CN104808734B - 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片 - Google Patents

一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN104808734B
CN104808734B CN201510086281.1A CN201510086281A CN104808734B CN 104808734 B CN104808734 B CN 104808734B CN 201510086281 A CN201510086281 A CN 201510086281A CN 104808734 B CN104808734 B CN 104808734B
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
current
self
difference linear
supply voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510086281.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104808734A (zh
Inventor
林升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd filed Critical Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201510086281.1A priority Critical patent/CN104808734B/zh
Publication of CN104808734A publication Critical patent/CN104808734A/zh
Priority to PCT/CN2016/070728 priority patent/WO2016131354A1/zh
Priority to US15/551,307 priority patent/US10168727B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104808734B publication Critical patent/CN104808734B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/575—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices characterised by the feedback circuit
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
    • H03F1/086—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers with FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器，包括电源电压跟踪器、电压电流转换器、误差放大器、电流镜电路以及动态分压器；电源电压跟踪器一端连接电源电压，一端连接电压电流转换器，电压电流转换器连接电流镜输入端，电流镜电路的输出端连接误差放大器中两个输入场效应管的源极；误差放大器中两个负载场效应管的源极连接电源电压；每个输入场效应管与其相应的负载场效应管之间连接动态分压器。本发明还公开了采用上述自适应低压差线性稳压器的集成电路芯片。本发明能够随着电源电压改变而自动改变其偏置条件，进而保证每个器件端口间的电压差不超出自身工艺标称电压值，最终使产品能应用于高出标称电源电压的系统或芯片中。

Description

一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片
技术领域
本发明涉及一种低压差线性稳压器，尤其涉及一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器，同时也涉及采用该自适应低压差线性稳压器的集成电路芯片，属于集成电路技术领域。
背景技术
集成电路的工艺集成度在不断提高，但电路单元的耐压等级却是越来越低。例如，集成电路工艺为0.18um的电路单元，耐压值通常都在2.5V左右。然而在电池供电的系统中，电源电压大多维持在3～5V或者甚至更高，因此在高电压的系统中，直接使用没有经过特殊设计处理的低压工艺电路会被烧毁。
LDO(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)通常用于电源管理系统中，一般直接取电于电源电压。其功能就是把电源电压调整到适用于内部芯片的适用电压范围。众所周知，一般低压差线性稳压器中放大器采用恒定偏置电流的方式，使得放大器的增益和速度保持基本恒定。然而随着电源电压的不断升高，可能会致使晶体管源、漏两端电压达到甚至超过其自身标称的耐压值，使器件面临烧毁的危险。
参见图1，传统的低压差线性稳压器通常采用5管OTA运算放大器。偏置电流I_b恒定，节点Vcom电压基本保持不变。而随着电源电压Vdd的升高，偏置电流恒定进而得出PMOS管M4的偏置压差保持不变，从而使得节点Vbp随着电源电压同步升高。这样，输入对管M1、M2的源、漏两端压差Vds_pair可以由公式(1)计算得出
Vds_pair＝Vdd-Vbp-Vcom＝Vdd–|Vtp|–Vdsat≈Vdd-1.1V(1)
其中，Vtp为PMOS管的开启电压；假设|Vtp|＝Vtn＝0.7V,电流镜管子102B源、漏极饱和电压Vdsat＝0.4V。由公式(1)可见，输入对管M1和M2的源、漏两端压差Vds_pair将随着电源电压Vdd而同步变化，而且变化幅度和Vdd的变化幅度基本一致。进一步地，由上面公式(1)可知，以0.18um工艺下2.5V的标称安全耐压值为例，电路设计就必须保证Vds_pair不能超过管子安全耐压值2.5V，这样可以推算出Vdd不能超过3.6V。所以，3.6V就是保证图1中电路安全工作的电源电压上限值。该上限值还远不能满足5V系统电源电压的应用要求。
因此，如何通过合理的电路设计，使得由低压工艺器件制造出来的电路能工作在远高于其自身工艺器件的标称的电源电压，是目前设计低压差线性稳压器电路所面临的挑战。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明所要解决的首要技术问题在于提供一种在低压工艺条件下自适应调整、具有宽耐压范围的低压差线性稳压器。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种采用上述自适应低压差线性稳压器的集成电路芯片。
为实现上述发明目的，本发明采用下述的技术方案：
一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器，包括电源电压跟踪器、电压电流转换器、误差放大器、电流镜电路以及动态分压器；其中，
所述电源电压跟踪器一端连接电源电压，另一端连接所述电压电流转换器，用于跟随电源电压变化；
所述电压电流转换器将所述电源电压跟踪器电压变化转换成电流变化，并将所述电流作为参考电流输入至所述电流镜电路；
所述电流镜电路的输出端连接所述误差放大器中两个输入场效应管的源极，用于提供偏置电流；
所述误差放大器中两个负载场效应管的源极连接电源电压；
每个所述输入场效应管与其相应的负载场效应管之间连接所述动态分压器，用于动态承担电源电压施加于所述误差放大器的压降。
其中较优地，所述电源电压跟踪器采用PMOS管，所述PMOS管的源极连接电源电压，漏极连接栅极和所述电压电流转换器。
其中较优地，所述电压电流转换器采用动态电流源。
其中较优地，所述电压电流转换器采用电阻元件。
其中较优地，所述动态分压器两端的压降随自身电流线性变化。
其中较优地，所述动态分压器采用电阻分压器。
其中较优地，所述电流镜电路将所述参考电流按镜像倍数镜像给所述误差放大器。
其中较优地，当所述参考电流给定时，所述低压差线性稳压器最高耐压值由所述动态分压器的参数值与所述电流镜电路的镜像倍数的乘积所决定。
其中较优地，所述电压电流转换器的参数根据所述参考电流以及所述低压差线性稳压器最高耐压值获得。
一种集成电路芯片，其中采用上述的自适应低压差线性稳压器。
本发明所提供的自适应低压差线性稳压器能随着电源电压改变而自动改变其偏置条件，动态调整误差放大器中场效应管的耐压范围，保证每个场效应管所有不同端口间的电压差不超出自身工艺标称电压值，最终使产品能应用于高出标称电源电压的系统或芯片中。
附图说明
图1为传统低压差线性稳压器的电路原理图；
图2为本发明中，低压差线性稳压器的原理结构框图；
图3为本发明中，第一实施例的电路原理图；
图4为第一实施例中电流镜电路采用多级管子的电路原理图；
图5为本发明中，第二实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的技术内容进行详细说明。
参见图1，传统的低压差线性稳压器包括基准电压Vref、误差放大器、反馈线路以及过通元件。过通元件(203)是LDO的核心之一，通常为PMOS管组成。该PMOS管M6的源极直接连到电源电压Vdd上,其栅极连接误差放大器(201)的输出端Vp，漏极为LDO的输出端Vout(306)。漏极与地之间连接负载与反馈电路的并联通路，漏极与栅极之间有频率补偿的补偿电路。补偿电路包括米勒电容和电阻。反馈电路采用两个串联的电阻R1和R2。两个电阻的连接点电压为误差放大器输入端的反馈电压Vref。通过过通元件(203)，才得以把误差放大器的输出端Vout(306)和电源电压Vdd(301)隔离开，从而使得LDO的输出端Vout的电压值与Vdd的数值无关。Vout取决于输入参考电压Vref和反馈线路R1及R2(202)的数值,即
Vout＝Vref*(1+R1/R2)(2)
参见图2，本发明所提供的宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器在传统的低压差线性稳压器的基础上增加了自适应动态调整电路。该自适应动态调整电路包括电源电压跟踪器、电压电流转换器、电流镜电路以及动态分压器。其中，电源电压跟踪器一端连接电源电压，一端连接电压电流转换器，用于跟随电源电压变化；电压电流转换器连接电流镜电路输入端，用于将变化的电源电压转化成变化的电流；电流镜电路的输出端连接误差放大器中两个输入场效应管的源极，用于提供偏置电流；误差放大器中两个负载场效应管的源极连接电源电压；每个输入场效应管与其对应的负载场效应管之间连接动态分压器，用于动态承担电源电压施加于误差放大器的压降。
在低压差线性稳压器进行工作时，电源电压跟踪器跟随电源电压VDD的变化。电压电流转换器将变化的电压转换成变化的电流，然后经过电流镜电路镜像传导给误差放大器，并作为误差放大器的偏置尾电流。动态分压器串联与误差放大器输入对管的漏极和其负载管之间,当电源电压VDD升高时，动态分压器将分担掉由于电源电压VDD增加带来的那部分压降，且分担的电压与电源电压的变化成比例，进而保证误差放大器中的所有管子不同端口间电压差维持在其工艺所规定的安全额定工作电压范围内。
第一实施例
参见图3，自适应动态调整电路包括电源电压跟踪器、动态电流源101，电流镜电路102和动态分压器103(103A/103B)。其中，电源电压跟踪器采用PMOS管P1；PMOS管P1的源极连接电源电压，漏极连接栅极和动态电流源101。本实施例中，电压电流转换器为动态电流源101，用于将电源电压的变化转换成电流的变化，处于参考电流产生路径上。本实施例中，电流镜电路102电流采用最简单的电路结构，包括两个栅极对接的NMOS管N1和N2。N1的栅极和漏极相连接，漏极连接动态电流源101，源极接地。N2的源极接地，漏极连接误差放大器。当然电流镜电路102的输出端还可以选用多个NMOS管并联而成，具体可以参见图4。误差放大器放大输出两个输入信号的差值。本发明中误差放大器包括两个负载PMOS对管：P2和P3；两个输入NMOS对管：N3和N4。其中P2和P3两个PMOS管的源极连接电源电压Vdd，栅极对接。P2的漏极一方面连接栅极，另一方面连接动态分压器103B的一端。P3的漏极一方面连接动态分压器103A的一端，一方面作为误差放大器的输出端。两个NMOS管N3和N4的源极与电流镜102相连接。N3的栅极作为反馈电压的输入端，漏极连接动态分压器103A的另一端。N4的栅极为预设的参考电压输入端，漏极则连接动态分压器103B的另一端。
两个动态电压分压器分别插入于误差放大器输入对管(N3和N4)漏极和其各自对应的负载管(N4对应P2和N3对应P3)漏极之间。动态分压器103分担的电压值取决于自身流过的电流，因此承担的压降与I_tail变化成比例；而I_tail变化即为电源电压的变化。因此动态分压器103分担的电压与电源电压的变化成比例，即动态分压器103能动态地承担了电源电压施加于误差放大器的压降,从而使得误差放大器中的管子不同端口间电压差维持在安全额定工作电压范围内，保证误差放大器能够承受更高的工作电压。
第二实施例
参见图5，本实施例是对实施例1的进一步细化。其中动态电流源和动态分压器均采用电阻元件。在图5中，动态电流源为Rb，动态分压器为Rd1和Rd2。下面结合附图和具体计算过程，介绍如何选取合适的元件参数，使得线性稳压器具有更宽的耐压范围。
本实施例中动态电流源为Rb,流过它的电流可通过下式计算：
I_ref＝(Vdd-|Vtp|-Vtn)/Rb(3)
其中,参考电压I_ref随着其电源电压Vdd的变化而变化，且经过电流镜电路传给误差放大器，作为误差放大器的偏置电流I_tail。假设电流镜电路中镜像倍数为N,即N2是N1的N倍，则I_tail＝N*I_ref。
本实施例中，动态分压器也可以采用电阻元件Rd1和Rd2来实现，它们两端的压降随着其通过的电流变化而线性变化。下面介绍如何根据电路所要求的耐压值范围，来选取动态电流源的阻值Rb、电流镜电路的镜像倍数以及动态分压器电阻Rd1和Rd2的值。
首先，假设Vdd＝3.6V是个临界值，也就是说在Vdd<3.6V的情况下，Vds_pair<2.5V，即管子不会面临超过2.5V的情况，电路是安全的。下面假定电路最高耐压值Vdd_max需要达到5V，取I_ref＝10uA，根据公式(3)计算出Rb＝360Kohm,即一旦电源电源和参考电流给定，便可根据公式(3)计算出动态电流源101中采用电阻Rb的值。
镜像电流I_tail由下面公式(4)计算出。
I_tail＝I_ref*N＝10*NuA(4)
动态分压器103上的压降VRd可由下面公式(5)计算得出，这里假设Rd1＝Rd2＝Rd。
VRd＝(I_tail/2)*Rd＝5N*Rd(5)
为了使得误差放大器输入对管源、漏电压差Vds_pair不超过其标称V标，这里以2.5V为例，就必须满足下面公式(6)的条件。
Vds_pair≤V标(6)
即Vdd_max-|Vtp|-Vds-VRd≤2.5V
这里Vdd_max是电路允许的最高电源电压值，进一步推导为：
VRd≥Vdd_max-|Vtp|-Vds–V标(7)
≥Vdd_max-|Vtp|-Vds–2.5V
其中，Vtp表示负载管的开启电压，Vds表示源、漏极饱和电压。
假设源、漏极饱和电压Vds＝0.4V，并把公式(5)代入公式(7)有：
(I_tail/2)*Rd≥Vdd_max-|Vtp|-Vds–V标
即I_ref*N/2*Rd≥Vdd_max-|Vtp|-Vds–V标(8)
进而得出N、Rd必须满足下面公式(9)的约束条件。
N*Rd≥2(Vdd_max-|Vtp|-Vds–V标)/I_ref(9)
假设|Vtp|＝Vtn＝0.7V，Vds＝0.4V,假如N＝1,则
Rd≥(Vdd_max-3.6V)/5＝(5–3.6)/5＝280Kohm
由公式(9)可以看出，一旦参考电流给定，只要改变N*Rd的数值，就可以调节电路所需达到的耐压上限值V。通过提高管子的耐压值，可以使得整个电路工作在高于标称的耐压的电源电压条件下，满足更高的电源电压应用需求。
本发明还公开了一种集成电路芯片。该集成电路芯片的特点在于采用上述的自适应低压差线性稳压器。
综上所述，本发明所提供的宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器通过在原有的基本电路基础上增加电源电压跟踪器、电压电流转换器以及动态稳压器，使得电路能随着电源电压的升高而自动改变其偏置条件，进而动态调整并保证每个管子所有不同端口间的电压差不超出自身工艺标称电压值，从而实现高耐压范围的低压差线性稳压器，最终使产品能应用于高出自身工艺标称电源电压的系统或芯片中。
本发明通过简洁的线路设计提高电路所允许的电源电压上限值，大大拓宽低压工艺在高压环境下的使用范围，同时本发明中所用的额外元件所增加的芯片面积小，保证了集成电路芯片的体积不会显著增加。
上面对本发明所提供的宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片进行了详细的说明。对本领域的一般技术人员而言，在不背离本发明实质精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都将构成对本发明专利权的侵犯，将承担相应的法律责任。

Claims (10)

1.一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器，其特征在于包括电源电压跟踪器、电压电流转换器、误差放大器、电流镜电路以及动态分压器；其中，
所述电源电压跟踪器一端连接电源电压，另一端连接所述电压电流转换器，用于跟随电源电压变化；
所述电压电流转换器将所述电源电压跟踪器电压变化转换成电流变化，并将所述电流作为参考电流输入至所述电流镜电路；
所述电流镜电路的输出端连接所述误差放大器中两个输入场效应管的源极，用于提供偏置电流；
所述误差放大器中两个负载场效应管的源极连接电源电压；
每个所述输入场效应管与其相应的负载场效应管之间连接所述动态分压器，用于动态承担电源电压施加于所述误差放大器的压降。
2.如权利要求1所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
所述电源电压跟踪器采用PMOS管，所述PMOS管的源极连接电源电压，漏极连接栅极和所述电压电流转换器。
3.如权利要求1所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
所述电压电流转换器采用动态电流源。
4.如权利要求1所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
所述电压电流转换器采用电阻元件。
5.如权利要求1所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
所述动态分压器两端的压降随自身电流线性变化。
6.如权利要求5所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
所述动态分压器采用电阻分压器。
7.如权利要求1所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
所述电流镜电路将所述参考电流按镜像倍数镜像给所述误差放大器。
8.如权利要求1所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
当所述参考电流给定时，所述低压差线性稳压器最高耐压值由所述动态分压器的参数值与所述电流镜电路的镜像倍数的乘积所决定。
9.如权利要求8所述的自适应低压差线性稳压器，其特征在于：
所述电压电流转换器的参数根据所述参考电流以及所述低压差线性稳压器最高耐压值获得。
10.一种集成电路芯片，其特征在于采用权利要求1～9中任意一项所述的自适应低压差线性稳压器。
CN201510086281.1A 2015-02-17 2015-02-17 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片 Active CN104808734B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510086281.1A CN104808734B (zh) 2015-02-17 2015-02-17 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片
PCT/CN2016/070728 WO2016131354A1 (zh) 2015-02-17 2016-01-12 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器、芯片及终端
US15/551,307 US10168727B2 (en) 2015-02-17 2016-01-12 Adaptive low-dropout regulator having wide voltage endurance range, chip and terminal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510086281.1A CN104808734B (zh) 2015-02-17 2015-02-17 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104808734A CN104808734A (zh) 2015-07-29
CN104808734B true CN104808734B (zh) 2016-04-06

Family

ID=53693647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510086281.1A Active CN104808734B (zh) 2015-02-17 2015-02-17 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10168727B2 (zh)
CN (1) CN104808734B (zh)
WO (1) WO2016131354A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104808734B (zh) * 2015-02-17 2016-04-06 唯捷创芯(天津)电子技术有限公司 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片
CN105159391B (zh) * 2015-10-22 2018-01-19 杭州士兰微电子股份有限公司 一种电流源及利用所述电流源的振荡电路
US9684325B1 (en) * 2016-01-28 2017-06-20 Qualcomm Incorporated Low dropout voltage regulator with improved power supply rejection
CN106094959B (zh) * 2016-06-21 2018-09-21 杰华特微电子（杭州）有限公司 线性稳压电路
CN106444950B (zh) * 2016-06-30 2020-08-25 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种宽耐压范围的低压差线性稳压器、芯片及通信终端
CN106569533B (zh) * 2016-06-30 2020-08-25 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 一种宽耐压范围的自适应基准电路、芯片及通信终端
CN106537276B (zh) * 2016-08-16 2018-02-13 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种线性调整器
EP3511796B1 (en) * 2018-01-15 2021-06-30 Nxp B.V. A linear regulator with a common resistance
CN112783256B (zh) * 2019-11-08 2022-06-24 奇景光电股份有限公司 基于亚阈值区域的低压差稳压器
CN112886957B (zh) * 2021-01-08 2024-03-29 中国科学院微电子研究所 高压放大器及其高压产生电路
CN112994221B (zh) * 2021-05-21 2021-07-23 北京芯愿景软件技术股份有限公司 一种芯片及电子设备
CN115328245A (zh) * 2022-08-09 2022-11-11 圣邦微电子（北京）股份有限公司 偏置电流产生电路
CN116520928B (zh) * 2023-07-03 2023-11-03 芯天下技术股份有限公司 一种参考电流快速建立电路及方法
CN116879705B (zh) * 2023-09-08 2023-11-07 江苏摩派半导体有限公司 半导体器件耐久性测试方法及系统

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6373233B2 (en) * 2000-07-17 2002-04-16 Philips Electronics No. America Corp. Low-dropout voltage regulator with improved stability for all capacitive loads
US6522111B2 (en) * 2001-01-26 2003-02-18 Linfinity Microelectronics Linear voltage regulator using adaptive biasing
US6664853B1 (en) * 2002-01-31 2003-12-16 Applied Micro Circuits Corporation Wide-bandwidth differential signal amplifier
US6465994B1 (en) * 2002-03-27 2002-10-15 Texas Instruments Incorporated Low dropout voltage regulator with variable bandwidth based on load current
US6703813B1 (en) * 2002-10-24 2004-03-09 National Semiconductor Corporation Low drop-out voltage regulator
JP2006318327A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 差動増幅回路およびシリーズレギュレータ
US7402987B2 (en) * 2005-07-21 2008-07-22 Agere Systems Inc. Low-dropout regulator with startup overshoot control
JP2007257104A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Fuji Electric Device Technology Co Ltd シリーズレギュレータ
JP5008472B2 (ja) 2007-06-21 2012-08-22 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
JP2010004258A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Toshiba Corp 負帰還増幅器
CN101364119A (zh) * 2008-07-07 2009-02-11 武汉大学 宽动态范围低压差线性稳压器
EP2151732B1 (en) * 2008-08-08 2012-10-17 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Stable low dropout voltage regulator
JP2010258509A (ja) * 2009-04-21 2010-11-11 Renesas Electronics Corp バイアス安定化機能付き増幅回路
CN102063146A (zh) * 2011-01-21 2011-05-18 东南大学 自适应频率补偿低压差线性稳压器
CN202067171U (zh) * 2011-04-25 2011-12-07 上海集成电路研发中心有限公司 低压差线性稳压器
CN102279612A (zh) * 2011-05-11 2011-12-14 电子科技大学 一种低压差线性稳压器
CN102789257B (zh) * 2012-08-31 2014-04-02 电子科技大学 低压差线性稳压器
CN102945059B (zh) * 2012-11-21 2016-03-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 低压差线性稳压器及其极点调整方法
CN104808734B (zh) * 2015-02-17 2016-04-06 唯捷创芯(天津)电子技术有限公司 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片

Also Published As

Publication number Publication date
CN104808734A (zh) 2015-07-29
US20180067512A1 (en) 2018-03-08
WO2016131354A1 (zh) 2016-08-25
US10168727B2 (en) 2019-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104808734B (zh) 一种宽耐压范围的自适应低压差线性稳压器及其芯片
CN106557106B (zh) 用于调节器电路的补偿网络
CN101813957B (zh) 电压调节器
CN100520664C (zh) 调压器
CN105138062A (zh) 改善低压差线性稳压器负载调整率的系统
US9348350B2 (en) Voltage regulator
CN106094955A (zh) 一种低功耗的低压差线性稳压电路
CN104035468A (zh) 电压调节器
CN105955387B (zh) 一种双环保护低压差ldo线性稳压器
CN109361201B (zh) 一种基于电流比较的ldo限流电路及电子设备
CN102809982A (zh) 低压电流镜
CN106444947B (zh) 一种用于无电容型ldo的补偿电路
CN105404351A (zh) 电流偏置电路
CN205540381U (zh) 一种电流反馈式精确过温保护电路
CN203536947U (zh) 电流限制电路
CN104881070A (zh) 一种适用于mems应用的超低功耗ldo电路
CN101557164B (zh) 一种低压电源生成电路及装置
US7728669B2 (en) Output stage circuit and operational amplifier thereof
CN103163926B (zh) 高精度低压差电压调节器
CN103488235A (zh) 电流限制电路、电压调节器及dc-dc转换器
CN104035465A (zh) 电压调节器
KR20180071988A (ko) 완전 평형 차동 레일-투-레일 2세대 전류 컨베이어
CN101825910B (zh) 一种可调电流大小的电流源装置
CN205103699U (zh) 电路
CN201035440Y (zh) 电流镜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 300457 room 2701-3, building 19, West Ring Road, Binhai New Area, Tianjin,

Patentee after: VANCHIP (TIANJIN) TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 300457 room 2701-3, building 19, West Ring Road, Binhai New Area, Tianjin,

Patentee before: Vanchip (Tianjin) Electronic Technology Co., Ltd.