TWI479247B - 製造電色裝置的方法 - Google Patents

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Description

製造電色裝置的方法
本發明大體上是關於電色裝置，且特別是關於製造電色裝置的方法，包括雷射圖案化/切割。
電色裝置為回應施加至裝置之電壓而改變光(與熱)傳輸性質的裝置。電色裝置可製作成電性切換透明與半透明狀態(其中穿透光為彩色)。另外，某些過渡金屬混成電色裝置可製作成切換透明與反射狀態。電色裝置可應用到許多產品，包括建築窗、後視鏡和用於博物館展示箱的防護玻璃。當其應用到建築窗時，電色裝置的保證壽命需至少十年，最好為三十年或以上。然電色裝置接觸大氣氧和水會降低裝置性能及縮短裝置壽命。故電色裝置需設計成能承受周圍氧化劑的不當作用。
建築窗一般呈絕緣玻璃單元(insulated glass unit,IGU)形式。IGU包含兩片相隔且四邊密封的玻璃板。其內部空間填充如氬氣之鈍氣，以提供隔熱。當電色裝置應用到IGU時，其製造在外部玻璃板(在外面板)並置於其內面表面。IGU內的惰性環境不會影響電色裝置性能。但若IGU密封失敗，則仍需保護電色裝置以對抗周圍氧化劑。
第1圖繪示先前技術之電色裝置100。參見頒予Zieba等人的美國專利證書號5,995,271。裝置100包含玻璃基板110、下透明導電氧化物(transparent conductive oxide,TCO)層120、陰極130、固態電解質140、反電極150、上TCO層160、保護塗層170、第一電觸點180(至下TCO層120)和第二電觸點190(至上TCO層160)。另外，擴散阻障層(未繪示)設在玻璃基板110與下TCO層120之間，以減少離子從玻璃基板擴散到TCO層，反之亦然。注意第1圖電色裝置的部件層未按比例繪製。例如，典型的玻璃基板厚度達數毫米，且電色裝置一般覆蓋如建築窗或後視鏡完全露出的區域。其他基板材料也可採用，例如塑膠，如聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)和聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)。典型的部件層厚度列於下表。
迫使離子(如鋰或氫離子)從反電極150經由(非導電)固態電解質140而至陰極130例如可從透明狀態切換成彩色狀態。反電極150為離子存儲膜，陰極130具電色性以提供預定光傳輸性質變化。反電極150經”陽極賦色”使得層因離子嵌出而從透明變成彩色時，也可當作電色層。在此情況下，陰極變成反電極。結合二電極作用亦可產生更大對比。電色裝置的運作詳述於”Granquvist,C.-G.,Nature Materials,v5,n2,Feb. 2006,p 89-90”。為使裝置適當運作，下TCO層120和陰極130必須電氣分離反電極150和上TCO層160。透過第一和第二電觸點180、190可電接觸外部驅動電路。
可從第1圖清楚看出，裝置100需圖案化五個主動裝置層120-160。圖案化方式可採行傳統運用物理/陰影遮罩的微影技術。使用傳統微影技術和物理遮罩有許多缺點，尤其是在大量製造(high volume manufacturing,HVM)方面。例如，使用物理遮罩會：(1)大幅增加HVM和大面積比例化所需的投資額；(2)增加擁有成本(耗材遮罩費用、清潔、化學品等)；(3)因需對準而降低產量；以及(4)因遮罩易破裂而轉變成電色裝置的缺陷(如色中心和保護層內的針孔)，導致產率損失。由於保護層含有針孔讓氧化劑抵達裝置的主動層，故最終將造成電色裝置失效。若IGU密封不當使得大氣氧化劑漏進單元，則密封在IGU的電色裝置會發生上述問題。如此保護層內含針孔之裝置的壽命將無法達到預期的數十年之久。在HVM製程中，使用物理遮罩(普遍用於傳統和當前的電色裝置製造技術)將引起更大的複雜度和更多的製造成本。複雜度和成本是因需製造極精密遮罩及使用(自動化)管理系統來對準和再生遮罩所致。由眾所周知用於矽基積體電路產業的光微影製程可推測成本和複雜度。此外，維修遮罩及增加對準步驟而限制產量亦會增加成本。隨著比例化製造更大面積的基板，製程適應益發困難，成本也越來越高。再者，物理遮罩本身的可利用性和性能極限限制了比例化製造更大的基板。此對需有無數形狀和尺寸的建築窗應用尤其明顯。因此，需要具成本效益、彈性且與大量製造相容的電色裝置製造方法。另外，鑒於運用遮罩之微影製造步驟相關的產率課題，仍需用來圖案化電色裝置之許多部件層的改良方法。
如第1圖所示，利用雷射切割技術來圖案化五個主動裝置層120-160。參見頒予Hichwa等人的美國專利證書號5,724,175。然Hichwa等人的雷射切割法因雷射剝離待切割溝槽壁上之材料再沉積而污染主動電色層露出的邊緣。污染會降低電色裝置的性能。另外，雷射剝離產生的微粒將沉積在裝置表面。塗鋪保護塗層時，表面存有微粒會在塗層內形成針孔。保護塗層內的針孔將使裝置接觸周圍氧化劑，以致裝置提早失效。故需不會降低電色裝置性能的雷射切割製程。
總言之，需改良用於電色裝置的圖案化製程及需改善圖案化製程與電色裝置製造整合。
本發明之概念和方法是藉由消除及/或最少化使用傳統遮罩來降低大量製造電色裝置的成本和複雜度，進而提升大量、高產量及將產品製作於大面積基板的可製造性。藉以有效降低廣泛市場應用性的成本及提高產率。如此還能確保裝置主動層受長期保護免遭環境氧化劑作用。根據本發明之態樣，達成這些和其他優點的方式為利用雷射圖案化/切割來滿足一些或所有的圖案化需求，同時整合雷射切割以確保裝置主動層受到保護，進而保證長期可靠度。設想雷射直接移除(剝離)部件層材料而圖案化電色裝置的部件層。就其本身而論，本發明思忖將雷射圖案化整合於製程視為電色裝置可製造性、產率、功能性和長期可靠度的適當必要手段。此包括製造電色裝置的方法，包含以下步驟：(1)沉積第一透明導電層，隨後沉積陰極至透明基板上；(2)圖案化陰極；(3)沉積電解質層，隨後沉積反電極層，接著沉積第二透明導電層；(4)聚焦雷射圖案化電解質層、反電極層和透明導電層；(5)沉積擴散阻障層；以及(6)形成多個個別的電觸點至第一透明導電層和第二透明導電層。(2)中的圖案化步驟亦可為聚焦雷射圖案化製程。在此方法中，雷射圖案化第一透明導電層和陰極層是在沉積及雷射圖案化其餘層之前進行，如此可免除任何透明導電材料和陰極 材料再沉積至表面而污染其餘層。另外，聚焦雷射圖案化期間可移除聚焦雷射圖案化產生的剝離材料。一般而言，採行如空間上隔開上、下層邊緣及/或在沉積上層前，圖案化下層等策略，可最少化雷射剝離造成剝離材料再沉積和微粒污染。
另一製造電色裝置的方法包括以下步驟：(1)依序沉積對應電色裝置的多個層至基板上，第一層為第一透明導電層，最後一層為第二透明導電層；(2)聚焦雷射圖案化各層，其中圖案化隔開基板上個別的電色裝置並露出第一透明導電層的表面供製作電觸點；(3)聚焦雷射圖案化期間，移除聚焦雷射圖案化產生的剝離材料；(4)沉積擴散阻障層；以及(5)形成多個個別的電觸點至第一透明導電層和第二透明導電層。
在上述方法中，雷射圖案化製程剝離材料時，移除材料的方式可為：在非常接近雷射剝離位置處進行真空抽吸及/或噴射鈍氣遍及雷射剝離附近的裝置表面。此外，(冷卻)表面可策略性設置靠近剝離區域的焦點(如設置抽吸或氣體噴射處)，以取得(透過沉積)剝離材料。另外，雷射圖案化步驟可藉由直接聚焦於沉積層上方的雷射束、直接穿過透明基板的雷射束、或二者組合來進行。
本發明現將參照圖式詳述於後，其乃舉例說明本發明之實施例，以讓熟諳此技藝者施行本發明。注意以下圖式和實施例不把本發明之範圍限定在單一實施例，其他實施例當可交換部分或全部所述元件。再者，本發明之某些元件可部分或完全採用已知部件，且本發明只描述已知部件攸關本發明的部分，已知部件的其他部分則不再贅述，以免混淆本發明。在說明書中，實施例顯示單一部件不應視為限制，本發明反當涵蓋其他包括複數個相同部件的實施例，反之亦然，除非本文另行指明。再者，申請人不意圖將說明書或申請專利範圍中的術語解釋成罕見或特殊意義，除非本文另行指明。另外，本發明涵蓋在此舉例之已知部件的現今和未來已知均等物。
一般而言，本發明思忖另一利用雷射圖案化/切割技術來圖案化電色裝置結構中部分或所有層的方法。本發明認為降低及/或最少化物理遮罩的使用對電色裝置的製造製程大有助益，尤其是在大量製造大基板方面。雷射圖案化的一些主要優勢為：對產率有正面影響；以及雷射容許彈性圖案化裝置以符合終端市場定義形狀因數，而不需建立昂貴的新物理遮罩或原罩。雷射圖案化技術亦稱為雷射切割，其為半導體與光電產業所熟知。本發明設想利用雷射直接移除材料(剝離材料)，以於電色裝置中形成圖案化部件層。仔細地最佳化及聚焦雷射以準確放置經圖案化的特徵結構邊緣，並移除層且不損及下層。由於電色裝置製作在透明基板上，故可引導雷射穿過基板或至上方來圖案化部件層。以大面積基板為例，為縮短圖案化製程時間，一次可使用多個雷射來圖案化單一基板上的裝置。另外，雷射剝離期間可採行所述技術，以最少化材料再沉積至電色裝置主動層的露出邊緣。這些方式同樣可最少化剝離材料微粒沉積於裝置表面。
各種類型的雷射皆可用來執行雷射圖案化/切割功能，此視用於電色裝置的材料光吸收特性和厚度而定。一些採用雷射包括高功率二氧化碳(CO2)雷射(如10微米波長)和銣(Nd)摻雜之固態雷射(如在1046奈米(nm)與523nm下具倍頻器的銣雅鉻雷射(Nd:YAG))。可使用多個雷射執行雷射圖案化/切割功能，包括不同波長的雷射。剝離深度(裝置堆疊結構被移除的層數)受控於雷射功率、焦距和掃描速度。另外，使用只影響預定層的特殊雷射波長可明確剝離特定層。雷射圖案化/切割一般在鈍氣環境或真空下進行。可在剝離位置附近利用真空/抽吸移除剝離裝置層產生的殘材和氣體。另外，可施加鈍氣噴射遍及雷射剝離區域的裝置表面，以移除電色裝置附近的殘材和氣體。又，(冷卻)表面可策略性設置靠近剝離區域的焦點(如設置抽吸或氣體噴射處)，以取得(透過沉積)剝離材料。(冷卻)表面可為金屬板或其他材料板的表面、或為任何適合雷射剝離環境以取得(透過沉積)剝離材料的物件。一般而言，剝離材料不具揮發性，且在室溫下會快速沉積於表面。熟諳雷射圖案化/切割技藝者當熟悉選擇圖案化/切割應用的雷射及裝配雷射工具來施行圖案化/切割製程。
第2A-2E圖繪示根據本發明第一實施例之製造電色裝置200的方法。第2A圖顯示沉積在基板210上的五層堆疊結構。基板可為玻璃或塑膠。從基板算起，各層分別為下透明導電氧化物(TCO)層220、陰極230、固態電解質240、反電極250和上TCO層260。熟諳此技藝者可以已知的沉積技術依序沉積各層。下、上TCO層220、260一般是以濺射沉積銦錫氧化物(ITO)而得。陰極230和反電極通常是由過渡金屬氧化物組成，且一般是以物理氣相沉積法沉積而得。固態電解質240通常是由陶瓷/氧化物固態電解質組成，例如氮氧化鋰磷和Lix SiO2 ，其可以各種方法沉積而得，包括物理與化學氣相沉積法。第2B圖顯示經第一次圖案化步驟處理後的堆疊結構。此圖案化步驟包括：(1)切穿整個堆疊結構下達基板，以電氣分離個別裝置；以及(2)露出下TCO層220的頂表面供製作電觸點至下TCO層220。第一次圖案化最好由雷射圖案化工具施行。第2C圖顯示擴散阻障層270增設覆蓋整個堆疊結構，包括露出的垂直邊緣。擴散阻障層270應為透明、電氣絕緣，並能保護露出表面且對諸如氧氣(O2 )與水(H2 O)之周圍氧化劑具低滲透率。第2D圖顯示裝置之擴散阻障層270已經圖案化而敞開區域272、274分別供製作電觸點至下和上TCO層220、260。第二次圖案化最好由雷射圖案化工具施行。最後，第2E圖顯示製作第一電觸點280(至下TCO層220)和第二電觸點290(至 上TCO層260)後的裝置。視情況而定，可在基板210與下TCO層220之間增設擴散阻障層(第2圖未繪示)。此擴散阻隙層應為透明、電氣絕緣，並能保護露出表面且對諸如鈉(Na)、硼(B)與鋰(Li)之離子具低滲透率(以Li電色裝置為例)。
在根據本發明第二實施例製造電色裝置的方法中，進行第2A-2C圖方法後，接著製作電觸點穿過阻障層270，而不需敞開阻障層270的觸點區域272、274。製作觸點的方法是透過讓接觸材料擴散通過擴散阻障層而構成導電路徑。如此最終亦形成與第2E圖相同的裝置，除了第一和第二電觸點280、290位於擴散阻障層270，並經由擴散阻障層270分別電接觸下、上TCO層220、260(接觸材料擴散到擴散阻障層內而引起局部導電)。此方法可應用到擴散阻障層很薄或相當多孔的情況。此情況發生在採行另一保護電色裝置免遭周圍氧化劑作用的方法，故對擴散阻障層的要求較不嚴格。例如，電色裝置可併入低電氣絕緣玻璃單元(low-e insulating glass units,IGUs)，其內部以鈍氣密封。
參照第2A-2E圖所述之本發明第一實施例之方法包括第一次圖案化步驟，其切穿堆疊結構的所有五層。當此圖案化步驟採行雷射圖案化/切割時，剝離材料有再沉積至堆疊結構新露出邊緣上的風險。再沉積會造成各層間短路、或污染主動層。倘若再沉積引發問題，則採行本發明之另一方法，其空間上隔開邊緣，並在沉積及圖案 化上層前，圖案化部分下導電層，以最少化再沉積。這些方法包括增加一或多個圖案化步驟。該方法之一示例為第3A-3E圖所示之實施例，其中陰極330的邊緣空間與其上堆疊結構之各層邊緣隔開，且在沉積及圖案化上層前，圖案化陰極330和下透明導電氧化物層320。
第3A-3E圖繪示根據本發明第三實施例之製造電色裝置300的方法。第3A圖顯示沉積在基板310上的二層堆疊結構。從基板算起，各層分別為下透明導電氧化物(TCO)層320和陰極330。熟諳此技藝者可以已知的沉積技術依序沉積各層。第3B圖顯示經第一次圖案化步驟處理後的堆疊結構。此圖案化步驟包括：(1)切穿堆疊結構下達基板，以電氣分離個別裝置；以及(2)露出下TCO層320的頂表面供製作電觸點至下TCO層320。第一次圖案化最好由雷射圖案化工具施行。第3C圖顯示額外增設三層：固態電解質340、反電極350和上TCO層360。熟諳此技藝者可以已知的沉積技術依序沉積各層。第3D圖顯示經第二次圖案化步驟處理後的堆疊結構。此圖案化步驟包括：(1)電氣分離反電極350和上TCO層360；以及(2)再次露出下TCO層320的頂表面供製作電觸點至下TCO層320。第二次圖案化最好由雷射圖案化工具施行。第3E圖顯示擴散阻障層370增設覆蓋整個堆疊結構，包括露出的垂直邊緣。此製程現依第2A-2E圖之第一方法實施例或上述之第二方法實施例繼續進行。
第4圖繪示堆疊結構400，具有基板410與相當於上述層120-170的層420-470。利用聚焦於堆疊結構且穿過基板410的雷射401和從上方聚焦於堆疊結構的雷射402來雷射圖案化/切割堆疊結構400。雷射401起初聚焦於層470；層遭剝離後，雷射焦點往下移到層460，然後移到層450(如第4圖所示)而形成孔405。雷射剝離堆疊結構400之各層時會產生殘材403。管子406(顯示截面)連接真空幫浦/抽吸產生器，且朝方向404沿著管子406移除殘材403。視所需圖案、移除層數和部件層光學性質而定，雷射可一層層掃描移除材料(若欲移除各層，則需反覆掃描同一圖案區域)，或者一次掃描整個圖案區域及切穿多層。雷射402起初聚焦於層470；層遭剝離後，雷射焦點往下移到層460，然後移到層450(如第4圖所示)而形成孔405。雷射剝離堆疊結構400之各層時會產生殘材403。管子407(顯示截面)連接真空幫浦/抽吸產生器，且朝方向404沿著管子407移除殘材403。雷射束402行經管子407；然管子可依需求設在雷射束一側。雷射束402如同上述雷射束401般進行掃描。
第5圖繪示堆疊結構500，具有基板510與相當於上述層120-170的層520-570。利用聚焦於堆疊結構且穿過基板510的雷射501和從上方聚焦於堆疊結構的雷射502來雷射圖案化/切割堆疊結構500，二雷射同時聚焦於同一公共區域。雷射一起剝離材料而形成孔505。雷射502聚焦於層550，雷射501聚焦於層540。雷射剝離堆疊結構500之各層時會產生殘材503和蒸發材料的氣泡599。管子509、508(顯示截面)一起構成環狀空間，由此朝方向504移除殘材503。環狀空間連接真空幫浦/抽吸產生器。雷射束502行經管子508的中間；然也可用第4圖管子取代管子508、509。雷射束501、502如同上述雷射束401般進行掃描。
第6圖繪示堆疊結構600，具有基板610與相當於上述層120-170的層620-670。利用從上方聚焦於堆疊結構的雷射602來雷射圖案化/切割堆疊結構600。雷射602起初聚焦於層670；層遭剝離後，雷射焦點往下移到層660，然後移到層650(如第6圖所示)而形成孔605。雷射剝離堆疊結構600之各層時會產生殘材603和蒸發材料的氣泡699。管子695(顯示截面)連接鈍氣供應器(如氬氣)並朝方向696將鈍氣噴射至堆疊結構600的表面。鈍氣噴射吹走晶圓表面各處之雷射剝離位置的殘材603。在此顯示殘材是由抽吸管子606收集。但只用鈍氣噴射也能有效移除雷射剝離位置的殘材及使之離開堆疊結構600的表面。管子606(顯示截面)連接真空幫浦/抽吸產生器，且朝方向604沿著管子606移除殘材603。雷射束602如同上述雷射束401般進行掃描。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．電色裝置
110．．．基板
120、160．．．TCO層
130．．．陰極(層)
140．．．電解質(層)
150．．．反電極(層)
170．．．保護塗層
180、190．．．觸點
200．．．電色裝置
210．．．基板
220、260．．．TCO層
230．．．陰極
240．．．電解質
250．．．反電極
270．．．阻障層
272、274．．．區域
280、290．．．觸點
300．．．電色裝置
310．．．基板
320、360．．．TCO層
330．．．陰極
340．．．電解質
350．．．反電極
370．．．阻障層
400．．．堆疊結構
401、402．．．雷射(束)
403．．．殘材
404．．．方向
405．．．孔
406、407．．．管子
410．．．基板
420-470．．．層
500．．．堆疊結構
501、502．．．雷射(束)
503．．．殘材
504．．．方向
505．．．孔
508、509．．．管子
510．．．基板
520-570．．．層
599．．．氣泡
600．．．堆疊結構
602．．．雷射(束)
603．．．殘材
604、696．．．方向
605．．．孔
606、695．．．管子
610．．．基板
620-670．．．層
699．．．氣泡
一般技藝人士在配合參閱本發明之特殊實施例詳細說明和所附圖式後，將更清楚本發明之上述和其他態樣與特徵，其中：
第1圖繪示先前技術之電色裝置；
第2A-2E圖繪示根據本發明一態樣的電色裝置製造製程實例；
第3A-3E圖繪示根據本發明另一態樣的電色裝置製造製程實例；
第4圖繪示根據本發明一態樣製造電色裝置時的雷射切割及剝離材料移除製程步驟實例；
第5圖繪示根據本發明另一態樣製造電色裝置時的雷射切割及剝離材料移除製程步驟實例；以及
第6圖繪示根據本發明又一態樣製造電色裝置時的雷射切割及剝離材料移除製程步驟實例。
400．．．堆疊結構
401、402．．．雷射(束)
403．．．殘材
404．．．方向
405．．．孔
406、407．．．管子
410．．．基板
420-470．．．層

Claims (25)

  1. 一種製造一電色裝置的方法，該方法包含：沉積一第一透明導電層，隨後沉積一陰極至一透明基板上；圖案化該第一透明導電層和該陰極，該圖案化步驟係電氣分離個別電色裝置且露出該第一透明導電層之頂表面；沉積一電解質層，隨後沉積一反電極層，接著沉積一第二透明導電層；聚焦雷射圖案化在該第二次沉積步驟中所沉積之該等層，其中在該聚焦雷射圖案化步驟的期間與之後，對於各該電色裝置，該電解質層完全覆蓋該陰極之頂表面與該陰極之邊緣；沉積一擴散阻障層；以及形成多個個別的電觸點至該第一透明導電層和該第二透明導電層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第一次圖案化步驟為一聚焦雷射圖案化製程。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在形成該多個個別的電觸點前，圖案化該擴散阻障層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中圖案化該擴散阻障層的步驟為一聚焦雷射圖案化製程。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含在該聚焦雷射圖案化步驟期間，移除該聚焦雷射圖案化所產生的剝離材料。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該移除步驟包含提供一沉積表面，以沉積該剝離材料於該沉積表面上。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該移除步驟包含在該聚焦雷射圖案化步驟期間，真空抽吸該剝離材料。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該真空抽吸步驟係藉由一抽吸管進行。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該移除步驟包含引導一鈍氣噴射遍及剝離該等沉積層之一焦點附近的該裝置之表面。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該聚焦雷射圖案化步驟包含聚焦一雷射束於該等沉積層之一者 上，該雷射束在抵達該等沉積層之前通過該透明基板。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該聚焦雷射圖案化步驟係由複數個聚焦雷射束進行，且其中該複數個聚焦雷射束包括一第一雷射束與一第二雷射束，該第一雷射束聚焦於在該第二次沉積步驟中所沉積之該等層之一第一部分，該第二雷射束聚焦於在該第二次沉積步驟中所沉積之該等層之一第二部分，該第一雷射束在抵達該第一部分之前通過該透明基板，且該第二雷射束抵達該第二部分而不是先通過該透明基板。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一部分與該第二部分是相同的部分。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該第一雷射束與該第二雷射束同時入射至該相同的部分上。
  14. 一種製造一電色裝置的方法，該方法包含：依序沉積對應一電色裝置的各層至一基板上，一第一層為一第一透明導電層，且一最後一層為一第二透明導電層；聚焦雷射圖案化該等層，該圖案化步驟(1)隔開該基板上的多個個別的電色裝置及(2)露出該第一透明導電層供製作一電觸點； 在該聚焦雷射圖案化步驟期間，移除該聚焦雷射圖案化步驟產生的剝離材料；沉積一擴散阻障層；以及形成多個個別的電觸點至該第一透明導電層和該第二透明導電層；其中該聚焦雷射圖案化步驟係由複數個聚焦雷射束進行，其中該複數個聚焦雷射束包括一第一雷射束與一第二雷射束，該第一雷射束聚焦於對應一電色裝置在該基板上所依序沉積的該等層之一第一部分，該第二雷射束聚焦於對應一電色裝置在該基板上所依序沉積的該等層之一第二部分，該第一雷射束在抵達該第一部分之前通過該透明基板，且該第二雷射束抵達該第二部分而不是先通過該透明基板，及其中該第一部分與該第二部分是相同的部分。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，更包含圖案化該擴散阻障層。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中圖案化該擴散阻障層的步驟為一聚焦雷射圖案化製程。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該移除步驟包含提供一沉積表面，以沉積該剝離材料於該沉積表面上。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該移除步驟包含在該雷射圖案化步驟期間，真空抽吸該剝離材料。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中該真空抽吸步驟係藉由一抽吸管進行。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該移除步驟包含引導一鈍氣噴射遍及剝離該等沉積層之一焦點附近的該裝置之表面。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第一雷射束與該第二雷射束同時入射至該相同的部分上。
  22. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該依序沉積各層的步驟包含依序沉積該第一透明導電層、一陰極層、一電解質層、一反電極層和該第二透明導電層。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該聚焦雷射圖案化步驟係對於各該個別電色裝置電氣隔開該反電極層與該第二透明導電層，並露出該第一透明導電層之頂表面。
  24. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該沉積表 面被冷卻。
  25. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該沉積表面被冷卻。
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