TWI474761B - Induction heating conditioner - Google Patents

Description

感應加熱調理器

本發明係有關於一種感應加熱調理器。

在以往之高頻電磁調理器，提議「將天線線圈附設於金屬加熱元件的周圍，並經由天線線圈與整流電路驅動DC馬達」者(例如，參照專利文獻1)。

【先行專利文獻】 【專利文獻】

[專利文獻1]特開平7-37683號公報(第3頁，第1圖)

在以往之高頻電磁調理器，因為僅由天線線圈所構成，所以回收馬達驅動用的電力時，無法抑制來自加熱線圈的漏磁，而磁通洩漏至調理器的外周部，而具有對其他的電子機器等有不良影響之可能性的課題。

本發明係為了解決如上述所示之課題而開發的，係得到一種感應加熱調理器，該感應加熱調理器係抑制感應加熱調理器之漏磁，而且將所抑制之漏磁有效利用作電力。

本發明之感應加熱調理器包括：加熱線圈，係對被加熱物進行感應加熱；驅動部，係將高頻電流供給至該加熱線圈；控制部，係控制該驅動部；電源部，係將電力供給至該控制部；電負載；導電性構件，配置於該被加熱物之外周；漏磁回收線圈，係從該加熱線圈觀察時配置於比該導電性構件更前側，並與從該加熱線圈所產生之漏磁交鏈；及電力變換手段，係將藉該漏磁回收線圈所產生之電力供給至該電源部及該電負載之至少任一方。

因為本發明之感應加熱調理器係抑制漏磁，而且將在漏磁回收線圈所產生之電動勢應用作電負載的動作用電力，所以可得到實現節能化之感應加熱調理器。

1‧‧‧煮飯鍋

2‧‧‧加熱線圈

3‧‧‧驅動部

4‧‧‧顯示操作部

5‧‧‧控制部

7‧‧‧防磁環

8‧‧‧冷卻手段

9‧‧‧電源部

10‧‧‧漏磁回收線圈

11‧‧‧電力變換手段

20‧‧‧交流電源

21‧‧‧整流部

22‧‧‧電抗器

23‧‧‧平滑電容器

24‧‧‧共振電容器

25‧‧‧切換元件

26、26a、26b、27、27a、27b、29‧‧‧二極體

28、28a、28b‧‧‧電容器

100‧‧‧感應加熱調理器

第1圖係本發明之第1實施形態之感應加熱調理器的構成圖。

第2圖係第1實施形態之感應加熱調理器的示意剖面圖。

第3圖係第1實施形態之感應加熱調理器之一石電壓共振變頻器的電路構成圖，係作為電力變換手段，使用半波整流電路的電路構成圖。

第4圖係表示在第1實施形態之感應加熱調理器的漏磁回收線圈所產生之電流波形之例子的圖。

第5圖係表示流至第3圖所示之第1實施形態的感應加熱調理器之加熱線圈與漏磁回收線圈的電流波形之例子的圖。

第6圖係第1實施形態之感應加熱調理器之一石電壓共振變頻器之別的電路構成圖，係作為電力變換手段，使用倍電壓整流電路的電路構成圖。

第7圖係表示流至第6圖所示之第1實施形態的感應加熱調理器之加熱線圈與漏磁回收線圈的電流波形之例子的圖。

第8圖係第1實施形態之感應加熱調理器之另外的電路構成圖，係作為電力變換手段，使用半波整流電路的電路構成圖。

第9圖係表示在第1實施形態之感應加熱調理器之變形例的示意剖面圖。

以下，以將本發明之感應加熱調理器應用於利用感應加熱方式對煮飯鍋加熱之煮飯器的情況為例說明。此外，本發明未限定為以下所示之圖面的形態。

又，在以下的說明，為了易於理解，適當地使用表示方向的術語(例如「上」、「下」等)，但是這是說明用，這些術語不是限定本發明者。

第1實施形態

第1圖係本發明之第1實施形態之感應加熱調理器的構成圖。第1實施形態的感應加熱調理器100包括係被加熱物之煮飯鍋1、加熱線圈2、驅動部3、顯示操作部4、控制部5、防磁環7、冷卻手段8、電源部9、漏磁回收線圈10及電力變換手段11。

如第1圖所示，用以對煮飯鍋1進行感應加熱的加熱線圈2配置於煮飯鍋1的底部及底部外周。該加熱線圈2 係藉由藉驅動部3供給20kHz以上之高頻電力，而對煮飯鍋1進行感應加熱。顯示操作部4包括：操作部，係受理來自使用者之煮飯指示或煮飯條件等的設定；及顯示部，係顯示動作狀態或對使用者的訊息等。在此，說明包括操作部與顯示部之雙方的顯示操作部4，但是亦可獨立地設置操作部與顯示部。顯示操作部4向控制部5輸出根據來自使用者之設定的信號。具有微電腦或控制電路的控制部5係根據來自顯示操作部4的信號，按照既定的控制順序對驅動部3進行驅動控制。

防磁環7設置於煮飯鍋1的外周。防磁環7係為了減少洩漏至感應加熱調理器100本體之外周的磁通所設置，係由鋁或銅等的導電性材料所構成之環狀的構件。

冷卻手段8係供給用以冷卻感應加熱調理器100之本體內部的發熱元件之冷卻風的送風裝置。該冷卻手段8係例如是軸流風扇，並構成為將冷卻風供給至設置於加熱線圈2或驅動部3之切換元件等因感應加熱動作而發熱的構件。

電源部9係從商用交流電源產生驅動驅動部3、顯示操作部4、控制部5及冷卻手段8等之電負載的電力。

又，第1實施形態之感應加熱調理器100係在煮飯鍋1的外周部，而且在加熱線圈2與防磁環7之間具有作為漏磁回收手段的漏磁回收線圈10。漏磁回收線圈10係將銅線或鋁線等之導線捲繞複數圈所構成，並經由電力變換手段11與電源部9連接。

第2圖係第1實施形態之感應加熱調理器的示意剖面圖。在第2圖，複數個鐵酸鹽12設置於加熱線圈2的下 部。藉由使20kHz以上的高頻電流流至加熱線圈2，在煮飯鍋1與鐵酸鹽12之間形成磁路，而且藉鐵酸鹽12減少對感應加熱調理器100之下面的漏磁。

又，漏磁回收線圈10設置於防磁環7的下部，即， 配置於比防磁環7更接近加熱線圈2的位置(從加熱線圈2觀察時前側)。

第3圖係第1實施形態之感應加熱調理器的電路 構成圖。在第3圖，與交流電源(商用電源)20連接並將交流電壓變換成直流的二極體橋21、電抗器22、平滑電容器23、與加熱線圈2構成共振電路的共振電容器24、IGBT(切換元件；Insulated Gate Bipolar Transistor)25及二極體26相當於第1圖所示的驅動部3。

驅動部3構成所謂的一石電壓共振變頻器。在 IGBT25的閘極端子，連接控制部5，並從控制部5輸出IGBT25的開關信號。在此，在上述的說明表示作為切換元件，使用IGBT的例子，但是亦可使用例如MOSFET等其他的切換元件。此外，在作為切換元件，使用MOSFET時，因為寄生二極體形成於源極端子與汲極端子之間，所以亦可不設置二極體26。

電力變換手段11包括：二極體27，係與漏磁回收 線圈10連接，並將藉漏磁回收線圈10所產生之高頻交流電壓變換成直流電壓；及電容器28，係使所變換之直流電壓平滑化。

又，電源部9係為了驅動控制部5、顯示操作部4 及冷卻手段8，構成將交流電源20變換成直流電壓的電力變換 電路(細節係未圖示)。又，電源部9係藉由經由二極體29與電力變換手段11連接，而在藉漏磁回收線圈10與電力變換手段11所產生之電壓比在電源部9所產生之直流電壓更低的情況，從電源部9經由二極體29將電力供給至控制部5、顯示操作部4及冷卻手段8。

以上，說明了第1實施形態之感應加熱調理器的 構成。其次，說明第1實施形態之感應加熱調理器的動作。

藉使用者對顯示操作部4進行煮飯指示等之開始 加熱的指示時，控制部5開始控制驅動部3。驅動部3係接受來自控制部5的開關信號後，使IGBT25的切換開始。交流電源20的交流電壓係利用由二極體橋21、電抗器22及平滑電容器23所構成之直流電源電路一度變換成直流後，以高頻切換IGBT25，藉此，將高頻電流供給至加熱線圈2。高頻電流流至加熱線圈2時，從加熱線圈2產生交變磁場，藉此，在是被加熱物之煮飯鍋1的內部或周邊產生高頻磁通。為了抵消所產生之高頻磁通，渦電流流至煮飯鍋1，因該渦電流與煮飯鍋1的電阻而發生焦耳損失(渦電流損失)，煮飯鍋1之內部的米或水被加熱。

依此方式，將高頻電流供給至加熱線圈2時，從 加熱線圈2產生磁通，藉該磁通變化對煮飯鍋1加熱。但，不是從加熱線圈2所產生之全部的磁通利用於對煮飯鍋1的感應加熱，無助於煮飯鍋1的加熱之磁通的一部分係成為所謂的漏磁，洩漏至周圍。

該漏磁係與漏磁回收線圈10交鏈。換言之，漏磁 回收線圈10設置於與從加熱線圈2所發生之漏磁交鏈的位置。漏磁與漏磁回收線圈10交鏈時，在漏磁回收線圈10，在抵消漏磁之變化的方向產生電動勢，而電流流至漏磁回收線圈10。在漏磁回收線圈10所產生之電動勢係藉電力變換手段11變換成直流，並利用於驅動部3、顯示操作部4、控制部5及/或冷卻手段8的驅動用電力。

因為依此方式藉流至漏磁回收線圈10之電流抵消 從加熱線圈2所發生之漏磁的一部分，所以感應加熱調理器100整體之漏磁減少。因此，可使以往在設置於漏磁回收線圈10的上部之防磁環7所產生的感應電流減少，而可抑制防磁環7之發熱所造成的温升。

因此，可減少防磁環7之電力損失。又，因為在 漏磁回收線圈10所產生之電動勢係可有效地利用作驅動部3、顯示操作部4、控制部5及冷卻手段8的驅動用電源，所以可得到實現節能化之感應加熱調理器100。

其次，詳細說明在加熱線圈2與防磁環7之間所 構成之漏磁回收線圈10的配置。

在第1圖及第2圖，漏磁回收線圈10係設置於防 磁環7的下部，又漏磁回收線圈10係配置於比防磁環7更接近加熱線圈2的位置。

進而，相對配置於加熱線圈2之最上段的導線，使配置於漏磁回收線圈10之最下段的導線配置於下側更佳。即，如第2圖所示，在從側面觀察感應加熱調理器100的情況，配置成加熱線圈2的最上段部與漏磁回收線圈10的一部分在 高度方向重疊。

此外，在從感應加熱調理器100的下側，按照加 熱線圈2、防磁環7及漏磁回收線圈10的順序配置的情況，即，在相對第1圖、第2圖，將防磁環7與漏磁回收線圈10的位置顛倒地配置的情況，因為與漏磁回收線圈10交鏈之漏磁小，而漏磁的大部分與防磁環7交鏈，所以抵消漏磁之感應電流係主要僅流至防磁環7，而防磁環7的損失變大。

又，因為與漏磁回收線圈10交鏈之漏磁小，所以 以漏磁回收線圈10所回收之電力小，而具有無法得到電負載之驅動用電源的可能性。

相對地，在本第1實施形態，藉由從加熱線圈2 觀察時將漏磁回收線圈10配置於比防磁環7更接近的位置，而抑制感應加熱調理器100之整體上的漏磁，而且可將以漏磁回收線圈10所回收之電力有效利用作電負載之驅動用電源，所以可得到實現節能化的感應加熱調理器100。

進而，在側視圖上，藉由配置於漏磁回收線圈10 之一部分在高度方向與加熱線圈2重疊，因為與漏磁回收線圈10交鏈之漏磁增加，所以得到可高效率地抑制漏磁之效果。

在此，說明不使用防磁環7，而僅以漏磁回收線圈 10抑制漏磁的情況。在不使用防磁環7，而設置漏磁回收線圈10的情況，可減少漏磁，但是為了抑制漏磁，需要將漏磁回收線圈10之兩端部短路。

將漏磁回收線圈10之兩端部短路這件事係意指第 3圖所示之電力變換手段11與漏磁回收線圈10不連接。即， 因為流至漏磁回收線圈10的電流係在漏磁回收線圈10的內部被消耗，所以漏磁回收線圈10就發熱，而與防磁環7發熱相同。

又，不將漏磁回收線圈10之兩端部短路，而設置 電力變換手段11時，流至漏磁回收線圈10的電流減少，而具有無法抑制漏磁的課題。

相對地，在本第1實施形態，藉由併用漏磁回收 線圈10與防磁環7，因為可抑制漏磁，而且將回收電力用作電負載的驅動用電源，所以具有可得到使抑制漏磁與節能化兩全之感應加熱調理器的效果。

又，與未使用漏磁回收線圈10的情況相比，使防 磁環7之尺寸變小，亦可抑制漏磁，而可得到實現防磁環7之小型化、低耗費化的感應加熱調理器。

其次，說明電力變換手段11的構成。在本第1實 施形態，如第3圖所示，在驅動部3使用一石電壓共振變頻器，在本構成，使IGBT25變成導通時，從交流電源20經由由二極體橋21、電抗器22及平滑電容器23所構成之直流電源電路變成直流的電壓被施加於加熱線圈2。接著，使切換元件25變成不導通時，在共振電容器24與加熱線圈2之間發生共振現象，而對加熱線圈2施加共振電壓。藉由重複本動作，就對加熱線圈2施加正負非對稱之電壓。因此，在漏磁回收線圈10所感應之電動勢(電壓)亦成為正負非對稱的波形。第4圖係表示在第1實施形態之電力變換手段11未連接電負載的狀態之在漏磁回收手段10所產生的電壓波形之例子的圖。如第4圖所示， 得知正側之電壓尖峰值與負側之電壓尖峰值相異，而且，正側、負側之波形亦相異。

在本第1實施形態，如第3圖所示，作為電力變 換手段11，採用由二極體27與電容器28所構成之半波整流電路。這是由於如上述所示在漏磁回收線圈10所產生的電壓成為正負非對稱。若作為電力變換手段11的整流電路，在採用使用一般之二極體橋之橋式全波整流電路的情況，想要對第4圖之正負非對稱的電壓進行整流時，因為以電壓(絕對值)大之負側的電壓尖峰值對電容器充電，所以在電壓(絕對值)小之正側係比負側的充電電壓低，而無法對電容器充電，即無法使電流流動。

因此，即使使用二極體橋之橋式全波整流電路， 亦因為僅在電壓(絕對值)大之負側時電流才流入電容器，所以，流至漏磁回收線圈10的電流係實質上成為與半波整流電路相同的波形。

即，由4個二極體所構成之橋式全波整流電路中， 2個二極體總是無電流流動，在電性上不需要，而具有引起基板尺寸之擴大或高耗費化的問題。可是，在本第1實施形態，因為使用由具有一個二極體27之半波整流電路所構成的電力變換手段11，使在漏磁回收線圈10所產生之交流電壓變成直流，所以與橋式全波整流電路相比，可簡化電路，而可實現小型化、低耗費化。

第5圖係表示在第1實施形態之電力變換手11段 連接電負載的狀態之電流波形的圖，(a)係流至加熱線圈2之加 熱線圈電流，(b)係流至漏磁回收線圈10之回收的線圈電流。如第5圖所示，在流至加熱線圈2之電流(加熱線圈電流)為負的期間，正負反轉之大致相似波形的電流流至漏磁回收線圈10。

在此期間，在漏磁回收線圈10→二極體27→電容器28→漏磁回收線圈10之路徑對電容器28充電的充電電流流動，可藉該充電電流抵消來自加熱線圈2的漏磁。因此，與設置於漏磁回收線圈10之上方的防磁環7交鏈的漏磁減少，可抑制防磁環7的發熱，而可減少損失。進而，因為在漏磁回收線圈10所產生之電動勢係可有效利用作驅動部3或冷卻手段8等之電負載的驅動用電源，所以可得到實現節能化的感應加熱調理器100。

其次，說明構成為更高效率地回收漏磁之電力變換手段11的構成例。第6圖係第1實施形態之感應加熱調理器之電路構成圖的變形例。在第6圖所示的例子，電力變換手段11構成由2個二極體27a、27b、及2個電容器28a、28b所構成之所謂的倍電壓整流電路。

接著，說明動作。第7圖係說明在第6圖所示之電力變換手段11連接顯示操作部4或冷卻手段8等之電負載的狀態之流至加熱線圈2之電流(加熱線圈電流)與流至漏磁回收線圈10之電流(回收線圈電流)之波形的圖，第7圖(a)係加熱線圈電流波形，第7圖(b)係回收線圈電流波形。

第6圖所示之電力變換手段11係可在漏磁回收線圈10所產生之交流電壓之正側的期間與負側的期間，分別在 獨立的路徑使電流流至漏磁回收線圈10。即，在第7圖，在加熱線圈電流為正側時，流至漏磁回收線圈10的電流(回收線圈電流)係在漏磁回收線圈10→二極體27a→電容器28a→漏磁回收線圈10之路徑對電容器28a充電的充電電流流動，藉該充電電流抑制加熱線圈2的漏磁。又，在加熱線圈電流為負側時，回收線圈電流係在漏磁回收線圈10→電容器28b→二極體27b→漏磁回收線圈10之路徑對電容器28b充電的充電電流流動，而抑制加熱線圈的漏磁。

結果，如第7圖所示，加熱線圈電流波形(a)與回 收線圈電流波形(b)成為正負反轉之大致相似形的電流波形，而可在正側、負側之兩期間高效率回收從加熱線圈2所發生的漏磁。

依此方式，若依據第6圖所示之電力變換手段11 的電路構成，因為在流至加熱線圈2的電流之正側的期間與負側之期間的兩期間，即在全期間可使抵消漏磁的電流流至漏磁回收線圈10，所以設置於漏磁回收線圈10的上方之防磁環7的減少損失效果比以半波整流電路構成電力變換手段11的情況大，而可得到實現更節能化的感應加熱調理器100。

此外，在以上的說明，說明作為驅動部3列舉一 石電壓共振變頻器的例子，但是未限定如此，亦可以半橋式變頻器構成驅動部3。以下，說明以半橋式變頻器構成驅動部3的例子。

第8圖係第1實施形態之感應加熱調理器之電路 構成圖的變形例。在第8圖，構成驅動部3之半橋式變頻器包 括：二極體橋21，係與交流電源(商用電源)20連接，並將交流電壓變換成直流；直流電源電路，係由電抗器22與平滑電容器23所構成；與加熱線圈2構成共振電路的共振電容器24；係切換元件之2個IGBT25a、25b；及與2個IGBT25a、25b並列地連接的二極體26a、26b。

在各個IGBT25a、25b的閘極端子，連接控制部5， 並輸出使IGBT25a、25b交互地開關的控制信號。關於其他的構成，係與第3圖所示之一石電壓共振變頻器一様。在此，在上述的說明，表示作為切換元件使用IGBT的例子，但是亦可使用例如MOSFET等其他的切換元件。此外，在作為切換元件，使用MOSFET時，因為寄生二極體形成於源極端子與汲極端子之間，所以亦可不設置二極體26a、26b。

在第3圖所示之一石電壓共振變頻器的情況，因 為IGBT25之兩端的電壓變高，所以需要選定高耐壓的IGBT，但是藉由構成半橋式變頻器，可降低IGBT25a、25b之兩端的電壓，而IGBT之選擇自由度變高，具有低耗費化之效果。

在半橋式變頻器，對煮飯鍋1之投入電力調整(火 力調整)係藉改變高側之IGBT25a與低側之IGBT25b的導通時間百分比(任務比)之所謂的任務控制所實現。即，在將IGBT25a之任務比設為50%，並將IGBT25b的任務比設為50%的情況，將最大電力(最大火力)投入煮飯鍋1；在將IGBT25a之任務比設為40%，並將IGBT25b的任務比設為60%的情況，投入電力變小；進而，在將IGBT25a之任務比設為30%，並將IGBT25b的任務比設為70%的情況，投入電力變成更小。依此方式，藉 由改變導通時間百分比(任務比)，可控制對煮飯鍋1的投入電力。

在此，在IGBT25a與IGBT25b之導通時間百分比 彼此相等(任務比為50%)的情況，對加熱線圈2施加正負對稱的電壓，而在漏磁回收線圈10感應正負對稱的電壓，但是如上述所示，在進行火力調整的情況，因為需要改變IGBT25a與IGBT25b之導通時間百分比，所以對加熱線圈2施加正負非對稱之電壓。因此，在漏磁回收線圈10所感應之電壓(電動勢)亦成為正負非對稱的波形。

在此情況，如上述所示，以橋式全波整流電路構 成電力變換手段11時，2個二極體總是未使用，而不需要。因此，在第8圖所示的例子，使用以由各一個之二極體27與電容器28構成之半波整流電路所構成之電力變換手段11，將在漏磁回收線圈10所產生之交流電壓變換成直流。藉此，因為二極體27的個數一個即可，與橋式全波整流電路相比，可簡化電路，而可得到實現小型化、低耗費化之感應加熱調理器100。

又，與第6圖一樣，作為電力變換手段11，若使 用倍電壓整流電路，因為在流至加熱線圈2之電流為正側之期間與負側之期間的兩期間可使抵消漏磁的電流流至漏磁回收線圈10，所以與作為電力變換手段11採用半波整流電路的情況相比，可使設置於漏磁回收線圈10之上方之防磁環7的損失減少效果變大。

又，作為在使用半橋式變頻器之驅動部3進行火 力控制之別的方式，有控制IGBT之切換頻率的方式(頻率控制)。這係在設為IGBT25a與IGBT25b之導通時間彼此相等之狀態(任務比50%)下，變更切換頻率的方式

將切換頻率設定成低時，因加熱線圈2的阻抗降低，而對煮飯鍋1之投入電力增加，又將切換頻率設定成高時，加熱線圈2的阻抗上升，而對煮飯鍋1之投入電力降低。

在本頻率控制，因為IGBT25a與IGBT25b之導通時間彼此相等，所以對加熱線圈2施加正負對稱的電壓，而在漏磁回收線圈10亦感應正負對稱的電壓。在此情況，即使使用由4個二極體之橋式全波整流電路所構成的電力變換手段(未圖示)，亦因為可在正負兩期間使電流流至漏磁回收線圈10，所以可比由半波整流電路所構成之電力變換手段11更抑制來自加熱線圈2的漏磁。

又，與由倍電壓整流電路所構成之電力變換手段11相比，所使用之二極體係增加，但是因為能以一個尺寸比較大的電容器構成，所以可實現電路的小型化、低耗費化。

此外，在使用半橋式變頻器之驅動部3，在併用改變IGBT25a與IGBT25b之導通時間百分比的火力控制、與藉頻率控制之火力控制的情況，因為具有在構成漏磁回收手段10之線圈感應正負非對稱之電壓的情況，所以將半波整流電路或倍電壓整流電路用作電力變換手段11較佳。

如以上所示，若依據本實施形態，藉由將漏磁回收線圈10配置於比防磁環7更接近加熱線圈2的位置，因為抑制來自加熱線圈2的漏磁，所以在防磁環7所產生之感應電 流減少，抑制防磁環7的溫升，而可得到減少電力損失的感應加熱調理器100。又，藉由將在漏磁回收線圈10所產生之電動勢供給至冷卻手段8及/或電源部9，可有效利用作電負載的驅動用電源，而可得到實現節能化的感應加熱調理器100。

進而，因為抑制防磁環7等之金屬元件的發熱， 所以緩和感應加熱調理器100之內部的温升，亦可抑制冷卻手段8的冷卻性能。因此，可使冷卻手段8低耗費化、小型化、輕量化，又，冷卻手段8之動作所造成的噪音亦可降低。

此外，在本第1實施形態，表示作為切換元件使 用IGBT的例子，但是亦可使用其他的切換元件，例如功率電晶體或MOSFET。其中，在切換元件，因為大的電流流動，所以作為切換元件，在使用矽(Si)之以往之IGBT或MOSFET等的情況，因為導通電阻大，所以元件本身的發熱大。進而，將切換元件配置於構成變頻器之基板上的發熱元件，例如共振電容器24或二極體橋21等的附近時，由於元件發熱的影響，切換元件之周圍的温度變高，具有切換元件之接面溫度上升的可能性。

因此，作為切換元件，使用由氮化鎵系材料、碳化矽(SiC)、鑽石等之寬能帶隙半導體所構成的切換元件較佳。例如，作為使用SiC之MOSFET(SiC-MOSFET)的特性，因為元件之導通電阻小，進而具有即使接面温度上昇導通電阻亦幾乎不上升的特點。因此，可將SiC-MOSFET配置於發熱元件的附近，而可得到實現驅動電路基板之小型化、低耗費化的感應加熱調理器。

在此，說明漏磁回收線圈10之別的配置例。第9圖係表示第1實施形態之感應加熱調理器之變形例的示意剖面圖，將防磁環7設置於漏磁回收線圈10之外周側的一部分。即，第9圖係從加熱線圈2觀察時，將漏磁回收線圈10設置於防磁環7的內側。

根據本構成，因為加熱線圈2的漏磁更有效地與漏磁回收線圈10交鏈，所以可更抑制感應加熱調理器100整體的漏磁。又，因為可使感應電流有效地流至漏磁回收線圈10，所以可減少流至防磁環7的感應電流，而可得到抑制防磁環7之發熱的感應加熱調理器100。

又，在第9圖，說明在縱向垂直地配置漏磁回收線圈10的例子，但是亦可斜配置漏磁回收線圈10。例如，藉由使漏磁回收線圈10之下側，即接近加熱線圈2之側的外徑變小，並使接近防磁環7之側的外徑變大，而可更抑制漏磁。

此外，在本第1實施形態，說明採用鋁、銅等之金屬元件的防磁環7，但是未限定如此，即使是其他的金屬元件，藉由仿傚本例一樣地構成，亦可得到一樣之效果。

又，在本第1實施形態，說明將藉漏磁回收線圈10所產生之電動勢用作驅動部3、顯示操作部4、控制部5及/或冷卻手段8之驅動用電源的例子，但是未限定如此，亦可將漏磁回收線圈10的電動勢用作其他的電負載的電源。

進而，說明漏磁回收線圈10係經由電力變換手段11與電源部9連接，電負載係併用來自漏磁回收線圈10之電力與來自電源部9之電力的形式，但是亦可單獨地使用來自漏 磁回收線圈10之電力。例如，亦可將來自漏磁回收線圈10之電力用作冷卻手段8之專用的單體電源。在此情況，亦可電力變換手段11係不必經由二極體29與電源部9連接，而電力變換手段11與電源部9在電性上絕緣。而且，雖未特別圖示，亦可藉由將例如齊納二極體或3端子調壓器、切換調壓器等電壓穩定化(定電壓)手段附加於電力變換手段11的後端，另外設置將以電力變換手段11變成直徑的電壓保持於定電壓的電路。

1‧‧‧煮飯鍋

2‧‧‧加熱線圈

3‧‧‧驅動部

4‧‧‧顯示操作部

5‧‧‧控制部

7‧‧‧防磁環

8‧‧‧冷卻手段

9‧‧‧電源部

10‧‧‧漏磁回收線圈

11‧‧‧電力變換手段

100‧‧‧感應加熱調理器

Claims (9)

1. 一種感應加熱調理器，包括：加熱線圈，係對被加熱物進行感應加熱；驅動部，係將高頻電流供給至該加熱線圈；控制部，係控制該驅動部；電源部，係將電力供給至該控制部；電負載；導電性構件，配置於該被加熱物之外周；漏磁回收線圈，係從該加熱線圈觀察時配置於比該導電性構件更前側，並與從該加熱線圈所產生之漏磁交鏈；及電力變換手段，係將藉該漏磁回收線圈所產生之電力供給至該電源部及該電負載之至少任一方。
2. 如申請專利範圍第1項之感應加熱調理器，其中該漏磁回收線圈的一部份係從側面觀察時配置於與該加熱線圈之最上段部在高度方向重疊的位置。
3. 如申請專利範圍第1或2項之感應加熱調理器，其中該導電性構件與該漏磁回收線圈係以大致同一外徑環狀地形成於該被加熱物的外周。
4. 如申請專利範圍第1或2項之感應加熱調理器，其中在該導電性構件的內周側具有該漏磁回收線圈。
5. 如申請專利範圍第1或2項之感應加熱調理器，其中該電力變換手段係將電力僅供給至該電負載，該電力變換手段係與該電源部在電性上絕緣。
6. 如申請專利範圍第1或2項之感應加熱調理器，其中該電 負載係冷卻該加熱線圈及該驅動部之至少一方的冷卻手段。
7. 如申請專利範圍第1或2項之感應加熱調理器，其中該被加熱物係煮飯鍋。
8. 如申請專利範圍第1或2項之感應加熱調理器，其中該電力變換手段係由倍電壓整流電路所構成。
9. 如申請專利範圍第1或2項之感應加熱調理器，其中該驅動部係使用以由碳化矽、氮化鎵系材料、或鑽石所構成之寬能帶隙半導體構成之切換元件的變頻器。