TWI474056B - Ｅｕｖ波長範圍之反射鏡、包含有此反射鏡之微影投射物鏡、包含有此投射物鏡之微影投射曝光裝置 - Google Patents

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Description

EUV波長範圍之反射鏡、包含有此反射鏡之微影投射物鏡、包含有此投射物鏡之微影投射曝光裝置
本發明關於用於EUV波長範圍的反射鏡。再者，本發明關於包含此類反射鏡的微影投射物鏡。再者，本發明關於包含此類投射物鏡的微影投射曝光裝置。
針對EUV波長範圍的微影投射曝光裝置必須仰賴以下假設：用於將光罩曝光或成像到影像平面的反射鏡是具有高反射率，第一：因為個別反射鏡的反射率值的乘積決定了投射曝光裝置的總透射率，以及第二：EUV光源的光功率有限。
針對約13nm之EUV波長範圍具有高反射率值的反射鏡由例如德國專利DE 101 55 711 A1可得知。其中所述的反射鏡由設置於基板並具有一系列個別層的層配置所構成，其中層配置包含複數層子系統，各具有形成週期的至少兩個不同材料的個別層的週期性序列，其中個別子系統的週期厚度及週期數量由基板朝表面減少。此類反射鏡對於在0°至20°的入射角區間具有大於30%的反射率。
於此狀況，入射角定義為光線照到反射鏡時光線的入射方向與反射鏡表面的法線間的角度。於此狀況，入射角區間得自於反射鏡分別考量的最大入射角與最小入射角之間的角度區間。
然而，上述層配置的缺點在於，在所述入射角區間中的反射率並不固定，而是會變化的。反射鏡在入射角範圍的反射率變化不利於將此類反射鏡用於微影的投射物鏡的高入射角變化以及高入射角的位置，因為這樣的變化導致例如投射物鏡過大的瞳變跡(pupil apodization)變化。於此狀況，瞳變跡為投射物鏡之出射瞳的強度波動的衡量。
本發明實施例之一目的在於提供用於EUV波長範圍之反射鏡，其可用於投射物鏡或投射曝光裝置內有高入射角變化以及高入射角的位置。
本發明實施例目的是藉由用於EUV波長範圍的反射鏡來達成，其包含基板及層配置，其中層配置包含複數層子系統。於此實施例，各層子系統由個別層的至少兩個週期之週期序列所組成。於此實施例，其中週期包含由針對高折射率層與針對低折射率層之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統內具有固定厚度，係不同於相鄰層子系統的週期的厚度。於此實施例，離基板第二遠的層子系統具有週期的順序，使離基板最遠的層子系統的第一高折射率層直接接續於離基板第二遠的層子系統的最後高折射率層，及/或離基板最遠的層子系統具有的週期數量比離基板第二遠的層子系統具有的週期數量還大。
於此實施例，根據本發明之反射鏡之層配置之層子系統彼此直接接續，且不被在另一層系統所分開。再者，於本發明內文中，層子系統有別於相鄰層子系統，即使高與低折射率層間的週期有預定相同的劃分，若在相鄰層子系統之週期厚度有超過0.1nm的偏差，由0.1nm的差異開始，可假設在高與低折射率層之間的週期具有相同劃分之層子系統有不同的光學效應。
在EUV波長範圍中的高折射率及低折射率用語是指在層子系統週期中之個別搭檔層的相對用語。於EUV波長範圍，只要以高折射率光學作用的層與光學上具有相對低折射率的層組合而構成層子系統的週期之主要構成，層子系統通常才有所作用。
根據本發明已了解為了在大入射角區間達到高又均勻的反射率，離基板最遠的層子系統的週期數量必須比離基板第二遠的層子系統具有的週期數量還大。再者，已了解為了在大入射角區間達到高又均勻的反射率，作為上述手段的選替者或除了上述手段外，離基板最遠的層子系統的第一高折射率層直接接續於離基板第二遠的層子系統的最後高折射率層。
再者，本發明實施例目的藉由本發明用於EUV波長範圍之反射鏡來達成，其包含基板及層配置，其中層配置包含複數層子系統。於此實施例中，層子系統各層子系統由個別層的至少兩個週期之週期序列所組成。於此實施例中，週期包含由針對高折射率層與針對低折射率層之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統內具有固定厚度，係不同於相鄰層子系統的週期的厚度。於此實施例中，離基板第二遠的層子系統具有週期的順序，使離基板最遠的層子系統的第一高折射率層直接接續於離基板第二遠的層子系統的最後高折射率層。再者，通過層配置之等層子系統之EUV輻射透射率低於10%，尤其低於2%。
根據本發明已了解為了在大入射角區間達到高又均勻的反射率，必須降低位在層配置以下的層的影響或基板的影響。對於層配置中離基板第二遠之層子統具有週期的順序，使離基板最遠的層子系統的第一高折射率層直接接續於離基板第二遠的層子系統的最後高折射率層而言，此尤其是必須的。降低位在層配置以下的層的影響或基板的影響的簡單可能方案，乃設計層配置而使層配置儘可能不透射EUV輻射到層配置以下的層。若不如此做可能使層配置以下的層或基板對反射鏡的反射性質有顯著的影響。
於一實施例，層子系統全由針對高折射率層與低折射率層之相同材料所建構，因而簡化反射鏡的生產。
離基板最遠的層子系統之週期數量對應於9至16之間的值之用於EUV波長範圍的反射鏡，以及離基板第二遠的層子系統之週期數量對應於2至12之間的值之用於EUV波長範圍的反射鏡，對反射鏡所需的層總數造成限制，因而在生產反射鏡時降低了複雜度與風險。
於另一實施例，根據本發明之層配置包含至少三個層子系統，其中離基板最近之層子系統之週期數量大於離基板最遠之層子系統的週期數量，及/或大於離基板第二遠之層子系統的週期數量。
這些手段使反射鏡的反射性質與在層配置下的層或基板分開，而可使用在反射鏡之層配置下具有其他功能性質的其他層或基板。
因此首先如上所述，可避免在基板或層配置下的層對反射鏡的光學性質產生擾動效應，於此實施例之光學性質尤其是指反射率，其次，藉此可充分保護層配置下的層或基板免於受到EUV輻射。
於另一實施例，例如若層配置下的層或基板在EUV照射下不具有長期的性質穩定度，此類針對EUV輻射的保護可能是有必要的，此外或上述手段之選替者，此類針對EUV輻射的保護藉由在層配置及基板之間具有厚度大於20nm之金屬層來達到。此類保護層也稱為「表面保護層(SPL)」。
於此實施例，應考慮層配置的反射、透射、及吸收等性質相對於層配置的週期數量表現為非線性的。反射率相對於層配置的週期數量尤其呈現朝向極值的飽和行為。因此，上述保護層可用於將要保護層配置下的層或基板免於EUV輻射之層配置的所需週期數量，降低到達到反射性質所需的週期數量。
再者，已了解若離基板最遠之層子系統的週期具有的高折射率層之厚度為離基板第二遠之層子系統的週期具有的高折射率層之厚度的120%以上，尤其是大於2倍的厚度，則在小數量層子系統的實施例可達到層配置有特別高的反射率值。
類似地，於另一實施例，若離基板最遠之層子系統的週期具有的低折射率層之厚度為離基板第二遠之層子系統的週期具有的低折射率層之厚度的80%以下，或尤其少於2/3倍，則在小數量層子系統的實施例可達到層配置有特別高的反射率值。
於另一實施例，用於EUV波長範圍之反射鏡就離基板第二遠之層子系統的週期而言，具有的週期之低折射率層之厚度大於4nm、尤其大於5nm。因此，層設計不僅可配合反射率本身，還可配合在入射角區間中s極化光相對於p極化光之反射率的反射率。主要就僅由兩個層配置構成的層配置而言，因此有限數量層子系統除了有限的自由度，還可提供執行極化配合的可能性。
於另一實施例，用於EUV波長範圍之反射鏡就離基板最遠之層子系統具有的週期的厚度是介於7.2 nm及7.7nm之間。藉此可針對大入射角區間實現尤其高的均勻反射率值。
再者，另一實施例在層配置與基板之間具有中介層或中介層配置，用作為層配置的應力補償。利用此類的應力補償可避免在應用這些層的期間發生反射鏡變形。
於根據本發明之反射鏡之另一實施例，形成週期的兩個個別層由鉬(Mo)與矽(Si)或釕(Ru)與矽(Si)構成。藉此可達到特別高的反射率值，且因為僅兩種不同材料用於產生反射鏡之層配置的層子系統，可同時實現生產工程的優點。
於此實施例中，於另一實施例，這些個別層由至少一阻障層隔開，其中阻障層由選自以下材料所組成的群組中的材料或化合物所構成：B4 C、C、Si氮化物、Si碳化物、Si硼化物、Mo氮化物、Mo碳化物、Mo硼化物、Ru氮化物、Ru碳化物、及Ru硼化物。此類阻障層抑制週期的兩個別層之間的相互擴散，藉此增加兩個別層轉換中的光學對比。就使用鉬與矽作為週期中兩個別層的材料而言，由基板觀之，在矽層上的一個阻障層就足以提供足夠的對比。而在此例中，可省略在鉬層上的第二阻障層。關於此點，應提供至少一個阻障層將週期的兩個別層分開，其中至少一阻障層可完全由上述的各種材料或其化合物所構成，且在此例中亦可呈現由不同材料或化合物構成的層疊狀結構。
包含B4 C材料並具有厚度在0.35 nm至0.8 nm之間(較佳在0.4 nm至0.6 nm之間)的阻障層實務上導致層配置的高反射率值。具體而言，在層子系統是由釕與矽構成的實施例中，阻障層厚度值在0.4 nm至0.6 nm時，由B4 C所構成的阻障層呈現最大的反射率。
於另一實施例，根據本發明之反射鏡包含覆蓋層系統，其包含至少一層由化學惰性材料所構成的層，並終止(terminate)反射鏡之層配置。藉此保護反射層免受週遭環境影響。
於另一實施例，根據本發明之反射鏡沿反射鏡表面具有的層配置厚度因子是在0.9至1.05之間的值，尤其是在0.933至1.018之間的值。藉此可以更目標化方式針對反射鏡的不同位置配合所發生的不同入射角。
於此實施例，厚度因子為預定層設計所有層的厚度以加乘方式(multiple fashion)實現在基板上的位置之因子。因此，厚度因子1對應標稱層設計。
做為另一自由度的厚度因子可使反射鏡的不同位置以更目標化方式配合所發生的不同入射角區間，而不必改變反射鏡本身的層設計，因此針對反射鏡不同位置的較高入射角區間，使反射鏡最終產生的反射率值比有關固定厚度因子1之層設計所允許還更高。因此藉著配合厚度因子確保高入射角，而達到進一步降低本發明之反射鏡在入射角的反射率變化。
於另一實施例，層配置在反射鏡表面之位置上的厚度因子與其所發生的最大入射角有關，因為就越高的最大入射角而言，越高的厚度因子越有用。
再者，本發明之目的藉由包含根據本發明之至少一反射鏡之投射物鏡來達成。
再者，本發明之目的藉由根據本發明包含此類投射物鏡之微影投射曝光裝置來達成。
本發明其他的特徵與優點在參考顯示本發明細節之圖式與以下例示實施例的說明及申請專利範圍將更為清楚。各實施例中個別的特徵可獨立地實施或在本發明變化中以任何所需的組合以結合多個實施。
參考圖1、圖2、及圖3於下說明根據本發明之個別反射鏡1a、1b、及1c，圖中這些反射鏡的對應特徵具有相同的參考符號。再者，根據本發明針對圖1至圖3之這些反射鏡的對應特徵或性質於圖3的相關說明之後概括說明。
圖1顯示根據本發明用於EUV波長範圍之反射鏡1a之示意圖，其包含基板S及層配置。於此實施例，層配置包含複數個層子系統P’、P”及P'''，每層子系統P’、P”及P'''各由個別層的至少兩次週期P1 、P2 及P3 的週期序列所構成，其中週期P1 、P2 及P3 各自包含由針對高折射率層H’、H”及H”與針對低折射率層L’、L”及L'''之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統P’、P”及P'''內具有固定厚度d1 、d2 及d3 ，係不同於相鄰層子系統的週期的厚度。於此實施例，離基板最遠的層子系統P'''具有的週期P3 的數量N3 比離基板第二遠的層子系統P”具有的週期P2 的數量N2 還大。此外，離基板第二遠的層子系統P”具有週期P2 的順序(order)，使離基板最遠的層子系統P'''的第一高折射率層H'''直接接續於離基板第二遠的層子系統P”的最後高折射率層H”。
結果，於圖1中，在離基板第二遠的層子系統P”中的週期P2 內的高折射率層H”與低折射率層L”的順序，相對於其他層子系統P’、P'''中的其他週期P1 、P3 內的高折射率層H’、H'''與低折射率層L’、L'''的順序是顛倒的，而使離基板第二遠的層 子系統P”的低折射率層L”也光學積極地接續於離基板最靠近的層子系統P’的低折射率層L’。因此，圖1中離基板第二遠的層子系統P”也與以下圖2及圖3中所述的其他層子系統在層順序上有所不同。
圖2顯示根據本發明用於EUV波長範圍之反射鏡1b之示意圖，其包含基板S及層配置。於此實施例，層配置包含複數個層子系統P’、P”及P'''，各層子系統由個別層的至少兩個週期P1 、P2 及P3 的週期序列所構成，其中週期P1 、P2 及P3 包含由針對高折射率層H’、H”及H”與針對低折射率層L’、L”及L'''之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統P’、P”及P'''內週期P1 、P2 及P3 各自具有固定厚度d1 、d2 及d3 ，其不同於相鄰層子系統的週期的厚度。於此實施例，離基板最遠的層子系統P'''具有的週期P3 的數量N3 比離基板第二遠的層子系統P”具有的週期P2 的數量N2 還大。於此實施例中，不像圖1的例示實施例，離基板第二遠的層子系統P”具有週期P2 的順序是對應其他層子系統P’及P'''之週期P1 及P3 的順序，而使離基板最遠的層子系統P'''的第一高折射率層H'''積極地接續於離基板第二遠的層子系統P”的最後低折射率層L”。
圖3顯示根據本發明用於EUV波長範圍之反射鏡1c之示意圖，其包含基板S及層配置。於此實施例，層配置包含複數個層子系統P”及P'''，各層子系統由個別層的至少兩個週期P2 及P3 的週期序列所構成，其中週期P2 及P3 包含由針對高折射率層H”及H'''與針對低折射率層L”及L'''之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統P”及P'''內週期P2 及P3 各自具有固定厚度d2 及d3 ，其不同於相鄰層子系統的週期的厚度。於此實施例，在根據本發明圖14及圖15相關說明中的第四例示實施例中，離基板最遠的層子系統P’’’具有的週期P3 的數量N3 比離基板第二遠的層子系統P”具有的週期P2 的數量N2 還大。作為關於對應反射鏡1a之圖3中的反射鏡1c的變化例之第四例示實施例，也包含離基板S第二遠的層子系統P”中層的顛倒順序，而使第四例示實施例也具有離基板最遠的層子系統P’’’的第一高折射率層H’’’光學積極地接續於離基板第二遠的層子系統P”的最後低折射率層L”的特徵。
具體而言，在小數量的層子系統實施例(例如只有兩個層子系統)，發現若離基板最遠的層子系統P’’’的週期P3 之高反射率層H’’’具有的厚度是比離基板第二遠的層子系統P”的週期P2 之高反射率層H”厚度的120%還多，尤其是超過兩倍厚度，則得到高反射率值。
根據本發明關於圖1至圖3之反射鏡之層配置的層子系統，彼此直接相繼接連而不由另一層子系統所分隔。然而，對於將層子系統彼此配合以最佳化層配置之光學性質而言，可想像到藉由個別中介層將層子系統分開。然而，此並不適用於圖1所示第一例示實施例的層子系統P”及P’’’以及作為圖3之變化例的第四例示實施例，因為P”中的層順序相反會不能得到所需的光學效應。
圖1至圖3之層H、H’、H”及H’’’為在EUV波長範圍相較於相同層子系統中之層L、L’、L”及L’’’可表示為高折射率層之材料所構成的層，參見表2中材料的複折射率。相對地，圖1至圖3之層L、L’、L”及L’’’為在EUV波長範圍相較於相同層子系統中之層H、H’、H”及H’’’可表示為低折射率層之材料所構成的層。因此，在EUV波長範圍中的高折射率及低折射率用語為在層子系統週期中之個別搭檔層的相對用語。只要以高折射率光學作用的層與光學上具有相對低折射率的層結合而構成層子系統的週期之主要構成，通常層子系統作用於EUV波長範圍。通常矽材料用於高折射率層。與矽組合時，鉬及釕材料應作為低折射率層，參見表2中材料的複折射率。
於圖1至圖3，於個實施例中阻障層B位在週期中由矽及鉬所構成或矽及釕所構成的個別層之間，阻障層由選自以下的材料或材料的化合物所組成：B4 C、C、Si氮化物、Si碳化物、Si硼化物、Mo氮化物、Mo碳化物、Mo硼化物、Ru氮化物、Ru碳化物、及Ru硼化物。此類阻障層抑制週期中兩個別層之間的交互擴散，藉此增加兩個別層轉換中的光學對比。就使用鉬與矽作為週期中兩個別層的材料而言，由基板觀之，在矽層上的一個阻障層就足以提供足夠的對比。而在此例中，可省略在鉬層上的第二阻障層。關於此點，應提供至少一個阻障層將週期的兩個別層分開，其中至少一阻障層可完全由上述的各種材料或其化合物所構成，且在此例中亦可呈現由不同材料或化合物構成的層疊狀結構。
包含B4 C材料並具有厚度在0.35 nm至0.8 nm之間(較佳在0.4 nm至0.6 nm之間)的阻障層實務上導致層配置的高反射率值。具體而言，在層子系統是由釕與矽構成的實施例中，阻障層厚度值在0.4 nm至0.6 nm時，由B4 C所構成的阻障層呈現最大的反射率。
根據本發明之反射鏡1a、1b、1c的實施例中，層子系統P’、P”及P’’’的週期P1 、P2 及P3 的數量N1 、N2 及N3 ，在圖1至圖3所示之個別週期P1 、P2 及P3 可各包含高達100個週期。再者，在圖1至圖3之層配置與基板之間，可提供中介層或中介層配置，用於相對於基板做為層配置的應力補償。
層配置本身相同序列中的相同材料可用作為中介層或中介層配置的材料。然而，在中介層配置的實施例中，在個別層之間可省略阻障層，因為通常可忽視中介層或中介層配置對反射鏡的反射率的貢獻，所以在此狀況下用阻障層增加對比就不重要。由鉻及鈧層或非晶鉬或釕層交替構成的多層配置類似地可作為中介層或中介層配置。後者可針對厚度進行選擇(例如大於20nm)，而足以對下方基板提供免除EUV輻射的保護。於此狀況，這些層可作為所謂的「表面保護層(SPL)」並針對EUV輻射提供保護而作為保護層。
根據本發明反射鏡1a、1b、1c之層配置在圖1至圖3終止於覆蓋層系統C，其包含至少一層由化學惰性材料所構成的層，例如Rh、Pt、Ru、Pd、Au、SiO2等，而做為終止層M。因此，終止層M防止反射鏡表面因為週遭影響而產生化學變化。圖1至圖3中的覆蓋層系統C除了終止層M，還包含高折射率層H、低折射率層L、以及阻障層B。
圖1至圖3造成的週期P1 、P2 及P3 其中一個的厚度為對應週期之個別層的厚度總和，亦即高折射率層的厚度、低折射率層的厚度、以及阻障層的厚度。因此，圖1至圖3中的層子系統P’、P”及P’’’可因為週期P1 、P2 及P3 具有不同厚度而區分出彼此。因此，於本發明背景中，不同的層子系統P’、P”及P’’’為週期P1 、P2 及P3 在其厚度d1 、d2 及d3 上相差超過0.1 nm的層子系統，因為層子系統的不同光學效應可不再假設低於0.1 nm的差異，不然高折射率層與低折射率層間的週期有相同的劃分。再者，針對不同生產裝置生產時，本質上相同的層子系統可在週期厚度的絕對值間波動。對具有鉬及矽構成的週期之層子系統P’、P”及P’’’而言，如上所述亦可在週期P1 、P2 及P3 內省略第二阻障層，而由高折射率層的厚度、低折射率層的厚度、以及阻障層的厚度產生週期P1 、P2 及P3 的厚度。
尤其是小量的層子系統實施例，例如只有兩個層子系統，發現若離基板最遠的層子系統P’’’的週期P3 具有的高折射率層H’’’之厚度為離基板第二遠之層子系統P”的週期P2 具有的高折射率層H”之厚度的120%以上，尤其是大於2倍的厚度，則可得到高反射率值。
圖4顯示根據本發明用於微影之投射曝光裝置之投射物鏡2之示意圖，其具有6個反射鏡1、11，包含基於本發明根據圖8至圖15之例示實施例組態的至少一個反射鏡1。用於微影之投射曝光裝置的任務是將光罩(亦稱為遮罩)的結構微影地成像到在影像平面的所謂晶圓。就此目的，根據本發明圖4之投射物鏡2將設置在物件平面5之物場3成像到影像平面7之影像場。載有結構的光罩(為清晰目的圖中未繪示)可設置在物件平面5之物場3的位置。就定向目的，圖4顯示笛卡兒座標系統，其中x軸指入圖面。於此例中，x-y平面座標與物件平面5一致，而z軸垂直於物件平面5並向下指向。投射物鏡具有光學軸9，並不通過物場3。投射物鏡2的反射鏡1、11具有相對於光學軸為旋轉對稱的設計表面。於此例中，設計表面必須不與完成的反射鏡物理表面混淆，因為後者表面相對於設計表面修整，已確保光通過反射鏡。於此例示實施例，孔徑光闌(aperture stop)13設置在從物件平面5到影像平面7之光路徑上的第二個鏡11。投射物鏡2的效應以三道光線顯示，包含主光線15及兩個孔徑邊際光線17及19，全部係源自於物場3的中心。相對於垂直物件平面具有角度6°行進的主光線15在孔徑光闌13的平面與光學軸9相交。由物件平面5觀之，主光線15在入射瞳平面21與光學軸相交。此如圖4中主光線15通過第一鏡11延伸的虛線所示。因此，孔徑光闌13的虛像，入射瞳，位在入射瞳平面21。投射物鏡的出射瞳可類似地以相同的架構在主光線15從影像平面7出發向後的延伸中找到。然而，於影像平面7，主光線15平行於光學軸9，由此其依循這兩道光線的後投射在投射物鏡2前的無窮遠產生交點，因此投射物鏡2的出射瞳是在無窮遠。因此，此投射物鏡2為所謂在影像側為遠心的物鏡。物場3的中心是在與光學軸距離R之處，而影像場7的中心是在與光學軸距離r之處，使得在投射物鏡的反射組態實施例中，從物場出現的輻射沒有不利的漸暈(vignetting)效應。
圖5顯示例如於圖4之投射物鏡2所發生的拱形影像場7a之平面圖，以及座標軸對應於圖4之笛卡兒座標系統。影像場7a為由環形所得的扇形，其中心為光學軸9與物件平面相交的點。於此例中，平均半徑r為34 mm。於此場在y方向的寬度d為2 mm。影像場7a的中央場點標記為在影像場7a內的小圓圈。選替地，亦可由兩個具有相同半徑且相對於彼此在y方向位移的圓弧，界定出曲形場。若投射曝光裝置操作為掃描機，則掃瞄方向為物場較短範圍的方向，亦即在y方向的方向。
圖6以單位度[°]顯示最大入射角(矩形)及入射角區間(圓形)的區間長度，對不同半徑或圖4之投射物鏡2之物件平面5到影像平面7之光路徑上的倒數第二個鏡1之鏡表面位置與光學軸之間的距離(單位為[mm])之示意圖。在具有6個用於EUV波長範圍之反射鏡1、11之微影投射物鏡2的範例中，反射鏡1通常是必須確保最大入射角與最大入射角區間或最大入射角變化之反射鏡。於本案背景中，做為入射角變化衡量之入射角區間的區間長度為，由於光學設計要求，在反射鏡之塗層必須確保與光學軸相距預定距離之最大入射角與最小入射角之間的角度範圍以度表示之角度數。入射角區間亦可簡稱AOI區間。
根據表1，投射物鏡的光學資料可適用於基於圖6之反射鏡1。於此例中，光學設計之反射鏡1、11的非球面利用相對於非球面頂點之切面之非球面點的垂直距離Z(h)，指明為球面點相對於球面頂點之法線的垂直距離h之函數，係根據以下非球面方程式：
Z(h)=(rho*h2 )/(1+[1-(1+ky )*(rho*h)2 ]0.5 )+c1 *h4 +c2 *h6 +c3 *h8 +c4 *h10 +c5 *h12 +c6 *h14
其中半徑R=1/rho(反射鏡的)，而參數ky 、c1 、c2 、c3 、c4 、c5 、及c6 的單位為[mm]。於此例中，相對於單位[mm]，根據[1/mm2n+2 ]將參數cn 正規化，而使得非球面Z(h)為距離的函數(單位也是[mm])。
由圖6可知，最大入射角24°及區間長度11°是發生在反射鏡1的不同位置。因此，反射鏡1的層配置必須針對不同入射角與不同入射角區間，在這些不同位置產生高又均勻的反射率值，不然無法確保投射物鏡2的可接受瞳變跡及高的總透射率。
所謂的PV值用做為對入射角之反射鏡之反射率變化的衡量。於此例中，PV值定義為在入射角區間中最大反射率Rmax 與最小反射率Rmin 之差異除以入射角區間的平均反射率Raverage 。因此，PV=(Rmax -Rmin )/Raverage 成立。
於此實施例中，應考慮在圖4之影像平面7前，投射物鏡2之反射鏡1有高PV值以及表1的設計會導致瞳變跡有高值。於此實施例中，針對大於0.25之高PV值，反射鏡1之PV值與投射物鏡2之瞳變跡的像差之間有所關聯，因為從此值開始，相對於其他像差成因，PV值左右了瞳變跡。
於圖6中，條棒23用於標記具有約21°之最大入射角及11°之區間長度之反射鏡之位置的特定半徑或相對於光學軸之特定距離，以做為範例。標記的半徑對應於下述圖7中圓圈23a(以虛線表示)在斜線區域20內的位置，斜線區域20表示反射鏡的光學所用區20。
圖7顯示圖4之投射物鏡2從物件平面5到影像平面7之光路徑上倒數第二個鏡1之基板S，於平面圖中為相對於光學軸9集中的圓圈。於此實施例中，投射物鏡2的光學軸9對應基板的對稱軸9。再者，於圖7中，反射鏡1的光學所用區20相對於光學軸偏離，並以斜線表式，而圓圈23a以虛線表示。
於此實施例中，虛線圓23a在光學所用區內的部分對應於圖6之條棒23所示的反射鏡1的位置。因此，根據圖6的資料，反射鏡1沿著在光學所用區20內虛線圓23a部分區域的層配置，必須確保對21°的最大入射角與約10°的最小入射角有高反射率值。於此例中，由於11°的區間長度，所以從21°的最大入射角得到約10°的最小入射角。在上述兩個入射角極值發生的虛線圓上的位置，於圖7中以箭頭端26強調10°的入射角以及箭頭端25強調21°的入射角。
由於沒有高科技經費，層配置就不能在基板S的位置上局部變化，且層配置通常相對於基板對稱軸9為旋轉對稱的，因此沿圖7之虛線圓23a位置的層配置包含一個，且如圖1至圖3之基本架構的層配置，並參考圖8至圖15以特定例示實施例形式說明。於此實施例中，應考慮基板S相對於基板S之對稱軸9旋轉對層的塗佈，而層配置具有以下效應：在反射鏡的所有位置維持層配置的層子系統P’、P”、P’’’的週期序列，並根據相距對稱軸9的距離，僅層配置的週期厚度隨著基板S得到旋轉對稱的輪廓，層配置在基板S的邊緣比在對稱軸9之基板S的中心還要薄。
應考慮可利用適當的塗佈技術，例如使用分布膜片(distribution diaphragms)來配合基板上塗層厚度的旋轉對稱徑向輪廓。因此，除了塗層本身的設計，為了最佳化塗層設計，可採用所謂基板上塗層設計的厚度因子之徑向輪廓，係為另一自由度。
圖8至圖15所示的反射率值利用表2所示的複折射率=n-i*k計算，表2係針對在波長13.5nm的使用材料。於此實施例中，應考慮實際反射鏡的反射率值可變得比圖8至圖15所示的反射率值還低，尤其因為實際薄層的折射率可能偏離表2所示的理論值。
再者，以下短註解根據圖1至圖3之層序列表示與圖8至圖15有關的層設計：
基板/.../(P1 )*N1 /(P2 )*N2 /(P3 )*N3 /覆蓋層系統C
其中就圖2及圖3而言，P1=H’B L’B；P2=H”B L”B；P3=H’’’B L’’’B；C=H B L M；且其中就圖1及做為圖3之變化的第四實施例而言，P1=B H’B L’；P2=B L”B H” ；P3=H’’’B L’’’B；C=H B L M。
於此實施例，根據表2及圖1至圖3的相關說明，字母H符號表示高折射率層的厚度，字母L表示低折射率層的厚度，字母B表示阻障層的厚度，而字母M表示化學惰性終止層的厚度。
於此實施例，括號間表示的個別層厚度單位為[nm]。因此關於圖8至圖9所用的層設計可如下短註解所示：
基板/.../(0.4B 4 C 2.921Si 0.4B 4 C 4.931Mo )*8/(0.4B 4 C 4.145Mo 0.4B 4 C 2.911Si )*5/(3.509Si 0.4B 4 C 3.216Mo 0.4B 4 C )*16/2.975Si 0.4B 4 C 2Mo 1.5Ru
由於於此範例阻障層B4 C一直是0.4 nm厚，因此為顯示層配置的基本架構而可省略，使得關於圖8至圖9之層設計可以下列簡寫方式表示：
基板/.../(2.921Si 4.931Mo )*8/(4.145Mo 2.911Si )*5/(3.509Si 3.216Mo )*16/2.975Si 2Mo 1.5Ru
由圖1之第一例示實施例可知，在第二層子系統(包含5個週期)中高折射率層Si與低折射率層的順序，已相對於其他的層子系統顛倒，而使離基板最遠的層子系統的第一高折射率層(具有厚度3.509 nm)，直接接續於離基板第二遠的層子系統的最後高折射率層(具有厚度2.911 nm)。
相應地，可指明相關於圖10及圖11所用的層設計做為根據圖2的第二例示實施例，以短註解表示如下：
基板/.../(4.737Si 0.4B 4 C 2.342Mo 0.4B 4 C )*28/(3.443Si 0.4B 4 C 2.153Mo 0.4B 4 C )*5/(3.523Si 0.4B 4 C 3.193Mo 0.4B 4 C )*15/2.918Si 0.4B 4 C 2Mo 1.5Ru
由於此範例中的阻障層B4 C一直是0.4 nm厚，因此為顯示層配置的而可省略，使得關於圖10至圖11之層設計可以下列簡寫方式表示：
基板/.../(4.737Si 2.342Mo )*28/(3.443Si 2.153Mo )*5/(3.523Si 3.193Mo )*15/2.918Si 2Mo 1.5Ru
因此，可指明相關於圖12及圖13所用的層設計做為根據圖3的第三例示實施例，以短註解表示如下：
基板/.../(1.678Si 0.4B 4 C 5.665Mo 0.4B 4 C )*27/(3.798Si 0.4B 4 C 2.855Mo 0.4B 4 C )*14/1.499Si 0.4B 4 C 2Mo 1.5Ru
且為便於說明省略阻障層B4 C：
基板/.../(1.678S1 5.665Mo )*27/(3.798Si 2.855Mo )*14/1.499Si 2Mo 1.5Ru
類似地，可指明相關於圖14及圖15所用的層設計做為根據圖3變化的第四例示實施例，以短註解表示如下：
基板/.../(0.4B 4 C 4.132Mo 0.4B 4 C 2.78Si )*6/(3.608Si 0.4B 4 C 3.142Mo 0.4B 4 C )*16/2.027Si 0.4B 4 C 2Mo 1.5Ru
且為便於說明省略阻障層B4 C：
基板/.../(4.132Mo 2.78Si )*6/(3.609Si 3.142Mo )*16/2.027Si 2Mo 1.5Ru
由第四例示實施例可知，在層子系統P”(包含6個週期)中高折射率層Si與低折射率層的順序，已相對於其他的層子系統P’’’(具有16個週期)顛倒，而使離基板最遠的層子系統P’’’的第一高折射率層(具有厚度3.609 nm)，直接接續於離基板第二遠的層子系統P”的最後高折射率層(具有厚度2.78 nm)。
因此，第四例示實施例為第三例示實施例的變化，其中離基板第二遠的層子系統P”的高折射率層與低折射率層的順序已根據圖1之第一例示實施例顛倒。
圖8顯示根據本發明圖1之第一例示實施例之未極化輻射相對於入射角(單位為[°])的反射率值(單位為[%])。於此例中，反射鏡1a之層配置的第一層子系統P’由N1 =8個週期P1 所構成，其中週期P1 由2.921 nm Si為高折射率層、4.931 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C之阻障層所構成。因此週期P1 具有厚度d1 為8.652 nm。反射鏡1a之層配置的第二層子系統P”具有相反順序的Mo與Si層，係由N2 =5個週期P2 所構成，其中週期P2 由2.921 nm Si為高折射率層、4.145 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P2 具有厚度d2 為7.856 nm。反射鏡1a之層配置的第三層子系統P’’’由N3 =16個週期P3 所構成，其中週期P3 由3.509 nm Si為高折射率層、3.216 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P3 具有厚度d3 為7.525 nm。反射鏡1a的層配置終止於由依序為2.975 nm Si、0.4 nm B4 C、2 nm Mo、以及1.5 nm Ru所構成的覆蓋層系統C。因此，離基板最遠的層子系統P’’’具有的週期P3 的數量N3 大於離基板第二遠的層子系統P”的週期P2 的數量N2 ，且離基板最遠的層子系統P’’’具有的週期P3 的第一高折射率層H’’’直接接續於離基板第二遠的層子系統P”的最後高折射率層H”。
在波長13.5 nm，厚度因子為1之標稱層設計的反射率值，在圖8中相對於入射角(單位為[°])顯示為實線。再者，針對入射角區間為14.1°至25.7°的標稱層設計的平均反射率，顯示為實線水平條圖。再者在波長為13.5 nm及預定厚度因子為0.933，圖8相應地指示虛線為反射率值對上入射角，而虛線條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為2.5°至7.3°的平均反射率。因此，相對於圖8虛線所示之反射率值，層配置的週期厚度僅達到標稱層設計的週期厚度的93.3%。換言之，在反射鏡1a確保入射角介於2.5°至7.3°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了6.7%。
圖9以對應於圖8之方式顯示在波長13.5 nm以及厚度因子為1.018時，細線為反射率值對上入射角，而細條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為17.8°至27.2°的平均反射率，以及以對應的方式顯示厚度因子為0.972時，粗線為反射率值對上入射角，而粗條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為8.7°至21.4°的平均反射率。因此，在反射鏡1a確保入射角介於17.8°至27.2°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還厚了1.8%，且相應地，在確保入射角介於8.7°至21.4°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了2.8%。
相對於表3中的厚度因子與入射角區間，編譯可利用圖8及圖9之層配置達到的平均反射率以及PV值。可得知在波長為13.5 nm，針對入射角介於2.5°及27.2°之間，包含上述層配置的反射鏡1a具有超過43%的平均反射率以及小於或等於0.21的PV值。
圖10根據本發明圖2之第二例示實施例之未極化輻射相對於入射角(單位為[°])的反射率值(單位為[%])。於此例中，反射鏡1b之層配置的第一層子系統P’由N1 =28個週期P1 所構成，其中週期P1 由4.737 nm Si為高折射率層、2.342 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C之阻障層所構成。因此週期P1 具有厚度d1 為7.879 nm。反射鏡1b之層配置的第二層子系統P”係由N2 =5個週期P2 所構成，其中週期P2 由3.443 nm Si為高折射率層、2.453 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P2 具有厚度d2 為6.396 nm。反射鏡1b之層配置的第三層子系統P’’’由N3 =15個週期P3 所構成，其中週期P3 由3.523 nm Si為高折射率層、3.193 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P3 具有厚度d3 為7.516 nm。反射鏡1b的層配置終止於由依序為2.918 nm Si、0.4 nm B4 C、2 nm Mo、以及1.5 nm Ru所構成的覆蓋層系統C。因此，離基板最遠的層子系統P’’’具有的週期P3 的數量N3 大於離基板第二遠的層子系統P”的週期P2 的數量N2 。
在波長13.5 nm，厚度因子為1之標稱層設計的反射率值(單位為[%])，在圖10中相對於入射角(單位為[°])顯示為實線。再者，針對入射角區間為14.1°至25.7°的標稱層設計的平均反射率，顯示為實線水平條圖。再者在波長為13.5 nm及預定厚度因子為0.933，圖10相應地指示虛線為反射率值對上入射角，而虛線條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為2.5°至7.3°的平均反射率。因此，相對於圖10虛線所示之反射率值，層配置的週期厚度僅達到標稱層設計的週期厚度的93.3%。換言之，在反射鏡1c確保入射角介於2.5°至7.3°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了6.7%。
圖11以對應於圖10之方式顯示在波長13.5 nm以及厚度因子為1.018時，細線為反射率值對上入射角，而細條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為17.8°至27.2°的平均反射率，以及以對應的方式顯示厚度因子為0.972時，粗線為反射率值對上入射角，而粗條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為8.7°至21.4°的平均反射率。因此，在反射鏡1b確保入射角介於17.8°至27.2°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還厚了1.8%，且相應地，在確保入射角介於8.7°至21.4°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了2.8%。
相對於表4中的厚度因子與入射角區間，編譯可利用圖10及圖11之層配置達到的平均反射率以及PV值。可得知在波長為13.5 nm，針對入射角介於2.5°及27.2°之間，包含上述層配置的反射鏡1a具有超過45%的平均反射率以及小於或等於0.23的PV值。
圖12顯示根據本發明圖3之第三例示實施例之未極化輻射相對於入射角(單位為[°])的反射率值(單位為[%])。於此例中，反射鏡1c之層配置的二層子系統P”係由N2 =27個週期P2 所構成，其中週期P2 由1.678 nm Si為高折射率層、5.665 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P2 具有厚度d2 為8.143 nm。反射鏡1c之層配置的層子系統P’’’由N3 =14個週期P3 所構成，其中週期P3 由3.798 nm Si為高折射率層、2.855 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P3 具有厚度d3 為7.453 nm。反射鏡1c的層配置終止於由依序為1.499 nm Si、0.4 nm B4 C、2 nm Mo、以及1.5 nm Ru所構成的覆蓋層系統C。因此，離基板最遠的層子系統P’’’具有的高折射率層H’’’之厚度比離基板第二遠的層子系統P”的高折射率層H”之厚度的兩倍還大。
在波長13.5 nm，厚度因子為1之標稱層設計的反射率值，在圖12中相對於入射角(單位為[°])顯示為實線。再者，針對入射角區間為14.1°至25.7°的標稱層設計的平均反射率，顯示為實線水平條圖。再者在波長為13.5 nm及預定厚度因子為0.933，圖12相應地指示虛線為反射率值對上入射角，而虛線條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為2.5°至7.3°的平均反射率。因此，相對於圖12虛線所示之反射率值，層配置的週期厚度僅達到標稱層設計的週期厚度的93.3%。換言之，在反射鏡1c確保入射角介於2.5°至7.3°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了6.7%。
圖13以對應於圖12之方式顯示在波長13.5 nm以及厚度因子為1.018時，細線為反射率值對上入射角，而細條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為17.8°至27.2°的平均反射率，以及以對應的方式顯示厚度因子為0.972時，粗線為反射率值對上入射角，而粗條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為8.7°至21.4°的平均反射率。因此，在反射鏡1c確保入射角介於17.8°至27.2°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還厚了1.8%，且相應地，在確保入射角介於8.7°至21.4°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了2.8%。
相對於表5中的厚度因子與入射角區間，編譯可利用圖12及圖13之層配置達到的平均反射率以及PV值。可得知在波長為13.5 nm，針對入射角介於2.5°及27.2°之間，包含上述層配置的反射鏡1a具有超過39%的平均反射率以及小於或等於0.22的PV值。
圖14顯示根據本發明反射鏡1c變化的第四例示實施例(其中層子系統P”中的層順序顛倒)之未極化輻射相對於入射角(單位為[°])的反射率值(單位為[%])。於此例中，反射鏡之層配置的層子系統P”係由N2 =6個週期P2 所構成，其中週期P2 由2.78 nm Si為高折射率層、4.132 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P2 具有厚度d2 為7.712 nm。反射鏡之層配置的層子系統P’’’由N3 =16個週期P3 所構成，其中週期P3 由3.608 nm Si為高折射率層、3.142 nm Mo為低折射率層、以及兩個各為0.4 nm B4 C的阻障層所構成。因此週期P3 具有厚度d3 為7.55 nm。反射鏡的層配置終止於由依序為2.027 nm Si、0.4 nm B4 C、2 nm Mo、以及1.5 nm Ru所構成的覆蓋層系統C。因此，離基板最遠的層子系統P’’’具有的高折射率層H’’’的厚度比離基板第二遠的層子系統P”的高折射率層H”的厚度大超過120%。再者，離基板最遠的層子系統P’’’具有的週期P3 的數量N3 大於離基板第二遠的層子系統P”的週期P2 的數量N2 ，且離基板最遠的層子系統P’’’的高折射率層H’’’直接接續於離基板第二遠的層子系統P”的高折射率層H”。
在波長13.5 nm，厚度因子為1之標稱層設計的反射率值，在圖14中相對於入射角(單位為[°])顯示為實線。再者，針對入射角區間為14.1°至25.7°的標稱層設計的平均反射率，顯示為實線水平條圖。再者在波長為13.5 nm及預定厚度因子為0.933，圖14相應地指示虛線為反射率值對上入射角，而虛線條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為2.5°至7.3°的平均反射率。因此，相對於圖14虛線所示之反射率值，層配置的週期厚度僅達到標稱層設計的週期厚度的93.3%。換言之，在反射鏡確保入射角介於2.5°至7.3°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了6.7%。
圖15以對應於圖14之方式顯示在波長13.5 nm以及厚度因子為1.018時，細線為反射率值對上入射角，而細條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為17.8°至27.2°的平均反射率，以及以對應的方式顯示厚度因子為0.972時，粗線為反射率值對上入射角，而粗條圖為上述所指示的層設計針對入射角區間為8.7°至21.4°的平均反射率。因此，在反射鏡確保入射角介於17.8°至27.2°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還厚了1.8%，且相應地，在確保入射角介於8.7°至21.4°之間的鏡表面位置，層配置比標稱層設計還薄了2.8%。
相對於表6中的厚度因子與入射角區間，編譯可利用圖14及圖15之層配置達到的平均反射率以及PV值。可得知在波長為13.5 nm，針對入射角介於2.5°及27.2°之間，包含上述層配置的反射鏡具有超過42%的平均反射率以及小於或等於0.24的PV值。
在所示的全部4個例示實施例中，分別位在最靠近基板的層子系統的週期數量可以使通過層子系統的EUV輻射之透射率少於10%，尤其少於2%之方式增加。
因此，首先如上所述，可避免在基板或層配置下的層對反射鏡的光學性質產生擾動效應，於此實施例之光學性質尤其是指反射率，其次，藉此可充分保護層配置下的層或基板免於受到EUV輻射。
1．．．反射鏡
1a、1b、1c．．．反射鏡
2．．．投射物鏡
3．．．物場
5．．．物件平面
7．．．影像平面
7a．．．影像場
9．．．光學軸
11．．．反射鏡
13．．．孔徑光闌
15．．．主光線
17．．．孔徑邊際光線
19．．．孔徑邊際光線
20．．．光學所用區
21．．．入射瞳平面
23．．．條棒
23a．．．圓圈
25．．．箭頭端
26．．．箭頭端
B．．．阻障層
C．．．覆蓋層系統
d．．．寬度
d1 、d2 、d3 ．．．厚度
H、H’、H”、H’’’．．．高折射率層
L、L’、L”、L’’’．．．低折射率層
M．．．終止層
N1 、N2 、N3 ．．．數量
P1 、P2 、P3 ．．．週期
P’、P”、P’’’．．．層子系統
R．．．距離
r．．．距離
S．．．基板
參考圖式詳細說明本發明例示實施例，其中：
圖1顯示根據本發明之第一鏡之示意圖；
圖2顯示根據本發明第二鏡之示意圖；
圖3顯示根據本發明第三鏡之示意圖；
圖4顯示根據本發明用於微影投射曝光裝置之投射物鏡之示意圖；
圖5顯示投射物鏡之影像場之示意圖；
圖6顯示根據本發明相對於投射物鏡內之光學軸，最大入射角與入射角區間的區間長度對上反射鏡的位置距離；
圖7顯示根據本發明之反射鏡之基板上的光學所用區之示意圖；
圖8顯示對上由圖1根據本發明之第一鏡的入射角之一些反射率值之示意圖；
圖9顯示對上由圖1根據本發明之第一鏡的入射角之另一些反射率值之示意圖；
圖10顯示對上由圖2根據本發明之第二鏡的入射角之一些反射率值之示意圖；
圖11顯示對上由圖2根據本發明之第二鏡的入射角之另一些反射率值之示意圖；
圖12顯示對上由圖3根據本發明之第三鏡的入射角之一些反射率值之示意圖；
圖13顯示對上由圖3根據本發明之第三鏡的入射角之另一些反射率值之示意圖；
圖14顯示對上本發明另一鏡的入射角之一些反射率值之示意圖；以及
圖15顯示對上本發明另一鏡的入射角之另一些反射率值之示意圖。
1a．．．反射鏡
B．．．阻障層
C．．．覆蓋層系統
d1 、d2 、d3 ．．．厚度
H、H’、H”、H’’’．．．高折射率層
L、L’、L”、L’’’．．．低折射率層
M．．．終止層
N1 、N2 、N3 ．．．數量
P1 、P2 、P3 ．．．週期
P’、P”、P’’’．．．層子系統
S．．．基板

Claims (27)

  1. 一種用於EUV波長範圍之反射鏡，包含：一基板及一層配置，其中該層配置包含複數層子系統，各層子系統由至少兩個週期之週期序列所組成，其中每一該些週期包含由針對一高折射率層與針對一低折射率層之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統內具有一固定厚度，該固定厚度不同於一相鄰層子系統的週期的厚度，該反射鏡其特徵在於：離該基板第二遠的層子系統具有該週期的一順序，使離該基板最遠的層子系統的第一高折射率層直接接續於離該基板第二遠的層子系統的最後高折射率層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中離該基板最遠的層子系統具有的週期數量比離該基板第二遠的層子系統具有的週期數量還大。
  3. 一種用於EUV波長範圍之反射鏡，包含：一基板及一層配置，其中該層配置包含複數層子系統，各層子系統由至少兩個週期之週期序列所組成，其中每一該週期包含由針對一高折射率層與針對一低折射率層之不同材料所組成的兩個個別層，並在各層子系統內具有一固定厚度，該固定厚度係不同於一相鄰層子系統的週期的厚度，該反射鏡其特徵在於：離該基板第二遠的層子系統具有該週期的一順序，使離該基板最遠的層子系統的第一高折射率層直接接續於離該基板第二遠的層子系統的最後高折射率層，以及通過該層配置之該等層子系統之EUV輻射透射率低於10%。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中通過該層配置之該等層子系統之EUV輻射透射率低於2%。
  5. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該些層子系統由針對該高折射率層與該低折射率層之相同材料所建構。
  6. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中離該基板最遠的層子系統之週期數量介於9至16之間，且其中離該基板第二遠的層子系統之週期數量介於2至12之間。
  7. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該層配置包含至少三個層子系統，且離該基板最近之層子系統之週期數量大於離該基板最遠之層子系統的週期數量，及/或大於離該基板第二遠之層子系統的週期數量。
  8. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中離該基板最遠之層子系統的週期具有的該高折射率層之厚度為離該基板第二遠之層子系統的週期具有的該高折射率層之厚度的120%以上或大於2倍。
  9. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中離該基板最遠之層子系統的週期具有的該低折射率層之厚度為離該基板第二遠之層子系統的週期具有的該低折射 率層之厚度的80%以下或少於2/3倍。
  10. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中離該基板第二遠之層子系統的週期具有的該低折射率層之厚度大於4nm。
  11. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中離該基板第二遠之層子系統的週期具有的該低折射率層之厚度大於5nm。
  12. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中離該基板最遠之層子系統具有的週期的厚度介於7.2nm及7.7nm之間。
  13. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中一中介層或一中介層配置提供在該層配置與該基板之間，並作為該層配置的應力補償。
  14. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中具有厚度大於20nm的一金屬層提供於該層配置與該基板之間。
  15. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中具有厚度大於50nm的一金屬層提供於該層配置與該基板之間。
  16. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中形成該週期的該兩個個別層的材料為鉬與矽或釕與矽，且其中該些個別層由至少一阻障層隔開，且該阻障層由選自以下材料所組成的群組中的材料所構成：B4 C、C、Si氮化物、Si碳化物、Si硼化物、Mo氮化物、Mo碳化物、Mo硼化物、Ru氮化物、Ru碳化物、及Ru硼化物。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該阻障層包含B4 C材料並具有厚度在於0.35nm至0.8nm之間。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該阻障層包含B4 C材料並具有厚度在於在0.4nm至0.6nm之間。
  19. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中一覆蓋層系統包含至少一層由化學惰性材料所構成的層，並終止該反射鏡之該層配置。
  20. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該層配置沿反射鏡表面的一厚度因子設定是在0.9至1.05之間的值。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該厚度因子設定是在0.933至1.018之間的值。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該層配置在該反射鏡表面之一位置上的該厚度因子與要確保的最大入射角有關。
  23. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該層配置包含至少三個層子系統，且其中通過該至少三個層子系統的EUV輻射透射率少於10%。
  24. 如申請專利範圍第1或3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該層配置包含至少三個層子系統，且其中通過該至少三個層子系統的EUV輻射透射率少於2%。
  25. 如申請專利範圍第3項所述之用於EUV波長範圍之反射鏡，其中該些層子系統由該高折射率層與該低折射率層的相同材料所建構，且離該基板最遠的層子系統具有的週期數量大於離該基板第二遠的層子系統的週期數量。
  26. 一種用於微影的投射物鏡，包含如前述申請專利範圍第1或3項所述的反射鏡。
  27. 一種用於微影的投射曝光裝置，包含如申請專利範圍第26項所述的投射物鏡。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009049640B4 (de) 2009-10-15 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102009054986B4 (de) * 2009-12-18 2015-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektive Maske für die EUV-Lithographie
DE102011003357A1 (de) * 2011-01-31 2012-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Herstellungsverfahren für einen solchen Spiegel, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
DE102011077983A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Elements für die EUV-Lithographie
DE102012207125A1 (de) * 2012-04-27 2013-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie sowie Verfahren zum Optimieren eines Schutzlagensystems für ein optisches Element
DE102012213937A1 (de) * 2012-08-07 2013-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Austauscharray
JP2014160752A (ja) 2013-02-20 2014-09-04 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび該マスクブランク用反射層付基板
DE102013212462A1 (de) * 2013-06-27 2015-01-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Oberflächenkorrektur von Spiegeln mit Entkopplungsbeschichtung
DE102015213253A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6011646A (en) * 1998-02-20 2000-01-04 The Regents Of The Unviersity Of California Method to adjust multilayer film stress induced deformation of optics
US20020171922A1 (en) * 2000-10-20 2002-11-21 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same
US20060024589A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
US7382527B2 (en) * 2003-10-15 2008-06-03 Nikon Corporation EUV multilayer mirror with phase shifting layer

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7261957B2 (en) * 2000-03-31 2007-08-28 Carl Zeiss Smt Ag Multilayer system with protecting layer system and production method
JP2002134385A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Nikon Corp 多層膜反射鏡および露光装置
DE10155711B4 (de) 2001-11-09 2006-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Im EUV-Spektralbereich reflektierender Spiegel
JP2003318094A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd 露光装置用反射鏡および露光装置ならびに、それらを用いて製造される半導体デバイス
DE10319005A1 (de) * 2003-04-25 2004-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element, optisches System und EUV-Lithographievorrichtung
EP2490227B1 (en) * 2003-06-02 2014-11-19 Nikon Corporation Multilayer film reflector and X-ray exposure system
CN100449690C (zh) * 2003-10-15 2009-01-07 株式会社尼康 多层膜反射镜、多层膜反射镜的制造方法及曝光系统
DE102004062289B4 (de) * 2004-12-23 2007-07-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich
US7547505B2 (en) * 2005-01-20 2009-06-16 Infineon Technologies Ag Methods of forming capping layers on reflective materials
US7336416B2 (en) * 2005-04-27 2008-02-26 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method
US20070065638A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Eastman Kodak Company Nano-structured thin film with reduced light reflection
JP4703353B2 (ja) * 2005-10-14 2011-06-15 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク
JP4905914B2 (ja) * 2005-10-14 2012-03-28 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付き基板、その製造方法、反射型マスクブランクおよび反射型マスク
JP2007134464A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Canon Inc 多層膜を有する光学素子及びそれを有する露光装置
JP2007198784A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Nikon Corp 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法及び露光装置
JP2007329368A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Canon Inc 多層膜ミラー、評価方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7771896B2 (en) * 2006-12-22 2010-08-10 Asml Netherlands B.V. Patterning device, method of providing a patterning device, photolithographic apparatus and device manufacturing method
JP5158331B2 (ja) * 2007-08-27 2013-03-06 大日本印刷株式会社 Ｅｕｖ露光装置
US20090148695A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Optical element for x-ray
DE102009017095A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-28 Carl Zeiss Smt Ag Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6011646A (en) * 1998-02-20 2000-01-04 The Regents Of The Unviersity Of California Method to adjust multilayer film stress induced deformation of optics
US20020171922A1 (en) * 2000-10-20 2002-11-21 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same
US7382527B2 (en) * 2003-10-15 2008-06-03 Nikon Corporation EUV multilayer mirror with phase shifting layer
US20060024589A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography

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Publication number Publication date
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