TWI478390B - 光電半導體晶片 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種光電半導體晶片。
本專利申請案主張德國專利申請案10 2011 111 919.5之優先權，其已揭示的整個內容在此一併作為參考。
本發明的目的是提供一種光電半導體晶片，其具有均勻的電流注入性。
依據半導體晶片之至少一實施形式，其包括一具有至少一活性層的半導體層序列。此半導體層序列用來在該半導體晶片操作時發出紫外線輻射、可見的輻射及/或紅外線輻射，特別是介於400奈米(含)和1200奈米之間的光譜區中的輻射，特別佳時是介於550奈米(含)和1000奈米之間的光譜區中的輻射。可以磊晶方式生長而成的該半導體層序列之厚度例如小於50微米或小於20微米，較佳是介於3微米(含)和15微米之間或介於3.5微米(含)和10微米之間。
半導體晶片之半導體層序列較佳是以III-V-化合物半導體材料為主。半導體材料例如是一種像Aln
In1-n-m
Gam
N之類的氮化物-化合物半導體材料或像Aln
In1-n-m
Gam
P之類的磷化物-化合物半導體材料，其中0≦n≦1,0≦m≦1且n+m≦1。因此，此半導體層序列含有摻雜物質及其它成分。然而，為了簡單之故，
只示出此半導體層序列之晶格之主要成分，即，Al,Ga,In,N或P，這些主要成分之一部分亦可由少量的其它物質來取代及/或補充。該活性層特別是含有一種p/n接面及/或至少一量子井結構。
依據至少一實施形式，半導體晶片具有一上側接觸結構。此上側接觸結構施加在半導體層序列之輻射主側。該上側接觸結構之材料較佳是與半導體層序列之材料直接實際相接觸。該上側接觸結構例如是由金屬或金屬合金所形成。或是，該上側接觸結構可包括一種由透明之導電氧化物(TCO)(例如，ITO)之基(group)所構成的材料。該上側接觸結構被結構化，即，該上側接觸結構不是以始終不變的組成在該半導體層序列之整個輻射主側上延伸而是具有特殊的中斷區和凹入區。
該半導體層序列之輻射主側特別佳時係為該半導體層序列之邊界面，其基本上定向成與該半導體層序列之生長方向垂直。同樣，該輻射主側之主延伸方向可定向成與該生長方向垂直。該輻射主側特別是遠離該半導體晶片之載體基板。
依據半導體晶片之至少一實施形式，其包括一下側接觸結構。此下側接觸結構位於半導體層序列之下側，該下側係與輻射主側相面對著。該下側接觸結構特別佳時係與半導體層序列直接實際相接觸且較佳是未覆蓋整個下側。該下側接觸結構之材料是金屬或金屬合金且亦可為透明之導電氧化物。該下側接觸結構較佳是位於該半導體層序列和半導體晶片之載體基板之間。
依據半導體晶片之至少一實施形式，其包括至少一溝槽，較佳是至少二個溝槽(trenches)。各溝槽是半導體層序列中的材料凹入區，其由輻射主側朝向下側延伸。各溝槽在俯視圖中觀看時較佳是周圍都由半導體層序列之材料所圍繞著。各溝槽之長度範圍較佳是至少為溝槽之寬度的五倍。
依據半導體晶片之至少一實施形式，在該輻射主側之俯視圖上觀看時，該上側接觸結構和下側接觸結構在至少一區域中互相隔開而配置著。即，在平行於該輻射主側之一平面上的投影中，該上側接觸結構和下側接觸結構在該區域中未交疊及/或未接觸。特別佳時該區域係在整個輻射主側上及/或整個半導體晶片上延伸。
依據至少一實施形式，在上側接觸結構和下側接觸結構互相隔開的該區域中，在上側接觸結構和下側接觸結構之間配置著溝槽。換言之，在該半導體層序列之輻射主側上的俯視圖觀看時，該區域中由該上側接觸結構朝向該下側接觸結構之至少一條直接連接線被溝槽所中斷。
在光電半導體晶片之至少一實施形式中，其包括一具有至少一活性層的半導體層序列。又，該半導體晶片在該半導體層序列之輻射主側上具有一上側接觸結構且在該半導體層序列之與該輻射主側相面對的下側上具有一下側接觸結構。此外，該半導體晶片包括至少一溝槽、較佳是包括至少二個溝槽，其由該輻射主側朝向該下側延伸。在該輻射主側之俯視圖上觀看時，該上側接觸結
構和下側接觸結構在該輻射主側之至少一區域中互相隔開而配置著。同樣，在該輻射主側之俯視圖上觀看時，各溝槽位於該區域中且位於該上側接觸結構和下側接觸結構之間。
依據光電半導體晶片之至少一實施形式，其形成為發光二極體(LED)。因此，較佳是在輻射主側上將全部由該半導體晶片所發出且在活性層中所產生的輻射之至少50%或至少70%發出。
發光二極體中，效率與電流密度有很大的相關性。通常情況下，發光二極體之效率在高電流密度時下降。同樣，發光二極體在電流密度較大的一些部位中之劣化將加速。因此，均勻的電流注入是較佳的，以便使發光二極體達成高的效率及良好的老化穩定性。
這可藉由溝槽來達成，在俯視圖中觀看時各溝槽位於上側接觸結構和下側接觸結構之間。藉由溝槽，可局部地使上側接觸結構和下側接觸結構之間直接的電流受到抑制或大大地下降。藉由適當地設置多個溝槽，則可避免半導體層序列中局部的過大之電流密度。
依據半導體晶片之至少一實施形式，該上側接觸結構包括一接觸區。此接觸區用來在半導體晶片上施加一種連接媒體(例如，接合線或導電帶)。此接觸區例如是一種圓形或矩形之連續面，其大小至少為0.001平方毫米或至少為0.01平方毫米。該接觸區在與該上側接觸結構之其它區段比較時可設有一塗層，其可使接合線之施加更容易。
依據半導體晶片之至少一實施形式，該上側接觸結構具有至少一中介連接區。此中介連接區較佳是由該接觸區延伸出來。該上側接觸結構可具有多個中介連接區。至少一中介連接區特別不是用來使電流注入至半導體層序列中。即，由該中介連接區直接朝向該下側接觸結構流動之電流由於溝槽而受阻或大大地受到限制。
依據半導體晶片之至少一實施形式，該上側接觸結構包括一個(較佳是多個)接觸手指。各接觸手指由中介連接區及/或由該接觸區延伸出來。各接觸手指用來將電流注入至半導體層序列中。例如，各接觸手指藉由縱向延伸之矩形而形成在輻射主側。各接觸手指較佳是均勻地分佈在該輻射主側上。
依據半導體晶片之至少一實施形式，各溝槽分別沿著該中介連接區而配置著。因此，直接在中介連接區和下側接觸結構之間流動的電流可下降或可避免。
依據半導體晶片之至少一實施形式，各溝槽位於二個分別相鄰之接觸手指之間。特別是各溝槽定向成垂直於接觸手指或基本上垂直於接觸手指。各溝槽亦可與各接觸手指及/或中介結構相接觸。然而，亦存在一種較佳情況，即，當溝槽和接觸手指之間及/或各中介連接區之間存在較小距離(例如，至少250奈米)時。
依據半導體晶片之至少一實施形式，該下側接觸結構藉由多個島而形成。在輻射主側之俯視圖中觀看時，多個島例如形成為矩形或正方形。各別的島較佳是藉由一相連的接觸層而可導電地互相連接著，該接觸層位於
該下側接觸結構之遠離該半導體層序列之一側上。
依據半導體晶片之至少一實施形式，在二個相鄰之接觸手指之間存在該下側接觸結構之多個島。各島沿著接觸手指而配置成例如一列或二列或多個列。各島較佳是以等距離的方式設置在多個列中。
依據半導體晶片之至少一實施形式，其具有至少另一溝槽。該另一溝槽位於前述各段中所述之溝槽之遠離該中介連接區及/或遠離該接觸區之一側上。換言之，沿著該接觸手指而依序地整體配置多個溝槽，其中該些溝槽較佳是分別在二個相鄰之接觸手指之間延伸且特別是定向成與該些接觸手指成橫向。在二個相鄰的溝槽之間沿著接觸手指的方向中較佳是存在著該下側接觸結構之多個島。
特別是在具有較大的長度範圍之半導體晶片中，可在平行於接觸手指之方向中及在相鄰的接觸手指之間造成一種受激發之發射，這是藉由半導體層序列之邊緣之較高的反射率來促成。此種受激發之發射在半導體層序列之邊緣上造成一種通常不期望的放大之發射。沿著接觸手指之方向中該受激發之發射可藉由相鄰之接觸手指之間的額外溝槽而下降或受到抑制。
依據半導體晶片之至少一實施形式，各溝槽由輻射主側開始延伸而未到達活性層。換言之，該活性層未被溝槽所穿過。然而，溝槽較佳是至少以某種程度向內到達半導體層序列之電流分佈層中，使得橫向導電率或面電阻可藉由溝槽而改變至少2倍，該電流分佈層位於活
性層和該輻射主側之間。例如，由輻射主側觀看時，各溝槽的至少25%或至少50%或至少65%會到達該活性層或到達與該輻射主側最近之該活性層。
依據半導體晶片之至少一實施形式，其具有至少一沿著接觸手指而延伸的溝槽。例如，該溝槽定向成平行於至少一接觸手指。在輻射主側上的俯視圖觀看時，該溝槽較佳是位於該下側接觸結構之上。藉由此種溝槽，則可直接藉由該下側接觸結構使電流密度下降。由於該下側接觸結構相對於輻射具有較小的反射性，則整體而言可使半導體晶片之效率提高。
依據半導體晶片之至少一實施形式，各溝槽定向成與接觸手指及/或中介連接區成傾斜。換言之，各溝槽或各溝槽的至少一部分定向成不平行於且不垂直於接觸手指或中介連接區。至少一溝槽和一相鄰之接觸手指之間的角度及/或相鄰之中介連接區之間的角度較佳是大於2度，特別是大於4度。或是，上述角度最多是30度或最多是20度或最多是10度。藉此，則可使沿著接觸手指之受激發的發射進一步下降。
依據半導體晶片之至少一實施形式，各溝槽或至少一溝槽由輻射主側觀看時至少90%或全部穿過該半導體層序列。
依據半導體晶片之至少一實施形式，各溝槽在輻射主側之俯視圖中觀看時佔有該半導體層序列之基面的份量係介於0.025%(含)和5%之間，特別是介於0.1%(含)和2.5%之間。換言之，各溝槽相對於該輻射主側只形成
一小的份量。
依據半導體晶片之至少一實施形式，在輻射主側之俯視圖中觀看時，溝槽和中介連接區之間的距離最多是8微米或最多是6微米。或是，該距離至少是0.5微米或至少是1.5微米。上述數值亦適用於溝槽至接觸手指之間的距離。
依據半導體晶片之至少一實施形式，下述關係適用於下側接觸結構至中介連接區的距離A及下側接觸結構之相鄰之島之間的平均距離B：0.4≦A/B≦2.5或0.9≦A/B≦1.5或1.0≦A/B≦1.3。距離A,B因此是在輻射主側上之俯視圖中測得。換言之，距離A,B大約一樣大。
依據半導體晶片之至少一實施形式，該輻射主側設有一粗糙面以使由半導體層序列發出之輻射之光發出效率獲得改良。於此，該粗糙面亦在各溝槽中延伸或在至少一溝槽中延伸。換言之，溝槽的邊界面不平滑而是同樣被粗糙化。該粗糙面的平均深度例如介於0.1微米和3微米之間。特別佳時，該粗糙面之平均結構大小因此小於溝槽之平均尺寸。藉由亦在溝槽中的粗糙面，則可使光發出效率提高。
依據半導體晶片之至少一實施形式，在半導體層序列之下側上存在一鏡面層。此鏡面層在橫向中較佳是與該下側接觸結構相鄰或與該下側接觸結構之島相鄰。該鏡面層可以是一種折射率較小的介電材料之層，例如，其可以是一種具有氧化矽或氮化矽之層。在該介電層下
方可存在另一鏡面層，其以金屬(例如，鋁、金或銀)製成。
該另一鏡面層亦可形成為接觸層，其將該下側接觸結構之島在電性上互相連接。同樣，該鏡面層亦可形成為多個交替地形成的子層(sub-layer)，其交替地具有高折射率和低折射率且因此形成為佈拉格(Bragg)-鏡面。此種鏡面例如已公開在文件DE 10 2008 048 648 A1中，其已揭示的內容藉由參考而併入此處。
依據半導體晶片之至少一實施形式，其具有一個或多個微稜鏡。微稜鏡位於載體基板和半導體層序列之間。在俯視圖中觀看時，微稜鏡較佳是有一部分由該上側接觸結構所覆蓋。特別有利的是，選取微稜鏡的厚度，使半導體層序列之橫向導電率或面電阻(特別是在面向該載體基板之一側者)可藉由該微稜鏡而下降至少2倍。
以下，將依據各實施例且參考各圖式來詳述此處所述之光電半導體晶片。因此，相同的元件符號表示各別的圖中之相同元件。然而，元件未依比例繪出。反之，各別的元件為了更易於理解而予以放大地顯示出。
圖1中顯示光電半導體晶片1之實施例的俯視圖。半導體晶片1包含半導體層序列2。在半導體層序列2之輻射主側23上存在一種上側接觸結構3，其具有一接觸區37、一中介連接區31和多個接觸手指33。該接觸區37位於該輻射主側23之一角隅處且用來與一接合線(圖1中未顯示)相連接。
該中介連接區31由該接觸區37向外延伸。各接觸手指33係在由中介連接區31及接觸區37向外的方向中延伸，各接觸手指33用來將電流注入至半導體層序列2中。在該輻射主側23之與中介連接區31相對向之一側上可選擇地(optionally)存在另一中介連接區31a，使得整個輻射主側23都由最外部之接觸手指33和中介連接區31、31a以框形方式包圍著。
此外，半導體晶片1具有一下側接觸結構4，其藉由多個島40而形成在半導體層序列2之下側24上。下側接觸結構4之島40在接觸手指33之間沿著接觸手指而配置成二列。下側接觸結構4位於半導體層序列2和一在圖1中未顯示之載體基板之間，該載體基板以機械方式保護該半導體晶片1且較佳是與半導體層序列2用之生長基板不同。
在半導體晶片1操作時，電流由接觸手指33朝向下側接觸結構4之島40而流動，該接觸手指33較佳是位於半導體層序列2之n-側，該下側接觸結構4特別是位於半導體層序列2之p-側。由接觸手指33朝向各島40而流動之電流的電流密度較均勻。
為了防止各中介連接區31、31a附近之電流密度尖峰，則多個溝槽5沿著各中介連接區31、31a而存在著。各溝槽5分別位於接觸手指33之末端上且分別在二個相鄰之接觸手指33之間延伸。因此，在半導體層序列2之俯視圖中觀看時，各溝槽5施加在中介連接區31、31a之間以及該接觸區37和該下側接觸結構4之間。藉此，
由中介連接區31、31a及接觸手指37朝向各島40直接流動的電流受到抑制或大大地下降。
圖2顯示半導體晶片1之另一實施例之輻射主側23之區段。在半導體層序列2中形成其它溝槽5b，其沿著整個接觸手指33而延伸且位於二個相鄰的接觸手指33之中央。在俯視圖中觀看時，該些溝槽5b亦設置在該下側接觸結構4之島40上。
藉由上述其它溝槽5b，可直接藉由各島40而不會在半導體層序列2中產生輻射或只較少地產生輻射。因此，在半導體層序列2中所產生的全部輻射中較少的份量會入射至該下側接觸結構4上，其特別是由對輻射吸收性較強的金屬材料形成。因此，藉由上述其它溝槽5b，則可藉由該下側接觸結構4上的輻射之吸收而使效率損耗下降。
在圖3所示之半導體晶片1之實施例中(請參閱該輻射主側23之一區段上的俯視圖)，沿著該輻射主側23且垂直於接觸手指33而形成其它溝槽5a，其未直接與中介連接區31、31a相鄰或未與圖3中未顯示之接觸區相鄰。藉由該些溝槽5a，則可使平行於接觸手指33之方向中的受激發的發射受到抑制。
圖2和圖3中該些溝槽5a或該些溝槽5b所具有的寬度小於直接在中介連接區31、31a上或直接在接觸區37上之溝槽5之寬度及/或具有不同的深度。不同於圖2所示之各溝槽5a,5b，亦可不完全地沿著接觸手指33延伸，或是，在圖3的實施例中，與接觸手指33成橫向之
方向中，該些溝槽5a短於接觸手指33之末端上的溝槽。
圖4顯示發光二極體之俯視圖。就像半導體晶片1之全部實施例一樣，中介連接區31亦可在由接觸區37遠離的方向中變窄，以確保各別之接觸手指33均勻地被施加電流。
圖5A顯示圖4之發光二極體之俯視圖，圖5B顯示圖1之半導體晶片1之實施例的俯視圖。下側接觸結構4之島40至中介連接區31之距離為A。下側接觸結構4之二個相鄰之島40之間的平均距離，特別是在平行於接觸手指33之方向中者，以B來表示。
由於由中介連接區31至各島40之直接的電流流動係藉由溝槽5而受到抑制，則在與未具備此種溝槽之發光二極體比較下此距離A已大大地下降。依據圖5B，各距離A、B幾乎相等，由於圖5B中的距離A較圖5A中者已變小，則該輻射主側23之整個發光面可較大，這樣可使半導體晶片1之效率提高。
在圖6之實施例中，形成為圓形之該接觸區37位於半導體層序列2上方之中央。由該接觸區37開始，二個中介連接區31在半導體層序列2上方延伸。直接在該接觸區37上的溝槽5c係模擬該接觸區37之外形(contour)而作成。
就像在全部的實施例一樣，該下側接觸結構4不是島形而是以如圖6所示的條形來形成。與各圖中的顯示不同，在全部的實施例中亦可在輻射主側23上施加多個接觸區37，其位於角隅上、縱向側之中央或該輻射主側
23之內部。
圖7顯示半導體晶片1之另一實施例。依據圖7，溝槽5a不是直接位於中介連接區31上，該溝槽5a傾斜於接觸手指33而配置著且對上述接觸手指33形成一種角度α。於是，可使平行於接觸手指33之方向中的受激發的發射進一步受到抑制。與圖7不同，直接位於中介連接區31上的溝槽5同樣可定向成傾斜狀，如溝槽5a所示。
圖8顯示半導體晶片1之實施例的切面圖。依據圖8A，由輻射主側23而來的溝槽5未到達該半導體層序列2之活性層20。藉由溝槽5，使半導體層序列2在活性層20和輻射主側23之間的區域中的橫向導電率有利地下降至少2倍，特別是針對由中介連接區31流動至島40之電流而言。
橫向中，島40係由鏡面層8a所包圍著，該鏡面層8a較佳是由一種折射率較該半導體層序列2還小的介電材料構成。朝向該半導體晶片1之載體基板9而在介電質之鏡面層8a上跟隨著一可導電(較佳是金屬)之鏡面層8b。此鏡面層8b例如亦將該下側接觸結構4之各別的島40予以電性連接著。
依據圖8B，溝槽5由輻射主側23而到達半導體層序列2之下側24。半導體層序列2因此完全被該溝槽5所穿過。與圖8B所示者不同，該溝槽5甚至亦可穿過該活性層20，但未到達該下側24。
圖8C顯示半導體晶片1之另一實施例之切面圖。半
導體晶片1包括至少一微稜鏡15，其位於載體基板9和半導體層序列2之間。該微稜鏡或多個微稜鏡15較佳是完全由鏡面層8a,8b所覆蓋。
此外，在俯視圖中觀看時，微稜鏡15較佳是完全在中介連接區31及/或圖8C中未顯示之接觸區之間延伸。特別有利的是，該微稜鏡15在橫向中和由中介連接區31及/或該接觸區離開之方向中至少到達溝槽5之下方。微稜鏡15之邊緣16在俯視圖中觀看時例如位於溝槽5之下方。該邊緣16因此係該微稜鏡15之在橫向中的邊界面。
在由載體基板9遠離的方向中該微稜鏡15的厚度較佳是至少100奈米或至少250奈米。例如，該厚度係介於0.5微米和4微米之間。鏡面層8a,8b之厚度較佳是在超過整個半導體層序列2之範圍中都幾乎為固定值，除了具有各島40之下側接觸結構4之區域以外。
載體基板9之面向該半導體層序列2之主側較佳是形成為平坦狀。微稜鏡15例如一部分或全部係由金屬或金屬合金所形成。同樣，微稜鏡15可具有抽成真空之中空區或以氣體填來填充之中空區。
圖8D之切面可顯示一種具有另一溝槽5b之半導體晶片1，特別是可與圖2之實施例比較。該另一溝槽5b在俯視圖中觀看時完全覆蓋該下側接觸結構4之島40。微稜鏡15未到達該另一溝槽5b之下方。
如圖8C及/或圖8D所示，上述之微稜鏡亦可存在於全部之其它實施例中。藉由微稜鏡15，可有利地使半導
體層序列2之橫向導電之層局部地變薄或被去除。於是，可使微稜鏡15之區域(特別是在接觸手指33下方且在活性層20和鏡面層8a,8b之間)中在橫向中流動的電流下降。
在圖9之半導體晶片1之切面圖中，該輻射主側23在多個區域(其中未施加有該上側接觸結構3)中設有一粗糙面，其亦可存在於全部之其它實施例中。此粗糙面所具有的平均結構尺寸小於溝槽5。此外，該粗糙面亦在溝槽5中延伸。溝槽5之邊界面因此亦設有粗糙面。
本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍中之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
1‧‧‧光電半導體晶片
2‧‧‧半導體層序列
20‧‧‧活性層
23‧‧‧半導體層序列之輻射主側
24‧‧‧半導體層序列之下側
3‧‧‧上側接觸結構
31‧‧‧中介連接區
33‧‧‧接觸手指
37‧‧‧接觸區
4‧‧‧下側接觸結構
40‧‧‧下側接觸結構之島
5‧‧‧溝槽
7‧‧‧接合線
8‧‧‧鏡面層
9‧‧‧載體基板
15‧‧‧微稜鏡
16‧‧‧微稜鏡之邊緣
A‧‧‧下側接觸結構至中介連接區之距離
B‧‧‧下側接觸結構至接觸手指之距離
α‧‧‧溝槽與接觸手指之間的角度
圖1至圖3、圖5至圖7及圖9顯示本文所述之光電半導體晶片之實施例的俯視圖。
圖4顯示發光二極體之俯視圖。
圖8顯示此處所述之光電半導體晶片之實施例的切面圖。
1‧‧‧光電半導體晶片
2‧‧‧半導體層序列
23‧‧‧半導體層序列之輻射主側
3‧‧‧上側接觸結構
31、31a‧‧‧中介連接區
33‧‧‧接觸手指
37‧‧‧接觸區
4‧‧‧下側接觸結構
40‧‧‧下側接觸結構之島
5‧‧‧溝槽
Claims (14)
- 一種光電半導體晶片(1)，具有-半導體層序列(2)，其具有至少一活性層(20)，-上側接觸結構(3)，位於該半導體層序列(2)之輻射主側(23)上，-下側接觸結構(1)，位於半導體層序列(2)之與該輻射主側(23)相對向的下側(24)上，以及-至少二個溝槽(5)，其由該輻射主側(23)而延伸到達該下側(24)，其特徵為，在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時，該上側接觸結構(3)和該下側接觸結構(4)在該輻射主側(23)之至少一區域中互相隔開且所述溝槽(5)在該區域中配置在該上側接觸結構(3)和該下側接觸結構(4)之間，且該上側接觸結構(3)具有：-一接觸區(37)，用來安裝一接合線(7)，-至少一中介連接區(31)，其由該接觸區(37)向外延伸且不是用來將電流注入至該半導體層序列(2)中，以及-多個接觸手指(33)，其由該中介連接區(31)向外延伸且用來將電流注入至該半導體層序列(2)中，其中所述溝槽(5)分別沿著該中介連接區(31)而延伸且位於二個相鄰的接觸手指(33)之間，以及該中介連接區(31)在離開該接觸區(37)的方向中縮小，以確保可均勻地供電至各別的接觸手指(33)。
- 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片(1)，其中該溝槽(5)由該輻射主側(23)開始延伸而未到達該活性層(20)。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中該下側接觸結構(4)係由多個島(40)而形成，該些島位於所述接觸手指(33)之間且其中分別沿著所述接觸手指(33)而配置多個島。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中至少一溝槽(5)位於該中介連接區(31)和至少另一溝槽(5a)之間，其中該另一溝槽(5a)由一接觸手指(33)延伸至一與其相鄰之接觸手指(33)。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時在至少一溝槽(5d)和相鄰之接觸手指(33)之間的角度α符合：2°≦α≦30°。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中至少一溝槽(5b)沿著一接觸手指(33)而延伸。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時至少一溝槽(5b)係位於該下側接觸結構(4)上方。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中所述溝槽(5)係穿過該半導體層序列(2)的至少90%或全部。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時該上側接觸結 構(3)和該下側接觸結構(1)未重疊且未相接觸。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時所述溝槽(5)佔有該半導體層序列(2)之基面的份量係介於0.025%(含)和5%之間。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中在該輻射主側(23)之俯視圖中觀看時所述溝槽(5)和該至少一中介連接區(31)之間的距離最多為8微米。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中該下側接觸結構(4)至該中介連接區(31)之最小距離A及該下側接觸結構(4)之島(40)之間的平均距離B符合：0.4≦A/B≦2.5。
- 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片(1)，其中至少該輻射主側(23)設有一粗糙面，以使由該半導體層序列(2)發出之光的發射性獲得改良，其中該粗糙面延伸至所述溝槽(5)中。
- 如申請專利範圍第2項之光電半導體晶片(1)，其中所述溝槽(5)到達該半導體層序列(2)之電流分佈層中，其中該電流分佈層位於該活性層(20)和該輻射主面(23)之間且由該輻射主面(23)觀看時所述溝槽(5)穿過該電流分佈層的至少65%。
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