TWI479538B - 具有順服披覆的靜電夾盤 - Google Patents

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TWI479538B
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Description

具有順服披覆的靜電夾盤
本發明概括而言乃關於半導體處理系統，特定而言乃關於製造靜電夾盤的設備和方法，該靜電夾盤乃用於夾箝基板和轉移相關的熱能。
於製造現代的微電子元件，矽晶圓的處理是司空見慣的事。此種處理(包括電漿處理和離子植入)可能是在低壓下進行，其中RF或微波電漿或者高能粒子束傳遞至晶圓，而於處理期間在晶圓產生高溫。然而，此種高溫可以對晶圓造成有害的效應。
半導體處理中的晶圓溫度控制已經利用靜電夾盤(electrostatic chuck，ESC)一段時間了。典型的單極ESC乃示範於圖1，其中ESC 10藉由靜電力來握持晶圓20於定位。晶圓20藉由絕緣層40而與電極30分開。電壓(例如示範成「+」)以電壓來源50而施加於電極30。施加於電極30的電壓在晶圓20產生靜電場(例如示範成「-」)，其在晶圓20上感應出等量但相反的電荷(例如示範成「+」)。晶圓20上的靜電場在晶圓20和ESC 10之間產生靜電力。因此，靜電力握持晶圓20抵靠著絕緣層40。
晶圓20的冷卻可以經由晶圓20和絕緣層40之接觸表面60之間的接觸傳導而發生，其中絕緣層40可以由冷卻水來冷卻。傳統上，晶圓20的冷卻大致上隨著施加於ESC 10的電壓增加而增加。然而，顯著的高電壓可以對晶圓造成有害的效應(例如是產生微粒的原因)，並且隨著失效率增加，可能進一步引發昂貴電源供應器和電源消耗的考量。
於真空環境，傳統的ESC利用晶圓20和絕緣層40之間的冷卻氣體，其中絕緣層40的接觸表面60包括讓冷卻氣體停留的區域。然而，以精確度以及晶圓處理期間由陶瓷層引起的潛在微粒考量來看，傳統上車削陶瓷構成的絕緣層40典型而言具有幾個缺點。
夾箝電極30和晶圓20之間的絕緣層40厚度影響著局部的夾箝力，因此影響整個晶圓的熱均勻度。然而，傳統的製造方法對此方面提供的控制很差。絕緣層40的不均勻性以及夾箝10和晶圓20之間實體間隙的不均勻性便於夾箝壓力上產生可能很大的空間變化，而讓精確溫度控制變得困難。模型和測量顯示：傳統上，平均間隙寬度典型而言會隨著表面和夾箝狀況而變化。此於整個晶圓上之比較大且不可控制的間隙寬度典型而言導致整個晶圓有較低的冷卻能力和不均勻的溫度。
當使用ESC時，整個晶圓背面可以緊緊握持於ESC表面。當二個堅硬表面以此方式握持在一起時，由於壓碎表面的微形特色，遂產生了微粒。因而，ESC表面和晶圓之間的界面變成產生微粒的來源。
因此，此技藝需要一種靜電夾盤，其提供的夾箝表面是可操作的，以顯著限制晶圓處理期間的微粒污染。
以下提出本發明的精簡綜述，以便提供對本發明某些方面的基本了解。此綜述並非本發明的廣泛概觀。它不是要識別本發明的關鍵元件，也不是要限制本發明的範圍。其目的是要以簡化形式來提出本發明的某些概念，以做為稍後提出之更詳細敘述的序曲。
本發明大致上針對形成夾箝板的設備和方法，該夾箝板用於靜電夾盤(ESC)以加熱或冷卻半導體基板。順服層可以披覆於ESC上，以提供減少的摩擦係數而實質減少或消除ESC和基板(例如半導體晶圓)背面之間熱膨脹所產生的微粒。順服層的表面起伏可加以圖案化，並且也可以順服於ESC之陶瓷表面起伏的形狀。順服層可以包括任何柔軟、柔順而有彈性的材料，例如有機矽化物、氟化聚合物和/或TT-。
為了完成前述和相關方面，本發明包括之後完整描述的以及申請專利範圍所特別指出的特色。以下敘述和所附圖式則詳細列出了本發明特定的範例性具體態樣。然而，這些具體態樣只是指出本發明原理可以採用之各式各樣方式的一些而已。從本發明以下詳細描述和配合圖式，本發明的其他目的、優點、新穎特色將會變得明顯。
本發明乃針對靜電夾盤(ESC，例如多極ESC)和形成相關夾箝板的方法，其併入了幾個發明特色。本發明的靜電夾盤尤其透過減少摩擦係數和增加均勻冷卻晶圓基板的能力而減少微粒的產生。據此，本發明現在將參考圖式來描述，其中全篇使用類似的參考數字來指稱類似的構件。應該理解這些方面的敘述僅僅是示範性的，而不應以限制性意味來看待。於底下的敘述，為了解釋起見，列出了許多特定的細節以便提供對本發明的徹底了解。然而，熟於此技藝者顯然知道沒有這些特定細節也可以實施本發明。
本揭示所克服的一項挑戰是達到減少ESC表面的摩擦，而同時允許ESC具有多極和/或單極夾箝(例如其中整個ESC就是一個電極)。ESC表面可以披覆柔軟的/順服的材料，例如TT-，如此可以消除來自熱膨脹的摩擦效應。此ESC表面上的披覆可以是在ESC上的順服層，以提供晶圓背面所接觸的是實質不黏或低摩擦的表面。
本揭示所克服的另一項挑戰是達成靜電夾盤(ESC)，其在基板(例如矽晶圓)和ESC相關的半導體夾箝板之間展現顯著空間均勻的熱傳係數(heat transfer coefficient，HTC)。達成顯著均勻HTC的一種做法是利用基板和夾箝板之間的熱接觸傳導，其中施加於夾箝板的電壓一般決定了基板和夾箝板之間的接觸力量大小。然而，HTC的均勻度典型而言乃相依於接觸壓力的均勻度。
維持均勻HTC的一種方式是提供均勻的夾箝表面。然而，實心的夾箝表面一般需要在整個基板上大的接觸壓力，因此需要大量電力施加於ESC，以便達到顯著的高HTC。依據本發明，移除部份的夾箝表面則允許減少電力，同時減少晶圓上的力。舉例而言，移除夾箝板表面的部分面積，其中剩餘的部份大致界定出讓基板停留於其上的多個突出物。依據本揭示的某一方面，利用了夾箝板之接觸表面積和基板表面積之間的面積比例，其中可以經由多個突出物來發生最大的熱傳，同時對基板的應力減到最少。
圖2是靜電夾盤100的方塊圖，並且示範根據本揭示某些方面的相關系統230。根據本發明一範例性方面，控制靜電夾盤100的系統230可以包括控制器235，其操作上耦合於電壓電源供應器240。控制器235可以操作控制電壓供應器240，以控制供應至ESC 100之極131A、131B的電壓V，其中由於電壓V感應的靜電力，故電壓V正比於基板105所受到的夾箝力量大小。根據某一範例，控制器235可以藉由增加或減少電壓V而進一步控制ESC 100之接觸熱傳係數(HTC)的大小，因此靜電力和夾箝力會分別增加或減少。根據上述範例，控制施加於圖2靜電夾盤100的電壓V則有利地控制了經由夾箝板的熱傳導量。在低接觸壓力，雖然基板105仍被夾箝或固定，但是基板105和靜電夾盤100之間僅轉移最少量的熱能，其中夾盤的熱部份是實質「關閉的」(off)。當較大的電壓V(例如大約100伏特)施加於ESC 100，基板105和夾箝板110之間的接觸壓力便實質增加，藉此快速增加基板105和夾箝板110之間的HTC，所以有效地將夾盤的熱部份「開啟」(on)以加熱或冷卻基板。
於此範例，控制器235可以操作成快速控制施加於ESC 100的電壓V而控制接觸壓力，藉此允許ESC快速改變狀態(例如從加熱狀態變成冷卻狀態)。舉例而言，控制器235可以進一步操作以回饋來自與ESC 100相關之溫度感測器245的晶圓溫度資料T，其中電壓供應器240可以控制安排成閉路回饋。另外可以選擇的是當達到預定溫度時，控制器235操作成大致限制基板105和ESC 100之間的HTC。
根據另一範例性方面，圖2的系統230可以進一步包括一或多個閥250A~250C，其中該等一或多個閥可操作以選擇性地允許一或多個真空泵255將冷卻氣體260以各式各樣的模式泵動經過靜電夾盤100，以用於基板105和ESC 100之間的氣體熱傳導。舉例而言，一或多個閥250A~250C包括一或多個自動閥(例如閥250A)，例如快速作動的電磁閥(solenoid valve)或提動閥(poppet valve)。
根據另一範例性方面，控制器235可以操作上耦合於一或多個真空泵255A~255B、氣體供應器265、電壓供應器240、一或多個閥250A~250C。本範例控制施加於靜電夾盤100的真空則有利地控制經由冷卻氣體260的熱傳導量。因而控制背面壓力的閥250A允許靜電夾盤100快速改變狀態(例如從加熱狀態變成冷卻狀態)。控制器235因而可進一步操作以透過控制一或多個自動閥250來控制基板105和靜電夾盤100之間的氣體壓力。
於另一具體態樣，以放大的部分截面圖來看，順服層106示範成沉積在ESC 100上。順服層106被放大而未依比例來顯示，以便於了解其結構和操作。順服層106可以披覆於ESC 100上，並且可以包括任何柔軟/順服的彈性表面，以減少上面夾箝半導體基板時的背面微粒。於一具體態樣，順服層106可以包括柔軟的順服材料，例如有機矽化物，並且厚度可以是從大約1微米到大約5微米，譬如1微米。厚度可以預定成為在ESC 100上夾箝基板105所需夾箝力的函數。舉例而言，依順服層106的電阻率而定，隨著厚度增加或減少，靜電力也可以增加或減少。
於另一具體態樣，順服層106可以包括任何柔軟的、柔順的彈性材料，例如有機矽化物。於另一具體態樣，順服層106可以包括TT-(NxEdge的產品)以提供柔順的表面。順服層106可操作以減少夾箝半導體晶圓或基板時的背面微粒。於另一具體態樣，順服層106可以包括氟化聚合物(例如PTFE、類似PTFE的披覆)，例如。將ESC 100披覆以順服層106，則ESC 100的表面可以展現減少的摩擦係數，所以可以消除或減少夾箝所產生的微粒和熱膨脹造成的摩擦效應。
再者，順服層106可以包括實質不黏的或低摩擦/低附著的夾箝表面來讓基板背面可以接觸。於一具體態樣，夾箝表面可以是實質平坦的，如圖2所示。順服層106可以順服於ESC 100的表面形狀，因此重疊著ESC 100之適合夾箝基板105的各式各樣表面起伏。舉例而言，ESC 100可以包括提供表面特色的陶瓷元件，該表面特色例如是島狀突出物、纖維狀圖案、或者任何適合接觸基板105的表面起伏。
於另一具體態樣，順服層106可加以塑形以提供相對於ESC 100表面之非共平面的表面。順服層可以是柔順而有彈性的，如此則接觸基板105之各式各樣的特色可以塑形於其中，舉例而言，塑形出島狀突出物、纖維狀圖案或任何適合接觸基板105的表面起伏。
移除部份的表面以提供非共平面的夾箝表面(此藉由塑形順服層或塑形要披覆順服層以順服於其上形狀的陶瓷表面)，則減少了順服層上的背面微粒。此外，雖然因為減少與晶圓背面接觸的面積而會典型減少冷卻，但是此典型而言也可以改善晶圓背後的氣體分佈和冷卻均勻度。
現在參見圖3示範一具體態樣，其中多個突出物140包括已形成於ESC夾箝板110頂表面117上之多個實質圓柱形或矩形的島狀物147。多個突出物140可操作以大致接觸圖2示範之基板105的底表面，藉此界定出突出物接觸面積。雖然從夾箝板110之頂表面117延伸的多個突出物140乃示範成均勻的形狀且以規則的方式排列，但是也構思了多個突出物的其他排列，並且突出物的任何形狀或次序或者其他此種替代方案亦構思落於本發明範圍。
夾箝板110舉例而言包括半導體平台120，其中包括低摩擦/低附著表面的順服層124形成於半導體平台120的頂表面上。順服層124可以包括氟化聚合物、有機矽化物或TT-。順服層124可以是柔順的以順服於ESC表面形狀和/或加以塑形以於其中提供表面特色。
圖4示範範例性突出物140，其中順服層148大致順服於多個突出物140的形狀，並且具有大致圓化的一或多個尖銳邊緣146A，藉此界定出突出物140之一或多個圓化的邊緣146B。舉例而言，在基板105相對於夾箝板110的熱移動(例如熱膨脹或收縮)期間，順服層148可以提供有利的滑動特色。舉例來說，基板105相對於突出物140的熱移動158可以藉著突出物140而在基板105上產生力F。
舉例而言，順服層148可以具有低發射性，其中從基板105朝向夾箝板110發射的熱(未顯示)可以於基板加熱期間從保護性披覆所反射，藉此促進經由間隙中的氣體傳導(當利用氣體傳導時)來發生熱傳導。根據另一範例，順服層148在夾箝板110和基板105之間提供實質順服的界面149，其中順服層148大致減少摩擦造成污染的可能性，而此污染會使夾箝板110和基板105背面劣化。因為順服層148柔順度的關係，順服層148因而允許以更均勻的方式發生膨脹。根據又一範例，順服層148可操作以大致允許基板105側向滑動於夾箝板110和基板105之間的界面149上。順服層148大致順服於多個突出物140的形狀，藉此圓化其一或多個尖銳邊緣146A，並且可以提供低摩擦/低附著的表面以減少基板105和界面149之間的摩擦係數。
現在參見圖5，示範的靜電夾盤500包括靜電夾盤陶瓷元件510、金屬元件512。靜電夾盤陶瓷元件510可以由陶瓷材料所構成，舉例而言如氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2 O3 )、鈦酸鈣(CaTiO3 )或鈦酸鋇(BaTiO3 )，也可以由氮化鋁(AlN)所構成。靜電夾盤電極518例如可以藉由燒結或此技藝中具一般技術水準者所體會的其他方法而埋嵌於靜電夾盤陶瓷元件510。靜電夾盤元件510的表面可以經由端子520施加電壓至靜電電極518而帶電，導致產生靜電吸引，而使矽晶圓516可以吸附於此吸附表面上，即靜電夾盤陶瓷元件510的上表面。此外，於具有結合結構514的靜電夾盤元件510和靜電夾盤金屬元件512之中，可以製作孔洞524以通過冷卻介質522，譬如氬氣(Ar氣體)、氮氣(N2 氣體)和類似者。再者，若不採用此做法或者附帶於此做法，金屬元件512可以提供以另一種冷卻機制，譬如水冷卻機制和/或此技藝中具一般技術水準者所體會的任何其他方法。
此外，於一具體態樣，披覆或順服層523可以提供比晶圓516背面還大的表面積。面積的差異舉例而言可以允許氣體分子在特色548(例如散熱器表面的皺摺)裡統計上彈跳多次。順服層523的表面起伏可加以圖案化，以使其包括的表面起伏讓該層523對基板的接觸比例小於100%。順服層523的表面起伏也可以包括特色548，其包括皺摺、溝槽、微點和/或島狀突出物548以供接觸，而使順服層523相對於晶圓516背面的接觸比例小於100%。島狀物幾何上可以是實質圓柱形和/或實質矩形，並且可以是由順服層523所形成。
於另一具體態樣，順服層523可加以塑形以提供相對於陶瓷元件510之表面而為非共平面的表面，例如示範於圖5。舉例而言，順服層523的表面起伏可加以塑形以形成各式各樣的特色548，例如皺摺、島狀突出物、微點和/或纖維網狀圖案，以支持晶圓516背面。順服層523可以順服於陶瓷元件510的表面形狀以提供特色548，並且本身也可加以塑形以提供各式各樣的特色548，例如皺摺、溝槽、微點和/或島狀突出物548。任何適合接觸晶圓516背面的特色548皆設想成落於本揭示的範圍裡。
再者，順服層523可以包括低摩擦的夾箝表面，而讓基板516背面可以接觸於其上。於一具體態樣，相對於陶瓷元件510表面所形成的表面特色548來看，夾箝表面可以是實質平坦的而本身沒有任何突出物或圖案，但是塑形成底下陶瓷元件510之各式各樣的表面起伏。舉例而言，陶瓷元件510中例如溝槽、島狀突出物、微點和/或皺摺的特色548可以披覆以順服層523，並且以此塑形順服層523。
於另一具體態樣，特色548可以由陶瓷元件510所形成，此外上面還具有塑形於順服層523的特色。舉例而言，表面特色555的放大圖550可見於圖5。特色555可以由順服層510的材料所形成，並且停留在可以由陶瓷元件510所形成的特色548上。舉例而言，順服層523可以包括微點，其散布於可以由陶瓷元件510所形成的特色548上。如上所討論，特色548可以由陶瓷元件510和/或順服層523的材料所形成，並且是任何適合接觸基板以減少晶圓516對ESC之接觸面積(此處可以產生微粒)的特色。
於一具體態樣，順服層的厚度範圍可以是大約1~5微米，舉例而言，可以利用大約2微米。厚度可以預定成在ESC 500上夾箝基板所需夾藉力的函數。依順服層523的電阻率而定，隨著厚度增加或減少，靜電力也可以增加或減少。
於一具體態樣，順服層523可以包括teflon或類似PTFE的披覆。順服層523可以包括柔軟的順服材料，例如有機矽化物或TT-，以提供柔順的表面，而當夾箝半導體晶圓或基板時能減少背面微粒。於另一具體態樣，順服層523可以包括氟化聚合物(例如PTFE、類似PTFE的披覆)，例如。將ESC 500披覆以順服層523，則ESC 500的表面可以展現減少的摩擦係數，所以可以消除或減少初始夾箝所產生的微粒和熱膨脹所造成的摩擦效應。
於一具體態樣，順服層523可以包括奈米纖維，其披覆以有機矽化物或TT-，而在上面提供較大的表面積和/或夾箝力以及整體的柔順度。皺摺或島狀突出物548可以是分散的奈米纖維，其在層523裡形成類似網狀的圖案。任何適合接觸晶圓516背面的圖案皆可以在此實施。
本揭示也針對形成基於半導體之多極靜電夾盤的方法。雖然範例性方法在此示範和描述成一系列的動作或事件，但是將體會本發明並不受限於此等動作或事件所示範的次序，因為依據本發明，某些步驟可以不同次序來發生和/或與在此所示和敘述的其他步驟同時發生。此外，並非需要所有示範的步驟才可以實施依據本發明的方法。再者，將體會本方法可以相關於在此示範和描述的系統來實施，也可以相關於未示範的其他系統來實施。
現在參見圖6，示範形成用於靜電夾盤之夾箝板的方法600，其中夾箝板包括順服層，其具有彈性以允許半導體晶圓背面和ESC的陶瓷元件之間做熱傳，以及減少其上所產生的微粒。其表面包括低摩擦表面，它是柔順而順服於晶圓和陶瓷元件的表面。順服層足以減少摩擦係數，這是因為它夠柔順以減少熱膨脹所產生的摩擦。因此，減少或實質消除了微粒的產生。
開始於動作601，先形成ESC的夾箝元件，其可以包括陶瓷元件，而陶瓷元件可以包括各式各樣的陶瓷(例如AlN)和材料(例如有或沒有奈米纖維的金屬電極)，以夾箝晶圓至其表面。在603，披覆順服層(如上所討論)而重疊陶瓷(例如陶瓷元件)的表面。對於陶瓷表面而言，順服層可以是實質平坦、均勻的，並且可以順服於陶瓷表面圖案化之各式各樣的表面起伏形狀。於另一具體態樣，順服層本身是以足以接觸晶圓背面的各式各樣突出物、島狀物和/或纖維狀而圖案化。於另一範例，順服層可以包括有機矽化物或TT-以造成低摩擦的彈性表面來接觸晶圓背面。奈米纖維可以披覆於順服層裡，以提供整體較大的表面積和更多的柔順度。最後，晶圓握持於ESC表面。
雖然已相對於特定較佳的具體態樣來顯示和敘述本發明，但是在閱讀和理解說明書和所附圖式後，熟於本技藝者顯然可以想到等效的變化和修改。尤其關於上述元件(組件、裝置、電路…等)所進行的各式各樣功能，用於描述此種元件的詞彙(包括參考於「機構」(mean))，除非另有所指，否則乃想要對應於執行所述元件之特定功能的任何元件(亦即功能上相等)，即使結構上並未等同於執行本發明此處示範之範例性具體態樣功能所揭示的結構。另外，雖然本發明的特色可能已相對於數種具體態樣中的僅僅一種而揭露，但是若對於任何給定的或特殊的用途可以是想要的而有利的話，則此種特色可以結合其他具體態樣的一或多種其他特色。
10．．．靜電夾盤(ESC)
20．．．晶圓
30．．．電極
40．．．絕緣層
50．．．電壓來源
60．．．接觸表面
100．．．ESC
105．．．基板
106．．．順服層
110．．．夾箝板
117．．．頂表面
120．．．半導體平台
124．．．順服層
131A,131B．．．ESC的極
140．．．突出物
146A．．．尖銳邊緣
146B．．．圓化的邊緣
147．．．島狀物
148．．．順服層
149．．．夾箝板和基板之間的界面
158．．．熱移動
230．．．ESC控制系統
235．．．控制器
240．．．電壓電源供應器
245．．．溫度感測器
250A,250B,250C．．．閥
255A,255B‧‧‧真空泵
260‧‧‧冷卻氣體
265‧‧‧氣體供應器
500‧‧‧ESC
510‧‧‧陶瓷元件
512‧‧‧金屬元件
514‧‧‧結合結構
516‧‧‧矽晶圓
518‧‧‧電極
520‧‧‧端子
522‧‧‧冷卻介質
523‧‧‧順服層
524‧‧‧孔洞
548‧‧‧特色
550‧‧‧放大圖
555‧‧‧表面特色
600‧‧‧形成用於ESC之夾箝板的方法
601,603‧‧‧方法動作
F‧‧‧力
T‧‧‧晶圓溫度資料
V‧‧‧電壓
圖1是範例性先前技藝之靜電夾盤的部分截面圖。
圖2是根據本發明一範例性方面之靜電夾盤的部分截面圖。
圖3是根據本發明一範例性方面之範例性夾箝板的平面圖。
圖4是根據本發明一方面之範例性突出物的部分截面圖。
圖5是根據本發明一範例性方面之範例性夾箝板的部分截面圖。
圖6是示範根據本發明之形成基於半導體之靜電夾盤的範例性方法流程圖。
100．．．靜電夾盤(ESC)
105．．．基板
106．．．順服層
110．．．夾箝板
230．．．ESC控制系統
235．．．控制器
240．．．電壓電源供應器
245．．．溫度感測器
250A,250B,250C．．．閥
255A,255B．．．真空泵
260．．．冷卻氣體
265．．．氣體供應器
T．．．晶圓溫度資料
V．．．電壓

Claims (11)

  1. 一種靜電夾盤，其用於夾箝基板和控制相關熱傳，該靜電夾盤包括：陶瓷元件，其包括陶瓷表面；以及順服層，其包括低摩擦表面而覆蓋陶瓷表面，其提供夾箝基板的夾箝表面，其中順服層包括披覆以有機矽化物的奈米纖維。
  2. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中順服層包括1微米到大約5微米的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中陶瓷元件包括基於氮化鋁的材料。
  4. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中順服層包括使順服層對基板的接觸比例小於100%的表面起伏圖案，以及其中在順服層下的陶瓷表面包括實質平坦的表面。
  5. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中順服層包括表面起伏，其以接觸島狀物而加以圖案化，而使順服層的接觸比例小於100%。
  6. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中順服層順服於陶瓷元件之陶瓷表面的形狀，以及其中陶瓷表面位於順服層下並且該陶瓷表面不包括平坦的表面，且其中該陶瓷表面包括使順服層對基板的接觸比例小於100%的表面起伏圖案。
  7. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中順服層包括1微米到5微米的厚度，其為足以夾箝基板之夾箝力的函數。
  8. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中陶瓷元件包括溝槽，而順服層順服於陶瓷元件的溝槽形狀。
  9. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中順服層包括氟化聚合物披覆。
  10. 如申請專利範圍第1項的靜電夾盤，其中順服層包括1微米到5微米的厚度，其為足以夾箝基板之夾箝力的函數；其中順服層的表面起伏包括多個特色，其在順服層下延伸以接觸基板；其中該特色包括陶瓷材料、順服層材料、或陶瓷材料和順服層材料二者；並且其中該特色包括彼此分開的皺摺、溝槽、微點和/或島狀特色以接觸基板。
  11. 如申請專利範圍第10項的靜電夾盤，其中皺摺和/或島狀特色包括分散的奈米纖維，其在順服層之內定義一網狀的圖案。
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