料中之雜質所引起的液晶顯示裝置之特性進行研究。
另一方面，關於彩色濾光層所使用之有機顏料等材料，亦設想到因與定向膜材料同樣地含有之雜質而引起的對液晶層之影響。但是，定向膜及透明電極介於彩色濾光層與液晶層之間，因此可認為對液晶層之直接影響較定向膜材料大幅減少。但是，定向膜通常僅為0.1μm以下之膜厚，即便是彩色濾光層側亦使用透明電極之共用電極為了提高導電率而增大膜厚，亦通常為0.5μm以下。因此，不認為彩色濾光層與液晶層處於完全隔離之環境下，由於經由定向膜及透明電極而包含於彩色濾光層中之雜質，因此存在彩色濾光層表現出由液晶層之電壓保持率(VHR)之降低、離子密度(ID)之增加所導致的泛白、定向不均、殘像等顯示不良之可能性。
作為解決由包含於構成彩色濾光層之顏料中之雜質所引起的顯示不良之方法，研究有使用將顏料之利用甲酸乙酯所獲得之萃取物的比率設為特定值以下之顏料來控制雜質向液晶中之溶出的方法(專利文獻1)、或者藉由特定藍色著色層中之顏料來控制雜質向液晶中之溶出的方法 (專利文獻2)。然而，該等方法與單純地降低顏料中之雜質之方法並無較大差異，近年來，即便在顏料之純化技術取得進步之現狀下，用以解決顯示不良之改良仍不充分。
另一方面，著眼於彩色濾光層中所含之有機雜質與液晶組成物之關係而揭示有：藉由液晶層中所含之液晶分子之疏水性參數而表示該有機雜質向液晶層中之溶解難易度，將該疏水性參數之值設為固定值以上的方法；或者由於該疏水性參數與液晶分子末端之-OCF3 基存在相關關係，故而製成以固定比率以上含有液晶分子末端具有-OCF3 基之液晶化合物之液晶組成物的方法(專利文獻3)。
然而，即便於該引用文獻之揭示中，發明之本質亦在於抑制顏料中之雜質對液晶層的影響，對於彩色濾光層所使用之染顏料等色材自身之性質與液晶材料之構造的直接關係並未加以研究，未解決高度化之液晶顯示裝置之顯示不良問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2000-19321號公報
[專利文獻2]日本特開2009-109542號公報
[專利文獻3]日本特開2000-192040號公報
本發明提供一種液晶顯示裝置，其使用特定液晶組成物及具有表示有機顏料之凝集程度之特定斜率參數的彩色濾光片，藉此防止液晶層之電壓保持率(VHR)之降低、離子密度(ID)之增加，解決泛白、定向不均、殘像等顯示不良之問題。
本案發明者等人為了解決上述問題而對含有有機顏料之彩色濾光片及構成液晶層之液晶材料的構造之組合進行潛心研究，結果發現使用特定液晶材料及具有特定斜率參數之彩色濾光片的液晶顯示裝置會防止液晶層之電壓保持率(VHR)之降低、離子密度(ID)之增加，解決泛白、定向不均、殘像等顯示不良之問題，從而達成本案發明。
即，本發明提供一種液晶顯示裝置，其具備第一基板、第二基板、夾持於上述第一基板與第二基板間之液晶組成物層、由黑矩陣及至少RGB三色像素部構成之彩色濾光片、像素電極及共用電極，上述液晶組成物層由如下液晶組成物所構成，該液晶組成物含有通式(I)表示之化合物30~50%、通式(II-1)表示之化合物5~30%、及通式(II-2)表示之化合物25~45%，
(式中，R1 及R2 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，A表示1,4- 伸苯基或反式-1,4-伸環己基)
(式中，R3 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，R4 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，Z3 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-)
(式中，R5 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，R6 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，B表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，Z4 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-)，上述彩色濾光片含有有機顏料，其特徵在於在具有下述步驟之有機顏料之散射分佈解析中，解析區域(c1)之斜率參數為2以下，該步驟係：基於超小角度X射線散射法而測定彩色濾光片中之有機顏料之超小角度X射線分佈的步驟(A)、於該散射分佈上算出 彎曲點之步驟(B)、根據該彎曲點而算出所設定之解析區域(c1)之步驟(C)、及算出解析區域c1之斜率參數之步驟(D)。
本發明之液晶顯示裝置藉由使用特定液晶組成物及具有表示有機顏料之凝集程度之特定斜率參數的彩色濾光片，可防止液晶層之電壓保持率(VHR)之降低、離子密度(ID)之增加，可防止泛白、定向不均、殘像等顯示不良之產生。
1‧‧‧基板
2‧‧‧彩色濾光層
2a‧‧‧具有特定斜率參數之彩色濾光層
3a‧‧‧透明電極層(共用電極)
3b‧‧‧像素電極層
4‧‧‧定向膜
5‧‧‧液晶層
5a‧‧‧含有特定液晶組成物之液晶層
圖1係表示先前之一般液晶顯示裝置之一例的圖。
圖2係表示本發明之液晶顯示裝置之一例的圖。
圖3係彩色濾光片之穿透光譜。
圖4係彩色濾光片之穿透光譜。
將本發明之液晶顯示裝置之一例示於圖2。以如下方式構成：於具有定向膜(4)之第一基板及第二基板之2塊基板(1)之一者之定向膜與基板之間具備成為共用電極的透明電極層(3a)及具有特定斜率參數的彩色濾光層(2a)，於另一基板之定向膜與基板之間具備像素電極層(3b)，以定向膜彼此對向之方式配置該等基板，於其間夾持含有特定液晶組成物之液晶層(5a)。
上述顯示裝置中之2塊基板係藉由配置於周邊區域之片材及密封材而貼合，多數情況下，為了保持基板間距離而於其間配置有粒狀間隔物或利用光微影法形成之由樹脂構成之間隔柱。
(液晶層)
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層係由如下液晶組成物構成，該液晶組成物含有通式(I)表示之化合物30~50%、通式(II-1)表示之化合物5~30%、及通式(II-2)表示之化合物25~45%，
(式中，R1 及R2 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，A表示1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基)
(式中，R3 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，R4 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，Z3 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-)
(式中，R5 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，R6 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，B表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，Z4 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-)。
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層含有通式(I)表示之化合物30~50%，較佳為含有32~48%，更佳為含有34~46%。
通式(I)中，R1 及R2 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，於A表示反式-1,4-伸環己基之情形時，較佳為表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基、碳原子數1~5之烷氧基或碳原子數2~5之烯氧基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基、碳原子數2~4之烯基、碳原子數1~4之烷氧基或碳原子數2~4之烯氧基，較佳為R1 表示烷基，於該情形時尤佳為碳原子數2、3或4之烷基。於R1 表示碳原子數3之烷基之情形時，較佳為R2 為碳原子數2、4或5之烷基或碳原子數2~3之烯基之情形，更佳為R2 為碳原子數2之烷基之情形。
於A表示1,4-伸苯基之情形時，較佳為表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數4~5之烯基、碳原子數1 ~5之烷氧基或碳原子數3~5之烯氧基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基、碳原子數4~5之烯基、碳原子數1~4之烷氧基或碳原子數2~4之烯氧基，較佳為R1 表示烷基，於該情形時尤佳為碳原子數1、3或5之烷基。進而，較佳為R2 表示碳原子數1~2之烷氧基。
R1 及R2 之至少一取代基為碳原子數3~5之烷基的通式(I)表示之化合物之含量較佳為通式(I)表示之化合物中之50%以上，更佳為70%以上，進而更佳為80%以上。
又，R1 及R2 之至少一取代基為碳原子數3之烷基的通式(I)表示之化合物之含量較佳為通式(I)表示之化合物中之50%以上，更佳為70%以上，進而更佳為80%以上，最佳為100%。
通式(I)表示之化合物可含有1種或2種以上，較佳為分別含有A表示反式-1,4-伸環己基之化合物及A表示1,4-伸苯基之化合物至少1種以上。
又，A表示反式-1,4-伸環己基之通式(I)表示之化合物之含量較佳為通式(I)表示之化合物中之50%以上，更佳為70%以上，進而更佳為80%以上。
通式(I)表示之化合物具體而言較佳為以下所記載之通式(Ia)~通式(Ik)所表示之化合物。
(式中，R1 及R2 分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之烷氧基，較佳為與通式(I)中之R1 及R2 相同之實施態樣)
通式(Ia)~通式(Ik)中，較佳為通式(Ia)、通式(Ic)及通式(Ig)，更佳為通式(Ia)及通式(Ig)，尤佳為通式(Ia)，於重視響應速度之情形時，亦較佳為通式(Ib)，於進一步重視響應速度之情形時，較佳為通式(Ib)、通式(Ic)、通式(Ie)及通式(Ik)，更佳為通式(Ic)及通式(Ik)，於尤其重視響應速度之情形時，較佳為通式(Ik)表示之二烯基化合物。
就該等方面而言，通式(Ia)及通式(Ic)表示之化合物之含量較佳為通式(I)表示之化合物中之50%以上，更佳為70%以上，進而更佳為80%以上，最佳為100%。又，通式(Ia)表示之化合物之含量較佳為通式(I)表示之化合物中之50%以上，更佳為70%以上，進而更佳為80% 以上。
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層含有通式(II-1)表示之化合物5~30%，較佳為含有8~27%，更佳為含有10~25%。通式(II-1)中，R3 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~4之烯基，進而更佳為表示碳原子數3~5之烷基或碳原子數2之烯基，尤佳為表示碳原子數3之烷基。
R4 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，較佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之烷氧基，更佳為表示碳原子數1~3之烷基或碳原子數1~3之烷氧基，進而更佳為表示碳原子數3之烷基或碳原子數2之烷氧基，尤佳為表示碳原子數2之烷氧基。
Z3 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-，較佳為表示單鍵、-CH2 CH2 -、-COO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-，更佳為表示單鍵或-CH2 O-。
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層可含有通式(II-1)表示之化合物1種或2種以上，較佳為含有1種或2種。
通式(II-1)表示之化合物具體而言較佳為以下所記載之通式(II-1a)~通式(II-1d)表示之化合物。
(式中，R3 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R4a 表示碳原子數1~5之烷基)
通式(II-1a)及通式(II-1c)中，R3 較佳為通式(II-1)中之相同之實施態樣。R4a 較佳為碳原子數1~3之烷基，更佳為碳原子數1或2之烷基，尤佳為碳原子數2之烷基。
通式(II-1b)及通式(II-1d)中，R3 較佳為通式(II-1)中之相同之實施態樣。R4a 較佳為碳原子數1~3之烷基，更佳為碳原子數1或3之烷基，尤佳為碳原子數3之烷基。
通式(II-1a)~通式(II-1d)中，為了增大介電各向導性之絕對值，較佳為通式(II-1a)及通式(II-1c)，較佳為通式(II-1a)。
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層較佳為含有通式(II-1a)~通式(II-1d)表示之化合物1種或2種以上，較佳為含有1種或2種，較佳為含有通式(II-1a)表示之化合物1種或2種。
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層含有通式(II-2)表示之化合物25~45%，較佳為含有28~42%，更佳為含有30~40%。
通式(II-2)中，R5 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，較佳為 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~4之烯基，進而更佳為表示碳原子數3~5之烷基或碳原子數2之烯基，尤佳為表示碳原子數3之烷基。
R6 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，較佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數1~5之烷氧基，更佳為表示碳原子數1~3之烷基或碳原子數1~3之烷氧基，進而更佳為表示碳原子數3之烷基或碳原子數2之烷氧基，尤佳為表示碳原子數2之烷氧基。
B表示可經氟取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，較佳為未經取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，更佳為反式-1,4-伸環己基。
Z4 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-，較佳為表示單鍵、-CH2 CH2 -、-COO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-，更佳為表示單鍵或-CH2 O-。
通式(II-2)表示之化合物具體而言較佳為以下所記載之通式(II-2a)~通式(II-2f)所表示之化合物。
(式中，R5 表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，R6a 表示碳原子數1~5之烷基，較佳為與通式(II-2)中之R5 及R6 相同之實施態樣)
通式(II-2a)、通式(II-2b)及通式(II-2e)中，R5 較佳為通式(II-2)中之相同之實施態樣。R6a 較佳為碳原子數1~3之烷基，更佳為碳原子數1或2之烷基，尤佳為碳原子數2之烷基。
通式(II-2c)、通式(II-2d)及通式(II-2f)中，R5 較佳為通式(II-2)中之相同之實施態樣。R6a 較佳為碳原子數1~3之烷基，更佳為碳原子數1或3之烷基，尤佳為碳原子數3之烷基。
通式(II-2a)~通式(II-2f)中，為了增大介電各向導性 之絕對值，較佳為通式(II-2a)、通式(II-2b)及通式(II-2e)。
通式(II-2)表示之化合物可含有1種或2種以上，較佳為分別含有B表示1,4-伸苯基之化合物及B表示反式-1,4-伸環己基之化合物至少1種以上。
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層較佳為進而含有通式(III)表示之化合物，
(式中，R7 及R8 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，D、E及F分別獨立地表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，Z2 表示單鍵、-OCH2 -、-OCO-、-CH2 O-或-COO-、-OCO-，n表示0、1或2；惟，不包括通式(I)、通式(II-1)及通式(II-2)表示之化合物)。
通式(III)表示之化合物較佳為含有3~35%，較佳為含有5~33%，較佳為含有7~30%。
通式(III)中，R7 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，於D表示反式-1,4-伸環己基之情形時，較佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~4之烯基，進而更佳為表示碳原子數3~5之烷基或碳原子數2或3之烯基，尤佳為表示碳原子數3之烷基， 於D表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基之情形時，較佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數4或5之烯基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基或碳原子數4之烯基，進而更佳為表示碳原子數2~4之烷基。
R8 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，於F表示反式-1,4-伸環己基之情形時，較佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數2~5之烯基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基或碳原子數2~4之烯基，進而更佳為表示碳原子數3~5之烷基或碳原子數2或3之烯基，尤佳為表示碳原子數3之烷基，於F表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基之情形時，較佳為表示碳原子數1~5之烷基或碳原子數4或5之烯基，更佳為表示碳原子數2~5之烷基或碳原子數4之烯基，進而更佳為表示碳原子數2~4之烷基。
於R7 及R8 表示烯基，鍵結之D或F表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基之情形時，碳原子數4或5之烯基較佳為以下之構造。
(式中，設為於右端鍵結於環構造上)
於該情形時，亦進而較佳為碳原子數4之烯基。
D、E及F分別獨立地表示可經氟取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，較佳為表示2-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，更佳為2-氟-1,4-伸苯基或2,3-二氟-1,4-伸苯基、1,4-伸苯基，尤佳為2,3-二氟-1,4-伸苯基或1,4 -伸苯基。
Z2 表示單鍵、-OCH2 -、-OCO-、-CH2 O-或-COO-，較佳為表示單鍵、-CH2 O-或-COO-，更佳為單鍵。
n表示0、1或2，較佳為表示0或1。又，於Z2 表示除單鍵以外之取代基之情形時，較佳為表示1。關於通式(III)表示之化合物，於n表示1之情形時，就增大負介電各向導性之觀點而言，較佳為通式(III-1a)~通式(III-1e)表示之化合物，就加快響應速度之觀點而言，較佳為通式(III-1f)~通式(III-1j)表示之化合物。
(式中，R7 及R8 分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷氧基，較佳為與通式(III)中之R7 及R8 相同之實施態樣)
關於通式(III)表示之化合物，於n表示2之情形時，就增大負介電各向導性之觀點而言，較佳為通式(III-2a)~通式(III-2i)表示之化合物，就加快響應速度之觀點而言，較佳為通式(III-2j)~通式(III-2l)表示之化合物。
(式中，R7 及R8 分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷氧基，較佳為與通式(III)中之R7 及R8 相同之實施態樣)
關於通式(III)表示之化合物，於n表示0之情形時，就增大負介電各向導性之觀點而言，較佳為通式(III-3a)表示之化合物，就加快響應速度之觀點而言，較佳為通式(III-3b)表示之化合物。
(式中，R7 及R8 分別獨立地表示碳原子數1~5之烷基、碳原子數2~5之烯基或碳原子數1~5之烷氧基，較佳為與通式(III)中之R7 及R8 相同之實施態樣)
R7 較佳為碳原子數2~5之烷基，更佳為碳原子數3之烷基。R8 較佳為碳原子數1~3之烷氧基，更佳為碳原子數2之烷氧基。
通式(II-1)及通式(II-2)表示之化合物均為介電各向導性為負且其絕對值相對較大之化合物，該等化合物之合計含量較佳為30~65%，更佳為40~55%，尤佳為43~50%。
通式(III)表示之化合物包含介電各向導性為正之化合物，亦包含介電各向導性為負之化合物，於使用介電各向導性為負且其絕對值為0.3以上的化合物之情形時，通式(II-1)、通式(II-2)及通式(III)表示之化合物之合計含量較佳為35~70%，更佳為45~65%，尤佳為50~60%。
較佳為含有通式(I)表示之化合物30~50%且含有通式(II-1)、通式(II-2)及通式(III)表示之化合物35~70%，更佳為含有通式(I)表示之化合物35~45%且含有通式(II-1)、通式(II-2)及通式 (III)表示之化合物45~65%，尤佳為含有通式(I)表示之化合物38~42%且含有通式(II-1)、通式(II-2)及通式(III)表示之化合物50~60%。
通式(I)、通式(II-1)、通式(II-2)及通式(III)表示之化合物之合計含量相對於組成物整體而較佳為80~100%，更佳為90~100%，尤佳為95~100%。
本發明之液晶顯示裝置中之液晶層可於大之範圍內使用向列相-各向同性液體相轉移溫度(Tni )，較佳為60至120℃，更佳為70至100℃，尤佳為70至85℃。
介電各向導性於25℃較佳為-2.0至-6.0，更佳為-2.5至-5.0，尤佳為-2.5至-4.0。
折射率各向異性於25℃較佳為0.08至0.13，更佳為0.09至0.12。更詳細而言，於對應於薄單元間隙之情形時，較佳為0.10至0.12，於對應於厚單元間隙之情形時，較佳為0.08至0.10。
旋轉黏度(γ 1)較佳為150以下，更佳為130以下，尤佳為120以下。
於本發明之液晶顯示裝置中之液晶層中，作為旋轉黏度與折射率各向異性之函數的Z較佳為表示特定值。
(式中，γ 1表示旋轉黏度，△n表示折射率各向異性)
Z較佳為13000以下，更佳為12000以下，尤佳為11000以下。
關於本發明之液晶顯示裝置中之液晶層，於用於主動矩陣顯示元件中之情形時，必需具有1012 (Ω．m)以上之比電阻，較佳為1013 (Ω．m)以上，更佳為1014 (Ω．m)以上。
除上述化合物以外，本發明之液晶顯示裝置中之液晶層亦可根據用途而含有通常之向列液晶、層列液晶、膽固醇狀液晶、抗氧化劑、紫外線吸收劑、聚合性單體等。
作為聚合性單體，較佳為通式(V)表示之二官能單體，
(式中，X1 及X2 分別獨立地表示氫原子或甲基，Sp1 及Sp2 分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2 )s -(式中，s表示2至7之整數，氧原子係設為鍵結於芳香環上者)，Z1 表示-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH2 CH2 -、-OCO-CH2 CH2 -、-CH2 CH2 -COO-、-CH2 CH2 -OCO-、-COO-CH2 -、-OCO-CH2 -、-CH2 -COO-、-CH2 -OCO-、-CY1 =CY2 -(式中，Y1 及Y2 分別獨立地表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，C表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中之全部1,4-伸苯基之任意氫原子亦可被氟原子取代)。
較佳為X1 及X2 均表示氫原子之二丙烯酸酯衍生物、均具有 甲基之二甲基丙烯酸酯衍生物中之任一者，亦較佳為一者表示氫原子而另一者表示甲基之化合物。該等化合物之聚合速度係二丙烯酸酯衍生物最快，二甲基丙烯酸酯衍生物較慢，非對稱化合物於其中間，可根據其用途而使用較佳之態樣。於PSA(Polymer sustained alignment，聚合物穩定定向)顯示元件中，尤佳為二甲基丙烯酸酯衍生物。
Sp1 及Sp2 分別獨立地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2 )s -，於PSA顯示元件中，較佳為至少一者為單鍵，較佳為均表示單鍵之化合物或一者表示單鍵而另一者表示碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2 )s -之態樣。於該情形時，較佳為1~4之烷基，s較佳為1~4。
Z1 較佳為-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -或單鍵，更佳為-COO-、-OCO-或單鍵，尤佳為單鍵。
C表示可使任意之氫原子經氟原子取代之1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，較佳為1,4-伸苯基或單鍵。於C表示除單鍵以外之環構造之情形時，Z1 亦較佳為除單鍵以外之連結基，於C為單鍵之情形時，Z1 較佳為單鍵。
就該等方面而言，通式(V)中，Sp1 及Sp2 之間的環構造具體而言較佳為以下所記載之構造。
通式(V)中，於C表示單鍵，環構造由二個環所形成之情形時，較佳為表示以下之式(Va-1)至式(Va-5)，更佳為表示式(Va-1)至式(Va-3)，尤佳為表示式(Va-1)。
(式中，兩端係設為鍵結於Sp1 或Sp2 上者)
包含該等骨架之聚合性化合物由於聚合後之定向控制力最適合於PSA型液晶顯示元件，獲得良好之定向狀態，因此抑制或完全不產生顯示不均。
由於以上之方面，故而聚合性單體尤佳為通式(V-1)~通式(V-4)，其中最佳為通式(V-2)。
(式中，Sp2 表示碳原子數2至5之伸烷基)
於添加聚合性單體之情形時，即便於不存在聚合起始劑之情形時，亦可進行聚合，但為了促進聚合，亦可添加聚合起始劑。作為聚合起始劑，可列舉安息香醚類、二苯甲酮類、苯乙酮類、苯偶醯縮酮類、醯基氧化膦類等。又，為了提昇保存穩定性，亦可添加穩定劑。作為可使用之穩定劑，例如可列舉對苯二酚類、對苯二酚單烷基醚類、三級丁基兒茶酚類、鄰苯三酚類、苯硫酚類、硝基化合物類、β-萘胺類、β-萘酚類、亞硝基化合物等。
含有聚合性單體之液晶層對於液晶顯示元件較為有用，尤其是對於主動矩陣驅動用液晶顯示元件較為有用，可用於PSA模式、PSVA模式、VA模式、IPS模式或ECB模式用液晶顯示元件中。
含有聚合性單體之液晶層係藉由其所含有之聚合性單體利用紫外線照射進行聚合而賦予液晶定向能力，可用於利用液晶組成物之雙 折射控制光之透光量的液晶顯示元件。作為液晶顯示元件，對於AM-LCD(主動矩陣液晶顯示元件)、TN(向列液晶顯示元件)、STN-LCD(超扭轉向列液晶顯示元件)、OCB-LCD及IPS-LCD(In-plane switching liquid crystal display，橫向電場效應液晶顯示元件)較為有用，對於AM-LCD尤其有用，可用於穿透型或反射型之液晶顯示元件。
(彩色濾光片)
所謂本發明中之彩色濾光片，係指藉由含有有機顏料而吸收某一特定波長，藉此使除此以外之特定波長之光穿透者。
作為基材，只要為使光穿透者即可，只要根據用途而適當選擇即可。例如可列舉樹脂或無機材料，尤佳為玻璃。
上述彩色濾光片具有基材及有機顏料，有機顏料可分散於基材中，亦可僅存在於基材之表面。可使有機顏料分散於樹脂中而成形，亦可作為塗膜而分散於基材之表面。
彩色濾光片之形狀為任意，亦可為板狀、膜狀、鏡狀、球體、局部具有三維之凹凸者、對表面進行微細之凹凸加工者等任一形狀。
[有機顏料]
作為本發明之有機顏料，可列舉酞青系、不溶性偶氮系、偶氮色澱系、蒽醌系、喹吖啶酮系、二系、二酮基吡咯并吡咯系、蒽嘧啶系、花蒽酮系、陰丹士林系、黃士酮系、芘系、苝系、硫靛藍系、三芳基甲烷系、異吲哚啉酮系、異吲哚啉系、金屬錯合物系、喹酞酮系、染色色澱系等。
顏料種類只要根據欲穿透之波長而適當選擇即可。
於為紅色彩色濾光片之情形時，只要使用紅色系顏料即可， 具體而言可列舉600nm以上700nm以下之穿透波長下之穿透度高之顏料。該顏料可僅為1種，亦可併用2種以上。作為可較佳地使用之顏料之具體例，例如可列舉C.I.Pigment Red 81、同122、同177、同209、同242、同254、Pigment Violet 19。其中尤佳為C.I.Pigment Red 254，其最大穿透波長於660nm至700nm之間。
又，上述紅色彩色濾光片亦可作為調色用途而進而含有選自由C.I.Pigment Orange 38、同71、C.I.Pigment Yellow 150、同215、同185、同138、同139構成之群中之至少1種有機顏料。
於為綠色彩色濾光片之情形時，只要使用綠色系顏料即可，可列舉於500nm以上600nm以下具有最大穿透波長之顏料。該顏料可僅為1種，亦可併用2種以上。作為可較佳地使用之顏料之具體例，例如可列舉C.I.Pigment Green 7、同36、同58。其中，尤佳為同58，其最大穿透波長於510nm至550nm之間。
上述綠色彩色濾光片亦可作為調色用途而進而含有選自由C.I.Pigment Yellow 150、同215、同185、同138構成之群中之至少1種有機顏料。
於為藍色彩色濾光片之情形時，只要使用藍色系顏料即可，可列舉於400nm以上500nm以下具有最大穿透波長之顏料。該顏料可僅為1種，亦可併用2種以上。作為可較佳地使用之顏料之具體例，可列舉C.I.Pigment Blue 15：3、同15：6、作為三芳基甲烷顏料之C.I.Pigment Blue 1及/或下述通式(I)(式中，R1 ~R6 分別獨立地表示氫原子、可具有取代基之碳數1~8之烷基或可具有取代基之芳基。於R1 ~R6 表示可具有取代基之 烷基之情形時，鄰接之R1 及R2 、R3 及R4 、R5 及R6 亦可鍵結而形成環構造。X1 及X2 分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有取代基之碳數1~8之烷基。Z-選自以(P2MoyW18-yO62)6-/6表示且y=0、1、2或3之整數之雜聚氧金屬陰離子、作為(SiMoW11O40)4-/4之雜聚氧金屬陰離子、或缺陷道森型磷鎢酸雜聚氧金屬陰離子中之至少一種陰離子。於1分子中含有複數之式(1)之情形時，該等可為相同之構造，亦可為不同之構造)表示之三芳基甲烷顏料。
通式(I)中，R1 ~R6 可相同，亦可不同。因此，-NRR(RR表示R1 R2 、R3 R4 、及R5 R6 中之任一組合)基可為對稱，亦可為非對稱。
C.I.Pigment Blue 15：3之最大穿透波長於440nm至480nm之間，同15：6之最大穿透波長於430nm至470nm之間，三芳基甲烷顏料之最大穿透波長於410nm至450nm之間。
上述藍色彩色濾光片亦可作為調色用途而進而含有選自由C.I.Pigment Violet 23、同37、C.I.Pigment Blue 15、同15：1、同15：2、同15：4構成之群中之至少1種有機顏料。
於可利用將上述有機顏料製成顏料分散體後塗佈於基材上之方法製造彩色濾光片之情形時，作為顏料分散體，除有機顏料以外，亦可含有公知之顏料分散劑或溶劑等。對預先利用溶劑或顏料分散劑使有機顏料分散之分散液進行調整，只要將所獲得之分散液塗佈於基材上即可，作為塗佈方法，例如可列舉旋轉塗佈法、輥式塗佈法、噴墨法等、噴塗法、印刷法等。
可於將有機顏料塗佈於基材上並乾燥之狀態下製成彩色濾光片，於顏料分散體中含有硬化性樹脂之情形時，亦可藉由利用熱或活性能量射線進行硬化而製成彩色濾光片。又，亦可進行如下步驟：藉由利用熱板、烘箱等加熱裝置於100~280℃進行特定時間加熱處理(後烘烤處理)而去除塗膜中之揮發性成分。
[彩色濾光片中之顏料之粒子狀態]
本發明之彩色濾光片之特徵在於成為有機顏料之凝集程度之指標的斜率參數為2以下。於彩色濾光片中，彩色濾光片之狀態下之有機顏料之狀態最有助於泛白、定向不均、殘像等顯示不良之抑制。藉由規定成為彩色 濾光片之狀態下之有機顏料粒子之凝集程度之指標的斜率參數而成為防止上述顯示不良之彩色濾光片。斜率參數為越小之值，則凝集程度變得越小，因此更佳為斜率參數為1.5以下。
於上述有機顏料中，大於1000nm之粗大粒子會對顯示狀態造成不良影響，因此欠佳，故而必需為1%以下。其只要利用適當之光學顯微鏡等對彩色濾光片表面進行觀察即可。
[超小角度X射線散射分佈]
為了算出表示有機顏料之凝集程度之斜率參數，可藉由對基於超小角度X射線散射法之超小角度X射線散射分佈進行解析而求出。
具體而言，為具有如下步驟之測定方法：基於超小角度X射線散射法而測定有機顏料之超小角度X射線散射分佈(測定散射分佈)之步驟(A)；於該散射分佈上算出彎曲點之步驟(B)；根據該彎曲點而決定所設定之解析區域(c1)之步驟(C)；及算出解析區域c1之斜率參數之步驟(D)。
所謂超小角度X射線散射法(Ultra-Small Angle X-ray Scattering：USAXS)，係指不僅散射角為0.1°<(2 θ)<10°之小角度區域，而且亦同時測定於0°<(2 θ)<0.1°之超小角度區域產生的散漫之散射．折射之方法。於小角度X射線散射法中，若於物質中具有1~100nm左右之大小的電子密度不同之區域，則可根據該電子密度差而測定X射線之散漫散射，但於該超小角度X射線散射法中，若於物質中具有1~1000nm左右之大小的電子密度不同之區域，則根據該電子密度差而測定X射線之散漫散射。基於該散射角及散射強度而求出測定對象物之斜率參數。
實現超小角度X射線散射法之主要技術係藉由如下2項技術而達成：使用縮小入射X射線之波長寬度或光束直徑而降低超小角度區域之背景散射強度的高度之光學系控制技術；儘可能延長自樣品至檢測器之距離(所謂相機長度)而高精度地測定散射角較小之部分。於實驗室用小型裝置中，主要藉由前者之技術而達成。
又，作為用以自X射線小角散射分佈求出斜率參數之程式，可使用可進行通用之微分計算或資料插值處理之程式，例如較佳為使用MATLAB(MathWorks公司)等程式。於用以算出斜率參數之利用最小平方法之擬合(fitting)中，除上述程式以外，亦可使用Excel(微軟公司製造)等程式。
於測定有機顏料之粒徑物性值之情形時，若X射線散射裝置之入射X射線之亮度為106 Brilliance(photons/sec/mm2 /mrad2 /0.1%bandwidth)以上，則可測定充分之散射強度，較佳為107 Brilliance以上。於塗膜之基板為玻璃等之情形時，容易吸收X射線，故而入射X射線之亮度明顯不足，因此為了高精度地測定有機顏料之散射分佈，入射X射線之亮度較佳為1016 Brilliance以上，更佳為1018 Brilliance以上。
為了獲得1016 Brilliance以上之高亮度X射線源，可使用上述大型放射光設施例如兵庫縣之SPring-8或茨城縣之Photon Factory等光源。於上述設備中，可藉由選擇任意之相機長度而設定目標散射區域。又，為了獲得充分之散射強度，或者為了防止試樣損傷，進而為了保護檢測器，於入射側使用稱為衰減器之數種金屬製吸收板、或於0.5~60秒左右內任意地調整曝光時間，藉此可根據廣泛之目標而選擇最佳之測定條件。衰減器 例如可列舉由Au、Ag、Mo製造之薄膜等。
作為測定之具體流程，首先於步驟(A)中將彩色濾光片設置於市售之X射線折射裝置之試樣保持器、試樣台等上之後，測定散射角(2 θ)未達10°之範圍內之各散射角(2 θ)下的散射強度I，測定小角度X射線散射分佈(測定散射分佈)。
於基板為玻璃之塗膜之情形時使用之利用放射光之超小角度散射裝置係將如下操作設為步驟(A)：利用雙晶分光器使自稱為蓄積裝置之圓形加速器出射之白色光單色化，將X射線區域之波長(例如1Å)設為射線源，使其入射至設置於試樣台上之塗膜上，利用二維檢測器使散射光曝光一定時間，使以同心圓狀獲得之散射分佈一維地平均化，轉換成散射角(2 θ)未達10°之範圍內之各散射角(2 θ)的散射強度I，獲得小角度X射線散射分佈(測定散射分佈)。
其次，於步驟(B)中，在所獲得之測定散射分佈中算出散射向量q<0.5[nm-1 ]以下之區域的彎曲點。此處，所謂彎曲點，係指對散射向量q及散射強度I分別進行雙對數繪圖之圖表所表示之散射分佈中的以向上凸起之方式顯示之彎曲部分。
首先，將散射向量q及散射強度I分別轉換為成為基數10之對數Log(q)及Log(I)之值。此處，方便起見，假定以Log(I)=F(Log(q))之函數表示考慮到x及y座標之圖表中之函數y=f(x)時的散射分佈。此處，進而記作Log(q)=Q及Log(I)=J，以J=F(Q)之形態表示散射分佈，將其稱為散射分佈函數。
利用樣條函數使J=F(Q)所表示之散射分佈函數平滑化， 進而針對於平滑化處理後之函數G(Q)求出1次微分函數G'(Q)=dG(Q)/dQ。利用上述樣條函數之平滑化處理後之函數G(Q)及1次微分函數G'(Q)之導出例如使用非專利文獻1中所記載之方法。
其次，於上述1次微分函數G'(Q)中，自Q=0朝向Q負方向而求出極小值G'min及其x座標X_gmin。進而朝向該負方向而求出最大值G/max及其x座標X_gmax。
其次，求出上述最大值G'max與上述極小值G'min之半值G'c=(G/max-G/min)/2。
於上述X_gmax與上述X_gmin之間的x座標範圍內，表示該半值G'/c之點相當於最初之散射分佈函數F(Q)中的彎曲點。針對於此時之彎曲點之x座標，表示為Q=Q0 。若以散射向量q表示彎曲點之x座標，則根據Log(q0 )=Q0 之關係式而q=q0 成為散射分佈上之彎曲點之x座標。
其次，於步驟(C)中，首先算出用以求出散射分佈之斜率之解析區域(c1)。於彎曲點之小於x座標Q0 之Q區域即Q<Q0 之區域，將1次微分函數G'(Q)成為大致平坦之區域設為解析區域c1。
此時，於未進行微分之最初之散射分佈函數F(Q)中，成為可近似於作為解析區域c1的具有固定斜率之直線之分佈部分。
解析區域c1係以成為由端點1及端點2所分隔之區域之方式決定端點1及端點2。各端點之x軸之值係以如下方式表示：於端點1處成為Q=Q1 且Log(q)=Log(q1 )，於端點2處成為Q=Q2 且Log(q)=Log(q2 )。
首先，解析區域c1之端點1係以如下方式決定。計算上述最大值G'max及欲設定於端點1上之點之值G'(Q1 )的值之差量△=G'max-G'(Q1 )，自彎曲點x座標Q0 朝向Q變小之方向依序關注資料時，將差量△<0.1的最初之點設為端點1。該端點1之x座標成為Q=Q1 且q=q1 。
關於端點2之決定方法，必需根據測定資料而決定最佳值。具體而言，於較小q之區域，實驗時所使用之光束擋止部附近的寄生散射等之影響變強，散射強度變大，因與來自顏料粒子之散射不同之原因而散射分佈之斜率發生變化。即，於Q足夠小之超小角度區域側決定端點2而擴大解析區域c1之情形並不一定適合。另一方面，若於接近端點1之位置選取端點2，則資料之雜訊之影響等變大，就最終於其後之步驟(D)中利用最小平方法算出解析區域c1之斜率參數的解析方面而言，失去意義。
考慮到該等方面，必需決定端點2之x座標。端點2之x座標之值係Q2 =Log(q2 )。q2 之值之決定較理想為使用預先決定之q1 之值於q2 =q1 /2~q1 /3之範圍內儘可能廣泛地以散射分佈近似於直線之方式選取。
其次，於步驟(D)中，算出由端點1及端點2所決定之解析區域c1中的散射分佈之斜率參數。於該解析區域c1中，散射強度I與散射向量q存在I(q)q-dM 之關係。因此，以雙對數圖表示散射分佈之散射分佈函數Log(I)=F(Log(q))係如下述式(1)般表示為解析區域c1之理論相關函數。
Log(I)=-dM ×Log(q)+C(C：常數)…(1)
上述式(1)中，dM 成為解析區域c1中之斜率參數，C為常 數。
藉由利用最小平方法進行上述式(1)所表示之理論相關函數與解析區域c1中之散射分佈之函數擬合而算出斜率參數dM 。
函數擬合中之變數為上述dM 及C。函數擬合係以利用最小平方法使理論相關函數與散射分佈函數之殘差平方和Z值成為最小之方式進行，可認為該殘差平方和Z值越小，則擬合之精度越高。
通常若Z值未達2%，則可判斷擬合會聚。較佳為Z值未達1%，更佳為未達0.5%。
於本步驟中之函數擬合未良好地會聚之情形時即Z值為2%以上之情形時，於解析區域c1內之資料中不均較多、或自直線形狀較大地偏離。可認為其原因之一在於解析區域c1並不適合。尤其是考慮到過大地選取解析區域c1而成為包含多餘之散射的資料之情形，於該情形時，亦可將步驟(C)中所求出之端點2調整至接近端點1之位置，並且反覆進行步驟(D)。
作為另一原因，可認為其原因在於，利用無足夠強度之X射線進行測定之情形時所獲得之散射強度資料存在較大的不均。於該情形時，必需如獲得S/N比良好之散射強度資料般藉由利用可照射更強力之X射線之實驗設施進行超小角度散射實驗而獲得測定資料。
此處，於散射分佈中未發現明顯之彎曲部分之情形時，即上述最大值G'max與上述極小值G'min之差量△G'max-min<0.1之情形時，設想必需決定彎曲點Q0 (或q0 )。此時，於利用使用相同顏料之不同彩色濾光片試樣於散射分佈中明顯地表現彎曲部之情形時，可將此時之彎曲點Q0 替換為未明顯地表現彎曲部的試樣之彎曲點Q0 。於散射分佈中不僅明顯之彎曲部分，而且於未獲得可替換之Q0 之情形時，可於q<0.5之範圍、Q<Log(0.5)之範圍內將散射分佈上之任意部分設為解析區域c1。只要於該解析區域c1中利用最小平方法求出斜率參數dM 即可。
再者，該斜率參數dM 有時於物理上稱為質量碎形維數，於解析區域c1高精度地求出斜率參數dM 之情形係指以I(q)q-dM 表示散射光強度I且依據散射向量q之冪乗法則(power law)。因此，原理上dM 不會選取3以上之值。於dM 成為3以上之值之情形時，考慮到如上所述之不適當之解析區域c1或雜訊較多之資料之原因，因此重新研究解析區域c1或再次利用高強度X射線進行實驗，預先實施自步驟(A)至步驟(D)，藉此作為解析結果而獲得散射分佈之斜率參數。
如上述般於解析區域c1高精度地求出斜率參數dM 之情形即可明確地決定質量碎形維數之情形，係於原理上、物理上表示彩色濾光片所含之有機顏料之凝集構造選取碎形性自身相似之構造之情形。dM 所表示之斜率參數為越大之值，則表示自身相似的凝集構造越大，凝集程度越大。因此，可將該dM 設為彩色濾光片中之顏料凝集程度之定量指標。
(定向膜)
於本發明之液晶顯示裝置中，為了使液晶組成物定向於第一基板及與第二基板上之液晶組成物接觸之面上而將需要定向膜之液晶顯示裝置配置於彩色濾光片與液晶層間，但即便定向膜之膜厚較厚者，亦為100nm以下而較薄，並未完全阻斷構成彩色濾光片之顏料等色素與構成液晶層之液晶化合物的相互作用。
又，於不使用定向膜之液晶顯示裝置中，構成彩色濾光片之顏料等色素與構成液晶層之液晶化合物的相互作用變得更大。
作為定向膜材料，可使用聚醯亞胺、聚醯胺、BCB(苯并環丁烯聚合物)、聚乙烯醇等透明性有機材料，尤其是較佳為使由對苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷等脂肪族或脂環族二胺等二胺及丁烷四羧酸酐或2,3,5-三羧基環戊基乙酸酐等脂肪族或脂環式四羧酸酐、均苯四甲酸二酐等芳香族四羧酸酐所合成之聚醯胺酸醯亞胺化而成之聚醯亞胺定向膜。該情形時之定向賦予方法通常使用摩擦，但用於垂直定向膜等之情形時，亦可不賦予定向而使用。
作為定向膜材料，可使用查耳酮、肉桂酸酯、於化合物中包含肉桂醯基或偶氮基等之材料，可與聚醯亞胺、聚醯胺等材料組合使用，於該情形時，定向膜可使用摩擦，亦可使用光定向技術。
定向膜通常利用旋轉塗佈法等方法將上述定向膜材料塗佈於基板上而形成樹脂膜，亦可使用單軸延伸法、Langmuir-Blodgett法等。
(透明電極)
於本發明之液晶顯示裝置中，作為透明電極之材料，可使用導電性金屬氧化物，作為金屬氧化物，可使用氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(In2 O3 -SnO2 )、氧化銦鋅(In2 O3 -ZnO)、摻鈮二氧化鈦(Ti1-x Nbx O2 )、摻氟氧化錫、石墨烯奈米帶或金屬奈米線等，較佳為氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫(In2 O3 -SnO2 )或氧化銦鋅(In2 O3 -ZnO)。該等透明導電膜之圖案化可使用光蝕刻法或使用遮罩之方法等。
將本液晶顯示裝置與背光源組合而用於液晶電視、電腦之顯 示器、行動電話、智慧型電話之顯示器、筆記型個人電腦、行動資訊終端、數位標牌等各種用途中。作為背光源，有冷陰極管型背光源、使用無機材料之發光二極體、或使用有機EL元件的2波峰之擬似白色背光源及3波峰之背光源等。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明之最佳形態之一部分進行詳細說明，本發明並不限定於該等實施例。又，以下之實施例及比較例之組成物中之「%」係指『質量%』。
於實施例中，測定之特性係如下所述。
Tni ：向列相-各向同性液體相轉移溫度(℃)
△n：25℃之折射率各向異性
△ε：25℃之介電各向導性
η：20℃之黏度(mPa．s)
γ 1：25℃之旋轉黏度(mPa．s)
dgap ：單元之第一基板與第二基板之間隙(μm)
VHR：70℃之電壓保持率(%)
(將液晶組成物注入至單元厚度3.5μm之單元中，以%表示於施加5V電壓、幀時間(frame time)200ms、脈衝寬度64μs之條件下測定時之測定電壓與初始外加電壓之比的值)
ID：70℃之離子密度(pC/cm2 )
(將液晶組成物注入至單元厚度3.5μm之單元中，利用MTR-1(東陽技術股份有限公司製造)於施加20V電壓、頻率0.05Hz之條件下測定時 之離子密度值)
殘像：
液晶顯示元件之殘像評價係使特定之固定圖案於顯示區域內顯示1000小時後，按照以下之4個階段以目視評價進行全畫面均勻之顯示時的固定圖案之殘像水平。
◎無殘像
○有極少殘像且為可容許之水平.
△有殘像且為無法容許之水平
×有殘像且相當嚴重
再者，於實施例中化合物之記載係使用以下之簡稱。
(側鏈)
1V2- CH3 -CH=CH-CH2 -CH2
(環構造)
[彩色濾光片之製造]
[顏料分散液之製造]
<合成例1>共聚合物a之合成
將二甲苯100份保持於氮氣氣流中且80℃，歷經4小時一面攪拌一面滴加由甲基丙烯酸乙酯68份、甲基丙烯酸2-乙基己酯29份、硫代乙醇酸3份及聚合起始劑(「Perbutyl(註冊商標)O」[有效成分過氧化2-乙基己酸三級丁酯，日本油脂股份有限公司製造])0.2份所構成之混合物。滴加結束後，每4小時添加「Perbutyl(註冊商標)O」0.5份，於80℃攪拌12小時。
為了調整反應結束後不揮發分而添加二甲苯，獲得不揮發分50%之共聚合物a之二甲苯溶液。
<合成例2>共聚合物b之合成
將二甲苯100份保持於氮氣氣流中且80℃，歷經4小時一面攪拌一面滴加由甲基丙烯酸乙酯66份、甲基丙烯酸2-乙基己酯28份、硫代乙醇酸6份及聚合起始劑(「Perbutyl(註冊商標)O」[有效成分過氧化2-乙基己 酸三級丁酯，日本油脂股份有限公司製造])0.3份所構成之混合物。滴加結束後，每4小時添加「Perbutyl(註冊商標)O」0.5份，於80℃攪拌12小時。
反應結束後，為了調整不揮發分而添加適當量之二甲苯，獲得不揮發分50%之共聚合物b之二甲苯溶液。
<合成例3>聚合物P之合成
於具備攪拌機、回流冷卻器、氮氣導入管、溫度計之燒瓶中，添加由二甲苯54.5份、合成例2中所獲得之共聚合物a 19.0份、共聚合物b 38.0份、及聚烯丙胺15%水溶液(日東紡織股份有限公司製造之「PAA-05」、數平均分子量約5,000)7.5份所構成之混合物，一面於氮氣氣流下攪拌一面於140℃下攪拌，使用分離裝置餾去水，並且一面使二甲苯回流至反應溶液中一面於140℃進行8小時反應。
反應結束後，為了調整不揮發分而添加適當量之二甲苯，獲得不揮發分40%之作為改性聚胺之聚合物P。該樹脂之重量平均分子量為11000，胺值為16.0mgKOH/g。
<製造例1>粉末顏料1之製造
將DIC股份有限公司製造之FASTOGEN Green A110(C.I.Pigment Green 58、溴化氯化鋅酞青)設為粉末顏料1。
<製造例2>粉末顏料2之製造
將製造例1中所獲得之粉末顏料1 100份、庚烷300份、聚合物P 10份混合，添加1.25mm氧化鋯珠300份，利用塗料振盪機(東洋精機股份有限公司製造)於常溫下攪拌1小時後，使用庚烷200份進行稀釋，濾出氧化鋯珠而獲得顏料混合液。
將所獲得之顏料混合液400份添加於具備溫度計、攪拌機、回流冷卻器及氮氣導入管之可分離式燒瓶中之後，添加在甲基丙烯酸甲酯5份及乙二醇二甲基丙烯酸酯5份之聚合性單體組成物中溶解有2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)2份者。於室溫下繼續攪拌30分鐘後，升溫至80℃，於該溫度下繼續反應15小時。降溫後進行過濾，利用熱風乾燥機於100℃將所獲得之濕濾餅乾燥5小時後，利用粉碎機進行粉碎而獲得粉末顏料2。
<製造例3>粉末顏料3之製造
利用雙腕型捏合機將粉末顏料1 10份、經粉碎之氯化鈉100份、二乙二醇10份於100℃混練8小時。混練後，添加80℃之水1000份並攪拌1小時，其後進行過濾、熱水洗、乾燥、粉碎而獲得粉末顏料3。
<製造例4>分散液1之製造
將製造例1中所獲得之粉末顏料1 5份、丙二醇單甲醚(PGMA)33.3份、聚合物P 3份混合，添加0.5mm之Sepabeads 65份，利用塗料振盪機(東洋精機股份有限公司製造)攪拌4小時。自所獲得之混合液中濾出Sepabeads而獲得分散液1。
<製造例5>分散液2之製造
於製造例4中，將粉末顏料1變更為粉末顏料2，將聚合物P變更為Ajisper PB821(Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造)，進而添加喹啉0.1份，除此以外，以相同之方式獲得分散液2。
<製造例6>分散液3之製造
於製造例5中，將粉末顏料2變更為5份，將PGMA變更為33.3份，將Ajisper PB821變更為3份，將喹啉變更為吡咯，除此以外，以相同之方 式獲得分散液3。
<製造例7>分散液4之製造
於製造例6中，將吡咯變更為唑，除此以外，以相同之方式獲得分散液4。
<製造例8>分散液5之製造
於製造例7中，將唑變更為吡咯啶，除此以外，以相同之方式獲得分散液5。
<製造例9>粉末顏料4及分散液6之製造
將ε型銅酞青顏料(DIC股份有限公司製造之「Fastogen Blue EP-193」)設為粉末顏料4，將粉末顏料4 5份、丙二醇單甲醚(PGMA)33.3份、聚合物A 3份混合，添加0.5mm之Sepabeads 65份，利用塗料振盪機(東洋精機股份有限公司製造)攪拌4小時。自所獲得之混合液中濾出Sepabeads而獲得分散液6。
<製造例10>粉末顏料5及分散液7之製造
將二酮基吡咯并吡咯系紅色顏料PR254(汽巴精化公司製造之「Irgaphor Red B-CF」；R-1)設為粉末顏料5，將粉末顏料5 5份、丙二醇單甲醚(PGMA)33.3份、聚合物P 3份混合，添加0.5mm之Sepabeads 65份，利用塗料振盪機(東洋精機股份有限公司製造)攪拌4小時。自所獲得之混合液中濾出Sepabeads而獲得分散液7。
[彩色濾光片之製造]
<製造例11>彩色濾光片1之製造
將覆蓋玻璃(東京硝子器械公司製造、硼矽酸製覆蓋玻璃)設置於旋 轉塗佈機(Mikasa股份有限公司製造、Opticoat MS-A100)上，供給製造例4中所獲得之分散液1 1.5ml，以600rpm進行塗佈。於恆溫機中使所獲得之塗佈物於90℃乾燥3分鐘，繼而於230℃加熱處理3小時而獲得彩色濾光片1。彩色濾光片1之最大穿透波長為523nm。將穿透光譜示於圖3。
[利用USAXS之彩色濾光片1之測定]
將彩色濾光片固定於鋁製試樣保持器上。其後，將保持器設置於穿透測定用試樣台上。於以下之條件下進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算，將結果示於表1。
測定設備、測定方法係如下所述。
測定裝置：大型放射光設施：SPring-8中之Frontier Soft Matter開發產學連合所具有之光束線：BLO3XU第2影線
測定模式：超小角度X射線散射(USAAS)
測定條件：波長0.1nm、相機長度6m、光束點尺寸140μm×80μm、無衰減器、曝光時間30秒、2 θ=0.01~1.5°
解析軟體：將二維資料之圖像化及一維化設為Fit2D(自European Synchrotron Radiation Facility之主頁[http//www.esrf.eu/computing/scientific/FIT2D/]獲得)
利用MathWorks製軟體MATLAB進行散射分佈之微分計算及平滑化處理之解析。其次使用微軟公司製造之軟體Excel經由彎曲點之計算、解析區域之計算而獲得斜率參數。
Z值：作為直線性之判斷而設為2%以內。
<製造例12>彩色濾光片2之製造
於實施例1中，將分散液1變更為分散液2，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片2。彩色濾光片2之最大穿透波長為522nm。將穿透光譜示於圖3。針對於所獲得之彩色濾光片2，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例13>彩色濾光片3之製造
於製造例11中，將分散液1變更為分散液3，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片3。彩色濾光片3之最大穿透波長為523nm。將穿透光譜示於圖3。針對於所獲得之彩色濾光片3，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例14>彩色濾光片4之製造
於製造例11中，將分散液1變更為分散液4，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片4。彩色濾光片4之最大穿透波長為523nm。將穿透光譜示於圖4。針對於所獲得之彩色濾光片4，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例15>彩色濾光片5之製造
於製造例11中，將分散液1變更為分散液5，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片5。針對於所獲得之彩色濾光片5，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例16>彩色濾光片6之製造
將覆蓋玻璃(東京硝子器械公司製造、硼矽酸製覆蓋玻璃)設置於旋轉塗佈機(Mikasa股份有限公司製造、OpticoatMS-A100)上，供給製造例6中所獲得之分散液31.5ml，以600rpm進行塗佈。於恆溫機中使所獲得之 塗佈物於90℃乾燥3分鐘而獲得彩色濾光片6。彩色濾光片6之最大穿透波長為515nm。將穿透光譜示於圖4。針對於所獲得之彩色濾光片6，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例17>彩色濾光片7之製造
於製造例11中，將分散液1變更為分散液6，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片7。彩色濾光片7之最大穿透波長為435nm。針對於所獲得之彩色濾光片7，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例18>彩色濾光片8之製造
於製造例16中，將製造例6中所獲得之分散液3變更為製造例10中所獲得之分散液6，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片8。彩色濾光片8之最大穿透波長為435nm。針對於所獲得之彩色濾光片8，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例19>彩色濾光片9之製造
於製造例11中，將分散液1變更為分散液7，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片9。針對於所獲得之彩色濾光片9，以與製造例11相同之方式進行超小角度X射線散射測定及斜率參數計算並示於表1。
<製造例20>彩色濾光片10之製造
於製造例16中，將製造例6中所獲得之分散液3變更為製造例10中所獲得之分散液7，除此以外，以相同之方式獲得彩色濾光片10。針對於所獲得之彩色濾光片10，以與製造例1相同之方式進行超小角度X射線散射 測定及斜率參數計算並示於表1。
(實施例1~7)
於第一及第二基板上製成電極構造，於各對向側形成垂直定向性定向膜後立即進行弱摩擦處理而製作VA單元，於第一基板與第二基板之間夾持以下之表2所示之液晶組成物1。其次，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例1~7之液晶顯示裝置(dgap =3.5μm、定向膜SE-5300)。測定所獲得之液晶顯示裝置之VHR及ID。又，進行所獲得之液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表3。
可知液晶組成物1作為TV用液晶組成物而具有實用之81℃之液晶層溫度範圍，具有大之介電各向導性之絕對值，具有低黏性及最佳之△n。
實施例1~7之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例8~21)
以與實施例1相同之方式夾持表4所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例8~21之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。
又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表5及6。
實施例8~21之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例22~42)
以與實施例1相同之方式夾持表7所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例22~42之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。
又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表8~10。
實施例22~42之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例43~63)
以與實施例1相同之方式夾持表11所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例43~63之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。
又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表12~14。
實施例43~63之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例64~84)
以與實施例1相同之方式夾持表15所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例64~84之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。
又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表16~18。
實施例64~84之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例85~105)
以與實施例1相同之方式夾持表19所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例85~105之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表20~22。
實施例85~105之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例106~126)
以與實施例1相同之方式夾持表23所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例106~126之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表24~26。
實施例106~126之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例127~147)
以與實施例1相同之方式夾持表27所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例127~147之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表28~30。
實施例127~147之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例148~168)
以與實施例1相同之方式夾持表31所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例148~168之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表32~34。
實施例148~168之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例169~189)
以與實施例1相同之方式夾持表35所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例169~189之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表36~38。
實施例169~189之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例190~196)
於液晶組成物1中混合2-甲基-丙烯酸4-{2-[4-(2-丙烯醯氧基-乙基)-苯氧基羰基]-乙基}-聯苯-4'-酯0.3質量%而製作液晶組成物28。於實施例1中所使用之VA單元間夾持該液晶組成物28，於電極間施加驅動電壓而直接照射紫外線600秒鐘(3.0J/cm2 )，進行聚合處理，其次，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例190~196之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示 於表39。
實施例190~196之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例197~203)
於液晶組成物13中混合雙甲基丙烯酸聯苯-4,4'-二酯0.3質量%而製作液晶組成物29。於實施例1中所使用之VA單元間夾持該液晶組成物29，於電極間施加驅動電壓而直接照射紫外線600秒鐘(3.0J/cm2 )，進行聚合處理，其次，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例197~203之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表40。
實施例197~203之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例204~210)
於液晶組成物19中混合雙甲基丙烯酸3-氟聯苯-4,4'-二酯0.3質量%而製作液晶組成物30。於實施例1中所使用之VA單元間夾持該液晶組成物30，於電極間施加驅動電壓而直接照射紫外線600秒鐘(3.0J/cm2 )，進行聚合處理，其次，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例204~210之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表41。
實施例204~210之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(比較例1~21)
以與實施例1相同之方式夾持表42所示之比較液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作比較例1~21之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表43~45。
比較例1~21之液晶顯示裝置係與本案發明之液晶顯示裝置相比VHR變低且ID變大。又，於殘像評價中確認有殘像之產生且並非可容許之水平。
(比較例22~42)
以與實施例1相同之方式夾持表46所示之比較液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作比較例22~42之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表47~49。
比較例22~42之液晶顯示裝置係與本案發明之液晶顯示裝置相比VHR變低且ID變大。又，於殘像評價中確認有殘像之產生且並非可容許之水平。
(比較例43~63)
以與實施例1相同之方式夾持表50所示之比較液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作比較例43~63之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表51~53。
比較例43~63之液晶顯示裝置係與本案發明之液晶顯示裝置相比VHR變低且ID變大。又，於殘像評價中確認有殘像之產生且並非可容許之水平。
(比較例64~77)
以與實施例1相同之方式夾持表54所示之比較液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作比較例64~77之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表55~56。
比較例64~77之液晶顯示裝置係與本案發明之液晶顯示裝置相比VHR變低且ID變大。又，於殘像評價中確認有殘像之產生且並非可容許之水平。
(比較例78~98)
以與實施例1相同之方式夾持表57所示之比較液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作比較例78~98之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表58~60。
比較例78~98之液晶顯示裝置係與本案發明之液晶顯示裝置相比VHR變低且ID變大。又，於殘像評價中確認有殘像之產生且並非可容許之水平。
(比較例99~105)
以與實施例1相同之方式夾持表61所示之比較液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作比較例99~105之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表62。
比較例99~105之液晶顯示裝置係與本案發明之液晶顯示裝置相比VHR變低且ID變大。又，於殘像評價中確認有殘像之產生且並非可容許之水平。
(比較例106~129)
於實施例1中所使用之VA單元間分別夾持液晶組成物1、2、8、13、14、19、20及26，分別使用表1所示之彩色濾光片6、8、10製作比較例106~144之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表63及64。
比較例106~129之液晶顯示裝置係與本案發明之液晶顯示裝置相比VHR變低且ID變大。又，於殘像評價中確認有殘像之產生且並非可容許之水平。
(實施例211~231)
以與實施例1相同之方式夾持表66所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例211~231之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表67~69。
實施例211~231之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
(實施例232~245)
以與實施例1相同之方式夾持表70所示之液晶組成物，使用表1所示之彩色濾光片1~5、7、9製作實施例232~245之液晶顯示裝置並測定其VHR及ID。又，進行該液晶顯示裝置之殘像評價。將其結果示於表71~72。
實施例232~245之液晶顯示裝置可實現高VHR及小ID。又，於殘像評價中無殘像、或即便有亦極少且為可容許之水平。
1‧‧‧基板
2a‧‧‧具有特定斜率參數之彩色濾光層
3a‧‧‧透明電極層(共用電極)
3b‧‧‧像素電極層
4‧‧‧定向膜
5a‧‧‧含有特定液晶組成物之液晶層

Claims (16)

  1. 一種液晶顯示裝置，其具備第一基板、第二基板、夾持於該第一基板與第二基板間之液晶組成物層、由黑矩陣及至少RGB三色像素部構成之彩色濾光片、像素電極及共用電極，該液晶組成物層由如下液晶組成物構成，該液晶組成物含有通式(I)表示之化合物30~50%、通式(II-1)表示之化合物5~30%、及通式(II-2)表示之化合物25~45%， (式中，R1 及R2 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，A表示1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基) (式中，R3 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，R4 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，Z3 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-) (式中，R5 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，R6 表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數4~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數3~8之烯氧基，B表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，Z4 表示單鍵、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-COO-、-OCO-、-OCH2 -、-CH2 O-、-OCF2 -或-CF2 O-)，該彩色濾光片含有有機顏料，其特徵在於在具有下述步驟之有機顏料之散射分佈解析中，解析區域(c1)之斜率參數為2以下，該步驟係：基於超小角度X射線散射法而測定彩色濾光片中之有機顏料之超小角度X射線分佈的步驟(A)、於該散射分佈上算出彎曲點之步驟(B)、根據該彎曲點而算出所設定之解析區域(c1)之步驟(C)、及算出解析區域c1之斜率參數之步驟(D)。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中，該彩色濾光片於該有機顏料之散射分佈解析中，解析區域(c1)之斜率參數為1.5以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，該彩色濾光片中，粒徑為100nm以上1000nm以下之粒子於有機顏料之全部粒子中所占的體積分率為7%以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，該有機顏料之最大穿透波長為600nm以上700nm以下。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，該有機顏料之最大穿透波長為500nm以上600nm以下。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，該有機顏料之最大穿透波長為400nm以上500nm以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，該有機顏料分散至形成於玻璃基板上之塗膜中。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，該液晶組成物層中進而含有通式(III)表示之化合物3~35%， (式中，R7 及R8 分別獨立地表示碳原子數1~8之烷基、碳原子數2~8之烯基、碳原子數1~8之烷氧基或碳原子數2~8之烯氧基，D、E及F分別獨立地表示亦可經氟取代之1,4-伸苯基或反式-1,4-伸環己基，Z2 表示單鍵、-OCH2 -、-OCO-、-CH2 O-或-COO-，n表示0、1或2；惟，不包括通式(I)、通式(II-1)及通式(II-2)表示之化合物)。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其分別含有通式(I)中A表示反式-1,4-伸環己基之化合物及A表示1,4-伸苯基之化合物至少1種以上。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其分別含有通式(II-2)中B表示1,4-伸苯基之化合物及B表示反式-1,4-伸環己基之化合物 至少1種以上。
  11. 如申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置，其含有通式(II-1)、通式(II-2)及通式(III)表示之化合物35~70%。
  12. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，構成該液晶組成物層之液晶組成物之下式表示之Z (式中，γ1表示旋轉黏度，△n表示折射率各向異性)為13000以下，γ1為150以下，△n為0.08~0.13。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，構成該液晶組成物層之液晶組成物之向列液晶相上限溫度為60~120℃，向列液晶相下限溫度為-20℃以下，向列液晶相上限溫度與下限溫度之差為100~150。
  14. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，構成該液晶組成物層之液晶組成物之比電阻為1012 (Ω‧m)以上。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之液晶顯示裝置，其中，該液晶組成物層係由使含有通式(V)所表示之聚合性化合物的液晶組成物聚合而成之聚合物構成， (式中，X1及x2分別獨立地表示氫原子或甲基，Sp1及Sp2分別獨立 地表示單鍵、碳原子數1~8之伸烷基或-O-(CH2 )s -(式中，s表示2至7之整數，氧原子係設為鍵結於芳香環上者)，Z1 表示-OCH2 -、-CH2 O-、-COO-、-OCO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 CH2 -、-CF2 CF2 -、-CH=CH-COO-、-CH=CH-OCO-、-COO-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-COO-CH2 CH2 -、-OCO-CH2 CH2 -、-CH2 CH2 -COO-、-CH2 CH2 -OCO-、-COO-CH2 -、-OCO-CH2 -、-CH2 -COO-、-CH2 -OCO-、-CY1 =CY2 -(式中，Y1 及Y2 分別獨立地表示氟原子或氫原子)、-C≡C-或單鍵，C表示1,4-伸苯基、反式-1,4-伸環己基或單鍵，式中之全部1,4-伸苯基之任意氫原子亦可被氟原子取代)。
  16. 如申請專利範圍第15項之液晶顯示裝置，其中，通式(V)中，C表示單鍵，Z1 表示單鍵。
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