JP5637420B1 - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、特定の液晶組成物と有機顔料の凝集程度を示す特定の傾きパラメータを有するカラーフィルタを用いた液晶表示装置に関する。本発明は、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、白抜け、配向むら、焼き付けなどの表示不良の問題を解決する液晶表示装置を提供するものである。本発明の液晶表示装置は液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、焼き付き等の表示不良の発生を抑制する特徴を有することから、特に、アクティブマトリックス駆動用のＶＡモード、ＰＳＶＡモード液晶表示装置に有用であり、液晶ＴＶ、モニター、携帯電話、スマートフォン等の液晶表示装置に適用できる。

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、時計、電卓をはじめとして、家庭用各種電気機器、測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型、ＯＣＢ（光学補償複屈折）型、ＥＣＢ（電圧制御複屈折）型、ＶＡ（垂直配向）型、ＣＳＨ（カラースーパーホメオトロピック）型、あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができる。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、単純マトリックス方式、最近ではＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等により駆動されるアクティブマトリックス（ＡＭ）方式が主流となっている。

一般的なカラー液晶表示装置は、図１に示すように、それぞれ配向膜（４）を有する２枚の基板（１）の一方の配向膜と基板の間に、共通電極となる透明電極層（３ａ）及びカラーフィルタ層（２）を備え、もう一方の配向膜と基板の間に画素電極層（３ｂ）備え、これらの基板を配向膜同士が対向するように配置し、その間に液晶層（５）を挟持して構成されている。
前記カラーフィルタ層は、ブラックマトリックスと赤色着色層（Ｒ）、緑色着色層（Ｇ）、青色着色層（Ｂ）、及び必要に応じて黄色着色層（Ｙ）から構成されるカラーフィルタにより構成される。

液晶層を構成する液晶材料は、材料中に不純物が残留すると表示装置の電気的特性に大きな影響を及ぼすことから不純物についての高度な管理がなされてきた。又、配向膜を形成する材料に関しても配向膜は液晶層が直接接触し、配向膜中に残存した不純物が液晶層に移動することにより、液晶層の電気的特性に影響を及ぼすことは既に知られており、配向膜材料中の不純物に起因する液晶表示装置の特性についての検討がなされつつある。

一方、カラーフィルタ層に用いられる有機顔料等の材料についても、配向膜材料と同様に含有する不純物による、液晶層への影響が想定される。しかし、カラーフィルタ層と液晶層の間には、配向膜と透明電極が介在するため、液晶層への直接的な影響は配向膜材料と比較して大幅に少ないものと考えられていた。しかし、配向膜は通常０．１μｍ以下の膜厚に過ぎず、透明電極もカラーフィルタ層側に用いられる共通電極は導電率を上げるために膜厚を上げたものでも通常０．５μｍ以下である。従って、カラーフィルタ層と液晶層は完全に隔離された環境におかれているとは言えず、カラーフィルタ層が、配向膜及び透明電極を介してカラーフィルタ層に含まれる不純物により、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加による白抜け、配向むら、焼き付きなどの表示不良を発現する可能性がある。

カラーフィルタ層を構成する顔料に含まれる不純物に起因した表示不良を解決する方法として、顔料の蟻酸エチルによる抽出物の割合を特定値以下とした顔料を用いて、不純物の液晶への溶出を制御する方法（特許文献１）や青色着色層中の顔料を特定することで不純物の液晶への溶出を制御する方法（特許文献２）が検討されてきた。しかしながら、これらの方法では顔料中の不純物を単純に低減することと大きな差異はなく、近年、顔料の精製技術が進歩している現状においても表示不良を解決するための改良としては不十分なものであった。

一方、カラーフィルタ層中に含まれる有機不純物と液晶組成物の関係に着目し、この有機不純物の液晶層への溶解しにくさを液晶層に含まれる液晶分子の疎水性パラメータによって表し、この疎水性パラメータの値を一定値以上とする方法やこの疎水性パラメータと液晶分子末端の−ＯＣＦ_３基に相関関係があることから、液晶分子末端に−ＯＣＦ_３基を有する液晶化合物を一定割合以上含有する液晶組成物とする方法（特許文献３）が開示されている。

しかしながら、当該引用文献の開示においても顔料中の不純物による液晶層への影響を抑えることが発明の本質となっており、カラーフィルタ層に使用される染顔料等の色材自身の性質と液晶材料の構造との直接的な関係については検討が行われておらず、高度化する液晶表示装置の表示不良問題の解決には至っていなかった。

特開２０００−１９３２１号公報 特開２００９−１０９５４２号公報 特開２０００−１９２０４０号公報

本発明は、特定の液晶組成物と有機顔料の凝集程度を示す特定の傾きパラメータを有するカラーフィルタを用いることで、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、白抜け、配向むら、焼き付けなどの表示不良の問題を解決する液晶表示装置を提供することにある。

本願発明者らは、上記課題を解決するために有機顔料を含有するカラーフィルタ及び液晶層を構成する液晶材料の構造の組み合わせについて鋭意検討した結果、特定の液晶材料及び特定の傾きパラメータを有するカラーフィルタを用いた液晶表示装置が、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、白抜け、配向むら、焼き付きなどの表示不良の問題を解決することを見出し本願発明の完成に至った。
即ち、本発明は、
第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶組成物層と、ブラックマトリックス及び少なくともＲＧＢ三色画素部から構成されるカラーフィルタと、画素電極と共通電極とを備え、
前記液晶組成物層が一般式（I）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す。）で表される化合物を３０〜５０％含有し、一般式（II-1）

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｚ^３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物を５〜３０％含有し、一般式（II-2）

（式中、Ｒ^５は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^６は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂはフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、Ｚ^４は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物を２５〜４５％含有する液晶組成物から構成され、
前記カラーフィルタが、有機顔料を含有するカラーフィルタであって、
超小角エックス線散乱法に基づき、カラーフィルタ中の有機顔料の超小角エックス線プロファイルを測定する工程（Ａ）と、該散乱プロファイル上で湾曲点を算出する工程（Ｂ）と、該湾曲点から設定される解析領域（ｃ１）を算出する工程（Ｃ）と、解析領域ｃ１での傾きパラメータを算出する工程（Ｄ）とを有する、有機顔料の散乱プロファイル解析において、解析領域（ｃ１）での傾きパラメータが２以下であることを特徴とする、カラーフィルタである液晶表示装置を提供する。

本発明の液晶表示装置は、特定の液晶組成物と有機顔料の凝集程度を示す特定の傾きパラメータを有するカラーフィルタを用いることで、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止することができ、白抜け、配向むら、焼き付けなどの表示不良の発生を防止することができる。

従来の一般的な液晶表示装置の一例を示す図である。 本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。 カラーフィルタの透過スペクトルである。 カラーフィルタの透過スペクトルである。

１ 基板
２ カラーフィルタ層
２ａ 特定の傾きパラメータを有するカラーフィルタ層
３ａ 透明電極層（共通電極）
３ｂ 画素電極層
４ 配向膜
５ 液晶層
５ａ 特定の液晶組成物を含有する液晶層

本発明の液晶表示装置の一例を図２に示す。配向膜（４）を有する第一の基板と第二の基板の２枚の基板（１）の一方の配向膜と基板の間に、共通電極となる透明電極層（３ａ）及び特定の傾きパラメータを有するカラーフィルタ層（２ａ）を備え、もう一方の配向膜と基板の間に画素電極層（３ｂ）備え、これらの基板を配向膜同士が対向するように配置し、その間に特定の液晶組成物を含有する液晶層（５ａ）を挟持して構成されている。
前記表示装置における２枚の基板は、周辺領域に配置されたシール材及び封止材によって貼り合わされていて、多くの場合その間には基板間距離を保持するために粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されている。

（液晶層）
本発明の液晶表示装置における液晶層は、一般式（I）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す。）で表される化合物を３０〜５０％含有し、一般式（II-1）

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｚ^３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物を５〜３０％含有し、一般式（II-2）

（式中、Ｒ^５は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^６は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂはフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、Ｚ^４は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物を２５〜４５％含有する液晶組成物から構成される。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、一般式（I）で表される化合物を３０〜５０％含有するが、３２〜４８％含有することが好ましく、３４〜４６％含有することがより好ましい。

一般式（I）において、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す場合には、
炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、
炭素原子数２〜５のアルキル基、炭素原子数２〜４のアルケニル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数２〜４のアルケニルオキシ基を表すことがより好ましく、
Ｒ^１がアルキル基を表すことが好ましいが、この場合炭素原子数２、３又は４のアルキル基が特に好ましい。Ｒ^１が炭素原子数３のアルキル基を表す場合には、Ｒ^２は炭素原子数２、４又は５のアルキル基、または炭素原子数２〜３のアルケニル基である場合が好ましく、Ｒ^２は炭素原子数２のアルキル基である場合がより好ましい。
Ａが１，４−フェニレン基を表す場合には、
炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数３〜５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、
炭素原子数２〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数２〜４のアルケニルオキシ基を表すことがより好ましく、
Ｒ^１がアルキル基を表すことが好ましいが、この場合炭素原子数１、３又は５のアルキル基が特に好ましい。さらに、Ｒ^２が炭素原子数１〜２のアルコキシ基を表すことが好ましい。

Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも一方の置換基が炭素原子数３〜５のアルキル基である一般式（I）で表される化合物の含有量が、一般式（I）で表される化合物中の５０％以上であることが好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。又、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも一方の置換基が炭素原子数３のアルキル基である一般式（I）で表される化合物の含有量が、一般式（I）で表される化合物中の５０％以上であることが好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましく、１００％であることが最も好ましい。

一般式（I）で表される化合物は１種又は２種以上含有することができるが、Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す化合物、及びＡが１，４−フェニレン基を表す化合物をそれぞれ少なくとも１種以上含有するのが好ましい。
又、Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す一般式（I）で表される化合物の含有量が、一般式（I）で表される化合物中の５０％以上で有ることが好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。

一般式（I）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（Ia）〜一般式（Ik）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表すが、一般式（I）におけるＲ^１及びＲ^２と同様の実施態様が好ましい。）
一般式（Ia）〜一般式（Ik）において、一般式（Ia）、一般式（Ic）及び一般式（Ig）が好ましく、一般式（Ia）及び一般式（Ig）がより好ましく、一般式（Ia）が特に好ましいが、応答速度を重視する場合には一般式（Ib）も好ましく、より応答速度を重視する場合には、一般式（Ib）、一般式（Ic）、一般式（Ie）及び一般式（Ik）が好ましく、一般式（Ic）及び一般式（Ik）がより好ましく、一般式(Ik)で表されるジアルケニル化合物は特に応答速度を重視する場合に好ましい。

これらの点から、一般式（Ia）及び一般式（Ic）で表される化合物の含有量が、一般式（I）で表される化合物中の５０％以上で有ることが好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましく、１００％であることが最も好ましい。又、一般式（Ia）で表される化合物の含有量が、一般式（I）で表される化合物中の５０％以上で有ることが好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、一般式（II-1）で表される化合物を５〜３０％含有するが、８〜２７％含有することが好ましく、１０〜２５％含有することがより好ましい。 一般式（II-1）において、Ｒ^３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数３のアルキル基を表すことが特に好ましい。

Ｒ^４は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数１〜３のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３のアルキル基又は炭素原子数２のアルコキシ基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数２のアルコキシ基を表すことが特に好ましい。

Ｚ^３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すことが好ましく、単結合又は−ＣＨ_２Ｏ−を表すことがより好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、一般式（II-1）で表される化合物を１種又は２種以上含有することができるが、１種又は２種含有することが好ましい。
一般式（II-1）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（II-1a）〜一般式（II-1d）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^４aは炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。）
一般式（II-1a）及び一般式（II-1c）においてＲ^３は、一般式（II-1）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^４aは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は２のアルキル基がより好ましく、炭素原子数２のアルキル基が特に好ましい。
一般式（II-1b）及び一般式（II-1d）においてＲ^３は、一般式（II-1）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^４aは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は３のアルキル基がより好ましく、炭素原子数３のアルキル基が特に好ましい。

一般式（II-1a）〜一般式（II-1d）の中でも、誘電率異方性の絶対値を増大するためには、一般式（II-1a）及び一般式（II-1c）が好ましく、一般式（II-1a）が好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、一般式（II-1a）〜一般式（II-1d）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、１種又は２種含有することが好ましく、一般式（II-1a）で表される化合物を１種又は２種含有することが好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、一般式（II-2）で表される化合物を２５〜４５％含有するが、２８〜４２％含有することが好ましく、３０〜４０％含有することがより好ましい。

一般式（II-2）において、Ｒ^５は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数３のアルキル基を表すことが特に好ましい。

Ｒ^６は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数１〜３のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３のアルキル基又は炭素原子数２のアルコキシ基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数２のアルコキシ基を表すことが特に好ましい。

Ｂはフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すが、無置換の１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基がより好ましい。
Ｚ^４は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表すことが好ましく、単結合又は−ＣＨ_２Ｏ−を表すことがより好ましい。

一般式（II-2）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（II-2a）〜一般式（II-2f）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^５は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表し、Ｒ^６aは炭素原子数１〜５のアルキル基を表すが、一般式（II-2）におけるＲ^５及びＲ^６と同様の実施態様が好ましい。）
一般式（II-2a）、一般式（II-2b）及び一般式（II-2e）においてＲ⁵は、一般式（II-2）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^６aは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は２のアルキル基がより好ましく、炭素原子数２のアルキル基が特に好ましい。

一般式（II-2c）、一般式（II-2d）及び一般式（II-2f）においてＲ^５は、一般式（II-2）における同様の実施態様が好ましい。Ｒ^６aは炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素原子数１又は３のアルキル基がより好ましく、炭素原子数３のアルキル基が特に好ましい。
一般式（II-2a）〜一般式（II-2f）の中でも、誘電率異方性の絶対値を増大するためには、一般式（II-2a）、一般式（II-2b）及び一般式（II-2e）が好ましい。

一般式（II-2）で表される化合物は１種又は２種以上含有することができるが、Ｂが１，４−フェニレン基を表す化合物、及びＢがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す化合物をそれぞれ少なくとも１種以上含有することが好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、更に、一般式（III）

（式中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｄ、Ｅ及びＦはそれぞれ独立して、フッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレンを表し、Ｚ^２は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−を表し、ｎは０、１又は２を表す。ただし、一般式（I）、一般式（II-1）及び一般式（II-2）で表される化合物は除く。）で表される化合物を含有するのが好ましい。

一般式（III）で表される化合物は３〜３５％含有することが好ましく、５〜３３％含有することが好ましく、７〜３０％含有することが好ましい。

一般式（III）において、Ｒ^７は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、
Ｄがトランス−１，４−シクロヘキシレンを表す場合、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２又は３のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数３のアルキル基を表すことが特に好ましく、
Ｄがフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基を表す場合、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数４又は５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜４のアルキル基を表すことがさらに好ましい。

Ｒ^８は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表すが、
Ｆがトランス−１，４−シクロヘキシレンを表す場合、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２又は３のアルケニル基を表すことがさらに好ましく、炭素原子数３のアルキル基を表すことが特に好ましく、
Ｆがフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基を表す場合、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数４又は５のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数４のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜４のアルキル基を表すことがさらに好ましい。

Ｒ^７及びＲ^８がアルケニル基を表し、結合するＤ又はＦがフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基を表す場合す場合、炭素原子数４又は５のアルケニル基としては以下の構造が好ましい。

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
この場合においても、炭素原子数４のアルケニル基がさらに好ましい。
Ｄ、Ｅ及びＦはそれぞれ独立して、フッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレンを表すが、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレンを表すことが好ましく、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−フェニレン基がより好ましく、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基又は１，４−フェニレン基が特に好ましい。

Ｚ^２は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表すことが好ましく、単結合がより好ましい。
ｎは０、１又は２を表すが、０又は１を表すことが好ましい。また、Ｚ^２が単結合以外の置換基を表す場合、１を表すことが好ましい。
一般式（III）で表される化合物は、ｎが１を表す場合において、負の誘電率異方性を大きくする観点からは、一般式（III-1a）〜一般式（III-1e）で表される化合物が好ましく、応答速度を速くする観点からは、一般式（III-1f）〜一般式（III-1j）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表すが、一般式（III）におけるＲ^７及びＲ^８と同様の実施態様が好ましい。）
一般式（III）で表される化合物は、ｎが２を表す場合、負の誘電率異方性を大きくする観点からは、一般式（III-2a）〜一般式（III-2i）で表される化合物が好ましく、応答速度を速くする観点からは、一般式（III-2j）〜一般式（III-2l）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表すが、一般式（III）におけるＲ^７及びＲ^８と同様の実施態様が好ましい。）
一般式（III）で表される化合物は、ｎが０を表す場合、負の誘電率異方性を大きくする観点からは、一般式（III-3a）で表される化合物が好ましく、応答速度を速くする観点からは、一般式（III-3b）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜５のアルコキシ基を表すが、一般式（III）におけるＲ^７及びＲ^８と同様の実施態様が好ましい。）
Ｒ^７は炭素原子数２〜５のアルキル基が好ましく、炭素原子数３のアルキル基がより好ましい。Ｒ^８は炭素原子数１〜３のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数２のアルコキシ基がより好ましい。

一般式（II-1）及び一般式（II-2）で表される化合物は共に、誘電率異方性が負であってその絶対値が比較的大きい化合物であるが、これら化合物の合計含有量は、３０〜６５％が好ましく、４０〜５５％がより好ましく、４３〜５０％が特に好ましい。

一般式（III）で表される化合物は誘電率異方性については正の化合物も負の化合物も包含しているが、誘電率異方性が負であって、その絶対値が０．３以上の化合物を用いる場合、一般式（II-1）、一般式（II-2）及び一般式（III）で表される化合物の合計含有量は、３５〜７０％が好ましく、４５〜６５％がより好ましく、５０〜６０％が特に好ましい。

一般式（I）で表される化合物を３０〜５０％含有し、且つ一般式（II-1）、一般式（II-2）及び一般式（III）で表される化合物を３５〜７０％含有することが好ましく、一般式（I）で表される化合物を３５〜４５％含有し、且つ一般式（II-1）、一般式（II-2）及び一般式（III）で表される化合物を４５〜６５％含有することがより好ましく、一般式（I）で表される化合物を３８〜４２％含有し、且つ一般式（II-1）、一般式（II-2）及び一般式（III）で表される化合物を５０〜６０％含有することが特に好ましい。

一般式（I）、一般式（II-1）、一般式（II-2）及び一般式（III）で表される化合物の合計含有量は、組成物全体に対して、８０〜１００％が好ましく、９０〜１００％がより好ましく、９５〜１００％が特に好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、ネマチック相-等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）を幅広い範囲で使用することができるものであるが、６０から１２０℃であることが好ましく、７０から１００℃がより好ましく、７０から８５℃が特に好ましい。
誘電率異方性は、２５℃において、−２．０から−６．０であることが好ましく、−２．５から−５．０であることがより好ましく、−２．５から−４．０であることが特に好ましい。
屈折率異方性は、２５℃において、０．０８から０．１３であることが好ましいが、０．０９から０．１２であることがより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１２であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。
回転粘度（γ１）は１５０以下が好ましく、１３０以下がより好ましく、１２０以下が特に好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層においては、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（式中、γ１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、アクティブマトリクス表示素子に使用する場合においては、１０¹²（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０¹³（Ω・ｍ）が好ましく、１０¹⁴（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層は、上述の化合物以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤、重合性モノマーなどを含有しても良い。
重合性モノマーとしては、一般式（V）

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、
Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、
Ｚ^１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｃは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表されるニ官能モノマーが好ましい。

Ｘ^１及びＸ^２は、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を有するジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。

Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表すが、ＰＳＡ表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す態様が好ましい。この場合１〜４のアルキル基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

Ｚ^１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。
Ｃは任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４−フェニレン基又は単結合が好ましい。Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^１は単結合以外の連結基も好ましく、Ｃが単結合の場合、Ｚ^１は単結合が好ましい。

これらの点から、一般式（V）において、Ｓｐ^１及びＳｐ^２の間の環構造は、具体的には次に記載する構造が好ましい。
一般式（V）において、Ｃが単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合において、次の式（Va-1）から式（Va-5）を表すことが好ましく、式（Va-1）から式（Va-3）を表すことがより好ましく、式（Va-1）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^１又はＳｐ^２に結合するものとする。）
これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない。
以上のことから、重合性モノマーとしては、一般式（V-1）〜一般式（V-4）が特に好ましく、中でも一般式（V-2）が最も好ましい。

（式中、Ｓｐ^２は炭素原子数２から５のアルキレン基を表す。）
重合性モノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。また、保存安定性を向上させるために、安定剤を添加しても良い。使用できる安定剤としては、例えば、ヒドロキノン類、ヒドロキノンモノアルキルエーテル類、第三ブチルカテコール類、ピロガロール類、チオフェノール類、ニトロ化合物類、β−ナフチルアミン類、β−ナフトール類、ニトロソ化合物等が挙げられる。

重合性モノマーを含有する液晶層は、液晶表示素子に有用であり、特にアクティブマトリクス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＰＳＡモード、ＰＳＶＡモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード又はＥＣＢモード用液晶表示素子に用いることができる。

重合性モノマーを含有する液晶層は、これに含まれる重合性モノマーが紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ及びＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

（カラーフィルタ）
本発明におけるカラーフィルタとは、有機顔料を含有することで、ある特定の波長を吸収することで、それ以外の特定の波長の光を透過するものをいう。
基材としては、光を透過するものであればよく、用途によって適時選択すればよい。例えば樹脂や無機材料が挙げられ、ガラスが特に好ましい。
上記カラーフィルタは、基材と有機顔料を有し、有機顔料は基材中に分散していてもよいし、基材の表面にのみ存在していてもかまわない。樹脂中に有機顔料を分散し、成形してもよく、基材の表面に塗膜として分散させてもよい。

カラーフィルタの形状は任意であり、板状、フィルム状、レンズ状、球体、一部に三次元の凹凸を有するものや、表面に微細な凹凸加工をしたものなど、どのような形状でも構わない。

〔有機顔料〕
本発明の有機顔料としては、フタロシアニン系、不溶性アゾ系、アゾレーキ系、アントラキノン系、キナクリドン系、ジオキサジン系、ジケトピロロピロール系、アントラピリミジン系、アンザンスロン系、インダンスロン系、フラバンスロン系、ペリノン系、ペリレン系、チオインジゴ系、トリアリールメタン系、イソインドリノン系、イソインドリン系、金属錯体系、キノフタロン系、染付レーキ系等が挙げられる。
透過したい波長に合わせて、顔料種は適時選択すればよい。

赤色カラーフィルタの場合、赤色系顔料を用いればよく、具体的には６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の透過波長における透過度が高い顔料が挙げられる。当該顔料は、１種のみであってもよいし、２種以上を併用してもよい。好ましく使用できる顔料の具体例として、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ ８１、同 １２２、同 １７７，同 ２０９，同 ２４２，同 ２５４，Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ １９が挙げられる。中でもＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ ２５４が特に好ましく、その極大透過波長は、６６０ｎｍから７００ｎｍの間にある。

また、前記赤色カラーフィルタは、調色用として更に、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ ３８、同７１、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １５０、同２１５、同１８５、同１３８、同１３９からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機顔料を含有することも可能である。

緑色カラーフィルタの場合、緑色系顔料を用いればよく、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下に極大透過波長を持つ顔料が挙げられる。当該顔料は、１種のみであってもよいし、２種以上を併用してもよい。好ましく使用できる顔料の具体例として、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ ７、同 ３６、同 ５８が挙げられる。中でも同 ５８が特に好ましく、その極大透過波長は、５１０ｎｍから５５０ｎｍの間にある。

前記緑色カラーフィルタは、調色用として更に、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ １５０、同２１５、同１８５、同１３８からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機顔料を含有することも可能である。

青色カラーフィルタの場合、青色系顔料を用いればよく、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下に極大透過波長を持つ顔料が挙げられる。当該顔料は、１種のみであってもよいし、２種以上を併用してもよい。好ましく使用できる顔料の具体例として、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １５：３，同１５：６，トリアリールメタン顔料として、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １，及び／又は下記一般式（１）（式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立して水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜８のアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^６が置換基を有していてもよいアルキル基を表す場合、隣接するＲ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６が結合して環構造を形成してもよい。Ｘ^１及びＸ^２は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、又は置換基を有してもよい炭素数１〜８のアルキル基を示す。Ｚ−は（Ｐ２ＭｏｙＷ１８−ｙＯ６２）６−／６で表され、ｙ＝０、１、２または３の整数であるヘテロポリオキソメタレートアニオンか、（ＳｉＭｏＷ１１Ｏ４０）４−／４であるヘテロポリオキソメタレートアニオンか、欠損ドーソン型リンタングステン酸ヘテロポリオキソメタレートアニオンから選ばれる少なくとも一種のアニオンである。１分子中に複数の式（１）が含まれる場合、それらは同じ構造であっても異なる構造であってもよい。）で表されるトリアリールメタン顔料が挙げられる。

一般式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^６は同一でも異なるものであってもよい。従って、−ＮＲＲ（ＲＲは、Ｒ^１Ｒ^２、Ｒ^３Ｒ^４、及びＲ^５Ｒ^６のいずれかの組み合わせを表す。）基は対称であっても非対称であってもよい。

Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １５：３の極大透過波長は、４４０ｎｍから４８０ｎｍの間にあり，同１５：６の極大透過波長は、４３０ｎｍから４７０ｎｍの間にあり、トリアリールメタン顔料の極大透過波長は、４１０ｎｍから４５０ｎｍの間にある。

前記青色カラーフィルタは、調色用として更にＣ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ ２３、同３７、Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ １５、同１５：１、同１５：２、同１５：４からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機顔料を含有することも可能である。

上記有機顔料を、顔料分散体とした上で基材に塗布する方法で、カラーフィルタを製造することができる場合、顔料分散体としては、有機顔料のほかに公知の顔料分散剤や溶媒等を含有してもかまわない。有機顔料を予め溶剤や顔料分散剤で分散させた分散液を調整し、得られた分散液を基材に塗布すればよく、塗布方法としては例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット法等、スプレーコート法、印刷法等が挙げられる。

有機顔料を基材に塗布して乾燥させた状態でカラーフィルタとしてもよいし、顔料分散体に硬化性樹脂が含まれる場合、熱や活性エネルギー線により硬化することでカラーフィルタとしてもよい。また、ホットプレート、オーブン等の加熱装置により、１００〜２８０℃で、所定時間加熱処理（ポストベーク）することによって、塗膜中の揮発性成分を除去する工程を行ってもかまわない。

〔カラーフィルタにおける顔料の粒子状態〕
本発明のカラーフィルタは、有機顔料の凝集程度の指標となる傾きパラメータが２以下であることを特徴とするものである。カラーフィルタにおいて、カラーフィルタの状態での有機顔料の状態が、もっとも白抜け、配向むら、焼き付けなどの表示不良の抑制に貢献する。カラーフィルタとなった状態での有機顔料粒子の凝集程度の指標となる傾きパラメータを規定することで、上記の表示不良を防止するカラーフィルタとなる。傾きパラメータが小さい値ほど凝集程度は小さくなるので、より好ましくは傾きパラメータが１．５以下である。

上記有機顔料において、１０００ｎｍより大きいような粗大粒子は表示状態に悪影響を及ぼし好ましくないため、１％以下である必要がある。これは、カラーフィルタ表面を適当な光学顕微鏡等で観察すればよい。

〔超小角エックス線散乱プロファイル〕
有機顔料の凝集程度を示す傾きパラメータを算出するには、超小角エックス線散乱法に基づいた超小角Ｘ線散乱プロファイルを解析することで求めることができる。
具体的には、超小角エックス線散乱法に基づき、有機顔料の超小角エックス線散乱プロファイル（測定散乱プロファイル）を測定する工程（Ａ）と、該散乱プロファイル上で湾曲点を算出する工程（Ｂ）と、該湾曲点から設定される解析領域（ｃ１）を決定する工程（Ｃ）と、解析領域ｃ１での傾きパラメータを算出する工程（Ｄ）とを有する測定方法である。

超小角エックス線散乱法（Ｕｌｔｒａ−Ｓｍａｌｌ Ａｎｇｌｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ：ＵＳＡＸＳ）とは、散乱角が０．１＜（２θ）＜１０℃である小角領域だけでなく、０°＜（２θ）≦０．１°という超小角領域で生じる散漫な散乱・回折も同時に測定する方法である。小角エックス線散乱法では、物質中に１〜１００ｎｍ程度の大きさの電子密度の異なる領域があると、その電子密度差によりエックス線の散漫散乱を計測することができるが、この超小角エックス線散乱法では、物質中に１〜１０００ｎｍ程度の大きさの電子密度の異なる領域があると、その電子密度差によりエックス線の散漫散乱が計測される。この散乱角と散乱強度に基づいて測定対象物の傾きパラメータを求める。

超小角エックス線散乱法を実現する主要技術は、入射Ｘ線の波長幅やビーム径を絞り超小角領域のバックグラウンド散乱強度を低減する高度な光学系制御技術を用い、できるだけサンプルから検出器までの距離、いわゆるカメラ長を長くして散乱角の小さい部分を高精度に測定する２つの技術で達成される。実験室用の小型の装置では主に前者の技術で達成される。
また、Ｘ線小角散乱プロファイルから傾きパラメータを求めるためのプログラムとしては、汎用の微分計算やデータ補間処理ができるプログラムを用いることができるが、例えばＭＡＴＬＡＢ（ＭａｔｈＷｏｒｋｓ社）等のプログラムを用いることが好ましい。傾きパラメータを算出するための最小自乗法によるフィッティングには上記プログラムに加え、Ｅｘｃｅｌ（マイクロソフト社製）などのプログラムを用いることができる。

有機顔料の散乱プロファイルを測定する場合、エックス線散乱装置の入射エックス線の輝度が１０^６Ｂｒｉｌｌｉａｎｃｅ（ｐｈｏｔｏｎｓ／ｓｅｃ／ｍｍ^２／ｍｒａｄ^２／０．１％ｂａｎｄｗｉｄｔｈ）以上であれば、十分な散乱強度を測定することが可能であり、好ましくは１０^７Ｂｒｉｌｌｉａｎｃｅ以上である。塗膜の基板がガラスなどの場合、エックス線を吸収しやすいため、入射エックス線の輝度が著しく不足するので、有機顔料の散乱プロファイルを精度よく測定するには、入射Ｘ線の輝度が１０^１６Ｂｒｉｌｌｉａｎｃｅ以上であることが好ましく、より好ましくは１０^１８Ｂｒｉｌｌｉａｎｃｅ以上である。

１０^１６Ｂｒｉｌｌｉａｎｃｅ以上の高輝度エックス線源を得るために、前記の大型放射光施設、たとえば兵庫県のＳＰｒｉｎｇ−８や茨城県のＰｈｏｔｏｎ Ｆａｃｔｏｒｙ等の光源を用いることができる。このような設備では、任意のカメラ長を選択することで目的の散乱領域を設定できる。また、十分な散乱強度を得るためや、試料ダメージを防ぐため、さらには検出器の保護のために入射側にアテネーターと呼ばれる数種の金属製の吸収板を使用したり、露光時間を０．５〜６０秒程度で任意で調整することにより、最適な測定条件を広範囲の目的から選択することができる。アテネーターは、例えばＡｕ、Ａｇ、モリブデン製の薄膜などが挙げられる。

測定の具体的な手順としては、まず、工程（Ａ）で、カラーフィルタを市販のエックス線回折装置の試料ホルダー、試料台等に設置した後、散乱角（２θ）が１０°未満の範囲の各散乱角（２θ）における散乱強度Ｉを測定して、小角エックス線散乱プロファイル（測定散乱プロファイル）を測定する。

基板がガラスである塗膜の場合に用いる放射光による超小角散乱装置は、蓄積リングと呼ばれる円形加速器から取り出した白色光を二結晶分光器で単色化し、Ｘ線領域の波長（例えば１Å）を線源とし、試料台に設置した塗膜に入射させ、散乱光を２次元検出器で一定時間露光し、同心円状に得られた散乱プロファイルを１次元に平均化し、散乱角（２θ）が１０°未満の範囲の各散乱角（２θ）における散乱強度Ｉに変換し、小角エックス線散乱プロファイル（測定散乱プロファイル）を得る作業を工程（Ａ）とする。

次いで、工程（Ｂ）では、得られた測定散乱プロファイルにおいて散乱ベクトルｑ＜０．５［ｎｍ^−１］以下の領域における湾曲点を算出する。ここで言う湾曲点とは、散乱ベクトルｑと散乱強度Ｉをそれぞれ両対数プロットしたグラフであらわされる散乱プロファイルにおける、上に凸で現れる湾曲部分を意味している。

まず、散乱ベクトルｑおよび散乱強度Ｉのそれぞれを基数１０の対数Ｌｏｇ（ｑ）およびＬｏｇ（Ｉ）となる値に変換する。ここで便宜上、ｘとｙ座標のグラフにおける関数ｙ＝ｆ（ｘ）を考えたときの散乱プロファイルをＬｏｇ（Ｉ） ＝Ｆ（Ｌｏｇ（ｑ））という関数で表されると仮定する。ここでさらに、Ｌｏｇ（ｑ）＝Ｑ、およびＬｏｇ（Ｉ）＝Ｊと表記すると、Ｊ＝Ｆ（Ｑ）という形で散乱プロファイルが表記されこれを散乱プロファイル関数と呼ぶことにする。

Ｊ＝Ｆ（Ｑ）であらわされる散乱プロファイル関数をスプライン関数によるスムージングを行い、さらにスムージング処理後の関数Ｇ（Ｑ）について１次微分関数Ｇ′（Ｑ）＝ｄＧ（Ｑ）／ｄＱを求める。前記スプライン関数によるスムージング処理後の関数Ｇ（Ｑ）および１次微分関数Ｇ′（Ｑ）の導出は例えば非特許文献１に記載されている手法を用いる。

次に、前記１次微分関数Ｇ′（Ｑ）において、Ｑ＝０からＱマイナス方向に向けて極小値Ｇ′ｍｉｎとそのｘ座標Ｘ＿ｇｍｉｎを求める。さらに同マイナス方向に向けて極大値Ｇ′ｍａｘとそのｘ座標Ｘ＿ｇｍａｘを求める。
次に、前記極大値Ｇ′ｍａｘと前記極小値Ｇ′ｍｉｎとの半値Ｇ′ｃ＝（Ｇ′ｍａｘ−Ｇ′ｍｉｎ）／２を求める。
前記Ｘ＿ｇｍａｘと前記Ｘ＿ｇｍｉｎの間のｘ座標範囲において、この半値Ｇ′ｃを示す点が、もとの散乱プロファイル関数Ｆ（Ｑ）における湾曲点に相当する。このときの湾曲点のｘ座標についてＱ＝Ｑ_０と表す。湾曲点のｘ座標を散乱ベクトルｑで表記すると、Ｌｏｇ（ｑ_０）＝Ｑ_０の関係式からｑ＝ｑ_０が散乱プロファイル上の湾曲点のｘ座標となる。

次いで、工程（Ｃ）では、まず散乱プロファイルの傾きを求めるための解析領域（ｃ１）を算出する。湾曲点のｘ座標Ｑ_０よりも小さいＱの領域、つまりＱ＜Ｑ_０の領域において、１次微分関数Ｇ′（Ｑ）がほぼ平坦になる領域を解析領域ｃ１とする。
このとき、微分していないもとの散乱プロファイル関数Ｆ（Ｑ）においては解析領域ｃ１である一定の傾きをもった直線に近似できるプロファイル部分となる。

解析領域ｃ１は、端点１と端点２で区切られた領域となるように、端点１と端点２を決定する。それぞれの端点でのｘ軸の値は、端点１ではＱ＝Ｑ_１となりＬｏｇ（ｑ）＝Ｌｏｇ（ｑ_１），端点２ではＱ＝Ｑ_２となりＬｏｇ（ｑ）＝Ｌｏｇ（ｑ_２）で表されるとする。
まず、解析領域ｃ１の端点１は以下のように決定する。前記最大値Ｇ′ｍａｘと、端点１に設定したい点での値Ｇ′（Ｑ_１）との値の差分Δ＝Ｇ′ｍａｘ−Ｇ′（Ｑ_１）を計算し、湾曲点ｘ座標Ｑ_０からＱが小さくなる方向へ順にデータを着目したときに差分Δ＜０．１となる最初の点を端点１とする。この端点１のｘ座標がＱ＝Ｑ_１となりｑ＝ｑ_１である。

端点２の決め方については、測定データによって最適な値を決める必要がある。具体的には、小さいｑの領域では実験時に用いたビームストッパー近傍における寄生散乱などの影響が強くなり散乱強度が大きくなってしまい顔料粒子に由来する散乱とは別の要因で散乱プロファイルの傾きが変化してしまう。つまり、端点２をＱが十分小さい超小角域側に決めて解析領域ｃ１を広くとるのは必ずしも適さない。一方で、端点２を端点１の近い位置にとってしまうのはデータのノイズの影響などが大きくなり最終的に次の工程（Ｄ）で解析領域ｃ１における傾きパラメータを最小自乗法で算出する解析上、意味を為さなくなる。

これらを考慮し、端点２のｘ座標を決定する必要がある。端点２のｘ座標の値はＱ_２＝Ｌｏｇ（ｑ_２）である。ｑ_２の値の決定には先に決定したｑ_１の値を用いて ｑ_２＝ｑ_１／２ 〜 ｑ_１／３の範囲でできるだけ広く散乱プロファイルが直線で近似できるようにとるのが望ましい。

次に、工程（Ｄ）では、端点１と端点２で決定した解析領域ｃ１における散乱プロファイルの傾きパラメータを算出する。この解析領域ｃ１では散乱強度Ｉと散乱ベクトルｑが Ｉ（ｑ）∝ｑ^−ｄＭ の関係にある。よって、両対数プロットで散乱プロファイルを表した散乱プロファイル関数Ｌｏｇ（Ｉ） ＝Ｆ（Ｌｏｇ（ｑ））は解析領域ｃ１での理論相関関数として下記式（１）のように表される。
Ｌｏｇ（Ｉ）＝−ｄ_Ｍ×Ｌｏｇ（ｑ）＋Ｃ（Ｃ：定数） ・・・（１）
上記式（１）において、ｄ_Ｍが解析領域ｃ１における傾きパラメータとなり、Ｃは定数である。
上記式（１）で表される理論相関関数と解析領域ｃ１における散乱プロファイルとの関数フィッティングを最小自乗法により実行することで傾きパラメータｄ_Ｍを算出する。

関数フィッティングにおける変数は上記のｄ_ＭおよびＣである。関数フィッティングは理論相関関数と散乱プロファイル関数との残差二乗和Ｚ値が最小自乗法により最小となるよう実行され、この残差二乗和Ｚ値が小さいほどフィッティングの精度は高いとされる。一般にＺ値は２％未満になればフィッティングが収束したと判断してよい。好ましくはＺ値が１％未満であり、よりこのましくは０．５％未満である。

本工程における関数フィッティングが良好に収束しない場合、すなわちＺ値が２％以上である場合は解析領域ｃ１内のデータにばらつきが多いか、もしくは直線形状から大きく外れていることを意味する。この原因のひとつとして解析領域ｃ１が適切でないことが考えられる。とくに解析領域ｃ１を広くとりすぎて不要な散乱寄与を含んだデータになっている場合が考えられ、その場合は工程（Ｃ）で求めた端点２を端点１に近いところに調整してもよく、そのうえで工程（Ｄ）を繰り返す。

もう１つの原因としては、十分な強度のないエックス線で測定した場合において得られた散乱強度データが大きくばらついていることが原因として考えられる。その場合は、Ｓ／Ｎ比が良好な散乱強度データが得られるような、より強力なエックス線を照射できる実験施設での超小角散乱実験によって測定データを得る必要がある。

ここで、散乱プロファイルにおいて明瞭な湾曲部分が見られない場合、つまり前記極大値Ｇ′ｍａｘと前記極小値Ｇ′ｍｉｎの差分△Ｇ′ｍａｘ−ｍｉｎ＜０．１の場合には、仮想的に湾曲点Ｑ_０（またはｑ_０）を決める必要が生じる。もしこのとき、同じ顔料を用いている別のカラーフィルタ試料で散乱プロファイルに湾曲部が明瞭に現れている場合には、そのときの湾曲点Ｑ_０を、湾曲部が明瞭に現れていない試料の湾曲点Ｑ_０に代用することができる。散乱プロファイルにおいて明瞭な湾曲部分がみられず、代用できるＱ_０が得られない場合には、ｑ＜０．５の範囲、Ｑ＜Ｌｏｇ（０．５）の範囲において散乱プロファイル上の任意の部分を解析領域ｃ１と設定することができる。その解析領域ｃ１において最小自乗法により傾きパラメータｄ_Ｍを求めればよい。

なお、この傾きパラメータｄ_Ｍは、物理的には質量フラクタル次元数と呼ばれることがあり、解析領域ｃ１で精度良く傾きパラメータｄ_Ｍが求められるということは散乱光強度Ｉが Ｉ（ｑ）∝ｑ^−ｄＭで表されて散乱ベクトルｑのべき乗則に従っていることを示している。そのため、原理的にはｄ_Ｍは３以上の値をとらない。もし、ｄ_Ｍが３以上の値になった場合は、先述のような不適切な解析領域ｃ１やノイズの多いデータの原因が考えられるので、解析領域ｃ１の見直しや高強度エックス線による再実験を行い、あらためて工程（Ａ）から工程（Ｄ）を実施することで散乱プロファイルの傾きパラメータを解析結果として得られる。

以上のように解析領域ｃ１で精度良く傾きパラメータｄ_Ｍが求められるということはすなわち質量フラクタル次元数が明確に決定できていることであり、原理的、物理的にはカラーフィルタに含まれる有機顔料の凝集構造がフラクタル的な自己相似的構造をとっていることを示している。ｄ_Ｍで表される傾きパラメータが大きい値であるほど自己相似的凝集構造が大きいことを意味し、凝集程度が大きいことを示している。よって、このｄ_Ｍをカラーフィルタにおける顔料凝集程度の定量的指標とすることができる。

（配向膜）
本発明の液晶表示装置において、第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面には液晶組成物を配向させるため、配向膜を必要とする液晶表示装置においてはカラーフィルタと液晶層間に配置するものであるが、配向膜の膜厚が厚いものでも１００ｎｍ以下と薄く、カラーフィルタを構成する顔料等の色素と液晶層を構成する液晶化合物との相互作用を完全に遮断するものでは無い。
又、配向膜を用いない液晶表示装置においては、カラーフィルタを構成する顔料等の色素と液晶層を構成する液晶化合物との相互作用はより大きくなる。

配向膜材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ペンゾシクロブテンポリマー）、ポリビニルアルコールなどの透明性有機材料を用いることができ、特に、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフエニルメタンなどの脂肪族または脂環族ジアミン等のジアミン及びブタンテトラカルボン酸無水物や２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸無水物等の脂肪族又は脂環式テトラカルボン酸無水物、ピロメリット酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸無水物から合成されるポリアミック酸をイミド化した、ポリイミド配向膜が好ましい。この場合の配向付与方法は、ラビングを用いることが一般的であるが、垂直配向膜等に使用する場合は配向を付与しないで使用することもできる。

配向膜材料としては、カルコン、シンナメート、シンナモイル又はアゾ基等を化合物中に含む、材料を使用することができ、ポリイミド、ポリアミド等の材料と組み合わせて使用してもよく、この場合配向膜はラビングを用いてもよく光配向技術を用いてもよい。
配向膜は、基板上に前記配向膜材料をスピンコート法などの方法により塗布して樹脂膜を形成することが一般的であるが、一軸延伸法、ラングミュア・ブロジェット法等を用いることもできる。

（透明電極）
本発明の液晶表示装置において、透明電極の材料としては、導電性の金属酸化物を用いることができ、金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、ニオブ添加二酸化チタン（Ｔｉ_1-xＮｂ_xＯ_２）、フッ素ドープ酸化スズ、グラフェンナノリボン又は金属ナノワイヤー等が使用できるが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２）又は酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）が好ましい。これらの透明導電膜のパターニングには、フォト・エッチング法やマスクを用いる方法などを使用することができる。
本液晶表示装置と、バックライトを組み合わせて、液晶テレビ、パソコンのモニター、携帯電話、スマートフォンのディスプレイや、ノート型パーソナルコンピューター、携帯情報端末、デジタルサイネージ等の様々な用途で使用される。バックライトとしては、冷陰極管タイプバックライト、無機材料を用いた発光ダイオードや有機ＥＬ素子を用いた、２波長ピークの擬似白色バックライトと３波長ピークのバックライト等がある。

以下、実施例を挙げて本発明の最良の形態の一部を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。

実施例中、測定した特性は以下の通りである。
Ｔ_ｎｉ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ)
ｄ_ｇａｐ：セルの第一基板と第二基板のギャップ（μｍ）
ＶＨＲ ：７０℃における電圧保持率（％）
（セル厚３．５μｍのセルに液晶組成物を注入し、５Ｖ印加、フレームタイム２００ｍｓ、パルス幅６４μｓの条件で測定した時の測定電圧と初期印加電圧との比を％で表した値）
ＩＤ ：７０℃におけるイオン密度（ｐＣ／ｃｍ^２）
（セル厚３．５μｍのセルに液晶組成物を注入し、ＭＴＲ−１（株式会社東陽テクニカ製）で２０Ｖ印加、周波数０．０５Ｈｚの条件で測定した時のイオン密度値）
焼き付き ：
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。
◎残像無し
○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。

（側鎖）
-n -C_nH_2n+1 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
n- C_nH_2n+1- 炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
-On -OC_nH_2n+1 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
nO- C_nH_2n+1O- 炭素数ｎの直鎖状のアルコキシル基
-V -CH=CH₂
V- CH₂=CH-
-V1 -CH=CH-CH₃
1V- CH₃-CH=CH-
-2V -CH₂-CH₂-CH=CH₃
V2- CH₃=CH-CH₂-CH₂-
-2V1 -CH₂-CH₂-CH=CH-CH₃
1V2- CH₃-CH=CH-CH₂-CH₂
（環構造）

［カラーフィルタの製造］
［顔料分散液の製造］
〈合成例１〉 共重合体ａの合成
キシレン１００部を、窒素気流中８０℃に保ち、攪拌しながらメタクリル酸エチル６８部、メタクリル酸２−エチルヘキシル２９部、チオグリコール酸３部、および重合開始剤（「パーブチル（登録商標）Ｏ」〔有効成分ペルオキシ２−エチルヘキサン酸ｔ−ブチル、日本油脂（株）製〕）０．２部からなる混合物を４時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間ごとに「パーブチル（登録商標）Ｏ」０．５部を添加し、８０℃で１２時間攪拌した。反応終了後不揮発分調整のためキシレンを加え、不揮発分５０％の共重合体ａのキシレン溶液を得た。

〈合成例２〉 共重合体ｂの合成
キシレン１００部を、窒素気流中８０℃に保ち、攪拌しながらメタクリル酸エチル６６部、メタクリル酸２−エチルヘキシル２８部、チオグリコール酸６部、および重合開始剤（「パーブチル（登録商標）Ｏ」〔有効成分ペルオキシ２−エチルヘキサン酸ｔ−ブチル、日本油脂（株）製〕）０．３部からなる混合物を４時間かけて滴下した。滴下終了後、４時間ごとに「パーブチル（登録商標）Ｏ」０．５部を添加し、８０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、不揮発分調整のため適宜量のキシレンを添加し、不揮発分５０％の、共重合体ｂのキシレン溶液を得た。

〈合成例３〉 ポリマーＰの合成
撹拌機，還流冷却器，窒素吹込み管、温度計を備えたフラスコに、キシレン５４．５部、合成例２で得た共重合体ａを１９．０部、共重合体ｂを３８．０部、およびポリアリルアミン１５％水溶液（日東紡績（株）製「ＰＡＡ−０５」、数平均分子量約５，０００）７．５部からなる混合物を仕込み、窒素気流下撹拌しながら１４０℃で撹拌し、分離装置を使用して水を溜去すると共に、キシレンを反応溶液に返流しながら８時間１４０℃で反応を行った。

反応終了後、不揮発分調整のため適宜量のキシレンを添加し、不揮発分４０％の、変性ポリアミンであるポリマーＰを得た。該樹脂の重量平均分子量は１１０００、アミン価は１６．０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

〈製造例１〉 粉末顔料１の製造
ＤＩＣ株式会社製のＦＡＳＴＯＧＥＮ Ｇｒｅｅｎ Ａ１１０（Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ ５８、臭素化塩素化亜鉛フタロシアニン）を、粉末顔料１とした。

〈製造例２〉 粉末顔料２の製造
製造例１で得た粉末顔料１を１００部、ヘプタンを３００部、ポリマーＰを１０部混合し、１．２５ｍｍジルコニアビーズを３００部加えて、ペイントシェーカー（東洋精機株式会社製）で常温にて、１時間撹拌したのち、ヘプタン２００部で希釈し、ジルコニアビーズを濾別し、顔料混合液を得た。

得られた顔料混合液の４００部を温度計、攪拌機、還流冷却器および窒素ガス導入管を備えたセパラブルフラスコに仕込んだ後、メタクリル酸メチルの５部およびエチレングリコールジメタクリレートの５部の重合性単量体組成物に２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）の２部を溶解したものを加えた。室温で３０分間攪拌を続けた後、８０℃に昇温し、同温度で１５時間反応を続けた。降温後、濾過を行い、得られたウエットケーキを熱風乾燥機により１００℃で５時間乾燥後、粉砕機にて粉砕を行い、粉末顔料２を得た。

〈製造例３〉 粉末顔料３の製造
製造例１で得た粉末顔料１を１０部、粉砕した塩化ナトリウムを１００部、ジエチレングリコール１０部を双腕型ニーダーで１００℃８時間混練した。混練後、８０℃の水１０００部を加え、一時間撹拌後、濾過、湯洗、乾燥、粉砕し、粉末顔料３を得た。

〈製造例４〉 分散液１の製造
製造例１で得た粉末顔料１を５部、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ
Ａ）を３３．３部、ポリマーＰを３部混合し、０．５ｍｍセプラビーズを６５部加えて、
ペイントシェーカー（東洋精機株式会社製）で４時間撹拌した。得られた混合液からセプ
ラビーズを濾別し、分散液１を得た。

〈製造例５〉 分散液２の製造
製造例４において、粉末顔料１を粉末顔料２に、ポリマーＰをアジスパーＰＢ８２１（味の素ファインテクノ株式会社製）に変更し、更にキノリンを０．１部添加した以外は同様にして、分散液２を得た。

〈製造例６〉 分散液３の製造
製造例５において、粉末顔料２を５部、ＰＧＭＡを３３．３部、アジスパーＰＢ８２１を３部、キノリンをピロールに変更した以外は同様にして、分散液３を得た。

〈製造例７〉 分散液４の製造
製造例６において、ピロールをオキサゾールに変更した以外は同様にして、分散液４を得た。

〈製造例８〉 分散液５の製造
製造例７において、オキサゾールをピロリジンに変更した以外は同様にして、分散液５を得た。

〈製造例９〉 粉末顔料４及び分散液６の製造
ε型銅フタロシアニン顔料（ＤＩＣ株式会社製「ファストゲン ブルー ＥＰ−１９３」）を粉末顔料４とし、粉末顔料４を５部、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＡ）を３３．３部、ポリマーＰを３部混合し、０．５ｍｍセプラビーズを６５部加えて、ペイントシェーカー（東洋精機株式会社製）で４時間撹拌した。得られた混合液からセプラビーズを濾別し、分散液６を得た。

〈製造例１０〉 粉末顔料５及び分散液７の製造
ジケトピロロピロール系赤色顔料ＰＲ２５４（チバスペシャリティケミカルズ社製「イルガフォアレッドＢ-ＣＦ」；Ｒ−１）を粉末顔料５とし、粉末顔料５を５部、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＡ）を３３．３部、ポリマーＰを３部混合し、０．５ｍｍセプラビーズを６５部加えて、ペイントシェーカー（東洋精機株式会社製）で４時間撹拌した。得られた混合液からセプラビーズを濾別し、分散液７を得た。

［カラーフィルタの製造］
〈製造例１１〉 カラーフィルタ１の製造
カバーガラス（東京硝子器械社製、硼珪酸製カバーガラス）をスピンコーター（ミカサ（株）社製、Ｏｐｔｉｃｏａｔ ＭＳ−Ａ１００）にセットし、製造例４で得た分散液１を１．５ｍｌ供し、６００ｒｐｍで塗工した。得られた塗工物を恒温機中で９０℃３分間乾燥させ、続けて２３０℃３時間加熱処理してカラーフィルタ１を得た。カラーフィルタ１の極大透過波長は、５２３ｎｍであった。透過スペクトルを図３に示す。

〔ＵＳＡＸＳでのカラーフィルタ１の測定〕
カラーフィルタをアルミ製試料ホルダーに固定した。その後、ホルダーを透過測定用試料台にセットした。以下の条件で超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、結果を表１に示した。

測定機器、測定方法は以下の通り。
測定装置：大型高輝度放射光施設：ＳＰｒｉｎｇ−８内のフロンティアソフトマター開発産学連合体が所有するビームライン：ＢＬ０３ＸＵ 第２ハッチ
測定モード：超小角Ｘ線散乱（ＵＳＡＸＳ）
測定条件：波長０．１ｎｍ、カメラ長６ｍ、ビームスポットサイズ １４０μｍ×８０μ
ｍ、アテネーターなし、露光時間 ３０秒、２θ＝ ０．０１〜１．５°
解析ソフト：２次元データの画像化と１次元散乱プロファイル化をＦｉｔ２Ｄ （Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｆａｃｉｌｉｔｙのホームページ［ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｓｒｆ．ｅｕ／ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ／ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ／ＦＩＴ２Ｄ／］より入手）
散乱プロファイルの微分計算およびスムージング処理の解析をＭａｔｈＷｏｒｋｓ製ソフトＭＡＴＬＡＢで行った。次いでマイクロソフト社製ソフトウェアＥｘｃｅｌを用いて湾曲点の算出、解析領域の算出を経て傾きパラメータを得た。
Ｚ値：直線性の判断として２％以内とした。

〈製造例１２〉 カラーフィルタ２の製造
実施例１において、分散液１を分散液２に変更した以外は同様にして、カラーフィルタ２を得た。カラーフィルタ２の極大透過波長は、５２２ｎｍであった。透過スペクトルを図３に示す。得られたカラーフィルタ２については、製造例１１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例１３〉 カラーフィルタ３の製造
製造例１１において、分散液１を分散液３に変更した以外は同様にして、カラーフィルタ３を得た。カラーフィルタ３の極大透過波長は、５２３ｎｍであった。透過スペクトルを図３に示す。得られたカラーフィルタ３については、製造例１１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例１４〉 カラーフィルタ４の製造
製造例１１において、分散液１を分散液４に変更した以外は同様にして、カラーフィルタ４を得た。カラーフィルタ４の極大透過波長は、５２３ｎｍであった。透過スペクトルを図４に示す。得られたカラーフィルタ４については、製造例１１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例１５〉 カラーフィルタ５の製造
製造例１１において、分散液１を分散液５に変更した以外は同様にして、カラーフィルタ５を得た。得られたカラーフィルタ５については、製造例１１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例１６〉 カラーフィルタ６の製造
カバーガラス（東京硝子器械社製、硼珪酸製カバーガラス）をスピンコーター（ミカサ（株）社製、Ｏｐｔｉｃｏａｔ ＭＳ−Ａ１００）にセットし、製造例６で得た分散液３を１．５ｍｌ供し、６００ｒｐｍで塗工した。得られた塗工物を恒温機中で９０℃３分間乾燥させ、カラーフィルタ６を得た。カラーフィルタ６の極大透過波長は、５１５ｎｍであった。透過スペクトルを図４に示す。得られたカラーフィルタ６については、製造例１１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例１７〉 カラーフィルタ７の製造
製造例１１において、分散液１を分散液６に変更した以外は同様にして、カラーフィルタ７を得た。カラーフィルタ７の極大透過波長は、４３５ｎｍであった。得られたカラーフィルタ７について、製造例１１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例１８〉 カラーフィルタ８の製造
製造例１６において、製造例６で得た分散液３を製造例１０で得た分散液６に変えた以外は同様にして、カラーフィルタ８を得た。カラーフィルタ８の極大透過波長は、４３５ｎｍであった。得られたカラーフィルタ８について、製造例１１と同様に超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例１９〉 カラーフィルタ９の製造
製造例１１において、分散液１を分散液７に変更した以外は同様にして、カラーフィルタ９を得た。得られたカラーフィルタ９について、製造例１１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

〈製造例２０〉 カラーフィルタ１０の製造
製造例１６において、製造例６で得た分散液３を製造例１０で得た分散液７に変えた以外は同様にして、カラーフィルタ１０を得た。得られたカラーフィルタ１０について、実施例１と同様に、超小角エックス線散乱測定および傾きパラメータ算出を行い、表１に示した。

（実施例１〜７）
電極構造を第一及び第二の基板に作成し、各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成したのち弱ラビング処理を行い、ＶＡセルを作成し、第一の基板と第二の基板の間に以下の表２に示す液晶組成物１を挟持した。次に、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例１〜７の液晶表示装置を作成した（ｄ_ｇａｐ＝３．５μｍ、配向膜ＳＥ−５３００）。得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表３に示す。

液晶組成物１は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な８１℃の液晶層温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。
実施例１〜７の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例８〜２１）
実施例１と同様に表４に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例８〜２１の液晶表示装置を作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表５及び６に示す。

実施例８〜２１の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例２２〜４２）
実施例１と同様に表７に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例２２〜４２の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表８〜１０に示す。

実施例２２〜４２の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例４３〜６３）
実施例１と同様に表１１に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例４３〜６３の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表１２〜１４に示す。

実施例４３〜６３の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例６４〜８４）
実施例１と同様に表１５に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例６４〜８４の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表１６〜１８に示す。

実施例６４〜８４の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例８５〜１０５）
実施例１と同様に表１９に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例８５〜１０５の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表２０〜２２に示す。

実施例８５〜１０５の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例１０６〜１２６）
実施例１と同様に表２３に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例１０６〜１２６の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表２４〜２６に示す。

実施例１０６〜１２６の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例１２７〜１４７）
実施例１と同様に表２７に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例１２７〜１４７の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表２８〜３０に示す。

実施例１２７〜１４７の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例１４８〜１６８）
実施例１と同様に表３１に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例１４８〜１６８の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表３２〜３４に示す。

実施例１４８〜１６８の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例１６９〜１８９）
実施例１と同様に表３５に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例１６９〜１８９の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表３６〜３８に示す。

実施例１６９〜１８９の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例１９０〜１９６）
液晶組成物１に２−メチル−アクリル酸４−｛２−［４−（２−アクリロイルオキシ−エチル）−フェノキシカルボニル］−エチル｝−ビフェニル−４’−イルエステル０．３質量％を混合し液晶組成物２８とした。実施例１で用いたＶＡセルにこの液晶組成物２８を挟持し、電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行い、次に、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７，９を用いて実施例１９０〜１９６の液晶表示装置を作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表３９に示す。

実施例１９０〜１９６の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例１９７〜２０３）
液晶組成物１３にビスメタクリル酸ビフェニル‐４，４’‐ジイル ０．３質量％を混合し液晶組成物２９とした。実施例１で用いたＶＡセルにこの液晶組成物２９を挟持し、電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行い、次に、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例１９７〜２０３の液晶表示装置を作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表４０に示す。

実施例１９７〜２０３の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例２０４〜２１０）
液晶組成物１９にビスメタクリル酸 ３‐フルオロビフェニル‐４，４’‐ジイル ０．３質量％を混合し液晶組成物３０とした。実施例１で用いたＶＡセルにこの液晶組成物３０を挟持し、電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を６００秒間照射（３．０Ｊ／ｃｍ^２)し、重合処理を行い、次に、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例２０４〜２１０の液晶表示装置を作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表４１に示す。

実施例２０４〜２１０の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（比較例１〜２１）
実施例１と同様に表４２に示す比較液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて比較例１〜２１の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表４３〜４５に示す。

比較例１〜２１の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例２２〜４２）
実施例１と同様に表４６に示す比較液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて比較例２２〜４２の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表４７〜４９に示す。

比較例２２〜４２の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例４３〜６３）
実施例１と同様に表５０に示す比較液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて比較例４３〜６３の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表５１〜５３に示す。

比較例４３〜６３の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例６４〜７７）
実施例１と同様に表５４に示す比較液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて比較例６４〜７７の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表５５〜５６に示す。

比較例６４〜７７の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例７８〜９８）
実施例１と同様に表５７に示す比較液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて比較例７８〜９８の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表５８〜６０に示す。

比較例７８〜９８の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例９９〜１０５）
実施例１と同様に表６１に示す比較液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて比較例９９〜１０５の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表６２に示す。

比較例９９〜１０５の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例１０６〜１２９）
実施例１で用いたＶＡセルに液晶組成物１、２、８、１３、１４、１９、２０及び２６をそれぞれ挟持し、表１に示すカラーフィルタ６、８、１０をそれぞれ用いて比較例１０６〜１４４の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表６３及び６４に示す。

比較例１０６〜１２９の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（実施例２１１〜２３１）
実施例１と同様に表６６に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例２１１〜２３１の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表６７〜６９に示す。

実施例２１１〜２３１の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例２３２〜２４５）
実施例１と同様に表７０に示す液晶組成物を狭持し、表１に示すカラーフィルタ１〜５、７、９を用いて実施例２３２〜２４５の液晶表示装置作成し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を表７１〜７２に示す。

実施例２３２〜２４５の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

Claims (16)

1. 第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶組成物層と、ブラックマトリックス及び少なくともＲＧＢ三色画素部から構成されるカラーフィルタと、画素電極と共通電極とを備え、前記液晶組成物層が一般式（I）
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す。）で表される化合物を３０〜５０％含有し、一般式（II-1）
   

   

   （式中、Ｒ^３は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｚ^３は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物を５〜３０％含有し、一般式（II-2）
   

   

   （式中、Ｒ^５は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^６は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数４〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数３〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂはフッ素置換されていてもよい、１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、Ｚ^４は単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表す。）で表される化合物を２５〜４５％含有する液晶組成物から構成され、
   前記カラーフィルタが、有機顔料を含有するカラーフィルタであって、
   超小角エックス線散乱法に基づき、カラーフィルタ中の有機顔料の超小角エックス線プロファイルを測定する工程（Ａ）と、該散乱プロファイル上で湾曲点を算出する工程（Ｂ）と、該湾曲点から設定される解析領域（ｃ１）を算出する工程（Ｃ）と、解析領域ｃ１での傾きパラメータを算出する工程（Ｄ）とを有する、有機顔料の散乱プロファイル解析において、解析領域（ｃ１）での傾きパラメータが２以下であることを特徴とするカラーフィルタである液晶表示装置。
2. 上記カラーフィルタが、上記有機顔料の散乱プロファイル解析において、解析領域（ｃ１）での傾きパラメータが１．５以下である、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 上記カラーフィルタが、有機顔料の全粒子のうち粒子径が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の粒子の占める体積分率が７％以下である、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 上記有機顔料の極大透過波長が６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
5. 上記有機顔料の極大透過波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
6. 上記有機顔料の極大透過波長が４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
7. 上記有機顔料が、ガラス基板上で形成された塗膜に分散されたものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
8. 前記液晶組成物層に、更に一般式（III）
   

   

   （式中、Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｄ、Ｅ及びＦはそれぞれ独立して、フッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレンを表し、Ｚ^２は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表し、ｎは０、１又は２を表す。ただし、一般式（I）、一般式（II-1）及び一般式（II-2）で表される化合物を除く。）で表される化合物を３〜３５％含有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
9. 一般式（I）において、Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す化合物、及びＡが１，４−フェニレン基を表す化合物をそれぞれ少なくとも１種以上含有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
10. 一般式（II-2）において、Ｂが１，４−フェニレン基を表す化合物、及びＢがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表す化合物をそれぞれ少なくとも１種以上含有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
11. 一般式（II-1）、一般式（II-2）及び一般式（III）で表される化合物を３５〜７０％含有する請求項８記載の液晶表示装置。
12. 前記液晶組成物層を構成する液晶組成物の、以下の式で表されるＺ
    

    

    （式中、γ１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）が１３０００以下であり、γ１が１５０以下であり、Δｎが０．０８〜０．１３である請求項１〜１１の何れか一項に記載の液晶表示装置。
13. 前記液晶組成物層を構成する液晶組成物の、ネマチック液晶相上限温度が６０〜１２０℃であり、ネマチック液晶相下限温度が‐２０℃以下であり、ネマチック液晶相上限温度と下限温度の差が１００〜１５０である請求項１〜１２の何れか一項に記載の液晶表示装置。
14. 前記液晶組成物層を構成する液晶組成物の比抵抗が１０^１２（Ω・ｍ）以上である請求項１〜１３の何れか一項に記載の液晶表示装置。
15. 前記液晶組成物層が一般式（V）
    

    

    （式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｚ^１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、Ｃは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表される重合性化合物を含有する液晶組成物を重合してなる重合体により構成される請求項１〜１４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
16. 一般式（V）において、Ｃが単結合を表しＺ^１が単結合を表す請求項１５記載の液晶表示装置。

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