TWI465820B - 液晶裝置 - Google Patents

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TWI465820B
TWI465820B TW097130440A TW97130440A TWI465820B TW I465820 B TWI465820 B TW I465820B TW 097130440 A TW097130440 A TW 097130440A TW 97130440 A TW97130440 A TW 97130440A TW I465820 B TWI465820 B TW I465820B
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Yutaka Tsuchiya
Toshiyuki Kasai
Ayae Sawado
Akihide Haruyama
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Japan Display West Inc
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Description

液晶裝置
相關於本發明之一個態樣，圍觀於液晶裝置及電子機器，特別是關於使用OCB(Optically Compensated Birefringence，光學補償雙折射)模式之液晶裝置。
於OCB模式之液晶裝置，被封入一對基板間的液晶層，係以可採放射(splay)配向或者彎曲(bend)配向之任一配向狀態之方式被構成。而此液晶層在初期狀態為放射配向，在進行顯示時，藉由施加移轉電壓使移轉至彎曲配向而使用。這樣的OCB模式的液晶裝置，因為在顯示動作時是以彎曲配向之彎曲程度來調變透過率以進行顯示，所以有具備高速回應性之優點。
圖18係顯示OCB模式之液晶裝置的畫素構造之例，(a)為平面圖，(b)為(a)圖中之D-D線之剖面圖。此液晶裝置之畫素44，如圖18(b)所示，具有元件基板10、對向基板30、被配置於元件基板10與對向基板30之間的液晶層40。於元件基板10，如圖18(a)所示，被形成平行配置的複數閘極線12，與複數源極線14，對應於閘極線12與源極線14之交叉，被形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)元件20。此外，於TFT元件20，被導電連接畫素電極16。畫素電極16，被形成於2條閘極線12與2條源極線14包圍的區域。在畫素電極16，與閘極線12及源極線14之間，俯視被設有間隔。
在使液晶層40由放射配向移轉至彎曲配向的場合，首先對閘極線12與畫素電極16之間施加移轉電壓。此時，於液晶層40，產生具有連結閘極線12與畫素電極16之電力線的如圖18(b)所示之電場F。液晶層40所包含的液晶分子40a，依照電場F而改變配向方向，移轉至彎曲配向。於初期，在閘極線12與畫素電極16之間的凹部60或者其附近，產生彎曲配向之移轉核。其後，藉由在畫素電極16，與對向基板30上的共通電極36之間施加移轉電壓，可以移轉核為起點在畫素電極16上擴展彎曲配向區域。如此進行，由放射配向移轉往彎曲配向。這樣的移轉方法，例如已揭示於專利文獻1。
[專利文獻1]日本專利特開2001-296519號公報
然而，如前述之液晶裝置的場合，移轉核主要產生於畫素電極16的外側凹部60的位置。為了由此狀態使彎曲配向區域擴展於畫素電極16上，有必要超越凹部60與畫素電極16之間的階差而使其擴大，因此有彎曲配向區域不易擴大的問題點。起因於此，為了使彎曲配向區域於畫素電極16上擴大必須要較高的移轉電壓，因此有進行往彎曲配向的移轉動作時耗電量變大的問題點。此外，在往彎曲配向移轉時，直到產生移轉核的彎曲配向區域擴展到畫素電極16上之全部範圍為止有必要持續施加移轉電壓，彎曲配向區域擴展到畫素電極16上之全部範圍所必要的時間，隨著畫素越大變得越長。因此，本發明以減低液晶裝置的耗電量為目的之一，追求能夠以更低的移轉電壓，在更短的時間內進行移轉的液晶裝置。
本發明係為了解決前述課題之至少一部份而為之發明，可以實現為以下的型態或者適用例。
[適用例1]一種液晶裝置，其特徵為具備：第1基板、對向於前述第1基板而被配置之第2基板、被配置於前述第1基板與前述第2基板之間的可採放射(splay)配向或者彎曲(bend)配向之任一配向狀態之液晶層、被形成於前述第1基板之前述液晶層側的複數閘極線、於前述第1基板之前述液晶層側俯視以與前述閘極線交叉的方式被形成之複數源極線、於前述第1基板之前述液晶層側對應於前述閘極線與前述源極線之交叉而形成之開關元件，及被形成於前述第1基板之前述液晶層側而導電接續於前述開關元件的畫素電極；前述畫素電極，在複數前述閘極線與複數前述源極線之中至少與前述畫素電極相鄰之一閘極線的一部份或者與前述畫素電極相鄰之一源極線之一部份俯視為重疊。
根據如此的構成，對閘極線或源極線，與一部份重疊於此的畫素電極之間施加移轉電壓時，與沒有重疊的場合相比在液晶層多產生第1基板的法線方向的成分之電場。此外，此電場因為電極間距離很近所以強度相當大。根據這樣的電場，於液晶層可以更為容易地產生彎曲配向之移轉核。亦即，可以更低的移轉電壓來產生彎曲配向的移轉核。此外，根據前述構成，於某個區域因閘極線或源極線與畫素電極部分重疊，所以於此區域，閘極線或源極線，與畫素電極之間無法形成間隙，所以不會形成凹部。因此，施加移轉電壓時移轉核不會嵌於前述凹部，可以使彎曲配向區域在畫素電極上容易擴展。因而，可以更低的移轉電壓據展彎曲配向區域。又，於本說明書，所謂的「移轉電壓」係供使液晶層由放射配向移轉至彎曲配向之用的電壓。此外，「俯視」係指由第1基板的法線方向來觀察。
[適用例2]係前述之液晶裝置，特徵為前述畫素電極，被形成為具有至少沿著前述閘極線延伸的2個邊，與沿著前述源極線延伸的2個邊，與前述畫素電極重疊的前述一閘極線或前述一源極線，與被導電接續至該畫素電極的前述開關元件沒有對應。
根據這樣的構成，畫素電極部分重疊於與該畫素電極自身沒有導電連接的閘極線或源極線。因此，即使因為該重疊產生寄生電容，對顯示造成的影響也可以抑制於相當低。此外，藉由限定與畫素電極重疊的閘極線或源極線的數目，或者重疊面積，可以減低由於該重疊而產生的寄生電容。
[適用例3]為前述之液晶裝置，特徵為前述閘極線或前述源極線具有屈曲部，前述畫素電極之邊，沿著前述閘極線之前述屈曲部或前述源極線之前述屈曲部彎曲，前述畫素電極，於前述屈曲部，俯視重疊於前述閘極線之一部份或前述源極線之一部份。
藉由如此般的構成，在對閘極線或源極線與畫素電極之間施加移轉電壓時，於屈曲部52的附近，可以容易產生移轉核。因而，可以更低的移轉電壓來進行往彎曲配向的移轉。
[適用例4]為前述之液晶裝置，前述屈曲部具有V字形狀或矩形狀的部分。
藉由如此般的構成，在對閘極線或源極線與畫素電極之間施加移轉電壓時，V字形狀的角部或矩形狀的角部或者角部彼此接近的場合於邊部的附近，可以容易使其產生移轉核。因而，可以更低的移轉電壓來進行往彎曲配向的移轉。
[適用例5]前述之液晶裝置，具備：前述第1基板之前述液晶層側之中，至少被形成於俯視沿著前述屈曲部的區域或者具有沿著前述屈曲部的邊之區域的反射膜，與前述第2基板之前述液晶層側之中，被形成於俯視與前述反射膜重疊的區域的液晶層厚調整層。
根據這樣的構成，藉由移轉電壓的施加，在反射膜及液晶層厚調整層被形成的區域，或者其附近產生移轉核。此處，被形成反射膜的區域的液晶層的厚度，比未被形成反射膜的區域的液晶層的厚度更小上液晶層厚調整層的厚度部分。因此，在被形成反射膜的區域，根據移轉電壓之電場強度變大，彎曲配向區域在短時間內擴大。因而，根據前述構成，可以沿著反射膜形成區域在短時間內擴大彎曲配向區域。
[適用例6]前述之液晶裝置，其中前述畫素電極，至少其對向之2邊，沿著前述閘極線之前述屈曲部或前述源極線之前述屈曲部彎曲，前述反射膜及前述液晶層厚調整層，被形成為俯視聯繫於聯繫前述對向的2邊之區域。
根據這樣的構成，由畫素電極之對向的2邊起直到畫素電極的中央部為止，被設為液晶層的厚度較小的區域連成一氣。因此，在前述2邊的附近產生的移轉核為起點，可以在短時間內擴展彎曲配向區域直到畫素電極的中央部。
[適用例7]前述之液晶裝置，前述反射膜及前述液晶層厚調整層，具有隨著離開前述畫素電極之彎曲的邊而寬幅增大的部分。
根據這樣的構成，畫素電極之上述對向的2邊起朝向中央部擴大的彎曲配向區域，在中央部附近，於前述2邊具有平行的速度成分而擴大。藉此，彎曲配向區域即使於反射膜及液晶層厚調整層之未被形成的區域也以前述之速度成分擴大，所以可在短時間內擴展彎曲配向區域。
[適用例8]前述之液晶裝置，前述反射膜及前述液晶層厚調整層，被形成於在前述畫素電極的中央部放射狀地伸展的區域。
根據這樣的構成，畫素電極之上述對向的2邊起朝向中央部擴大的彎曲配向區域，在反射膜及液晶層厚調整層放射狀擴展的部分，以具有沿著該部分的延伸方向的種種速度成分擴大。藉此，彎曲配向區域即使於反射膜及液晶層厚調整層之未被形成的區域也以前述之速度成分擴大，所以可在短時間內擴展彎曲配向區域。
[適用例9]具有前述液晶裝置之電子機器。根據這樣的構成，可以得到能夠在短時間內，且以低耗電量使液晶裝置移轉至彎曲配向模式之電子機器。
以下，參照圖面說明液晶裝置及電子機器之實施型態。又，於以下所示之各圖，為了使各構成要素在圖面上標示為可辨識的程度之大小，所以適當地使各構成要素的尺寸或比例與實際有所不同。
[第1実施形態] <A.液晶裝置的構成>
圖1係顯示液晶裝置1的構成，(a)為立體圖，(b)為(a)圖中之A-A線之剖面圖。液晶裝置1，係作為開關元件使用TFT元件20(圖4)之主動矩陣型之液晶裝置，同時也是OCB模式之液晶裝置。液晶裝置1，具有中介著框狀的密封劑41對向而被貼合的元件基板10及對向基板30。在由元件基板10、對向基板30、密封劑41所圍起來的空間，被封入可採放射(splay)配向或者彎曲(bend)配向之任一配向狀態之液晶層40。元件基板10，比對向基板30還要大，以一部分對對向基板30伸出的狀態被貼合。於此伸出的部位，被實裝有供驅動液晶層40之用的驅動器IC 42。
液晶裝置1於被封入液晶層40的顯示區域43進行顯示。液晶層40，於初期如圖2(a)所示為放射配向，進行顯示時如圖2(b)所示移轉為彎曲配向來使用。由放射配向至彎曲配向之移轉，藉由對液晶層40施加移轉電壓而進行。於彎曲配向，液晶層40所含有的液晶分子40a成弓狀排列，藉由改變其弓狀形狀的彎曲程度而調變透過率進行顯示。
圖3為顯示區域43之擴大平面圖。如此圖所示，液晶裝置1，具有多數對應於紅、綠、藍之畫素44R、44G、44G(以下，在不區別對應的顏色的場合僅稱之為畫素44)。畫素44，被配置為矩陣狀，被配置於某一列的畫素44之顏色均為相同。換句話說，畫素44，係以對應之色排列為條紋狀的方式被配置。在相鄰的畫素44之間的區域，被形成遮光層34。此外，排列於行方向的相鄰的3個畫素44R、44G、44B所構成的畫素群，構成顯示的最小單位(像素，pixel)。液晶裝置1，於各畫素群，藉由調節畫素44R、44G、44B之亮度平衡，可以進行種種色之顯示。
<B.等價電路>
圖4係液晶裝置1之顯示區域43之各種元件、配線等之等價電路圖。於顯示區域43，複數之閘極線12與複數之源極線14以交叉的方式被形成。畫素44，係對應於閘極線12與源極線14之交叉而設的，每個畫素44被形成畫素電極16。此外，沿著閘極線12，被形成電容線15，畫素電極16與電容線15之間被形成輔助電容15a。
於對應閘極線12與源極線14之交叉的位置，被形成供進行對畫素電極16之通電控制之用的，作為開關元件之TFT元件20。於TFT元件20之源極端子，被導電連接源極線14。於TFT元件20之閘極端子，被導電連接閘極線12。於TFT20之汲極區域，被導電達接畫素電極16。
液晶裝置1，藉由這樣的電路構成，在進行顯示時以下述方式動作。又，液晶裝置1之由放射配向往彎曲配向之移轉動作將於稍後敘述。
於各源極線14被供給影像訊號S1、S2、…、Sm。於閘極線12，以特定的計時脈衝地，或者連續地供給掃描訊號G1、G2、…、Gn。接著，由閘極線12對TFT元件20之閘極端子供給掃描訊號G1、G2、…、Gn，當TFT元件20成為打開(ON)狀態時，以特定的計時由源極線14供給的影像訊號S1、S2、…、Sm經由TFT元件20被施加於畫素電極16。
被施加於畫素電極16的特定位準的影像訊號S1、S2、…、Sm，與共通電極36(圖5(b))之電位所決定的電壓成為驅動電壓，被施加於液晶層40。前述驅動電壓，藉由液晶層40之電容以及輔助電容15a被保持一定期間。對液晶層40施加驅動電壓時，因應於被施加的電壓位準而改變液晶分子40a的配向狀態。藉此，入射至液晶層40的光被調變而可以顯示灰階。
<C.剖面構造>
圖5係顯示畫素44的構成之圖，(a)係由對向基板30側所見之平面圖，(b)係(a)圖中之B1-B1線之剖面圖。圖6為圖5(a)之C-C線之剖面圖。以下，參照這些圖說明畫素44之構成。
如圖6所示，元件基板10，係以作為第1基板之基板11來作為基體而被構成的。作為基板11，可以使用玻璃基板或石英基板等。於基板11之液晶層40側，被形成閘極線12與電容線15。在基板11、與閘極線12及電容線15之間，進而設有由氧化矽(SiO2 )等所構成的絕緣層亦可。於閘極線12之上層，夾著由氧化矽(SiO2 )等所構成的層間絕緣膜23被形成半導體層20a。半導體層20a，例如可以由非晶矽或多晶矽等來構成。此外，以部分重疊於半導體層20a的狀態，被形成源極電極20s與汲極電極20d。源極電極20s，可以與源極線14(圖5(a))一體形成。半導體層20a、源極電極20s、汲極電極20d、閘極線12等構成TFT元件20。閘極線12，兼具有TFT元件20之閘極電極20g之角色。閘極線12(閘極電極20g)、源極電極20s、汲極電極20d、源極線14、電容線15等例如可以由鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、等高融點金屬之中的至少含有一之金屬單體、合金、金屬矽化物、聚矽酸鹽、或層積這些者，或由導電性多晶矽等來構成。
於TFT元件20之上層，夾著由氧化矽(SiO2 )等所構成的層間絕緣膜24而形成畫素電極16。畫素電極16，透過被設於層間絕緣膜24的接觸孔21而被導電連接接續於TFT元件20的汲極電極20d。畫素電極16，例如可以由具有透光性的ITO(銦錫氧化物Indium Tin Oxide)來構成。
畫素電極16，與電容線15對向，在與電容線15之間構成輔助電容15a(圖4)。於畫素電極16上，被形成由聚醯亞胺所構成的配向膜(未圖示)。元件基板10，藉由從基板11至配向膜為止的要素所構成。
對向基板30，把作為第2基板之基板31作為基體而構成。作為基板31，可以使用玻璃基板或石英基板等。於基板31之液晶層40側，被形成彩色濾光片32。彩色濾光片32，被構成為包含對應於紅、綠、藍之各色的3種色要素，這些色要素分別被配置於畫素44R，44G，44B。此外，在與彩色濾光片32相同之層，被形成遮光層34(圖3)。
於彩色濾光片32上，被形成由ITO所構成的共通電極36。共通電極36，係跨顯示區域43(圖1)之約略全體而被形成的。於共通電極36上，被形成由聚醯亞胺所構成的配向膜(未圖示)。對向基板30，藉由從基板31至配向膜為止的要素所構成。
元件基板10與對向基板30之間，如前所述被配置液晶層40。元件基板10及對向基板30之配向膜，均以俯視沿著閘極線12的方向(圖5(a)之橫方向)上被施以摩擦處理。藉此，液晶層40所包含的液晶分子40a在未施加電壓時配向於沿著閘極線12的方向。亦即，液晶層40在未施加電壓時成為平行配向。液晶層40，一般可以使用向列液晶。例如液晶層40的厚度為5μm，液晶分子40a之Δn可以為0.15。
於元件基板10、對向基板30之外側，分別被配置未圖示之偏光板。此2個偏光板的透過軸，以相互約略直交的方式被配置，同時以與配向膜的摩擦處理的方向(亦即閘極線12的延伸方向)約略夾45度角度的方式被配置。又，偏光板與元件基板10或對向基板30之間，亦可應需要而配置相位差板。相位差板可以使用λ/4板，或λ/2板及λ/4板組合而成者。進而，偏光板與元件基板10或對向基板30之間，亦可應需要而配置光學補償膜。作為此光學補償膜，可以使用將折射率向異性為負的盤狀液晶分子等使成為混成配向而構成的負單軸性媒體(例如，富士底片公司所製造之WV膠膜)、折射率向異性為正的向列液晶分子等使其混成配向而成的正單軸性媒體(例如，新日本石油所製造之NH膠膜)等，或者組合負單軸性媒體與正單軸性媒體而使用。其他，亦可使用各方向的折射率為nx>ny>nz之二軸性媒體，或負之C-Plate等。
進而，於元件基板10之外側，被設置具有光源、反射器、導光板等之背光(未圖示)。
<D.平面構造>
於圖5(a)顯示前述構成要素之中，元件基板10所包含的要素之平面配置。複數之閘極線12，以相互平行的方式被配置，複數之源極線14也以相互平行的方式被配置。閘極線12與源極線14，俯視係以相互交叉的方式被配置，在本實施型態係以約略直交的方式被配置。
畫素電極16，被形成為具有沿著相鄰的2條閘極線12而延伸2個邊，與沿著相鄰的2條源極線14延伸的2個邊。此外，畫素電極16，被形成於相鄰的2條閘極線12與相鄰的2條源極線14所包圍的區域。
此處，閘極線12，具有V字形狀的屈區部52。此外，畫素電極16之邊之中，沿著閘極線12的邊，係沿著閘極線12之屈曲部52而彎曲為V字形狀。接著，畫素電極16，於包含屈曲部52的部位，俯視以與閘極線12的一部份重疊的方式，被形成為在閘極線12的方向伸出。
<E.移轉動作>
具有以上構成的液晶裝置1，藉由如下的方式使其動作，可以使液晶層40由放射配向移轉往彎曲配向。
首先，在第1工程，對閘極線12與畫素電極16之間施加移轉電壓。此移轉電壓力如可以為5V之交流的矩形波，施加時間例如為0.5秒。此工程的進行方式為施加供往閘極線12移轉之用的訊號，同時在使TFT元件20為打開的狀態下對源極線14施加供移轉之用的訊號而將該訊號對畫素電極16供給。
於圖5(b)，顯示此時產生於液晶層40之電場E以及液晶分子40a之舉動。如此圖所示，於閘極線12與畫素電極16重疊的區域，因為閘極線12與畫素電極16位於相當近的位置，所以在閘極線12與畫素電極16之間，會產生具有相當多基板11的法線方向(以下稱為縱方向)的成分之電場E。例如，電場E，與閘極線12跟畫素電極16之間沒有重疊的從前的液晶裝置之電場F(圖18)相比,，具有更多的縱方向的成分。而且，液晶分子40a，沿著電場E的方向改變配向方向。此時，因為電場E具有很多縱方向的成分，所以液晶分子40a也改變為配向在縱方向。液晶分子40a採取這樣的舉動時，容易引起由放射配向往彎曲配向之移轉。因此，藉由產生電場E，於液晶層40可以容易地產生彎曲配向之移轉核。亦即，於第1工程，可以低的移轉電壓來產生彎曲配向的移轉核。
此處，產生移轉核的位置(圖5(a),(b)中之移轉核發生位置50)，俯視分佈於閘極線12與畫素電極16之邊界的附近。
接著在第2工程，對畫素電極16與共通電極36之間施加移轉電壓。此移轉電壓，例如可以為5V之交流的矩形波。於此工程，在畫素電極16上之液晶層40，產生具有基板11之法線方向的成分的電場(縱電場)。藉由此電場在畫素電極16上之寬廣範圍內的液晶分子40a都被驅動。結果，以在第1工程所產生的移轉核為起點，彎曲配向區域在畫素電極16上擴展開來。彎曲配向區域，例如在圖5(a),(b)中以移轉核發生位置50為起點沿著所描繪的箭頭的方向擴展。
此處，移轉核發生位置50，如前所述位於俯視閘極線12與畫素電極16之邊界的附近，所以移轉核之至少一部份產生於畫素電極16上。因而，以移轉核為起點當彎曲配向區域往畫素電極16上擴展時，彎曲配向區域沒有必要跨越大的階差。因此，可以使彎曲配向區域容易擴展，因而可以低的移轉電壓使彎曲配向區域在畫素電極16上擴展。
此外，於閘極線12與畫素電極16重疊的區域，閘極線12與畫素電極16之間俯視不產生間隙，閘極線12與畫素電極16之間不會形成凹部，所以移轉核不會因為嵌於這樣的凹部而不容易往該凹部之外擴展。因此，可以使彎曲配向區域容易擴展，因而可以更低的移轉電壓使彎曲配向區域在畫素電極16上擴展。
如以上所述，根據本實施型態，於第1工程，可以低的移轉電壓使產生彎曲配向之移轉核，於第2工程，可以低的電壓使彎曲配向區域擴展。因此，於液晶裝置1，可以減低由放射配向往彎曲配向移轉時所需要的耗電量。此外，作為使用於顯示動作之驅動電路，可以利用更低耐壓規格的驅動電路。
<F.第1實施形態之變形例>
第1實施型態，係閘極線12與畫素電極16一部份重疊的構成，取代此而改為源極線14與畫素電極16部分重疊的構成亦可。在此場合，在移轉動作之第1工程，對源極線14與畫素電極16之間施加移轉電壓。此外，於源極線14設置屈曲部，使畫素電極16之邊沿著該屈曲部屈區的話會比較好。
或者是，使畫素電極16其閘極線12以及源極線14均重疊的構成亦可。在此場合，於閘極線12及源極線14設置屈曲部，使畫素電極16之邊沿著該屈曲部屈區的話會比較好。
此外，在圖5(a)閘極線12與畫素電極16重疊的部分的寬幅，被描繪乘閘極線12的寬幅之1成到2成程度，但並不以此為限，重疊不管到哪個程度皆可。例如，即使是幾乎沒有重疊的部分，畫素電極16之邊與閘極線12之外形線在俯視為實質一致的場合，也可以得到本實施型態的效果。
於前述，屈曲部的數目，亦可於畫素電極16之每一個邊上有一個，亦可為2個以上。使其為2個以上的話，可以在更多的位置產生移轉核。
又，亦可使其為閘極線12與源極線14沒有屈曲部的構成。在此場合，也可以藉由閘極線12或源極線14與畫素電極16之部分重疊，而可以使往彎曲配向之移轉以更低的移轉電壓來進行。
(第2實施形態)
接著，說明第2實施型態。本實施型態，除了在閘極線12與畫素電極16於俯視相對的位置關係與第1實施型態不同之外，其他各點與第1實施型態相同。
圖7係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B2-B2線之剖面圖。如圖7(a)所示，畫素電極16a，在夾著畫素電極16a而被配置的2條閘極線12a,12b之中，僅與透過TFT元件20而與該畫素電極16a不導電連接(未對應的)閘極線12b的一部份俯視為重疊。亦即，於圖7(a)畫素電極16a部分重疊於被配置在該畫素電極16a的上側之閘極線12b，與被配置於該畫素電極16a的下側之閘極線12a沒有重疊。其中，與畫素電極16a重疊的閘極線12b，與該畫素電極16a並非電氣導通。因此，即使因為該重疊產生寄生電容，對顯示造成的影響也可以抑制於相當低。
此外，如圖7(b)所示，閘極線12a，僅與夾著該閘極線12a的2個畫素電極16a,16b之中，單方之畫素電極16b平面重疊。如此般，藉由限定閘極線12與畫素電極16重疊的面積，可以減低藉由該重疊所產生的寄生電容。
接著，於閘極線12與畫素電極16重疊的部位，與第1實施型態同樣，可以低的移轉電壓產生彎曲配向的移轉核，此外可以低的移轉電壓擴展彎曲配向區域。因此，可以減低由放射配向往彎曲配向移轉時所需要的耗電量。此外，作為使用於顯示動作之驅動電路，可以利用更低耐壓規格的驅動電路。
使閘極線12與畫素電極16俯視為重疊，因為會招致寄生電容的增加所以從前並不會如此進行，根據本實施型態之構成，可以抑制寄生電容的影響，同時享受該重疊之優點，亦即移轉變得容易的效果。
(第3實施形態)
接著，說明第3實施型態。本實施型態，除了在閘極線12、源極線14、畫素電極16於俯視之形狀及這些之相對的位置關係與第2實施型態不同之外，其他各點與第2實施型態相同。
圖8係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B3-B3線之剖面圖。如圖8(a)所示，在本實施型態，閘極線12沒有屈曲部，源極線14a,14b設有V字形狀的屈曲部52。畫素電極16a沿著源極線14a,14b的邊係沿著源極線14a,14b之屈曲部52彎曲為V字形，沿著閘極線12的邊則沒有彎曲。此外，源極線14a,14b對畫素電極16a之1個邊具有2個屈曲部52。在移轉動作時，在第1工程，對源極線14與畫素電極16a之間施加移轉電壓。
畫素電極16a，在夾著畫素電極16a而被配置的2條閘極線14a,14b之中，僅與透過TFT元件20而與該畫素電極16a不導電連接(未對應的)閘極線14b的一部份俯視為重疊。亦即，於圖8(a)畫素電極16a部分重疊於被配置在該畫素電極16a的右側之源極線14b，與被配置於該畫素電極16a的左側之源極線14a沒有重疊。其中，與畫素電極16a重疊的源極線14b，與該畫素電極16a並非電氣導通。因此，即使因為該重疊產生寄生電容，對顯示造成的影響也可以抑制於相當低。
此外，如圖8(b)所示，源極線14b，僅與夾著該源極線14b的2個畫素電極16a,16b之中，單方之畫素電極16b平面重疊。如此般，藉由限定源極線14與畫素電極16重疊的面積，可以減低藉由該重疊所產生的寄生電容。
接著，於源極線14與畫素電極16重疊的部位，與第1實施型態同樣，可以低的移轉電壓產生彎曲配向的移轉核，此外可以低的移轉電壓擴展彎曲配向區域。因此，可以減低由放射配向往彎曲配向移轉時所需要的耗電量。此外，作為使用於顯示動作之驅動電路，可以利用更低耐壓規格的驅動電路。
<第3實施形態之變形例>
第3實施型態，亦可與第2實施型態組合實施。亦即，於閘極線12及源極線14之任一均形成屈曲部，使畫素電極16之邊沿著這些屈曲部而屈區。在移轉動作時，在第1工程，對閘極線12與畫素電極16a之間，及源極線14與畫素電極16之間施加移轉電壓。接著，畫素電極16，以與該畫素電極16未導電連接的(未對應的)閘極線12及源極線14部分重疊的方式配置。根據這樣的構成，可以在更多的位置產生移轉核，可更容易地進行往彎曲配向之移轉。
(第4實施形態)
接著，說明第4實施型態。本實施型態，係對第1實施型態施加變更，以下，主要說明與第1實施型態不同的部分。其他部分與第1實施型態相同。
圖9係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B4-B4線之剖面圖。如圖9(a)所示，畫素電極16，具有俯視沿著閘極線12及源極線14延伸的邊，俯視與閘極線12及源極線14不重疊。閘極線12，具有V字形的屈曲部52，畫素電極16，沿著閘極線12的邊，沿著屈曲部52彎曲為V字形狀。
接著，在俯視沿著閘極線12的屈曲部52的區域或者具有沿著前述屈曲部52的邊的區域，被形成由鋁構成的反射膜18。在本實施型態，畫素電極16的配置區域之中，在沿著沿閘極線12的2邊之區域被形成反射膜18。如圖9(b)所示，反射膜18，被形成於基板11之液晶層40側。更詳言之，例如可以形成於層間絕緣層24與畫素電極16之間。畫素電極16被配置的區域之中，被配置反射膜18的區域，成為對反射顯示有所貢獻之反射顯示區域，未被配置反射膜18的區域成為貢獻於透過顯示的透過顯示區域。在反射顯示區域，使由對向基板30側入射的光以反射膜18反射而進行顯示。在透過顯示區域，使由元件基板10側入射的光往對向基板30側透過而進行顯示。
此外，基板31之液晶層40側之中，至少在俯視與反射膜18重疊的區域被形成液晶層厚調整層35。亦即，液晶層厚調整層35至少被配置於反射顯示區域。液晶層厚調整層35可以由具有透光性的樹脂等來構成，例如可以形成為彩色濾光片32與共通電極36之間的層。液晶層厚調整層35，以使反射顯示區域之液晶層40的厚度，比透過顯示區域之液晶層40的厚度更薄的方式調整厚度。使反射顯示區域之液晶層40的厚度成為透過顯示區域之液晶層40的厚度的二分之一的場合，反射顯示區域之液晶層40的厚度約為2.5μm。藉由如此進行，在反射顯示區域與透過顯示區域之間，可以使入射光通過液晶層40內之距離約略相等。因此，反射顯示與透過顯示的光學條件，可以設定於可得高品質顯示之狀態。此外，液晶層厚調整層35，如圖9(b)所示，不僅俯視與反射膜18重疊的區域，也被配置於閘極線12對向的2個反射膜18形成區域所夾的區域。
於如此構成在進行移轉動作的場合，首先於第1工程，對閘極線12與畫素電極16之間施加移轉電壓。藉此，在俯視閘極線12與畫素電極16之間的位置(圖9(a),(b)中之移轉核發生位置50)或其附近，產生彎曲配向之移轉核。其後，於第2工程，藉由對畫素電極16與共通電極36之間施加移轉電壓，使移轉核擴展於畫素電極16上之全體。此處，在移轉核發生位置50或者其附近，因為被配置液晶層厚調整層35，液晶層40的厚度，亦即畫素電極16與共通電極36之間的距離變小。因此，於前述第2工程產生於液晶層40的電場強度，與沒有液晶層厚調整層35的場合相比變得比較大。因此，於第2工程，沿著被配置液晶層厚調整層35的區域，可以使彎曲配向區域快速擴展。或者是，可以低的移轉電壓擴展彎曲配向區域。因此，可以減低由放射配向往彎曲配向移轉時所需要的耗電量。此外，作為使用於顯示動作之驅動電路，可以利用更低耐壓規格的驅動電路。為了使彎曲配向區域於畫素電極16上更快速擴展，最好是使反射膜18及液晶層厚調整層35延伸至畫素電極16的中央附近。
<第4實施形態之變形例>
前述實施型態，係在沿著畫素電極16之中鄰接於閘極線12的2邊的區域之任一均配置反射膜18及液晶層厚調整層35，但僅沿著前述2邊之中的1邊來配置之構成亦可。
此外，前述實施型態，係於閘極線12設置屈曲部52，在沿著屈曲部52的區域配置反射膜18與液晶層厚調整層35的構成，但取代此構成，亦可為在源極線14設置屈曲部，在沿著該屈曲部的區域配置反射膜18與液晶層厚調整層35的構成。或者是在閘極線12及源極線14均形成屈曲部，沿著這些屈曲部配置反射膜18與液晶層厚調整層35亦可。
此外，亦可使其為閘極線12與源極線14沒有屈曲部的構成。在此場合，也可以在沿著閘極線12或源極線14的區域，或者具有沿著閘極線12或源極線14的邊的區域，配置反射膜18及液晶層厚調整層35，藉以增大產生於液晶層40的電場強度，使往彎曲配向之移轉以更低的移轉電壓更快速地進行。
此外，在圖9(b)描繪著具有透光性的畫素電極16與反射膜18俯視為重疊的構成，但亦可使畫素電極16配置在除了反射膜18的配置區域以外之區域的構成。在此場合，藉由導電連接畫素電極16與反射膜18，反射膜18的形成區域也可以作為畫素電極使用。亦即可以將畫素電極16與反射膜18所構成的複合畫素電極作為畫素電極使用。本實施型態之畫素電極，包含本變形例之前述複合畫素電極。因而，於本實施型態，可以把「畫素電極16」解釋為前述複合畫素電極，藉由本變形例之構成，可以得到與本實施型態同樣的作用及效果。
此外，液晶層厚調整層35不一定要形成在俯視與反射膜18之形成區域不重疊的區域。例如，在本實施型態，夾著閘極線12對向的2個反射膜18形成區域所夾著的區域也被配置液晶層厚調整層35，於此區域不配置液晶層厚調整層35的場合，也可以沿著被形成液晶層厚調整層35的區域，以低移轉電壓或者在短時間內擴展彎曲配向區域。
(第5實施形態)
接著，說明第5實施型態。本實施型態，除了在反射膜18與液晶層厚調整層35於俯視之形狀及配置位置與第4實施型態不同之外，其他各點與第4實施型態相同。
圖10係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B5-B5線之剖面圖。如圖10(a)所示，在本實施型態，畫素電極16之邊之中沿著閘極線12對向的2邊，係沿著閘極線12的V字形的屈曲部52而彎曲，反射膜18被形成為在俯視連接於前述對向的2邊的區域連成一氣。此外，液晶層厚調整層35(圖10(b))至少被形成於俯視與反射膜18重疊的區域。亦即，反射膜18及液晶層厚調整層35，被配置於在俯視圖10(a)之畫素電極16的上側邊與下側之邊之中，連接彎曲的部分之區域。此外，反射膜18與液晶層厚調整層35具有隨著離開畫素電極16之前述2邊(亦即彎曲之邊)而寬幅增大的部分。反射膜18及液晶層厚調整層35作為一例，如圖10(a)所示，可以構成為具有畫素電極16的周邊附近的部分寬幅較窄，隨著接近於畫素電極16的中央部而寬幅變寬的部分。亦即，可以構成為越往畫素電極16的中央部寬幅越寬的構成。又，液晶層厚調整層35，如圖10(b)所示，不僅俯視與反射膜18重疊的區域，也被配置於閘極線12對向的2個反射膜18形成區域所夾的區域。
於移轉動作時，彎曲配向區域，在被形成反射膜18及液晶層厚調整層35的區域，起因於液晶層40的厚度很小得以快速擴展。因此，根據本實施型態之構成，可使彎曲配向區域在短時間內擴展至畫素電極16之中央部。此外，彎曲配向區域，在畫素電極16之寬幅較寬的部分，沿著該寬幅部分擴大。亦即，畫素電極16之沿著閘極線12之邊的附近起往畫素電極16之中央部擴大之彎曲配向區域，在中央部附近，其擴展具有平行於前述之邊之速度成分(亦即平行於閘極線12的速度成分)。彎曲配向區域擴展的軌跡之一例，如圖10(a)中之箭頭所示。藉此，即使於彎曲配向區域在未被形成反射膜18及液晶層厚調整層35的區域擴展的場合，其擴展也是具有前述速度成分。因此，可使彎曲配向區域在短時間內擴展於畫素電極16之全體。
(第6實施形態)
接著，說明第6實施型態。本實施型態，除了在閘極線12、源極線14、畫素電極16、反射膜18與液晶層厚調整層35於俯視之形狀及配置位置與第5實施型態不同之外，其他各點與第5實施型態相同。
圖11係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B6-B6線之剖面圖。如圖11(a)所示，在本實施型態，閘極線12沒有屈曲部，源極線14設有V字形狀的屈曲部52。畫素電極16沿著源極線14的邊係沿著源極線14之屈曲部52彎曲為V字形，沿著閘極線12的邊則沒有彎曲。因此，在移轉動作時，在第1工程，對源極線14與畫素電極16之間施加移轉電壓。
反射膜18，被配置於畫素電極16之中沿著源極線14的2邊之中連接彎曲的部分之區域。此外，液晶層厚調整層35(圖11(b))至少被形成於俯視與反射膜18重疊的區域。反射膜18及液晶層厚調整層35，具有畫素電極16的周邊附近的部分寬幅較窄，隨著接近於畫素電極16的中央部而寬幅變寬的部分。亦即，構成為越往畫素電極16的中央部寬幅越寬。又，液晶層厚調整層35，如圖11(b)所示，不僅俯視與反射膜18重疊的區域，也被配置於源極線14對向的2個反射膜18形成區域所夾的區域。
藉由這樣的構成，於移轉動作時，可使彎曲配向區域在短時間內擴展至畫素電極16之中央部。此外，畫素電極16之沿著源極線14之邊的附近起往畫素電極16之中央部擴大之彎曲配向區域，在中央部附近，其擴展具有平行於前述之邊之速度成分(亦即平行於源極線14的速度成分)。彎曲配向區域擴展的軌跡之一例，如圖11(a)中之箭頭所示。藉此，即使於彎曲配向區域在未被形成反射膜18及液晶層厚調整層35的區域擴展的場合，其擴展也是具有前述速度成分。因此，可使彎曲配向區域在短時間內擴展於畫素電極16之全體。
<第6實施形態之變形例>
第6實施型態，亦可與第5實施型態組合實施。亦即，於閘極線12及源極線14之任一均形成屈曲部，使畫素電極16之邊沿著這些屈曲部而屈區。在移轉動作時，在第1工程，對閘極線12與畫素電極16a之間，及源極線14與畫素電極16之間施加移轉電壓。接著，反射膜18及液晶層厚調整層35，形成於畫素電極16之中連接沿著2條閘極線12的邊之屈曲部分的區域，及連接沿著2條源極線14之邊的屈曲部分的區域。亦即，使畫素電極16之上下左右之邊形成於連接為「＋」形狀的區域。根據這樣的構成，可以在更多的位置產生移轉核，可更容易且短時間地進行往彎曲配向之移轉。
(第7實施形態)
接著，說明第7實施型態。本實施型態，除了在閘極線12、畫素電極16、反射膜18、液晶層厚調整層35之於俯視相對的位置關係與第4實施型態不同之外，其他各點與第4實施型態相同。
圖12係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B7-B7線之剖面圖。如圖12(a)所示，閘極線12，具有V字形狀的屈區部52。此外，畫素電極16之邊之中，沿著閘極線12的邊，係沿著閘極線12之屈曲部52而彎曲為V字形狀。接著，畫素電極16，於包含屈曲部52的部位，俯視以與閘極線12的一部份重疊的方式，被形成為在閘極線12的方向伸出。亦即，反射膜18也以俯視部分重疊於閘極線12的方式配置。
根據這樣的構成，除了第4實施型態之效果，也可以得到第1實施型態之效果。亦即，對閘極線12與畫素電極16之間施加移轉電壓時，在液晶層40，產生具有很多縱方向成分的電場。因此，由放射配向往彎曲配向之移轉容易進行，容易在移轉核發生位置50發生移轉核。此外，於閘極線12與畫素電極16重疊的區域，移轉核之至少一部份發生於畫素電極16上。因而，彎曲配向區域，以移轉核為起點當彎曲配向區域往畫素電極16上擴展時，沒有必要跨越大的階差。藉由此特徵，可以更低的移轉電壓擴展彎曲配向區域於畫素電極16上。進而，在移轉核發生位置50或者其附近，被配置反射膜18及液晶層厚調整層35，液晶層40的厚度變小。因此，根據移轉電壓之電場強度變大，可以使彎曲配向區域以低的移轉電壓在短時間內擴展。
(第8實施形態)
接著，說明第8實施型態。本實施型態，除了在反射膜18與液晶層厚調整層35於俯視之形狀及配置位置與第7實施型態不同之外，其他各點與第7實施型態相同。
圖13係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B8-B8線之剖面圖。如圖13(a)所示，在本實施型態，畫素電極16之邊之中沿著閘極線12對向的2邊，係沿著閘極線12的屈曲部52而彎曲為V字形，反射膜18被形成為在俯視連接於前述對向的2邊的區域連成一氣。此外，液晶層厚調整層35(圖13(b))至少被形成於俯視與反射膜18重疊的區域。亦即，反射膜18及液晶層厚調整層35，被配置於在俯視圖13(a)之畫素電極16的上側邊與下側之邊之中，連接彎曲的部分之區域。此外，反射膜18與液晶層厚調整層35具有隨著離開畫素電極16之前述2邊(亦即彎曲之邊)而寬幅增大的部分。反射膜18及液晶層厚調整層35作為一例，如圖13(a)所示，可以構成為具有畫素電極16的周邊附近的部分寬幅較窄，隨著接近於畫素電極16的中央部而寬幅變寬的部分。亦即，可以構成為越往畫素電極16的中央部寬幅越寬的構成。又，液晶層厚調整層35，如圖13(b)所示，不僅俯視與反射膜18重疊的區域，也被配置於閘極線12對向的2個反射膜18形成區域所夾的區域。
根據前述構成，於移轉動作時，可使彎曲配向區域在短時間內擴展至畫素電極16之中央部。此外，畫素電極16之中沿著閘極線12之邊的附近起往畫素電極16之中央部擴大之彎曲配向區域，在中央部附近，其擴展具有平行於前述之邊之速度成分(平行於閘極線12的速度成分)。彎曲配向區域擴展的軌跡之一例，如圖13(a)中之箭頭所示。藉此，即使於彎曲配向區域在未被形成反射膜18及液晶層厚調整層35的區域擴展的場合，其擴展也是具有前述速度成分。因此，可使彎曲配向區域在短時間內擴展於畫素電極16之全體。
此外，因為閘極線12與畫素電極16有一部份重疊，所以可在更低的移轉電壓產生移轉核，可以更容易地擴展彎曲配向區域。
(第9實施形態)
接著，說明第9實施型態。本實施型態，除了在反射膜18與液晶層厚調整層35於俯視之形狀及配置位置與第8實施型態不同之外，其他各點與第8實施型態相同。
圖14係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B9-B9線之剖面圖。如圖14(a)所示，在本實施型態，反射膜18被配置於連接畫素電極16之沿著閘極線12的對向的2邊之彎曲的部分之區域，同時於畫素電極16的中央部附近，在與此交叉的方向上延伸的區域也被配置。此外，液晶層厚調整層35(圖14(b))至少被形成於俯視與反射膜18重疊的區域。更詳言之，反射膜18及液晶層厚調整層35，被配置於連接前述2邊的彎曲的部分，延伸於平行於源極線14的方向(圖14(a)中的上下方向)的帶狀區域，與在中央部與此交叉的延伸於平行於閘極線12的方向(圖14(a)中的左右方向)的帶狀區域。換句話說，反射膜18及液晶層厚調整層35於畫素電極16之中央部附近被形成於「＋」形狀之區域。本實施型態，係反射膜18與液晶層厚調整層35具有隨著離開畫素電極16之彎曲的邊而寬幅增大的部分的構成之一個態樣。又，液晶層厚調整層35，如圖14(b)所示，不僅俯視與反射膜18重疊的區域，也被配置於閘極線12對向的2個反射膜18形成區域所夾的區域。
根據這樣的構成，於移轉動作時，可使彎曲配向區域在短時間內擴展至畫素電極16之中央部。此外，畫素電極16之中沿著閘極線12之邊的附近起往畫素電極16之中央部擴大之彎曲配向區域，其擴展具有沿著反射膜18的形成區域平行於源極線14之速度成分。接著，在畫素電極16的中央部附近，其擴展具有與此交叉的，沿著平行於閘極線12的帶狀區域之速度成分。彎曲配向區域擴展的軌跡之一例，如圖14(a)中之箭頭所示。因而，即使於彎曲配向區域在未被形成反射膜18及液晶層厚調整層35的區域擴展的場合，其擴展也是具有前述速度成分。因此，可使彎曲配向區域在短時間內擴展於畫素電極16之全體。
此外，因為閘極線12與畫素電極16有一部份重疊，所以可在更低的移轉電壓產生移轉核，可以更容易地擴展彎曲配向區域。
(第10實施形態)
接著，說明第10實施型態。本實施型態，除了在反射膜18與液晶層厚調整層35於俯視之形狀及配置位置與第8實施型態不同之外，其他各點與第8實施型態相同。
圖15係顯示相關於本實施型態之液晶裝置1之畫素44的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B10-B10線之剖面圖。如圖15(a)所示，在本實施型態，反射膜18被配置於連接畫素電極16之沿著閘極線12的對向的2邊之彎曲的部分之區域，同時於畫素電極16的中央部附近，被形成於放射狀擴展的區域。此外，液晶層厚調整層35(圖15(b))至少被形成於俯視與反射膜18重疊的區域。更詳言之，反射膜18及液晶層厚調整層35，被配置於連接前述2邊的彎曲的部分，延伸於平行於源極線14的方向(圖15(a)中的上下方向)的帶狀區域，在中央部與此交叉的2個帶狀區域。此處，平行於源極線14的帶狀區域，及與此交叉的2個帶狀區域，其延伸方向夾60度角。亦即，反射膜18及液晶層厚調整層35的配置區域，在畫素電極16的中央部附近為「*」形，以帶狀之區域的交點為起點朝向6個方向放射狀擴展。又，液晶層厚調整層35，如圖15(b)所示，不僅俯視與反射膜18重疊的區域，也被配置於閘極線12對向的2個反射膜18形成區域所夾的區域。
根據這樣的構成，於移轉動作時，可使彎曲配向區域在短時間內擴展至畫素電極16之中央部。此外，畫素電極16之中沿著閘極線12之邊的附近起往畫素電極16之中央部擴大之彎曲配向區域，其擴展具有沿著反射膜18的形成區域平行於源極線14之速度成分。接著，在畫素電極16的中央部附近，其擴展具有與此交叉的放射狀之速度成分。在本實施型態，其擴展具有對源極線14的延伸方向夾60渡角度的方向之速度成分。彎曲配向區域擴展的軌跡之一例，如圖15(a)中之箭頭所示。因而，即使於彎曲配向區域在未被形成反射膜18及液晶層厚調整層35的區域擴展的場合，其擴展也是具有前述速度成分。因此，可使彎曲配向區域在短時間內擴展於畫素電極16之全體。
此外，因為閘極線12與畫素電極16有一部份重疊，所以可在更低的移轉電壓產生移轉核，可以更容易地擴展彎曲配向區域。
(電子機器)
前述之液晶裝置1，例如可以搭載使用於行動電話等電子機器。圖16係顯示作為電子機器之行動電話100的立體圖。行動電話100具有顯示部110及操作按鈕120。顯示部110，藉由被組入內部的液晶裝置1，可以針對以操作按鈕120輸入的內容或者收訊資訊為首之種種資訊，進行顯示。如此構成的電子機器，能夠使液晶裝置1在短時間內，且以低耗電量使液晶裝置移轉至彎曲配向模式。此外，作為使用於顯示動作之驅動電路，可以利用更低耐壓規格的驅動電路。
又，液晶裝置1，除了前述行動電話100以外，可以使用於可攜電腦、數位相機、數位攝影機、車載機器、音響機器等各種電子機器。此外，液晶裝置1，可以作為光閥組入使用於投影機等投射型顯示裝置。
以上，針對種種實施型態加以說明，對於前述實施型態，例如可以如下述加以變形。
(變形例1)
設於閘極線12或源極線14的屈曲部52的形狀，不限於V字形狀，例如亦可如圖17所示包含矩形狀的部分。藉由如此般的構成，在對閘極線12或源極線14與畫素電極16之間施加移轉電壓時，於屈曲部52的附近，可以容易產生移轉核。
(變形例2)
於前述第5實施型態或第6實施型態，進而加入第9實施型態或第10實施型態之特徵亦可。亦即，即使俯視閘極線12或源極線14與畫素電極16不重疊的場合，於畫素電極16的中央部附近，也可以在「+」的形狀的區域或者放射狀擴展的區域上形成反射膜18以及液晶層厚調整層35。根據這樣的構成，於移轉動作時，可藉由畫素電極16上之全體而使彎曲配向區域在短時間內擴展。
1．．．液晶裝置
10．．．元件基板
11．．．第1基板
12．．．閘極線
14．．．源極線
15．．．電容線
16．．．畫素電極
18．．．反射膜
20．．．作為開關元件之TFT元件
23,24．．．層間絕緣層
30．．．對向基板
31．．．第2基板
32．．．彩色濾光片
34．．．遮光層
35．．．液晶層厚調整層
36．．．共通電極
40．．．液晶層
40a．．．液晶分子
41．．．密封劑
43．．．顯示區域
44．．．畫素
50．．．移轉核發生位置
52．．．屈曲部
100．．．作為電子機器之行動電話
圖1係顯示液晶裝置的構成，(a)為立體圖，(b)為(a)圖中之A-A線剖面圖。
圖2係顯示放射(splay)配向及彎曲(bend)配向之液晶分子的配向狀態之模式圖。
圖3係顯示區域之擴大平面圖。
圖4係液晶裝置之顯示區域之各種元件、配線等之等價電路圖。
圖5係顯示畫素的構成之圖，(a)係由對向基板側所見之平面圖，(b)係(a)圖中之B1-B1線之剖面圖。
圖6為圖5(a)之C-C線之剖面圖。
圖7係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B2-B2線之剖面圖。
圖8係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B3-B3線之剖面圖。
圖9係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B4-B4線之剖面圖。
圖10係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B5-B5線之剖面圖。
圖11係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B6-B6線之剖面圖。
圖12係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B7-B7線之剖面圖。
圖13係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B8-B8線之剖面圖。
圖14係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B9-B9線之剖面圖。
圖15係顯示畫素的構成之圖，(a)係平面圖，(b)係(a)圖中之B10-B10線之剖面圖。
圖16係顯示作為電子機器之行動電話的立體圖。
圖17係顯示相關於變形例之畫素的構成之平面圖。
圖18係顯示OCB模式之液晶裝置的畫素構造之例，(a)為平面圖，(b)為(a)圖中之D-D線之剖面圖。
10．．．元件基板
11．．．第1基板
12．．．閘極線
14．．．源極線
15．．．電容線
16．．．畫素電極
20．．．作為開關元件之TFT元件
20a．．．半導體層
20d．．．汲極電極
21．．．接觸孔
23．．．層間絕緣層
24．．．層間絕緣層
30．．．對向基板
31．．．第2基板
32．．．彩色濾光片
36．．．共通電極
40．．．液晶層
40a．．．液晶分子
50．．．移轉核發生位置
52．．．屈曲部
44．．．畫素
E．．．電場

Claims (7)

  1. 一種液晶裝置，其特徵為具備：第1基板、對向於前述第1基板而被配置之第2基板、被配置於前述第1基板與前述第2基板之間的可採放射(splay)配向或者彎曲(bend)配向之任一配向狀態之液晶層、被形成於前述第2基板之前述液晶層側的共通電極、於前述第1基板之前述液晶層側具有屈曲部而被形成的複數閘極線、於前述第1基板之前述液晶層側俯視以與前述閘極線交叉的方式被形成之複數源極線、於前述第1基板之前述液晶層側對應於前述閘極線與前述源極線之交叉而形成之開關元件，及被導電接續於前述開關元件，同時於前述第1基板之前述液晶層側，對應於相鄰的2條前述閘極線而被形成具有沿著前述閘極線之包含前述屈曲部的形狀延伸之至少2個邊，於前述2條閘極線之前述屈曲部，俯視為與該2條閘極線之各個僅在寬幅方向之一部份重疊著之畫素電極；前述液晶層，於放射配向狀態對前述閘極線與前述畫素電極之間施加移轉電壓時，在前述閘極線與前述畫素電極的邊界附近產生彎曲配向之移轉核，接著對前述畫素電極與前述共通電極之間施加移轉電壓時，以前述移轉核為 起點彎曲配向區域擴大，被移轉至彎曲配向狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中具備：前述第1基板之前述液晶層側之中，被形成於至少俯視沿著前述屈曲部的區域的反射膜，與前述第2基板之前述液晶層側之中，被形成於俯視與前述反射膜重疊的區域的液晶層厚調整層。
  3. 如申請專利範圍第2項之液晶裝置，其中前述畫素電極，至少對向之2邊，沿著前述閘極線之前述屈曲部彎曲，前述反射膜及前述液晶層厚調整層，被形成為俯視聯繫於聯繫前述畫素電極之對向的2邊之區域。
  4. 如申請專利範圍第3項之液晶裝置，其中前述反射膜及前述液晶層厚調整層，具有隨著離開前述畫素電極之彎曲的邊而寬幅增大的部分。
  5. 如申請專利範圍第3項之液晶裝置，其中前述反射膜及前述液晶層厚調整層，被形成於在前述畫素電極的中央部放射狀地伸展的區域。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之液晶裝置，其中前述源極線具有屈曲部，前述畫素電極，被形成具有沿著前述源極線的包含前述屈曲部的形狀而延伸的邊，於前述源極線之前述屈曲部，平面俯視僅重疊於該源極線的寬幅方向之一部份，前述液晶層，於放射配向狀態，在前述閘極線與前述畫素電極之間，以及在前述源極線與前述畫素電極之間被 施加移轉電壓。
  7. 一種液晶裝置，其特徵為具備：第1基板、對向於前述第1基板而被配置之第2基板、被配置於前述第1基板與前述第2基板之間的可採放射(splay)配向或者彎曲(bend)配向之任一配向狀態之液晶層、被形成於前述第2基板之前述液晶層側的共通電極、於前述第1基板之前述液晶層側具有屈曲部而被形成的複數閘極線、於前述第1基板之前述液晶層側俯視以與前述閘極線交叉的方式被形成之複數源極線、於前述第1基板之前述液晶層側對應於前述閘極線與前述源極線之交叉而形成之開關元件，及被導電接續於前述開關元件，同時於前述第1基板之前述液晶層側，對應於相鄰的2條前述閘極線而被形成具有沿著前述閘極線之包含前述屈曲部的形狀延伸之至少2個邊，前述2條閘極線之中，於不透過前述開關元件與該畫素電極導電接續的前述閘極線之前述屈曲部，俯視僅重疊於該閘極線的寬幅方向之一部份的畫素電極；前述液晶層，於放射配向狀態對前述閘極線與前述畫素電極之間施加移轉電壓時，在前述閘極線與前述畫素電極的邊界附近產生彎曲配向之移轉核，接著對前述畫素電 極與前述共通電極之間施加移轉電壓時，以前述移轉核為起點彎曲配向區域擴大，被移轉至彎曲配向狀態；前述源極線具有屈曲部，前述畫素電極，被形成具有沿著前述源極線的包含前述屈曲部的形狀而延伸的邊，於前述源極線之前述屈曲部，平面俯視僅重疊於該源極線的寬幅方向之一部份，前述液晶層，於放射配向狀態，在前述閘極線與前述畫素電極之間，以及在前述源極線與前述畫素電極之間被施加移轉電壓。
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