TWI502219B - 用於極紫外光波長範圍之反射鏡、包含此反射鏡之用於微影的投影物鏡、以及包含此投影物鏡之用於微影的投影曝光裝置 - Google Patents

用於極紫外光波長範圍之反射鏡、包含此反射鏡之用於微影的投影物鏡、以及包含此投影物鏡之用於微影的投影曝光裝置 Download PDF

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TWI502219B TW099111580A TW99111580A TWI502219B TW I502219 B TWI502219 B TW I502219B TW 099111580 A TW099111580 A TW 099111580A TW 99111580 A TW99111580 A TW 99111580A TW I502219 B TWI502219 B TW I502219B
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Description

用於極紫外光波長範圍之反射鏡、包含此反射鏡之用於微影的投影物鏡、以及包含此投影物鏡之用於微影的投影曝光裝置
本發明有關一種用於EUV波長範圍之鏡。另外，本發明有關一種包含此鏡之用於微影的投影物鏡。此外，本發明有關一種包含此投影物鏡之用於微影的投影曝光裝置。
用於EUV波長範圍的微影投影曝光裝置，必須依賴以下事實：使遮罩(mask)曝光或成像於影像平面中所使用的鏡具有高反射率(reflectivity)，因為，首先，個別的鏡的反射率值的乘積決定投影曝光裝置的總傳輸(total transmission)，及因為，其次EUV光源在光功率(light power)上有所限制。
例如，從US 7,474,733 B1，得知用於EUV波長範圍在13 nm左右的鏡具有高反射率值。US 7,474,733 B1中顯示的鏡對於多塗層(coating)具有高理論反射率值(theoretical reflectivity value)，其中最高反射率值的多塗層包含30個以上矽及釕層(Ru/Si-多層)所形成的相同週期。
不過，有關這些鏡的缺點是，實際上並無法達成該等理論反射率值，因為由矽及釕構成的交替層(alternating layer)傾向於交互擴散(interdiffusion)，因而在層轉變處發生對比損失，進而導致反射率降低。
從US 6,396,900 B1，得知結合不同於矽及釕的化學元素，防止此種不同材料混合的交互擴散障壁。在此例中，US 6,396,900 B1提出，為了獲得最大反射率，使用厚度小於0.35 nm的極薄障壁層(barrier layer)，因為於約13 nm之波長，這些障壁層一般具有吸收效應(absorbent effect)。
另外，US 2005/0270648揭露用於EUV波長範圍約13 nm的鏡用於入射角達20°，這些鏡包含所謂的Mo/Si多塗層(Mo/Si多層)。
因此，本發明之目的在於提供一種包含矽及釕層之用於EUV波長範圍之鏡，也確保實際上此類層的高理論反射率值。
尤其，本發明之目的在於提供此鏡，其對於13.3 nm與13.7 nm間之波長，即使有不同的入射角，且同時入射角變化很大，確保高反射率值。
根據本發明，利用具有施加在基板上之層配置(layer arrangement)之用於EUV波長範圍之鏡達成此目的，該層配置包含多個個別層(individual layer)所形成的一週期性序列(periodic sequence)，其中週期性序列包含至少兩個形成一週期的個別層，其由矽及釕構成；其中至少一個障壁層由B4 C構成，具有厚度大於0.35 nm，尤其是大於0.4 nm，位在由矽及釕構成的個別層之間。
根據本發明，應明白，為防止矽及釕的交互擴散，需要使用由B4 C構成的障壁層，且同時，為了光學之故，必須具有大於0.35 nm的最小厚度，因為否則無法針對不同的入射角形成高反射率值。
有利的是，用於EUV波長範圍之鏡在此例中應具有由B4 C構成的障壁層，具有厚度小於1 nm，較佳是小於0.8 nm，尤其較佳是小於0.6 nm，因為，對於障壁層的較大層厚度(larger layer thickness)而言，因障壁層B而獲得的高反射率值由於這些層在13 nm的吸收效應反而再度減少。
為了生產工程之故，尤其有利的是，如果在所有情況下，厚度在0.4 nm與0.6 nm間之由B4 C構成之相同厚度的障壁層，位在由矽及釕構成的個別層之間，因為如此可避免重新配置塗層程序(coating process)或塗層裝置。
同樣有利的是，由矽構成的個別層應具有厚度在4 nm與7 nm之間，及由釕構成的個別層應具有厚度在2.5 nm與4.5 nm之間。另外，覆蓋層系統(covering layer system)應終止鏡的層配置，及在此例中包含由化學惰性材料構成的至少一層，以保護鏡不受環境影響及所造成反射率損失。
另外，利用包含根據本發明之至少一個鏡的投影物鏡，達成本發明之目的。
根據本發明之鏡及根據本發明之投影物鏡的其他有利組態在申請專利範圍附屬項的特徵中顯現。
此外，利用根據本發明包含此投影物鏡之用於微影的投影曝光裝置，達成本發明之目的。
圖1顯示根據本發明用於EUV波長範圍之鏡1的示意性圖解，該鏡具有施加在基板S上的層配置P，該層配置包含若干個別層所形成的一週期性序列，其中週期性序列包含至少兩個形成一週期的個別層，其由矽Si及釕Ru構成；及其中至少一個障壁層B由B4 C構成，具有厚度大於0.35 nm，尤其是大於0.4 nm，位在由矽Si及釕Ru構成的個別層之間。在此例中，層配置P可包含所示Ru/Si個別週期的多達100個週期。另外，在層配置P與基板S之間，可提供間層(interlayer)或間層配置(interlayer arrangement)，用作層配置的應力補償(stress compensation)。在圖1中，鏡1的層配置P由作為終止層(terminating layer)的覆蓋層系統C終止，其包含由化學惰性材料構成的至少一層，諸如Rh、Pl、Pd、Ru、Au、SiO2 等。對於諸如在含有圖6至9之示範性具體實施例中所示矽層(Si)及釕(Ru)的層厚度，在投影物鏡2之中央場點(central field point)的出射瞳(exit pupil)上方所圖解之此鏡1的反射率，在出射瞳的所有位置上方具有多於30%，見圖6至9。在此例中，對於根據圖6的示範性具體實施例，在中央場點的整個出射瞳上方，可以有多於50%的反射率值。在根據圖7至9的示範性具體實施例中，出射瞳只有局部區域可以有上述反射率值。該等局部區域包含出射瞳的邊緣，但此邊緣對微影的成像理論極為重要。較佳是，用於EUV波長範圍之鏡1應具有由B4 C構成的障壁層B，具有厚度小於1 nm，較佳是小於0.8 nm，尤其較佳是小於0.6 nm，因為，對障壁層B的較大層厚度而言，利用障壁層B達成之反射率的優點反而減少。
圖2顯示根據本發明用於微影之投影曝光裝置之投影物鏡2的示意性圖解，該投影物鏡2具有六個鏡1、11，包括至少一個根據本發明的鏡1。用於微影之投影曝光裝置的功能是，以微影方式將遮罩(mask)(又稱為光罩(reticle))的結構，成像至影像平面(image plane)中的所謂晶圓上。為此目的，圖2中，根據本發明的投影物鏡2將設置在物體平面(object plane)5中的物體場(object field)3，成像至影像平面7中的影像場(image field)。載有結構的遮罩(為了清楚之故，並未在圖中顯示)可設置在物體平面5中物體場3的位置。為了定向，圖2顯示笛卡爾座標系統，其x軸指向圖平面中的方向。在此例中，x-y座標平面與物體平面5相符，z軸垂直於物體平面5並指向往下的方向。投影物鏡具有光軸9，但未穿過物體場3。投影物鏡2的鏡1、11具有設計表面，相對於光軸為旋轉對稱。在此例中，該設計表面不得與完成鏡的物理表面(physical surface)混淆，因為物理表面相對於設計表面經過修整，以確保光能通過鏡。在此示範性具體實施例中，孔徑光闌(aperture diaphragm)13設置在從物體平面至影像平面之光路徑中的第二鏡11上。借助三條射線，一條主要射線(principal ray)15及兩條孔徑邊緣射線(aperture marginal ray)17、19，圖解投影物鏡2的作用；三條射線全部來自物體場3的中心。相對於垂直於物體平面，以6°角延伸的主要射線15，在孔徑光闌13的平面中，與光軸9相交。從物體平面5觀看時，主要射線15看起來像在入射瞳平面(entrance pupil plane)21中與光軸相交。這在圖2中如通過第一鏡11之主要射線15的延伸虛線所示。因此，孔徑光闌13的虛像，即入射瞳(entrance pupil)，位在入射瞳平面21中。同樣地，可在從影像平面7發出之主要射線15的向後延伸中，以相同的做法找到投影物鏡的出射瞳。然而，在影像平面7中，主要射線15平行於光軸9，及由此可見這兩條射線的向後投影在投影物鏡2的前方無限遠處形成交點，投影物鏡2的出射瞳因而在無限遠處。因此，此投影物鏡2是所謂在影像側(image side)上為遠心的物鏡。物體場3的中心位在與光軸9的距離R處，及影像場7的中心位在與光軸9的距離r處，以免對投影物鏡的反射組態(reflective configuration)而言，出自物體場的輻射出現不想要的漸暈(vignetting)。
圖3顯示諸如在圖2所示投影物鏡2中出現之弧形影像場(arcuate image field)7a的平面圖，及笛卡爾座標系統，其軸線對應於圖2的軸線。影像場7a是環形物的一段，其中心通過光軸9與物體平面的交點。在所示例子中，平均半徑r為34 mm。影像場在y方向中的寬度d在此為2 mm。影像場7a的中央場點被標示為影像場7a中的小圓圈。作為替代選項，彎曲的影像場也可以利用兩個圓弧劃定界限，這兩個圓弧具有相同的半徑，且在y方向中相對於彼此位移。如果將投影曝光裝置操作為掃描器，則掃描方向在物體場較短範圍的方向(即在y方向的方向)中行進。
圖4顯示在圖2之投影物鏡2從物體平面5至影像平面7的光路徑中，倒數第二鏡1之最大入射角(矩形)及入射角間隔(圓形)(單位[°])，對照在各位置與光軸間之不同半徑或距離(單位[mm])的示範性圖解。對具有六個用於EUV波長範圍之鏡1、11的微影投影物鏡2而言，該鏡1一般是必須確保最大入射角及最大入射角間隔或最大入射角變化的那個鏡。在本申請案的上下文中，應明白，入射角間隔或入射角變化是，對於光學設計需求所要求與光軸的給定距離，鏡的塗層所必須確保的在最大及最小入射角間的那個角範圍(單位：度)。
根據表1之投影物鏡的光學資料適用於圖4所依據的鏡1。在此例中，根據以下非球面等式，依據個別鏡之非球面點與光軸間的距離h(以單位[mm]來指示)，給定光學設計之鏡1、11的非球面Z(h)：
Z(h)=(rho*h2 )/(1+[1-(1+ky )*(rho*h)2 ]0.5 )+c1 *h4 +c2 *h6 +c3 *h8 +c4 *h10 +c5 *h12 +c6 *h14
其中鏡的半徑R=1/rho，及參數有ky 、c1 、c2 、c3 、c4 、c5 、及c6 。在此例中，該等參數cn 根據[1/mm2n+2 ]，針對單位[mm]進行標準化，致使非球面Z(h)為距離h(單位也是[mm])的函數。
表1：根據圖2設計的示意性圖解，關於圖4之鏡1的入射角的光學設計資料。
從圖4中可以看出，最大入射角24°及入射角間隔11°的間隔長度出現在鏡1的不同位置處。因此，鏡的層配置必須在這些不同位置，針對不同入射角及不同入射角間隔，產生高反射率值，因為否則無法確保達成投影物鏡2的高總傳輸。圖4中，藉由舉例的方式，使用長條23標記鏡1之若干位置之相對於光軸的特定半徑或特定距離，其具有約21°的相關聯最大入射角及間隔長度為11°的相關聯入射角間隔。該標記半徑在圖5中對應於劃影線區(hatched region)20中圓圈23a(以虛線顯示)上的位置，劃影線區20代表鏡1的光學利用區20。
圖5將圖2中從投影物鏡2之物體平面至影像平面的光路徑中，倒數第二鏡1的完整基板S顯示為平面圖中關於光軸9為中心的實線圓圈。在此例中，投影物鏡2的光軸9對應於基板的對稱軸9。另外，在圖5中，鏡1的光學利用區20，該區相對於光軸偏移，被描繪為劃影線部分，及圓圈23a以虛線方式描繪。在此例中，虛線圓圈23a在光學利用區內的部分，對應於鏡1在圖4中以所示長條23標識的位置。因此，根據圖4的資料，鏡1沿著虛線圓圈23a在光學利用區20內局部區域的層配置，必須確保針對最大入射角21°及最小入射角約10°二者的高反射率值。在此例中，由於入射角間隔具有間隔長度11°，因而從圖4從最大入射角21°形成最小入射角約10°。在圖5中，以針對入射角10°的箭頭26的尖端，及以針對入射角21°的箭頭25的尖端，來強調虛線圓圈上出現上述兩個入射角極端的位置。由於層配置P沒有高技術花費即無法在基板S的若干位置上進行局部變化，及層配置一般相對於基板的對稱軸9旋轉對稱地施加，圖5中沿著虛線圓圈23a若干位置的層配置P包含同一個層配置P，諸如圖1中以其基本構造顯示，並參考圖7至9，以特定示範性具體實施例的形式加以解說。在此例中，應考慮相對於具有層配置P之基板S的對稱軸9，基板S的旋轉對稱塗層具有以下效應：在鏡的所有位置處，維持層配置P之這些層的嚴格週期性序列，及只有取決於與對稱軸之距離的層配置的週期厚度，才需要在基板S上的旋轉對稱輪廓。只有在關於圖6的層配置示範性具體實施例中，為了比較，才指示層配置具有層配置對稱軸相對於基板S的對稱軸9的位移。在此例中，同樣地，在鏡1的所有位置處維持層配置的嚴格週期性序列。與圖5中沿著虛線圓圈23a的另一示範性具體實施例相比，由於層配置對稱軸相對於基板的對稱軸9的位移，所以在關於圖6之此示範性具體實施例中，只有層配置的厚度不再固定不變。
圖6顯示在投影物鏡2之中央場點的出射瞳上方，所圖解的根據本發明之鏡1的反射率。在此例中，在根據圖2之投影物鏡2從物體平面5至影像平面7的光路徑中，鏡1位在投影物鏡2在影像平面7前之這些鏡1、11的倒數第二個位置。在此例中，在圖5中以劃影線方式顯示的光學區中，鏡1必須確保圖4所示入射角。在根據表1之投影物鏡2的光學設計中，基於鏡1的位置，以界定這些入射角。
根據本發明關於圖6的鏡1包含層配置P，由包含5.4348 nm Si、0.4 nm B4 C、3.0701 nm Ru及0.4 nm B4 C之一個別週期的23個週期形成。另外，鏡1包含覆蓋層系統C，由5.4348 nm Si、0.4 nm B4 C及3.0701 nm Ru形成，並終止層配置P。
另外，為了獲得圖6中所示反射率值，根據本發明之鏡1之層配置的個別層根據圖5座標系統，基於以下調整函數(modulation function)，沿著鏡表面變化其厚度DES ：
DES (x,y)=DES0 *(K1+K2*x2 +K4*(y-K3)2 )
其中，層配置中個別層的上述厚度DES0 單位為[nm]及
K1=0.920177068719E+000，
K2=-0.262733379546E-005/mm2 ，
K3=0.203407200000E+003 mm，及
K4=-0.262733379546E-005/mm2 。
因此，關於圖6示範性具體實施例之層配置P的厚度，在基板S上方具有拋物線輪廓，在其中，層配置P厚度朝基板S邊緣減少，及層配置P的對稱軸在y方向中，相對於基板S的對稱軸9位移約203 mm。
在圖6中，為了定向，將數值0.3分配給出射瞳的邊緣。另外，在圖6中，以不同程度的點狀顯示出射瞳中具有不同反射率值的區域，圖6中的反射率值在0.54或54%與0.64或64%之間。因此，在圖6中可以看出，在出射瞳的所有位置上，實現所指定之層設計之大於50%的反射率。在此例中，應考慮的是，層設計確保圖4中不同入射角及不同入射角間隔的這些反射率值，因為，在考慮鏡1在投影物鏡2之中央場點之出射瞳中的反射率時，該等入射角及入射角間隔包括在圖6的反射率的圖解中。就此而言，關於圖6所指定的層設計確保入射角達24°時，反射率值大於50%。另外，所指定的層設計確保入射角間隔具有間隔長度達11°時，反射率值大於50%。
使用表2所指示的複折射率(complex refractive)n=n-i*k，針對所用波長13.5 nm的材料，計算圖6至9中所圖解的反射率值。在此例中，應考慮的是，真實鏡的反射率值結果比圖6至9所示的理論反射率值低，因為尤其是真實薄層的折射率與表2中所提文獻值有所偏差。
表2：針對13.5 nm所採用的折射率n=n-i*k
圖7以對應於圖6的方式顯示在投影物鏡2之中央場點的出射瞳上方，所圖解的根據本發明的另一鏡的反射率，其中層配置P由包含6.615 nm Si、0.4 nm B4 C、4.3691 nm Ru及0.4 nm B4 C之一個別週期的25個週期形成，及其中由6.7949 nm Si、0.4 nm B4 C及3.5 nm Ru所形成的覆蓋層系統C終止層配置。
另外，為了獲得圖7中所示反射率值，根據本發明之鏡1之層配置的個別層根據圖5座標系統，基於上述調整函數，沿著鏡表面變化其厚度DES 。在此例中，針對關於圖7示範性具體實施例之層配置P的參數K1至K4，以下值成立：
K1=0.651952190741E+000，
K2=-0.201085612884E-004/mm2 ，
K3=0.000000000000E+000 mm，及
K4=-0.201085612884E-004/mm2
因此，關於圖7示範性具體實施例之層配置P的厚度，在基板S上方具有拋物線輪廓，在其中，層配置P厚度朝基板S邊緣減少，及層配置P的對稱軸與基板S的對稱軸9相符。
在圖7中可以看出，在出射瞳的所有位置上，實現所指定的層設計之大於30%的反射率。在此例中，應注意，圖7中光瞳(pupil)的邊緣(對成像理論很重要)以關於圖6的示範性具體實施例的相同方式，具有反射率大於50%。就此而言，關於圖7所指定的層設計確保入射角達24°時，反射率值大於30%。另外，所指定的層設計確保入射角間隔具有間隔長度達11°時，反射率值大於30%。
圖8以對應於圖6的方式，顯示在投影物鏡2之中央場點的出射瞳上方，所圖解的根據本發明的另一鏡的反射率，其中層配置P由包含6.6203 nm Si、0.4 nm B4 C、4.3688 nm Ru及0.4 nm B4 C之一個別週期的25個週期形成，及其中由6.6203 nm Si、0.4 nm B4 C及3.5407 nm Ru形成的覆蓋層系統C終止層配置。
另外，為了獲得圖8中所示反射率值，根據本發明之鏡1之層配置的個別層根據圖5座標系統，基於上述調整函數，沿著鏡表面變化其厚度DES 。在此例中，針對關於圖8示範性具體實施例之層配置P的參數K1至K4，以下值成立：
K1=0.651948722164E+000，
K2=-0.201333506323E-004/mm2 ，
K3=0.000000000000E+000 mm，及
K4=-0.201333506323E-004/mm2
因此，關於圖8示範性具體實施例之層配置P的厚度，在基板S上方具有拋物線輪廓；在其中，層配置P厚度朝基板S邊緣減少，及層配置P的對稱軸與基板S的對稱軸9相符。
在圖8中可以看出，在出射瞳的所有位置上，實現所指定的層設計之大於30%的反射率。在此例中，應注意，圖8中光瞳的邊緣(對成像理論很重要)以關於圖6的示範性具體實施例的相同方式，具有反射率大於50%。就此而言，關於圖8所指定的層設計確保入射角達24°時，反射率值大於30%。另外，所指定的層設計確保入射角間隔具有間隔長度達11°時，反射率值大於30%。
圖9以對應於圖6的方式，顯示在投影物鏡2之中央場點的出射瞳上方，所圖解的根據本發明的另一鏡的反射率，其中層配置P由包含4.1755 nm Si、0.4 nm B4 C、2.6914 nm Ru及0.4 nm B4 C之一個別週期的23個週期形成，及其中由4.1755 nm Si、0.4 nm B4 C及2.6914 nm Ru形成的覆蓋層系統C終止層配置。
另外，為了獲得圖9中所示反射率值，根據本發明之鏡1之層配置的個別層根據圖5座標系統，基於上述調整函數，沿著鏡表面變化其厚度DES 。在此例中，針對關於圖9示範性具體實施例之層配置P的參數K1至K4，以下值成立：
K1=0.100032068804E+001，
K2=-0.309146083180E-004/mm2 ，
K3=0.000000000000E+000 mm，及
K4=-0.309146083180E-004/mm2
因此，關於圖9示範性具體實施例之層配置P的厚度，在基板S上方具有拋物線輪廓；在其中，層配置P厚度朝基板S邊緣減少，及層配置P的對稱軸與基板S的對稱軸9相符。
在圖9中可以看出，在出射瞳的所有位置上，實現所指定的層設計之大於30%的反射率。在此例中，應注意，圖9中光瞳的邊緣(對成像理論很重要)以關於圖6的示範性具體實施例的相同方式，具有反射率大於50%。就此而言，關於圖9所指定的層設計確保入射角達24°時，反射率值大於30%。另外，所指定的層設計確保入射角間隔具有間隔長度達11°時，反射率值大於30%。
1、11．．．鏡
2．．．投影物鏡
3．．．物體場
5．．．物體平面
7．．．影像平面
7a．．．影像場
9．．．光軸
13．．．孔徑光闌
15．．．主要射線
17．．．孔徑邊緣射線
20．．．光學利用區
21．．．入射瞳平面
23a．．．圓圈
B．．．障壁層
C．．．覆蓋層系統
P．．．層配置
S．．．基板
本發明示範性具體實施例係參考圖式加以詳細解說，圖中：
圖1顯示根據本發明之鏡的示意性圖解；
圖2顯示根據本發明用於微影之投影曝光裝置的投影物鏡的示意性圖解；
圖3顯示投影物鏡之影像場的示意性圖解；
圖4顯示最大入射角及入射角間隔對照投影物鏡中在根據本發明之鏡的位置與光軸間的距離的示範性圖解；
圖5顯示根據本發明之鏡的基板上光學利用區(劃影線部分)的示意性圖解；
圖6顯示在投影物鏡對中央影像場點之出射瞳上方，根據第一示範性具體實施例之鏡之反射率值的示意性圖解；
圖7顯示在投影物鏡對中央影像場點之出射瞳上方，根據第二示範性具體實施例之鏡之反射率值的示意性圖解；
圖8顯示在投影物鏡對中央影像場點之出射瞳上方，根據第三示範性具體實施例之鏡之反射率值的示意性圖解；及
圖9顯示在投影物鏡對中央影像場點之出射瞳上方，根據第四示範性具體實施例之鏡之反射率值的示意性圖解。
1．．．鏡
B．．．障壁層
C．．．覆蓋層系統
P．．．層配置
S．．．基板

Claims (18)

  1. 一種反射鏡，包含：一層配置，施加在一基板上且用於極紫外光波長範圍，該層配置包含：形成一週期性序列的至少二週期，其中該週期性序列的各該週期是由以下所組成：一矽層、一釕層與由B4 C構成之具有厚度大於0.35nm且位在該矽層與該釕層之間的至少一障壁層；以及由B4 C構成之具有厚度大於0.35nm且位在該至少二週期之間的至少一障壁層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，其中位在該矽層與該釕層之間的該障壁層具有厚度小於1nm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，其中位在該矽層與該釕層之間的該障壁層具有厚度在0.4nm與0.6nm之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，其中各該矽層具有厚度在4nm與7nm之間，及各該釕層具有厚度在2.5nm與4.5nm之間，以及其中該反射鏡更包含一覆蓋層系統，其終止該反射鏡的該層配置，且該覆蓋層系統包含由一化學惰性材料構 成的至少一層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，對於一入射角24°及一波長在13.3nm與13.7nm之間的光，具有多於30%的一反射率。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，對於一入射角在0°與24°之間及一波長在13.3nm與13.7nm之間的光，具有多於30%的一反射率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，對於一入射角間隔具有一間隔長度在0°與11°之間及一波長在13.3nm與13.7nm之間的光，具有多於30%的一反射率。
  8. 一種用於微影的投影物鏡，包含一如申請專利範圍第1項所述之反射鏡。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於微影的投影物鏡，更包含一出射瞳與定義具有一中央影像點(central image point)之一影像平面，其中對於在該投影物鏡的該影像平面中的該中央影像點的該出射瞳上方的光，該反射鏡具有多於30%的一反射率。
  10. 一種用於微影的投影物鏡，包含一出射瞳與至少六個用於極紫外光波長範圍之反射鏡且定義具有一中央影像點之一影像平面，其中對於一入射角為24°及一波長在13.3nm與13.7nm之間，在該投影物鏡的該影像平面中的該中央影像點的該出射瞳上方的光，該等反射鏡之至少一個反射鏡用於反射多於30%，其中該等反射鏡之該至少一個反射鏡包含：一層配置，施加在一基板上且包含：形成一週期性序列的至少二週期，其中該週期性序列的各該週期是由以下所組成：一矽層、一釕層與由B4 C構成之具有厚度大於0.35nm且位在該矽層與該釕層之間的至少一障壁層；以及由B4 C構成之具有厚度大於0.35nm且位在該至少二週期之間的至少一障壁層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之投影物鏡，其中位在該矽層與該釕層之間的該障壁層具有厚度小於1nm。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之投影物鏡，其中位在該矽層與該釕層之間的該障壁層具有厚度在0.4nm與0.6nm之間。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之投影物鏡，其中各該矽層具有厚度在4nm與7nm之間，及各該釕層具有厚度在2.5nm與4.5nm之間，以及其中該等反射鏡之該至少一個反射鏡更包含一覆蓋層系統，其終止該反射鏡的該層配置，且該覆蓋層系統包含由一化學惰性材料構成的至少一層。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之投影物鏡，其中對於在該投影物鏡的該影像平面中的該中央影像點的該出射瞳上方的光，該等反射鏡之該至少一個反射鏡用於反射多於50%。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之投影物鏡，更包含一出射瞳與定義具有一中央影像點之一影像平面，其中對於在該投影物鏡的該影像平面中的該中央影像點的該出射瞳上方的光，該反射鏡具有多於50%的一反射率。
  16. 一種用於微影的投影曝光裝置，包含一如申請專利範圍第8或10項所述之投影物鏡。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，更包含一覆蓋層，施加於該層配置上，而於該反射鏡之最遠離該基板之一側上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之反射鏡，其中該覆蓋層是由以下所組成：兩額外層，分別由矽與釕所構成；以及由B4 C構成之具有厚度在0.4nm與0.6nm之間且位在該等額外層之間的一障壁層。
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