KR20130071834A - 반도체 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되며, 제1 반도체층으로 전류를 공급하기 위해 뻗어 있는 가지 전극부와 와이어가 본딩되는 본딩 패드부를 가지는 제1 전극;으로서, 본딩 패드부는 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층을 가지며, 가지 전극부는 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 가지 전극부 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 전극에 의한 광흡수 손실을 감소하여 외부양자효율이 향상된 반도체 발광소자에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(10; 예; 사파이어 기판), 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(30), n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(50), p형 3족 질화물 반도체층(50) 위에 형성되는 전류확산 전도막(60), 전류확산 전도막(60) 위에 형성되는 p측 본딩패드(70), p형 3족 질화물 반도체층(50)과 활성층(40)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 본딩패드(80), 그리고 보호막(90)을 포함한다.
전류확산 전도막(60)은 p형 3족 질화물 반도체층(50) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비된다. 전류확산 전도막(60)은 p형 3족 질화물 반도체층(50)의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며, 예를 들어, ITO, ZnO 또는 Ni 및 Au를 사용하여 투광성 전도막으로 형성되거나, Ag를 사용하여 반사형 전도막으로 형성될 수 있다.
p측 본딩패드(70)와 n측 본딩패드(80)는 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 메탈 전극으로서, 예를 들어, 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 사용하여 형성될 수 있다.
보호막(90)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.
반도체 발광소자의 대면적화 및 고전력 소모에 따라, 반도체 발광소자 내에서 원활한 전류확산을 위해 가지전극과 복수의 본딩패드가 도입되고 있다. 예를 들어, 도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자가 대면적화됨에 따라 p측 본딩패드(710)와 n측 본딩패드(810) 사이에 등간격을 가지는 가지전극(910)을 구비하여 전류 확산을 개선하는 기술이 기재되어 있다.
그러나 본딩패드 및 가지전극 같은 금속재질의 전극은 두께가 두껍고, 광흡수 손실(Light Absorption Loss)이 크기 때문에 반도체 발광소자의 광추출효율을 저하하는 문제점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되며, 제1 반도체층으로 전류를 공급하기 위해 뻗어 있는 가지 전극부와 와이어가 본딩되는 본딩 패드부를 가지는 제1 전극;으로서, 본딩 패드부는 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층을 가지며, 가지 전극부는 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 가지 전극부 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되는 제1 전극;으로서, 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층 및 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 A-A 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면,
도 5는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 B-B 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면으로서 반도체 발광소자의 제조공정을 나타내는 도면,
도 6은 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 C-C 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자(300)의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자(300)를 A-A 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(300)는 기판(310), 복수의 반도체층, 제1 전극(380), 전류확산 전도막(360) 및 제2 전극(370)을 포함한다. 복수의 반도체층은 기판(310) 위에 적층된 버퍼층(320), 제1 반도체층(330), 활성층(340), 제2 반도체층(350)을 포함한다.
이하에서는 제1 반도체층(330), 제2 반도체층(350) 및 활성층(340)이 III-V족 화합물 반도체로 형성된 경우로서, Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)으로 표현되는 3족 질화물 반도체로 형성된 경우를 예로 하여 설명한다.
기판(310)은 동종기판으로 GaN계 기판, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다.
제1 반도체층(330)은 제1 도전형을 가지며, 제2 반도체층(350)은 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖도록 구비된다. 본 개시에서는 제1 반도체층(330)은 n형 질화물 반도체층(330; 예를 들어, n형 GaN층)으로, 제2 반도체층(350)은 p형 질화물 반도체층(350; 예를 들어, p형 GaN층)으로 사용하며, 제1 전극(380)을 n측 전극(380)으로, 제2 전극(370)을 p측 전극(370)으로 사용한다.
미설명 번호(382, 383, 384, 386)는 후술된다.
도 5는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 B-B 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면으로서 반도체 발광소자의 제조공정을 나타내는 도면이다.
먼저, 기판(310) 위에 n형 질화물 반도체층(330), 활성층(340) 및 p형 질화물 반도체층(350)이 형성된다. 기판(310) 위에 에피성장되는 반도체층들은 주로 유기금속기상성장법(MOCVD)에 의해 성장되며, 필요에 따라서 각 층들은 다시 세부 층들을 포함할 수 있다.
기판(310) 위에 복수의 반도체층을 형성한 이후, 메사(mesa) 형태로 p형 질화물 반도체층(350) 및 활성층(340)을 식각하여, 도 5a에 도시된 것과 같이, n측 전극(380)에 대응하는 영역을 포함하여 n형 질화물 반도체층(330)의 일부를 노출한다. 여러 개의 반도체층을 제거하는 방법으로 건식식각 방법, 예를 들어 ICP(Inductively Coupled Plasma)이 사용될 수 있다.
다음으로, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증작법(E-beam Evaporation), 열증착법(Thermal Evaporation) 등을 이용하여, 도 5b에 도시된 것과 같이, p형 질화물 반도체층(350) 위에 전류확산 전도막(360)을 형성한다. 이와 다르게, 전류확산 전도막(360)을 형성한 후에 메사식각 공정을 할 수도 있다. 전류확산 전도막(360)은 p형 질화물 반도체층(350) 전체적으로 전류밀도 균일성을 향상하여 면발광이 되도록 한다. 전류확산 전도막(360)은 주로 ITO, ZnO 또는 Ni/Au로 형성된다. 전류확산 전도막(360)은 발광영역의 대부분에 형성되어 있으며, 전류확산 전도막(360)이 너무 얇으면 전류확산에 불리하여 구동전압이 높아지며, 너무 두꺼우면 광흡수로 인해 광추출효율이 저하될 수 있다.
계속해서, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증착법(Ebeam Evaporation), 열증착법(Thermal Evaporation) 등의 방법을 이용하여, 도 5c에 도시된 것과 같이, n형 질화물 반도체층(330) 위에 n측 전극(380)과 전류확산 전도막(360) 위에 p측 전극(370)을 형성한다.
예를 들어 n측 전극(380)은 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)을 포함하며, p측 전극(370)은 p측 본딩 패드부(371) 및 p측 가지 전극부(375)를 포함한다.
도 3에 예시된 반도체 발광소자(300)는 사이즈 증가를 위해 일측으로 길게 형성되어 대략 직사각형의 평면 형상을 갖는다. 따라서 반도체 발광소자(300)는 장변 및 단변을 가진다.
n측 본딩 패드부(381) 및 p측 본딩 패드부(371)는 대향하는 단변측에 위치한다. n측 가지 전극부(385)은 n측 본딩 패드부(381)로부터 p측 본딩 패드부(371)를 향하여 반도체 발광소자(300)의 가운데를 따라 뻗어 있다. 2개의 p측 가지 전극부(375)은 p측 본딩 패드부(371)로부터 연장되어 n측 가지 전극부(385) 양측으로 뻗어 있다.
전극의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 것과 다르게 n측 본딩 패드부(381) 및 p측 본딩 패드부(371) 중 적어도 하나는 복수의 반도체층 바깥의 기판(310) 위에 형성될 수 있으며, n측 가지 전극부(385) 및 p측 가지 전극부(375)의 개수 및 배치는 반도체 발광소자(300)의 사이즈 및 형상 등에 따라 변경될 수 있다. 또한, n형 질화물 반도체층(330)이 활성층(340) 위에 형성되고, p형 질화물 반도체층(350)이 활성층(340) 아래에 형성되는 것도 가능하며, 이 경우 p측 전극(370) 및 n측 전극(380)의 상하 위치도 변경된다.
한편, 활성층(340)에서 생성된 빛은 복수의 반도체층의 상하 및 측면으로 방출된다. 상당한 양의 빛이 메사식각되어 노출된 복수의 반도체층의 측면으로 방출된다. 또한, 기판(310)에 의해 일부의 빛이 상측으로 반사된다.
n측 전극(380) 및 p측 전극(380)은 박리 방지를 위해 접합성이 좋고, 전기적 특성이 좋은 금속으로 이루어지며 복수의 금속층으로 이루어진다. 전극의 높이는 메사식각 되어 노출된 복수의 반도체층의 높이에 비해 작지 않으며 따라서 메사식각된 복수의 반도체층의 단면을 통해 방출된 광은 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)의 옆면에 의해서 광흡수 손실이 발생될 수 있게 된다.
이런 관점에서 광흡수 감소를 위해서는 전극의 높이를 낮추는 것을 일응 고려할 수 있지만, 전극의 사이즈가 반도체 발광소자(300)에서 상당한 부분을 차지하는 반면, 금속이 광흡수뿐만 아니라 광반사성도 가짐에 착안하여 본 개시에서는 전극의 높이를 낮추는 것과는 반대로 반사율이 우수한 금속으로 이루어진 반사층을 전극에 도입하고 광반사를 충분히 하도록 반사층을 전극의 다른 층보다 높게 형성한다.
이와 같이 본 개시에 따른 반도체 발광소자(300)는 n측 전극(380)이나 p측 전극(380)에 요구되는 상기 접합성 및 전기적 특성을 만족하면서도 광반사를 향상하는 구성을 구비하여 광추출효율이 향상된다.
n측 전극(385)은 메사식각되어 노출된 p형 질화물 반도체층(350)의 측면, 활성층(340)의 측면 및 n형 질화물 반도체층(330)의 측면과 대면하므로 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)은 기판(310)에서 반사된 빛뿐만 아니라 식각되어 노출된 복수의 반도체층의 측면으로부터의 빛도 흡수한다. 따라서 전극에 의한 광흡수를 줄이기 위해서는 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)에 의한 광흡수를 감소시키는 것이 효과적이다.
도 6은 도 3에 도시된 반도체 발광소자(300)를 C-C 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면이다.
예를 들어, n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)는 순차적으로 적층된 제1 접촉층(382), 제1 반사층(383), 추가의 층(384) 및 제1 본딩층(386)을 포함한다.
제1 접촉층(382)은 n형 질화물 반도체층(330)과의 접합성 및 전기적 접촉 특성이 좋은 금속으로 선택되며, 제1 반사층(383)은 반사율이 우수한 금속으로 선택되며 식각되어 노출된 복수의 반도체층의 측면으로부터의 빛을 충분히 반사하기 위해 제1 본딩층(386), 제1 접촉층(382) 및 추가의 층(384) 각각에 대해 보다 높게 형성된다. 제1 본딩층(386)은 n측 본딩 패드부(381)의 와이어 본딩을 위해 본딩특성이 좋은 금속으로 선택된다. 추가의 층(384)의 제1 반사층(383)과 제1 본딩층(386) 간의 접합성 또는 제1 본딩층(386)과 제1 반사층(383)의 특성의 보호를 위해 구비된다.
예를 들어, n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)는 도 4, 도 5c 및 도 6에 도시된 것과 같이 Cr(382)/Al(383)/Ti(384)/Au(386)로 구성될 수 있으며, 이외에도 Cr/Ag/Ti/Au, Cr/Al/Ni/Au, Cr/Ag/Ni/Au, Ti/Al/Ti/Au, Ti/Ag/Ti/Au, Ti/Al/Ni/Au, Ti/Ag/Ni/Au 등 다양한 조합으로 구성될 수가 있으며, 이러한 층구성에서 중요한 점은 반사층인 Al 또는 Ag층을 다른 층 보다 가장 두껍게 구성하고 다른 층들은 가능한 한 얇게 구성하여 메사 식각면으로부터 방출된 빛의 반사를 많이 향상하는 데 있다.
n형 질화물 반도체층(330)과의 접촉성이 좋은 Cr(382)또는 Ti를 제1 접촉층(382)으로 하고 본딩 특성이 좋은 Au(386)를 제1 본딩층(386)으로 하며, 광반사율이 우수한 Al(383) 또는 Ag를 증착하여 제1 반사층(383)을 형성한다. Al(383) 및 Au(386)와 접합성이 좋고 베리어(barrier)가 되는 Ti 또는 Ni를 추가의 층(384)으로 사용한다.
도 5c에서 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)의 높이는 편의상 도시한 것이다. 예를 들어, Cr(20A)/Al(2um)/Ti(500A)/Au(2000A)로 형성된다. 전술한 것과 같이 제1 반사층(383)은 제1 본딩층(386) 및 추가의 층(384) 각각보다 높은 높이(또는 두께)를 가지는 것이 광추출효율 향상을 위해 좋다. 상기 예의 경우 제1 반사층(383)은 5000A 이상의 높이를 가지는 것이 좋고, 반사효과 및 전기전도성을 고려하면 제1 반사층(383)은 1um 이상의 높이를 가지는 것이 바람직하다.
도 3 내지 도 6에서는 n측 본딩 패드부(381)와 n측 가지 전극부(385)가 동일한 층구성을 가지는 예를 들었지만, n측 본딩 패드부(381)와 n측 가지 전극부(385)의 층구성이 반드시 동일할 필요는 없으며 광흡수 손실이 문제되는 것에 반사층을 본딩층 등 다른 층보다 높게 형성하면 된다. 예를 들어, n측 본딩 패드부(381)에 의한 광흡수보다 n측 가지 전극부(385)에 의한 광흡수가 특히 문제되는 경우에는 n측 본딩 패드부(381)가 Cr/Al/Ti/Au로 형성되더라도 n측 가지 전극부(385)는 Cr/Al 또는 Cr/Ag로 이루어질 수 있고, n측 가지 전극부(385)의 Al층(가지전극부 반사층)을 n측 본딩 패드부(381)의 다른 층들 각각보다 높게 형성할 수도 있다.
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자(700)의 다른 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자(700)는 n측 가지 전극부(785) 및 n측 본딩 패드부의 측면이 기판(705)에 수직한 방향에 대해 기울기를 가지도록 형성된 것을 제외하고는 도 3 내지 도 6에서 설명된 반도체 발광소자(300)와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.
예를 들어, n측 본딩 패드부 및 n측 가지 전극부(785)는 Cr/Al/Ti/Au로 이루어지고, 측면을 도 7에 도시된 것과 같이 기판(705)에 수직방향에 대해 기울기를 가지도록 형성하여 단면이 사다리꼴 형상을 가진다. 따라서 복수의 반도체층으로부터 나온 빛이 n측 본딩 패드부 및 n측 가지 전극부(785)에 의해 더 많이 반사된다.
이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 가지 전극부 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(2) 가지 전극부 반사층이 Al로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(3) 가지 전극부 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(4) 가지 전극부 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(5) 가지 전극부 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(6) 본딩 패드부는 제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 가지 전극부 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(7) 복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(8) 본딩 패드부가 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(9) 제1 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(10) 제1 반사층이 Al으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(11) 제1 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(12) 제1 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(13) 제1 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(14) 제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 제1 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
본 개시에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 전극에 의한 광흡수가 감소하여 외부양자효율이 향상된다.
300 : 반도체 발광소자 370 : p측 전극
380 : n측 전극 381 : n측 본딩 패드부
382 : Cr 383 : Al
384 : Ti 385 : n측 가지 전극부
386 : Au

Claims (24)

  1. 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고
    복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되며, 제1 반도체층으로 전류를 공급하기 위해 뻗어 있는 가지 전극부와 와이어가 본딩되는 본딩 패드부를 가지는 제1 전극;으로서, 본딩 패드부는 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층을 가지며, 가지 전극부는 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 가지 전극부 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    가지 전극부 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    가지 전극부 반사층이 Al로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    가지 전극부 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    가지 전극부 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    가지 전극부 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서,
    본딩 패드부는 제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 가지 전극부 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 청구항 1에 있어서,
    복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 청구항 1에 있어서,
    본딩 패드부가 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 청구항 9에 있어서,
    제1 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  11. 청구항 9에 있어서,
    제1 반사층이 Al으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  12. 청구항 9에 있어서,
    제1 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  13. 청구항 9에 있어서,
    제1 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  14. 청구항 9에 있어서,
    제1 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  15. 청구항 9에 있어서,
    제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 제1 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  16. 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고
    복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되는 제1 전극;으로서, 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층 및 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  17. 청구항 16에 있어서,
    제1 전극은 제1 반도체층으로 전류를 공급하기 위해 뻗어 있는 가지 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  18. 청구항 16에 있어서,
    제1 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  19. 청구항 16에 있어서,
    제1 반사층이 Al으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  20. 청구항 16에 있어서,
    제1 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  21. 청구항 16에 있어서,
    제1 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  22. 청구항 16에 있어서,
    제1 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  23. 청구항 16에 있어서,
    제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 제1 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  24. 청구항 23에 있어서,
    제1 접촉층, 제1 반사층, 추가의 층 및 제1 본딩층은 각각 Cr(또는 Ti)/Al/Ti(또는 Ni)/Au 또는 Cr(또는 Ti)/Ag/Ti(또는 Ni)/Au로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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