TWI477734B - 測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試接合層之測試方法 - Google Patents

測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試接合層之測試方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI477734B
TWI477734B TW101121622A TW101121622A TWI477734B TW I477734 B TWI477734 B TW I477734B TW 101121622 A TW101121622 A TW 101121622A TW 101121622 A TW101121622 A TW 101121622A TW I477734 B TWI477734 B TW I477734B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
test
measurement
reference arm
bonding layer
optical
Prior art date
Application number
TW101121622A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201305528A (zh
Inventor
Berthold Michelt
Original Assignee
Precitec Optronik Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Precitec Optronik Gmbh filed Critical Precitec Optronik Gmbh
Publication of TW201305528A publication Critical patent/TW201305528A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI477734B publication Critical patent/TWI477734B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02041—Interferometers characterised by particular imaging or detection techniques
    • G01B9/02044—Imaging in the frequency domain, e.g. by using a spectrometer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/02015—Interferometers characterised by the beam path configuration
    • G01B9/02029—Combination with non-interferometric systems, i.e. for measuring the object
    • G01B9/0203—With imaging systems
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
    • G01B9/02—Interferometers
    • G01B9/0209—Low-coherence interferometers
    • G01B9/02091—Tomographic interferometers, e.g. based on optical coherence
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4795—Scattering, i.e. diffuse reflection spatially resolved investigating of object in scattering medium
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
    • G01N2021/8438—Mutilayers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試 接合層之測試方法
本發明係關於一種測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試接合層之測試方法，該測試裝置具有一測量頭部，利用頻率或傅立葉域光學同調斷層掃描(FD-OCT)程序，引導一測量光束在一複合材料上，該複合材料由至少二晶圓形試片及介於其間之一接合層組成。一光學分光器平面係設置用以轉向一參考光束作為一用於測量距離的光學參考臂。
F.Niklaus,G.Stemme,J.-Q.Lu撰寫的”黏膠晶圓接合(Adhesive Wafer Bonding)”文獻，及R.J.Gutmann在應用物理雜誌(Journal of Applied Physics)發表的應用物理評論(Vol.99,No.1，第031101.1至031101.28頁，2006)為揭露有關晶圓形試片間之接合層之應用，所使用的接合層一般為聚合物接合層，用以接合欲接合之一個或二個晶圓形試片。一旦覆蓋有該聚合物接合層之該晶圓形試片的表面已被接合，壓力或作用力即可施加在晶圓形試片上。溫度處理一般也可用以加強接合流程。
晶圓形試片間之接合層的接合與製造因此 是一種相對簡單、可靠且價格低廉的工序，所使用的聚合物黏著劑類型會影響接合強度及接合表面所形成的孔洞。接合層的品質取決於聚合物黏著劑的聚合程度、晶圓形試片的材質、晶圓表面之異物顆粒尺寸及晶圓形狀、聚合物的厚度、接合層在生產過程中的聚合物黏性及施加在兩晶圓形試片的接合壓力。在接合層中雖然可以容忍長度小於接合層厚度的異物顆粒，但無法接受在接合層中之孔洞及黏著劑中斷，這可能造成排斥反應。
在某些半導體技術的應用中，例如，厚度等級為幾十微米(micrometer)及直徑超過10英吋或250毫米之晶圓被製造及處理。上述矽晶圓就如同一鋁製金屬薄片，並不能依照標準工具處理。翹曲的晶圓形試片使得它們甚至不能被搬運或儲存在晶圓盒中。為此理由，這種薄型的晶圓形試片利用該接合層在一載體晶圓上進行處理，透過使用接合層的一穩定載體晶圓，可支撐及穩定一薄型功能晶圓。
製造此類型的薄型晶圓作為功能晶圓時，已證實其厚度研磨至如上所述之幾十微米以下是有作用的。一旦該功能晶圓完成功能表面而接合到一載體晶圓，一包含一接合層及數個晶圓 的複合體即可在研磨過程中藉由接合層保持在一起。在研磨過程中，特別是接合層區域，黏著劑層厚度減少或中斷或黏著劑層中產生氣泡孔洞是非常重要的，因為上述情況所產生的機械應力可能會破壞該功能晶圓。為此理由，為了將孔洞和缺陷的精度降低至1毫米以下，在研磨之前檢查黏著劑層表面是有助益的。
為此，具有上述直徑的晶圓形試片，例如，10英吋以上能以螺旋運動進行點掃描，直徑300毫米以4kHz的速率及步進寬度1毫米需約70秒的測試時間。由於結構不平整、由於通過摻雜物質引起光吸收不均勻及由於在功能晶圓上使用金屬處理層作為晶圓形試片，因而無法通過對功能晶圓使用光學方法準確地測量該接合層，故較佳的測量方式是通過載體晶圓。
配置一測量頭部用以進行一光學同調斷層掃描(Optical Coherence Tomography，OCT)程序，特別是對於一個頻率或傅立葉域光學同調斷層掃描(Frequency or Fourier Domain Optical Coherence Tomography，FD-OCT)程序，已公開於WO 2006/028926 A1。
用於OCT程序之一測量頭部，利用一參考臂或參考平面，能在一參考面及一測量對象的任 何表面之間紀錄絕對距離，以及測量接合層的厚度。一設置在參考臂上的旋轉盤可以轉動，並因為具有此部分塗層的盤體能夠實現相移，故已證實對此目的有作用。然而，該盤體無法支持提供測量層之厚度峰值及距離峰值的歸納與分類，若先前無法獲知測定對象的階層結構之資訊，則厚度峰值及距離峰值將無法被清楚分類成階層厚度測量或距離測量。
因此，本發明之目的是，使用光學同調斷層掃描(OCT)程序快速及準確地分類一接合層中所產生的缺陷，並建立一適用於該程序的測試裝置。
該目的是通過獨立請求項之主要標的來實現，而在從屬請求項中則詳細說明有益於本發明的進一步發展。
本發明提供一種用於測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試接合層之測試方法，該測試裝置包含：一測量頭部，被配置用於一光學同調斷層掃描程序，該程序用以引導一測量光束在一複合材料上，該複合材料包含至少二晶圓形試片，該晶圓形試片之間具有一接 合層；一光學分光器平面，被配置用來轉移一參考光束，以作為一距離量測用之參考臂；一估算單元，被配置用以估算階層厚度之量測，而不需參考臂及利用參考臂之距離量測。
這種類型的裝置的優點是，可以快速連續地測量階層厚度輪廓(profiles)及距離輪廓，此外，也能夠在相同數個掃描位置交替紀錄該階層厚度及距離之輪廓掃描。因此，使用該裝置可獲知介於晶圓形試片間之接合層的接層結構的先前資訊，及清楚地分類一測量峰值是否為一階層厚度測量的一階層厚度峰值或一距離測量的一距離峰值。
當記錄該階層厚度並於距離測量時再次連接該裝置時，該裝置能夠有利於遮蓋OCT程序距離測量所需的參考臂，此外，通常在一光束分離板，使用該測試裝置可避免散光(astigmatism)及測量光束產生聚集的彗星像差(coma)效果，以及從該距離量測之測量光束轉移出沒有散光及沒有慧星像差效果之參考臂。
較佳地，在本發明一實施例中，設置一分光器立方體能夠克服上述光學缺陷，測量光束以分光器取代分光板。另外，也可以建立一個光纖測試裝置，利用該光纖環行器(circulator)克服 板狀光學分光器的缺陷。此種可接收光源之光的光纖環行器類型，可同時分離在該測量頭部及參考臂的光。因此，該測量頭部、參考臂及光源皆連接至該環行器。
此外，該光纖測試裝置的優點在於，該測量頭部可以被定位在相距一評估單元一段距離處，及因此被定位在相距該實際測量對象一段距離處，其中該評估單元包含光源、干涉儀、參考臂及參考臂的光學開關裝置。
本發明另一實施例提供一種光偏轉器(deflector)用以使該參考臂由分光器平面偏轉，以作為一光學開關裝置。在此過程中，較有利的是該偏轉器可以不用相對該參考光束形成垂直對位，但其面法線是有角度的，因而該偏轉器的一表面上的任何反射，不能與測量光束本身耦合，但會偏轉至該測試裝置之一非重要區域。
在本發明另一個實施例中，設置有一雙穩態電子開關，用以推送一膜片(diaphragm)進入或離開參考光束，或用以開啟及關閉的一可變光圈(iris diaphragm)作為該光學開關裝置。然而，在此同樣地，定位該膜片的面法線，因而不用發射任何參考光束成份回到該分光器。相較於 光學偏轉器，該膜片具有的優點為不用樞轉或推動的動作，因而可縮短掃描時間。
在另一個實施例中，可具有一光學液晶塊作為光學開關裝置。通過在一液晶結構施加一低電壓，該液晶可使該參考臂幾乎無慣性地光學斷開，因而通過旋轉二偏振濾光器之間的一偏振平面，所述晶體結構的表面可防止參考光束穿過偏振濾光器。
在本實施例中，該測試裝置還包含一開關模組，該開關模組具有一測量頭部和一光學開關裝置。這種模組的優點在於結構緊密，因而可使整個測試裝置定位設置在一測試對象上方之單一個殼體內。
此外，該測試裝置也可以具有一改良型邁克森干涉儀(Michelson interferometer)，其具有一受該光學開關器屏蔽的參考臂及一自由的光學臂，該光學臂具有一相機或目鏡，用以監視該測試對象。一光學同調斷層掃描(OCT)程序的估算單元連接一改良型邁克森干涉儀，可相對低廉的生產，及其使用可更接近測試對象。
相反地，可配置數個光纖測試裝置，如此其具有一光纖參考臂及一估算單元，位在相距該測試對象一段距離處。為此，一半透明的鏡層 定位在該測量頭部過渡時的輸出端到一光纖的光波導管，如此耦合到該測量頭部的一部分的光束，經由一光纖纜線及一環行器，耦合回到該估算單元及一具有光纖參考臂之設備中。
該光纖參考臂較佳地可在端部具有法拉第鏡(Faraday mirrors)以做為光纖反射器。此外，也可以在相距該測試對象一段距離處之該估算單元之區域內提供多個具不同預設定光學長度的光纖參考臂。因此，可以通過上述光纖環行器耦合幾個不同的光纖參考臂至該測量頭部。
本實施例也可提供一沒有光纖的最終鏡面的光纖參考臂，由於其內部沒有形成干涉用的反射波，因而能作為一受阻的(blocked)參考臂。定位在上述各種不同的光纖參考臂之上游處則是一光纖切換器(switch)，可以在數個不同的參考臂之間進行切換，以及因而可在一受阻參考臂及數個具不同光學長度的參考臂之間進行切換。
此外，本實施例也可提供一種光纖耦合器，以連結一固定的參考臂至該環行器，且能連接該光纖切換器至該環行器。通過在測量頭部的光纖反射端，在參考臂上的光纖反射器處被反射之子光波因而藉由反射疊加在該測量頭部之 測量光束的光學測量長度上。最後，利用一連接到環行器的光譜儀，評估所得到的參考圖像。
一種測試介於晶圓形試片間之接合層之測試方法，使用上述測試裝置之其中一個實施例，具有以下步驟：首先，使用該光學同調斷層掃描(OCT)創造一接合層的區域階層厚度圖像，此類型之一階層厚度圖像可初步辨識該缺陷區域，隨後可利用通過縮小深度測量範圍至小倍數干涉最大值來定位一測量頭部在接合層的其中一已辨識的缺陷區域上，以進行更詳細地檢查。
較難以一感測器測量薄型階層的大範圍測量，此小倍數干涉最大值的測量範圍，儘管縮小範圍，仍維持足夠大的範圍有利於進行該測試程序，第一，由於大測量範圍的靈敏度不足，第二，由於估算一階層厚度不可能小於2倍干涉最大值。然而，為此，由一干涉儀所生成的一強度影像的階層厚度測量峰值與距離測量峰值，可被壓縮至一窄小的範圍內，因而難以將強度測量峰值分類為階層厚度測量峰值或階層厚度峰值及距離測量峰值或距離峰值。
因此，在該方法之實施例中，利用斷開該測試裝置參考臂，而沿著該缺陷區域內之一測量 路徑首先測量一階層厚度輪廓，然後再利用重新連接該測試裝置參考臂，在相同的測試路徑上再測量一距離測量輪廓。接著則為一輪廓掃描，在該輪廓掃描期間，在測量路徑上的相同數個掃描位置交替執行利用斷開參考臂取得的階層厚度測量及利用連接參考臂取得的距離測量。
然後，該估算單元會對該階層厚度輪廓及距離輪廓的輪廓掃瞄進行比較，進而將測量峰值分類作為厚度量測峰值或距離量測峰值。此過程有利於在確定假想參考平面之位置前更精確地獲得階層結構的先前資訊，因而能夠更準確地歸類已辨識的峰值，而且還能確保預期的範圍不會重疊。
使用這個程序可建立一測量曲線圖(graph)，以利於估算關於介於晶圓形試片間之接合層中缺陷區域之測量值的分類。最後，在缺陷區域內使用已分類之階層厚度和距離量測，可以將一缺陷分類成在接合層中可忍受的一雜質微粒，或在接合層中無法忍受的一孔洞。若評估結果顯示在接合層中有孔洞，這樣的複合材料包含一接合層和數個晶圓形試片，將無法承受研磨加工。事實上，該接合層需重 新製作以消除孔洞。
此外，該程序還具有一可在複合材料的表面內辨識翹曲區域的優點，該複合材料包括二試片及一設置於其中的接合層，該辨識是通過利用該測試裝置參考臂之連接來計算在該測量頭部與該複合材料表面之間的距離值來進行的，且在該程序中該測試裝置參考臂之連接不需要一額外步驟，其理由是藉由已實現的距離輪廓測量會自動被辨識該翹曲區域。
為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
如第1圖所示，為本發明測試裝置1之第一實施例的示意圖，該測試裝置1包含一測量頭部7，該測量頭部7在一複合材料9上引導一測量光束8；該測量光束8可記錄一接合層4之缺陷部分的特性，該接合層4位於二晶圓形試片5、6之間。
為此，利用一分光器立方體17從一測量光束8解耦出一參考光束11，並在一分光器平面10產生一參考圖像，並通過在該測量頭部7及 一估算單元15之間的光纖連接器33進行鑑定。該估算單元15具有一光譜儀22，利用一階層厚度測量之數個強度峰值及一距離測量之數個強度峰值，用以紀錄該干涉圖像及該光譜干涉圖案。
在此過程中，該階層厚度的強度峰值是由兩個邊界介面的干涉而產生，該邊界介面形成在所述晶圓形試片與接合層的過渡區處。利用該測量光束8與參考光束11之間在該分光器平面10內的干涉，形成該距離測量的強度峰值，該參考光束11係從在參考臂12末端上之一反射鏡34投影至該分光器平面10。利用該光譜儀22記錄的該階層厚度測量及距離測量來分配或分類該強度峰值是較困難的，在這種密集強度最大值之情況下會發生在接合層4內之缺陷檢測無法被確定。
為了以可再現方式改善分類/歸類，除了將測量頭部7及用於參考臂12之分光器立方體17外，該測試裝置1還具有一位於一開關模組19中的光學開關裝置16，該光學開關裝置16能在箭頭A的方向推動一光學偏轉器13至該參考臂12內，並可在箭頭B的方向推動該光學偏轉器13至該參考臂12外。因此，在位置A的強度 峰值可被歸類為該階層厚度測量，及在位置B的強度峰值，可被歸類為階層厚度測量及距離測量的疊加值。
通過較適當的方式以該估算單元15比較已中斷參考光束11之測量和未中斷參考光束11之測量，接著就可以在反射強度圖像之階層厚度峰值及距離測量之強度峰值之間作出一明確的區別。
為了在該光學偏轉器13移動至該參考臂12內時避免來自光學偏轉器13表面的反射擊中該光學分光器平面10，並因而扭曲該測量結果，故該面法線35至該光學偏轉器的表面36形成有角度，使得在移動至該參考臂12或進入該參考臂12之位置時該光學偏轉器13之表面36的反射被引導在一位於開關模組19內的非重要區域，而且不影響該分光器立方體17的光學分光器平面10。該光學開關裝置16因而不同於上述WO2006/028926 A1所揭露被定位在參考臂內之具有光纖推桿的旋轉盤。
如第1圖所示，該複合材料包含一接合層4，該接合層4位於二晶圓形試片5、6之間，該接合層4位於該測量平面37之外，並可通過一相應於該複合材料9的測量平台沿箭頭C被機械 推移至該測量平面37內，該複合材料9包含一功能晶圓30和一載體晶圓31，並在兩者之間設置有一待檢測的接合層。該測量光束8可通過該載體晶圓31記錄該接合層4。由於該功能晶圓30具有數個光學有效層，例如金屬層或高摻雜區，這將導致對該接合層4之特性方面的錯誤判讀，因此需選擇該晶圓形試片及接合層4之配置方式。相反地，該載體晶圓可選擇為均勻透明(如用於紅外線的矽晶圓)，因此如第1圖所示，利用該測試裝置可記錄該接合層4的缺陷。測量完成之後，由接合層4及晶圓形試片5、6組成的複合材料9自該測量平面37沿箭頭D方向被移除，若該接合層4不具有孔洞，則該功能晶圓可被研磨。
另外，從一光源23發送光線自該估算單元15通過該光纖連接器33至該測量頭部7。此外，在本實施例之測量裝置1中，在分光器平面10中，使用一分光器立方體17取代一半透明的光束分離板，以避免使用半透明板造成在測量光聚集時所產生散光及的慧星像差的影響。
如第2圖所示，為本發明第二實施例之一測試裝置2的示意圖。與第1圖功能相同的元件 使用相同參考圖號，且將不再另多作說明。
在本實施例中，發送一光源通過一光纖連接器33至一邁克森干涉儀20(Michelson interferometer)。該邁克森干涉儀20不同於第1圖之第一實施例所揭露之內容，該分光器平面10定位在一準直(collimator)區域，如此可使用一半透明反射鏡或半透明鏡板作為分光器，其中在該準直區域中的平行光束可以忽略散光及慧星像差的影響。
此外，該邁克森干涉儀20與第1圖之實施例還有不同的地方在於，該反射鏡34可在箭頭E、F的方向被推動，以加長或縮短該參考臂12，因而在一有限的區域上方，可沿著箭頭C、D方向將該測量平面37移動至由複合材料9構成的測量對象中，而不增加試片夾持機台的高度，其中該複合材料9包含二晶圓形試片5、6及位於其中的一接合層4。
更進一步的，該反射鏡34以及設置在該反射鏡34前方之一聚焦透鏡51，可沿箭頭E、F方向被推動。此有助於避免因散焦造成的損失。
對該測試裝置而言，該邁克森干涉儀20具有光學開關裝置16，其也具有如第1圖所示之光學偏轉器13。為了避免光學偏轉器13之反射 可能扭曲測量結果，該表面36相對於該參考光束11並無垂直對位。該光學偏轉器13也可由其他方式替代，用以斷開該參考臂12，例如，一液晶面板可使用一低開關電壓加以中斷或重新連接該參考臂的光學路徑。如第1圖、第2圖之裝置，也可使用快門(如可變光圈)，重要的是要確保該膜片的面法線35需以一定角度與該參考光束垂直對位，以避免由於封閉之膜片上之反射而扭曲測量結果。
如第2圖所示，當該邁克森干涉儀20具有一自由光學臂21，其它光學裝置可通過該自由光學臂21被發送至該分光器平面10，例如，在試點(pilot)雷射光點內的一耦合裝置，其有助於紅外線測量光，或者通過一外部光源測量光線的一耦合裝置，其可用以耦合在一第二階層厚度感測器，例如，具有不同光譜和測量範圍或其他試點位置。最後，該裝置也可連接一相機32、目鏡或可發光至邁克森干涉儀20之自由光學臂以觀察物件的發光件。
如第3圖所示為本發明測試裝置3的第三實施例的示意圖。該測試裝置是一光纖測試裝置，並在具有一半透明反射鏡，該半透明反射鏡位在該測量頭部7過渡到光纖連接器33的測 量光輸入端C。藉此在相距該測量頭部7一段距離處，可使光束分光，以配合或提供一參考臂，以及切換或中斷該參考臂。該測量頭部7之結構因而比如第1圖、第2圖所示之實施例的更為簡化。
接著，使用一光纖環行器18取代一分光器平面10，該光纖環行器18連接該估算單元15之光源23及光譜儀22至該測量頭部7以及光纖耦合器24。該光纖耦合器24連接至一光纖切換器29，作為該光學開關裝置16，也可以耦合至一光纖參考臂25的一反射鏡34。該光纖切換器29可連接具有不同光學路徑長度的數個光纖參考臂，使得這種在終端B1具有法拉第鏡38的參考臂，能夠與一虛擬平面B1’形成干涉，該虛擬平面B1’位於複合材料9之接合層4的平面內。
在該估算單元15中，通過光纖切換器29、該光纖耦合器24和環行器18，由終端B1之法拉第鏡38可發送一參考信號至該光譜儀22，此外，該光纖切換器29可切換一光纖參考臂28至B1或切換一光纖參考臂27至B2或至一受阻參考臂26。在實際應用中，該受阻參考臂26假定為如第1圖、第2圖實施例中所示之光學偏 轉器13的功能，為此，該光纖被導引至一黑色且無反射的光吸收器中。該光纖測試裝置的優點在於，相對較小之測量頭部7，可當場測量接合層的特性，而不需要對於震動敏感的分光器，或其他額外元件，例如在測量位置處之光纖偏轉器。
如第4圖所示為第1圖之測試裝置1的結構示意圖。相較於現場的光纖測試裝置，該結構不僅包含該測量頭部7，還包含該光學開關裝置16、分光器立方體17及具有參考鏡14的參考臂12，因而具有一相對小型的結構。任選地，該裝置也可增設一在凸緣上的相機32，用以顯示位於載體晶圓31與功能晶圓30之間的接合層4的特性。
這種類型的複合材料包含一功能晶圓30與載體晶圓31，例如，沿箭頭I方向的一轉盤上設有沿著一軸線39旋轉的一盤形複合材料9，直徑為300毫米，同時該測試裝置1沿箭頭G方向朝該軸線39移動，或沿箭頭H方向朝該軸線39遠離，因而以一螺旋圖案掃描該盤形複合材料9。
掃描頻率為4kHz，相對於盤形複合材料9之圓周和徑向皆以1毫米為掃描距離，其可以 在約70秒的時間內檢測該接合層4之缺陷。如果該掃描距離被縮減至0.25毫米，大約加總的掃描時間需要20分鐘，以在品質上控制具有直徑300毫米的盤形複合材料9。因此，通過對整個盤體之階層厚度測量進行定位缺陷，然後再利用連結或中斷如第1圖至第4圖中斷一參考臂的可能性來更緊密的檢測所述缺陷，以確定在接合層中是否僅為不會破壞該複合材料之可容忍的異物顆粒，或為孔洞，如果要研磨該功能晶片，則應避免有孔洞。
如第5圖及第6圖所示，為大表面、螺旋階層厚度掃描的測試結果及沿著一測量路徑詳細的測量的測試結果，用以顯示其特徵及進行缺陷分類。
第5圖揭示一概要示意圖表示在一直徑D為300毫米的晶圓上以一螺旋方式實施一階層厚度測量之後，在兩晶圓之間的接合層具有清晰可辨之缺陷的測試結果。初始階層厚度測量能指出幾個缺陷，包含，例如，需要進一步調查的缺陷41、42，這些缺陷可使用上述的測試裝置進行測量，在其上方利用一測量路徑40的虛擬可以準確地分類是否光學同調斷層掃描(OCT)程序的強度最大值已藉由光譜儀顯示掃描峰值 或階層厚度測量峰值記錄；因此，該階層厚度可從第5圖所示並可列印出的距離及階層厚度之圖表50中被明確區分出來。此外，在X軸以毫米為單位表示測量位置w，在Y軸以微米表示階層厚度d，因為該階層厚度d在缺陷41、42之區域內從平均階層厚度約為30μm降至20μm以下，所以該圖表可表示該接合層的兩缺陷41、42是因孔洞所造成的。
如第6圖所示，為了減少測量時間，該測量路徑40可大幅縮減，這裡同樣為一相對較厚之接合層的階層厚度，沿著一寬度w(約17毫米)，平均厚度d(d>130μm)，進行檢測，以及一缺陷43被剖視，用以確認是否為可容忍的異物顆粒缺陷或孔洞。如圖所示之估算圖表50，在該接合層4內的缺陷43是由孔洞所引起。另外，規則的方形路徑44可在該接合層4上被看到，這些形成該接合層4的各種凸形(mesa)結構45、46、47、48。該接合層4的所述凸形結構45、46、47、48顯示，該方形路徑44約略可反映該功能晶圓準備分離用之線路，其切入功能晶圓內的深度約為5μm。
雖然本發明已以較佳實施例揭露，然其並非用以限制本發明，任何熟習此項技藝之人士， 在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與修飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1~3‧‧‧測試裝置
4‧‧‧接合層
5、6‧‧‧晶圓形試片
7‧‧‧測量頭部
8‧‧‧測量光束
9‧‧‧複合材料
10‧‧‧分光器平面
11‧‧‧參考光束
12‧‧‧參考臂
13‧‧‧光學偏轉器
14‧‧‧參考鏡
15‧‧‧估算單元
16‧‧‧光學開關裝置
17‧‧‧分光器立方體
18‧‧‧光纖環行器
19‧‧‧開關模組
20‧‧‧邁克森干涉儀
21‧‧‧自由光學臂
22‧‧‧光譜儀
23‧‧‧光源
24‧‧‧光纖耦合器
25‧‧‧光纖參考臂
26‧‧‧受阻參考臂
27‧‧‧光纖參考臂
28‧‧‧光纖參考臂
29‧‧‧光纖切換器
30‧‧‧功能晶圓
31‧‧‧載體晶圓
32‧‧‧相機
33‧‧‧光纖連接器
34‧‧‧反射鏡
35‧‧‧面法線
36‧‧‧表面
37‧‧‧測量平面
38‧‧‧法拉第鏡
39‧‧‧軸線
40‧‧‧測量路徑
41‧‧‧缺陷
42‧‧‧缺陷
43‧‧‧缺陷
44‧‧‧方形路徑
45~48‧‧‧凸形結構
50‧‧‧圖表
51‧‧‧聚焦透鏡
A~I‧‧‧箭頭
第1圖為本發明測試裝置之第一實施例的示意圖。
第2圖為本發明測試裝置之第二實施例的示意圖。
第3圖為本發明測試裝置之第三實施例的示意圖。
第4圖為第1圖所示之測試裝置的結構示意圖。
第5圖為二晶圓之間的接合層之測試結果的示意圖。
第6圖為接合層之缺陷區域的測試結果。
1‧‧‧測試裝置
4‧‧‧接合層
5、6‧‧‧晶圓形試片
7‧‧‧測量頭部
8‧‧‧測量光束
9‧‧‧複合材料
10‧‧‧分光器平面
11‧‧‧參考光束
12‧‧‧參考臂
13‧‧‧光學偏轉器
15‧‧‧估算單元
16‧‧‧光學開關裝置
17‧‧‧分光器立方體
19‧‧‧開關模組
22‧‧‧光譜儀
23‧‧‧光源
30‧‧‧功能晶圓
31‧‧‧載體晶圓
33‧‧‧光纖連接器
34‧‧‧反射鏡
35‧‧‧面法線
36‧‧‧表面
37‧‧‧測量平面
A~D‧‧‧箭頭

Claims (16)

  1. 一種測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置，其包含：一測量階層厚度的頭部，被配置用於一光學同調斷層掃描程序，該程序用以引導一測量光束在一複合材料上，該複合材料包含至少二晶圓形試片，該晶圓形試片之間具有一接合層；一光學分光器平面，被配置用來轉移一參考光束，以作為一距離量測用之參考臂；一估算單元，被配置用以估算階層厚度之量測，而不需參考臂及利用參考臂之距離量測；及一光學開關裝置，被設置用以連接及斷開該參考臂；其中，記錄該階層厚度並於距離測量時再次連接該測試裝置時，該測試裝置被設置用以遮蓋該參考臂。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該光學分光器平面被定位在一分光器立方體內。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中一光纖環行器具有一光學分光器功能。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該光學開關裝置包含一光學偏轉器，用以從分光器轉移至該參考臂。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該光學開關裝置具有一雙穩態電器開關，被配置用以推動一膜片進入該參考光束及離開該參考光束。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該光學開關裝置包含一液晶塊。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該測試裝置包含一開關模組，該開關模組具有該光學開關裝置及該測量頭部。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該測試裝置包含一具有一參考臂的邁克森干涉儀及一自由光學臂，該參考臂可被該光學開關裝置屏蔽，該自由光學臂包含一用於監視測試對象的相機或目鏡。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中一光纖測試裝置之估算單元包含一光譜儀及一光源，該光源通過該光纖環行器與一測量頭部配合，以及與至少一光纖參考臂以一預先設定之光學長度配合。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之測試裝置，其中該光纖測試裝置的至少一光纖參考臂包括一作為光纖反射器的法拉第鏡。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之測試裝置，其中一光纖耦合器被配置作為一光纖測試裝置，通過光纖環行器耦合數個不同的光纖參考臂至該測量頭部。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之測試裝置，其中光纖測試裝置之一光纖交換器係以一預先程式化的形式在一受阻參考臂及數個光纖參考臂之間進行切換，該受阻參考臂用以測量階層厚度，該光纖參考臂具不同光學長度並用以量測距離。
  13. 一種測試介於晶圓形試片間之接合層之測試方法，使用如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中該測試方法包含下述步驟：利用一光學同調斷層掃描程序測定該接合層之一平層厚度圖像；透過縮小一深度測量範圍至小於10倍干涉最大值，以調整一測量頭部至該接合層之一已確認之缺陷區域；利用屏蔽該測試裝置的參考臂，沿著該缺陷區域內之一測量路徑，取得一階層厚度輪廓；利用連接該測試裝置的參考臂，取得在該相同測量路徑上之一距離測量輪廓；利用數個交替的階層厚度測量及距離測量，以取得一輪廓掃描，其中該交替階層厚度測量是透過屏蔽該參考臂取得的，及該距離測量是透過連接該參考臂在該測量軌跡上的相同數個掃描位置取得的；及將該輪廓掃描比較於該階層厚度輪廓及該距離輪廓，用以將所測得的峰值，分類為厚度測量峰值或距離量測峰值。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中該方法更包含：通過估算測量值的分類，產生一測量曲線圖，該測量值的分類是關於數個晶圓形試片間之接合層的缺陷區域。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中通過 在缺陷區域內之已分類階層厚度及距離之測量，該缺陷被分類為該接合層中的一異物顆粒，或該接合層中的一孔洞。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中利用連接該測試裝置的參考臂，計算在該測量頭部及該複合材料表面之間的距離值，以判定該複合材料表面上的數個翹曲部分，其包含二試片及位於兩者之間的一接合層。
TW101121622A 2011-06-17 2012-06-15 測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試接合層之測試方法 TWI477734B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011051146A DE102011051146B3 (de) 2011-06-17 2011-06-17 Prüfverfahren zum Prüfen einer Verbindungsschicht zwischen waferförmigen Proben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201305528A TW201305528A (zh) 2013-02-01
TWI477734B true TWI477734B (zh) 2015-03-21

Family

ID=46245975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101121622A TWI477734B (zh) 2011-06-17 2012-06-15 測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試接合層之測試方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9494409B2 (zh)
EP (1) EP2535680B1 (zh)
KR (1) KR101539489B1 (zh)
DE (1) DE102011051146B3 (zh)
TW (1) TWI477734B (zh)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2489722B (en) 2011-04-06 2017-01-18 Precitec Optronik Gmbh Apparatus and method for determining a depth of a region having a high aspect ratio that protrudes into a surface of a semiconductor wafer
DE102011051146B3 (de) 2011-06-17 2012-10-04 Precitec Optronik Gmbh Prüfverfahren zum Prüfen einer Verbindungsschicht zwischen waferförmigen Proben
US9036157B2 (en) * 2012-10-19 2015-05-19 National Applied Research Laboratories System of computing surface reconstruction, in-plane and out-of-plane displacements and strain distribution
US20140127857A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Carrier Wafers, Methods of Manufacture Thereof, and Packaging Methods
DE102012111008B4 (de) 2012-11-15 2014-05-22 Precitec Optronik Gmbh Optisches Messverfahren und optische Messvorrichtung zum Erfassen einer Oberflächentopographie
TWI499756B (zh) * 2013-05-10 2015-09-11 Ind Tech Res Inst 接合層的厚度量測系統與方法
US20140333936A1 (en) * 2013-05-10 2014-11-13 Industrial Technology Research Institute Thickness measuring system and method for a bonding layer
WO2014203161A1 (de) 2013-06-17 2014-12-24 Precitec Optronik Gmbh Optische messvorrichtung zum erfassen von abstandsdifferenzen und optisches messverfahren
ITBO20130403A1 (it) * 2013-07-26 2015-01-27 Marposs Spa Metodo e apparecchiatura per il controllo ottico mediante interferometria dello spessore di un oggetto in lavorazione
WO2015031404A1 (en) 2013-08-26 2015-03-05 Lumedica, Inc. Optical coherence tomography imaging systems and methods
EP3044568B1 (en) * 2013-09-12 2020-09-09 SiO2 Medical Products, Inc. Rapid, non-destructive, selective infrared spectrometry analysis of organic coatings on molded articles
JP6193088B2 (ja) * 2013-10-24 2017-09-06 エムテックスマツムラ株式会社 金属光沢面に塗布される透明樹脂の塗布領域と塗布量を検出する方法及びその光コヒーレンストモグラフィー計測システム
CN103615972A (zh) * 2013-11-19 2014-03-05 苏州慧利仪器有限责任公司 用于检测空心圆柱内表面的光学干涉仪
CN103615970A (zh) * 2013-11-19 2014-03-05 苏州慧利仪器有限责任公司 用于检测环形导轨内圆弧面的光学干涉仪
CN103697806A (zh) * 2013-11-19 2014-04-02 苏州慧利仪器有限责任公司 用于检测环形导轨外圆弧面的光学干涉仪
KR102292209B1 (ko) * 2014-07-28 2021-08-25 삼성전자주식회사 반도체 계측 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 계측 방법
FR3033643B1 (fr) 2015-03-13 2020-07-17 Unity Semiconductor Dispositif et procede pour detecter des defauts dans des zones de liaison entre des echantillons tels que des wafers
JP6571436B2 (ja) * 2015-07-28 2019-09-04 株式会社ティーワイテクノ 粉体圧縮成形物の評価方法及び評価装置
KR101733298B1 (ko) * 2015-09-15 2017-05-08 한국표준과학연구원 대형 유리기판의 물리적 두께 프로파일 및 굴절률 분포 측정을 위한 광간섭계 시스템
US10488228B2 (en) * 2016-04-11 2019-11-26 Nikon Corporation Transparent-block encoder head with isotropic wedged elements
US10162087B2 (en) * 2016-04-11 2018-12-25 Nikon Research Corporation Of America Optical system with a frustrated isotropic block
CN106332713B (zh) * 2016-08-16 2019-06-11 浙江科技学院 一种sd-oct图像的枇杷早期瘀伤鉴别方法
CN107966453B (zh) * 2016-10-20 2020-08-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种芯片缺陷检测装置及检测方法
CN106770279B (zh) * 2016-11-17 2023-07-25 浙江工业大学 磁场驱动仿捕蝇智能结构实验装置及实验方法
US10234265B2 (en) 2016-12-12 2019-03-19 Precitec Optronik Gmbh Distance measuring device and method for measuring distances
CN106770296B (zh) * 2017-01-11 2019-10-29 长安大学 一种四球摩擦试验磨斑图像磨痕方向角自动测定方法
FR3064349B1 (fr) * 2017-03-21 2023-06-30 Fogale Nanotech Dispositif et procede de reflectometrie a faible coherence a detection temps-frequence
US10345373B2 (en) * 2017-09-29 2019-07-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for inspecting semiconductor device structure
KR102436759B1 (ko) * 2017-10-24 2022-08-29 삼성디스플레이 주식회사 탈착층 성막시스템, 탈착층 성막방법, 탈착층을 포함하는 표시장치의 제조시스템 및 탈착층을 포함하는 표시장치의 제조방법
DE102017126310A1 (de) 2017-11-09 2019-05-09 Precitec Optronik Gmbh Abstandsmessvorrichtung
KR102138622B1 (ko) * 2017-11-28 2020-07-28 주식회사 고영테크놀러지 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법
EP3489620B1 (en) * 2017-11-28 2023-06-07 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting substrate and method thereof
EP3489619A1 (en) 2017-11-28 2019-05-29 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting substrate and method thereof
CN110006629B (zh) * 2018-01-04 2023-03-31 康普技术有限责任公司 光纤卡盒测试仪和光纤卡盒测试方法
KR20210033977A (ko) * 2018-06-13 2021-03-29 칼 짜이스 메디텍, 인크. 광 간섭 단층 촬영을 이용하는 투명 재료의 본딩 품질 검사
DE102018118501A1 (de) 2018-07-31 2020-02-06 Precitec Gmbh & Co. Kg Messvorrichtung zur Bestimmung eines Abstands zwischen einem Laserbearbeitungskopf und einem Werkstück, Laserbearbeitungssystem mit derselben und Verfahren zur Bestimmung eines Abstands zwischen einem Laserbearbeitungskopf und einem Werkstück
DE102018130901A1 (de) 2018-12-04 2020-06-04 Precitec Optronik Gmbh Optische Messeinrichtung
KR20210121241A (ko) * 2019-03-29 2021-10-07 다이킨 고교 가부시키가이샤 성형품의 검사 방법 및 성형품의 제조 방법
TWI736940B (zh) * 2019-07-19 2021-08-21 力晶積成電子製造股份有限公司 膜厚量測系統及膜厚量測方法
JP6922965B2 (ja) * 2019-10-30 2021-08-18 ダイキン工業株式会社 フッ素樹脂部材の接合部の検査方法、及び、フッ素樹脂部材の検査方法
JP7358204B2 (ja) * 2019-11-11 2023-10-10 大塚電子株式会社 膜厚測定装置および膜厚測定方法
CN111386441B (zh) * 2020-02-24 2021-02-19 长江存储科技有限责任公司 用于半导体芯片表面形貌计量的系统
WO2021168613A1 (en) 2020-02-24 2021-09-02 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip surface topography metrology
CN113008160B (zh) 2020-02-24 2023-02-10 长江存储科技有限责任公司 用于半导体芯片表面形貌计量的系统和方法
CN111406198B (zh) 2020-02-24 2021-02-19 长江存储科技有限责任公司 用于半导体芯片表面形貌计量的系统和方法
CN112798628B (zh) * 2021-04-15 2021-06-29 征图新视(江苏)科技股份有限公司 利用oct成像检测工业内部缺陷的可行性验证方法
CN113251936A (zh) * 2021-07-09 2021-08-13 成都太科光电技术有限责任公司 立式半导体晶圆ttv干涉测试装置
JP2023012630A (ja) * 2021-07-14 2023-01-26 住友電気工業株式会社 光ファイバ、および光ファイバの製造方法
EP4137262B1 (de) * 2021-08-20 2024-05-08 Bystronic Laser AG Verfahren und vorrichtung zum laserschneiden eines werkstücks
CN113847888B (zh) * 2021-11-30 2022-03-04 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种非均质跃变表面形貌自动测量装置及方法
DE102022104416A1 (de) * 2022-02-24 2023-08-24 Precitec Optronik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Wafern

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050140981A1 (en) * 2002-04-18 2005-06-30 Rudolf Waelti Measurement of optical properties
TW200712585A (en) * 2005-09-06 2007-04-01 Univ Nat Cheng Kung Method and device for automatic focusing of optical fiber type optical coherence tomography
TW200937005A (en) * 2008-02-22 2009-09-01 Ind Tech Res Inst Apparatus for measuring defects in semiconductor wafers
EP2159535A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-03 Optopol Technology S.A. Apparatus for optical coherence tomography and non-interferometric imaging

Family Cites Families (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3431298A (en) 1965-01-05 1969-03-04 Asahi Chemical Ind Process for the preparation of oxadicarboxylic acids
FR2615279B1 (fr) 1987-05-11 1990-11-02 Commissariat Energie Atomique Capteur de deplacement a fibres optiques decalees
US6099522A (en) 1989-02-06 2000-08-08 Visx Inc. Automated laser workstation for high precision surgical and industrial interventions
EP0451330B1 (de) 1990-03-28 1994-09-21 Landis & Gyr Technology Innovation AG Verfahren zur selbsttätigen Eichung oder Nacheichung von Messungen einer physikalischen Grösse
JP3208682B2 (ja) 1992-08-20 2001-09-17 清水建設株式会社 コアウォールと鉄骨梁との接合構造
US5392124A (en) 1993-12-17 1995-02-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real-time, in-situ endpoint detection and closed loop etch process control
US5532815A (en) 1994-06-17 1996-07-02 Kdy Associates, Inc. System and method for aligning a first surface with respect to a second surface
DE19525770C1 (de) * 1995-07-14 1996-08-29 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen der Verbindungen gebondeter Wafer
JP3624476B2 (ja) 1995-07-17 2005-03-02 セイコーエプソン株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
US6087615A (en) 1996-01-23 2000-07-11 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Ion source for an ion beam arrangement
US5691540A (en) 1996-04-30 1997-11-25 Ibm Corporation Assembly for measuring a trench depth parameter of a workpiece
US5905572A (en) 1997-08-21 1999-05-18 Li; Ming-Chiang Sample inspection using interference and/or correlation of scattered superbroad radiation
US5956142A (en) 1997-09-25 1999-09-21 Siemens Aktiengesellschaft Method of end point detection using a sinusoidal interference signal for a wet etch process
JP2000205833A (ja) 1999-01-06 2000-07-28 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 陥凹材料の深さを測定するための非破壊的方法および装置
US6396069B1 (en) 1999-06-25 2002-05-28 Macpherson David C. Topographer for real time ablation feedback having synthetic wavelength generators
US6897964B2 (en) 2000-01-21 2005-05-24 Hamamatsu Photonics K.K. Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them
US6368881B1 (en) 2000-02-29 2002-04-09 International Business Machines Corporation Wafer thickness control during backside grind
JP4486217B2 (ja) 2000-05-01 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
US9295391B1 (en) 2000-11-10 2016-03-29 The General Hospital Corporation Spectrally encoded miniature endoscopic imaging probe
US6672943B2 (en) 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6720567B2 (en) 2001-01-30 2004-04-13 Gsi Lumonics Corporation Apparatus and method for focal point control for laser machining
US6532068B2 (en) 2001-07-17 2003-03-11 National Research Council Of Canada Method and apparatus for depth profile analysis by laser induced plasma spectros copy
US6806969B2 (en) 2001-10-19 2004-10-19 Agilent Technologies, Inc. Optical measurement for measuring a small space through a transparent surface
JP3761444B2 (ja) 2001-10-23 2006-03-29 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US7329611B2 (en) 2002-04-11 2008-02-12 Nec Corporation Method for forming finely-structured parts, finely-structured parts formed thereby, and product using such finely-structured part
US7133137B2 (en) 2002-06-27 2006-11-07 Visx, Incorporated Integrated scanning and ocular tomography system and method
US6686270B1 (en) 2002-08-05 2004-02-03 Advanced Micro Devices, Inc. Dual damascene trench depth monitoring
US7306696B2 (en) 2002-11-01 2007-12-11 Applied Materials, Inc. Interferometric endpoint determination in a substrate etching process
US7271916B2 (en) 2002-11-14 2007-09-18 Fitel Usa Corp Characterization of optical fiber using Fourier domain optical coherence tomography
JP2004233163A (ja) * 2003-01-29 2004-08-19 Hitachi High-Technologies Corp パターン欠陥検査方法およびその装置
WO2004073501A2 (en) 2003-02-20 2004-09-02 Gutin Mikhail Optical coherence tomography with 3d coherence scanning
US7106454B2 (en) 2003-03-06 2006-09-12 Zygo Corporation Profiling complex surface structures using scanning interferometry
US7049156B2 (en) 2003-03-19 2006-05-23 Verity Instruments, Inc. System and method for in-situ monitor and control of film thickness and trench depth
WO2004090195A1 (en) 2003-04-07 2004-10-21 Fuji Photo Film Co. Ltd. Crystalline-si-layer-bearing substrate and its production method, and crystalline si device
DE10319843A1 (de) 2003-05-03 2004-12-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestimmen der Tiefe einer vergrabenen Struktur
US6927860B2 (en) * 2003-05-19 2005-08-09 Oti Ophthalmic Technologies Inc. Optical mapping apparatus with optimized OCT configuration
US7443511B2 (en) 2003-11-25 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Integrated plane mirror and differential plane mirror interferometer system
DE102004011189B4 (de) 2004-03-04 2011-05-05 Carl Mahr Holding Gmbh Optischer Messkopf
US7177030B2 (en) 2004-04-22 2007-02-13 Technion Research And Development Foundation Ltd. Determination of thin film topography
US7433046B2 (en) * 2004-09-03 2008-10-07 Carl Ziess Meditec, Inc. Patterned spinning disk based optical phase shifter for spectral domain optical coherence tomography
DE102004052205A1 (de) 2004-10-20 2006-05-04 Universität Stuttgart Interferometrischer Multispektral-Sensor und interferometrisches Multispektral-Verfahren zur hochdynamischen Objekt-Tiefenabtastung oder Objekt-Profilerfassung
US7477401B2 (en) 2004-11-24 2009-01-13 Tamar Technology, Inc. Trench measurement system employing a chromatic confocal height sensor and a microscope
US7705995B1 (en) 2004-12-20 2010-04-27 J.A. Woollam Co., Inc. Method of determining substrate etch depth
US7944566B2 (en) 2005-02-04 2011-05-17 University Of Florida Research Foundation, Inc. Single fiber endoscopic full-field optical coherence tomography (OCT) imaging probe
DE102005036719A1 (de) 2005-07-28 2007-02-01 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Verfahren zum Korrigieren von Interpolationsfehlern einer Maschine, insbesondere eines Koordinatenmessgerätes
GB2429522A (en) * 2005-08-26 2007-02-28 Univ Kent Canterbury Optical mapping apparatus
US20070148792A1 (en) 2005-12-27 2007-06-28 Marx David S Wafer measurement system and apparatus
US7289220B2 (en) 2005-10-14 2007-10-30 Board Of Regents, The University Of Texas System Broadband cavity spectrometer apparatus and method for determining the path length of an optical structure
DE102005052743B4 (de) 2005-11-04 2021-08-19 Precitec Optronik Gmbh Messsystem zur Vermessung von Grenz- oder Oberflächen von Werkstücken
GB0523722D0 (en) 2005-11-22 2005-12-28 Taylor Hobson Ltd Trench measurement
WO2007073482A2 (en) * 2005-12-21 2007-06-28 3M Innovative Properties Company Method and apparatus for processing multiphoton curable photoreactive compositions
EP1994361B1 (en) 2006-01-19 2016-07-27 Optovue, Inc. A fourier-domain optical coherence tomography imager
US7368207B2 (en) 2006-03-31 2008-05-06 Eastman Kodak Company Dynamic compensation system for maskless lithography
CA2649065A1 (en) 2006-05-01 2007-11-15 Physical Sciences, Inc. Hybrid spectral domain optical coherence tomography line scanning laser ophthalmoscope
US7791734B2 (en) 2006-05-02 2010-09-07 Lawrence Livermore National Security, Llc High-resolution retinal imaging using adaptive optics and Fourier-domain optical coherence tomography
US7742174B2 (en) 2006-07-17 2010-06-22 Bioptigen, Inc. Methods, systems and computer program products for removing undesired artifacts in fourier domain optical coherence tomography (FDOCT) systems using continuous phase modulation and related phase modulators
JP4810411B2 (ja) 2006-11-30 2011-11-09 東京応化工業株式会社 処理装置
DE102007016444B4 (de) 2007-04-05 2024-08-22 Precitec Optronik Gmbh Bearbeitungseinrichtung
EP2149067A1 (en) * 2007-04-19 2010-02-03 D.V.P. Technologies Ltd. Imaging system and method for use in monitoring a field of regard
US8634082B2 (en) 2007-06-20 2014-01-21 The Trustess of Dartmouth College Pulsed lasers in frequency domain diffuse optical tomography and spectroscopy
KR101327492B1 (ko) 2007-06-21 2013-11-08 세메스 주식회사 웨이퍼 이면 연삭 장치
US7823216B2 (en) 2007-08-02 2010-10-26 Veeco Instruments Inc. Probe device for a metrology instrument and method of fabricating the same
US7812966B2 (en) 2007-08-30 2010-10-12 Infineon Technologies Ag Method of determining the depth profile of a surface structure and system for determining the depth profile of a surface structure
DE102008041062A1 (de) 2007-09-25 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag Meßvorrichtung und Verfahren zum Vermessen einer Oberfläche
EP3479753B1 (en) 2008-03-19 2020-05-13 Carl Zeiss Meditec AG Surgical microscopy system having an optical coherence tomography facility
WO2009137494A1 (en) 2008-05-05 2009-11-12 Applied Spectra, Inc. Laser ablation apparatus and method
JP5473265B2 (ja) 2008-07-09 2014-04-16 キヤノン株式会社 多層構造計測方法および多層構造計測装置
DE102008049821B4 (de) 2008-10-01 2018-11-22 Volkswagen Ag Abstandssensor und Verfahren zur Ermittlung eines Abstands und/oder von Abstandsschwankungen zwischen einem Bearbeitungslaser und einem Werkstück
CN101393015B (zh) 2008-10-17 2010-06-16 华中科技大学 一种微纳深沟槽结构在线测量方法及装置
CN102197298A (zh) 2008-10-29 2011-09-21 柯尼卡美能达精密光学株式会社 光断层图像形成方法
US8500279B2 (en) 2008-11-06 2013-08-06 Carl Zeiss Meditec, Inc. Variable resolution optical coherence tomography scanner and method for using same
US8649016B2 (en) 2009-06-23 2014-02-11 Rudolph Technologies, Inc. System for directly measuring the depth of a high aspect ratio etched feature on a wafer
US20100321671A1 (en) 2009-06-23 2010-12-23 Marx David S System for directly measuring the depth of a high aspect ratio etched feature on a wafer
FR2950441B1 (fr) 2009-09-23 2012-05-18 Sabban Youssef Cohen Capteur optique dote de champ lateral pour la numerisation 3d
DE102010015944B4 (de) 2010-01-14 2016-07-28 Dusemund Pte. Ltd. Dünnungsvorrichtung mit einer Nassätzeinrichtung und einer Überwachungsvorrichtung sowie Verfahren für ein in-situ Messen von Waferdicken zum Überwachen eines Dünnens von Halbleiterwafern
US8478384B2 (en) * 2010-01-19 2013-07-02 Lightlab Imaging, Inc. Intravascular optical coherence tomography system with pressure monitoring interface and accessories
US8525073B2 (en) 2010-01-27 2013-09-03 United Technologies Corporation Depth and breakthrough detection for laser machining
DE102010016862B3 (de) 2010-05-10 2011-09-22 Precitec Optronik Gmbh Materialbearbeitungsvorrichtung mit in-situ Messen des Bearbeitungsabstands
US8194251B2 (en) 2010-08-26 2012-06-05 Mitutoyo Corporation Method for operating a dual beam chromatic point sensor system for simultaneously measuring two surface regions
GB2489722B (en) 2011-04-06 2017-01-18 Precitec Optronik Gmbh Apparatus and method for determining a depth of a region having a high aspect ratio that protrudes into a surface of a semiconductor wafer
US9714825B2 (en) * 2011-04-08 2017-07-25 Rudolph Technologies, Inc. Wafer shape thickness and trench measurement
DE102011051146B3 (de) 2011-06-17 2012-10-04 Precitec Optronik Gmbh Prüfverfahren zum Prüfen einer Verbindungsschicht zwischen waferförmigen Proben
DE102011055735A1 (de) 2011-11-25 2013-05-29 Precitec Optronik Gmbh Multimesskopfvorrichtung zum Prüfen von Materialdicken oder Profilverläufen eines Objektes
DE102012111008B4 (de) 2012-11-15 2014-05-22 Precitec Optronik Gmbh Optisches Messverfahren und optische Messvorrichtung zum Erfassen einer Oberflächentopographie

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050140981A1 (en) * 2002-04-18 2005-06-30 Rudolf Waelti Measurement of optical properties
TW200712585A (en) * 2005-09-06 2007-04-01 Univ Nat Cheng Kung Method and device for automatic focusing of optical fiber type optical coherence tomography
TW200937005A (en) * 2008-02-22 2009-09-01 Ind Tech Res Inst Apparatus for measuring defects in semiconductor wafers
EP2159535A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-03 Optopol Technology S.A. Apparatus for optical coherence tomography and non-interferometric imaging

Also Published As

Publication number Publication date
US20120320380A1 (en) 2012-12-20
KR20120139604A (ko) 2012-12-27
EP2535680B1 (de) 2015-09-16
KR101539489B1 (ko) 2015-07-29
DE102011051146B3 (de) 2012-10-04
EP2535680A1 (de) 2012-12-19
TW201305528A (zh) 2013-02-01
US9494409B2 (en) 2016-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI477734B (zh) 測試介於晶圓形試片間之接合層之測試裝置及測試接合層之測試方法
US7738113B1 (en) Wafer measurement system and apparatus
JP5087186B1 (ja) 等光路干渉計
US20100277745A1 (en) Method for Measuring Thickness
US20160061690A1 (en) Non-contact method of measuring insertion loss in optical fiber connectors using active alignment
CN107561007B (zh) 一种薄膜测量装置和方法
US11499814B2 (en) Inspection of bonding quality of transparent materials using optical coherence tomography
KR20160037993A (ko) 기계가공되는 대상물의 두께를 간섭계에 의해 광학적으로 검사하는 방법 및 장치
JP2008083059A (ja) ウェーハの測定システム及び測定装置
CN109425618B (zh) 光学测量系统及方法
WO2004072629A1 (en) System and method for inspection of silicon wafers
US7435941B2 (en) Methods for measuring optical characteristics by differential diffractive scanning
JP2009192249A (ja) 被検レンズの透過波面収差測定方法及び装置
KR20220002520A (ko) 광학 프로브 시스템들을 위한 교정 척들, 교정 척들을 포함하는 광학 프로브 시스템들, 및 광학 프로브 시스템들을 이용하는 방법들
JPH0972723A (ja) フィルムの厚さと屈折率を測定するための測定方法及び測定装置
WO2012080849A2 (en) Optical inspection system with polarization isolation of detection system reflections
JP2010025876A (ja) 微小距離測定方法および微小距離測定装置
TW201229495A (en) Optical measuring system with illumination provided through a viod in a collecting lens
TW200938803A (en) Device and method for testing thickness and gaps of transparent objects by means of dual optical probes
CN205538708U (zh) 透射型双波长全息术的光学元件高景深表面疵病检测装置
CN112082602A (zh) 检测设备及其检测方法
US7317517B2 (en) Birefringence profiler
CN209841251U (zh) 一种新型透明材料的应力检测仪器
SG192203A1 (en) Position sensitive detection optimization
JP3841719B2 (ja) 形状測定装置