TWI467771B - 薄膜電晶體基板及應用其之顯示器及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種薄膜電晶體基板及應用其之顯示器及其製造方法，且特別是有關於一種具有複合板之薄膜電晶體基板及應用其之顯示器及其製造方法。
隨著顯示器之應用越來越普遍，顯示器中的各種元件的開發與研究儼然成為各家廠商關心的要項之一。就基板來說，原先的顯示器大多採用玻璃基板，因其具有良好的透明度、表面平坦度、阻水氧性及尺寸穩定性(熱膨脹係數低)等特性。然而，玻璃基板通常強度不佳，有易破碎及彎折性差的缺點，不適合作為例如軟性顯示器的開發使用，亦不適合應用於需耐衝擊之顯示器。因此，各家廠商莫不開始尋求可取代玻璃基板之其他形式的基板。目前部份之顯示器係採用塑膠基板來取代以往之一般顯示器採用的玻璃基板，以達到韌性佳、強度佳、比重輕、可撓曲等特性。
然而，塑膠基板的基本物性並無法達到與玻璃基板相同的程度，例如是耐高溫、耐化、阻水氧及尺寸安定性等。尤其，塑膠基板的耐溫性、耐化性及尺寸安定性較玻璃基板差是其應用上的致命傷，必須開發相對應的低溫或特殊製程，難以使用目前一般的製程進行量產。另外，阻水氧能力不佳也造成產品特性難以維持良好，因為水或氧對於電子元件的使用穩定性與壽命息息相關。此外，由於塑膠基板剛性較差，即使在與玻璃基板相近的厚度下，其板彎程度亦無法符合現行面板廠的機台操作規格，因此塑膠基板並無法直接單獨作為基板使用，需要搭配剛性載板方可適用目前的生產製程條件。如此一來，一旦完成例如是薄膜電晶體之製作後，剛性載板與塑膠基板尚需進一步執行離型的步驟，而額外地增加了材料與製程的成本支出。
部份的廠商試圖以金屬箔板(Metal Foil)來取代玻璃基板，同時達到剛性佳、強度佳、韌性佳、可撓曲、耐高溫、耐化性佳、阻水氧能力佳及尺寸安定性佳等特性。然而，金屬板因比重大，使得完成之顯示器難以達到輕量化的需求。為了輕量化金屬板，待其上表面完成薄膜電晶體之製作後，薄膜電晶體上需覆蓋一層保護層，接著對其下表面進行蝕刻完成減薄而得到金屬箔板。如此一來，採用金屬箔板之顯示器不但製造成本高，且薄膜電晶體亦可能在蝕刻減薄的過程中損壞。因此，如何提供一種可取代玻璃基板的材料及結構，乃為相關業者努力之課題之一。
本發明係有關於一種薄膜電晶體基板及應用其之顯示器及其製造方法。該顯示器以複合板來作為承載薄膜電晶體之基板，在不變更現有之製程機台及規格的前提下取代玻璃基板，同時兼具塑膠基板及金屬箔板之優點。該顯示器可以是反射型顯示器、自發光型顯示器或其他非穿透型顯示器。
根據本發明之第一方面，提出一種薄膜電晶體基板。薄膜電晶體基板包括一複合板及數個薄膜電晶體。複合板包括一芯材結構及二絕緣結構。芯材結構包括一金屬層。此二絕緣結構分別配置於芯材結構之兩側，以夾置芯材結構於其二者之間。此些薄膜電晶體配置於複合板上。
根據本發明之第二方面，提出一種顯示器。顯示器包括一薄膜電晶體基板、一上基板及一顯示介質層。薄膜電晶體基板包括一複合板及數個薄膜電晶體。複合板包括一芯材結構及二絕緣結構。芯材結構包括一金屬層。此二絕緣結構分別配置於芯材結構之兩側，以夾置芯材結構於其二者之間。此些薄膜電晶體配置於複合板上。顯示介質層配置於薄膜電晶體基板與上基板之間。
根據本發明之第三方面，提出一種顯示器之製造方法，包括以下之步驟。提供一複合板。複合板包括一芯材結構及二絕緣結構，芯材結構包括一金屬層，此二絕緣結構分別配置於芯材結構之兩側，以夾置芯材結構於其二者之間。形成數個薄膜電晶體於複合板上，以形成一薄膜電晶體基板。提供一上基板。形成一顯示介質層於薄膜電晶體基板及上基板之間。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
請參照第1圖，其繪示根據本發明第一實施例之一種薄膜電晶體基板的剖面圖。薄膜電晶體基板100a包括複合板110及數個薄膜電晶體120。此些薄膜電晶體120配置於複合板110上。
於本實施例中，複合板110包括芯材結構111及兩個絕緣結構112s1及112s2。此兩個絕緣結構112s1及112s2分別配置於芯材結構111之兩側，以夾置芯材結構111於其二者之間。芯材結構111包括絕緣層111s及兩層金屬層111m1及111m2。金屬層111m1及111m2分別配置於絕緣層111s的兩側，以夾置絕緣層111s於其二者之間。
一般來說，複合板110的芯材結構111係具備高強度及高勁度，以承受負載及彎矩。另外，絕緣結構112s1及112s2係用以絕緣並增加結構之緩衝能力。由於本實施例之複合板110係承載薄膜電晶體120，因此，位於外側之絕緣結構112s1及112s2尚需具備耐化的特性，以避免在製造薄膜電晶體120的過程中接觸到例如是洗劑、蝕刻液或顯影液之藥劑而損壞。
茲將本實施例的複合板110進一步說明如下。首先，就複合板110之各層的材料來說，絕緣結構112s1及112s2的材料與絕緣層111s的材料例如皆為玻璃纖維布，且金屬層111m1及111m2例如皆為銅箔，以具有良好的結合性。此處之玻璃纖維布中樹脂的玻璃轉換溫度(glass transition temperature，Tg)大於170℃，可適用於低溫成長之薄膜電晶體120製程。在3.5代線，基板尺寸為620mm×750mm的情況下，就複合板110之各層的厚度比例來說，金屬層111m1及111m2的總厚度，對比絕緣結構112s1及112s2與絕緣層111s的總厚度的比例係為1:10。另外，絕緣層111s的厚度，對比絕緣結構112s1與112s2的總厚度的比例係為4.7~5.3:1。也就是說，若絕緣結構112s1、金屬層111m1、絕緣層111s、金屬層111m2及絕緣結構112s2的厚度分別以Ts1、Tm1、Ts、Tm2及Ts2表示，則(Tm1+Tm2)：(Ts1+Ts2+Ts)=1:10，且Ts：(Ts1+Ts2)=4.7~5.3:1。如此一來，根據此些厚度比例條件，利用斯托尼等式(Stoney’s equation)推算複合板110的板彎量以及玻璃基板的板彎量，以比較複合板110的剛性及玻璃基板的剛性。經過估算，總厚度約為0.73mm之複合板110的板彎量近似厚度約為0.5mm之玻璃基板的板彎量，且複合板110之重量約為900克。因此，可推得總厚度約為0.73mm之複合板110的剛性會近似於總厚度約為0.5mm之玻璃基板的剛性。
此處更根據上述的條件製作出複合板110之實際樣品並置放於傳送箱(Cassette)來做說明。請參照第2圖及表1，第2圖繪示第一實施例之複合板110的實際樣品置放於傳送箱600的第一儲存格610的示意圖，且表1表列出複合板110之實際樣品置放於傳送箱600的第一儲存格610中時之位置N11~N15分別相對於傳送箱600的底部600b的距離。
複合板110之實際樣品的相對兩側係擺置在傳送箱600的第一儲存格610的支撐部611上，使得複合板110之實際樣品的位置N11及位置N15分別表示位在支撐部611上的位置，且位置N13表示複合板110之實際樣品的中心彎曲處的位置。
以往的薄膜電晶體基板係採用玻璃基板來承載薄膜電晶體，且玻璃基板在製程中通常係置放在傳送箱中來運送。當玻璃基板置放在傳送箱中時，傳送箱的支撐部一般僅支撐玻璃基板的相對兩側。換言之，玻璃基板的中間部份並沒有被傳送箱的支撐部所支撐，因此，玻璃基板的中間部份會因重力的影響朝向傳送箱的底部彎曲。為了避免玻璃基板在機械手臂取片時因過度彎曲遭到撞擊而破裂或損壞，玻璃基板的最大板彎量係有一定的規範。當厚度為0.5mm的玻璃基板位於第一儲存格，其中心彎曲處(也就是彎曲程度最大的位置)相對於傳送箱的底部的距離為24~37mm，為製程機台預設的規範。目前使用之0.5mm玻璃基板相對傳送箱之底部的距離約為29mm。
如表1所列，由於本實施例的複合板110之實際樣品位於傳送箱600之第一儲存格610的中心彎曲處(位置N13)到傳送箱600之底部600b的距離(28.5mm)接近於0.5mm的玻璃基板；另外，製程上對基板厚度的限制為0.1mm~1.0mm，複合板110的厚度合乎其規範。因此，本實施例之複合板110可在不變更現有的機台及規格的前提下，取代例如是0.5mm的玻璃基板來作為承載薄膜電晶體120之用。
另外，複合板110的彎曲模量(Flexural Modulus)一般約為20~25 GPa，相較一般玻璃基板而言不易破損且可較玻璃基板承受較大的彎折力，以減少製程中因運送過程的碰撞或施壓所可能損壞的機率，同時可提升顯示器產品可撓曲及耐衝擊的特性。再者，由於本實施例之複合板110係為一種對稱性的結構，因此，即使複合板110內包括不同種類的材料而具有不同的熱膨脹係數，複合板110仍可在進行例如是烘烤或加熱的製程時有效地避免翹曲的現象產生。此外，由於本實施例之複合板110包括金屬層111m1及111m2，相較於塑膠基板而言阻水氧的特性較佳，且耐高溫及熱穩定性亦具有良好的表現。
請參照第3圖，其繪示根據本發明第一實施例之一種薄膜電晶體基板之製造方法的流程圖。於步驟S101中，提供如第1圖所示之複合板110。複合板110之各層的配置及材料已說明於前述中，此處即不再贅述。接著，於步驟S103中，形成數個薄膜電晶體120於複合板110上。如此一來，即可完成本實施例之薄膜電晶體基板100a之製作，而具有前述的優點。
請參照第4圖，其繪示根據本發明第一實施例之一種顯示器的剖面圖。顯示器10包括上基板100b、顯示介質層100c及如第1圖所示之薄膜電晶體基板100a。薄膜電晶體基板100a之各結構的配置及材料已說明於前述中，此處即不再贅述。由於顯示器10係包括薄膜電晶體基板100a，因此，顯示器10係可具有部分可撓曲及耐衝擊的特性。上基板100b具光穿透性，其功能可為承載、導電、彩色化、水氧阻障、耐衝擊、抗污或觸控(Touch)等。上基板100b包括一主要結構，此主要結構可為硬質板、軟質板或塗佈層；上基板100b可選擇附加次要結構，此次要結構可為彩色濾光片、圖案化導電層、觸控感應模組、表面硬化層或水氧阻障層等，或其複數之組合。顯示介質層100c可為液晶層、電泳(EP，Electro-Phoretic)層、電濕潤(EW，Electro Wetting)層或高速響應液態粉末(QR-LP,Quick Response Liquid Powder)層等。顯示介質層100c配置於薄膜電晶體基板100a與上基板100b之間。
就顯示器10之製造方法來說，顯示器10之製造方法包括了第3圖之流程步驟，且在第3圖之流程步驟後更包括提供上基板100b之步驟，以及形成顯示介質層100c於薄膜電晶體基板100a及上基板100b之間的步驟。如此一來，即可製成顯示器10。
請參照第5圖，其繪示根據本發明第一實施例之另一種薄膜電晶體基板的剖面圖。相較於第1圖中之薄膜電晶體基板100a，第5圖中之薄膜電晶體基板100a’更包括平坦層130’及保護層150’。平坦層130’介於複合板110’及薄膜電晶體120’及其他薄膜結構之間。平坦層130’的材料可為一般光阻(Photo Resister)或其他有機高分子材料，且平坦層130’厚度約為1~2μm。平坦層130’的作用在填平複合板110’表面，使表面平整度達到小於10nm等級，符合薄膜電晶體120’製程規範。另外，可增加複合板110’表面的耐化性，以及增加複合板110’表面對鍍膜的附著力，使得各鍍膜更容易附著於板體表面上，避免膜層剝裂(peeling)現象。保護層150’至少配置於複合板110’之側邊。進一步來說，本實施例之保護層150’係配置於複合板110’之側邊以及平坦層130’之側邊。保護層150’的材料可為光阻或有機高分子材料。於本實施例中，在完成平坦層130’之製作後，保護層150’可藉由現有的洗邊機(Edge Read Rinse，EBR)來形成。更詳細地說，欲用以作為保護層150’的材料係填充於洗邊機的儲存槽內。洗邊機係沿著複合板110’及其上之平坦層130’之周圍移動，或者複合板110’及其上之平坦層130’係相對於洗邊機旋轉，使得洗邊機之儲存槽內的材料係可塗佈在複合板110’之側邊以及平坦層130’之側邊，以形成保護層150’。由於保護層150’係可利用現行的製程設備來製成，因此，在設備成本低的前提下，複合板110’的側邊也可具有耐化學侵蝕的能力，增加複合板110’結構在製程中的保護。
請參照第6圖，其繪示根據本發明第一實施例之另一種薄膜電晶體基板之製造方法的流程圖。於步驟S101’中，提供例如是如第5圖所示之複合板110’。接著，於步驟S102a’中，覆蓋平坦層130’於複合板110’上。然後，於步驟S102b’中，形成保護層150’於複合板110’之側邊以及平坦層130’之側邊。最後，於步驟S103’中，形成數個薄膜電晶體120’於平坦層130’上。如此一來，即可完成本實施例之薄膜電晶體基板100a’之製作，而具有類似於第3圖中所製成之薄膜電晶體基板100a的優點。此外，由於平坦層130’係介於複合板110’及薄膜電晶體120’間，因此，平坦層130’可進一步提供例如是平坦複合板110’之表面、增加鍍膜附著力、及增加表面耐化性的優點。再者，保護層150’係位於複合板110’的側邊及平坦層130’之側邊，因此，複合板110’之側邊及平坦層130’之側邊的耐化性也可提高。
請參照第7圖，其繪示根據本發明第一實施例之另一種顯示器的剖面圖。顯示器10’包括上基板100b’、顯示介質層100c’及如第5圖所示之薄膜電晶體基板100a’。薄膜電晶體基板100a’、上基板100b’及顯示介質層100c’之配置係類似於第4圖中之薄膜電晶體基板100a、上基板100b及顯示介質層100c之配置，此處即不再贅述。
就顯示器10’之製造方法來說，顯示器10’之製造方法包括了第6圖之流程步驟，且在第6圖之流程步驟後更包括提供上基板100b’之步驟，以及形成顯示介質層100c’於薄膜電晶體基板100a’及上基板100b’之間的步驟。如此一來，即可製成顯示器10’。
請參照第8圖，其繪示根據本發明第二實施例之一種薄膜電晶體基板200a之剖面圖。相較於第一實施例之薄膜電晶體基板100a，本實施例之薄膜電晶體基板200a中之複合板210的結構與材料相異於第一實施例之薄膜電晶體基板100a中之複合板110的結構與材質。
於本實施例中，複合板210包括芯材結構211及兩個絕緣結構212s1及212s2。絕緣結構212s1及212s2分別配置於芯材結構211的兩側，以夾置芯材結構211於其二者之間。本實施例的芯材結構211即為一層金屬層。數個薄膜電晶體220配置於複合板210上。
於本實施例中，為金屬層之芯材結構211的材料可為金屬合金，例如是鋁合金、鎂合金或鈦合金等。以採用鋁合金來說，芯材結構211的材料可更例如是鋁鎂合金、鋁鎂釸合金或鋁鋅合金等，以具有接近於玻璃材質之剛性及耐高溫的特性。另外，絕緣結構212s1及212s2可例如是奈米級二氧化鈦(TiO2
)高分子、聚二氟乙烯(Polyvinylidene Fluoride，PVDF)或玻璃纖維布等材料。
請參照表2，其表列出不同結構及材質之基板在具有相近剛性下的物理性質。以下先就數個結構，在3.5代線基板尺寸為620mm×750mm情況下，利用斯托尼等式(Stoney’s equation)的推算數值來做說明，其中，複合板210之芯材結構211的材料例如是鋁鎂合金。
於表2中，在剛性相同的前提下，厚度為0.5mm的鋁鎂合金基板係較厚度為0.5mm的玻璃基板的重量略為增加。但是，當複合板210之絕緣結構212s1及212s2的材料為玻璃纖維布，複合板210的總厚度及重量相當於0.7mm的玻璃基板。然而，當複合板210之絕緣結構212s1及212s2的材料為奈米級二氧化鈦高分子時，複合板210的總厚度及重量係可略低於0.6mm的玻璃基板。
以下進一步製作出複合板210之兩種實際樣品並做說明。在複合板210的第一種實際樣品中，芯材結構211的材料為鋁鎂合金，且芯材結構211之厚度為0.5mm。另外，絕緣結構212s1及212s2之材料為玻璃纖維布，且絕緣結構212s1及212s2的總厚度為0.16mm。如此一來，在此些條件下，總厚度約為0.66mm之複合板210的剛性會近似於總厚度約為0.5mm之玻璃基板的剛性，且複合板210的重量約為777克。
請參照第9圖及表3，第9圖繪示第二實施例之複合板210的第一實際樣品置放於傳送箱700的第一儲存格710的示意圖，且表3表列出複合板210之第一種實際樣品置放於傳送箱700的第一儲存格710時的位置N21~N25分別相對於傳送箱700的底部700b的距離。
複合板210之第一種實際樣品的相對兩側係擺置在傳送箱700的第一儲存格710的支撐部711上，使得複合板210之第一種實際樣品的位置N21及位置N25分別表示位在支撐部711上的位置，且位置N23表示複合板210之第一種實際樣品的中心彎曲處的位置。本實施例之複合板210之第一種實際樣品位於傳送箱700之第一儲存格710的中心彎曲處(位置N23)至傳送箱700的底部700b的距離(27.5mm)係介於預設之規範(24~37mm)內。同時，複合板210之第一種實際樣品的厚度亦符合製程上對基板厚度的預設之規範(0.1mm~1.0mm)。因此，具有材料為玻璃纖維布之絕緣結構212s1及212s2的複合板210可提供類似於第一實施例之複合板110之優點。
在複合板210的第二種實際樣品中，芯材結構211的材料為鋁鎂合金，且芯材結構211之厚度為0.6mm。另外，絕緣結構212s1及212s2之材料為奈米級二氧化鈦高分子，且絕緣結構212s1及212s2的總厚度為0.06mm。如此一來，在此些條件下，總厚度約為0.66mm之複合板210的剛性會優於總厚度約為0.5mm之玻璃基板的剛性，且複合板210之重量約為809克。
請參照第10圖及表4，第10圖繪示第二實施例之複合板210的第二實際樣品置放於傳送箱800的第一儲存格810的示意圖，且表4表列出複合板210之第二種實際樣品置放於傳送箱800之第一儲存格810時之位置N31~N35分別相對於傳送箱800之底部800b的距離。
複合板210之第二種實際樣品的相對兩側係擺置在傳送箱800的第一儲存格810的支撐部811上，使得複合板210之第二種實際樣品的位置N31及位置N35分別表示位在支撐部811上的位置，且位置N33表示複合板210的第二種實際樣品的中心彎曲處的位置。本實施例之複合板210之第二種實際樣品位於傳送箱800之第一儲存格810的中心彎曲處(位置N33)至傳送箱800之底部800b的距離(31.0mm)係介於預設之規範(24~37mm)內。同時，複合板210之第二種實際樣品的厚度亦符合製程上對基板厚度的預設之規範(0.1mm~1.0mm)。因此，具有材料為奈米級二氧化鈦高分子之絕緣結構212s1及212s2的複合板210可提供類似於第一實施例之複合板110之優點。
此外，當芯材結構211之厚度為0.6mm時，複合板210之第二種實際樣品的中心彎曲處(位置N33)至傳送箱800之底部800b的距離大於0.5mm玻璃基板的中心彎曲處(位置N33)至傳送箱800之底部800b的距離約2mm，因此，芯材結構211之厚度亦可縮減至0.5mm，以在滿足規範的前提下，更進一步減輕重量。
本實施例之薄膜電晶體基板200a之製造方法的流程步驟係類似於第一實施例之第3圖中的薄膜電晶體基板100a之製造方法的流程步驟，因此，此處僅就差異部份再做說明。於本實施例中，提供複合板210之步驟包括兩個步驟，此兩個步驟分別依序為陽極處理芯材結構211，以及形成絕緣結構212s1及212s2於經陽極處理之芯材結構211的兩側，以夾置芯材結構211於其二者之間來形成複合板210。接著，形成薄膜電晶體220於複合板210上，以完成本實施例之薄膜電晶體基板200a而具有前述之優點。
請參照第11圖，其繪示根據本發明第二實施例之一種顯示器的剖面圖。顯示器20包括上基板200b、顯示介質層200c及如第8圖所示之薄膜電晶體基板200a。薄膜電晶體基板200a之結構的配置及材料已說明於前述中，此處即不再贅述。由於顯示器20係包括薄膜電晶體基板200a，因此，顯示器20係具有可撓曲及耐衝擊的特性。上基板200b具光穿透性，其功能可為承載、導電、彩色化、水氧阻障、耐衝擊、抗污或觸控(Touch)等。上基板200b包括一主要結構，此主要結構可為硬質板、軟質板或塗佈層；上基板200b可選擇附加次要結構，此次要結構可為彩色濾光片、圖案化導電層、觸控感應模組、表面硬化層或水氧阻障層等，或其複數之組合。顯示介質層200c可為液晶層、電泳(EP，Electro-Phoretic)層、電濕潤(EW，Electro Wetting)層或高速響應液態粉末(QR-LP，Quick Response Liquid Powder)層等。顯示介質層200c配置於薄膜電晶體基板200a與上基板200b之間。
就顯示器20之製造方法來說，顯示器20之製造方法包括了薄膜電晶體基板200a之製造方法的流程步驟。在薄膜電晶體基板200a之製造方法的流程步驟後，顯示器20之製造方法更包括提供上基板200b之步驟，以及形成顯示介質層200c於薄膜電晶體基板200a及上基板200b之間的步驟。如此一來，即可製成顯示器20。
請參照第12圖，其繪示根據本發明第二實施例之另一種薄膜電晶體基板的剖面圖。相較於第8圖中之薄膜電晶體基板200a，第12圖中之薄膜電晶體基板200a’更包括平坦層230’及保護層250’。平坦層230’介於複合板210’及薄膜電晶體220’及其他薄膜結構之間。平坦層230’的材料可為一般光阻(Photo Resister)或其他有機高分子材料，且平坦層230’厚度約為1~2μm。平坦層230’的作用在填平複合板210’表面，使表面平整度達10nm等級，符合薄膜電晶體220’製程規範。另外，可增加複合板210’表面的耐化性，以及增加複合板210’表面對鍍膜的附著力，使得各鍍膜更容易附著於板體表面上，避免膜層剝裂(peeling)現象。保護層250’至少配置於複合板210’之側邊。進一步來說，本實施例之保護層250’係配置於複合板210’之側邊以及平坦層230’之側邊。保護層250’的材料可為光阻或有機高分子材料。本實施例之保護層250’之形成方法可類似於第一實施例之保護層150’之形成方法，因此，此處並不重複說明。由於保護層250’係可利用現行的製程設備來製成，因此，在設備成本低的前提下，複合板210’的側邊及平坦層230’的側邊可具有耐化學侵蝕的能力，增加複合板210’結構在製程中的保護。
相較於薄膜電晶體基板200a的製造方法，薄膜電晶體基板200a’之製造方法係在形成薄膜電晶體220’的步驟之前，更包括覆蓋平坦層230’於複合板210’上之步驟，以及形成保護層250’於複合板210’之側邊以及平坦層230’之側邊的步驟。最後，再形成薄膜電晶體220’於平坦層230’上，即可完成本實施例之薄膜電晶體基板200’，以具有前述之優點。
請參照第13圖，其繪示根據本發明第二實施例之另一種顯示器的剖面圖。顯示器20’包括上基板200b’、顯示介質層200c’及如第12圖所示之薄膜電晶體基板200a’。薄膜電晶體基板200a’、上基板200b’及顯示介質層200c’之配置係類似於第11圖之薄膜電晶體基板200a、上基板200b及顯示介質層200c之配置，因此，此處並不重複說明。另外，顯示器20’之製造方法係類似於顯示器20的製造方法。唯，顯示器20’之製造方法更包括覆蓋平坦層230’於複合板210’上之步驟，以及形成保護層250’於複合板210’之側邊以及平坦層230’之側邊的步驟。之後，薄膜電晶體220’係形成在平坦層230’上來完成薄膜電晶體基板200a’的製作。其餘之步驟即不再重複說明。
根據本實施例之薄膜電晶體及應用其之顯示器及其製造方法，其藉由薄膜電晶體基板之複合板來承載薄膜電晶體。如此一來，藉由複合板的結構配置及材料選用，複合板可在不變更現行之機台及規格的前提下，進行量產來取代以往之玻璃基板，以增加基板之選用彈性。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、10’、20、20’．．．顯示器
100a、100a’、200a、200a’．．．薄膜電晶體基板
100b、100b’、200b、200b’．．．上基板
100c、100c’、200c、200c’．．．顯示介質層
110、110’、210、210’．．．複合板
111、211．．．芯材結構
111m1、111m2．．．金屬層
111s．．．絕緣層
112s1、112s2、212s1、212s2．．．絕緣結構
120、120’、220、220’．．．薄膜電晶體
130’、230’．．．平坦層
150’、250’．．．保護層
600、700、800．．．傳送箱
600b、700b、800b．．．底部
610、710、810．．．第一儲存格
611、711、811．．．支撐部
N11~N15、N21~N25、N31~N35．．．位置
S101、S103、S101’~S103’．．．流程步驟
Tm1、Tm2、Ts、Ts1、Ts2．．．厚度
第1圖繪示根據本發明第一實施例之一種薄膜電晶體基板的剖面圖。
第2圖繪示繪示第一實施例之複合板的實際樣品置放於傳送箱的第一儲存格的示意圖。
第3圖繪示根據本發明第一實施例之一種薄膜電晶體基板之製造方法的流程圖。
第4圖繪示根據本發明第一實施例之一種顯示器的剖面圖。
第5圖繪示根據本發明第一實施例之另一種薄膜電晶體基板的剖面圖。
第6圖繪示根據本發明第一實施例之另一種薄膜電晶體基板之製造方法的流程圖。
第7圖繪示根據本發明第一實施例之另一種顯示器的剖面圖。
第8圖繪示根據本發明第二實施例之一種薄膜電晶體基板之剖面圖。
第9圖繪示第二實施例之複合板的第一實際樣品置放於傳送箱的第一儲存格的示意圖。
第10圖繪示第二實施例之複合板的第二實際樣品置放於傳送箱的第一儲存格的示意圖。
第11圖繪示根據本發明第二實施例之一種顯示器的剖面圖。
第12圖繪示根據本發明第二實施例之另一種薄膜電晶體基板的剖面圖。
第13圖繪示根據本發明第二實施例之另一種顯示器的剖面圖。
200a．．．薄膜電晶體基板
210．．．複合板
211．．．芯材結構
212s1、212s2．．．絕緣結構
220．．．薄膜電晶體
Claims (14)
- 一種薄膜電晶體基板，包括：一複合板，包括：一芯材結構，包括：一金屬層；一絕緣層；及另一金屬層，該金屬層及另該金屬層分別配置於該絕緣層的兩側，以夾置該絕緣層於其二者之間；及二絕緣結構，分別配置於該芯材結構的兩側，以夾置該芯材結構於其二者之間，其中該金屬層與另該金屬層的總厚度，對比該二絕緣結構與該絕緣層的總厚度的比例係為1：10；以及複數個薄膜電晶體，配置於該複合板上。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板，其中該絕緣層的厚度對比該二絕緣結構的總厚度的比例係為4.7~5.3：1。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板，更包括：一平坦層，介於該複合板及該些薄膜電晶體間。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體基板，更包括：一保護層，至少配置於該複合板之側邊。
- 一種顯示器，包括：一薄膜電晶體基板，包括： 一複合板，包括：一芯材結構，包括：一金屬層；一絕緣層；及另一金屬層，該金屬層及另該金屬層分別配置於該絕緣層的兩側，以夾置該絕緣層於其二者之間；及二絕緣結構，分別配置於該芯材結構的兩側，以夾置該芯材結構於其二者之間，其中該金屬層與另該金屬層的總厚度，對比該二絕緣結構與該絕緣層的總厚度的比例係為1：10；以及複數個薄膜電晶體，配置於該複合板上；一上基板；以及一顯示介質層，配置於該薄膜電晶體基板與該上基板之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示器，其中該絕緣層的厚度對比該二絕緣結構的總厚度的比例係為4.7~5.3：1。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示器，其中該薄膜電晶體基板更包括：一平坦層，介於該複合板及該些薄膜電晶體間。
- 如申請專利範圍第5項所述之顯示器，其中該薄膜電晶體基板更包括：一保護層，至少配置於該複合板之側邊。
- 一種顯示器之製造方法，包括： 提供一複合板，該複合板包括一芯材結構及二絕緣結構，該芯材結構包括一金屬層、一絕緣層及另一金屬層，該金屬層及另該金屬層分別配置於該絕緣層的兩側，以夾置該絕緣層於其二者之間，該二絕緣結構分別配置於該芯材結構的兩側，以夾置該芯材結構於其二者之間，其中該金屬層與另該金屬層的總厚度，對比該二絕緣結構與該絕緣層的總厚度的比例係為1：10；以及形成複數個薄膜電晶體於該複合板上，以形成一薄膜電晶體基板；提供一上基板；以及形成一顯示介質層於該薄膜電晶體基板及該上基板之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之顯示器之製造方法，其中於提供該複合板之該步驟中，該絕緣層的厚度對比該二絕緣結構的總厚度的比例係為4.7~5.3：1。
- 如申請專利範圍第9項所述之顯示器之製造方法，其中提供該複合板之該步驟包括：陽極處理該芯材結構；以及形成該二絕緣結構於經陽極處理之該芯材結構的兩側，以夾置該芯材結構於其二者之間來形成該複合板。
- 如申請專利範圍第9項所述之顯示器之製造方法，其中於形成該些薄膜電晶體於該複合板上之前，該顯示器之製造方法更包括：覆蓋一平坦層於該複合板上，使得該平坦層介於該複合板及該些薄膜電晶體間。
- 如申請專利範圍第9項所述之顯示器之製造方法，其中於形成該些薄膜電晶體於該複合板上之前，該顯示器之製造方法更包括：形成一保護層於該複合板之側邊。
- 一種薄膜電晶體基板，包括：一複合板，包括：一芯材結構，包括一金屬層；及二絕緣結構，分別配置於該芯材結構的兩側，以夾置該芯材結構於其二者之間，其中該二絕緣結構為奈米級二氧化鈦高分子、聚二氟乙烯、或玻璃纖維布；以及複數個薄膜電晶體，配置於該複合板上。
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