TWI470394B - 電壓產生器 - Google Patents

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Description

電壓產生器
本發明是有關於一種電壓產生器,且特別是有關於一種可調整對稱性的電壓產生器。
請參照圖1,圖1繪示習知的電壓調整器100的電路圖。電壓調整器100包括運算放大器110、電晶體MP以及電阻Rf1及Rf2。運算放大器110的正輸入端接收輸入電壓Vref,其負輸入端接收由電阻Rf1及Rf2間傳回的回授電壓Vf。運算放大器110的輸出端耦接至電晶體MP的閘極,而電晶體MP的源極接收參考電壓Vin,電晶體MP的汲極連接到電阻Rf2的一端以產生輸出電壓Vout。電阻Rf2的另一端產生回授電壓Vf,電阻Rf1則串接在電阻Rf2產生回授電壓Vf的端點與做為另一個參考電壓的接地電壓GND間。
電壓調整器100是一種所謂的低壓降(low drop-out,LDO)的電壓調整器。在回授電壓Vf會等於輸入電壓Vref的條件下,電流Ip等於Vf/Rf1,而輸出電壓Vout則會等於電流Ip與電阻Rf1及Rf2的和的乘積。因此,電壓調整器100中,當針對輸出電壓Vout進行調整時,僅需針對電阻Rf2的電阻值進行調整。
值得注意的是,輸出電壓Vout的電壓值與電阻Rf1及Rf2的電阻值是相關聯的,為了確保輸出電壓Vout的電 壓值是準確的,電壓調整器100需要佈局有穩定電阻值的電阻Rf1及Rf2,也因此需要具有較大寬度的電阻值的電阻Rf1及Rf2。另一方面,而為了降低電阻Rf1及Rf2所耗去的電能,電阻Rf1及Rf2通常會被設計的較大,如此一來,電阻Rf1及Rf2還需要有較大的長度。也就是說,習知的電壓調整器100中的電阻Rf1及Rf2所佔去的電路面積很大,造成電路成本的增加。
本發明提供一種電壓產生器,有效節省所需的電路面積並降低電量的消耗。
本發明提出一種電壓產生器,包括運算放大器、偏移電壓調整器以及輸出級電路。運算放大器具有第一輸入端以接收輸入電壓。運算放大器接收並依據控制信號來調整運算放大器的偏移電壓。偏移電壓調整器耦接運算放大器,用以提供控制信號。輸出級電路耦接運算放大器的輸出端及運算放大器的第二輸入端。輸出級電路依據運算放大器的輸出端上的電壓來產生輸出電壓,並提供輸出電壓至運算放大器的第二輸入端。
在本發明之一實施例中,上述之運算放大器包括差動輸入電路以及負載電路。差動輸入電路耦接至第一參考電壓,具有第一輸入級電路以及第二輸入級電路。其中,第一及第二輸入級電路的導通電阻依據控制信號進行調整來進行偏移電壓的調整。負載電路耦接在差動輸入電路與第 二參考電壓間,其中,負載電路及差動輸入電路的其中一耦接點耦接至運算放大器的輸出端。
在本發明之一實施例中,上述之第一輸入級電路包括第一電晶體以及至少一第一調整電晶體。第一電晶體具有第一端、第二端以及控制端,其控制端接收輸入電壓,其第一端耦接至負載電路,其第二端耦接至第二參考電壓。第一調整電晶體有第一端、第二端以及控制端。第一調整電晶體的控制端接收控制信號,第一調整電晶體的第一端耦接至第一電晶體的第一端,第一調整電晶體的第二端與第一電晶體的第二端相耦接。
在本發明之一實施例中,上述之第二輸入級電路包括第二電晶體以及至少一第二調整電晶體。第二電晶體具有第一端、第二端以及控制端,其控制端接收輸入電壓,其第一端耦接至負載電路,其第二端耦接至第二參考電壓。第二調整電晶體具有第一端、第二端以及控制端。第二調整電晶體的控制端接收控制信號,第二調整電晶體的第一端耦接至第二電晶體的第一端,第二調整電晶體的第二端與第二電晶體的第二端相耦接。
在本發明之一實施例中,上述之負載電路包括第一電阻以及第二電阻,第一電阻串接在第一輸入級電路與第一參考電壓間。第二電阻串接在第二輸入級電路與第一參考電壓間。
在本發明之一實施例中,上述之負載電路包括第一電晶體以及第二電晶體。第一電晶體具有第一端、第二端以 及控制端,其第一端耦接至第一參考電壓,其第二端耦接至第一輸入級電路。第二電晶體具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接至第一參考電壓,其第二端耦接至第二輸入級電路及第二電晶體的控制端,第二電晶體的控制端並耦接至第一電晶體的控制端。
在本發明之一實施例中,上述之第一電晶體及/或第二電晶體的通道寬長比依據控制信號進行調整。
在本發明之一實施例中,上述之偏移電壓調整器包括多數個第一及第二電壓選擇器。第一電壓選擇器耦接運算放大器,依據選擇第二參考電壓或輸入電壓來產生控制信號中的一第一控制信號。第二電壓選擇器耦接運算放大器,依據選擇第二參考電壓或輸出電壓來產生控制信號中的一第二控制信號。其中,第一控制信號被傳送至第一輸入級電路,第二控制信號被傳送至第二輸入級電路。
在本發明之一實施例中,上述之運算放大器包括差動輸入電路以及負載電路。差動輸入電路耦接至第一參考電壓,具有第一輸入級電路以及第二輸入級電路。負載電路耦接在差動輸入電路與第二參考電壓間,其中,負載電路分別提供第一及第二輸入級電路第一及第二阻抗值,其中第一及第二阻抗值分別依據控制信號以進行調整。
在本發明之一實施例中,上述之負載電路包括第一電晶體。第一電晶體具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接至第一參考電壓,其第二端耦接至第一輸入級電路,其中,第一電晶體的通道寬長比依據控制信號進行調 整。
在本發明之一實施例中,上述之負載電路更包括第二電晶體。第二電晶體具有第一端、第二端以及控制端,其第一端耦接至第一參考電壓,其第二端耦接至第二輸入級電路及第二電晶體的控制端,第二電晶體的控制端並耦接至第一電晶體的控制端。其中,第二電晶體的通道寬長比依據控制信號進行調整。
在本發明之一實施例中,上述之偏移電壓調整器產生具有至少一位元的控制信號。
在本發明之一實施例中,上述之運算放大器為轉導放大器。
在本發明之一實施例中,上述之輸出級電路包括第一輸出級電晶體以及第二輸出級電晶體。第一輸出級電晶體具有第一端、第二端以控制端,其第一端接收第一參考電壓,其第二端產生輸出電壓,其控制端耦接至運算放大器的輸出端。第二輸出級電晶體,具有第一端、第二端以控制端,其第一端產生輸出電壓,其第二端耦接至第二參考電壓,其控制端接收偏壓電壓。
基於上述,本發明透過調整運算放大器的偏移電壓的方式,來調整電壓產生器所產生的輸出電壓的電壓值。因此,電壓產生器中可以避免使用大量的分壓電阻來進行分壓,也可以減少為求電阻因製程所產生的電阻值飄移而需要耗去的大量的佈局面積。如此一來,在不影響電壓產生器所產生的輸出電壓的準確度的狀態下,除可有效節省電 路的成本,且可減低分壓電阻所耗去的電能。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
請參照圖2,圖2繪示本發明一實施例的電壓產生器200的示意圖。電壓產生器200包括運算放大器210、偏移電壓調整器220以及輸出級電路230。運算放大器210具有輸入端I1以接收輸入電壓Vref,運算放大器210的另一輸入端I2則接收輸出電壓Vout。運算放大器210接收並依據CTR控制信號來調整運算放大器210的偏移電壓Vos。此外,運算放大器210的輸出端耦接至輸出級電路230。並且,運算放大器210可以是轉導放大器。
偏移電壓調整器220則耦接至運算放大器210。偏移電壓調整器220用以提供控制信號CTR。在此,控制信號CTR可以由一個或多個數位信號所組成,也可以是一個或多個類比電壓所組成,當然,控制信號CTR也可以是由一個或多個類比電壓以及數位信號所組成的複合式信號。
輸出級電路230耦接運算放大器210的輸出端及運算放大器的輸入端I2。輸出級電路230依據運算放大器的輸出端上的電壓來產生輸出電壓Vout,並提供輸出電壓Vout至運算放大器210的輸入端I2。
關於電壓產生器200的動作中,當要對電壓產生器200所產生的輸出電壓Vout進行調整時,僅需要透過偏移電壓 調整器220來提供控制信號CTR以調整運算放大器210的偏移電壓Vos。如此一來,運算放大器210的輸出端上的電壓也會對應備進行調整,也就是說,依據運算放大器210的輸出端上的電壓來產生輸出電壓Vout的輸出級電路230也會調整其所產生的輸出電壓Vout的電壓值。
以下請參照圖3,圖3繪示本發明實施例的運算放大器210的實施方式的示意圖。運算放大器210包括差動輸入電路211以及負載電路212。差動輸入電路211則具有由電晶體M1及調整電晶體Mm0及Mm1所構成的輸入級電路,以及由電晶體M2及調整電晶體Mn0及Mn1所構成的另一輸入級電路。負載電路212則包括電阻R1以及R2,電阻R1串接在參考電壓Vin以及電晶體M1及調整電晶體Mm0及Mm1所構成的輸入級電路間,電阻R2則串接在參考電壓Vin以及電晶體M2及調整電晶體Mn0及Mn1所構成的輸入級電路間。另外,運算放大器210還包括電流源Ib,電流源Ib串接在做為參考電壓的接地電壓GND以及輸入級電路間。
當對運算放大器210的偏移電壓進行調整時,偏移電壓調整器透過分別傳送控制信號CTR<0>~CTR<3>至調整電晶體Mm0、Mm1、Mn0及Mn1的控制端(閘極)。在本實施方式中,控制信號CTR<0>~CTR<1>可以等於是接地電壓GND或等於輸入電壓Vref,控制信號CTR<2>~CTR<3>則可以等於是接地電壓GND或等於輸出電壓Vout。以調整電晶體Mm0為範例,當調整電晶體Mm0的 控制端所接收到的控制信號CTR<0>等於接地電壓GND時,調整電晶體Mm0會被斷開。而以調整電晶體Mn0為範例,當調整電晶體Mn0的控制端所接收到的控制信號CTR<2>等於接地電壓GND時,調整電晶體Mn0會被斷開。
請同步參照圖2,在本實施例中,當調整電晶體Mm0、Mm1、Mn0及Mn1皆被斷開時,輸出電壓Vout等於輸出電壓Vin。若控制信號CTR<1>~CTR<3>皆等於接地電壓GND時,而控制信號CTR<0>等於輸入電壓Vref的狀態下,調整電晶體Mm1、Mn0及Mn1皆被斷開,輸出電壓Vout則等於輸入電壓Vref加上偏移電壓Vosm<0>,其中偏移電壓Vosm<0>為調整電晶體Mm0的源汲極間的電壓差。若當控制信號CTR<2>~CTR<3>等於接地電壓GND時,而控制信號CTR<0>~CTR<1>等於輸入電壓Vref的狀態下,輸出電壓Vout則等於輸入電壓Vref加上偏移電壓Vosm<0>及偏移電壓Vosm<1>(Vout=Vref+Vosm<0>+Vosm<1>)。其中偏移電壓Vosm<1>為調整電晶體Mm1的源汲極間的電壓差。
相對的,若當控制信號CTR<0>~CTR<2>等於接地電壓GND時,而控制信號CTR<3>等於輸出電壓Vout的狀態下,輸出電壓Vout則等於輸入電壓Vref減去偏移電壓Vosn<0>。其中偏移電壓Vosn<0>為調整電晶體Mn0的源汲極間的電壓差。若當控制信號CTR<0>~CTR<1>等於接地電壓GND時,而控制信號CTR<2>~CTR<3>等於輸出 電壓Vout的狀態下,輸出電壓Vout則等於輸入電壓Vref減去偏移電壓Vosn<0>及偏移電壓Vosn<1>(Vout=Vref-Vosn<0>-Vosn<1>)。其中偏移電壓Vosn<1>為調整電晶體Mn1的源汲極間的電壓差。
上述的偏移電壓Vsm<0>、Vsm<1>、Vsn<0>以及Vsn<1>可以透過設定調整電晶體Mm0、Mm1、Mn0以及Mn1的導通電阻來加以設定,設計者可以依據電壓產生器200的輸出電壓Vout的可調整範圍的需求,來設定合適的調整電晶體Mm0、Mm1、Mn0以及Mn1。
以下請參照圖4,圖4繪示本發明實施例的偏移電壓調整器220的示意圖。偏移電壓調整器220包括多數個電壓選擇器221~224,其中,電壓選擇器221以及222分別依據選擇信號m<0>及m<1>來選擇輸入電壓Vref或接地電壓GND來產生控制信號CTR<0>及CTR<1>。電壓選擇器223以及224則分別依據選擇信號n<0>及n<1>來選擇輸出電壓Vout或接地電壓GND來產生控制信號CTR<2>及CTR<3>。選擇信號m<0>~m<1>以及n<0>~n<1>可以由控制電壓產生器200的電路來提供,或也可以透過晶片的腳位來由晶片外的電路來提供。
以下請參照圖5,圖5繪示本發明實施例的電壓產生器500的示意圖。電壓產生器500包括運算放大器510、偏移電壓調整器520以及輸出級電路530。其中,輸出級電路530包括輸出級電晶體MP以及輸出級電晶體MN。輸出級電晶體MP的第一端接收參考電壓Vin,其第二端 產生輸出電壓Vout,並且,輸出級電晶體MP的控制端耦接至運算放大器510的輸出端。輸出級電晶體MN的第一端耦接至輸出級電晶體MP的第二端以產生輸出電壓Vout。輸出級電晶體MN的第二端耦接至作為參考電壓的接地電壓GND。輸出級電晶體MN的其控制端接收偏壓電壓VB。在此,偏壓電壓VB是由設計依據實際需求預先設定的電壓。
值得注意的是,本實施例中的輸出級電路530並不需要透過分壓電阻來提供回授電壓至運算放大器510。如此一來,需要建構大面積的電阻的問題將可迎刃而解,大幅降低電壓產生器500所需的電路成本。
以下請參照圖6A,圖6A繪示本發明實施例的運算放大器的另一實施方式。在圖6A中,運算放大器600包括負載電路610、差動輸入電路620以及電流源Ib。其中,差動輸入電路620與圖3實施方式中的差動輸入電路211相同,以下不多贅述。值得注意的是,負載電路610為一種主動負載,負載電路610包括電晶體M3以及M4。電晶體M3的第一端耦接至參考電壓Vin,其第二端耦接至差動輸入電路620。電晶體M4的控制端與電晶體M3的控制端相耦接,電晶體M4的第一端耦接至參考電壓Vin,電晶體M4的第二端耦接至差動輸入電路620與電晶體M4的控制端相耦接。
在本實施例中,電晶體M3及M4分別用以提供兩個阻抗至電晶體M1以及M2。值得注意的是,在進行輸出電 壓Vout的調整動作時,除針對差動輸入電路620近行調整外,還可以透過針對電晶體M3及M4所提供的阻抗值進行的調整動作來完成。在本實施例中,電晶體M3及M4依據控制信號CTRA1以及CTRA2來分別或同時進行其導通電阻的調整動作(例如調整電晶體的通道寬長比(W/L))。
以下請參照圖6B,圖6B繪示本發明實施例的運算放大器的再一實施方式。在圖6B中,差動輸入電路620並未提供調整偏移電壓的機制。換句話說,在圖6B的實施例,可以單純透過調整電晶體M3及M4所提供的阻抗值來完成輸出電壓Vout的電壓大小。
請參照圖7A~圖7C,圖7A~圖7C繪示本發明實施例的負載電路的阻抗調整方式的示意圖。在圖7A中,負載電路700包括電晶體M3、M4以及M31~M33以及開關SW11~SW13。電晶體M31~M33的控制端(閘極)耦接至電晶體M3的控制端,電晶體M31~M33的源極透過開關SW11~SW13耦接至電晶體M3的源極,電晶體M31~M33的汲極共同耦接至電晶體M3的汲極。開關SW11~SW13分別受控於控制信號CTRA11~CTRA13以導通或斷開。當開關SW11~SW13導通的數目越多時,電晶體M3與電晶體M31~M33的等效通道寬長比會增大,電晶體M3與電晶體M31~M33所提供的等效導通阻抗會降低。相對的,當開關SW11~SW13導通的數目越少時,電晶體M3與電晶體M31~M33的等效通道寬長比會增小,電晶體M3與電晶體M31~M33所提供的等效導通阻抗會增高。
在圖7B中,負載電路700包括電晶體M3、M4以及M41~M43以及開關SW21~SW23。電晶體M41~M43的控制端(閘極)耦接至電晶體M4的控制端,電晶體M41~M43的源極分別透過開關SW21~SW23跨接至電晶體M4的源極,電晶體M41~M43的汲極耦接至電晶體M4的汲極。開關SW21~SW23分別受控於控制信號CTRA21~CTRA23以導通或斷開。當開關SW21~SW23導通的數目越多時,電晶體M4與電晶體M41~M43的等效通道寬長比會增大,電晶體M4與電晶體M41~M43所提供的等效導通阻抗會降低。相對的,當開關SW21~SW23導通的數目越少時,電晶體M4與電晶體M41~M43的等效通道寬長比會增小,電晶體M4與電晶體M41~M43所提供的等效導通阻抗會增高。
在圖7C為圖7A以及圖7B實施方式的合併,也就是可以同時會分別針對電晶體M3、電晶體M31~M33的等效通道寬長比以及電晶體M4、電晶體M41~M43的等效通道寬長比進行調整,以更靈活的調整所屬運算放大器的偏移電壓。
值得一提的,圖7A~圖7C中的控制信號CTRA11~CTRA13以及CTRA21~CTRA23可以是數位邏輯信號。
綜上所述,本發明透過調整運算放大器的偏移電壓來進行電壓產生器所產生的輸出電壓的電壓值的調整。本發明不需要建構可變電阻來作為輸出電壓的調整的依據,如此一來,電壓產生器不需要建構大面積的電阻,有效節省 電路成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、500‧‧‧電壓調整器
110、210、510、600‧‧‧運算放大器
220、520‧‧‧偏移電壓調整器
230、530‧‧‧輸出級電路
211、620‧‧‧差動輸入電路
212、610‧‧‧負載電路
221~224‧‧‧電壓選擇器
MP1、M1、M2、M3、M4、M31~M33、M41~M43‧‧‧電晶體
Rf1、Rf2、R1、R2‧‧‧電阻
Vin‧‧‧參考電壓
Vout‧‧‧輸出電壓
Vf‧‧‧回授電壓
GND‧‧‧接地電壓
I1、I2‧‧‧輸入端
Vref‧‧‧輸入電壓
CTR、CTR<0>~CTR<3>、CTRA1~CTRA2、CTRA11~CTRA13、CTRA21~CTRA23‧‧‧控制信號
Vos‧‧‧偏移電壓
Mm0、Mm1、Mn0、Mn1‧‧‧調整電晶體
Ib‧‧‧電流源
m<0>~m<1>、n<0>~n<1>‧‧‧選擇信號
MN、MP‧‧‧輸出級電晶體
VB‧‧‧偏壓電壓
SW11~SW13、SW21~SW23‧‧‧開關
圖1繪示習知的電壓調整器100的電路圖。
圖2繪示本發明一實施例的電壓產生器200的示意圖。
圖3繪示本發明實施例的運算放大器210的實施方式的示意圖。
圖4繪示本發明實施例的偏移電壓調整器220的示意圖。
圖5繪示本發明實施例的電壓產生器500的示意圖。
圖6A繪示本發明實施例的運算放大器的另一實施方式。
圖6B繪示本發明實施例的運算放大器的再一實施方式。
圖7A~圖7C繪示本發明實施例的負載電路的阻抗調整方式的示意圖。
200‧‧‧電壓產生器
210‧‧‧運算放大器
220‧‧‧偏移電壓調整器
230‧‧‧輸出級電路
I1、I2‧‧‧輸入端
Vref‧‧‧輸入電壓
Vout‧‧‧輸出電壓
CTR‧‧‧控制信號
Vos‧‧‧偏移電壓

Claims (13)

  1. 一種電壓產生器,包括:一運算放大器,具有一第一輸入端、一第二輸入端及一輸出端,該第一輸入端用以接收一輸入電壓,接收並依據一控制信號來調整該運算放大器的一偏移電壓;一偏移電壓調整器,耦接該運算放大器,用以提供該控制信號;以及一輸出級電路,耦接該運算放大器的該輸出端及該運算放大器的該第二輸入端,該輸出級電路依據該運算放大器的輸出端上的電壓來產生一輸出電壓,並提供該輸出電壓至該運算放大器的該第二輸入端,其中該運算放大器包括:一差動輸入電路,耦接至一第一參考電壓,具有一第一輸入級電路以及一第二輸入級電路,其中該第一及第二輸入級電路的導通電阻依據該控制信號進行調整來進行該偏移電壓的調整;以及一負載電路,耦接在該差動輸入電路與一第二參考電壓間,其中該負載電路及該差動輸入電路的其中一耦接點耦接至該運算放大器的輸出端,其中該第一輸入級電路包括:一第一電晶體,具有第一端、第二端以及控制端,該第一電晶體的控制端接收該輸入電壓,該第一電晶體的第一端耦接至該負載電路,該第一電晶體的第二端耦接至該第二參考電壓;以及 至少一第一調整電晶體,該第一調整電晶體具有第一端、第二端以及控制端,該第一調整電晶體的控制端接收該控制信號,該第一調整電晶體的第一端耦接至該第一電晶體的第一端,該第一調整電晶體的第二端與該第一電晶體的第二端相耦接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該第二輸入級電路包括:一第二電晶體,具有第一端、第二端以及控制端,該第二電晶體的控制端接收該輸入電壓,該第二電晶體的第一端耦接至該負載電路,該第二電晶體的第二端耦接至該第二參考電壓;以及至少一第二調整電晶體,該第二調整電晶體具有第一端、第二端以及控制端,該第二調整電晶體的控制端接收該控制信號,該第二調整電晶體的第一端耦接至該第二電晶體的第一端,該第二調整電晶體的第二端與該第二電晶體的第二端相耦接。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該第二輸入級電路包括:一第一電晶體,具有第一端、第二端以及控制端,該第一電晶體的控制端接收該輸入電壓,該第一電晶體的第一端耦接至該負載電路,該第一電晶體的第二端耦接至該第二參考電壓;以及至少一第一調整電晶體,該第一調整電晶體具有第一端、第二端以及控制端,該第一調整電晶體的控制端接收 該控制信號,該第一調整電晶體的第一端耦接至該第一電晶體的第一端,該第一調整電晶體的第二端與該第一電晶體的第二端相耦接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該負載電路包括:一第一電阻以及一第二電阻,該第一電阻串接在該第一輸入級電路與該第一參考電壓間,該第二電阻串接在該第二輸入級電路與該第一參考電壓間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該負載電路包括:一第一電晶體,具有第一端、第二端以及控制端,該第一電晶體的第一端耦接至該第一參考電壓,該第一電晶體的第二端耦接至該第一輸入級電路;以及一第二電晶體,具有第一端、第二端以及控制端,該第二電晶體的第一端耦接至該第一參考電壓,該第二電晶體的第二端耦接至該第二輸入級電路及該第二電晶體的控制端,該第二電晶體的控制端並耦接至該第一電晶體的控制端。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電壓產生器,其中該第一電晶體及/或該第二電晶體的通道寬長比依據該控制信號進行調整。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該偏移電壓調整器包括:多數個第一電壓選擇器,耦接該運算放大器,依據選 擇該第二參考電壓或該輸入電壓來產生該控制信號中的一第一控制信號;以及多數個第二電壓選擇器,耦接該運算放大器,依據選擇該第二參考電壓或該輸出電壓來產生該控制信號中的一第二控制信號,其中,該第一控制信號被傳送至該第一輸入級電路,該第二控制信號被傳送至該第二輸入級電路。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該運算放大器包括:一差動輸入電路,耦接至該第一參考電壓,具有一第一輸入級電路以及一第二輸入級電路;以及一負載電路,耦接在該差動輸入電路與該第二參考電壓間,其中該負載電路分別提供該第一及第二輸入級電路一第一及第二阻抗值,其中該第一及第二阻抗值分別依據該控制信號以進行調整。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電壓產生器,其中該負載電路包括:一第一電晶體,具有第一端、第二端以及控制端,該第一電晶體的第一端耦接至該第一參考電壓,該第一電晶體的第二端耦接至該第一輸入級電路,其中該第一電晶體的通道寬長比依據該控制信號進行調整。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之電壓產生器,其中該負載電路更包括: 一第二電晶體,具有第一端、第二端以及控制端,該第二電晶體的第一端耦接至該第一參考電壓,該第二電晶體的第二端耦接至該第二輸入級電路及該第二電晶體的控制端,該第二電晶體的控制端並耦接至該第一電晶體的控制端,其中該第二電晶體的通道寬長比依據該控制信號進行調整。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之電壓產生器,其中該偏移電壓調整器產生具有至少一位元的該控制信號。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該運算放大器為轉導放大器。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之電壓產生器,其中該輸出級電路包括:一第一輸出級電晶體,具有第一端、第二端以控制端,該第一輸出級電晶體的第一端接收該第一參考電壓,該第一輸出級電晶體的第二端產生該輸出電壓,該第一輸出級電晶體的控制端耦接至該運算放大器的輸出端;以及一第二輸出級電晶體,具有第一端、第二端以控制端,該第二輸出級電晶體的第一端產生該輸出電壓,該第二輸出級電晶體的第二端耦接至該第二參考電壓,該第二輸出級電晶體的控制端接收一偏壓電壓。
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