TWI464034B

TWI464034B - 研磨墊

Info

Publication number: TWI464034B
Application number: TW098128238A
Authority: TW
Inventors: Shugo Usamoto; Kazuhiko Syakagori
Original assignee: Sumco Techxiv Corp
Priority date: 2008-08-21
Filing date: 2009-08-21
Publication date: 2014-12-11
Also published as: TW201018546A; JP5348966B2; JP2010050277A

Description

研磨墊

本發明是關於一種用於對半導體晶圓的缺口部內側面進行研磨的半導體晶圓的研磨裝置所利用之研磨墊及其製造方法。

通常，半導體晶圓20因為其方向特異性，而在外周部的一部分上設置如圖4所示那樣的V字狀缺口亦即缺口部22，並利用該缺口部22而進行半導體晶圓20的位置對合或方位對合。該缺口部22可使用呈紡錘形狀的磨石而形成。這種缺口部的形狀在SEMIM1-0707中有所規定，具體地說，是形成圖5所示那種形狀。例如，可使深度D為1mm、直徑為3mm的銷，插入在直徑300mm的半導體晶圓20的外周部打開90°的V字狀的缺口中，並進行位置固定等而形成。該V字形狀的缺口部的內面(例如圖1的內側的面24)的研磨，利用通常的半導體晶圓的研磨裝置無法進行。

因此，可利用例如圖8所示那樣的裝置進行內面的研磨(專利文獻1)。該缺口部研磨裝置901包括：台部903，其保持晶圓W；脈衝電動機902，其可使該台部903沿著正反方向進行旋轉脈動。其中，在台部903上連結有未圖示的真空吸附裝置，可將晶圓W利用真空吸附而保持在台部903上。

而且，該缺口部研磨裝置901具有旋轉磨輪904，該旋轉磨輪904由彈性材料例如發泡聚氨基甲酸乙酯等的合成樹脂形成。該旋轉磨輪904與使該旋轉磨輪904旋轉的電動電動機(第1電動機)905相連結，且利用聯桿機構906進行保持。另外，旋轉磨輪904可以與台部903所保持的晶圓面平行的軸為中心進行旋轉。

聯桿機構906由聯桿961、962構成。聯桿961的基板961a的頂端側分支為2股，該分支部的一個由軸承907保持，另一個與脈衝電動機(第2電動機)908相連結。在這裏，軸承907的中心軸和脈動電動機908的旋轉軸處於同一直線上，連結其中心的線與晶圓表面平行且與晶圓W的缺口部932大致相接。而且，在聯桿961的基板961a的中間部立起設置有支架961b、961b，且在該支架961b、961b上安裝有可以軸962a為中心進行往返動作的聯桿962。在該聯桿962的一端安裝有旋轉磨輪904及電動電動機905。另一方面，在聯桿962的另一端和和前述聯桿961的後端之間設置有氣缸裝置909。亦即，氣缸裝置909是以氣缸基端固定在聯桿961上，且桿部頂端與聯桿962形成回轉對偶之形態進行設置，且利用該氣缸裝置909，聯桿962可與聯桿961分別地進行動作。該氣缸裝置909與未圖示的氣體供排裝置及氣壓調節裝置相連結。

首先，將晶圓W利用真空吸附等設置在台部903上。利用該晶圓W的設置，而在連結軸承907的中心軸和脈衝電動機908的旋轉軸之線上，以位於晶圓W的缺口部932附近的形態設定聯桿機構。因此，最好考慮作為研磨對象物的晶圓W的直徑，預先設定台部903和軸承907及脈衝電動機908的位置關係，或使軸承907及脈衝電動機908對台部903可進行相對移動。另外，在晶圓W的設置時，預先利用氣缸裝置909使旋轉磨輪904從晶圓W離開。

接著，使氣缸裝置909動作，並將旋轉磨輪904對晶圓W的缺口部932內面進行按壓。於是，旋轉磨輪904的周面部產生彈性變形，使旋轉磨輪904與晶圓W廣泛接觸。然後，利用電動電動機905使旋轉磨輪904進行旋轉，且利用脈動電動機908，使旋轉磨輪904沿著缺口部內面的突出部，以使前述按壓力對缺口部內面沿著垂直方向進行作用之形態而緩緩地旋轉。此時，將研磨劑供給到缺口部932，其中，該研磨劑是在例如鹼液中使膠質二氧化矽分散形成。該旋轉研磨的動作以沿著缺口部內面進行往返動作的形態而實施規定的次數。而且，要依據需要使台部903，沿著相對旋轉磨輪904的按壓方向形成直角的正反方向進行旋轉脈動，對缺口部932內面全體進行研磨。

然而，即使利用這種裝置，也存在缺口部產生毛刺等的問題，故而提出一種能夠對包含半導體晶圓的缺口部在內的全部倒角面有效地進行研磨之改良了的半導體晶圓的倒角面研磨裝置(例如專利文獻2)。

[專利文獻1]日本專利第2798345號公報

[專利文獻2]日本專利早期公開之特開2000-317790號公報

但是，因為缺口部的複雜形狀，難以在均一的條件下使研磨墊的全表面與缺口部的內面相接觸，從而難以防止研磨墊的毛刺等的產生。而且，難以防止研磨墊的偏磨耗。雖然也考慮使用磨耗率小的研磨墊，但是磨耗小的研磨墊有可能導致被研磨表面的品質下降。

因此，發明者們鑒於上述課題，銳意研究對缺口部內面等的研磨較佳之研磨墊的特性等，而形成本發明。亦即，當從外周沿著內面向前時，在缺口部的內部該內面急劇彎曲，方向以規定的曲率(或曲率半徑)呈90°變化，且該內面再次變得平坦並與相反側的外周相連結，所以，在內部的內面和研磨墊的接觸狀態，在外周附近的內面和研磨墊的接觸狀態，及在外周部附近的所謂角部和研磨墊的接觸狀態，分別不同。例如，在上述內部，對應急劇變化的曲率半徑r，考慮以柔軟地變形而與內面相接觸的特性較佳，另一方面，與所謂角部接觸的地方，應該會產生高面壓，考慮以耐載重性優良的特性較佳。另一方面，研磨缺口部的研磨墊具有因為缺口部的特殊凹形狀而呈模仿其形狀的凸形的頂端部，頂端部的各部位主要與缺口部的對應部位接觸，而與其它的部位接觸少。因此，如可使分別對應的研磨墊的各部位具有這種不同的較佳特性，則可提供更佳的研磨墊。例如，如為包含多層研磨墊構件的研磨墊，其中，該多層研磨墊構件是將柔軟可變形的研磨墊構件和耐載重性優良的研磨墊構件進行層疊，則在各層的露出部(頂端部)可發揮它們的特性。而且，可以凸部的頂端為柔軟可變形的研磨墊構件，前述缺口部的所謂角部接觸的地方為耐載重性優良的研磨墊構件之形態而構成研磨墊，並採用層構造而實現。更具體地說，可提供以下的研磨墊。

本發明提供(1)一種研磨墊，其特徵在於，在用於對半導體晶圓的周邊上所形成的缺口部進行研磨之研磨墊上，設置有與前述缺口部的內面相接觸的頂端部，且前述頂端部具有模仿前述缺口部的缺口形狀之凸形狀，包括以具有不同物性的第1及第2墊部構件在前述凸形狀的頂端露出之形態而層疊的多層墊部構件。

在這裏，缺口部的形狀包括SEMI所規定的形狀，但可還含有類似的凹形狀。亦即，該缺口部可含有在半導體晶圓的周邊上所形成之凹形狀的凹部。上述的研磨墊可使至少一部分(例如頂端部)進入缺口部的內側(例如由2個斜線所構成之V字的兩斜線所挾持的位置)。缺口形狀一般意味著V字形或U字形等切入或溝的形狀。所說的模仿該缺口形狀的凸形狀，可包含嵌入到缺口部中的嵌合形狀及與其類似的形狀。例如，在V字形狀的缺口部的內面研磨中，如V字形的打開角為45度，則具有較其稍小角度的頂端角較佳。研磨墊在例如圓板的周邊(外周)使外周端削尖設置。以與圓板狀的半導體晶圓直交的形態，圓板狀(或環狀)的研磨墊旋轉配置，且圓板的外周所配置的研磨墊進入同晶圓的外周的缺口部內側之情況也屬於嵌合。第1及第2墊部構件分別平緩展開，且它們重疊層積。層積是使與凸形狀大致平行的各層重疊進行，所以在積層體的端部，各層的端部露出而呈紋狀。由於與凸形狀大致平行，所以在頂端部，各層的端部露出呈條紋狀。特別是第1墊部構件可為柔軟可變形的研磨墊構件，在模仿缺口形狀的凸形狀處，可於中央的突起部使該層的端部露出(露頭)。這樣，突起部可與前述缺口形狀的內部相接觸。第2墊部構件可為耐載重性優良的研磨墊構件，可配置在上述第1墊部構件的兩側，如夾層狀挾入第1墊部構件。第2墊部構件可配置在凸形狀的中央突起部亦即第1墊部構件的兩側，形成凸形狀的山麓部位。

本發明提供(2)一種如(1)所述的研磨墊，其特徵在於，前述不同的特性為不同的硬度。

在這裏，硬度與壓縮率密切相關，也可相互關聯地進行規定。硬度依據例如JIS K6253而測定。將分割為1.27mm厚的研磨層以1.5cm角切出6片。所切出的樣品是將保持23.5度±2℃×濕度50%×24小時後的6片樣品重疊，並設置在SHORE A硬度計中。將A硬度計的針刺入到6片重疊的樣品中，1分鐘後讀取A硬度計指針。

而且，壓縮率依據JIS L1096而測定。發泡體研磨層(樣品尺寸直徑7mm)利用直徑5mm的圓筒狀壓塊，以macscience社製TMA在25℃下施加負重，測定T1(μm)、T2(μm)。

壓縮率(%)=〔(T1-T2)/T1〕×100

在這裏，T1表示從無負載狀態開始保持60秒的30kPa(300g/cm² )的應力負載時之薄片的厚度，T2表示從T1 的狀態開始保持60秒的180kPa的應力負載時之薄片的厚度。

耐載重性優良的研磨墊構件利用上述方法的硬度，較佳是大於等於70，更佳是大於等於80。但是，如硬度過高，則研磨面容易不平，較佳是小於等於100，更佳是小於等於95。另一方面，柔軟性優良的研磨墊構件的硬度較佳是大於等於65，更佳是大於等於75。但是，如硬度過高，則柔軟性惡化，所以較佳是小於等於95，更佳是小於等於90。耐載重性優良的研磨墊構件以具有較柔軟性優良的研磨墊構件大於等於5的硬度較佳。

如從壓縮率考慮，則耐載重性優良的研磨墊構件利用上述方法的壓縮率，較佳為小於等於10.0%，更佳為小於等於8.0%，特佳為小於等於5.0%。但是，如壓縮率過高，則研磨面容易不平，較佳是大於等於0.5%，更佳是大於等於1.5%，特佳是大於等於2.0%。另一方面，柔軟性優良的研磨墊構件的壓縮率，較佳是小於等於12.0%，更佳是小於等於11.0%，特佳是小於等於10.0%。但是，如壓縮率過高，則柔軟性惡化，所以較佳是大於等於1.0%，更佳是大於等於3.0%，特佳是大於等於5.0%。該壓縮率與硬度關係密切，但在本發明中，以硬度的規定優先。

本發明提供(3)一種上述(1)或(2)所述的研磨墊，其特徵在於，前述第1墊部構件和前述第2墊部構件利用黏著劑或熱塑性樹脂進行熱熔接。

層疊的第1墊部構件和第2墊部構件可彼此利用熱壓縮而進行接合，但較佳是可利用氨基甲酸乙酯樹脂或熱塑性樹脂而進行熱熔接。另外，研磨墊也可不為將薄膜構件進行層疊而製作的多層構件。採用以下這樣的形態進行配置即可，亦即只要在V字形的缺口的內面所接觸的表面及其附近的材料組合接觸V字形內部時，第1墊部構件露出，在研磨工程中有時從V字形狀的缺口的內面伸出到外部的缺口邊角部所抵接的部位，第2墊部構件露出。換言之，與V字形的內部接觸時，難以賦予高接觸壓力，與缺口邊角部抵接的部位為有可能局部接受高面壓的部位。在體端部，各層的端部露出形成條紋狀。由於與凸形狀大致平行，所以在頂端部，各層的端部露出且呈條紋狀。特別是第1墊部構件可為柔軟可變形的研磨墊構件，可在模仿缺口形狀的凸形狀中，於中央的突起部使該層的端部露出(露頭)。

本發明提供(4)一種如上述(1)或(2)中的某一項所述的研磨墊，其特徵在於，前述第1墊部構件由含樹脂不織布構成，前述第2墊部構件由發泡性氨基甲酸乙酯構成。

上述的含有樹脂的不織布可包含在纖維片、網或夾層中，使纖維單向或隨機配向，並利用交流(亦即，利用纖維的絡合而使纖維彼此不分離)、及/或熔接、及/或黏接而使纖維間相結合之不織布。但是，紙、織物、編物、毛圈及縮絨氈除外。例如，可包含聚酯不織布、尼龍不織布、丙烯酸不織布等，這樣的不織布中所含有的樹脂可包含氨基甲酸乙酯樹脂、聚乙烯樹脂等。通常，不織布是利用紡黏、熱結合(thermalbond)、化學鍵、針刺(needle punch)、縫編(stitch bond)、濕式法、水刺(spunlace)法(水流絡合法)、熔噴(melt-blow)法等而製造。在本發明中，以厚度均勻且可任意地改變每單位面積的質量之濕式法較佳。

在這裏，發泡氨基甲酸乙酯是在內部形成氣泡，當改變氣泡的大小時，硬度、壓縮率、密度等不同。通常，發泡聚氨基甲酸乙酯為硬質，按照肖氏A規格使用60~100的硬度規格。作為這種發泡氨基甲酸乙酯，可使用聚氨基甲酸乙酯樹脂。這種聚氨基甲酸乙酯樹脂，由末端含有異氰酸酯的氨基甲酸乙酯預聚物和有機二胺化合物構成，末端含有異氰酸酯的氨基甲酸乙酯預聚物由聚異氰酸酯、高分子多元醇和低分子多元醇構成。作為聚異氰酸酯，可為例如甲苯2,4-及/或2,6-二異氰酸酯、二苯甲烷2,2’-、2,4’-及/或4,4’-二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、對及間伸苯基二異氰酸酯、二甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、二苯基-4,4’-二異氰酸酯、1,3-及1,4-四甲基二甲苯胺二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯、環己烷-1,3-及1,4-二異氰酸酯、1-異氰酸酯-3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己烷(=異佛爾酮二異氰酸酯)、雙-(4-異氰酸酯環己基)甲烷(=氫化MDI)、2-及4-異氰酸酯環己基-2’-異氰酸酯環己基甲烷、1,3-及1,4-雙-(異氰酸酯甲基)-環己烷、雙-(4-異氰酸酯-3-甲基環己基)甲烷等。而且，作為高分子多元醇，可為例如末端含有羥基的聚酯、聚碳酸酯、聚酯碳酸酯、聚醚、聚醚碳酸酯、聚酯醯胺等，但其中以耐加水分解性良好的聚醚及聚碳酸酯較佳，從價格面和熔融黏度面來看，以聚醚特佳。作為聚醚多元醇，可為具有反應性氫原子的引發化合物，和例如環氧乙烷、環氧丙烷、環氧丁烷、氧化苯乙烯、四氫呋喃、環氧氯丙烷這樣的環氧烷或這些環氧烷的混合物之反應生成物。作為具有反應性氫原子的引發化合物，為了製造氫、雙酚A及聚酯多元醇，可為上述的二價醇。

本發明提供(5)如上述(1)或(2)中的某一項所述的研磨墊，其特徵在於，前述第1墊部構件的厚度較前述缺口部的周方向的寬度薄。

第1墊部構件位於研磨墊的最頂端，最好是在缺口部內部的曲率半徑r小的地方，柔軟地進行變形並接觸，但因此常出現使對高面壓的耐性低的情況。如第1墊部構件的厚度較缺口部的周邊方向的寬度薄，則第1墊部構件可不與外周部的所謂角部抵接。但是，在與缺口部的周方向的寬度相同或較厚的情況下，該角部是與第1墊部構件抵接，所以不佳。而且，藉由在含有樹脂的不織布所構成的第1墊部構件上，經由黏著劑而重合發泡性氨基甲酸乙酯樹脂所構成的第2墊部構件，並進行加熱壓縮，可製造積層墊部構件，如利用這種方法，則可如上述那樣，良好地進行缺口部的研磨。另外，在各個圓環狀的平緩的墊部構件，積層是按照第2墊部構件、黏著劑、第1墊部構件、黏著劑、第2墊部構件的順序進行，並進行加熱壓縮。然後，在外周部，以第1墊部構件突出的形態，而向半徑方向外側形成凸形狀。

如利用本發明，則藉由使為了對半導體晶圓的缺口部進行研磨所利用的研磨墊的構造為多層構造(採用2層以上的構成)，可大大地改善缺口部的倒角面品質。該多層構造可藉由對加工方向平行地層積各層而構成。更具體地說，藉由使半導體晶圓的缺口部的鏡面加工所利用之研磨墊的材質或物性，由分別不同的構件構成，可均勻地對半導體晶圓的加工面進行加工。而且，藉由在不易產生毛剌的部位利用氨基甲酸乙酯系的難以產生毛刺的樹脂，能夠抑制因缺口部加工而容易產生的研磨墊的毛刺，所以難以產生過度研磨(overpolish)。而且，藉由使該研磨墊的材質為不織布、氨基甲酸乙酯等樹脂系，可輕鬆地製造研磨墊。另外，由於採用上述那樣的構成，所以能夠抑制缺口部的研磨不平的產生，能夠進行研磨墊的可加工週期的延長。而且，能夠限制研磨墊的毛剌的產生。

接著，在本發明的實施形態中，參照圖示進行說明。在各圖示中，對具有相同構成或機能的構成要素及相當部分，附以相同的符號並省略其說明。而且，雖然本發明已以實施例揭露如下，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。而且，這些圖示是為了說明而進行的強調表示，有時與實際的尺寸不同。

圖1所示為具有作為本發明的實施例的研磨墊10之研磨輪11(參照圖3)，作好準備對作為半導體晶圓的矽晶圓20的缺口部22的內面24進行鏡面研磨之狀態。研磨墊10採用以浸含有樹脂的不織布所構成的不織布構件12為中心，並在其兩側經由邊界15而配置發泡性氨基甲酸乙酯構件14之多層構造。該研磨墊10可將在其外周所設置的研磨輪11(參照圖3)沿著圖中左方向進行移動，並按壓在矽晶圓20的缺口部22的內面24上，且沿著圖中的下方的箭頭朝向進行旋轉並研磨。研磨輪可利用未圖示的機構而沿著圖中左右方向進行移動(搖動)，並利用適當的壓力而將研磨墊10的對應的各部位按壓在缺口部22的內面24的各部位上。作為矽晶圓20的主要面，在缺口部22的附近26、28，有時會受到該研磨墊10所形成的研磨的影響。詳細將在後面進行說明。

圖2所示為研磨墊10的剖面圖。中央層由不織布構件12構成，其兩側的層由氨基甲酸乙酯構件14構成，但是在兩者間15塗敷黏著劑並進行熱熔接而黏接。更具體地說，不織布構件12為TORAY COATEX股份有限公司製的浸含有氨基甲酸乙酯的不織布(型號：NF7055)，氨基甲酸乙酯構件14為千代田股份有限公司製的氨基甲酸乙酯發泡體(型號：PV2700)，黏著劑為東洋紡織股份有限公司製的聚醯胺(熱熔膠黏劑)。它們藉由在125℃、1.3Kg/cm² 下進行壓縮而黏接。如圖3所示，研磨墊10配置在研磨輪11的外周，且在研磨墊10全體中呈圓環形狀。如利用與圓環形狀所規定的平面垂直的面，取研磨墊的斷面，則其頂端部(外周部)呈楔形狀，楔形狀的頂端部在該剖面上形成半徑R的圓弧。該半徑R較缺口部22的內部27的曲率半徑r大，並因按壓而使研磨墊10的頂端部變形，從而可與內部27的內面相接觸，並對該面進行鏡面研磨。由不織布構件12所構成的層的厚度，根據圖1可知，較缺口部22的外周方向的寬度薄，且在研磨中，研磨墊10的不織布構件12總是位於缺口部22的內側，並不與處於內面24和外周的邊界之角部25相接觸。該角部25由於接觸面積容易變小，所以當與研磨墊10抵接時，容易局部形成高面壓。不織布構件12不與該角部25相接觸，而是更硬且耐載重性高的氨基甲酸乙酯構件14進行接觸。因此，本實施例的研磨墊10可實現對缺口部22的內部27的鏡面研磨和角部25的應對處理。

在這裏，不織布構件12所利用的上述含浸有氨基甲酸乙酯的不織布，利用肖氏A硬度計進行測定，平均為84。而且，壓縮率為3.7%。另一方面，氨基甲酸乙酯構件14的氨基甲酸乙酯發泡體的硬度，平均為92。而且，壓縮率為0.91%。因此，硬度的不同為8。

圖6所示為如何利用本實施例的研磨墊10進行缺口部22的鏡面研磨。(a)所示為如單點劃線那樣，缺口部 22的內部27的曲面的中心和研磨墊10的頂端部的中心並排，作好研磨的準備之時刻。(b)所示為利用未圖示的機構而使研磨墊10按壓在缺口部22上的狀態。該機構可如箭形符號所示那樣，使研磨墊10在圖中左右搖動。藉此，研磨墊10的頂端部R附近柔軟地變形，對缺口部22的內部27的曲面進行鏡面研磨。但是，角部25不與不織布構件12接觸。(c)所示為還由於半導體晶圓20的搖動，由缺口部22的內面24的左右某一個(在圖中為上下某一個)強力地按壓研磨墊10之情形。即使在這種情況下，角部25也不與不織布構件12接觸，而與氨基甲酸乙酯構件14接觸，所以即使為高面壓也不會破損，能夠充分地承受。

圖7所示為利用不織布構件12形成研磨墊10全體的比較例。(a)所示為如單點劃線那樣，缺口部22的內部27的曲面的中心和研磨墊10的頂端部的中心並排，作好研磨的準備之時刻。(b)所示為利用該比較例進行研磨，結果研磨墊10的頂端部表面產生毛刺13的情形。該毛刺13被認為是不織布纖維綻開而露出到表面，但如較長時間地持續研磨，則作為圖1所示的矽晶圓20的主要面，缺口部22的附近26、28與毛刺接觸，有可能在該位置形成傷痕。

如上所述，如利用本申請發明，則是以夾層狀夾入具有不同材質或物性的樹脂，所以缺口部的內面較佳地進行鏡面研磨。特別是發泡性氨基甲酸乙酯等原料構成的墊部雖然壽命長，但利用鏡面研磨所形成的表面的粗度較不織布所構成的墊部的情況粗。另一方面，在利用不織布所構成的墊部進行研磨的情況下，容易產生墊部的毛刺，壽命短。特別是缺口部的內部(或底部)的鏡面研磨，利用發泡性氨基甲酸乙酯等原料所構成的墊部難以充分地保證品質，但如缺口部的其它的內面調製條件，則即使為發泡性氨基甲酸乙酯等原料所構成的墊部也可確保足夠的品質。因此，如對缺口部的內部(或底部)以不織布所構成的不織布構件抵接，對除此以外的部位以發泡性氨基甲酸乙酯構成的氨基甲酸乙酯構件抵接，則可藉由抑制毛刺而延長可使用的壽命(週期)，能夠抑制過度研磨或鏡面的不平，利用研磨而得到高品質的表面。而且，如利用黏著劑將不織布構件和氨基甲酸乙酯構件進行黏接，則可防止在界面處的剝離，能夠抑制鏡面的不平，利用研磨而得到高品質的表面。

10‧‧‧研磨墊

11‧‧‧研磨輪

12‧‧‧不織布構件

13‧‧‧毛刺

14‧‧‧氨基甲酸乙酯構件

15‧‧‧邊界

20‧‧‧半導體晶圓

22‧‧‧缺口部

24‧‧‧缺口部內面

25‧‧‧角部

26‧‧‧缺口部附近

27‧‧‧缺口部的內部

28‧‧‧缺口部附近

901‧‧‧缺口部研磨裝置

902‧‧‧脈衝電動機

903‧‧‧台部

904‧‧‧旋轉磨輪

905‧‧‧電動電動機

906‧‧‧聯桿機構

907‧‧‧軸承

908‧‧‧脈衝電動機

909‧‧‧氣缸裝置

932‧‧‧缺口部

961、962‧‧‧聯桿

961a‧‧‧基板

961b‧‧‧支架

962a‧‧‧軸

W‧‧‧晶圓

圖1所示為做好對本發明的實施形態的研磨墊和矽晶圓的缺口部進行鏡面研磨的準備之狀態下的部分斷開立體圖。

圖2所示為本發明的實施形態的研磨墊頂端部的剖面之部分斷開圖。

圖3為具有研磨墊的研磨輪的平面圖。

圖4為具有缺口部的矽晶圓的平面圖。

圖5所示為根據SEMI MI-0707的缺口形狀的概略圖。

圖6之(a)~圖6之(c)所示為對本發明的實施形態的研磨墊和矽晶圓的缺口部進行鏡面研磨之情形的概略圖。

圖7之(a)~圖7之(b)所示為作為比較例，要對只由不織布構件所構成的研磨墊和矽晶圓的缺口部進行鏡面研磨的狀態，及研磨後的研磨墊的破損狀態之概略圖。

圖8所示為對缺口部進行研磨的習知技術的研磨裝置之例子的立體圖。