TWI457413B - An agent composition, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device - Google Patents

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Description

接著劑組成物、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
本發明係關於接著劑組成物、半導體裝置的製造方法及半導體裝置。
近年在將半導體晶片安裝於基板進行連接上，廣泛利用使用金導線等金屬細線的導線接合方式。另一方面，為了對應半導體裝置的小型化、薄型化、高機能、高積體化、高速化等要求，在半導體晶片及基板間形成稱為凸塊的導電性突起，使半導體晶片與基板連接之覆晶連接方式(Flip Chip，FC連接方式)逐漸廣用。
例如關於半導體晶片及基板間之連接，於BGA(Ball Grid Array，球狀柵格陣列)、CSP(Chip Size Package，晶片尺寸封裝)等盛行的COB(Chip On Board，基板上晶片封裝)型連接方式亦為FC連接方式。又，FC連接方式亦廣泛使用在半導體晶片上形成連接部(凸塊或配線)，將半導體晶片間連接的COC(Chip On Chip，晶片上晶片封裝)型之連接方式(例如專利文獻1作參考)。
然而，為了應對更小型化、薄型化、高機能化之要求，將上述連接方式層合、多段化的晶片堆疊型封裝或POP(Package On Package，堆疊式封裝)、TSV(Through-Silicon Via，直通矽穿孔)等亦開始普及。如此層合、多段化技術，因使半導體晶片等配置為三次元，與二次元配 置手法相比較，可使封裝變小。尤其，TSV技術亦對半導體的性能提升、雜訊減低、安裝面積的減少、省電力化有效，作為次世代半導體配線技術而受注目。
而上述連接部(凸塊或配線)主要使用的金屬有焊料、錫、金、銀、銅、鎳等，亦可使用含有此等複數種之導電材料。連接部使用的金屬因表面氧化生成氧化膜，或表面附著氧化物等雜質而有在連接部之連接面產生雜質之情況。若殘留如此雜質則半導體晶片及基板間或2個半導體晶片間之連接性、絕緣可靠度降低，而有損害採用上述連接方式之優點的疑慮。
作為抑制此等雜質的產生且使連接性提升之方法，舉例如連接前在基板或半導體晶片之表面實施前處理的方法，例如施用OSP(Organic Solderbility Preservatives，有機可焊性保護劑)處理所使用的預焊劑或防鏽處理劑之方法。但，前處理後因預焊劑或防鏽處理劑殘留而劣化，亦有連接性降低之情況。
另一方面，根據以半導體密封材料(半導體密封用接著劑)使半導體晶片及基板間等的連接部密封之方法，可在半導體晶片及基板或半導體晶片彼此連接之同時密封連接部。因此，可抑制連接部使用的金屬之氧化、或防止雜質附著於連接部，保護連接部免於外部環境干擾。因此，可有效地使連接性、絕緣可靠度、作業性、生產性提升。
又，在以覆晶連接方式製造的半導體裝置，為了不使來自半導體晶片與基板之熱膨脹係數差或半導體晶片彼此 之熱膨脹係數差的熱應力集中在連接部而產生連接不良，需要以半導體密封材料密封半導體晶片及基板間等空隙。尤其，在半導體晶片與基板，多使用熱膨脹係數不同的成分，需要以半導體密封材料密封而提升耐熱衝撃性。
上述因半導體密封材料之密封方式可大致分為毛細管流動(Capillary-Flow)方式與預施加(Pre-applied)方式(例如專利文獻2~6作參考)。Capillary-Flow方式係指半導體晶片及基板之連接後，在半導體晶片及基板間之空隙將液狀的半導體密封材料以毛細管現象注入之方式。Pre-applied方式係指半導體晶片及基板之連接前，於半導體晶片或基板供給糊漿狀或薄膜狀的半導體密封材料後，將半導體晶片與基板連接之方式。關於此等密封方式，伴隨近年半導體裝置的小型化之進展，半導體晶片及基板間等空隙變窄，在Capillary-Flow方式有需長時間注入、生產性降低之情況、或無法注入之情況，又，即使能注入亦有存在未充填部分而成為孔洞原因之情況。因此，由作業性、生產性、可靠度之觀點來看Pre-applied方式作為可高機能化、高積體化、高速化的封裝之製作方法而成為主流。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2008-294382號公報
[專利文獻2]特開2001-223227號公報
[專利文獻3]特開2002-283098號公報
[專利文獻4]特開2005-272547號公報
[專利文獻5]特開2006-169407號公報
[專利文獻6]特開2006-188573號公報
在上述Pre-applied方式，經加熱加壓之連接同時，半導體晶片及基板間之空隙被半導體密封材料密封，故半導體密封材料之含有成分必需考量連接條件來選擇。一般在連接部彼此之連接，由充分確保連接性、絕緣可靠度之觀點來看，可使用金屬接合。因金屬接合為使用高溫(例如200℃以上)的連接方式，有半導體密封材料中殘留之揮發成分、或半導體密封材料含有成分之分解而新產生的揮發成分造成半導體密封材料發泡之情況。因此，產生稱為孔洞的氣泡、半導體密封材料由半導體晶片或基板剝離。又，加熱加壓時、壓力開放時，若產生上述孔洞或半導體晶片等回彈，則因連接連接部彼此的連接凸塊之撕裂而產生連接部之破壞等連接不良。因此等而在以往的半導體密封材料，有連接性、絕緣可靠度降低之虞。
又，半導體密封材料若不具有充分助熔活性(除去金屬表面的氧化膜或雜質的效果)之情況，則有無法除去金屬表面的氧化膜或雜質，無法形成良好的金屬-金屬接合，無法確保傳導之情況。進而半導體密封材料的絕緣可靠度低則難以應對連接部的窄間距化，而產生絕緣不良。亦 因此等，在以往的半導體密封材料有連接性、絕緣可靠度降低之虞。
使用半導體密封材料所製造的半導體裝置，追求達成高連接可靠度。連接可靠度可藉由例如TCT(Thermal Cycle Test)評估來評估。
本發明係有鑑於上述情況而成者，以提供可製作連接可靠度及絕緣可靠度優異之半導體裝置的接著劑組成物(半導體密封用接著劑)、使用該接著劑組成物的半導體裝置的製造方法及半導體裝置為目的。
本發明係提供一種接著劑組成物，該接著劑組成物在半導體晶片及配線電路基板各自的連接部相互電連接的半導體裝置、或在複數的半導體晶片各自的連接部相互電連接的半導體裝置中密封連接部，且該接著劑組成物含有環氧樹脂、硬化劑、與經具有下述一般式(1)所表示的基之化合物進行表面處理的乙烯系表面處理填料。
式(1)中，R1 、R2 及R3 各自獨立，為氫原子、甲基或乙基，R4 為碳數1~30之伸烷基。
本發明進而提供一種接著劑組成物，該接著劑組成物在半導體晶片及配線電路基板各自的連接部相互電連接的半導體裝置、或在複數的半導體晶片各自的連接部相互電連接的半導體裝置中密封連接部，且該接著劑組成物含有環氧樹脂、硬化劑、與具有下述一般式(1)所表示的基的填料。
式(1)中，R1 、R2 及R3 各自獨立，為氫原子、甲基或乙基，R4 為碳數1~30之伸烷基。
上述本發明的接著劑組成物，除含有環氧樹脂及硬化劑外，藉由再含有乙烯系表面處理填料或具有上述一般式(1)所表示的基之填料，即使用作為半導體密封用接著劑之情況，亦可實現半導體裝置的高連接可靠度及高絕緣可靠度。
在此，已知將矽烷耦合劑等與未經表面處理的填料一起含在樹脂中，則填料的表面被矽烷耦合處理，因矽烷耦合劑的取代基而可合成種種表面狀態的填料。但，矽烷耦合劑的揮發性高，在具有需要高溫連接的金屬接合等高溫製程之半導體裝置的製造步驟成為產生孔洞之原因。同樣地將以往所用之填料進行表面處理之情況，有產生甲醇等 揮發性高之有機物的情況，成為孔洞產生之原因。
又，在TCT評估，使-55~125℃的溫度變化加在半導體封裝，但在焊料之濕潤性不足的情況或連接部的金屬接合不完全的情況，因半導體晶片與基板間之熱膨脹率差在連接部累積的應力等而破壞連接部。在此，認為因半導體密封材料的熱膨脹率低可使連接部之應力減輕，可使半導體裝置的連接可靠度(耐TCT性)提升。
發明者們發現藉由在接著劑組成物含有上述乙烯系表面處理填料或具有上述一般式(1)所表示的基之填料，在將接著劑組成物用作為半導體密封用接著劑之情況，可實現半導體裝置的高連接可靠度。在本發明的接著劑組成物，使用預先經表面處理的乙烯系表面處理填料或具有上述一般式(1)所表示的基之填料，可抑制高揮發性物質之產生。此外，本發明者們推測，填料表面的乙烯基與其他構成成分反應形成堅固的硬化物，可使硬化物的熱膨脹率減低，展現高連接可靠度。又，本發明者們推測因乙烯系表面處理填料或具有上述一般式(1)所表示的基之填料不易使連接部的絕緣可靠度降低，而可使連接可靠度提升。
具有上述一般式(1)所表示的基之化合物以下述一般式(2)所表示的化合物為佳。
式(2)中，R1 、R2 及R3 各自獨立，為氫原子、甲基或乙基，R4 為碳數1~30之伸烷基，R5 為碳數1~30之烷基。
本發明的接著劑組成物藉由含有以上述一般式(2)所表示的化合物進行表面處理的填料，可使連接可靠度及絕緣可靠度更提升。
在本發明的接著劑組成物，由提升接著劑組成物的薄膜形成性之觀點來看，可再含有重量平均分子量為10000以上之高分子成分。
由更提升接著劑組成物的貼附性或薄膜形成性之觀點來看，上述高分子成分，以重量平均分子量為30000以上且玻璃化溫度為100℃以下為佳。
本發明的接著劑組成物藉由再含有助熔活性劑，使助熔活性增高、除去連接部的金屬表面的氧化膜或雜質，可形成良好的金屬-金屬接合。
以Pre-applied方式可使在將半導體晶片與配線電路基板之空隙或複數的半導體晶片間之空隙密封之情況的作業性提升，故本發明的接著劑組成物，形狀以薄膜狀為佳。
本發明進而提供一種半導體裝置的製造方法，該方法 製造半導體晶片及配線電路基板各自的連接部相互電連接的半導體裝置、或複數的半導體晶片各自的連接部相互電連接的半導體裝置，且該方法具備將連接部使用上述接著劑組成物密封的步驟。
根據本發明的半導體裝置的製造方法，藉由使用上述接著劑組成物，可使半導體裝置的連接可靠度及絕緣可靠度提升。
上述連接部含有由金、銀、銅、鎳、錫及鉛所成之群選出的至少一種之金屬作為主成分，可使連接部的電傳導性、熱傳導性、連接可靠度更提升。
本發明進而提供以上述半導體裝置的製造方法得到的半導體裝置。
因本發明的半導體裝置係使用上述半導體裝置的製造方法所製作，故成為連接可靠度及絕緣可靠度十分優異者。
根據本發明，可提供能製作連接可靠度及絕緣可靠度優異之半導體裝置的接著劑組成物、使用該接著劑組成物的半導體裝置的製造方法及半導體裝置。
[實施發明之最佳形態]
以下因情況並參考圖式將本發明的較佳實施形態進行詳細說明。又，圖式中，相同或相等部分標示相同符號而 省略重複說明。又，上下左右等位置關係未特別限制時，為圖式表示之位置關係。進一步，圖式的尺寸比率不限於圖示之比率。
<接著劑組成物>
本實施形態的接著劑組成物(半導體密封用接著劑)為在半導體晶片及配線電路基板(以下，因情況而僅稱為「基板」)之各自的連接部相互電連接的半導體裝置、或複數的半導體晶片各自的連接部相互電連接的半導體裝置中將連接部密封之接著劑組成物，且含有環氧樹脂(以下，因情況而稱作「(a)成分」)、硬化劑(以下，因情況而稱作「(b)成分」)、與乙烯系表面處理填料或具有上述一般式(1)所表示的基之填料(以下，因情況而稱作「(c)成分」)。又，接著劑組成物因應需要，含有重量平均分子量10000以上之高分子成分(以下，因情況而稱作「(d)成分」)或助熔活性劑(以下，因情況而稱作「(e)成分」)。以下，說明構成本實施形態的接著劑組成物之各成分。
(a)成分：環氧樹脂
環氧樹脂為分子內具有2個以上之環氧基者即可而無特別限制。(a)成分，具體上可使用雙酚A型、雙酚F型、萘型、酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型、酚芳烷基型、聯苯型、三苯基甲烷型、二環戊二烯型及各種多官能環 氧樹脂。此等可單獨或以2種以上之混合物使用。
(a)成分，由抑制在高溫連接時分解產生揮發成分之觀點來看，連接時溫度為250℃的情況以使用250℃中熱重量減少量率為5%以下的環氧樹脂為佳，300℃的情況以使用300℃中熱重量減少量率為5%以下的環氧樹脂為佳。又，雙酚A型或雙酚F型之液狀環氧樹脂因1%熱重量減少溫度為250℃以下，故有在高溫加熱時分解產生揮發成分之虞。因此，以使用在室溫(1氣壓、25℃)為固體的環氧樹脂為佳。
(b)成分：硬化劑
(b)成分，可舉例如酚樹脂系硬化劑、酸酐系硬化劑、胺系硬化劑、咪唑系硬化劑及膦系硬化劑。(b)成分若含有酚性羥基、酸酐、胺類或咪唑類，顯示抑制連接部產生氧化膜的助熔活性，可使連接可靠度、絕緣可靠度提升。以下，說明各硬化劑。
(i)酚樹脂系硬化劑
酚樹脂系硬化劑為分子內具有2個以上之酚性羥基者即可而無特別限制，例如可使用酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、酚芳烷基樹脂、甲酚萘酚甲醛聚縮合物、三苯基甲烷型多官能酚及各種多官能酚樹脂。此等可單獨或以2種以上之混合物使用。
酚樹脂系硬化劑相對於上述(a)成分的當量比(酚 性羥基/環氧基，莫耳比)，由良好的硬化性、接著性及保存安定性之觀點來看，以0.3~1.5為佳，0.4~1.0較佳，0.5~1.0更佳。當量比在0.3以上則有硬化性提升、接著力提升之傾向，在1.5以下則有未反應的酚性羥基不過度殘留、使吸水率低、絕緣可靠度提升之傾向。
(ii)酸酐系硬化劑
酸酐系硬化劑，可舉例如甲基環己烷四羧酸二酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸二酐、二苯甲酮四羧酸二酐及乙二醇雙脫水偏苯三酸酯。此等可單獨或以2種以上之混合物使用。
酸酐系硬化劑相對於上述(a)成分的當量比(酸酐基/環氧基，莫耳比)，由良好的硬化性、接著性及保存安定性之觀點來看，以0.3~1.5為佳，0.4~1.0較佳，0.5~1.0更佳。當量比若在0.3以上則有硬化性提升、接著力提升之傾向，若在1.5以下則有未反應的酸酐不過度殘留、使吸水率低、絕緣可靠度提升之傾向。
(iii)胺系硬化劑
胺系硬化劑，例如可使用二氰二胺。
胺系硬化劑相對於上述(a)成分的當量比(胺/環氧基，莫耳比)，由良好的硬化性、接著性、保存安定性等觀點來看，以0.3~1.5為佳，0.4~1.0較佳，0.5~1.0更 佳。當量比若在0.3以上則有硬化性提升、接著力提升之傾向，若在1.5以下則有未反應的胺不過度殘留、絕緣可靠度提升之傾向。
(iv)咪唑系硬化劑
咪唑系硬化劑，可舉例如2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一基咪唑、1-氰基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一基咪唑偏苯三酸酯、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-十一基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪異三聚氰酸加成體、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成體、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑及環氧樹脂與咪唑類的加成體。此等中，由優異的硬化性、保存安定性及連接可靠度之觀點來看，以1-氰乙基-2-十一基咪唑、1-氰基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一基咪唑偏苯三酸酯、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪、2,4-二胺基-6-〔2’-甲基咪唑基-(1’)〕-乙基-s-三嗪異三聚氰酸加成體、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成體、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑為佳。此等可單獨 或2種以上併用。又，此等亦可作為微膠囊化的潛在性硬化劑。
咪唑系硬化劑的含量相對於(a)成分100質量份，以0.1~20質量份為佳，0.1~10質量份更佳。咪唑系硬化劑的含量若為0.1質量份以上則有硬化性提升之傾向，若為20質量份以下則有形成金屬接合前接著劑組成物不硬化、不易產生連接不良之傾向。
(v)膦系硬化劑
膦系硬化劑，可舉例如三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸酯、四苯基鏻四(4-甲基苯基)硼酸酯及四苯基鏻(4-氟苯基)硼酸酯。
膦系硬化劑的含量相對於(a)成分100質量份，以0.1~10質量份為佳，0.1~5質量份更佳。膦系硬化劑的含量若為0.1質量份以上則有硬化性提升之傾向，若為10質量份以下則有形成金屬接合前接著劑組成物不硬化、不易產生連接不良之傾向。
酚樹脂系硬化劑、酸酐系硬化劑及胺系硬化劑各自可以1種單獨或作為2種以上之混合物使用。咪唑系硬化劑及膦系硬化劑雖可各自單獨使用，但亦可與酚樹脂系硬化劑、酸酐系硬化劑或胺系硬化劑併用。
作為接著劑組成物的(b)成分，含有酚樹脂系硬化劑、酸酐系硬化劑或胺系硬化劑之情況，具有除去氧化膜之助熔活性，可使連接可靠度更提升。
(c)成分：乙烯系表面處理填料或具有上述一般式(1)所表示的基之填料
(c)成分為以具有上述一般式(1)所表示的基之化合物進行表面處理的填料即可而無特別限制，例如可使用將絕緣性無機填料、晶鬚及樹脂填料進行表面處理者。亦即，(c)成分，可使用具有上述一般式(1)所表示的基之填料。在此，式(1)中，R1 、R2 及R3 各自獨立，為氫原子、甲基或乙基，因體積較小的基反應性高，故以氫原子或甲基為佳，以R1 及R2 為氫原子、R3 為氫原子或甲基更佳。R4 為碳數1~30之伸烷基，因不易揮發故以分子量大者為佳。又，R1 、R2 、R3 及R4 可依表面處理的難易而適宜選擇。
絕緣性無機填料，可舉例如玻璃、二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、碳黑、雲母及氮化硼，以二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦及氮化硼為佳，二氧化矽、氧化鋁及氮化硼更佳。晶鬚，可舉例如硼酸鋁、鈦酸鋁、氧化鋅、矽酸鈣、硫酸鎂及氮化硼。樹脂填料，可舉例如聚胺基甲酸酯、聚醯亞胺。此等填料及晶鬚可單獨或以2種以上之混合物使用。填料的形狀、粒徑及調配量不特別限制。此等填料中因表面處理容易或與樹脂成分之相溶性較佳而以二氧化矽填料為佳。
乙烯系表面處理填料以使用以上述一般式(2)所表示的化合物進行表面處理的填料為佳。式(2)中，R1 、 R2 、R3 及R4 可與上述式(1)同樣觀點來選擇。又，R5 為碳數1~30之烷基，可依表面處理的難易而適宜選擇，以甲基或乙基為佳。
(c)成分之形狀、粒徑因應接著劑組成物的用途而適宜設定即可，無特別限制。
(c)成分之調配量以接著劑組成物的固體成分全體為基準，以5~60質量%為佳，10~50質量%更佳。若為5質量%以上則有容易充分發揮硬化後的接著劑組成物的熱膨脹率降低效果之傾向，若為60質量%以下則有易調整黏度、不易產生接著劑組成物的流動性降低或填料滲入(traping)連接部，連接可靠度提升之傾向。
覆晶連接之高溫連接等高溫製程的孔洞產生原因雖有種種考量，主要認為係因接著劑組成物的構成成分之揮發。因此，構成成分係固體成分比液狀佳。
又，若不將矽烷耦合劑預先與填料進行表面處理，而作為接著劑組成物的構成成分來添加，在系中進行表面處理時，則產生甲醇等，成為高溫製程時發泡的原因。
(d)成分：重量平均分子量10000以上之高分子成分
(d)成分，可舉例如苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚碳二醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、胺基甲酸酯樹脂及丙烯酸橡膠。此等中由耐熱性及薄膜形成性優異觀點來看，以苯氧基樹脂 、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸橡膠、氰酸酯樹脂及聚碳二醯亞胺樹脂為佳，苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂及丙烯酸橡膠更佳。此等(d)成分可以單獨或作為2種以上之混合物或共聚物使用。但，(d)成分中不含(a)成分之環氧樹脂。
上述苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂等高分子成分可使用市售品、或合成者。
上述聚醯亞胺樹脂，例如可使四羧酸二酐與二胺與以習知方法進行縮合反應而得到。更具體而言，在有機溶劑中，使四羧酸二酐與二胺以等莫耳或幾乎等莫耳混合(各成分之添加順序隨意)、反應溫度在80℃以下、較佳設定在0~60℃進行加成反應即可。又，為了抑制接著劑組成物的諸特性降低，上述四羧酸二酐以乙酸酐進行再結晶精製處理為佳。
伴隨上述加成反應進行，反應液黏度緩緩上升，生成聚醯亞胺的前驅物之聚醯胺酸。聚醯亞胺樹脂，可使上述聚醯胺酸脫水閉環而得到。脫水閉環可以加熱處理之熱閉環法或使用脫水劑之化學閉環法進行。上述聚醯胺酸藉由在50~80℃加熱使解聚合而可調整其分子量。
可用作為聚醯亞胺樹脂的原料的四羧酸二酐，並無特別限制，例如均苯四甲酸二酐、3,3’、4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2’、3,3’-聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基) 乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四羧酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2’,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲-1,8,9,10-四羧酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、3,4,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、2,3,2’,3’-聯苯基四羧酸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲基苯基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯基二甲基矽烷基)苯二酐、1,3-雙(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二環己烷二酐、p-伸苯基雙(偏苯三酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氫萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、雙(外-雙環[2,2,1]庚烷-2,3-二羧酸二酐、雙環-[2,2,2]-辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基)苯基]丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二 羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、1,4-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、5-(2,5-二氧四氫呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐、下述一般式(I)所表示的四羧酸二酐及下述式(II)所表示的四羧酸二酐。
式(I)中，a為2~20之整數。
上述一般式(I)所表示的四羧酸二酐可由偏苯三酸酐醯氯及對應二醇合成，具體上如1,2-(伸乙基)雙(偏苯三酸酐)、1,3-(三亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,4-(四亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,5-(五亞甲基)雙( 偏苯三酸酐)、1,6-(六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,7-(七亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,8-(八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,9-(九亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,10-(十亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,12-(十二亞甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,16-(十六亞甲基)雙(偏苯三酸酐)及1,18-(十八亞甲基)雙(偏苯三酸酐)。
四羧酸二酐，在可賦予優異耐濕可靠度之觀點上，以上述式(II)所表示的四羧酸二酐為佳。上述四羧酸二酐可以單獨或2種以上組合使用。
上述式(II)所表示的四羧酸二酐之含量相對於全四羧酸二酐，以40莫耳%以上為佳，50莫耳%以上較佳，70莫耳%以上更佳。含量為40莫耳%以上，則使用上述式(II)所表示的四羧酸二酐有易充分確保耐濕可靠度的效果之傾向。
上述聚醯亞胺樹脂的原料可使用的二胺，並無特別限制，可舉例如o-苯二胺、m-苯二胺、p-苯二胺、3,3’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基醚甲烷、雙(4-胺基-3,5-二甲基苯基)甲烷、雙(4-胺基-3,5-二異丙基苯基)甲烷、3,3’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、4,4’-二胺基二苯基二氟甲烷、3,3’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基硫醚、3,4’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’- 二胺基二苯基酮、3,4’-二胺基二苯基酮、4,4’-二胺基二苯基酮、2,2-雙(3-胺基苯基)丙烷、2,2’-(3,4’-二胺基二苯基)丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-胺基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二胺基二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、3,3’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、3,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、4,4’-(1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基))雙苯胺、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)六氟丙烷、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)硫醚、雙(4-(3-胺基苯氧基)苯基)碸、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸、3,5-二胺基安息香酸等芳香族二胺、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、2,2-雙(4-胺基苯氧基苯基)丙烷、下述一般式(III)或(IV)所表示的脂肪族醚二胺、下述一般式(V)所表示的脂肪族二胺及下述一般式(VI)所表示的矽氧烷二胺。
式(III)中，Q1 、Q2 及Q3 各自獨立，為碳數1~10之伸烷基，b為1~80之整數。
式(IV)中，Q4 、Q5 、Q6 及Q7 各自獨立，為碳數1~10之伸烷基，c、d及e各自獨立，為1~50之整數。
式(V)中，f為5~20之整數。
式(VI)中，Q8 及Q13 各自獨立，為碳數1~5之伸烷基或可具有取代基的伸苯基，Q9 、Q10 、Q11 及Q12 各自獨立，為碳數1~5之烷基、苯基或苯氧基，g為1~5之整數。
此等中在可賦予低應力性、低溫層合性及低溫接著性之觀點上，以上述一般式(III)、(IV)或(V)所表示的二胺為佳，在可賦予低吸水性及低吸濕性之觀點上，以上述一般式(VI)所表示的二胺為佳。此等二胺可單獨或 2種以上組合使用。
上述一般式(III)或(IV)所表示的脂肪族醚二胺的含量以全二胺的1~50莫耳%為佳，上述一般式(V)所表示的脂肪族二胺的含量以全二胺的20~80莫耳%為佳，上述一般式(VI)所表示的矽氧烷二胺的含量以全二胺的20~80莫耳%為佳。在上述含量之範圍內則有賦予低溫層合性及低吸水性效果變大之傾向。
又，上述一般式(III)所表示的脂肪族醚二胺，具體可舉例如下述式(III-1)~(III-5)之脂肪族醚二胺。又，一般式(III-4)及(III-5)中，n為1以上之整數。
上述一般式(III-4)所表示的脂肪族醚二胺的重量平均分子量，例如以350、750、1100或2100為佳。又，上述一般式(III-5)所表示的脂肪族醚二胺的重量平均分子 量以例如230、400或2000為佳。
上述脂肪族醚二胺中，在可確保低溫層合性與對附有有機阻劑基板之良好的接著性之觀點上，各自以上述一般式(IV)、下述一般式(VII)、(VIII)或(IX)表示的脂肪族醚二胺更佳。
式(VII)中，h為2~80之整數，以2~70更佳。
式(VIII)中，c、d及e為1~50之整數，以2~40更佳。
式(IX)中，j及k各自獨立，為1~70之整數。
上述一般式(VII)所表示的脂肪族醚二胺，具體可舉例如Sun Techno Chemical(股)製的JEFFAMINE D- 230，D-400，D-2000及D-4000、BASF製之聚醚胺D-230，D-400及D-2000，上述一般式(VIII)所表示的脂肪族醚二胺，具體可舉例如Sun Techno Chemical(股)製的JEFFAMINE ED-600，ED-900，ED-2001，上述式(IX)所表示的脂肪族醚二胺，具體可舉例如Sun Techno Chemical(股)製的JEFFAMINE EDR-148。
上述一般式(V)所表示的脂肪族二胺，可舉例如1,2-二胺基乙烷、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷、1,12-二胺基十二烷及1,2-二胺基環己烷。此等中以1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷、1,11-二胺基十一烷及1,12-二胺基十二烷為佳。
上述一般式(VI)所表示的矽氧烷二胺，在一般式(VI)中g為1之情況，可舉例如1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(4-胺基苯基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯氧基-1,3-雙(4-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(2-胺基乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(3-胺基丙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-雙(3-胺基丁基)二矽氧烷及1,3-二甲基-1,3-二甲氧基-1,3-雙(4-胺基丁基)二矽氧烷。g為2之情況，可舉例如1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(4-胺基苯基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲基-1,5-雙(3-胺基丙基) 三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(2-胺基乙基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(4-胺基丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺基戊基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六乙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷及1,1,3,3,5,5-六丙基-1,5-雙(3-胺基丙基)三矽氧烷。
上述聚醯亞胺樹脂可單獨或以2種以上之混合物使用。
(d)成分之玻璃化溫度(Tg)由接著劑組成物對基板或晶片之貼附性優異之觀點來看，以100℃以下為佳，75℃以下更佳。在Tg為100℃以下之情況，有較容易藉由接著劑組成物包埋半導體晶片上所形成的凸塊、或基板上所形成的電極或配線圖型等的凹凸，無氣泡殘留且不易產生孔洞之傾向。又，上述Tg係指使用DSC(PerkinElmer公司製DSC-7型)，樣本量10mg、昇溫速度5℃/分鐘、測定環境：在空氣條件測定時的Tg。
(d)成分之重量平均分子量以聚苯乙烯換算為10000以上，但為了單獨顯示良好的薄膜形成性，以30000以上為佳，40000以上較佳，50000以上更佳。在重量平均分子量為10000以上之情況，有薄膜形成性提升之傾向。又，本說明書中，重量平均分子量係指使用高速液體層析法 (例如島津製作所製，製品名「C-R4A」)，以聚苯乙烯換算測定時的重量平均分子量。
(d)成分之含量不特別限制，但為了維持良好地薄膜狀，相對於(a)成分100質量份，以1~500質量份為佳，5~300質量份較佳，10~200質量份更佳。(d)成分之含量在1質量份以上，有容易得到薄膜形成性的提升效果之傾向，在500質量份以下則有接著劑組成物的硬化性提升、接著力提升之傾向。
(e)成分：助熔活性劑
在本發明的接著劑組成物可含有(e)成分，亦即，含有具有助熔活性(將氧化物或雜質除去之活性)的化合物之助熔活性劑。助熔活性劑，可舉例如咪唑類或胺類般具有非共有電子對的含氮化合物、羧酸類、酚類及醇類。
此等中，羧酸類助熔活性強、易與(a)成分之環氧樹脂反應，在接著劑組成物的硬化物中不以游離狀態存在，可防止絕緣可靠度降低。
羧酸類，可舉例如乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二酸、十四酸、十六酸、十七酸、十八酸等脂肪式飽和羧酸；油酸、亞麻油酸、次亞麻油酸、花生四烯酸、二十二碳六烯酸、二十碳五烯酸等脂肪式不飽和羧酸；馬來酸、富馬酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸等脂肪式二羧酸；安息香酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、偏苯三酸、均苯三甲 酸、半蜜臘酸、均苯四甲酸、苯五甲酸、苯六甲酸等芳香族羧酸。又，具有羥基之羧酸，可舉例如乳酸、蘋果酸、檸檬酸及水楊酸。
進一步，在上述芳香族羧酸有電子吸引性或電子供給性的取代基，亦可使用因取代基而使芳香族上之羧酸之酸性度改變的芳香族系羧酸。羧酸之酸性度愈高愈有助熔活性提升之傾向，但酸性度過高則有絕緣可靠度降低之情形。使羧酸之酸性度增高的電子吸引性取代基，可舉例如硝基、氰基、三氟甲基、鹵素基及苯基。使羧酸之酸性度變弱的電子供給性的取代基，可舉例如甲基、乙基、異丙基、第三丁基、二甲基胺基及三甲基胺基。又，上述取代基之數量或位置只要不使助熔活性或絕緣可靠度降低則無特別限制。
為使羧酸類於高溫加熱時不分解產生揮發成分，相較室溫下液狀者以使用固體者為佳。
(其他成分)
本實施形態的接著劑組成物中，為了控制黏度或硬化物的物性，及抑制將半導體晶片及基板連接時孔洞之產生或吸濕率之上昇，(c)成分之外可再調配填料。
填料，可使用絕緣性無機填料、晶鬚或樹脂填料。絕緣性無機填料、晶鬚或樹脂填料，可使用與上述(c)成分同樣物質。此等填料、晶鬚及樹脂填料可1種單獨或以2種以上之混合物使用。填料的形狀、平均粒徑及含量不 特別限制。
進一步，本實施形態的接著劑組成物中，亦可調配抗氧化劑、矽烷耦合劑、鈦耦合劑、平坦劑、離子捕捉劑等添加劑。此等可1種單獨或2種以上組合使用。關於此等調配量以可表現各添加劑的效果之方式適宜調整即可。
本實施形態的接著劑組成物可形成薄膜狀。使用本實施形態的接著劑組成物的薄膜狀接著劑的製作方法如下。首先將(a)成分、(b)成分及(c)成分、以及因應必要添加的(d)成分或(e)成分等加入有機溶劑中，經攪拌混合、混練等，使溶解或分散，調製樹脂清漆。之後，在實施脫膜處理的基材薄膜上，將樹脂清漆以刀式塗佈機、輥塗佈機或撒佈機塗佈後，以加熱將有機溶劑除去，可在基材薄膜上得到薄膜狀接著劑。又，調配(d)成分之情況，在合成(d)成分後，可不進行純化，在合成後得到的清漆中添加各成分來調製上述樹脂清漆。
樹脂清漆調製使用的有機溶劑以具有可將各成分均一溶解或分散的特性者為佳，例如二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亞碸、二乙二醇二甲基醚、甲苯、苯、二甲苯、甲基乙基酮、四氫呋喃、乙基溶纖劑、乙基溶纖劑乙酸酯、丁基溶纖劑、二噁烷、環己酮及乙酸乙酯。此等有機溶劑可單獨或2種類以上組合使用。樹脂清漆調製時的攪拌混合或混練，例如可使用攪拌機、擂潰機、三輥、球磨機、珠磨機及均質機進行。
基材薄膜具有可耐受有機溶劑揮發時的加熱條件之耐 熱性者即可，而無特別限制，例如聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜等聚烯烴薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜等聚酯薄膜、聚醯亞胺薄膜及聚醚醯亞胺薄膜。基材薄膜不限於此等薄膜所成之單層者，亦可為2種以上之材料所成之多層薄膜。
使有機溶劑由塗佈在基材薄膜之樹脂清漆揮發時的乾燥條件，以使有機溶劑充分揮發之條件為佳，具體上以50~200℃、0.1~90分鐘之加熱為佳。
<半導體裝置>
關於本實施形態的半導體裝置使用圖1及2說明如下。圖1為本發明的半導體裝置的一實施形態之概略剖面圖。如圖1(a)所示般，半導體裝置100具有互為對向的半導體晶片10及基板(電路配線基板)20、在半導體晶片10及基板20的互為面對的面上各自配置的配線15、將半導體晶片10及基板20之配線15相互連接的連接凸塊30、在半導體晶片10及基板20間之空隙無間隙地充填的接著劑組成物40。半導體晶片10及基板20經由配線15及連接凸塊30而被覆晶連接。配線15及連接凸塊30經接著劑組成物40密封而阻隔外部環境。
如圖1(b)所示般，半導體裝置200具有互為對向的半導體晶片10及基板20、半導體晶片10及基板20的互為面對的面上各自配置的凸塊32、在半導體晶片10及基板20間之空隙無間隙地充填的接著劑組成物40。半導體 晶片10及基板20藉由對向的凸塊32相互連接而被覆晶連接。凸塊32藉由接著劑組成物40被密封而阻隔外部環境。
圖2為本發明的半導體裝置的其他實施形態之概略剖面圖。如圖2(a)所示般，半導體裝置300，除了2個半導體晶片10經由配線15及連接凸塊30被覆晶連接外，與半導體裝置100相同。如圖2(b)所示般，半導體裝置400’除了2個半導體晶片10經由凸塊32被覆晶連接外，與半導體裝置200相同。
半導體晶片10，並無特別限制，可使用矽、鍺等相同種類的元素所構成的元素半導體、鎵砷、磷化銦等化合物半導體。
基板20為電路基板即可而無特別限制，可使用在以環氧樹脂玻璃、聚醯亞胺、聚酯、陶瓷、環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪等為主成分的絕緣基板之表面，具有將不要的金屬膜部分以蝕刻除去所形成的配線(配線圖型)15之電路基板、於上述絕緣基板之表面經金屬鍍敷等形成有配線15的電路基板、在上述絕緣基板之表面印刷導電性物質而形成配線15的電路基板。
配線15或凸塊32等連接部，主成分含有金、銀、銅、焊料(主成分為例如錫-銀、錫-鉛、錫-鉍、錫-銅)、鎳、錫、鉛等，亦可含複數的金屬。
上述金屬之中，由成為連接部的電傳導性、熱傳導性優異的封裝之觀點來看，以金、銀及銅為佳，銀及銅較佳 ，銀更佳。由成為花費降低的封裝之觀點來看，基於便宜，以銀、銅及焊料為佳，銅及焊料較佳，焊料更佳。室溫中金屬之表面若形成氧化膜則有生產性降低之情形或花費增加之情形，故由抑制氧化膜形成之觀點來看，以金、銀、銅及焊料為佳，金、銀、焊料較佳，金、銀更佳。
上述配線15及凸塊32之表面，以金、銀、銅、焊料(主成分為例如錫-銀、錫-鉛、錫-鉍、錫-銅)、錫、鎳等為主成分的金屬層，可以例如經鍍敷形成。該金屬層可僅以單一成分構成或複數的成分構成。又，上述金屬層亦可為單層或層合複數的金屬層之構造。
又，本實施形態的半導體裝置，可複數層合如半導體裝置100~400所示般構造(封裝)。此時，半導體裝置100~400可用含金、銀、銅、焊料(主成分為例如錫-銀、錫-鉛、錫-鉍、錫-銅)、錫、鎳等的凸塊或配線相互電連接。
將半導體裝置複數層合之手法，如圖3所示般，可舉例如TSV技術。圖3為本發明的半導體裝置的其他實施形態之概略剖面圖，為使用TSV技術的半導體裝置。在圖3所示的半導體裝置500，在中介片(interposer)50上所形成的配線15與半導體晶片10之配線15透過連接凸塊30被連接，而半導體晶片10與中介片50被覆晶連接。在半導體晶片10與中介片50間之空隙，無間隙地充填接著劑組成物40。在上述半導體晶片10的與中介片50相反側之表面上，透過配線15、連接凸塊30及接著劑組成物40 重複層合半導體晶片10。半導體晶片10之表面、背面的圖型面的配線15藉由充填於貫穿半導體晶片10之內部的孔內之貫穿電極34而相互連接。又，貫穿電極34的材質，可使用銅、鋁等。
藉由如此TSV技術，在通常不使用的半導體晶片之背面亦可取得訊號。進而因半導體晶片10內貫穿電極34垂直貫穿，而使對向半導體晶片10間或半導體晶片10及中介片50間之距離變短、可柔軟連接。本實施形態的接著劑組成物，在如此TSV技術中，可用作為對向半導體晶片10間、或半導體晶片10及中介片50間之半導體密封用接著劑。
又，在區域凸塊晶片(area bump chip)技術等自由度高的凸塊形成方法，可不透過中介片而直接將半導體晶片直接安裝於主機板。本實施形態的接著劑組成物亦可適用在如此將半導體晶片直接安裝在主機板之情況。又，本實施形態的接著劑組成物在層合2個配線電路基板之情況，在密封基板間之空隙時亦可適用。
<半導體裝置的製造方法>
關於本實施形態的半導體裝置的製造方法，以圖4進行以下說明。圖4為概略表示本發明的半導體裝置的製造方法的一實施形態的步驟剖面圖。
首先如圖4(a)所示般，在具有配線(例如金凸塊)15的基板20上，形成具有開口的阻焊劑60在連接凸塊 30形成的位置。該阻焊劑60不一定要設置。然而，藉由在基板20上設置阻焊劑，可抑制配線15間之橋接之產生、提升連接可靠度、絕緣可靠度。阻焊劑60可使用例如市售之封裝用阻焊劑用油墨來形成。市售的封裝用阻焊劑用油墨，具體可舉例如SR系列(日立化成工業股份公司製，商品名)及PSR4000-AUS系列(太陽油墨製造(股)製，商品名)。
接著，如圖4(a)所示般，在阻焊劑60之開口形成連接凸塊(例如焊料凸塊)30。接著，如圖4(b)所示般，在形成有連接凸塊30及阻焊劑60的基板20上，貼附薄膜狀的接著劑組成物(以下、因情況而稱作「薄膜狀接著劑」)40。薄膜狀接著劑40之貼附可藉由加熱加壓、輥層合、真空層合等進行。薄膜狀接著劑40之供給面積或厚度依半導體晶片10及基板20之尺寸、或連接凸塊30之高度而適宜設定。
同上述，使薄膜狀接著劑40貼附於基板20後，使半導體晶片10之配線15與連接凸塊30使用覆晶焊接機等連接裝置，瞄準位置。接著，使半導體晶片10與基板20以連接凸塊30之熔點以上之溫度邊加熱邊壓接，如圖4(c)所示般，將半導體晶片10與基板20連接，同時以薄膜狀接著劑40將半導體晶片10及基板20間之空隙密封充填。經以上，可得到半導體裝置600。
在本實施形態的半導體裝置的製造方法，可藉由在瞄準位置後暫時固定，以回焊爐進行加熱處理，使連接凸塊 30熔融而將半導體晶片10與基板20連接。在暫時固定之階段，因不一定需要形成金屬接合，與上述邊加熱邊壓接的方法相比，可以低荷重、短時間、低溫度進行壓接，提升生產性同時可抑制連接部的劣化。
又，使半導體晶片10與基板20連接後，可以烤箱等進行加熱處理、更提高連接可靠度、絕緣可靠度。加熱溫度以薄膜狀接著劑進行硬化之溫度為佳，以完全硬化的溫度更佳。加熱溫度、加熱時間被適宜地設定。
在本實施形態的半導體裝置的製造方法，可將薄膜狀接著劑40貼附於半導體晶片10後，連接基板20。又，使半導體晶片10及基板20以配線15及連接凸塊30連接後，使半導體晶片10及基板20間之空隙充填糊漿狀的接著劑組成物。
由生產性提升之觀點來看，亦可藉由供給接著劑組成物於連結有複數的半導體晶片10的半導體晶圓後，進行切割而單片化，得到在半導體晶片10上供給有接著劑組成物的構造體。又，接著劑組成物為糊漿狀的情況，雖無特別限制，若藉由旋轉塗佈等塗佈方法，將半導體晶片10上之配線或凸塊包埋，使厚度均一化即可。此時，因樹脂的供給量為一定，提升生產性同時可抑制包埋不足造成的孔洞之產生及切割性降低。另一方面，接著劑組成物為薄膜狀的情況，雖無特別限制，若藉由加熱加壓、輥層合及真空層合等貼附方式，以將半導體晶片10上之配線或凸塊包埋之方式供給薄膜狀的樹脂組成物即可。此時，因樹 脂的供給量為一定而生產性提升、可抑制包埋不足造成的孔洞之產生及切割性降低。
連接荷重是考量連接凸塊30之數目或高度之偏差、經由加壓的連接凸塊30的變形量、或承受連接部的凸塊之配線的變形量而設定。連接溫度以連接部的溫度在連接凸塊30之熔點以上為佳，但在各自的連接部(凸塊或配線)之形成金屬接合之溫度即可。連接凸塊30為焊料凸塊之情況約240℃以上即可。
連接時的連接時間因連接部的構成金屬而異，但由提高生產性之觀點，時間愈短愈佳。連接凸塊30為焊料凸塊之情況，連接時間以20秒以下為佳，10秒以下較佳，5秒以下更佳。銅-銅或銅-金的金屬連接之情況，連接時間以60秒以下為佳。
即使在上述種種封裝構造的覆晶連接部，本發明的接著劑組成物亦表現優異的連接可靠度及絕緣可靠度。
 [實施例]
以下、以實施例、比較例說明本發明，但本發明不限於以下的實施例。
(聚醯亞胺合成)
在具備溫度計、攪拌機及氯化鈣管的300mL燒瓶，加入1,12-二胺基十二烷2.10g(0.035莫耳)、聚醚二胺( BASF製，商品名「ED2000」，分子量：1923)17.31g(0.03莫耳)、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷(信越化學製，商品名「LP-7100」)2.61g(0.035莫耳)及N-甲基-2-吡咯烷酮(關東化學製，以下稱「NMP」)150g並進行攪拌。上述二胺溶解後，使燒瓶邊在冰浴中冷卻，邊分次少量添加以乙酸酐再結晶精製的4,4’-(4,4’-異亞丙基二苯氧基)雙(鄰苯二甲酸二酐)(ALDRICH製，商品名「BPADA」)15.62g(0.10莫耳)。在室溫進行8小時反應後，加入二甲苯100g，邊吹入氮氣體邊在180℃進行加熱，使水與二甲苯共沸除去而得到聚醯亞胺樹脂。由得到的聚醯亞胺樹脂除去溶劑(NMP)，以在甲苯及乙酸乙酯之混合溶劑(質量比1：1)中固體成分成為50質量%之方式溶解者作為「聚醯亞胺A」。聚醯亞胺A的Tg為30℃、重量平均分子量為50000、SP值(溶解度參數)為10.2。
各實施例及比較例所使用化合物如下。
(a)環氧樹脂
．含三酚甲烷骨架多官能固體環氧樹脂(Japan Epoxy Resins Co.,Ltd.製，商品名「EP1032H60」，以下稱「EP1032」)。
(b)硬化劑
．2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成股份公司製 ，商品名「2PHZ-PW」，以下稱「2PHZ」)。
(c)乙烯系表面處理填料或具有上述一般式(1)所表示的基之填料
．乙烯表面處理二氧化矽填料(股份公司Admatechs製，商品名「SE2050-SVJ」，平均粒徑0.5μm、以下稱「SV二氧化矽」)。
(c’)其他填料
．未處理的二氧化矽填料(股份公司Admatechs製，商品名「SE2050」，平均粒徑0.5μm，以下稱「未處理二氧化矽」)。
．胺基矽烷處理二氧化矽填料(股份公司Admatechs製，商品名「SE2050-SXJ」，平均粒徑0.5μm，以下稱「SX二氧化矽」)。
．環氧矽烷處理二氧化矽填料(股份公司Admatechs製，商品名「SE2050-SEJ」，平均粒徑0.5μm，以下稱「SE二氧化矽」)。
．苯基矽烷處理二氧化矽填料(股份公司Admatechs製，商品名「SE2050-SPJ」，平均粒徑0.5μm，以下稱「SP二氧化矽」)。
．Metablen型有機填料(MITSUBISHI RAYON CO.,LTD.製，商品名「W5500」，以下稱「W5500」)。
(d)分子量10000以上之高分子成分
．如上述般合成的聚醯亞胺A
(e)助熔活性劑
．雙酚酸(diphenolic acid)(東京化成股份公司製)
<半導體密封用薄膜狀接著劑的製作>
(實施例1)
使環氧樹脂(EP1032)100質量份、硬化劑(2PHZ)7.5質量份、填料(SV二氧化矽)175質量份、助熔活性劑(雙酚酸)25質量份以及甲苯及乙酸乙酯之混合溶劑(質量比1：1)以固體成分成為60質量%之方式添加，將直徑0.8mm的珠粒及直徑2.0mm的珠粒與固體成分同量加入，以珠磨機(Fritsch Japan Co,ltd，行星型微粉碎機「P-7」)進行30分鐘攪拌。接著，加入聚醯亞胺A100質量份(固體成分換算)，再度以珠磨機進行30分鐘攪拌後，將攪拌使用的珠以過濾除去，得到樹脂清漆。 將得到的樹脂清漆在基材薄膜(帝人杜邦薄膜股份公司製，商品名「PurexA53」)上，以小型精密塗佈裝置(廉井精機製)塗佈，在無塵烘箱(ESPEC股份公司製)中，以110℃進行10分鐘乾燥，製作薄膜狀接著劑。
(實施例2及比較例1~5)
除將使用的原材料的組成如下述表1般變更外，與實施例1同樣地製作實施例2及比較例1~5之薄膜狀接著劑。
以下為實施例及比較例所得到的薄膜狀接著劑的評估方法。
<初期連接性的評估>
將製作的薄膜狀接著劑切為特定尺寸(長8mm×寬8mm×厚度0.025mm)，貼附在玻璃環氧基板(玻璃環氧基材：420μm厚，銅配線：9μm厚)上，使附焊料凸塊半導體晶片(晶片尺寸：長7mm×寬7mm×高度0.15mm，凸塊高度：銅柱及焊料合計約40μm，凸塊數328)以覆晶安裝裝置「FCB3」(Panasonic製，商品名)進行安裝(安裝條件：薄膜狀接著劑的到達溫度180℃、10秒鐘、0.5MPa。接著，薄膜狀接著劑的到達溫度245℃、10秒鐘、0.5MPa)。藉此與圖4同樣地得到上述玻璃環氧基板與附焊料凸塊半導體晶片菊鏈連接的半導體裝置。
藉由將得到的半導體裝置的連接電阻值使用萬用表(ADVANTEST製，商品名「R6871E」)進行測定，評估安裝後的初期傳導如何。將連接電阻值為11~14Ω之情況評估為連接性良好「A」，其以外的連接電阻值之情況或產生連接不良(Open)而無法表示電阻值之情況評估為「B」。
<熱膨脹率之測定>
將薄膜狀接著劑切為特定尺寸(長37mm×寬4mm×厚度0.025mm)，在無塵烘箱(ESPEC股份公司製)中，在180℃維持3小時後硬化。硬化後使用熱膨脹率測定裝置(Seiko Instruments股份公司製，熱分析系統TMASS6000)，在溫度範圍20~270℃、昇溫速度5℃/分鐘、荷重0.5MPa條件下測定熱膨脹。熱膨脹率為25~125℃的平均熱膨脹率(ppm/℃)。
<連接可靠度的評估(耐TCT評估)>
使上述半導體裝置在無塵烘箱(ESPEC股份公司製)中進行後硬化(180℃/3小時)。之後，放置於冷熱循環試驗機(ETAC製，THERMAL SHOCK CHAMBER NT1200)內，流通1mA之電流，以25℃ 2分鐘/-55℃ 15分鐘/25℃ 2分鐘/125℃ 15分鐘/25℃ 2分鐘為1循環測定連接電阻。與初期電阻值波形相比在300循環後亦無大變化之情況評估為「A」、1Ω以上之差產生在100循環以上未達300循環的情況評估為「B」、1Ω以上之差產生在未達100循環之情況評估為「C」。
<絕緣可靠度的評估(耐HAST評估)>
將製作的薄膜狀接著劑切為特定尺寸(長10mm×寬5mm×厚度25μm)，貼附在聚醯亞胺基板上形成有配線銅配線的梳型電極基板(配線間距：0.05mm)，如圖5所示 般，製作在形成有梳型電極90的基板20上層合薄膜狀接著劑40的樣本。又，圖5在方便上省略薄膜狀接著劑的圖示。接著，將樣本在無塵烘箱(ESPEC股份公司製)中，185℃維持3小時進行硬化。硬化後，取出各樣本，設置在加速壽命試驗裝置(HIRAYAMA公司製，商品名「PL-422R8」，條件：130℃/相對濕度85%/200小時/外加5V)，測定絕緣電阻。經過200小時，絕緣電阻為108 Ω以上之情況評估為「A」、未達108 Ω之情況評估為「B」。
各實施例及比較例之接著劑組成物的原材料的組成(單位：質量份)及各試驗之結果如表1所示。
確認到使用乙烯系表面處理填料的實施例1及2之熱 膨脹率低、連接可靠度(耐TCT性)及絕緣可靠度(耐HAST性)諸特性皆優。
10‧‧‧半導體晶片
15‧‧‧配線(連接部)
20‧‧‧基板(配線電路基板)
30‧‧‧連接凸塊
32‧‧‧凸塊(連接部)
34‧‧‧貫穿電極
40‧‧‧接著劑組成物(薄膜狀接著劑)
50‧‧‧中介片
60‧‧‧阻焊劑
90‧‧‧梳型電極
100，200，300，400，500，600‧‧‧半導體裝置
[圖1]本發明的半導體裝置的一實施形態的概略剖面圖。
[圖2]本發明的半導體裝置的其他實施形態的概略剖面圖。
[圖3]本發明的半導體裝置的其他實施形態的概略剖面圖。
[圖4]本發明的半導體裝置的製造方法的一實施形態概略地表示之步驟剖面圖。
[圖5]絕緣可靠度試驗用之樣本外觀概略圖。

Claims (9)

  1. 一種接著劑組成物，其係在半導體晶片及配線電路基板之各自的連接部相互電連接的半導體裝置、或複數之半導體晶片之各自的連接部相互電連接的半導體裝置中用以密封前述連接部之接著劑組成物，其特徵係含有環氧樹脂、硬化劑、與經下述一般式(2)所表示之化合物進行表面處理的乙烯系表面處理填料， 〔式(2)中，R1 、R2 及R3 各自獨立為氫原子、甲基或乙基，R4 為碳數1~30之伸烷基，R5 為碳數1~30之烷基〕。
  2. 一種接著劑組成物，其係在半導體晶片及配線電路基板之各自的連接部相互電連接的半導體裝置、或複數之半導體晶片之各自的連接部相互電連接的半導體裝置中用以密封前述連接部之接著劑組成物，其特徵係含有環氧樹脂、硬化劑、與具有下述一般式(1)所表示的基之絕緣性無機填料或晶鬚， 〔式(1)中，R1 、R2 及R3 各自獨立為氫原子、甲基或乙基，R4 為碳數1~30之伸烷基〕。
  3. 如請求項1或2記載之接著劑組成物，其中，更含有重量平均分子量10000以上之高分子成分。
  4. 如請求項3記載之接著劑組成物，其中，前述高分子成分之重量平均分子量在30000以上且玻璃轉移溫度在100℃以下。
  5. 如請求項1或2記載之接著劑組成物，其中，再含有助熔活性劑(flux activator)。
  6. 如請求項1或2記載之接著劑組成物，其中，形狀為薄膜狀。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其係半導體晶片及配線電路基板之各自的連接部相互電連接的半導體裝置、或複數之半導體晶片之各自的連接部相互電連接的半導體裝置之製造方法，其特徵係具備使前述連接部以請求項1~6中任一項記載之接著劑組成物進行密封的步驟。
  8. 如請求項7記載之製造方法，其中，前述連接部含有由金、銀、銅、鎳、錫及鉛所成群中選出的至少一種之金屬作為主成分。
  9. 一種半導體裝置，其特徵係以請求項7或8記載之製造方法所得到。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014077122A (ja) * 2012-09-24 2014-05-01 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品用接着剤及び半導体チップ実装体の製造方法
JP2017038081A (ja) * 2016-10-27 2017-02-16 住友ベークライト株式会社 半導体装置
CN116195052A (zh) * 2020-09-16 2023-05-30 株式会社力森诺科 半导体用黏合剂、以及半导体装置及其制造方法
JP2022049640A (ja) * 2020-09-16 2022-03-29 昭和電工マテリアルズ株式会社 半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345517A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JP2009256612A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0349855A3 (en) * 1988-06-27 1991-01-23 Hercules Incorporated Molded article of metathesis polymerized polymer containing fillers and process for its preparation
JP2002060716A (ja) * 2000-08-24 2002-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置
TWI314153B (en) * 2002-07-12 2009-09-01 Mitsui Chemicals Inc Process for production of oxyalkylene derivative
JP4267428B2 (ja) * 2003-11-14 2009-05-27 日東電工株式会社 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物の製造方法
JP5030196B2 (ja) * 2004-12-16 2012-09-19 住友電気工業株式会社 回路接続用接着剤
CN101356643B (zh) * 2006-09-13 2012-04-25 住友电木株式会社 半导体器件
JP5417729B2 (ja) * 2008-03-28 2014-02-19 住友ベークライト株式会社 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2009099191A1 (ja) * 2008-02-07 2009-08-13 Sumitomo Bakelite Company Limited 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5581576B2 (ja) * 2008-04-02 2014-09-03 日立化成株式会社 フラックス活性剤、接着剤樹脂組成物、接着ペースト、接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP5195454B2 (ja) * 2009-01-22 2013-05-08 味の素株式会社 樹脂組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345517A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Toshiba Chem Corp 異方性導電接着剤
JP2009256612A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法

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