TWI470209B - 晶片檢測系統與其檢測方法 - Google Patents

Description

晶片檢測系統與其檢測方法

本發明係關於一種系統，特別是關於一種晶片檢測系統其檢測方法。

第1圖顯示習知檢測太陽能電池(Solar cell)晶片之系統10之示意圖。太陽能電池晶片出貨之前會利用光源(Light source)11照射晶片12，再利用背光板(Reflection plate)13反射光線，在晶片12上產生缺角區塊(Chipping)Ch，將缺角區塊Ch與與正常區域比對，以檢測晶片12判斷其外觀是否有缺陷，例如邊緣缺角或破片，而缺陷之判定標準係依據客戶制定之規格來篩選。

然而，以現有的設備來說，晶片12之檢測需要利用傳輸帶14傳輸晶片，因此傳輸帶與其周圍的區塊檢測系統之邏輯會設為忽略區以避免錯誤檢測。然而，當晶片12被傳輸帶14遮住之忽略區A有缺陷，則檢測系統10會無法檢測出忽略區A內的缺陷，增加了漏篩的風險性。

本發明之目的之一，在提供一種晶片檢測系統與檢測方法，其可於避免傳輸帶遮蔽晶片漏篩之問題發生。

本發明之目的之一，在提供一種晶片檢測系統與檢測方法，其可提升晶片檢測缺角、破片、損壞、或其他外觀瑕疵...等的準確度。

本發明之一實施例提供了一種晶片檢測系統，包含一第一檢測裝置與一第二檢測裝置。第一檢測裝置用以檢測一晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷，第一檢測裝置包含有一第一傳輸帶，第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶。第二檢測裝置用以檢測晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷，第二檢測裝置包含有一第二傳輸帶，第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶。其中，第一子傳輸帶、第二子傳輸帶、第三子傳輸帶以及第四子傳輸帶對應(遮住)晶片之區域，分別定義為第一忽略區、第二忽略區、第三忽略區、以及第四忽略區，且第一忽略區、第二忽略區、第三忽略區、以及第四忽略區彼此不重疊。

本發明之另一實施例提供了一種晶片檢測系統，包含一第一檢測裝置與一第二檢測裝置。第一檢測裝置用以檢測一晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷，第一檢測裝置包含有一第一傳輸帶，第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，第一子傳輸帶與第二子傳輸帶設有一第一距離。第二檢測裝置用以檢測該晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷，第二檢測裝置包含有一第二傳輸帶，第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶，第三子 傳輸帶與第四子傳輸帶設有一第二距離。其中，第一距離不等於第二距離。

本發明之另一實施例提供了一種晶片檢測系統，包含一第一傳輸帶、一第二傳輸帶、以及一檢測裝置。第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，第一子傳輸帶與第二子傳輸帶設有一第一距離。第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶，第三子傳輸帶與第四子傳輸帶設有一第二距離。檢測裝置用以檢測置放於該第一傳輸帶之一晶片與置放於第二傳輸帶之晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷；其中，該第一距離不等於該第二距離。

本發明之另一實施例提供了一種晶片檢測系統，包含複數條傳輸帶與一檢測裝置。每一傳輸帶用以傳輸一晶片，每一傳輸帶所對應(遮住)晶片之忽略區不重疊。檢測裝置用以檢測置放該些傳輸帶之晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷。

本發明之另一實施例提供了一種晶片缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷之檢出方法，包含下列步驟：提供一第一傳輸帶，用以檢測晶片之第一面，第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，第一子傳輸帶與該第二子傳輸帶具有一第一距離；提供一第二傳輸帶，用以檢測晶片之第二面，第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶，第三子傳輸帶與第四子傳輸帶具有一第二距離，其中第一距離小於第二距離；提供一光源照射第一傳輸帶上之一晶片之第一面，利用一背光板反射光源投射該晶片所得之第一影像，利用一鏡頭檢視出該第一影像中亮度不同之區域， 以檢出晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷，其中傳輸帶遮住該晶片之第一區段與第二區段；以及提供光源照射第二傳輸帶上之該晶片之第二面，利用一背光板反射光源投射該晶片所得之第二影像，利用一鏡頭檢視出第二影像中亮度不同之區域，以檢出晶片之缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷，其中傳輸帶遮住晶片之第三區段與第四區段，其中第一區段、第二區段、第三區段、第四區段不重疊。

本發明之實施例之晶片檢測系統與其方法，利用該子傳輸帶間距或位置設計，使晶片之檢測忽略區不重疊，而避免檢測晶片缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等缺陷之漏篩問題，達成提升檢測晶片精準度之功效。

第2A圖顯示本發一實施例之一種晶片檢測系統20之示意圖。晶片檢測系統20包含一第一檢測裝置20a與一第二檢測裝置20b。本發明一實施例中晶片可為太陽能電池(Solar cell)晶片，但本發明不限於此，本發明之其他實施例中晶片可為目前現有或未來發展出之各種積體電路晶片。

一實施例，第一檢測裝置20a包含有一第一傳輸帶24a、一第一光源21a、一第一背光板23a、一第一鏡頭(感測器)25a。第二檢測裝置20b包含有一第二傳輸帶24b、一第二光源21b、一第二背光板23b、一第二鏡頭25b。需注意，另一實施例中，第一鏡頭(感測器)25a與第二鏡頭(感測器)25b可共用以省略其中之一；第一光源21a與第二光源21b可共用以省略其中之一；第一背光板23a與第二背光板23b可共用以省略其中之一。

如第2A圖之示例，第一傳輸帶24a用以檢測晶片22之第一面，第一傳輸帶24a包含有一第一子傳輸帶24a1與一第二子傳輸帶24a2，第一子傳輸帶24a1與第二子傳輸帶24a2具有一第一距離D1，如第2B圖所示。

第二傳輸帶24b，用以檢測晶片22之第二面，該第二傳輸帶24b包含有一第三子傳輸帶24b1與一第四子傳輸帶24b2，第三子傳輸帶24b1與第四子傳輸帶24b2具有一第二距離D2，如第2C圖所示。其中，第一距離D1小於該第二距離D2。當然，另一實施例中第一距離D1亦可大於第二距離D2。另一實施例，第一距離D1與第二距離D2之設定必須讓該些傳輸帶24a1、24a2、24b1、24b2對應在晶片22之區域不重疊。

光源21a照射第一傳輸帶24a上之晶片22之第一面1；光源21b照射第二傳輸帶24b上之晶片22之第二面2。

背光板23a反射光源21a投射晶片22之光線；背光板23b反射光源21b之光線。

鏡頭(感測器)25a依據背光板23a反射光線至晶片22，而取得一第一影像，檢視該第一影像中亮度不同之區域，以檢出晶片22第一面1之缺陷(缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等)ch，其中第一傳輸帶24a遮住晶片22之第一區段A1與第二區段A2，如第3A圖所示。鏡頭(感測器)25b依據背光板23b反射光線至晶片22，而取得一第二影像，檢視該第二影像中亮度不同之區域，以檢出晶片22第二面2之缺陷ch，其中第一傳輸帶24b遮住晶片22之第三區段A3與第四區段A4，如第3B圖所示。須注意，本發明一實施例之晶片檢測系統20，利用傳輸帶之間距不同，以讓第一區段A1、第二 區段A2、第三區段A4、第四區段不重疊(錯置)(mismatch)，如第3C圖所示。

於運作時，一實施例，第一檢測裝置20a可設為前檢測站，第二檢測裝置20b可設為後檢測站。首先，晶片22經由第一檢測裝置20a之第一傳輸帶24a傳輸，且檢測晶片22之第一面1，即晶片22之第一面1朝上。接著光源21a照射晶片之第一面1，而其背光板23a反射光源21a之光線，以讓鏡頭25a取得第一影像，此時第一影像中會有如第3A圖所示之忽略區A1、A2產生，假設此時缺陷Ch係在晶片22第一面1且被傳輸帶24a1遮住之忽略區-第一區段A1上，則於前檢測站無法檢測出晶片22之缺陷Ch。須注意，本發明實施例之忽略區可為傳輸帶與其周圍之區塊，一實施例中忽略區包含有傳輸帶遮蔽晶片之遮蔽區。

進入後檢測站後，第二檢測裝置20b之第二傳輸帶24b檢測晶片之第二面2，即第二面2朝上。光源21b照射晶片22之第二面2，背光板23b反射光源21b之光線後，鏡頭25b取得第二影像，此時第二影像之忽略區為第三、第四區段B1、B2，由於前後站檢測的第一、第二傳輸帶分別的子傳輸帶間具有不同的距離D1、D2，第一、二、三、四區段彼此不會重疊，因此，晶片22之忽略區第三、第四區段B1、B2已在第一檢測裝置21a檢測過，而此時，忽略區第一、第二區段A1、A2可由第二檢測裝置21b檢測出。由於缺陷ch係落於第一區段A1，所以在後檢查站中可由第二檢測裝置21b檢測出來，而解決習知技術無法檢測忽略區之問題。

須注意，本實施例中，前後檢測站之子傳輸帶間距為先窄後寬，本發明不限於此，另一實施例中子傳輸帶之間距 亦可為先寬後窄。再者，本發明實施例不限於兩個檢測站或兩條子傳輸帶，可包含有複數個檢測站或複數條傳輸帶。當然，亦可利用其他設計方式，僅採用單一個檢測站或單一條子傳輸帶來實施。另一實施例，或是可利用機構改變子傳輸帶間距的大小。

一實施例，如第4A~4F所示，本發明之實施例亦可對晶片22的同一面採用不同子傳輸帶間距D1、D2來進行檢測，以更精確的量測晶片22是否有缺角、破片、晶片表面破損、外觀瑕疵、或其他損壞之處。如第4A、4B圖所示，晶片22之第一面1利用傳輸帶之間距D1、D2變化，可得到不重疊的四個忽略區A1、A2、A3、A4，在第4A圖之檢測可與第4B圖之檢測互補，如第4E圖所示，以避免晶片22第一面1之忽略區漏篩問題。如第4C、4D圖所示，晶片22之第二面2利用傳輸帶之間距D1、D2變化，可得到不重疊的四個忽略區A1、A2、A3、A4，在第4C圖之檢測可與第4D圖之檢測互補，如第4F圖所示，以避免晶片22第二面2之忽略區漏篩問題。

須注意，本發明亦可將子傳輸帶間的距離逐漸改變，利用較長之傳輸帶逐漸加寬間距D1、D2~Dn，如第5圖所示，而使傳輸帶對應晶片之忽略區不重疊，達到避免漏篩之問題。

第6圖顯示本發明一實施例之晶片缺陷(缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等)檢測方法之流程圖。該方法包含下列步驟：

步驟S602：開始。

步驟S604：提供一第一傳輸帶，用以檢測晶片之第一 面，第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，第一子傳輸帶與第二子傳輸帶具有一第一距離。

步驟S606：提供一第二傳輸帶，用以檢測晶片之第二面，第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶，第三子傳輸帶與第四子傳輸帶具有一第二距離，其中第一距離小於該第二距離。

步驟S608：提供一光源照射第一傳輸帶上之一晶片之第一面，利用一背光板反射該光源投射晶片所得之第一影像，利用一鏡頭(或感測器)檢視出第一影像中亮度不同之區域，以檢出晶片之缺陷，其中該傳輸帶遮住晶片之第一區段與第二區段；以及 步驟S610：提供光源照射第二傳輸帶上之晶片之第二面，利用一背光板反射該光源投射晶片所得之第二影像，利用一鏡頭檢視出第二影像中亮度不同之區域，以檢出晶片之缺陷，其中傳輸帶遮住該晶片之第三區段與第四區段，其中該第一區段、第二區段、第三區段、第四區段不重疊。

步驟S612：結束。

須注意，一實施例中，第一傳輸帶之晶片由第一機台檢測，第二傳輸帶之晶片由第二機台檢測。

本發明之實施例之晶片檢測系統與其方法，利用該變子傳輸帶間距，使晶片之檢測忽略區不重疊，而避免檢測晶片缺陷(缺角、破片、損壞、外觀瑕疵...等)之漏篩問題，達成提升檢測晶片精準度之功效。

以上雖以實施例說明本發明，但並不因此限定本發明之範圍，只要不脫離本發明之要旨，該行業者可進行各種變形或變更，該些變形或變更均應落入本發明之申請專利範圍。

10、20‧‧‧晶片檢測系統

20a、20b‧‧‧檢測裝置

11、21a、21b‧‧‧光源

12、22‧‧‧晶片

13、23a、23b‧‧‧背光板

14、24a1、24a2、24b1、24b2‧‧‧傳輸帶

25a、25b‧‧‧鏡頭(感測器)

第1圖顯示習知技術之晶片檢測系統之示意圖。

第2A圖顯示本發明一實施例之晶片檢測系統之示意圖。

第2B圖顯示本發明一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第2C圖顯示本發明一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第3A圖顯示本發明一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第3B圖顯示本發明一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第3C圖顯示本發明一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第4A圖顯示本發明另一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第4B圖顯示本發明另一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第4C圖顯示本發明另一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第4D圖顯示本發明另一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第4E圖顯示本發明另一實施例之晶片檢測系統之部分元件說明圖。

第4F圖顯示本發明另一實施例之晶片檢測系統之部分 元件說明圖。

第5圖顯示本發明一實施例之晶片檢測系統之示意圖。

第6圖顯示本發明一實施例之晶片檢測方法之流程圖。

20‧‧‧晶片檢測系統

20a、20b‧‧‧檢測裝置

21a、21b‧‧‧光源

22‧‧‧晶片

23a、23b‧‧‧背光板

24a1、24a2、24b1、24b2‧‧‧傳輸帶

25a、25b‧‧‧鏡頭(感測器)

Claims (14)

1. 一種晶片檢測系統，包含：一第一檢測裝置，用以檢測一晶片之缺陷，以產生一第一影像，該第一檢測裝置包含有一第一傳輸帶，該第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶；以及一第二檢測裝置，用以檢測該晶片之缺陷，以產生一第二影像，該第二檢測裝置包含有一第二傳輸帶，該第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶；其中，該第一子傳輸帶、該第二子傳輸帶、該第三子傳輸帶以及第四子傳輸帶分別對應該晶片，以產生第一忽略區、第二忽略區、第三忽略區、以及第四忽略區，該第一忽略區、該第二忽略區、該第三忽略區、以及該第四忽略區彼此不重疊；其中該第一影像不包含該第一忽略區與該第二忽略區之影像，該第二影像不包含該第三忽略區與該第四忽略區之影像，且該晶片檢測系統依據該第一影像與該第二影像判斷該晶片是否有缺陷。
2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，該第一檢測裝置係檢測該晶片之第一面，該第二檢測裝置係檢測該晶片之第二面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該第一檢測裝置更包含：一光源，照射該第一傳輸帶上之該晶片之第一面；一背光板反射該光源，以投射光線至該晶片；以及一鏡頭，依據該背光板之反射光線，取得該晶片之一第一影像；其中，該晶片檢測系統依據該第一影像與一預設影像檢視該第一影像中亮度不同之區域，以檢出該晶片之缺陷； 其中該第二檢測裝置更包含：一光源，照射該第二傳輸帶上之該晶片之第二面；一背光板，反射該光源，以投射光線至該晶片；以及一鏡頭，依據該背光板之反射光線，取得該晶片之一第二影像；其中，該晶片檢測系統依據該第二影像與一預設影像檢視該第二影像中亮度不同之區域，以檢出該晶片之缺陷。
4. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該缺陷為缺角、破片、損壞、外觀瑕疵其中之一或其組合。
5. 一種晶片檢測系統，包含：一第一檢測裝置，用以檢測一晶片之缺陷，以產生一第一影像，該第一檢測裝置包含有一第一傳輸帶，該第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，該第一子傳輸帶與該第二子傳輸帶設有一第一距離；以及一第二檢測裝置，用以檢測該晶片之缺陷，以產生一第二影像，該第二檢測裝置包含有一第二傳輸帶，該第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶，該第三子傳輸帶與該第四子傳輸帶設有一第二距離；其中，該第一距離不等於該第二距離；其中，該第一子傳輸帶與該第二子傳輸帶分別遮住該晶片之第一區段與第二區段，且該第三子傳輸帶與該第四子傳輸帶分別遮住該晶片之第三區段與第四區段，且該第一區段、該第二區段、該第三區段、該第四區段不重疊；其中該第一影像不包含該第一區段與該第二區段之影像，該第二影像不包含該第三區段與該第四區段之影像，且該晶片檢測系統依據該第一影像與該第二影像判斷該晶片是否有缺陷。
6. 如申請專利範圍第5項所述之系統，該第一檢測裝置係檢測該晶片之第一面，該第二檢測裝置係檢測該晶片之第二面。
7. 如申請專利範圍第5項所述之系統，其中該第一檢測裝置更包含：一光源，照射該第一傳輸帶上之該晶片之第一面；一背光板反射該光源，以投射光線至該晶片；以及一鏡頭，依據該背光板之反射光線，取得該晶片之一第一影像；其中，該晶片檢測系統依據該第一影像與一預設影像檢視該第一影像中亮度不同之區域，以檢出該晶片之缺陷；其中該第二檢測裝置更包含：一光源，照射該第二傳輸帶上之該晶片之第二面；一背光板，反射該光源，以投射光線至該晶片；以及一鏡頭，依據該背光板之反射光線，取得該晶片之一第二影像；其中，該晶片檢測系統依據該第二影像與一預設影像檢視該第二影像中亮度不同之區域，以檢出該晶片之缺陷。
8. 如申請專利範圍第5項所述之系統，其中該缺陷為缺角、破片、損壞、外觀瑕疵其中之一或其組合。
9. 一種晶片檢測系統，包含：一第一傳輸帶，該第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，該第一子傳輸帶與該第二子傳輸帶設有一第一距離；以及一第二傳輸帶，該第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶，該第三子傳輸帶與該第四子傳輸帶設有一第二距離；一檢測裝置，用以檢測置放於該第一傳輸帶之一晶片與置放於該 第二傳輸帶之該晶片之缺陷，該檢測裝置檢測置放於該第一傳輸帶之該晶片以產生一第一影像，檢測置放於該第二傳輸帶之該晶片以產生一第二影像；其中，該第一距離不等於該第二距離；其中，該第一子傳輸帶、該第二子傳輸帶、該第三子傳輸帶以及第四子傳輸帶分別對應該晶片，以產生第一忽略區、第二忽略區、第三忽略區、以及第四忽略區，該第一忽略區、該第二忽略區、該第三忽略區、以及該第四忽略區彼此不重疊；其中該第一影像不包含該第一忽略區與該第二忽略區之影像，該第二影像不包含該第三忽略區與該第四忽略區之影像，且該晶片檢測系統依據該第一影像與該第二影像判斷該晶片是否有缺陷。
10. 如申請專利範圍第9項所述之系統，該檢測裝置於該第一傳輸帶係檢測該晶片之第一面，該檢測裝置於該第二傳輸帶係檢測該晶片之第二面。
11. 如申請專利範圍第9項所述之系統，其中該缺陷為缺角、破片、損壞、外觀瑕疵其中之一或其組合。
12. 一種晶片檢測系統，包含：複數條傳輸帶，用以傳輸一晶片，每該傳輸帶對應該晶片之忽略區不重疊；其中該第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，且該第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶；以及一檢測裝置，用以檢測置放該些傳輸帶之該晶片之缺陷，該檢測裝置檢測置放於該複數條傳輸帶之一第一傳輸帶之該晶片以產生一第一影像，檢測置放於該複數條傳輸帶之一第二傳 輸帶之該晶片以產生一第二影像；其中，該第一子傳輸帶、該第二子傳輸帶、該第三子傳輸帶以及第四子傳輸帶分別對應該晶片，以產生第一忽略區、第二忽略區、第三忽略區、以及第四忽略區，該第一忽略區、該第二忽略區、該第三忽略區、以及該第四忽略區彼此不重疊；其中該第一影像不包含該第一忽略區與該第二忽略區之影像，該第二影像不包含該第三忽略區與該第四忽略區之影像，且該晶片檢測系統依據該第一影像與該第二影像判斷該晶片是否有缺陷。
13. 一種晶片缺陷檢測方法，包含：提供一第一傳輸帶，用以檢測晶片之第一面，以產生一第一影像，該第一傳輸帶包含有一第一子傳輸帶與一第二子傳輸帶，該第一子傳輸帶與該第二子傳輸帶具有一第一距離；提供一第二傳輸帶，用以檢測晶片之第二面，以產生一第二影像，該第二傳輸帶包含有一第三子傳輸帶與一第四子傳輸帶，該第三子傳輸帶與該第四子傳輸帶具有一第二距離，其中該第一距離小於該第二距離；提供一光源照射該第一傳輸帶上之一晶片之第一面，利用一背光板反射該光源投射該晶片所得之第一影像，利用一鏡頭檢視出該第一影像中亮度不同之區域，以檢出該晶片之缺陷，其中該傳輸帶遮住該晶片之第一區段與第二區段；以及提供該光源照射該第二傳輸帶上之該晶片之第二面，利用一背光板反射該光源投射該晶片所得之第二影像，利用一鏡頭檢視出該第二影像中亮度不同之區域，以檢出該晶片之缺陷，其中該傳輸帶遮住該晶片之第三區段與第四區段； 其中該第一區段、該第二區段、該第三區段、該第四區段不重疊；其中該第一影像不包含該第一區段與該第二區段之影像，該第二影像不包含該第三區段與該第四區段之影像，且該晶片檢測系統依據該第一影像與該第二影像判斷該晶片是否有缺陷。
14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該缺陷為缺角、破片、損壞、外觀瑕疵其中之一或其組合。