TWI464384B - 缺陷檢測及光致發光量測系統 - Google Patents
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Description
本發明大體上係關於檢測系統領域，且更特定言之本發明係關於一種缺陷檢測及光致發光量測系統。
在電子器件生產期間(例如，高亮度LED生產)使用的沈積製程之足夠的監測效能對於確保一相對時間集約型程序之品質及連貫性係重要的。可使用多種自身外製程，其包含光致發光(PL)繪圖及缺陷檢測。在特定的激發條件下，局部光致發光光譜從一旦製成一裝置之一晶圓之經量測區域上可指示出一LED之發射光譜將是什麽。一PL峰值波長之經量測的不均勻性可追溯至各種製程條件(包含溫度變動或溫度梯度)，這可用以校正非期望的製程條件。
缺陷檢測可用以偵測及監測晶圓中的各種缺陷(包含表面缺陷之尺寸/類型、粒子、磊晶層厚度中的不規則性等等)，這會妨礙半導體材料之效能。沈積技術後可使用缺陷檢測，且因此在一製程中一缺陷檢測之結果可於一成品之組裝之前用以相對較早地偵測出一缺陷。
目前為了執行PL繪圖及缺陷偵測，會使用兩個獨立的平台。此一組態呈現非期望的結果，包含與擁有/維修兩個獨立的平台相關聯之成本，處理一晶圓之多個步驟(這增加了該等晶圓受污染之風險)，與來自該等獨立的平台之獨立的資料有關的困難，及與執行兩個獨立的監測技術相關聯之時間及成本。
因此，期望繼續或另外提供解決上述使用兩個獨立平台之局限性的一缺陷檢測及光致發光量測系統。另外，期望提供一缺陷檢測及光致發光量測系統使得在相同的高解析度下取得的散射資料及PL資料之組合可達到某些缺陷類型(例如與高亮度LED之製作有關的缺陷類型)之描述及理解的一個新的水平。
一種用於一樣本之缺陷偵測及光致發光量測之系統，其可包含(但不限於)經組態以將輻射對準至該樣本之一輻射源。該系統亦可包含定位於該樣本上以接收一樣本輻射之一光學器件總成。該樣本輻射可係由該樣本反射、由該樣本散射或自該樣本輻射之至少一者的輻射，該光學器件總成經組態以反射及/或折射該樣本輻射。該系統亦可包含經組態以接收由該光學器件總成反射或折射的該樣本輻射之一濾光器模組。該濾光器模組可將由該光學器件總成反射及/或折射之該樣本輻射分成一第一輻射部分及一第二輻射部分。該系統亦可包含經組態以從該濾光器模組接收該第一輻射部分之一缺陷偵測模組。該系統可進一步包含經組態以從該濾光器模組接收該第二輻射部分之一光致發光量測模組。該缺陷偵測模組及該光致發光量測模組可經組態以實質上同時接收該各自的第一輻射部分及該第二輻射部分。
一種用於一樣本缺陷偵測及光致發光量測之方法，其可包含(但不限於)照射該樣本、收集來自該樣本的輻射(該經收集輻射包含由該樣本反射、由該樣本散射或自該樣本輻射之至少一者的輻射)、濾光一第一輻射部分與一第二輻射部分之間的該經收集輻射、將該第一輻射部分傳遞至一缺陷偵測模組、將該第二輻射部分傳遞至一光致發光量測模組及實質上同時分析該第一輻射部分與該第二輻射部分。
一種用於一樣本缺陷偵測及光致發光量測之方法，其可包含(但不限於)照射該樣本、收集來自樣本的輻射(該經收集輻射包含由該樣本反射、由該樣本散射或自該樣本輻射之至少一者的輻射)、濾光一第一輻射部分與一第二輻射部分之間的該經收集輻射、將該第一輻射部分傳遞至一缺陷偵測模組、將該第二輻射部分傳遞至一光致發光量測模組、在該第一輻射部分或該第二輻射部分之至少一者中偵測一散射缺陷、根據該散射缺陷識別該樣品上一關注點並量測該關注點之一光譜光致發光。
應瞭解先前的一般描述及下文的詳細描述都僅係例示性及說明性的，並非必要地限制所主張之本發明。併入並組成說明書的一部分之隨附圖式繪示了本發明之一實施例並與該一般描述一起用以解釋本發明之原理。
熟悉此項技術者可參考隨附圖式更好地理解本發明之眾多優點。
現將詳細地參考本發明之目前較佳的實施例，本發明之實例在隨附圖式中予以說明。
現參照圖1，展示了用於一晶圓樣本102之缺陷檢測及光致發光(PL)量測之一系統100之一實施例的一示意圖。該系統100可包含經組態以將輻射對準至該晶圓102之一輻射源104。在圖1展示的實施例中，該輻射源104可產生一傾斜的輸入雷射束104a，其可受光學器件總成106之一光收集器108作用而指向該關注的樣本102(例如MOCVD沈積之後一磊晶晶圓)。該光學器件總成106可經組態以接收晶圓輻射之一反射體或折射體，其中該晶圓輻射可包含由該晶圓102反射、由該晶圓102散射或自該晶圓102輻射之至少一者的輻射。例如，該輸入雷射束104a之一部分110可自該晶圓102之頂面反射，該輸入雷射束104a之一部分111a可自該晶圓102之頂面散射入該光收集器108(在下文描述另一散射部分111b)，且一部分111c可由受測試的樣本102之作用結構(例如一多量子井(MQW))或任何其他螢光性質吸收並重新發射/輻射(光致發光(PL))。該輻射之該反射部分110可用以提供關於該樣本表面102之反射率、斜率或缺陷之資訊。該等散射及重新發射/輻射部分(111a、111b及111c)可由系統100之光學器件總成106收集以提供缺陷偵測、分類及光致發光量測資料。
如圖1中所示，該輻射源104可經組態以將一入射雷射束112(其可被實質上法向入射地發送)對準至該樣本102。例如，該入射雷射束112可使用該光學總成106以導引該入射雷射束112使其實質上法向於該晶圓102。該入射雷射束112亦可自該樣本102反射、散射及輻射。在圖1中展示了該入射雷射束112之該散射部分111b。在一實施例中，該入射雷射束112具有比該傾斜的輸入雷射束104a之一波長長的一波長。例如，在一特定實施例中，該輻射源104經組態以產生大約405奈米的該傾斜的輸入雷射束104a且經組態以產生大約660奈米的該法向入射的雷射束112。應瞭解可使用其他波長的輻射而不會違背本發明之範圍。該入射雷射束112之散射、反射或輻射的部分之至少一者之至少一部分可進入該光學器件總成106之該光收集器108。例如，該散射部分111b可由該光學器件總成106之該光收集器108收集。如圖1中所示，該散射部分111b與該輸入雷射束104a之該散射部分111a及與該輸入雷射束104a之該PL部分111c可實質上同時被收集。
圖1之該光收集器108可係有限共軛類型，且因此該經收集的光1119、111b及111c(該傾斜的輸入雷射束104a及該法向入射雷射束112之散射部分，以及來自該樣本102之光致發光)可發散至在複數個雷射波長上執行光致發光量測及散射光偵測的一組光學器件及偵測器上。一有限共軛類型收集器可被用以使一針孔(或場光闌)可被放置在該收集器之後焦點位置。在此情況中該針孔將被放置在正好超過鏡面116之光束路徑120中及在正好處於鏡面116之左側之光束路徑128中。該針孔或狹縫用作為一空間濾光器以除去非源自經由該表面102散射之光之散射光，例如，來自該雷射源104之雜散光或自樣本102之內部或背部散射之光。如下文所述，該光學器件總成106可進一步經組態以反射或折射該晶圓輻射至一組光學器件及偵測器。
該系統100可包含經組態以接收由該光學器件總成106反射及/或折射之該晶圓輻射(例如，該經收集光111a、111b及111c)之一濾光器模組114。該濾光器模組114可經組態以將該晶圓輻射分成一第一輻射部分及一第二輻射部分。該濾光器模組114可包含一第一濾光器116及一第二濾光器118。在一特定實施例中，該第一濾光器116及該第二濾光器118經組態以傳遞特定波長的光而反射不同於該特定波長之波長的光之二向色分光器。由該光收集器108收集並經反射及/或經折射之該晶圓輻射可照射在該第一濾光器116上。該第一濾光器116可傳遞對應於從該入射雷射束112至一缺陷偵測模組122之散射光的大多數之光部分120。例如，在一特定實施例中，該光部分120可約為660奈米。該缺陷偵測模組122可經組態以接收自該晶圓樣本102散射之光來偵測及監測該晶圓中的各種缺陷(包含表面缺陷之尺寸/類型、粒子、磊晶層厚度中的不規則性等等)，這會妨礙半導體材料之效能。在圖1所示的實施例中，該缺陷偵測模組122包含一第一光偵測器124及一第二光偵測器126。在一特定實施例中，該第一光偵測器124及該第二光偵測器126係散射光偵測器，例如光電倍增管。該第一濾光器116可反射對應於來自該傾斜的輸入雷射束104a之散射光與在該傾斜的輸入雷射束104a之施加後來自該晶圓之光致發光兩者的大多數之光部分128。例如，在一特定實施例中，該光部分128可具有短於約650奈米之一波長。
如圖1所示，該光部分128可照射在第二濾光器118上。該第二濾光器118可反射對應於來自該傾斜的輸入雷射束104a之散射光的大多數之光部分130，大多數之光部分130可被送至第二光偵測器126。例如，在一特定實施例中，該光部分130可約短於410奈米。該第二濾光器118可傳遞源自由該晶圓樣本102之光致發光的該光部分132。例如，在一特定實施例中，該光部分132可約在650奈米與415奈米之間。因此，在該濾光器模組114包含該第一濾光器116及該第二濾光器118之情況下，該濾光器模組可經組態以將該晶圓輻射(例如，111a、111b及111c)分成由光部分120及130組成之一第一輻射部分與由光部分132組成之一第二輻射部分。如上文所述該第一輻射部分(例如，光部分120及130)可由該缺陷偵測部分122接收，且如下文所述該第二輻射部分(例如，光部分132)可由一光致發光模組134接收。應瞭解取決於該濾光器模組114中使用的濾光器之類型及數目該第一輻射部分及該第二輻射部分可包包括不同光部分。例如，該第一輻射部分及該第二輻射部分可各自包含一單一光部分或可包含多個光部分。
該光部分132可傳遞至該系統100之光致發光量測模組134。該光致發光量測模組134可偵測及監測來自該樣本102之一局部光致發光光譜，該局部光致發光光譜從一旦製成一裝置之該晶圓102之經量測區域上可指示出一LED之發射光譜將是什麽，例如在圖2中所示，其提供了在一綠色LED晶圓之一位置的一PL光譜。
該光致發光量測模組134可包含一第三光偵測器，例如一光電倍增管、一突崩光電二極體(APD)或其他類型之光電二極體，這取決於來自該光致發光之光階及所需靈敏度。在一特定實施例中，該光致發光量測模組134包含可係光纖耦合或不係光纖耦合的一光譜儀，其經組態以在足以提供光致發光之一彩色繪圖的一比率下來提供光致發光繪圖(例如，該光致發光之全光譜量測)，例如在圖3中展示之實例，該實例提供了來自一藍色LED晶圓之關於一峰值波長的一PL繪圖。一光纖耦合的超快光譜儀可實現對於約4英寸的晶圓以每小時約15個至25個晶圓之間之一缺陷偵測通量來進行該晶圓樣本102之一單一傳遞量測。此取樣速率可慢於由該缺陷偵測模組122執行的取樣速率。藉由在此速率下使用光致發光繪圖，該晶圓樣本102可獲得波長變化及強度變化，其包含該光部分132之彩色內容的解析度。
如上文所述，該光致發光量測模組134可包含一簡單的非光譜儀的光偵測器，例如允許相對高速取樣之一相對快速光電二極體。在此實施例中可獲得一整合光致發光，該光致發光可關聯至該晶圓樣本102之一多量子井(MQW)之一局部內量子效率。因此，在該相對高速取樣下可量測該晶圓樣本102之一高解析度的發光度繪圖。該取樣速率可與由該缺陷偵測模組122執行的該取樣速率類似，因此允許該光致發光量測模組134與該缺陷偵測模組122一樣快地取樣。藉由該缺陷偵測模組122與該光致發光量測模組134共同取樣，該系統100可允許視光致發光量測與缺陷檢測量測同時發生並以一實質上類似的解析度。由兩個模組獲得的資料可用以在已觀測資料之間直接關聯資料。例如，可由該缺陷偵測模組122獲得經散射的資料且來自該光致發光量測模組134之相關聯的資料(與該經散射的資料實質上同時獲得)可用以指示中斷該晶圓樣本102之一MQW之輸出的該晶圓樣本102中之一凹點。例如，如在圖4A及圖4B中所示，雖然光致發光及缺陷偵測(分別地)可被獨立地量測以關聯各自的紊亂來調整該晶圓之生產製程之變量(例如氣流、溫度等等)，但是此等獨立的量測可為低效率的且不會使該光致發光量測與該缺陷偵測量測相關聯。系統100可操作以實質上同時量測光致發光及缺陷偵測，例如在圖4C中所示，該系統可使該等光致發光量測與該等缺陷偵測量測相關聯以用於該晶圓之生產製程之更為集中的調整。
現在參照圖5，展示了用於同時檢測缺陷及量測光致發光(PL)的該系統100之另一實施例的一示意圖。在此實施例中，系統可經實質上與圖1中所示的實施例類似地組態，然而該光致發光量測模組134可包含一分光器136、一第一光偵測器138及一第二光偵測器140。如圖5中所示，藉由該分光器136使光部分132分裂成一第一光部分142及一第二光部分144。該分光器136可係一標準的分光器(例如，寛帶介電質)以使該光分裂(例如，對稱地或不對稱地)，而不是根據波長濾光該光。該第一光部分142可指向該第一光偵測器138，該第一光偵測器138可經組態用於快取樣速率及用於獲得一整合光致發光量測之一光電倍增管類型的光偵測器。該第二光部分144可指向該第二光偵測器140，該第二光偵測器140可經組態用於較慢取樣速率及用於獲得該光致發光之全光譜量測之一光譜儀類型的光偵測器。在一特定實施例中，該第二光偵測器140包含與該第二光部分144介接之一光纖耦合器。
或者，該分光器136可係包含一分叉以使該光部分132分成該第一光偵測器138與該第二光偵測器140之各者的一光纖耦合器。
因此，圖5之該系統100可用一單一光學頭在一單一平台上實現實質上同時的缺陷偵測、整合光致發光量測及全光譜光致發光量測。另外，該系統100可使光致發光量測(例如，整合及光譜量測)與缺陷偵測量測能直接相關聯。此一組態避免了兩個獨立量測平台的非期望結果，該非期望結果包含與擁有/維修兩個獨立的平台相關聯之成本，處理一晶圓之多個步驟(這增加了該等晶圓受污染之風險)，與來自該等獨立的平台之獨立的資料有關的困難，及與執行兩個獨立的監測技術相關聯之時間及成本。
現在參照圖6，展示了用於一樣本的缺陷偵測及光致發光量測之一方法200之一流程圖。該方法200可包含照射該樣本之步驟210。例如，可用來自輻射源104之傾斜的輸入雷射束104a及/或法向入射的雷射束112照射該樣本。該方法200可包含收集來自該樣本之輻射(該經收集輻射包含由該晶圓反射、由該晶圓散射或自晶圓輻射之輻射的至少一者)之步驟220。來自該樣本之輻射可由該光學器件總成106收集。該方法200可包含濾光在一第一輻射部分與一第二輻射部分之間的經收集輻射之步驟230。該經收集輻射可由該濾光器模組114濾光。該方法200可包含將該第一輻射部分傳遞至一缺陷偵測模組之步驟240。例如，該第一輻射部分可係傳遞至該缺陷偵測模組122之該光部分120或該光部分130之至少一者。在一特定實施例中，該第一輻射部分包含由該濾光器模組114濾光之散射光部分120及130二者。該方法200可包含將該第二輻射部分傳遞至一光致發光量測模組之步驟250。例如，該第二輻射部分可包含自該濾光器模組114傳遞至該光致發光量測模組134之該光部分132。該方法200可包含實質上同時分析該第一輻射部分與該第二輻射部分之步驟260。例如，由於該系統100可使用用於該缺陷偵測模組122及該光致發光量測模組134之一單一光學頭，所以可實質上同時分析該第一輻射部分及該第二輻射部分，藉以使該等PL量測與該缺陷偵測相關聯。
現在參照圖7，展示了用於一樣本的缺陷偵測及光致發光量測之一方法300之一流程圖。該方法300可包含照射該樣本之步驟310。例如，可用來自輻射源104之傾斜的輸入雷射束104a及/或法向入射的雷射束112照射該樣本。該方法300可包含收集來自該樣本之輻射(該經收集輻射包含由該晶圓反射、由該晶圓散射或自晶圓輻射之輻射的至少一者)之步驟320。來自該樣本之輻射可由該光學器件總成106收集。該方法300可包含濾光在一第一輻射部分與一第二輻射部分之間的經收集輻射之步驟330。該經收集輻射可由該濾光器模組114濾光。該方法300可包含將該第一輻射部分傳遞至一缺陷偵測模組之步驟340。例如，該第一輻射部分可係傳遞至該缺陷偵測模組122之該光部分120或該光部分130之至少一者。在一特定實施例中，該第一輻射部分包含由該濾光器模組114濾光之散射光部分120及130二者。該方法300可包含將該第二輻射部分傳遞至一光致發光量測模組之步驟350。例如，該第二輻射部分可包含自該濾光器模組114傳遞至該光致發光量測模組134之該光部分132。該方法300可包含在該第一輻射部分或該第二輻射部分之至少一者中偵測一散射缺陷之步驟360。藉由該缺陷偵測模組122或該光致發光量測模組134之至少一者可偵測該散射缺陷(例如，當該光致發光量測模組134包含經組態用於快速取樣速率及用於獲得一整合光致發光量測一光電倍增管類型之光偵測器時)。該方法300可包含根據該散射缺陷識別該樣品上一關注點之步驟370。例如，藉由執行一樣本之一相對快速掃描速率來識別該樣本中的缺陷，且該樣本上的該缺陷之位置資料可保存在一電腦記憶體中。該方法300可包含量測該關注點之一光譜光致發光之步驟380。例如，該光致發光量測模組134可包含以一相對較慢掃描速率來量測在該關注點上該樣本的光譜光致發光之一光譜儀。然而，由於根據一相對快速掃描速率程序來測定該關注點，故只有該等關注點(相對於該整個樣本)可受到一基於光譜儀PL量測之相對較慢掃描速率，因此增加了晶圓分析的整體效率。
在本發明中，該等揭示方法可由一裝置當作多組可讀的指令或軟體來執行。另外，應瞭解在該等揭示方法中的步驟之明確的次序或層級係例示性方法之實例。基於設計偏好，應瞭解該方法中的步驟之明確的次序或層級可被重新配置同時保持在所揭示的主旨內。該隨附方法主張呈一取樣次序的多個步驟之現有基礎，但並非一定意味著限制所呈之明確的次序或層級。
據信藉由前面之描述可瞭解本發明及其附屬優點之多者，且顯然在不脫離本發明之範圍及精神或不以犧牲其全部重要優點為代價下在形式、構造及組件的配置上可做各種改變。在描述前此處之形式僅係其中一解釋性的實施例，下文的申請專利範圍之意圖係涵蓋並包含此等改變。
100．．．系統
102．．．晶圓樣本
104．．．輻射源
104a．．．傾斜的輸入雷射束
106．．．光學器件總成
108．．．光收集器
110．．．傾斜的輸入雷射束之反射部分
111a．．．法向入射的雷射束之散射部分
111b．．．傾斜的輸入雷射束之散射部分
111c．．．傾斜的輸入雷射束之重新發射/輻射部分
112．．．法向入射的雷射束
114．．．濾光器模組
116．．．第一濾光器
118．．．第二濾光器
120．．．光束路徑/光部分
122．．．缺陷偵測模組
124．．．第一光偵測器
126．．．第二光偵測器
128．．．光部分/光束路徑
130．．．光部分
132．．．光部分
134．．．光致發光量測模組
136．．．分光器
138．．．第一光偵測器
140．．．第二光偵測器
142．．．第一光部分
144．．．第二光部分
200．．．方法
300．．．方法
圖1係用於同時的缺陷檢測及光致發光(PL)量測之一系統的一實施例的一示意圖；
圖2係在一晶圓之一個位置上的一PL光譜之一實例的一曲線圖；
圖3係對一晶圓之一峰值波長的一PL繪圖製圖之一圖解；及
圖4A係在具有一氮化鎵磊晶層及一藍寶石基板的一晶圓上實施的一PL程序之一示意圖；
圖4B係在圖4A中所示之晶圓上實施的一缺陷偵測程序之一示意圖；
圖4C係在圖4A中所示之晶圓上實施的一同時的PL程序及缺陷偵測程序之一示意圖；
圖5係用於同時的缺陷檢測及光致發光(PL)量測之一系統的另一實施例的一示意圖；
圖6係用於一樣本之缺陷偵測及光致發光量測之一方法的一流程圖；及
圖7係用於一樣本之缺陷偵測及光致發光量測之另一方法的一流程圖。
100．．．系統
102．．．晶圓樣本
104．．．輻射源
104a．．．傾斜的輸入雷射束
106．．．光學器件總成
108．．．光收集器
110．．．傾斜的輸入雷射束之反射部分
111a．．．法向入射的雷射束之散射部分
111b．．．傾斜的輸入雷射束之散射部分
111c．．．傾斜的輸入雷射束之重新發射/輻射部分
112．．．法向入射的雷射束
114．．．濾光器模組
116．．．第一濾光器
118．．．第二濾光器
120．．．光束路徑/光部分
122．．．缺陷偵測模組
124．．．第一光偵測器
126．．．第二光偵測器
128．．．光部分/光束路徑
130．．．光部分
132．．．光部分
134．．．光致發光量測模組
Claims (19)
- 一種用於一樣本之缺陷偵測及光致發光量測的系統，其包括：一輻射源，其經組態以將輻射對準至該樣本；一光學器件總成，其定位於該樣本上以接收一樣本輻射，該樣本輻射係由該樣本反射、由該樣本散射或自該樣本輻射之至少一者的輻射，該光學器件總成經組態以收集該樣本輻射；一濾光器模組，其經組態以接收由該光學器件總成收集的該樣本輻射，該濾光器模組將由該光學器件總成收集之該樣本輻射分成一第一輻射部分及一第二輻射部分；一缺陷偵測模組，其經組態以從該濾光器模組接收該第一輻射部分，該缺陷偵測模組經組態以利用該第一輻射部分偵測該樣本之至少一缺陷；及一光致發光量測模組，其經組態以從該濾光器模組接收該第二輻射部分，該缺陷偵測模組及該光致發光量測模組經組態以實質上同時接收該各自的第一輻射部分及該第二輻射部分，該光致發光量測模組包含一光譜儀，該光譜儀經組態以利用該第二輻射部分偵測該樣本之一局部光致發光光譜，該光致發光量測模組經組態以基於該經偵測之局部光致發光光譜以提供一光致發光映射。
- 如請求項1之系統，其進一步包括：在該光譜儀與該第二輻射部分之間的一光纖耦合器。
- 如請求項1之系統，其進一步包括：一光偵測器；及一分叉式光纖耦合器，該分叉式耦合器位於該第二輻射部分與該光偵測器及該光譜儀之各者之間，該分叉式光纖耦合器將該第二輻射部分之至少一部分傳遞至該光偵測器及該光譜儀之各者。
- 如請求項1之系統，其中該濾光器模組包含一第一濾光器及一第二濾光器。
- 如請求項4之系統，其中該第一濾光器經組態以實質上將該樣本輻射之一第一經濾光部分與一第二經濾光部分隔開，該第二濾光器經組態以從該第一濾光器接收該第二經濾光部分。
- 如請求項5之系統，其中該第二濾光器經組態以實質上將一第三經濾光部分與一第四經濾光部分隔開。
- 如請求項6之系統，其中該缺陷偵測模組包含一第一光偵測器及一第二光偵測器，該第一光偵測器經組態以接收該第一經濾光部分，該第二光偵測器經組態以接收該第三經濾光部分。
- 如請求項6之系統，其中該第一經濾光部分具有一第一波長，該第二經濾光部分係短於一第二波長，該第三經濾光部分係長於一第三波長，且該第四經濾光部分係短於一第四波長。
- 如請求項8之系統，其中該第一波長約為660奈米，該第二波長約為650奈米，該第三波長約為415奈米，且該第 四波長約為410奈米。
- 如請求項4之系統，其中該缺陷偵測模組包含一第一輻射偵測器及一第二輻射偵測器，該第一輻射偵測器經組態以接收來自該第一濾光器之輻射，且該第二輻射偵測器經組態以接收來自該第二濾光器之輻射。
- 如請求項1之系統，其中該輻射源包含一第一輻射源及一第二輻射源。
- 如請求項11之系統，其中該第一輻射源經組態以產生指向該樣本之一傾斜的輸入雷射束，且該第二輻射源經組態以產生一實質上法向的入射雷射束。
- 如請求項12之系統，其中該第一輻射部分包含來自該傾斜的輸入雷射束之散射輻射或來自該實質上法向的入射雷射束之散射輻射之至少一者，且該第二輻射部分包含來自該樣本之光致發光。
- 如請求項1之系統，其中該缺陷偵測模組及該光致發光量測模組共用一光學頭。
- 一種用於一樣本之缺陷偵測及光致發光量測的方法，其包括：照射該樣本；收集來自該樣本之輻射，該經收集輻射包含由該樣本反射、由該樣本散射或自該樣本輻射之至少一者的輻射；濾光在一第一輻射部分與一第二輻射部分之間的該經收集輻射； 將該第一輻射部分傳遞至一缺陷偵測模組；將該第二輻射部分傳遞至一光致發光量測模組；實質上同時分析該第一輻射部分與該第二輻射部分，包含：透過該缺陷偵測模組利用該第一輻射部分偵測該樣本之至少一缺陷、透過該光致發光量測模組利用該第二輻射部分偵測該樣本之一局部光致發光光譜、及基於該經偵測之局部光致發光光譜以提供一光致發光映射；將經偵測缺陷資訊與該光致發光映射相關聯；及基於該相關聯調整至少一半導體生產變數。
- 如請求項15之方法，其中偵測該樣本之該局部光致發光光譜包含：量測來自該第二輻射部分之一光譜光致發光。
- 如請求項15之方法，其中偵測該樣本之該局部光致發光光譜包含：量測來自該第二輻射部分之一光譜光致發光；及量測來自該第二輻射部分之一整合光致發光。
- 如請求項15之方法，其中偵測該樣本之該局部光致發光光譜包含：量測來自該第二輻射部分之一整合光致發光。
- 一種用於一樣本之缺陷偵測及光致發光量測的方法，其包括：照射該樣本；收集來自該樣本之輻射，該經收集輻射包含由該樣本反射、由該樣本散射或自該樣本輻射之至少一者的輻 射；濾光在一第一輻射部分與一第二輻射部分之間的該經收集輻射；將該第一輻射部分傳遞至一缺陷偵測模組；實質上與將該第一輻射部分傳遞至該缺陷偵測模組同時，將該第二輻射部分傳遞至一光致發光量測模組；透過該缺陷偵測模組利用該第一輻射部分偵測該樣本之一散射缺陷；根據該散射缺陷識別該樣品上一關注點；透過該光致發光量測模組利用該第二輻射部分至少藉由量測該關注點之一光譜光致發光偵測該樣本之一局部光致發光光譜；基於該關注點之該光譜光致發光以提供一光致發光映射；及基於該光致發光映射以判定自包括該關注點之該樣本之至少一部分所製造之一發光二極體之一發射光譜。
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