CN103376259A - 元件内部缺陷的检测装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种元件内部缺陷的检测装置及方法，可侦测半导体元件内部的崩缺、崩裂及导线断裂等缺陷。本元件内部缺陷检测装置包含：一红外线光源，发射一红外线光束至一待测元件内部；一取像单元，包括一红外线传感器，所述红外线光束从所述待测元件内部反射出并进入所述红外线传感器，产生所述待测元件的一内部影像数据；以及一影像处理单元，获取所述内部影像数据，并分析所述待测元件内部是否存在内部缺陷。

Description

元件内部缺陷的检测装置及方法

技术领域

本发明是关于一种元件缺陷的检测装置及方法，特别是关于一种可侦测半导体元件内部的崩缺、崩裂及导线断裂等内部缺陷的元件内部缺陷的检测装置及方法。本发明主张申请日：2012年04月11日、申请案号第201210104040.1号的本国优先权。

背景技术

工业产品由于制造成本的考虑，对于瑕疵品的检测及剔除等工作，仍然有采用离线的方式由人工来完成，因此在检查过程当中瑕疵品的判定标准难以达到一致性，同时检验工作的进行效率依赖于检验人员的专注力，因此不确实的瑕疵管理使得产品的良率与质量受到限制。

如何有效率及可靠的检验每个产品是否发生瑕疵，是自从工业化以来每个大规模生产者所关心的课题，在计算机技术发达的今日，使用计算机并搭配各种传感器来感知及判断瑕疵，或使用自动化检测机台来检测瑕疵品，乃是如今生产在线瑕疵检测程序的常见模式。

另一方面，在现有工业自动化检测中，常利用自动光学检测设备(Automated Optical Inspection；AOI)查验一待测物的缺陷。自动光学检测设备是通过一可见光的光源照射一待测物的表面，并利用一影像撷取装置(CCD或CMOS)撷取待测物的一检测影像。经由比对所述检测影像即可检测所述待测物的表面是否具有表面缺陷。

在半导体晶圆制作过程中加入分类与检测功能，是提升良率的重要过程。在一般的封装厂内，往往分类好的晶粒或封装成品、半成品会再送到离线检测设备进行瑕疵检测。如此，等于多了一道制作过程，耗时又耗工，并非是有效率的作法。倘若能整合检测在封装厂的分类制程中，必能提升良率与利润。

此外，在光学检测上，光对物质的穿透能力是与物质对光的吸收量和散射量有关，因此在元件或材料的检测上，可见光的光束在照射到待测物的表面即会马上形成反射光，因此仅能得到待测物的表面影像以及用于检测所述待测物的表面是否具有表面缺陷。然而，对于某些元件来说，例如放置在卷带上且具有玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装(wafer level chip scale package，WLCSP)产品或是所述晶圆级芯片尺寸封装产品尚未切割的晶圆半成品，却存在检测其元件内部(即用以检测在玻璃盖板下的芯片是否具有缺陷)的需求。因此，确实有必要寻求一种解决方案，以解决现有光学检测技术仅能检测表面影像而无法检测内部影像的技术问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种元件内部缺陷的检测装置，是以红外线光源为基础，对于现有半导体制造厂后段制作过程与封装厂制作过程整合了在半导体元件内部缺陷方面的红外线自动化光学检测功能。此外，本设计由于使用对本发明特定红外线波段敏感的电荷耦合元件(CCD)为传感器(以下简称为红外线传感器)，因此对于撷取红外线反射光的感旋光性能上亦具有较佳的效果。

为达成上述目的，本发明提供一种元件内部缺陷的检测装置，为一自动化光学检测机台，适用于检测半导体元件内部的缺陷，所述检测装置包含：一红外线光源，发射一红外线光束至一待测元件内部；一红外线取像单元，包括一红外线传感器，所述红外线光束从所述待测元件内部反射出并进入所述红外线传感器，产生所述待测元件的一内部影像数据；以及一影像处理单元，获取所述内部影像数据，以分析所述待测元件内部是否存在内部缺陷。

根据本发明的另一实施方式，本发明亦提供一种元件内部缺陷的检测方法，包括下列步骤：以一红外线光源产生一红外线光束以照射一待测元件内部；以一红外线取像单元的一红外线传感器撷取得由所述待测元件内部折返的红外线光束所形成的一内部影像数据；以及以一影像处理单元分析所述内部影像数据，以判断所述待测元件内部是否存在内部缺陷。

本发明的元件内部缺陷的检测装置，虽然较佳适用于检测一半导体元件内部的瑕疵，但并不以此为限，只要待测物的内部缺陷特性可以被本发明的红外线检测设备所能透视拍摄及显现者，便可以运用本检测装置进行检测其内部缺陷。因此，不论是塑料或电子产品，只要所检测的缺陷是内部构造的崩缺、崩裂、导线断裂及其它类似的内部瑕疵均适用于本发明。

在本发明的一实施例中，所述红外线光源所射出的红外线光束的波长范围介于700nm(纳米)至1000nm之间。

在本发明的一实施例中，所述红外线传感器为对红外线波长范围敏感的一电荷耦合元件。

在本发明的一实施例中，所述红外线传感器为对红外线波长范围敏感的一互补性氧化金属半导体元件。

在本发明的一实施例中，所述待测元件的内部缺陷为一半导体元件内部的崩缺、崩裂或导线断裂。

在本发明的一实施例中，所述半导体元件为具有一玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)产品或是所述晶圆级芯片尺寸封装产品尚未切割的一晶圆半成品。

在本发明的一实施例中，另包含：一对位光源，发射一对位光线至所述待测元件的表面；及一对位取像单元，撷取从所述待测元件表面反射的一表面影像，以对所述表面影像分格及定义出所述待测元件的一边界区域。

在本发明的一实施例中，另包含：一移动单元，用以同步移动所述对位取像单元与所述红外线取像单元，以便所述红外线取像单元撷取所述待测元件的边界区域的内部影像数据。

在本发明的一实施例中，所述元件内部缺陷的检测方法，进一步包括以下步骤：以所述红外线取像单元的红外线传感器取得一标准元件内部的一标准内部影像数据。

在本发明的一实施例中，在所述影像处理单元分析所述内部影像数据的步骤中进一步包括以下步骤：以所述影像处理单元比对所述内部影像数据和所述标准内部影像数据，以判断所述待测元件内部是否存在所述内部缺陷。

在本发明的一实施例中，所述影像处理单元是通过一应用软件进行一运算，以获得所述待测元件的内部缺陷的数据。

在本发明的一实施例中，所述影像处理单元是通过一影像处理软件的一辨识函式库来辨识内部影像数据的内部缺陷。

在本发明的一实施例中，在以所述红外线光束照射所述待测元件内部的步骤前进一步包含以下步骤：由一对位光源发射一对位光线至所述待测元件的表面；及以一对位取像单元撷取从所述待测元件表面反射的一表面影像，以对所述表面影像分格及定义出所述待测元件的一边界区域。

在本发明的一实施例中，在以所述红外线取像单元撷取所述待测元件的内部影像资料的步骤中进一步包含以下步骤：利用一移动单元同步移动所述对位取像单元与所述红外线取像单元，以便所述红外线取像单元撷取所述待测元件的边界区域的内部影像资料。

本发明所述组件内部缺陷检测装置，虽然比较适用于检测一半导体组件内部的瑕疵，但并不以此为限，只要待测物的内部缺陷特性可以被本发明的红外线检测设备所能透视拍摄及显现，便可以运用本检测装置进行检测其内部缺陷。因此，不论是塑料或电子产品，只要所检测的缺陷是内部构造的崩缺、崩裂、导线断裂及其它类似的内部瑕疵均适用于本发明。

附图说明

图1为本发明的一实施例所述元件内部缺陷的检测装置的系统方块图；

图2为本发明的一实施例所述元件内部缺陷的检测装置的立体示意图；

图3为本发明另一实施例所述元件内部缺陷的检测装置的立体示意图；

图4为本发明一实施例所述元件内部缺陷检的测方法的流程图。

图5A为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置用于卷带式芯片的检测所摄取晶粒的缺陷的影像I。

图5B为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置用于卷带式芯片的检测所摄取晶粒的缺陷的影像II。

图6A为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置用于晶圆的检测所摄取晶粒的缺陷的影像I。

图6B为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置用于芯片的检测所摄取晶粒的缺陷的影像II。

图7为本发明又一实施例元件内部缺陷的检测装置的系统方块图。

图8为本发明第7图实施例元件内部缺陷的检测装置的立体示意图。

图9为本发明再一实施例元件内部缺陷的检测装置的立体示意图。

主要元件符号说明：

10、待测元件；100、检测装置；120、红外线光源；130、对位取像单元；

140、红外线取像单元；142、红外线传感器；160、影像处理单元；

170、对位光源；200、检测方法；

S210、步骤一；S220、步骤二；S230、步骤三。

具体实施方式

有关本发明的特征、实现与功效，配合附图作最佳实施例详细说明如下。

请参阅图1以及图2。图1为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置的系统方块图，而图2为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置的立体组合图。

图1所描绘的本发明一实施例的所述元件内部缺陷的检测装置100，适用于检测一半导体晶粒10，本实施例的所述元件内部缺陷的检测装置100包括有：一红外线光源120、一红外线取像单元140及一影像处理单元160，其中所述红外线光源120，射出一红外线光束至一待测元件10内部，本实施例的所述红外线光源120为一波长范围介于700nm至1000nm之间的红外线光源，设置红外线光源120的目的是要得到较好的反射特性。再者，所述红外线取像单元140，包括一红外线传感器142，红外线光束从待测元件10内部反射出来，并进入所述红外线取像单元140的红外线传感器142，因而产生所述待测元件10的一内部影像数据，本实施例所述红外线传感器142，例如为对上述红外线波长范围敏感的一可感应红外线的电荷耦合元件（CCD）传感器142。另外，所述影像处理单元160用以获取所述待测元件10的内部影像数据，以分析判断所述待测元件10内部是否存在任何的内部缺陷。

在图2的本发明一实施例中，本发明所述元件内部缺陷的检测装置100，例如是整合在一具输送带的半导体元件测试机台上。在本发明的一实施例中，所述待测元件10为一半导体元件，例如为放置在一卷带上且具有一玻璃盖板的数个晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)产品。然而，熟悉此项技术人员，可据实际使用需求整合在任意一种欲检测内部缺陷的待测元件的测试机台上。

再者，相较于可见光波段的光源，所述元件内部缺陷的检测装置100的红外线光源120产生红外线光束对物质的穿透能力相对较强，因此在元件或材料的内部检测上，红外线较易形成透视效果，以便使所述红外线传感器142更能撷取所述待测元件10的内部影像。另外，只要任何塑料或电子产品等的待测物的内部缺陷特性可以被本实施例所述具有红外线的元件内部缺陷的检测装置100所透视拍摄及显现，便可以运用本元件内部缺陷的检测装置100进行检测其内部缺陷，故并不以本发明所揭露的实施例为限。

在本实施例中，所述红外线光源120及红外线取像单元140是设置在同一支架上固定不动的，只有承载所述待测元件10的一卷带通过一输送带步进移动前进。此外，所述检测装置100共可设有平行相邻的两个(或以上)的红外线取像单元140，其间距和所述二组(或以上)相邻的待测元件10的间距大致相等，所以每次所述输送带可一次拖曳两个相邻的待测元件10的长度步进移动前进并停止，如此可达到平行处理多个待测元件10的效果，提升检测速率为原来的两倍(或以上)。

请参阅图3，图3为本发明另一实施例所述元件内部缺陷的检测装置的立体示意图。在本实施例中，元件内部缺陷的检测装置100整合在一半导体晶圆的测试机台上，例如为具有一玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)产品或是所述晶圆级芯片尺寸封装产品尚未切割的一晶圆半成品。然而，本发明亦可将所述元件内部缺陷的检测装置100整合应用在其它类型的芯片或晶圆的成品、半成品的测试机台上，并不以本发明所揭露的实施例为限。本实施例所述元件内部缺陷检测装置100可用于晶圆制造厂前段的晶圆半成品测试以及用于后段封装厂的成品测试上。使得通过反射光呈现出待测元件的内部缺陷(即指玻璃盖板下的晶圆表面缺陷)，可因此而补足目前半导体测试设备的电性测试的不足。

在本发明一实施例中，所述红外线光源120所射出的光束的波长范围介于700nm至1800nm之间，优选是700nm至1000nm之间的红外线光源，在这个区域的红外线波长(或接近红外线波长区域的其他长波长光)对影像较敏感。因红外线光谱超过可见光区，所以黑白摄影机才可感应红外线投射器照射物体后所反射的红外线影像，而一般彩色摄影机是完全无法感应红外线影像的，除了新式的全天候彩色摄影机除外（日夜两用型红外线摄影机或日夜两用型标准型摄影机，其摄影机感光芯片上涂布一层特殊滤光材质，使其亦可感应红外线光谱,同时摄影机可自动切换成黑白模式）。

请参阅图3。如本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置100，其中传感器142为对红外线波长范围敏感的一电荷耦合元件（CCD）。CCD传感器能感应光线，并将影像转变成数字信号。红外线摄影的原理其实和一般摄影是一样的，都是利用光线照在物体上反射经过镜片到相机内成像。普通相机平常也接受到红外光，只是一般底片无法感应而已，传统的红外线摄影要靠红外线专用底片，而数字相机用的CCD传感器本身就可感应到红外线。

请参阅图3。如本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置100，其中所述红外线传感器142为一互补性氧化金属半导体(CMOS)元件。近年来，利用CMOS传感器的制作过程，已能制造实用的主动像素传感器（Active PixelSensor）。CMOS传感器是所有硅芯片制作的主流技术，CMOS传感器不但造价低廉，也能将信号处理电路整合在同一部装置上。再者，CMOS传感器跟CCD传感器相比，耗电量亦较低，数据传输亦较快。在高分辨率数字摄影机与数字相机中，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS传感器的应用。

请参阅图4。图4为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测方法的流程图。本实施例所述元件内部缺陷的检测方法200在系统设定后，包括下列步骤:

步骤一(S210)：以一红外线光源120产生一红外线光束以照射一待测元件10内部；

步骤二(S220)：以一红外线取像单元140的一红外线传感器142取得由所述待测元件10内部反射出的红外线光束所形成的一内部影像数据；以及

步骤三(S230)：以一影像处理单元160分析所述内部影像数据，以判断所述待测元件10内部是否存在内部缺陷。

在本实施例所述元件内部缺陷的检测方法200中，所述待测元件的内部缺陷进一步是指一半导体元件内部的崩缺、崩裂或导线断裂等瑕疵，所述半导体元件，例如为具有一玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)产品或是所述晶圆级芯片尺寸封装产品尚未切割的一晶圆半成品。造成这类内部缺陷的原因与时机有甚多种。譬如以封装厂的制程为例，其制程有切割、吸取、固晶、打线、封胶等。在封装制程中存在诸多缺陷，例如重复焊接、芯片电极氧化、光阻剂残留、底胶不足或溢出、芯片位移等。从使用角度来看，封装制作过程中产生的缺陷，虽然使用初期并不影响半导体元件的性能，但在以后的使用过程中会逐渐暴露出来并导致元件的失效。因此，在封装制程中实现对晶圆、芯片或封装产品的内部检测，发现内部缺陷，即确保出货质量的最佳解决方案。

本实施例的元件内部缺陷的检测方法200在以影像处理单元160分析所述内部影像数据的步骤之前，进一步包括以下步骤：以一红外线取像单元140拍取一标准元件内部，以取得一标准内部影像数据。在本实施例中，其中所述影像处理单元160分析所述内部影像数据得出所述待测元件10的内部缺陷的步骤进一步包括以下步骤：以所述影像处理单元160比对所述内部影像数据和标准影像数据，以判断所述待测元件10内部是否存在所述内部缺陷。

请参阅图5A、图5B、图6A以及图6B，其中图5A及图5B为本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测装置用于半导体元件(即具有玻璃盖板的WLCSP产品)的上方检测所透视撷取产品内部缺陷的内部影像I及内部影像II(即在玻璃盖板下的芯片上表面)；而图6A及图6B为本发明一实施例所述元件内部缺陷检测装置用于另一半导体元件(即具有硅或玻璃基板的WLCSP产品)的上方检测所透视撷取产品内部缺陷的内部影像I及内部影像II(即WLCSP产品下表面的重布线层)。

如图5A、图5B、图6A及图6B所示，其中内部缺陷为半导体元件在上述晶圆制造阶段或封装阶段的制程所造成的各种由上方无法直接看到的产品内部瑕疵，其中瑕疵包含崩裂、崩缺及/或导线断裂等。

本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测方法200，其中所述影像处理单元160是通过一应用软件进行一缺陷运算，以获得所述待测元件10的内部缺陷数据。在此，运算可为所述待测元件10的内部缺陷影像数据与标准内部影像数据所进行的影像相减的结果。然而，本发明亦可以通过相似功能的内部缺陷运算软件来完成，并不以本发明所揭露的实施例为限。

本发明一实施例所述元件内部缺陷的检测方法200，其中所述影像处理单元160是通过一影像处理软件的一辨识函式库来辨识待测内部影像数据是否包含内部缺陷。当然熟悉此项技术的人员，可根据实际使用需求以相似功能的内部瑕疵辨识软件来完成，并不以本发明所揭露的实施例为限。

请参照图7及图8所示，本发明又一实施例的内部缺陷的检测装置相似于本发明一实施例，并大致沿用相同元件名称及图号，但两者间差异的特征在于：本实施例的内部缺陷的检测装置进一步增设一对位取像单元130，利用一对位光源170发射一对位光线(例如可见光等)至一待测元件10及其周遭的表面，以反射取得一预定范围的表面影像，再通过分割所述表面影像定义出一所述待测元件10的边界部位，以预先取得及定义出所述待测元件10的边界位置。此外，所述检测装置100另包含一移动单元110，其连接于所述对位取像单元130与所述红外线取像单元140，所述移动单元110可同步顺时针或逆时针转动所述红外线光源120、对位光源170、对位取像单元130与红外线取像单元140，所述移动单元110主要用以使所述红外线取像单元140及红外线光源120紧接着沿所述待测元件10的边界移动以进行红外线检测。

在操作时，所述对位光源170发射一对位光线(如可见光)照射在待测元件10(如放置在一卷带上且具有一玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装产品)的一表面，可先通过所述对位取像单元130对所述待测元件10及其周遭的影像拍摄一预定范围的表面影像以做为取样，而在所述影像处理单元160接收所述表面影像后，可将所述表面影像中的产品芯片所在位置进一步分隔成3x3个区域，在通过所述移动单元110顺时针或逆时针转动，使所述红外线取像单元140及红外线光源120沿着单一产品芯片周边的8个区域进行红外线检测(因绝大多数缺陷出现在芯片周边区域)，以拍摄取得产品芯片周边的一内部影像资料。因此，通过所述对位取像单元130定位出产品芯片的边界，可更精确的方便所述红外线取像单元140拍摄产品芯片的边界的内部影像资料并送至所述影像处理单元160去分析，并可进一步由内部影像资料微观的观点来检测产品芯片边界上的缺陷，因而进一步相对增加所述检测装置100的功能性。

请参照图9所示，本发明再一实施例的内部缺陷的检测装置相似于本发明图3与图7、8的实施例，并大致沿用相同元件名称及图号，但两者间差异的特征在于：本实施例的内部缺陷的检测装置同样进一步增设一对位取像单元130，其中所述红外线取像单元140及红外线光源120例如位于所述待测元件10的一侧(如下侧)，而所述对位取像单元130及对位光源170则相对位于所述待测元件10的另一侧(如上侧)。在本实施例中，所述红外线取像单元140、红外线光源120、对位取像单元130及对位光源170是相对固定不动的，只有承载所述待测元件10(如具有一玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装产品尚未切割的一晶圆半成品)的一支撑框可以沿X、Y方向移动。

在操作时，所述对位光源170发射一对位光线(如可见光等)照射在待测元件10(晶圆半成品)的一表面，由所述对位取像单元130撷取反射后的一预定范围的表面影像以做为取样，所述影像处理单元160随后接收所述表面影像，并将所述表面影像中的晶圆半成品进一步分隔成多个单芯片区域(或多单片区域)，再通过所述移动单元110顺时针或逆时针转动，使所述红外线取像单元140及红外线光源120沿着单芯片区域(或多单片区域)的周边进行红外线检测(因绝大多数缺陷出现在芯片周边区域)，以拍摄取得各单芯片区域(或多单片区域)周边的一内部影像资料。因此，同样可以进一步相对增加所述检测装置100的功能性。

虽然本发明的实施例揭露如上所述，然并非用以限定本发明，任何熟悉相关技艺的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，举凡依本发明申请范围所述的形状、构造、特征及数量当可做些许的变更，因此本发明的专利保护范围须视本说明书所附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (12)

1.一种元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：包含︰

一红外线光源，发射一红外线光束至一待测元件内部；

一红外线取像单元，包括一红外线传感器，所述红外线光束从所述待测元件内部反射出并进入所述红外线传感器，产生所述待测元件的一内部影像数据；以及

一影像处理单元，获取所述内部影像数据，以分析所述待测元件内部是否存在内部缺陷。

2.如权利要求1所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：所述红外线光源所射出的红外线光束的波长范围介于700至1000纳米之间。

3.如权利要求2所述的元件内部缺陷检测装置，其特征在于：所述红外线传感器为对红外线波长范围敏感的一电荷耦合元件或一互补性氧化金属半导体元件。

4.如权利要求1所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：所述待测元件的内部缺陷为一半导体元件内部的崩缺、崩裂或导线断裂。

5.如权利要求4所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：所述半导体元件为具有一玻璃盖板的晶圆级芯片尺寸封装产品或是其尚未切割的一晶圆半成品。

6.如权利要求1所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：另包含：

一对位光源，发射一对位光线至所述待测元件的表面；及

一对位取像单元，撷取从所述待测元件表面反射的一表面影像，以对所述表面影像分格及定义出所述待测元件的一边界区域。

7.如权利要求6所述的元件内部缺陷的检测装置，其特征在于：另包含一移动单元，用以同步移动所述对位取像单元与所述红外线取像单元。

8.一种元件内部缺陷的检测方法，其特征在于，包括下列步骤：

以一红外线光源产生一红外线光束以照射一待测元件内部；

以一红外线取像单元的一红外线传感器撷取由所述待测元件内部反射出的红外线光束所形成的一内部影像数据；以及

以一影像处理单元分析所述内部影像数据，以判断所述待测元件内部是否存在内部缺陷。

9.如权利要求8所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：更包含以下步骤：以所述红外线取像单元的红外线传感器取得一标准元件内部的一标准内部影像资料。

10.如权利要求9所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：在所述影像处理单元分析所述内部影像资料的步骤中更包含以下步骤：

以所述影像处理单元比对所述内部影像资料与所述标准内部影像资料，以判断所述待测元件内部是否存在所述内部缺陷。

11.如权利要求8所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：在以所述红外线光束照射所述待测元件内部的步骤中进一步包括以下步骤：

由一对位光源发射一对位光线至所述待测元件的表面；及

以一对位取像单元撷取从所述待测元件表面反射的一表面影像，以对所述表面影像分格及定义出所述待测元件的一边界区域。

12.如权利要求11所述的元件内部缺陷的检测方法，其特征在于：在以所述红外线取像单元撷取所述待测元件的内部影像资料的步骤中进一步包括以下步骤：

利用一移动单元同步移动所述对位取像单元与所述红外线取像单元，以便所述红外线取像单元撷取所述待测元件的边界区域的内部影像资料。

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