TWI470680B - 金屬氧化膜之製造方法及金屬氧化膜 - Google Patents

Description

金屬氧化膜之製造方法及金屬氧化膜

本發明係有關於金屬氧化膜之製造方法及金屬氧化膜之發明，可適用於例如太陽能電池或電子裝置等所使用之金屬氧化膜之製造方法。

作為太陽能電池或電子裝置等中所用之金屬氧化膜之成膜方法，係採用例如利用真空之MOCVD(metal organic chemical vapor deposition：有機金屬氣相沈積)法或濺鍍法(sputtering)等。由此等金屬氧化膜之製造方法所製作之金屬氧化膜，係膜特性優異者。

例如，以上述金屬氧化膜之製造方法製作透明導電膜時，則該透明導電膜的電阻係屬於低電阻者，又即使對該製作後的透明導電膜施加加熱處理，該透明導電膜的電阻仍然不會上升。

另外，有關以MOCVD法成膜鋅氧化膜之先前文獻係例如有專利文獻1。再者，有關以濺鍍法成膜鋅氣化膜之先前文件獻係例如有專利文獻2。

[先前技術文獻] [專利文獻]

(專利文獻1)：日本專利特開2011-124330號公報

(專利文獻2)：日本專利特開平9-45140號公報

然而就MODVD法而言，為了實現該方法則需要高成本，又需要使用在空氣中不穩定的材料，以致方便性較差。又，以濺鍍法製作層合構造之金屬氧化膜時，則需要複數台裝置，以致有裝置成本增高之問題。因而盼望開發一種能以低成本製作低電阻的金屬氧化膜之金屬氧化膜之製造方法。

於是，本發明之目的在於提供一種能以低成本製作低電阻的金屬氧化膜之金屬氧化膜之製造方法。又，亦以提供一種以該金屬氧化膜之製造方法成膜之金屬氧化膜作為目的。

為達成上述目的，本發明之金屬氧化膜之製造方法係具備有：(A)將含有烷基金屬(alkyl metal)之溶液，對於配置於非真空下之基板進行噴霧之步驟、及(B)在進行前述步驟(A)時，對前述基板噴霧含有由無機化合物所成摻雜物(dopant)之摻雜物溶液之步驟。

本發明之金屬氧化膜之製造方法具備有：(A)將含有烷基金屬之溶液，對於配置於非真空下之基板進行噴霧之步驟；及(B)在進行前述步驟(A)時，對前述基板噴霧含有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液之步驟。

如上所述，本發明之金屬氧化膜之製造方法中，於非真空下實施對基板之金屬氧化膜之成膜處理。因而可求削減成膜處理所需成本(成膜裝置成本)，亦可實現方便性之 提升。

又，本發明之金屬氧化膜之製造方法中，對於基板噴霧含有烷基金屬之溶液，藉以成膜金屬氧化膜。由於烷基金屬係反應性高，故在成膜時只要是對於基板施加低溫(200℃以下)的加熱處理即可，而無需要對基板施加高溫的加熱處理。

又，本發明之金屬氧化膜之製造方法中，對於基板噴霧含有烷基金屬之溶液及含有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液，藉以在基板上成膜金屬氧化膜。因此，藉由摻雜物溶液供給於基板，而可防止因供給該摻雜物溶液引起有機物混入金屬氧化膜內，結果可求所成膜之金屬氧化膜的低電阻化。

本發明之目的、特徵、情況，以及優點，可由以下詳細說明及所附圖面而更為明瞭。

本發明之金屬氧化膜之製造方法中，在非真空(大氣壓)下進行成膜處理。在此，在該非真空(大氣壓)下所成膜之金屬氧化膜係可成為高電阻。於是，本發明提供一種即使在非真空(大氣壓)下成膜金屬氧化膜，仍能抑制高電阻之金屬氧化膜之製造方法。

首先，發明人等係實施如下所述之金屬氧化膜之製造方法。

亦即，準備含有烷基金屬之溶液之同時，為圖低電阻化而準備含有含銦(In)之有機化合物之摻雜溶液(doping solution)。再者，準備作為氧化源的水。在此採用鋅(Zn)作為構成上述烷基金屬之金屬元素。然後將溶液、摻雜溶液以及水分別重霧(mist)化，並將該經重霧化之各液對於正在加熱之基板噴霧。

如此般使用含有有機化合物之摻雜溶液，並對於基板實施金屬氧化膜之成膜時，係成膜有第1圖、第2圖、第3圖的實驗結果所示之物性的金屬氧化膜(鋅氧化膜)。

第1圖係表示所成膜之金屬氧化膜的電阻率、與銦對於鋅的莫耳濃度比之間的關係之實驗結果(另外，縱軸為電阻率(Ω‧cm)，而橫軸為In/Zn莫耳濃度比(%))。

又，第2圖係表示所成膜之金屬氧化膜的膜厚、與銦對於鋅的莫耳濃度比之間的關係之實驗結果(在此，縱軸為膜厚(nm)，而橫軸為In/Zn莫耳濃度比(%))。

又，第3圖係表示所成膜之金屬氧化膜的載體濃度及遷移率、與銦對於鋅的莫耳濃度比之間的關係之實驗結果(在此，左側的縱軸為載體濃度(cm^-3 )，而右側的縱軸為遷移率(cm² /V‧s)，橫軸為In/Zn莫耳濃度比(%))。

求金屬氧化膜的低電阻化，並對於金屬氧化膜導入摻雜物(銦)。然而，如第1圖所示，以上述製造方法所成膜之金屬氧化膜中，即使增加摻雜物濃度，該金屬氧化膜的電阻率仍然不會降低。

更具體而言，以上述製造方法所成膜之金屬氧化膜中，無摻雜(non-doped)之金屬氧化膜(In/Zn=0%)的電阻率相比，含有摻雜物之金屬氧化膜的電阻率有增大之傾向。 再者，如第1圖所示，即使增加摻雜物濃度，金屬氧化膜的電阻率仍有增加之傾向。

又，於第3圖中獲得以下實驗結果，如增加摻雜物濃度則載體濃度會增加，但遷移率卻降低(藉由導入摻雜物而實現金屬氧化膜的低電阻化時，應該於第3圖的資料之至少一部分中，出現隨著摻雜物濃度增加而遷移率亦增加之傾向，但實際上第3圖中並未出現該傾向)。

亦即於第3圖中亦顯示，以上述製造方法所成膜之金屬氧化膜中，與無摻雜之金屬氧化膜的電阻率相比，即使增加摻雜物濃度，金屬氧化膜的電阻率仍較無摻雜之金屬氧化膜的電阻率更有增加之傾向。

係如第2圖所示般，僅稍微增加摻雜物濃度，即會大大增加所成膜之金屬氧化膜的膜厚，以及如第3圖所示般，即使增加摻雜物濃度，遷移率也會惡化而高電阻化，本發明人等對於上述種種事項重複研究之結果，發現如下之事實。

亦即，本發明人等發現，藉由採用含有有機化合物之摻雜物溶液，即使增加摻雜物濃度，所成膜之金屬氧化膜仍會高電阻化。再者，本發明人等發現，藉由採用含有無機化合物之摻雜物溶液而會增加摻雜物濃度，藉此使所成膜之金屬氧化膜能低電阻化。

以下根據表示實施形態之圖面具體地說明本發明。

<實施形態>

採用第4圖所示製造裝置(成膜裝置)，具體說明有關 本實施形態之金屬氧化膜之製造方法。

首先，製成至少含有烷基金屬之溶液7。在此採用鋅作為該溶液7中所含之金屬元素。又，採用醚或醇等有機溶劑作為該溶液7的溶劑。所製作之該溶液7係如第4圖所示般充填於容器3A中。

又，作為氧化源6而採用水(H₂ O)，並如第4圖所示，將該氧化源6填充於容器3B中。另外，氧化源6除了水以外也可採用氧、臭氧、過氧化氫、N₂ O或NO₂ 等，但從廉價、容易操作之觀點來看較佳為水(以下氧化源6為水)。

又，製作含有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液5。例如，含有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液5可採用硼酸(H₃ BO₃ )溶液。所製作之該摻雜物溶液5係如第4圖所示填充於容器3C中。

接著，將上述摻雜物溶液5、氧化源6以及溶液7分別重霧化。於容器3A底部配設有霧化器4A、於容器3B底部配設有霧化器4B、於容器3C底部配設有霧化器4C。藉由霧化器4A而將容器3A內的溶液7重霧化、藉由霧化器4B而將容器3B內的氧化源6重霧化、藉由霧化器4C而將容器3C內的摻雜物溶液5重霧化。

並且，經重霧化之溶液7即通過通路L1而供給於噴嘴8、經重霧化之氧化源6即通過通路L2而供給於噴嘴8、經重霧化之摻雜物溶液5即通過通路L3而供給於噴嘴8。在此，如第4圖所示，通路L1、通路L2以及通路L3分別為不同的通路。

另一方面，如第4圖所示，於加熱器2上載置有基板1。在此，基板1係在非真空(大氣壓)下載置著。對於在該非真空(大氣壓)下載置之基板1，透過噴嘴8而將重霧化之溶液7、重霧化之氧化源6以及重霧之摻雜物溶液5分別從個別獨立的噴出口噴霧(供給)。

在此，在進行該噴霧時，該基板1係藉由加熱器2而加熱至例如200℃左右。

經過以上的步驟，對於在非真空(大氣壓)下載置之基板1，可成膜既定膜厚的金屬氧化膜(透明導電膜之鋅氧化膜)。在此，本發明中，由上述步驟可知所成膜之金屬氧化膜內，不僅含有鋅等，尚含有既定量之摻雜物。

另外，利用上述金屬氧膜之製造方法，並改變供給於基板1之作為無機化合物之摻雜物(摻雜物溶液5中之摻雜物，在上述中為硼)的莫耳濃度相對於供給於基板1之作為烷基金屬之金屬元素(溶液7中之金屬元素，在上述中為鋅)的莫耳濃度(以下將(摻雜物莫耳濃度)/(金屬元素莫耳濃度)稱為莫耳濃度)，以形成複數金屬氧化膜。然後對各金屬氧化膜進行電阻率、膜厚、載體濃度以及遷移率之測定。將該測定結果表示於第5、6、7圖中。

在此，本發明中，該莫耳濃度比係可藉由調整溶液7對於噴嘴8(或對基板1)的載體氣體供給量(公升/分鐘)、溶液7內之鋅的莫耳濃度、摻雜物溶液5對於噴嘴8(或對基板1)的載體氣體供給量(公升/分鐘)、以及摻雜物溶液5內之摻雜物的莫耳濃度而改變。

實施成膜、測定之各金屬氧化膜，係無摻雜之含有鋅之金屬氧化膜、以及含有摻雜物和鋅之複數金屬氧化膜。在此摻雜物為硼。

又，含有摻雜物和鋅之複數金屬氧化膜係：對基板1供給鋅及硼時的B/Zn莫耳濃度比為0.16%之金屬氧化膜、對基板1供給鋅及硼時的B/Zn莫耳濃度比為0.32%之金屬氧化膜，對基板1供給鋅及硼時的B/Zn莫耳濃度比為0.4%之金屬氧化膜、對基板1供給鋅及硼時的B/Zn莫耳濃度比為1.0%之金屬氧化膜、以及對基板1供給鋅及硼時的B/Zn莫耳濃度比為1.8%之金屬氧化膜。

在此，上述之全部的金屬氧化膜之成膜溫度為200℃。又，各金屬氧化膜之成膜係於第4圖所示之成膜裝置中形成，成膜條件如第8圖所示。

如第8圖所示，於無摻雜之金屬氧化膜中，對基板1的鋅之供給量為1.1mmol/min、而對基板1的氧化劑(水)6之供給量為67mmol/min。

又，如第8圖所示，上述B/Zn莫耳濃度比為0.16%、0.32%、0.4%、0.8%、1.0%、1.8%之各金屬氧化膜中，對基板1的鋅之供給量為1.1mmol/min，而對基板1的氧化劑(水)6之供給量為67至133mmol/min。

又，第5圖係表示藉由上述成膜條件而於第4圖的製造裝置中所成膜之各金屬氧化膜，其電阻率與莫耳濃度比之間的關係之測定數據。在此，第5圖的縱軸為電阻率(Ω‧cm)，而第5圖的橫軸為B/Zn莫耳濃度比(%)。

又，第6圖係表示藉由上述成膜條件而於第4圖之製造裝置中所成膜之各金屬氧化膜，其膜厚與莫耳濃度比之間的關係之測定數據。在此，第6圖的縱軸為膜厚(nm)，而第6圖的橫軸為B/Zn莫耳濃度比(%)。

又，第7圖係表示藉由上述成膜條件而於第4圖的製造裝置中所成膜之各金屬氧化膜，其載體濃度與遷移率與莫耳濃度比之間的關係之測定數據。在此，第7圖的左縱軸為載體濃度(cm^-3 )，而第7圖的右縱軸為遷移率(cm² /V‧s)，而第7圖的橫軸為B/Zn莫耳濃度比(%)， 在此，於第6、7圖中以圖示表示上述無摻雜之含有鋅之金屬氧化膜的測定結果，以及上述之B/Zn莫耳濃度比為「0.16%」「0.4%」「1.0%」「1.8%」之金屬氧化膜的測定結果。

將由有機化合物所成摻雜物溶解於摻雜物溶液中，並將烷基金屬溶解於溶液中後，對基板1噴霧該摻雜物溶液及該溶液，藉以在基板1上成膜金屬氧化膜。

此時如第1圖所示，與無摻雜之金屬氧化膜的電阻率相比，經摻雜之各金屬氧化膜之電阻率有增高之傾向。再者，如第1圖所示，隨著摻雜濃度之增高各金屬氧化膜的電阻率有增高之傾向。

相對於此，使用本發明之金屬氧化膜之製造方法，將由無機化合物所成摻雜物溶解於摻雜物溶液5中，並將烷基金屬溶解於溶液7中後，對基板1噴霧摻雜物溶液5及溶液7，藉以在基板1上成膜金屬氧化膜。

此時如第5圖所示，與無摻雜之金屬氧化膜的電阻率相比，能形成電阻率變低之經摻雜之金屬氧化膜。

具體而言如第5圖所示，無摻雜之金屬氧化膜的電阻率與B/Zn莫耳濃度比為1.8%之金屬氧化膜的電阻率係略為相同。另一方面，如第5圖所示，B/Zn莫耳濃度比為0.16%、0.32%、0.4%、0.8%、1.0%之金屬氧化膜的電阻率皆較無摻雜之金屬氧化膜的電阻率為低。

亦即，從第5圖所示測定結果可知，B/Zn莫耳濃度比未滿1.8%之金屬氧化膜的電阻率係較無摻雜之金屬氧化膜的電阻率為低。

再者，如第5圖所示，隨著B/Zn莫耳濃度比增加為0.16%、0.32%、0.4%，金屬氧化膜的電阻率係快速地降低，B/Zn莫耳濃度比為0.4%之金屬氧化膜的電阻率係最小值。然後，隨著B/Zn莫耳濃度比增加為0.4%、0.8%、1.0%、1.8%，金屬氧化膜的電阻率係緩慢地上升，B/Zn莫耳濃度比為1.8%之金屬氧化膜的電阻率係成為與無摻雜之金屬氧化膜的電阻率相同程度。

在此，第7圖中，隨著B/Zn莫耳比增加而增加載體濃度，並存在有可提升遷移率之B/Zn莫耳濃度範圍。從此事實亦可知，以本發明之金屬氧化膜所成膜之金屬氧化膜中，供給由既定量無機化合物所成摻雜物時，該成膜之金屬氧化膜的電阻率會降低。

另外，採用由有機化合物所成摻雜物以進行金屬氧化膜之成膜時，則如第2圖所示，隨著摻雜濃度增高，膜厚 即大為增加。此種現象認為是因摻雜物溶液中所含有機物混入金屬氧化膜中之影響。另一方面，如本案發明般，採用由無化合物所成摻雜物以進行金屬氧化膜之成膜時，則如第6圖所示，隨著摻雜濃度之增高，而膜厚有變薄之傾向。

另外，成為第1圖至第3圖的測定對象之金屬氧化膜的成膜條件、與成為第5圖至第7圖的測定對象之金屬氧化膜的成膜條件兩者不同點為摻雜物溶液中所含者為有機化合物或無機化合物，而主要成膜條件則兩者均相同。

如上所述，於本實施形態之金屬氧化膜之製造方法中，係在非真空下實施對於基板1之金屬氧化膜的成膜處理。因而，可求成膜處理所需成本(成膜裝置成本)之削減，亦可實現方便性之提升。

於是，本發明人等，採用非含有烷基金屬而是含有錯合物系的金屬之溶液，以實施金屬氧化膜之成膜。此時即使對基板供給由有機化合物所成摻雜物，仍然能實現金屬氧化膜的電阻率之低電阻化。然而由於錯合物的金屬之反應性低，故在成膜時需要將基板1加熱為相當高的溫度。

相對於此，於本實施形態之金屬氧化膜之製造方法中，係對基板1噴霧含有烷基金屬之溶液7而進行金屬氧化膜之成膜。在此，烷基金屬係反應性高。因此在進行成膜時，只要對基板1施加低溫(200℃以下)的加熱處理即可，而不需要對基板1施加高溫的加熱處理。

又，如將含有烷基金屬之溶液、與含有由有機化合物 所成摻雜物之摻雜物溶液，一起對於配置在非真空下之基板1進行噴霧，藉以成膜金屬氧化膜時，則如第1圖至第3圖的數據所示，所成膜之金屬氧化膜有高電阻化之傾向。

於是，於本實施形態之金屬氧化膜之製造方法中，係將含有烷基金屬之溶液7、與含有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液5，一起對於配置在非真空下之基板1進行噴霧，藉以在基板1上成膜金屬氧化膜。

因此，可藉由摻雜物溶液5對基板1的供給，而防止因供給該摻雜物溶液5造成有機物混入金屬氧化膜內，結果可求所成膜之金屬氧化膜的低電阻化。如此，於本實施形態之金屬氧化膜之製造方法中，係藉由低溫的成膜處理而可成膜低電阻的金屬氧化膜。

另外，於在非真空(大氣壓)下的成膜處理係與真空下之成膜處理不相同，有機物會容易混入金屬氧化膜內。因此，包含有對基板1進行含有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液5之噴霧之步驟的本發明，係在非真空(大氣壓)下的成膜處理中更為有效。

又，在上述中，作為溶解於溶液7之烷基金屬係例示有鋅。然而，只要是烷基金屬則可為其他金屬元素，例如鎘(Cd)或鎂(Mg)等亦可採用。

又，於本實施形態之金屬氧化膜之製造方法中，由無機化合物所成摻雜物除了上述硼酸(boric acid)以外，尚可採用：磷酸硼(BPO₄ )、溴化硼(BBr₃ )、溴化鎵(GaBr₃ )、氯化鎵(GaCl₃ )、氟化鎵(GaF₃ )、碘化鎵(GaI₃ )、溴化銦 (InBr₃ )、氯化銦(InCl₃ )、氟化銦(InF₃ )、氫氧化銦(In(OH)₃ )、碘化銦(InI₃ )、溴化鋁(AlBr₃ )、氯化鋁(AlCl₃ )、氟化鋁(AlF₃ )、氫氧化鋁(Al(OH)₃ )、碘化鋁(AlI₃ )等。

然而，藉由採用上述硼酸作為由無機化合物所成摻雜物，則能發揮如下述所示之各種效果。

亦即，由於硼酸係可在大氣中穩定、安全地使用之物質，故更渴求方便性之提升。又，由於硼酸係廉價的材料，故可削減金屬氧化膜之製造成本。又，金屬氧化膜(特別是鋅氧化膜等)係容易被強酸、強鹼所蝕刻，但硼酸係弱酸。因此即使在成膜時將作為摻雜物之硼酸噴霧於基板1上，仍可防止該成膜時金屬氧化膜被蝕刻。因此，藉由採用硼酸作為由無機化合物所成摻雜物，則可防止於基板1上之金屬氧化膜的成膜受到妨害。

另外，即使將含有錯合物系的金屬之溶液與含有硼酸之摻雜物溶液供給於基板，仍可達成金屬氧化膜的電阻率的低電阻化。然而，如上所述，由於錯合物系的金屬係反應性低，故成膜時需要加熱基板為相當高的溫度，而不符合低溫處理的要求。

又，於本實施形態之金屬氧化膜之製造方法中，成膜時，相對於供給於基板1之烷基金屬的莫耳濃度，使供給於基板1之由無機化所成摻雜物(硼)的莫耳濃度未滿1.8%。

如此，使用硼酸作為由無機化合物所成摻雜物時，藉由使莫耳濃度為上述未滿1.8%，而如第5圖所示，可成膜 經摻雜之金屬氧化膜，其具有較無摻雜之金屬氧化膜的電阻率更低的電阻率。

又，使用有機溶劑作為溶液5的溶劑時，則有可能發生該溶液5不能溶解由無機化合物所成摻雜物之類的問題。於是，如第1圖所示，將溶液7及摻雜物溶液5分開收納於容器3A、3C中，透過不相同的系統L1、L3(亦即從噴嘴8的不同噴出口)，對基板1分別噴霧溶液7及摻雜物溶液5，則可防止如上述之問題。

又，在本發明中，由於係在非真空下(大氣壓下)的成膜處理，故可將大氣中的氧作為氧化源利用。然而，如第4圖所例示，藉由採用對基板1積極地供給氧化源6之構成，則可求金屬氧化膜的成膜速度之提升，又亦可成膜膜質良好的金屬氧化膜。

再者，如第4圖所示，將溶液7及氧化源6分別收納於容器3A、3B中，透過不相同的系統L1、L2(亦即從噴嘴8的不同噴出口)，對基板1分別噴霧溶液7及氧化源6，藉此可使溶液7與氧化源6的反應僅限定於基板1。換言之，可防止於容器內之溶液7與氧化源6之反應，又，亦可防止供給往基板1的通路中之溶液7與氧化源6之間的反應。

另外，亦可採用臭氧或氧等作為氧化源6。然而臭氧反應性強，氧則反應性弱。於是，採用水作為氧化源6。藉此可以低成本，將反應性恰當的氧化源6對基板1噴霧。

又，於第4圖中所例示之成膜裝置中，分別個別獨立 存在有溶液7用的容器3A、氧化源6用的容器3B、以及摻雜物溶液5用的容器3C。然而，亦可採用省略此等容器3A、3B、3C之任一者之構成。

例如，亦可採用將溶液7與氧化源6置入同樣一個容器中，而將摻雜物溶液5置入另一個容器中之構成，或者，亦能採用將摻雜物溶液5與氧化源6置入同樣一個容器中，而將溶液7置入另一個容器中之構成，亦能採用將溶液7與摻雜物溶液5置入同樣一個容器中，而將氧化源6置入另一個容器中之構成。

可按照摻雜物溶液7或氧化源6或溶液5的種類(例如按照摻雜物的溶解性及各溶液5、6、7的反應性)而選擇是要將按每一種溶液5、6、7分裝於不同容器，或將二種溶液使用共通的容器。例如，由於硼酸會溶解於水，故摻雜物溶液5之硼酸與氧化源6之水係可置入同樣容器中。又，要將含有有機溶劑之溶液5與含有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液5置入同樣容器中則有困難。又，如欲避免溶液7與氧化源6在基板1以外處反應時，則不宜將溶液7與氧化源6置入同樣容器中。

另外，需要調整上述莫耳濃度比時，則較佳為採用按每一個溶液5、6、7之方式設置容器3A、3B、3C，並透過另一系統L1、L2、L3而將各溶液5、6、7供給於基板1之構成。此係因該構成最容易進行該莫耳濃度的調整。

已就本發明內容加以詳細說明，但上述之說明僅為各種情況之中的一些例示，故本發明並不限定於此。只要是 不超出本發明之範圍仍可設想無數種未經例示之變形例。

1‧‧‧基板

2‧‧‧加熱器

3A、3B、3C‧‧‧容器

4A、4B、4C‧‧‧霧化器

5‧‧‧摻雜物容液

6‧‧‧氧化源

7‧‧‧溶液

8‧‧‧噴嘴

L1、L2、L3‧‧‧通路

第1圖係表示對於使用溶解有由有機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液所成膜之金屬氧化膜，其電阻率與莫耳濃度比之間的關係之圖。

第2圖係表示對於使用溶解有由有機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液所成膜之金屬氧化膜，其膜厚與莫耳濃度比之間的關係之圖。

第3圖係表示對於使用溶解有由有機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液所成膜之金屬氧化膜，其載體濃度與遷移率與莫耳濃度比之間的關係之圖。

第4圖係用以說明本發明之金屬氧化膜之成膜方法的成膜裝置構成圖。

第5圖係表示對於使用溶解有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液所成膜之金屬氧化膜，其電阻率與莫耳濃度比之間的關係之圖。

第6圖係表示對於使用溶解有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液所成膜之金屬氧化膜，其膜厚與莫耳濃度比之間的關係之圖。

第7圖係表示對於使用溶解有由無機化合物所成摻雜物之摻雜物溶液所成膜之金屬氧化膜，其載體濃度與移動度與莫耳濃度比之間的關係之圖。

第8圖係表示金屬氧化膜之成膜條件之圖。

1‧‧‧基板

2‧‧‧加熱器

3A、3B、3C‧‧‧容器

4A、4B、4C‧‧‧霧化器

5‧‧‧摻雜物容液

6‧‧‧氧化源

7‧‧‧溶液

8‧‧‧噴嘴

L1、L2、L3‧‧‧通路

Claims (7)

1. 一種金屬氧化膜之製造方法，其具備有：(A)將含有烷基金屬之溶液，對配置於非真空下之基板進行噴霧之步驟，及(B)在進行前述步驟(A)時，對前述基板噴霧含有摻雜物為硼酸之摻雜物溶液之步驟，其中，於前述步驟(A)及(B)中，前述溶液及前述摻雜物溶液係分別透過另一系統而供給於前述基板。
2. 如申請專利範圍第1項所述之金屬氧化膜之製造方法，其中，於前述步驟(A)及(B)中，相對於供給於前述基板之前述烷基金屬的莫耳濃度，供給於前述基板之前述摻雜物的莫耳濃度為未滿1.8%。
3. 如申請專利範圍第1項所述之金屬氧化膜之製造方法，其復具備有：(D)於進行前述步驟(A)及(B)時，對前述基板噴霧氧化源之步驟。
4. 如申請專利範圍第3項所述之金屬氧化膜之製造方法，其中，於前述步驟(A)及(D)中，前述溶液及前述氧化源係分別透過另一系統而供給於前述基板。
5. 如申請專利範圍第3項所述之金屬氧化膜之製造方法，其中，於前述步驟(A)、(B)以及(D)中， 前述溶液、前述氧化源以及前述摻雜物溶液係分別透過另一系統而供給於前述基板。
6. 如申請專利範圍第3項所述之金屬氧化膜之製造方法，其中，前述氧化源係水。
7. 一種金屬氧化膜，其係藉由申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之金屬氧化膜之製造方法而製作。