TWI491090B - 形成膜的方法和製造發光裝置的方法 - Google Patents

Description

形成膜的方法和製造發光裝置的方法

本發明係關於一種用於形成包含有機化合物的層的膜形成的方法。另外，本發明還關於一種將包含有機化合物的層用作發光層的發光裝置的製造方法。

將具有薄型輕量、高速回應、直流低電壓驅動等的特性的以有機化合物用作發光體的發光元件被期待應用於下一代平面顯示器。尤其是，一般認為與現有的液晶顯示裝置相比，將發光元件配置為矩陣狀的顯示裝置具有視角廣且可見度好的優點。

發光元件的發光機構一般被認為：藉由將EL層夾在一對電極之間並施加電壓，使從陰極注入的電子及從陽極注入的電洞在EL層的發光中心複合而形成分子激子，當該分子激子緩和到基態之際釋放能量而發光。作為激發狀態有單重態激發及三重態激發。透過任一激發狀態都可以發光。

構成發光元件的EL層至少具有發光層。另外，EL層也可以由疊層結構構成，其中除了發光層以外還包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層等。

另外，形成EL層的EL材料大致分類為低分子(單體)材料和高分子(聚合物)材料。在很多情況下，一般使用蒸鍍法形成低分子材料的膜，使用噴墨法或旋塗法等形成高分子材料的膜。

專利文獻1(日本專利申請公開2001-52864)及專利文獻2(日本專利申請公開2001-102170)提出使用噴墨法形成EL層。

以噴墨法為代表的液滴噴射法為了從噴嘴噴射，將要形成膜的材料溶解或分散在溶劑等中而調整包含材料的液體，並且藉由從噴嘴噴射其液體而在基板上形成膜。噴墨法可以藉由控制從噴嘴噴射的液滴量或液滴的滴注位置，而選擇性地進行成膜。

另外，在旋塗法、浸漬法、刮刀法等的塗敷法之例中，也準備包含材料的液體。

在使用這些濕式製程時，不容易構成疊層結構。例如，當在第一層的第一材料層上層疊第二層的第二材料層時，第一層的第一材料層的表面容易溶化而有可能包含在第一材料層中的有機材料混入第二材料層中。

另外，在這些濕式製程中，在被處理基板上，每當層疊一層時，進行使溶劑等蒸發的乾燥處理。由於乾燥處理需要大於或等30分鐘至1小時的時間，所以層疊數量越多，產率越降低。另外，由於焙燒溫度根據使用的材料或溶劑而不同，所以例如在最上層的材料層的焙燒溫度比下層的材料層的熔化溫度高時，有可能介面消失而不故意地混合。

鑒於上述問題，發明的目的在於提供一種膜形成的方法及發光裝置的製造方法，其在基板上層疊不同的多個材料層時，在提高處理量的同時順利得到具有所希望的圖案形狀的材料層。

預先在與第一基板上的光吸收層重疊的位置藉由液滴噴射法選擇性地形成材料層。相對配置該第一基板和成為沉積靶基板的第二基板，對光吸收層進行雷射照射以加熱，而在第二基板上形成膜。若光吸收層具有所希望的圖案形狀，則在第二基板上形成反映了照射雷射的光吸收層的圖案形狀的膜。在第二基板上可以得到具有與光吸收層相同的形狀的由包含在材料層中的材料構成的膜。

液滴噴射法很少浪費材料，並且可以精密地控制量和位置。另外，也可以使用預先藉由液滴噴射法形成有不同材料層的疊層或不同材料的混合層的第一基板，進行雷射掃描，而在相對的第二基板表面上形成混合層。本發明可以故意地形成混合層。

另外，也可以藉由液滴噴射法在照射雷射後的第一基板上再次選擇性地形成材料層，來反復使用。藉由不去除留下的材料層而反復使用第一基板，可以提高生產率。另外，為了防止雜質的混入或確保膜厚的均勻性，也可以每次在洗滌而去除留下的材料層之後藉由液滴噴射法選擇性地形成材料層。

預先形成在第一基板上的材料層較佳的藉由液滴噴射法在大氣壓下進行滴注，並且在減壓下較佳的在10^-4 P_a 大於或等於且10^-6 Pa小於或等於進行用於乾燥的加熱。由於在減壓下進行雷射照射，所以若在短時間內進行與第二基板的位置對準，則也可以對在減壓下加熱而未冷卻的第一基板照射雷射。在對保持熱的第一基板照射雷射的情況下，藉由利用具有低輸出的雷射光源或大的餘量(margin)的雷射條件，可以在第二基板上形成膜。

作為雷射，使用重複頻率為大於或等於10MHz並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射。藉由使用像這樣重複頻率極大且脈衝寬度極小的雷射，高效地進行光吸收層中的熱轉換，而可以高效地加熱材料。另外，使用的雷射的波長沒有特別限制，而可以使用各種波長的雷射。例如，可以使用355、515、532、1030、1064nm等的波長的雷射。

從第一基板的背面(不形成有光吸收層及材料層的一面)一側照射雷射。此時照射到形成在第一基板上的光吸收層上的光被吸收，而照射到材料層的光透過。藉由將光吸收層所吸收的光轉換成熱，並且將其熱供給給包含在與光吸收層接觸的區域的材料層中的材料，而在第二基板上形成包含在與光吸收層接觸的區域的材料層中的材料的至少一部分的膜。

預先在第一基板上進行對藉由液滴噴射法滴注的材料層的焙燒。由此，對用作沉積靶基板的第二基板進行成膜需要的時間為至少包括第一基板和第二基板的位置對準所需要的時間及雷射的掃描時間的時間，而可以提高處理量。

另外，即使在第一基板上形成材料層並進行焙燒後，在材料層內部殘留未焙燒的部分，也藉由對第二基板的成膜處理即雷射照射而沒問題地進行成膜。由於對一旦焙燒的材料再施加熱而使材料蒸發，所以實質上進行昇華精製，而可以得到高品質的膜。

液滴噴射裝置的缺點為如下：由於某些原因而噴嘴塞住，不故意地產生沒有噴射的地方，結果，做出具有點缺陷或線缺陷的顯示面板而成為次品。在現有的膜形成的方法中，由於在例如具有TFT的沉積靶基板上直接繪製圖案，所以若噴嘴塞住，則具有TFT的沉積靶基板本身被視為次品。另一方面，由於在本發明中對蒸發施體基板進行液滴噴射，因此分選在噴射時發生噴嘴塞住的蒸發施體基板，只使用進行正常噴射的蒸發施體基板照射雷射，而可以確實在具有TFT的沉積靶基板上形成膜。由於具有TFT的沉積靶基板的製程很複雜，所以成本在直到形成EL層的步驟中容易上升，因此在降低製造成本時，不製造該具有TFT的沉積靶基板的次品是非常重要的。

另外，藉由分選產生噴嘴塞住而噴射的蒸發施體基板，洗滌其基板，並且再次進行液滴噴射而重複進行洗滌及噴射以對蒸發施體基板正常地噴射，而可以準備被正常地噴射的蒸發施體基板。

本說明書提出的發明的結構是一種膜形成的方法：在第一基板的一表面上選擇性地形成光吸收層；選擇性地形成與光吸收層接觸的材料層；將第一基板的形成有所述材料層的一面和第二基板的沉積靶面相對；以及從第一基板的另一表面側對光吸收層照射光，選擇性地加熱位於與光吸收層重疊的位置的所述材料層的至少一部分，以在第二基板的沉積靶面上形成膜。

本發明解決上述課題中的至少一個。

另外，在調整後的液體的黏性低時，有可能在噴射而彈著在第一基板上時，立即擴張而不容易在與光吸收層重疊的位置得到具有所希望的厚度的材料層。另外，在相鄰的光吸收層的距離近時，有可能液體擴張而形成延伸至多個光吸收層的材料層。

於是，較佳的，在光吸收層周圍設置防止液體擴張的分隔壁，並且發明的另一結構是一種膜形成的方法：在第一基板的一表面上選擇性地形成光吸收層；選擇性地形成圍繞光吸收層的分隔壁；在與光吸收層重疊並由分隔壁圍繞的區域選擇性地形成材料層；將第一基板的形成有材料層的一面和第二基板的沉積靶面相對；以及從第一基板的另一表面側對光吸收層照射光，選擇性地加熱位於與光吸收層重疊的位置的材料層的至少一部分，以在第二基板的沉積靶面上形成膜。

另外，設置在第一基板上的分隔壁使用無機材料或有機材料。另外，為了防止熱傳導，較佳的，有間隔地設置分隔壁和光吸收層，並且作為分隔壁的材料，較佳的，使用可耐受雷射照射並使雷射透過的材料。

另外，也可以採用設置在第一基板上的分隔壁和光吸收層部分接觸的結構。在此情況下，較佳的，使用可耐受藉由雷射照射而使光吸收層發熱的溫度的材料。

另外，由於根據分隔壁的高度，可以精密地控制分隔壁圍繞的空間的體積，所以可以將液滴滴住在由分隔壁圍繞的區域中而控制保持在由分隔壁圍繞的區域中的液體量。由此，分隔壁的高度較佳的比所述光吸收層的厚度高。另外，即使滴注了的液體越過分隔壁的高度而溢出並附著在分隔壁的外側，當照射雷射時，分隔壁的外側部分的材料也不蒸發。液滴噴射法除了具有可以精密地控制噴射的液滴量的優點以外，還可以使用分隔壁進一步精密地控制彈著後的液體量。

另外，為了進一步提高形成在第二基板上的膜的厚度的均勻性，第一基板上的光吸收層上的厚度的均勻性是很重要的。由此，分隔壁的高度較佳的比光吸收層的厚度高。藉由將分隔壁的高度設定為比光吸收層的厚度高，在分隔壁內充滿液體，並且將其液面引領至與光吸收層重疊的區域中的位準。使用噴墨裝置噴射的液滴的彈著位置有時稍微偏離，但是若可以在由分隔壁圍繞的區域內彈著液滴，則液體面在由分隔壁圍繞的區域內平均化，從而當後面進行焙燒時，可以在由分隔壁圍繞的區域內得到均勻的厚度。

另外，分隔壁的截面形狀沒有特別限制，但採用矩形或梯形。另外，既可以對分隔壁的表面進行對噴射的液體賦予親水性的表面處理，又可以對分隔壁的表面進行對噴射的液體賦予斥水性的表面處理。另外，隨分隔壁的側面的影響而有如下趨勢，即若表面被親水化，側面附近的厚度則比中央部(由分隔壁圍繞的區域的中央部)厚，而若表面被斥水化，側面附近的厚度則比中央部薄。由此，為了避開該厚度不均勻的部分，也可以採用保持分隔壁和光吸收層之間的間隔的結構。

另外，在第二基板上也設置有用於使電極之間絕緣的分隔壁。在第一基板和第二基板之間的間隔小的情況下，第一基板的分隔壁和第二基板的分隔壁有時接觸。在此情況下，第一基板和第二基板之間的間隔由第一基板的分隔壁和第二基板的分隔壁雙方保持。

另外，為了進行雷射照射，進行第一基板和第二基板的位置對準而保持一定的基板間隔。該基板間隔由第一基板面和第二基板面之間的距離定義。

光吸收層可以使用各種材料。例如，可以使用金屬氮化物如氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬、氮化鎢等；金屬如鈦、鉬、鎢等；以及碳等。另外，由於根據被照射的光的波長而改變適合於光吸收層的材料的種類，所以需要適當地選擇材料。另外，光吸收層不局限於單層，也可以由多層構成。例如，也可以採用金屬和金屬氮化物的疊層結構。另外，可以藉由各種方法形成光吸收層。例如，可以藉由濺射法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法等形成光吸收層。

另外，光吸收層的厚度雖然根據材料而不同，但是藉由採用照射的光不透過的厚度，可以將照射的光不浪費地轉換成熱。由此，較佳採用大於或等於10nm且小於或等於2μm的厚度。另外，光吸收層的厚度越薄，加熱光吸收層全體所需的能量越小。由此，光吸收層的厚度較佳為大於或等於10nm且小於或等於600nm。例如，在照射波長為532nm的光的情況下，藉由將光吸收層的厚度設定為大於或等於50nm且小於或等於200nm，可以高效地吸收照射的光而發熱。

另外，只要可以加熱到包含在材料層中的材料的可成膜溫度(包含在材料層中的材料中的至少一部分被形成在沉積靶基板上的溫度)，光吸收層可以使照射的光的一部分透過。

另外，根據所希望的成膜圖案，實施者設計光吸收層的俯視形狀即可，例如，將光吸收層形成為島狀。當製造發光裝置時，由於用於發光裝置的多個發光元件配置為矩陣狀或採用三角形排列，所以根據其排列設置島狀的光吸收層。

在本說明說中，作為液滴噴射法可以採用噴墨法、微分配法等。

此外，作為雷射，可以使用從如下雷射器中的一種或多種振盪出來的雷射：氣體雷射器如Ar雷射器、Kr雷射器、受激準分子雷射器等；固體雷射器如以將Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一種或多種作為摻雜劑添加的單晶的YAG、YVO₄ 、鎂橄欖石(Mg₂ SiO₄ )、YAlO₃ 、GdVO₄ 、或者多晶(陶瓷)的YAG、Y₂ O₃ 、YVO₄ 、YAlO₃ 、GdVO₄ 作為介質的雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、變石雷射器、及Ti：藍寶石雷射器、光纖雷射器等。另外，也可以使用從上述固體雷射器振盪出來的二次諧波或三次諧波、更高次諧波。另外，若是使用雷射介質為固體的固體雷射器，就有如下優點：可在較長時間保持免維護的狀態，並且其輸出比較穩定。

另外，雷射點的形狀較佳為線狀或矩形。藉由採用線狀或矩形，可以高效地對處理基板上掃描雷射。由此，形成膜需要的時間(節拍時間)縮短，而提高生產率。

藉由採用上述的膜形成的方法，可以形成構成發光元件的EL層的至少一層如發光層。另外，由於可以只在所希望的區域形成膜，所以可以形成微細的圖案，而可以製造高功能的發光裝置。

在製造全彩色發光裝置的情況下，由於需要分別製造發光層，所以藉由使用本發明的膜形成的方法，可以容易分別製造發光層。另外，可以位置精度好地分別製造發光層。

另外，還可以形成除了發光層以外還包括電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、以及電子注入層等的疊層結構。

另外，在本說明書中使用的表示程度的用語，例如"實質上"、"大致"等是指以不使最後結果顯著地變化的方式被改變一些的用語合理出入的程度。雖然這些用語應該被解釋為包括被改變一些的用語的至少±5%的出入，但是以該出入不否定被改變一些的用語的意思為條件。

與使用現有的濕法形成EL層的情況不同，由於不需要考慮已形成的層的溶解性等，所以可以從更多的可選項中選擇要形成膜的材料。另外，也可以自由地設定層疊的層的數量。由此，可以使用所希望的材料製造具有所希望的疊層結構的發光裝置。尤其是，在基板大型化時，可以自由地設計使用的材料的種類或疊層結構是在提高發光裝置的功能的方面上很重要。

下面說明本發明的實施例模式。

實施例模式1

在本實施例模式中說明關於本發明的蒸發施體基板及使用蒸發施體基板的膜形成的方法。另外，在本實施例模式中說明使用蒸發施體基板形成發光元件的EL層的情況。在本說明書中，設置有要成膜的材料並且用於在沉積靶基板上形成膜的基板表示為蒸發施體基板(第一基板)。

圖1A示出蒸發施體基板的一個例子。如圖1A所示，在用作支撐基板的第一基板101上形成有光吸收層102。光吸收層102圖案形成為對應於沉積靶基板上的要成膜的區域。在圖1A中，光吸收層102形成具有開口部106。並且，從液滴噴射裝置的噴嘴114選擇性地噴射的液滴112彈著在光吸收層102上，以在光吸收層102上形成有包含要成膜在沉積靶基板上的材料的材料層103。另外，液滴112包含要成膜在沉積靶基板上的材料。

圖3示出具有液滴噴射裝置的處理室的截面模式圖。在處理室574中設置有液滴噴射裝置。可以舉出配備有其中在單軸方向上排列有多個噴嘴的噴頭的液滴噴射單元583、控制該液滴噴射單元583的控制部1103、以及固定第一基板101並在X、Y、和θ方向上移動的載物台580等。該載物台580還具有藉由真空吸盤等的方法固定第一基板101的功能。並且，從液滴噴射裝置583所具有的各個噴嘴的排放口向第一基板101的方向噴射組成物，來在與光吸收層102重疊的位置形成材料層103的圖案。

載物台580和液滴噴射單元583由控制部1103控制。控制部1103具有載物台位置控制部1101。另外，CCD攝像機等的成像單元1120也由控制部1103控制。成像單元1120檢測標記的位置，並且將其檢測了的資訊供應給控制部1103。另外，還可以將檢測了的資訊顯示在監視器1102上。控制部1103具有對準位置控制部1100。另外，從墨水瓶581對液滴噴射單元583供應組成物。

另外，在形成圖案時，既可以移動液滴噴射單元583，又可以固定液滴噴射單元583並移動載物台580。然而，當移動液滴噴射單元583時，有必要考慮組成物的加速度、液滴噴射單元583所配備的噴嘴與要處理的目標之間的距離、以及其環境。

此外，雖然未圖示，但為了提高所噴射的組成物的彈著精度，作為附屬部件，還可以提供噴頭上下移動的移動機構及對其的控制單元等。因此，取決於要噴射的組成物的特性，可以改變噴頭與第一基板101之間的距離。另外，還可以設置氣體供應單元和淋浴噴頭，這樣可以置換成與組成物的溶劑相同的氣體氣氛，因而，可以在某個程度上防止乾燥。此外，還可以設置用於提供淨化空氣並減少在工作區域中的灰塵的洗滌單元等。另外，雖然未圖示，如果需要，可以還設置加熱基板的單元及測定諸如溫度和壓力等的各種物性值的單元，這些單元也可以由設置在框體外的控制單元共同控制。而且，當藉由LAN電纜、無線LAN、光纖等將控制單元連接到生產管理系統等時，可以從外部一律管理生產製程，其結果，提高了生產率。另外，為了加快被彈著的組成物的乾燥或去除組成物的溶劑成分，也可以藉由真空排氣在減壓下操作液滴噴射單元。

另外，在本發明中，由於在形成材料層103的材料的膜時，照射到第一基板101上的光需要透過第一基板101，所以第一基板101較佳為光透過率高的基板。換言之，在使用雷射作為照射的光的情況下，作為第一基板101較佳的使用使雷射透過的基板。另外，作為第一基板101較佳的使用熱傳導率低的材料。若熱傳導率低，則可以將從照射的光得到的熱高效率地用於成膜。作為第一基板101，例如可以使用玻璃基板、石英基板等。與薄膜基板等相比，玻璃基板或石英基板等不容易吸附或附著雜質(水分等)。由此，在進行成膜時，可以防止雜質的混入。

光吸收層102為吸收在形成膜時照射的光的層。由此，光吸收層102較佳的由對照射的光具有低反射率和高吸收率的材料形成。具體而言，光吸收層102較佳的對照射的光表示為小於或等於70%的反射率。

在本實施例模式中，作為光吸收層102使用氮化鈦。在使用濺射法形成氮化鈦膜之後，使用光微影技術選擇性地蝕刻該氮化鈦膜，以得到所希望的圖案形狀。

另外，在本實施例模式中，作為雷射使用波長為532nm，重複頻率為大於或等於10MHz，並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射。在照射波長為532nm的光的情況下，藉由將光吸收層102的厚度設定為大於或等於50nm且小於或等於200nm，可以使光吸收層102高效地吸收照射的光而發熱。

另外，作為包含在材料層103中的材料，只要是可以藉由液滴噴射法形成膜的材料，就可以使用各種材料，而不管是有機化合物還是無機化合物。在如本實施例模式所示那樣形成發光元件的EL層的情況下，使用形成EL層的可以形成膜的材料。例如，除了使用形成EL層的發光性材料、載流子傳輸性材料等的有機化合物以外，還可以使用用於載流子注入性材料或發光元件的電極等的金屬氧化物、金屬氮化物、鹵化金屬、金屬單質之類的無機化合物。

另外，材料層103也可以包含多個材料。另外，材料層103既可以為單層，又可以層疊多個層。藉由層疊多個包含材料的層，可以在第二基板上進行共蒸鍍。另外，藉由層疊多個包含材料的層，也可以在第二基板上形成混合層。

在本發明中，由於使用液滴噴射裝置形成材料層103，所以將所希望的材料溶解或分散在溶劑中來調整溶液或分散液。在將液滴112從噴嘴114彈著在光吸收層102上之後，為了去除溶劑等而進行乾燥或焙燒。只要是可以溶解或分散材料並且不與材料起反應的溶劑，就沒有特別限制。例如，可以使用鹵基溶劑如氯仿、四氯甲烷、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷或氯苯等；酮基溶劑如丙酮、甲乙酮、二乙酮、n-丙基甲酮或環己酮等；芳香族溶劑如苯、甲苯或二甲苯等；酯基溶劑如乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸正丁酯、丙酸乙酯、γ丁內酯或碳酸二乙酯等；醚基溶劑如四氫呋喃或二氧六環等；醯胺基溶劑如二甲基甲醯胺或二甲基乙醯胺等；二甲亞碸；己烷；或水等。另外，也可以混合這些溶劑中的多種。

在進行用於形成材料層103的乾燥或焙燒之後，為了去除附著在第一基板上的水分而較佳的在減壓下進行加熱。

接下來，如圖1B所示，在與第一基板101的一表面並且形成有光吸收層102及材料層103的表面相對的位置配置用作沉積靶基板的第二基板107。第二基板107為藉由成膜處理形成所希望的層的沉積靶基板。在此實施例模式中，使用蒸發施體基板形成發光元件的EL層的情況，所以在第二基板107上形成有成為發光元件的一個電極的第一電極108及成為分隔壁的絕緣物109。對該第二基板107也較佳的在減壓下進行加熱。並且，對第一基板101和第二基板107進行位置對準而使它們接近並相對。

接下來，如圖1C所示那樣從第一基板101的背面(不形成有光吸收層102及材料層103的一面)一側照射光110。此時，照射到形成在第一基板101上的光吸收層102上的光被吸收，而照射到材料層103的一部分(比光吸收層的端部突出的部分)上的光透過。然後，將光吸收層102所吸收的光轉換成熱，並且將其熱傳給包含在與光吸收層102接觸的區域的材料層103中的材料，將包含在材料層103中的至少一部分材料的膜在形成於第二基板107上的第一電極108上形成。因此，在第二基板107上形成發光元件的EL層111。

本實施例模式中使用的重複頻率為大於或等於10MHz並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射由於可以在短時間內照射，所以可以抑制熱的擴散，而可以形成微細的圖案。另外，重複頻率為大於或等於10MHz並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射由於可以輸出高功率，所以可以同時處理大面積，而可以縮短形成膜所需要的時間。據此，可以提高生產率。

另外，在本實施例模式中，雖然示出了在用作沉積靶基板的第二基板107上形成有第一電極108並且在第一電極108上形成膜的情況，但是也可以將本發明應用於在第一電極108上已形成有EL層的一部分的情況中。例如，可以藉由使用在第一電極108上形成有EL層的一部分(電洞注入層、電洞傳輸層等)的第二基板107，並且應用本發明的膜形成的方法來形成發光層。在製造全彩色發光裝置的情況下，需要選擇性地形成發光層，因此，藉由使用本發明的膜形成的方法可以容易選擇性地形成發光層。另外，可以精度好地選擇性地形成發光層。

另外，由於在根據本發明的蒸發施體基板上設置光吸收層及材料層既可，所以容易製造蒸發施體基板。另外，由於其結構很簡單，所以可以降低製造蒸發施體基板時的成本。

另外，在根據本發明的蒸發施體基板上，與光吸收層接觸的是材料層和支撐基板，所以對蒸發施體基板照射光時可以抑制熱從光吸收層向面方向擴散。因此，可以減少形成為所希望的圖案以外的問題。尤其是，藉由使用熱傳導率低的材料作為蒸發施體基板，可以進一步抑制成膜圖案的模糊。另外，面方向是指與厚度方向正交的方向且指與基板面平行的方向。

另外，在本實施例模式中，如圖1C所示那樣，一部分材料殘留在照射雷射後的第一基板101上。以下說明用以再次利用其上殘留有一部分材料的第一基板101的製程。

為了在下一個沉積靶基板上形成膜，將從液滴噴射裝置的噴嘴114選擇性地噴射的液滴112再次彈著在殘留有一部分材料的狀態的第一基板101上。結果，如圖2A所示，在光吸收層102上形成材料層113。

之後，進行形成有材料層113的第一基板101和下一個沉積靶基板127的位置對準，並且將它們相對配置。如圖2B所示，在下一個沉積靶基板127上也形成有成為發光元件的一個電極的第一電極128及成為分隔壁的絕緣物129。

之後，在減壓下，如圖2C所示那樣從第一基板101的背面(不形成有光吸收層102及材料層113的一面)一側照射光140。由此，在下一個沉積靶基板127上形成發光元件的EL層115。光140為雷射。另外，如圖2C所示，一部分材料殘留在照射雷射後的第一基板101上。像這樣，即使材料殘留在第一基板101上，殘留的部分也對成膜幾乎無貢獻，所以可以不去掉地重複用作蒸發施體基板。第一基板重複傳送在至少連接照射雷射的處理室、進行液滴噴射的處理室、以及將材料層乾燥或焙燒的處理室的路徑。因此，可以減少製造發光裝置時的成本。

當然，藉由去除殘留的材料層並且再次形成新的材料層，可以多次使用一旦用於形成膜的蒸發施體基板。在此情況下，雖然需要進行去除殘留的材料的洗滌的處理時間，但是藉由使用多個蒸發施體基板並同時對多個蒸發施體基板進行洗滌，可以減少製造發光裝置時的成本。

根據本發明的蒸發施體基板，作為蒸發施體基板使用玻璃基板或石英基板。與薄膜基板等相比，這些基板不容易吸附或附著雜質(水分等)。由此，根據本發明的蒸發施體基板適合於再利用。

另外，在本發明中，在蒸發施體基板和沉積靶用基板之間的距離短的狀態下形成膜。由此，由於設置在蒸發施體基板上的材料層的大部分形成在沉積靶基板上，所以材料的利用效率高。因此，可以降低製造成本。另外，由於在蒸發施體基板和沉積靶用基板之間的距離短的狀態下形成膜，並且只加熱材料層103的一部分而將蒸發的材料抑制為最低限度，所以可以防止材料附著在成膜室內壁上，而可以容易維護成膜裝置。

實施例模式2

在本實施例模式中，參照圖4A至4C及圖5A至5C說明為了製造全彩色發光裝置，分別有間距並選擇性地形成紅色發光層、綠色發光層、以及藍色發光層的情況。

首先，為了形成後面成為電洞注入層的材料層，從液滴噴射裝置的噴嘴144選擇性地噴射液滴142，在第一基板131上形成包含具有高電洞傳輸性的物質和呈現電子接受性的物質的材料層133。注意，在第一基板131上預先設置有具有開口部136的光吸收層132。在本實施例模式中，由於電洞注入層是在紅色發光元件、藍色發光元件、以及綠色發光元件中部設置的層，所以與各個像素即各個發光元件的數量對應地設置相同數量的光吸收層132。另外，因為後面形成的電洞注入層的圖案形狀取決於光吸收層132的俯視形狀，所以實施者以得到所希望的電洞注入層的圖案形狀的方式適當地設計光吸收層132的俯視形狀。

另外，在本實施例模式中，如圖4A所示，在第一基板131上設置第一分隔壁134，該第一分隔壁134控制從液滴噴射裝置噴射並彈著的液體量。作為第一分隔壁134使用無機材料或有機材料。另外，其間有間距地設置第一分隔壁134和光吸收層132，以便防止熱的傳導，並且作為第一分隔壁的材料較佳的使用可以耐受雷射照射並使雷射透過的材料。該第一分隔壁134的俯視形狀為框狀，其具有可以在由第一分隔壁134圍繞的區域中保持液體的結構。該第一分隔壁134也以與各個像素即各個發光元件相同的數量設置。第一分隔壁134可以根據第一分隔壁134的高度精密地控制由第一分隔壁134整體圍繞的空間的體積，因此可以藉由在由第一分隔壁134圍繞的區域滴注液體，而控制保持在由第一分隔壁134圍繞的區域的液體量。

另外，作為第一基板131，與實施例模式1同樣使用具有高光透過率的基板，例如玻璃基板或石英基板等。另外，作為光吸收層132，與實施例模式1同樣使用對照射的光具有低反射率和高吸收率的材料。

在結束對由第一分隔壁134圍繞的區域的液滴噴射並且在第一基板131上進行用於形成材料層133的乾燥或焙燒之後，較佳的在減壓下進行加熱，以便去除附著在第一基板的水分。

接下來，如圖4B所示，在與第一基板131的一表面並形成有光吸收層132及材料層133的一面相對的位置配置用作沉積靶基板的第二基板137。另外，在第二基板137上形成有成為發光元件的一個電極的第一電極138、以及成為分隔壁的絕緣物139。對該第二基板137也較佳的在減壓下進行加熱。之後，進行第一基板131和第二基板137的位置對準，並且將它們彼此靠近並相對。

接下來，在減壓下，如圖4C所示那樣從第一基板131的背面(不形成有光吸收層132、第一分隔壁134、以及材料層133的一面)一側照射光150。此時，照射到形成在第一基板131上的光吸收層132上的光被吸收，而照射到材料層133及第一分隔壁134上的光透過。結果，藉由將光吸收層132所吸收的光轉換成熱，並且將其熱供給給包含在與光吸收層132接觸的區域的材料層133中的材料，而在形成在第二基板137上的第一電極138上形成包含在材料層133中的材料中的至少一部分的膜。藉由上述製程，在第二基板137上形成發光元件的電洞注入層141。

在此，如實施例模式1同樣，作為光150使用波長為532nm、重複頻率為大於或等於10MHz、脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射。

另外，雖然在圖4C示出了位於光吸收層132和第一分隔壁134之間的材料層133的一部分也被加熱而蒸發的例子，但沒有特別限制。

接下來，為了形成後面成為電洞傳輸層的材料層，從液滴噴射裝置的噴嘴選擇性地噴射液滴，在第三基板上形成包含具有高電洞傳輸性的物質的材料層。另外，在第三基板上預先設置有光吸收層。在本實施例模式中，由於電洞傳輸層是在紅色發光元件、藍色發光元件、以及綠色發光元件中都設置的層，所以與各個像素即各個發光元件的數量對應地設置相同數量的光吸收層。由此，因為與上述電洞注入層同樣地形成電洞傳輸層即可，所以在此簡單的示出電洞傳輸層的形成。

接下來，在與第三基板的一表面且形成有光吸收層及材料層的面相對的位置配置用作沉積靶基板的第二基板137。

接下來，在減壓下從第三基板的背面(不形成有光吸收層及材料層的一面)一側照射雷射。藉由上述製程，在第二基板137上形成發光元件的電洞傳輸層145。

接下來，為了形成後面成為紅色發光層的材料層，從液滴噴射裝置的噴嘴選擇性地噴射液滴，在第四基板154上形成包含紅色發光材料的材料層605。另外，在第四基板154上預先設置有光吸收層604及第二分隔壁601。在本實施例模式中，紅色發光層是只設置在紅色發光元件中的層，因此，與各個紅色像素即各個紅色發光元件的數量對應地設置相同數量的光吸收層。發光層的所要求的成膜位置精度與在各個像素中都設置的電洞注入層或電洞傳輸層不同，較佳的防止發光層擴展到相鄰的不同發光顏色的像素區域而形成。由此，較佳的縮短基板之間的距離來形成發光層。另外，第二分隔壁601和光吸收層604部分重疊，由第二分隔壁601圍繞的區域比由第一分隔壁圍繞的區域小。

進行第二基板137和第四基板154的位置對準，相對配置第四基板154和第二基板137，並且在保持一定的基板距離的狀態下進行第三次雷射掃描中途的截面模式圖相當於圖5A。如圖5A所示，藉由雷射照射，材料層605被部分加熱而在與電洞傳輸層145重疊的位置選擇性地形成紅色發光層146。

接下來，移動結束雷射掃描的第四基板154，進行第二基板137和第五基板155的位置對準，並且相對配置第五基板155和第二基板137。另外，在第五基板155上預先設置有光吸收層614及第三分隔壁611，並且藉由使用液滴噴射裝置在由第三分隔壁611圍繞的區域形成有包含綠色發光材料的材料層。之後，在保持一定的基板距離的狀態下進行第四次雷射掃描中途的截面模式圖相當於圖5B。如圖5B所示，藉由雷射照射，材料層615被部分加熱而在與電洞傳輸層145重疊的位置選擇性地形成綠色發光層147。

接下來，移動結束雷射掃描的第五基板155，進行第二基板137和第六基板156的位置對準，相對配置第六基板156和第二基板137。另外，在第六基板156上預先設置有光吸收層624及第四分隔壁621，並且使用液滴噴射裝置在由第四分隔壁621圍繞的區域形成有包含藍色發光材料的材料層。之後，在保持一定的基板距離的狀態下進行第五次雷射掃描中途的截面模式圖相當於圖5C。如圖5C所示，藉由雷射照射，包含藍色發光材料的材料層被部分加熱而在與電洞傳輸層145重疊的位置選擇性地形成藍色發光層148。

藉由上述製程，可以分別具有間距地選擇性地形成紅色發光層、綠色發光層、以及藍色發光層。

另外，在本實施例模式中雖然示出了大致相同厚度的電洞注入層及電洞傳輸層，但是沒有特別限制，也可以做出根據發光顏色改變電洞注入層或電洞傳輸層的厚度而高效地取出各個發光顏色的發光裝置。在本發明中，由於使用液滴噴射裝置，所以可以以每個不同發光顏色的像素改變滴注到由分隔壁圍繞的區域的液體量。

在形成發光層之後，在發光層上層疊形成電子傳輸層，並且層疊形成電子注入層，最後形成第二電極。另外，藉由濺射法或電子束法等形成第二電極。藉由上述製程製造在第二基板137上至少具有第一電極、第二電極和它們之間的發光層的發光二極體。

另外，可以藉由與電洞注入層或電洞傳輸層相同的製程形成電子傳輸層或電子注入層。在此情況下，分別準備用於形成電子傳輸層的第七基板和用於形成電子注入層的第八基板即可。另外，也可以做出根據發光顏色改變電子傳輸層或電子注入層的厚度而高效地取出各個發光顏色的發光裝置。

另外，雖然在此示出了設置在第一電極和第二電極之間的EL層由五層即電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層的疊層構成的例子，但是沒有特別限制，也可以由電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層的疊層構成，而實施者考慮到發光材料或發光效率等適當地設計其結構即可。

另外，藉由在製造本實施例模式所示的可進行全彩色顯示的發光裝置的過程中應用本發明，可以以降低所希望的材料的浪費的方式在沉積靶基板上形成膜。由此，材料的利用效率提高，而可以降低製造成本。

另外，在本發明中，藉由利用液滴噴射裝置或分隔壁控制形成在蒸發施體基板上的材料層的厚度，可以控制形成在沉積靶基板上的膜的厚度，因此，不需要當在沉積靶基板上形成膜時使用的膜厚監視器。由此，使用者不需要進行利用膜厚監視器的成膜速度的調整，而可以使成膜製程全自動化。因此，可以提高生產率。

將這樣可得到的發光元件的疊層結構的一例示出於圖6A和6B。

圖6A所示的發光元件中，在基板901上按順序層疊第一電極902、只由發光層913形成的EL層903、以及第二電極904。將第一電極902及第二電極904中的任一個用作陽極，而將另一個用作陰極。從陽極注入的電洞及從陰極注入的電子在EL層903複合，而可以獲得發光。在本實施例模式中，第一電極902為用作陽極的電極，而第二電極904為用作陰極的電極。

另外，圖6B所示的發光元件示出圖6A的EL層903具有層疊多個層的結構的情況，具體而言，從第一電極902一側按順序設置電洞注入層911、電洞傳輸層912、發光層913、電子傳輸層914、以及電子注入層915。另外，EL層903如圖6A所示那樣只要至少具有發光層913就可以發揮作用，所以不需要設置所有的這些層，而根據需要適當地選擇即可。

圖6A和6B所示的基板901相當於圖4A至4C及圖5A至5C中的第二基板137。

另外，第一電極902及第二電極904可以使用各種金屬、合金、導電化合物、以及這些的混合物等。具體來說，例如，可以舉出氧化銦-氧化錫(ITO)、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(IZO)、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。除了這些以外，可以舉出金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、或金屬材料的氮化物(諸如氮化鈦)等。

這些材料的膜通常藉由濺射法形成。例如，可以使用在氧化銦中添加1wt%至20wt%氧化鋅的靶材藉由濺射法形成氧化銦-氧化鋅。另外，可以使用在氧化銦中添加0.5wt%至5wt%氧化鎢和0.1wt%至1wt%氧化鋅的靶材藉由濺射法形成包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦。除了上述方法之外，還可以應用溶膠-凝膠法等，採用噴墨法、旋塗法等來製造。

另外，可以使用鋁(Al)、銀(Ag)、含有鋁的合金等。此外，也可以使用低功函數材料的屬於元素週期表第一族或第二族的元素，即鹼金屬諸如鋰(Li)或銫(Cs)等；鹼土金屬諸如鎂(Mg)、鈣(Ca)或鍶(Sr)等；含這些金屬的合金(諸如鋁、鎂和銀的合金、鋁和鋰的合金)；稀土金屬諸如銪(Eu)或鐿(Yb)等；含這些金屬的合金等。

可以藉由真空蒸鍍法形成由鹼金屬、鹼土金屬或含有這些金屬的合金製成的膜。另外，還可以藉由濺射法形成包含鹼金屬或鹼土金屬的合金。此外，可以藉由噴墨法等形成銀膏等的膜。另外，第一電極902及第二電極904不局限於單層膜，也可以由疊層膜形成。

另外，為了將從EL層903發射的光提取到外部，將第一電極902和第二電極904的任一方或雙方形成為透過光。例如，使用銦錫氧化物等的透光導電材料形成或者以幾nm至幾十nm的厚度形成銀、鋁等。另外，也可以採用厚度被減薄的銀或鋁等的金屬薄膜及使用ITO膜等的透光導電材料而形成的薄膜的疊層結構。

另外，藉由使用液滴噴射裝置形成蒸發施體基板的材料層並且應用照射雷射的膜形成的方法，而可以形成本實施例模式所示的發光元件的EL層903(電洞注入層911、電洞傳輸層912、發光層913、電子傳輸層914或電子注入層915)。

例如，在形成圖6A所示的發光元件的情況下，調整包含形成EL層903的材料的溶液，使用液滴噴射裝置形成蒸發施體基板的材料層，並且使用該蒸發施體基板在基板901上的第一電極902上形成EL層903。之後，藉由在EL層903上形成第二電極904，可以得到圖6A所示的發光元件。

作為發光層913，可以使用各種材料。例如，可以使用發射螢光的螢光化合物或發射磷光的磷光化合物。

作為可用於發光層913的磷光化合物，例如，作為藍色發光材料，可以舉出雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶醇-N,C^2' ]合銥(III)四(I-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶醇-N,C^2' ]合銥(III)吡啶甲酸酯(簡稱：FIrpic)、雙[2-(3',5'雙三氟甲基苯基)吡啶醇-N,C^2' }合銥(III)吡啶甲酸鹽(簡稱：Ir(CF₃ ppy)₂ (pic))、雙[2-(4',6'-二氟苯基)吡啶醇-N,C²¹ ]合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：FIracac)等。另外，作為綠色發光材料，可以舉出三(2-苯基吡啶醇-N,C^2' )合銥(III)(簡稱：Ir(ppy)₃ )、雙(2-苯基吡啶醇-N,C^2' )合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(ppy)₂ (acac))、雙(1,2-二苯基-1H-苯並咪唑)合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(pbi)₂ (acac))、雙(苯並[h]喹啉)合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(bzq)₂ (acac))等。另外，作為黃色發光材料，可以舉出雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C² ')合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(dpo)₂ (acac))、雙[2-(4'-全氟苯基苯基)吡啶醇]合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(p-PF-ph)₂ (acac))、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C^2' )合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(bt)² (acac))等。另外，作為橙色發光材料，可以舉出三(2-苯基喹啉-N,C^2' )合銥(III)(簡稱：Ir(pq)₃ )、雙(2-苯基喹啉-N，C^2' )合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(pq)₂ (acac))等。另外，作為紅色發光材料，可以舉出雙[2-(2'-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶醇-N，C^3’ ]合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(btp)₂ (acac))、雙(1-苯基異喹啉-N,C^2’ )合銥(III)乙醯丙酮鹽(簡稱：Ir(piq)₂ (acac))、(乙醯基丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹喔啉]合銥(III)(簡稱：Ir(Fdpq)₂ (acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉合鉑(II)(簡稱：PtOEP)等的有機金屬配合物。此外，諸如三(乙醯基丙酮)(一菲咯啉)合鋱(III)(簡稱：Tb(acac)₃ (Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(一菲咯啉)合銪(III)(簡稱：Eu(DBM)₃ (Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](一菲咯啉)合銪(III)(簡稱：Eu(TTA)₃ (Phen))等的稀土金屬配合物由於利用稀土金屬離子而發光(在不同多重性之間的電子遷移)，所以可以用作磷光化合物。

作為可用於發光層913的螢光化合物有如下材料。例如，作為藍色發光材料，可以舉出N,N'-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N'-二苯基芪-4,4'-二胺(簡稱：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡稱：YGAPA)等。另外，作為綠色發光材料，可以舉出N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡稱：2PCABPhA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,N',N'-三苯-1,4-苯二胺(簡稱：2DPAPA)、N-[9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-2-蒽基]-N,N',N'-三苯-1,4-苯二胺(簡稱：2DPABPhA)、9,10-雙(1,1'-聯苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡稱：2YGABPhA)、N,N,9-三苯蒽-9-胺(簡稱：DPhAPhA)等。另外，作為黃色發光材料，可以舉出紅熒烯、5,12-雙(1,1'-聯苯-4-基)-6,11-二苯基並四苯(簡稱：BPT)等。另外，作為紅色發光材料，可以舉出N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)並四苯-5,11-二胺(簡稱：p-mPhTD)、7,13-二苯基-N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)苊並[1,2-a]熒蒽-3,10-二胺(簡稱：p-mPhAFD)等。

另外，作為發光層913，也可以採用將發光性高的物質(摻雜劑材料)分散在其他物質(主體材料)中的結構。藉由採用將發光性高的物質(摻雜劑材料)分散在其他物質(主體材料)中的結構，可以抑制發光層的結晶化。另外，可以抑制因為發光性高的物質的濃度高而導致的濃縮猝滅。

作為分散發光性高的物質的物質，在發光性高的物質為螢光化合物的情況下，較佳的使用其單重激發能(基態和單重激發態之間的能量差)大於螢光化合物的物質。另外，在發光性高的物質為磷光化合物的情況下，較佳的使用其三重激發能(基態和三重激發態之間的能量差)大於磷光化合物的物質。

作為用於發光層913的主體材料，例如舉出雙(2-甲基-8-喹啉醇)(4-苯基苯酚)合鋁(III)(簡稱：BAlq)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：TPD)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)等。

另外，作為摻雜劑材料，可以使用上述磷光化合物或螢光化合物。

在採用將發光性高的物質(摻雜劑材料)分散在其他物質(主體材料)中的結構作為發光層913的情況下，作為蒸發施體基板上的材料層，形成主體材料和客體材料混合的層即可。或者，作為蒸發施體基板上的材料層，也可以採用包含主體材料的層和包含摻雜劑材料的層層疊的結構。藉由使用具有這種結構的材料層的蒸發施體基板形成發光層913，得到發光層913包含分散發光材料的物質(主體材料)和發光性高的物質(摻雜劑材料)，並且在分散發光材料的物質(主體材料)中分散有發光性高的物質(摻雜劑材料)的結構。另外，作為發光層913，既可以使用兩種大於或等於的主體材料和摻雜劑材料，又可以使用兩種大於或等於的摻雜劑材料和主體材料。另外，也可以使用兩種大於或等於的主體材料及兩種大於或等於的摻雜劑材料。

另外，在形成圖6B所示的發光元件的情況下，以每個層準備具有由形成EL層903(電洞注入層911、電洞傳輸層912、發光層913、電子傳輸層914、以及電子注入層915)的各個層的材料形成的材料層的蒸發施體基板，分別使用不同的蒸發施體基板形成各個層，並且藉由照射雷射而在基板901上的第一電極902上可以形成EL層903。之後，藉由在EL層903上形成第二電極904，可以得到圖6B所示的發光元件。

例如，作為電洞注入層911，可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。除此之外，也可以使用酞菁化合物如酞菁(H₂ Pc)和銅酞菁(CuPC)等來形成電洞注入層911。

另外，作為電洞注入層911，可以使用包含具有高電洞傳輸性的物質和呈現電子接受性的物質的層。包含具有高電洞傳輸性的物質和呈現電子接受性的物質的層具有高載流子密度且優越的電洞注入性。另外，藉由使用包含具有高電洞傳輸性的物質和呈現電子接受性的物質的層作為與用作陽極的電極接觸的電洞注入層，可以與用作陽極的電極材料的功函數的大小無關地使用各種金屬、合金、導電化合物、以及這些的混合物等。

例如藉由使用具有層疊包含具有高電洞傳輸性的物質的層和包含呈現電子接受性的物質的層而形成的材料層的蒸發施體基板，可以形成包含具有高電洞傳輸性的物質和呈現電子接受性的物質的層。

作為用於電洞注入層911的呈現電子接受性的物質，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(簡稱：F4-TCNQ)、氯醌等。另外，可以舉出過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體地，氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸是較佳的，因為其電子接受性高。其中，氧化鉬尤其是較佳的，因為它在大氣中穩定並且其吸濕性低，從而容易處理。

作為用於電洞注入層911的具有高電洞傳輸性的物質，可以使用各種化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴等。另外，作為用於電洞注入層的具有高電洞傳輸性的物質，較佳的使用具有大於或等於10^-6 cm² /Vs的電洞遷移率的物質。然而，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就還可以使用這些以外的物質。下面具體地列舉可用於電洞注入層911的具有高電洞傳輸性的物質。

作為可用於電洞注入層911的芳香胺化合物，例如可以使用4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：NPB)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：TPD)、4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱：TDATA)、4,4,,4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱：MTDATA)、4,4'-雙[N-(螺環-9,9'-二芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：BSPB)等。另外，可以舉出N,N'-雙(4-甲基苯基)(對-甲苯基)-N,N'-二苯基-對-苯二胺(簡稱：DTDPPA)、4,4'-雙[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、4,4'-雙(N-{4-[N'-(3-甲基苯基)-N'-苯基氨基]苯基)-N-苯基氨基)聯苯(簡稱：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱：DPA3B)等。

作為可以用於電洞注入層911的咔唑衍生物，可以具體地舉出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等。

此外，作為可以用於電洞注入層911的咔唑衍生物，可以舉出4,4'-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)、1,4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2,3,5,6-四苯基苯等。

另外，作為可以用於電洞注入層911的芳烴，例如可以舉出2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：t-BuDNA)、2-叔丁基-9,10-二(1-萘基)蒽、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽(簡稱：DPPA)、2-叔丁基-9,10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡稱：t-BuDBA)、9,10-二(2-萘基)蒽(簡稱：DNA)、9,10-二苯基蒽(簡稱：DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡稱：t-BuAnth)、9,10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡稱：DMNA)、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]-2-叔丁基-蒽、9,10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(1-萘基)蒽、2,3,6,7-四甲基-9,10-二(2-萘基)蒽、9,9'-鉍蒽基、10,10'-二苯基-9,9'-鉍蒽基、10,10'-雙(2-苯基苯基)-9,9'-鉍蒽基、10,10'-雙[(2,3,4,5,6-五苯基)苯基]-9,9'-鉍蒽基、蒽、並四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。此外，也可以使用並五苯、暈苯(coronene)等。如此，更佳的使用具有大於或等於1×10^-6 cm² /Vs的電洞遷移率且碳數為14至42的芳烴。

另外，可以用於電洞注入層911的芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(簡稱：DPVBi)、9,10-雙[4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡稱：DPVPA)等。

藉由使用具有層疊包含這些具有高電洞傳輸性的物質的層和包含呈現電子接受性的物質的層而形成的材料層的蒸發施體基板,可以形成電洞注入層911。在使用金屬氧化物作為呈現電子接受性的物質的情況下，較佳的在蒸發施體基板上形成包含具有高電洞傳輸性的物質的層，然後層疊形成包含金屬氧化物的層。這是因為如下緣故，即在很多情況下，金屬氧化物的可蒸鍍溫度高於具有高電洞傳輸性的物質的可蒸鍍溫度。藉由採用具有這種疊層結構的蒸發施體基板，可以高效率地形成具有高電洞傳輸性的物質和金屬氧化物的膜。另外，可以抑制形成的膜中的濃度的局部不均勻性。例如，藉由在使用液滴噴射裝置形成包含具有高電洞傳輸性的物質的層之後，在其上藉由蒸鍍法層疊包含金屬氧化物的層而準備蒸發施體基板，並且照射雷射，可以在沉積靶基板上容易形成包含具有高電洞傳輸性的物質和金屬氧化物的混合層。溶解或分散具有高電洞傳輸性的物質和金屬氧化物雙方的溶劑的種類很少，不容易準備包含它們的溶液。因此，難以使用現有的濕法直接形成混合層。

另外，包含具有高電洞傳輸性的物質和呈現電子接受性的物質的層除了具有電洞注入性之外，還具有優越的電洞傳輸性，因此還可以將上述電洞注入層911用作電洞傳輸層。

另外，電洞傳輸層912是包含具有高電洞傳輸性的物質的層。作為具有高電洞傳輸性的物質，例如可以使用芳族胺化合物等，如4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺(簡稱：TPD)、4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(簡稱：TDATA)、4,4',4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(簡稱：MTDATA)、或4,4'-雙[N-(螺-9,9'-聯芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：BSPB)等。上述物質主要是具有大於或等於10^-6 cm² /Vs的電洞遷移率的物質。但只要是其電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，就也可以使用除此之外的其他材料。此外，包含具有高電洞傳輸性的物質層不限於單層，也可以層疊兩層大於或等於由前述物質製成的層。

電子傳輸層914是包含具有高電子傳輸性的物質的層。例如，可以使用包含具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬絡合物等，如三(8-羥基喹啉)合鋁(簡稱：Alq)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(簡稱：Almq₃ )、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)合鈹(簡稱：BeBq₂ )、或雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)合鋁(簡稱：BAlq)等。另外，還可以使用具有噁唑類或噻唑類配體的金屬配合物等，如雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑]合鋅(簡稱：Zn(BOX)₂ )、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噻唑]合鋅(簡稱：Zn(BTZ)₂ )等。除了金屬配合物以外，還可使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ01)、紅菲咯啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)等。這裏所述的物質主要為具有大於或等於10^-6 cm² /Vs的電子遷移率的物質。另外，只要是其電子傳輸性高於其電洞傳輸性的物質，就也可以使用除上述之外的其他物質作為電子傳輸層。另外，電子傳輸層不限於單層，也可以層疊兩層大於或等於的由前述物質製成的層。

另外，作為電子注入層915，可以使用諸如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF₂ )等的鹼金屬化合物或鹼土金屬化合物。而且，也可以使用具有電子傳輸性的物質與鹼金屬或鹼土金屬相組合而形成的層。例如，可以使用將鎂(Mg)包含在Alq中而形成的層。另外，因為可以高效地從第二電極904注入電子，所以作為電子注入層，較佳的使用具有電子傳輸性的物質與鹼金屬或鹼土金屬相組合而形成的層。

另外，至於EL層903，對於層的疊層結構沒有特別的限制，適當地組合包含具有高電子傳輸性的物質、具有高電洞傳輸性的物質、具有高電子注入性的物質、具有高電洞注入性的物質、或具有雙極性(具有高電子傳輸性及高電洞傳輸性)的物質等的層與發光層來構成，即可。

在EL層903所獲得的發光透過第一電極902和第二電極904中的任一方或雙方被取出到外部。從而，第一電極902和第二電極904中的任一方或雙方是透光電極。在只有第一電極902是透光電極的情況下，光透過第一電極902從基板901一側被取出。此外，在只有第二電極904是透光電極的情況下，光透過第二電極904從與基板901相反一側被取出。在第一電極902及第二電極904都是透光電極的情況下，光透過第一電極902及第二電極904從基板901一側以及與基板901相反一側被取出。

另外，在圖6A和6B中雖然示出了在基板901一側設置用作陽極的第一電極902的結構，但是也可以在基板901一側設置用作陰極的第二電極904。

另外，作為形成EL層903的方法，使用實施例模式1所示的膜形成的方法即可，還可以與其他膜形成的方法組合。另外，也可以對於各個層分別使用不同的成膜方法來形成。例如，作為可以組合的乾法，可以舉出真空蒸鍍法、電子束蒸鍍法、濺射法等。另外，作為可以組合的濕法，可以舉出旋塗法、噴塗法、噴墨法、浸漬法、澆注法、模壓塗敷法(diecoating)、輥塗法、刮刀塗布法、刮棒塗布法、凹版塗布法或印刷法等。

另外，在本實施例模式中雖然示出了使用紅色發光層、綠色發光層、藍色發光層的三種顏色做出全彩色發光裝置的一例，但是沒有特別限制，既可以還設置白色發光層，又可以做出使用大於或等於四種顏色的發光層的發光裝置。

另外，本實施例模式可以與實施例模式1自由地組合。

實施例模式3

在本實施例模式中，圖7A至7C示出減少蒸發施體基板的使用數量的方法。

雖然在實施例模式2中示出了使用紅色用蒸發施體基板、綠色用蒸發施體基板、藍色用蒸發施體基板的三個基板的例子，但在本實施例模式中將使用具有多個噴頭並且可以從各個噴頭的噴嘴噴射不同材料的液滴噴射裝置的例子示出於圖7A至7C。

由於與實施例模式2的不同之處只在於蒸發施體基板的製造方法，所以使用相同的附圖標記表示相同的部分而進行簡單的說明。

與實施例模式2同樣地準備用作用於形成電洞注入層141的蒸發施體基板的第一基板和用作用於形成電洞傳輸層145的蒸發施體基板的第三基板，按順序與第二基板137進行位置對準以將它們相對配置，並且進行雷射掃描而在第二基板137上形成膜。

如圖7A所示，在第四基板704上設置光吸收層702及分隔壁701，並且使用液滴噴射裝置在與光吸收層702重疊的位置滴注液滴。

若藉由作為第四基板704和第二基板137使用相同尺寸的基板，使用與第一電極138相同的光掩模形成光吸收層702，並且使用與絕緣物139相同的光掩模形成分隔壁701，而可以正確地進行位置對準，因此可以提高成膜位置的精度，而且可以降低光掩模的製造所需要的製造成本。

液滴噴射裝置具有三個噴頭，從各個噴頭的噴嘴即第一噴嘴713R、第二噴嘴713G、以及第三噴嘴713B噴射液滴。從第一噴嘴713R噴射用於形成紅色發光層的第一液滴712R。另外，從第二噴嘴713G噴射用於形成綠色發光層的第二液滴712G。另外，從第三噴嘴713B噴射用於形成藍色發光層的第三液滴712B。在由分隔壁701圍繞的區域分別形成第一材料層703R、第二材料層703G、第三材料層703B。

若有需要，在噴射液滴後進行用於乾燥或焙燒的加熱處理。

接下來，如圖7B所示，在與第四基板704的一表面且形成有光吸收層702、第一材料層703R、第二材料層703G、以及第三材料層703B的一面相對的位置配置用作沉積靶基板的第二基板137。之後，進行第四基板704和第二基板137的位置對準，並且將它們彼此靠近並相對。

接下來，如圖7C所示，在減壓下從第四基板704的背面(不形成有光吸收層702、第一材料層703R、第二材料層703G、第三材料層703B的一面)一側照射雷射710。此時，照射到形成在第四基板704上的光吸收層702的光被吸收。之後，藉由將光吸收層702吸收的光轉換成熱，將其熱供給給與各個光吸收層702接觸的第一材料層703R、第二材料層703G、以及第三材料層703B，而在與形成在第二基板137上的第一電極138重疊的位置形成膜。藉由進行一次雷射掃描，在第二基板137上形成發光元件的紅色發光層146、綠色發光層147、以及藍色發光層148。

由於後續的製程與實施例模式2相同，所以在此省略詳細說明。雖然在實施例模式2中示出了使用七個蒸發施體基板的一例，但是在本實施例模式中由於可以削減兩個蒸發施體基板，所以可以減少到五個蒸發施體基板。

當然，與實施例模式2同樣，作為形成EL層的方法可以使用實施例模式1或實施例模式2所示的膜形成的方法，並且還可以與其他膜形成的方法組合。另外，也可以使用不同的膜形成的方法分別形成各個層。例如，作為可以組合的乾法，可以舉出真空蒸鍍法、電子束蒸鍍法、濺射法等。另外，作為可以組合的濕法，可以舉出旋塗法、噴塗法、噴墨法、浸漬法、澆注法、模壓塗敷法(diecoating)、輥塗法、刮刀塗布法、刮棒塗布法、凹版塗布法或印刷法等。

在所示的實施例中進一步詳細說明由上述結構構成的本發明。

實施例1

在本實施例中，示出使用全自動製造裝置製造發光裝置的例子。

圖8為示出製造裝置的俯視圖的一例。

圖8所示的製造裝置具有第一傳送室582和第二傳送室552，這些傳送室中間夾第一交接室551彼此聯結。所述製造裝置還具有第三傳送室502，該第三傳送室502中間夾第二交接室501與第二傳送室552聯結。再者，所述製造裝置還具有密封室504，該密封室504中間夾第三交接室503與第三傳送室502聯結。

第二傳送室552、第三傳送室502、以及密封室504既可以與真空排氣處理室聯結並進行真空排氣而成為真空狀態，免得水分等混入其中，又可以進行真空排氣之後引入惰性氣體而成為大氣壓狀態。作為真空排氣處理室，使用磁懸浮型渦輪分子泵、低溫泵或乾燥泵。由此，可以將與各個處理室聯結的傳送室的極限真空度成為10^-3 Pa至10^-6 Pa，並且可以控制雜質從泵側及排氣系統反向擴散。

首先，將用作蒸發施體基板的第一基板101安裝在第一匣室(Cassette chamber)571、第二匣室572或第三匣室573中。根據要形成在蒸發施體基板上的膜，選擇這三個匣室中的一個。另外，在第一基板101上預先使用光微影技術等選擇性地形成有光吸收層102。

在如實施例模式1所示那樣使用液滴噴射裝置在第一基板101上選擇性地形成材料層的情況下，將第一基板101以朝上方式安裝在第一匣室571中，使用設置在第一匣室571中的傳送單元524將第一基板101傳送到具有液滴噴射裝置的處理室574中並噴射液滴。另外，由於傳送單元524可以將基板正面和背面反轉，並且可以將基板反轉而載運到處理室574中，所以若要防止灰塵附著到第一基板101的光吸收層上，則也可以將第一基板101以朝下方式安裝在第一匣室571中。

處理室574設置有其中配備有在單軸方向上排列有多個噴嘴的噴頭的液滴噴射單元583、控制該液滴噴射單元583的控制部、固定基板並在X、Y、和θ方向上移動的載物台580、以及對液滴噴射單元583供給組成物的墨水瓶581等。

已進行液滴噴射的第一基板由聯結到處理室574的第一傳送室582的傳送單元522傳送到焙燒室576中，而進行乾燥或焙燒。另外，焙燒室576可以加熱多個基板，並且還可以用作貯存第一基板的貯存室。

另外，在使用利用旋塗法或噴射法等的鍍膜裝置在第一基板101的整個表面上形成材料層的情況下，將第一基板101以朝上方式安裝在第二匣室572中，使用設置在具有鍍膜裝置的處理室575中的傳送單元523將第一基板101傳送到處理室575中並進行塗敷。另外，傳送單元523也可以將基板正面和背面反轉，並且可以將基板反轉而裝載到載物台578上，所以若要防止灰塵附著到第一基板101的光吸收層上，則也可以將第一基板101以朝下方式安裝在第二匣室572中。

處理室575設置有滴注材料溶液的噴嘴、固定基板並旋轉的載物台578、控制該載物台的旋轉數的控制部、裝載結束鍍膜的基板的平臺579、以及對噴嘴供給材料溶液的容器等。

已進行塗敷的第一基板由聯結到處理室575的第一傳送室582的傳送單元522傳送到焙燒室576中，而進行乾燥或焙燒。

另外，在使用電阻加熱法在第一基板上形成材料層的情況下，將第一基板以朝下方式安裝在第三匣室573中，並且由聯結到第三匣室573的第一傳送室582的傳送單元522傳送到第一交接室551中。再者，由設置在聯結到第一交接室551的第二傳送室552中的傳送單元520傳送到預處理室553中，並且在真空(小於或等於5×10^-3 Torr(0.665Pa)，較佳為10^-4 Pa至10^-6 Pa)中進行用於除氣的退火，以便徹底去除含在基板中的水分和其他氣體。之後，由傳送單元520傳送到處理室555中，然後藉由電阻加熱法進行蒸鍍。

處理室555設置有在室內以由虛線表示的軌道移動蒸鍍源557的單元、固定基板的單元、膜厚監視器、以及真空排氣處理室等。蒸鍍源557安裝有多個坩堝，容納在坩堝中的蒸鍍材料藉由電阻加熱法被加熱。在處理室555中，藉由在以朝下方式安裝的基板下方移動蒸鍍源來進行蒸鍍。另外，在使用蒸鍍掩模選擇性地進行成膜的情況下，將貯存在處理室554中的蒸鍍掩模傳送到處理室555中並與基板對準而進行蒸鍍即可。

安裝在第一匣室571、第二匣室572或第三匣室573中並在處理室中適當地形成材料層的第一基板101被傳送到第三傳送室502中，並且由設置在第三傳送室502中的傳送單元521以設置有材料層的面朝上的狀態即朝上方式傳送在雷射照射室515中。另外，在藉由蒸鍍法形成第一基板的材料層的情況下，由於結束成膜時的第一基板為朝下狀態，所以由設置在處理室518中的基板反轉機構將基板正面和背面反轉，然後傳送到雷射照射室515中。

處理室518不僅將基板反轉，還可以用作貯存多個基板的室。另外，若是傳送單元521可以將基板正面和背面反轉，則可以在處理室518中不需要特別設置基板反轉機構，而用作貯存多個基板的室即可。

另外，將成為沉積靶基板的第二基板以朝下方式安裝在第四匣室570中，並且由聯結到第四匣室570的第一傳送室582的傳送單元522傳送到第一交接室551中。再者，由設置在聯結到第一交接室551的第二傳送室552中的傳送單元520傳送到預處理室553中，並且在真空中進行用於除氣的退火，以便徹底去除含在第二基板中的水分和其他氣體。特別在第二基板上設置TFT時，若使用有機樹脂膜作為層間絕緣膜或分隔壁的材料，有可能有機樹脂材料容易導致吸附水分並且產生脫氣，因此，在形成含有有機化合物的層之前進行真空加熱是有效的，其中以100℃至250℃較佳為150℃至200℃的溫度進行例如30分鐘大於或等於的加熱，然後進行30分鐘的自然冷卻，以去除吸附水分。

在製造被動矩陣型發光裝置的情況下，預先在第二基板上至少形成條狀的第一電極。另外，在製造主動矩陣型發光裝置的情況下，預先在第二基板上形成第一電極；與該第一電極電連接的開關元件，例如將非晶半導體膜、多晶半導體膜、微晶半導體膜、單晶半導體膜用作啟動層的薄膜電晶體。

之後，成為沉積靶基板的第二基板由傳送單元520傳送到第二交接室501中，並且由設置在聯結到第二交接室501的第三傳送室502中的傳送單元521以設置有第一電極的面朝下的狀態即朝下方式傳送在雷射照射室515中。

雷射照射室515在其底部具有用於將從雷射光源射出的雷射引入雷射照射室內的窗口120。

在將第一基板傳送到雷射照射室515中之後，與成為沉積靶基板的第二基板相對而進行位置對準，並且由一對基板保持單元516使基板之間的距離d保持恒定。之後，對一對基板照射雷射並且使雷射照射區域相對移動，以進行雷射掃描。

在此，將表示成膜時的視窗120和雷射振盪裝置803的位置關係的模式圖示出於圖9。

射出的雷射從雷射振盪裝置803輸出，經過將光束形狀形成為矩形的第一光學系統804、將光束整形的第二光學系統805、以及將光束成為平行光線的第三光學系統806，其光路被反射鏡807彎曲到垂直於第一基板101的方向。之後，使雷射光束經過透光的視窗120及第一基板101，而將雷射光束照射到光吸收層102上。也可以將視窗120設置為與雷射光束寬度相同或更小的尺寸而用作槽縫。

雷射振盪裝置803射出重複頻率為10MHz大於或等於並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射。重複頻率為大於或等於10MHz並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射由於可以以短時間照射雷射，所以可以抑制熱的擴散，可以使與雷射照射前的光吸收層102重疊的材料層和雷射照射後的形成在第二基板上的膜具有大致相同的區域尺寸，並且可以減少在成膜圖案周邊形成薄膜而大於實施者所希望的成膜圖案的情況。若在成膜圖案周邊形成有薄膜，成膜圖案的輪廓就模糊。可以說，脈衝寬度大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射可以減少該輪廓的模糊。對於雷射的波長沒有特別限制，可以使用各種波長的雷射。例如，可以使用355、515、532、1030、1064nm等的波長的雷射。

另外，較佳的使控制裝置816還控制移動一對基板的一對基板保持單元516地工作。而且，控制裝置816較佳的與具有用於識別位置標記的攝影元件808的位置對準機構相聯動。

在結束雷射掃描時，在第一基板101上，與光吸收層102重疊的材料層消失，而在相對配置的第二基板107上選擇性地形成膜。

若收回結束雷射掃描後的第一基板101並且去除留下的材料層，則可以再次使用第一基板101。將結束雷射掃描後的第一基板101傳送到洗滌室577以洗滌，並且去除留下的材料層。

藉由上述製程可以在第二基板107上選擇性地形成單層的材料層，而在形成疊層的情況下，預先準備第三基板，與結束雷射掃描後的第一基板101交換，在雷射照射室515內與第二基板107相對而進行位置對準，並且利用一對基板保持單元516將基板的間隔保持為恒定。之後，將雷射照射到一對基板上並將雷射照射區域相對移動，來進行第二次雷射掃描。

另外，在第三基板上設置有光吸收層，並且與第一基板同樣，安裝在第一匣室571、第二匣室572或第三匣室573中，在處理室中適當地形成第二層的材料層。

再者，在雷射照射室515內進行層疊時，不從雷射照射室515中搬出第二基板地載運第四基板，並且將第二基板和第四基板相對而位置對準，然後進行雷射照射，使雷射照射區域相對移動，進行第三次雷射掃描。可以藉由同樣的製程層疊大於或等於四層。

在使用雷射照射室515進行成膜的情況下，在載運第二基板之前預先在第一基板、第三基板、第四基板等上分別形成了材料層，將其貯存在處理室518中，並且在將第二基板載運到雷射照射室515中之後按順序交換蒸發施體基板並層疊膜，而可以工作效率好地進行製程。利用雷射加熱預先形成在與沉積靶基板不同的基板上的材料層的膜形成的方法由於控制成膜所需要的材料的量而比現有的電阻加熱法抑制蒸發的材料的量，因此，可以在進行成膜的雷射照射室515中設置多個傳送機械、位置對準單元或基板移動單元等。另外，利用雷射加熱預先形成在與沉積靶基板不同的基板上的材料層的膜形成的方法即使在同一處理室(雷射照射室515)中形成互不相同的發光層時，也可以防止不同發光材料混合起來。

另外，雖然也可以使用雷射照射室515形成大於或等於五層的所有層作為構成發光元件的EL層，但使用雷射照射室515形成至少一層即可。

例如，還可以在使用雷射照射室515在第一電極上層疊形成電洞注入層、電洞傳輸層之後，選擇性地形成紅色發光層及綠色發光層，並且在處理室512內藉由將基板旋轉的電阻加熱法形成藍色發光層。在選擇性地形成藍色發光層的情況下，將貯存在處理室554中的蒸鍍掩模傳送到處理室512中，並且與第二基板進行位置對準並蒸鍍即可。在處理室512中設置有蒸鍍源、基板旋轉單元、用於進行與蒸鍍掩模的位置對準的單元、以及膜厚監視器等。

另外，在藉由電阻加熱法形成電子傳輸層或電子注入層的情況下，在處理室513中進行成膜即可。在處理室513中設置有在室內的箭頭所示的方向上移動第二基板而使它經過蒸鍍源537上方的單元、膜厚監視器、以及真空排氣處理室等。蒸鍍源537具有長線狀，其中蒸鍍材料藉由電阻加熱法被加熱。在選擇性地進行成膜的情況下，將貯存在處理室554中的蒸鍍掩模傳送到處理室513中，與第二基板進行位置對準並固定，並且移動第二基板和蒸鍍掩模來蒸鍍即可。

另外，在藉由電阻加熱法形成電洞注入層或電洞傳輸層的情況下，在處理室555中進行成膜即可。

另外，在藉由電阻加熱法形成紅色發光層的情況下，在處理室511中形成即可。另外，在藉由電阻加熱法形成綠色發光層的情況下，在處理室556中形成即可。在處理室511和處理室556中分別設置有蒸鍍源、基板旋轉單元、膜厚監視器、用於與蒸鍍掩模進行位置對準的單元、以及真空排氣處理室等。另外，在本實施例中雖然示出了在處理室556、511、512中分別形成不同發光顏色的發光層的例子，但是沒有特別限制，例如也可以在處理室555或處理室513中形成紅色發光層，實施者適當地選擇即可。當然，也可以在處理室556、處理室511或處理室512中形成電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層或電子注入層。

另外，雖然示出了在第四匣室570中安裝第二基板之後不載運到其他處理室中地傳送到第二傳送室552中的例子，但是也可以在傳送到第二傳送室552中之前在處理室575或處理室574中在第二基板上形成膜，然後傳送到雷射照射室515中而進行層疊。在此情況下，作為電洞注入層，可以在第一電極上形成由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等的高分子等構成的層。另外，作為用於電洞注入層的具有高電洞傳輸性的物質，可以使用高分子化合物(低聚物、樹狀聚合物、聚合物等)等各種化合物。

另外，在藉由旋塗法形成PEDOT/PSS膜時，因為PEDOT/PSS膜在整個表面上被形成，所以第二基板的端面或周邊部分、端子部、陰極(第二電極)與底部佈線的連接區域等較佳的選擇性地去除它。較佳的在預處理室553中使用掩模藉由O₂ 灰化處理等選擇性地去除PEDOT/PSS膜。在預處理室553中設置電漿產生單元，使選自Ar、H、F及O中的一種或多種氣體激發而產生電漿，來進行乾蝕刻。藉由使用掩模，可以選擇性地只去除不需要的部分。另外，也可以在預處理室553中具備UV照射機構，以便對陽極(第一電極)的表面進行紫外線照射處理。像這樣，預處理室553較佳為除了進行真空加熱以外，還可以進行其他處理如電漿處理或UV照射處理的處理室。

藉由上述的成膜製程中的任一個製程在第二基板上形成EL層，然後形成成為發光元件的第二電極的電極。另外，藉由濺射法或電子束法等來形成第二電極。在使用濺射法的情況下，在處理室514中設置電漿產生單元，並且設置濺射靶材和用於引入材料氣體的單元。在使用濺射法或電子束法時以朝下方式進行成膜，因此可以從雷射照射室515或使用電阻加熱法的處理室中順利傳送第二基板。

另外，在形成第二電極之後，使用傳送單元521經過閘閥540將第二基板傳送到第三交接室503中，並且經過閘閥541傳送到密封室504。在密封室504中結束密封的基板經過閘閥542被傳送到卸載室505中而取出到製造裝置外部。藉由上述方式，可以製造發光二極體(也稱為EL元件)。

另外，在圖8所示的製造裝置中，在處於減壓狀態的各個處理室或各個傳送室中分別設置有閘閥530至535、538、560至566。

另外，本實施例可以與實施例模式1、實施例模式2及實施例模式3中的任一個組合。藉由使用本實施例所示的製造裝置，可以實現發光元件的最佳化。

實施例2

在本實施例中，使用圖10A和10B說明使用圖8的製造裝置形成的主動矩陣型發光裝置。另外，圖10A為示出發光裝置的俯視圖，圖10B為沿圖10A中的A-A’線切斷的截面圖。由虛線所示的1701為驅動電路部(源極側驅動電路)，1702為像素部，1703為驅動電路部(閘極側驅動電路)。另外，1704為密封基板，1705為密封材料，由密封材料1705圍繞的內側1707為空間。

另外，1708為用於傳送輸入到源極側驅動電路1701及閘極側驅動電路1703的信號的佈線，並且從成為外部輸入端子的FPC(撓性印刷線路)1709接受視頻信號、時鐘信號、啟始信號、重置信號等。另外，雖然這裏僅示出了FPC，但該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的發光裝置除了發光裝置本身以外，還包括其上安裝有FPC或PWB的狀態。

下面，參照圖10B說明截面結構。在元件基板1710上形成有驅動電路部以及像素部，這裏示出用作驅動電路部的源極側驅動電路1701和像素部1702。

另外，在源極側驅動電路1701中形成有組合n通道型TFT1723和p通道型TFT1724而形成的CMOS電路。此外，形成驅動電路的電路也可以由公知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，在本實施例中，雖然示出了將驅動電路形成在基板上的驅動器一體型，但是並不一定要如此，驅動電路也可以不是形成在基板上而是形成在外部。

另外，像素部1702由多個像素形成，所述像素包括開關用TFT1711、電流控制用TFT1712、以及電連接到該電流控制用TFT1712的汲極的陽極1713。另外，以覆蓋陽極1713的端部的方式形成有絕緣物1714。在此，絕緣物1714使用正型光敏丙烯酸樹脂膜形成。

此外，為了改善膜的覆蓋性，較佳的在絕緣物1714的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，當將正型光敏丙烯酸用作絕緣物1714的材料時，較佳的將絕緣物1714的上端部形成為具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。此外，作為絕緣物1714，可以使用因光而變為不溶解於蝕刻劑的負型材料、或者因光而變為溶解於蝕刻劑的正型材料。而且，作為絕緣物1714，不僅可以使用有機化合物，還可以使用無機化合物如氧化矽、氧氮化矽等。

在陽極1713上分別形成有發光元件1715及陰極1716。在此，作為用於陽極1713的材料，較佳的使用功函數大的材料。例如，除了使用銦錫氧化物膜、包含矽的銦錫氧化物膜、銦鋅氧化物膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、鋅膜、鉑膜等的單層膜以外，還可以使用氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的疊層；氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜的三層結構等。另外，在使用銦錫氧化物膜形成陽極1713，並且使用氮化鈦膜和以鋁為主要成分的膜的疊層結構或氮化鈦膜、以鋁為主要成分的膜和氮化鈦膜的疊層結構形成與陽極1713連接的電流控制用TFT1712的佈線時，佈線的電阻低，可以與銦錫氧化物膜良好地歐姆接觸，而且可以使陽極1713用作陽極。

另外，發光元件1715具有層疊陽極1713、包含有機化合物的層1700和陰極1716的結構，具體而言，適當地層疊電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、或電子注入層。藉由使用實施例模式所示的利用雷射加熱預先形成在與沉積靶基板不同的基板上的材料層的膜形成的方法形成發光元件1715即可。

而且，作為用於陰極1716的材料，使用功函數小的材料(Al、Ag、Li、Ca、它們的合金MgAg、MgIn、AlLi、氟化鈣或氮化鈣)即可，但不局限於這些，藉由選擇適當的電子注入材料，可以應用多種多樣的導電膜。另外，在使來自發光元件1715的發光透過陰極1716的情況下，有作為陰極1716使用減薄厚度的金屬薄膜與作為透明導電膜的氧化銦氧化錫合金、氧化銦氧化鋅合金、氧化鋅等的疊層的方法。

另外，藉由用密封材料1705將密封基板1704和元件基板1710貼合起來，而獲得在由元件基板1710、密封基板1704、以及密封材料1705圍繞的空間1707中配備有發光元件1715的結構。另外，空間1707除了有填充惰性氣體(氮或氬等)的情況以外，還有填充密封材料1705的情況。

另外，密封材料1705較佳的使用環氧類樹脂。此外，這些材料較佳為盡可能地不透過水分、氧的材料。此外，作為用於密封基板1704的材料，除了玻璃基板、石英基板以外，還可以使用由FRP(玻璃纖維增強塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸等構成的塑膠基板。

藉由上述方式，藉由使用圖8所示的製造裝置，可以得到具有發光元件的發光裝置。

而且，若有需要，本實施例所示的發光裝置也可以使用顏色濾光片等的色度轉換膜。

另外，作為配置在像素部1702中的TFT的啟動層，可以適當地使用非晶半導體膜、包括晶體結構的半導體膜、包括非晶結構的化合物半導體膜等。而且，作為TFT的啟動層，也可以使用具有非晶和晶體結構(包括單晶、多晶)的中間結構並具有自由能方面穩定的第三狀態的半導體，即包含具有短程有序和晶格畸變的晶體區域的半非晶半導體膜(也稱為微晶半導體膜)。半非晶半導體膜至少在膜中的一部分區域包含0.5nm至20nm的晶粒，並且其拉曼光譜向比520cm^-1 低的波數側漂移。另外，半非晶半導體膜在X射線衍射中觀察到由Si的晶格引起的衍射峰值(111)和(220)。另外，半非晶半導體膜包含有至少1原子%或更多的氫或鹵素，以便中和懸空鍵。藉由使材料氣體如SiH₄ 、Si₂ H₆ 、SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 、SiCl₄ 、SiF₄ 等輝光放電分解(電漿CVD)來形成半非晶半導體膜。也可以使用H₂ ；H₂ 和選自He、Ar、Kr、Ne中的一種或多種稀有氣體元素稀釋這些材料氣體。稀釋率在2倍至1000倍的範圍中，壓力在0.1Pa至133Pa的範圍中，電源頻率在1MHz至120MHz，較佳在13MHz至60MHz。基板加熱溫度可以是小於或等於300℃，較佳為100℃至250℃。作為膜中的雜質元素，理想的是將諸如氧、氮或碳等的大氣組分雜質控制為小於或等於1×10²⁰ /cm³ 的濃度，特別地，將氧濃度控制為小於或等於5×10¹⁹ /cm³ ，較佳為小於或等於1×10¹⁹ /cm³ 。另外，將半非晶半導體膜用作啟動層的TFT的電場效應遷移率μ為1cm² /Vsec至10cm² /Vsec。

另外，本實施例可以與實施例模式1、實施例模式2、實施例模式3及實施例1中的任一種組合。例如，實施例模式1所示的膜形成的方法由於可以比現有方法提高發光材料等的利用效率，所以可以降低製造成本。

另外，在本實施例中雖然示出了主動矩陣型顯示裝置的例子，但是也可以使用實施例1所示的製造裝置而製造被動矩陣型顯示裝置。在製造被動矩陣型顯示裝置時，雖然現有的被動矩陣型顯示裝置藉由層疊設置分隔壁，以複雜的形狀如反錐形形成分隔壁，並且對整個表面進行蒸鍍而由分隔壁分隔蒸鍍膜來選擇性地形成EL層，但是若使用圖1A至1C所示的膜形成的方法，可以不形成複雜的分隔壁地選擇性地形成EL層，因此很有用。

實施例3

在本實施例中，使用圖11A至11E說明使用具有利用本發明的膜形成的方法形成的發光元件的發光裝置而完成的各種電子設備。

作為使用本發明的膜形成的方法形成的電子設備，可以舉出電視機、影像拍攝裝置如攝像機和數位相機等、護目鏡型顯示器(頭盔顯示器)、導航系統、音響再生裝置(汽車音響、音響元件等)、筆記型個人電腦、遊戲機、攜帶式資訊終端(攜帶型電腦、行動電話、攜帶式遊戲機、電子書等)、具有記錄媒體的圖像再現裝置(具體地說，具備用於再現記錄媒體如數位通用光碟(DVD)等並可以顯示該圖像的顯示器的裝置)、照明設備等。圖11A至11E示出這些電子設備的具體例子。

圖11A示出了顯示裝置，其包括框體8001、支撐台8002、顯示部8003、揚聲器部8004、視頻輸入端子8005等。該顯示裝置是藉由將使用本發明形成的發光裝置用於其顯示部8003來製造的。另外，顯示裝置包括用於個人電腦、TV播放接收、廣告顯示等的所有資訊顯示用裝置。藉由應用本發明的膜形成的方法，可以大幅度地實現製造成本的降低，而可以提供廉價的顯示裝置。

圖11B示出了筆記型個人電腦，其包括主體8101、框體8102、顯示部8103、鍵盤8104、外部連接埠8105、定位設備8106等。該筆記型個人電腦是藉由將具有使用本發明的膜形成的方法形成的發光元件的發光裝置用於其顯示部8103來製造的。藉由應用本發明的膜形成的方法，可以大幅度地實現製造成本的降低，而可以提供廉價的筆記型個人電腦。

圖11C示出了攝像機，其包括主體8201、顯示部8202、框體8203、外部連接埠8204、遙控器接受部8205、圖像接收部8206、電池8207、音頻輸入部8208、操作鍵8209、接眼部8210等。該攝像機是藉由將具有使用本發明的膜形成的方法形成的發光元件的發光裝置用於其顯示部8202來製造的。藉由應用本發明的膜形成的方法，可以大幅度地實現製造成本的降低，而可以提供廉價的攝像機。

圖11D示出了臺式照明設備，其包括照明部8301、燈罩8302、可調支架(adjustable arm)8303、支柱8304、底座8305、電源8306等。該臺式照明設備是藉由將使用本發明的膜形成的方法形成的發光裝置用於其照明部8301來製造的。另外，照明設備還包括固定在天花板上的照明設備或掛在牆上的照明設備等。藉由應用本發明的膜形成的方法，可以大幅度地實現製造成本的降低，而可以提供廉價的臺式照明設備。

圖11E是行動電話，其包括主體8401、框體8402、顯示部8403、音頻輸入部8404、音頻輸出部8405、操作鍵8406、外部連接埠8407、天線8408等。該行動電話是藉由將具有使用本發明的膜形成的方法形成的發光元件的發光裝置用於其顯示部8403來製造的。藉由應用本發明的膜形成的方法，可以大幅度地實現製造成本的降低，而可以提供廉價的行動電話。

藉由上述方式，可以得到使用藉由本發明的膜形成的方法形成的發光元件的電子設備或照明設備。具有使用本發明的膜形成的方法形成的發光元件的發光裝置的應用範圍極為廣泛，可以將該發光裝置應用於各種各樣的領域的電子設備中。

另外，本實施例可以與實施例模式1、實施例模式2、實施例模式3、實施例1及實施例2中的任一種組合。

101．．．第一基板

102．．．光吸收層

103．．．材料層

106．．．開口部

107．．．第二基板

108．．．第一電極

109．．．絕緣物

110．．．光

111．．．EL層

112．．．液滴

113．．．材料層

114．．．噴嘴

115．．．EL層

120．．．窗口

127．．．沉積靶基板

128．．．第一電極

129．．．絕緣物

131．．．基板

132．．．光吸收層

133．．．材料層

134．．．第一分隔壁

136．．．開口部

137．．．第二基板

138．．．第一電極

139．．．絕緣物

140．．．光

141．．．電洞注入層

142．．．液滴

144．．．噴嘴

145．．．電洞傳輸層

146．．．紅色發光層

147．．．綠色發光層

148．．．藍色發光層

150．．．光

154．．．第四基板

155．．．第五基板

156．．．第六基板

501．．．第二交接室

502．．．第三傳送室

503．．．第三交接室

504．．．密封室

505．．．卸載室

511．．．處理室

512．．．處理室

513．．．處理室

514．．．處理室

515．．．雷射照射室

516．．．基板保持單元

518．．．處理室

520．．．傳送單元

521．．．傳送單元

522．．．傳送單元

523．．．傳送單元

524．．．傳送單元

530至535．．．閘閥

537．．．蒸鍍源

538．．．閘閥

540．．．閘閥

541．．．閘閥

542．．．閘閥

550．．．處理室

551．．．第一交接室

552．．．第二傳送室

553．．．預處理室

554．．．處理室

555．．．處理室

556．．．處理室

557．．．蒸鍍源

560至566．．．閘閥

570．．．第四匣室

571．．．第一匣室

572．．．第二匣室

573．．．第三匣室

574．．．處理室

575．．．處理室

576．．．焙燒室

577．．．洗滌室

578．．．載物台

579．．．平臺

580．．．載物台

581．．．墨水瓶

582．．．第一傳送室

583．．．液滴噴射單元

在附圖中：

圖1A至1C為示出膜形成的方法的截面圖；

圖2A至2C為示出膜形成的方法的截面圖；

圖3為示出具有液滴噴射裝置的處理室的一例的截面圖；

圖4A至4C為示出發光裝置的製程的截面圖；

圖5A至5C為示出發光裝置的製程的截面圖；

圖6A和6B為說明發光元件的截面圖；

圖7A至7C為示出發光裝置的製程的截面圖；

圖8為示出製造裝置的一例的俯視圖；

圖9為照射雷射時的立體圖；

圖10A和10B為示出主動矩陣型發光裝置的結構的圖；以及

圖11A至11E為示出電子設備的一例的圖。

101．．．第一基板

107．．．第二基板

108．．．第一電極

109．．．絕緣物

110．．．光

111．．．EL層

Claims (15)

1. 一種膜形成的方法，包含：在第一基板的第一表面上形成島狀光吸收層；形成圍繞該島狀光吸收層的分隔壁，該分隔壁分離該島狀光吸收層一間隔；形成直接與該島狀光吸收層接觸的包含材料的材料層；配置第二基板以使該材料層與該第二基板相對；從該第一基板的與該第一表面相反一側的第二表面，對該島狀光吸收層照射光，以加熱該材料層的至少一部分，以在該第二基板上形成包含該材料的膜，其中，該材料層的該部分直接與該島狀光吸收層接觸。
2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中使用液滴噴射裝置形成該材料層。
3. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該材料層包含有機化合物。
4. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該島狀光吸收層的厚度為大於或等於10nm且小於或等於600nm。
5. 如申請專利範圍第1項的方法，其中該光是重複頻率為大於或等於10MHz並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射。
6. 一種膜形成的方法，包含：在第一基板的第一表面上形成島狀光吸收層； 形成圍繞該島狀光吸收層的分隔壁，該分隔壁分離該島狀光吸收層一間隔；噴射液滴至該島狀光吸收層的表面以形成包括材料的材料層與該島狀光吸收層直接接觸；配置第二基板以使該材料層與該第二基板相對；從該第一基板的與該第一表面相反一側的第二表面，對該島狀光吸收層照射光，以加熱該材料層的至少一部分，以在該第二基板上形成包含該材料的膜，其中，該材料層的該部分與該島狀光吸收層直接接觸。
7. 如申請專利範圍第6項的方法，其中該分隔壁的高度比該島狀光吸收層的厚度大。
8. 如申請專利範圍第6項的方法，其中該材料層包含有機化合物。
9. 如申請專利範圍第6項的方法，其中該島狀光吸收層的厚度為大於或等於10nm且小於或等於600nm。
10. 如申請專利範圍第6項的方法，其中該光是重複頻率為大於或等於10MHz並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射。
11. 一種發光裝置的製造方法，包含：在第一基板上形成第一電極；在第二基板上的第一表面形成島狀光吸收層；形成圍繞該島狀光吸收層的分隔壁，該分隔壁分離該島狀光吸收層一間隔； 噴射液滴至該島狀光吸收層的表面以形成包括材料的材料層且與該島狀光吸收層直接接觸；配置該第二基板以使該第一電極與該材料層相對；從該第二基板的與該第一表面相反一側的第二表面，對該島狀光吸收層照射光，以加熱該材料層的至少一部分，以在該第一電極上形成包含該材料的膜，其中，該材料層的該部分與該島狀光吸收層直接接觸。
12. 如申請專利範圍第11項的發光裝置的製造方法，其中使用液滴噴射裝置形成該材料層。
13. 如申請專利範圍第11項的發光裝置的製造方法，其中該材料層包含有機化合物。
14. 如申請專利範圍第11項的發光裝置的製造方法，其中該島狀光吸收層的厚度為大於或等於10nm且小於或等於600nm。
15. 如申請專利範圍第11項的發光裝置的製造方法，其中該光是重複頻率為大於或等於10MHz並且脈衝寬度為大於或等於100fs且小於或等於10ns的雷射。