JP5857462B2 - 半導体封止用接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の半導体封止用接着剤は、半導体チップ及び配線回路基板(以下、場合により単に「基板」という)のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、上記接続部を封止する半導体封止用接着剤であって、(a)第一級又は第二級窒素原子含有化合物(以下、場合により「(a)成分」という)と、(b)エステル(以下、場合により「(b)成分」という)と、(c)エポキシ樹脂(以下、場合により「(c)成分」という)と、を含有する。(a)第一級又は第二級窒素原子含有化合物のような窒素原子にプロトンを有する化合物と、(b)エステルとを組み合わせることによってフラックス活性が発揮する。なお、(a)第一級又は第二級窒素原子含有化合物、及び、(b)エステルは、共に酸性を示さない。
(a)第一級又は第二級窒素原子含有化合物は、第一級又は第二級窒素原子を含有する化合物であれば特に制限はなく、例えば第一級アルキルアミン、第二級アルキルアミン、及びアリールアミン、並びに、複素環アミンであるピリジン類、ピロール類、キノリン類、イミダゾール類、インドール類、ピリミジン類、ピロリジン類、及びピペリジン類等が挙げられる。これらの中でも、取り扱い性や安定性の観点から、第一級アルキルアミン、第二級アルキルアミン、アリールアミン、及びイミダゾール類が好ましく、さらに好ましくはイミダゾール類である。イミダゾール類としては、例えば、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール等が挙げられる。(a)第一級又は第二級窒素原子含有化合物は、高温接続(例えば、ハンダを用いた接続温度240℃以上での接続)に耐え得るように、室温(1気圧、25℃)で液状のものより、室温で固形のものであって耐熱性の高い化合物であることが好ましい。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。
(b)エステルは、エステル基を有する化合物であれば特に制限はなく、例えば、カルボン酸エステル、チオエステル、炭酸エステル、リン酸エステル、硫酸エステル、硝酸エステル等が挙げられる。これらの中でも、取り扱い性や安定性の観点から、カルボン酸エステルが好ましい。(b)エステルは、高温接続(例えば、ハンダを用いた接続温度240℃以上での接続)に耐え得るように、室温(1気圧、25℃)で液状のものより、室温で固形のものであって、ベンゼン環やナフタレン骨格を含有する耐熱性の高い化合物であることが好ましい。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。
・2PHZ(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成株式会社製、商品名:2PHZ−PW)
・2E4MZ(2−エチル−4−メチルイミダゾール、四国化成株式会社製)
・2PZCN(1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、四国化成株式会社製)
・イソフタル酸ジフェニル(東京化成株式会社製)
・アジピン酸(東京化成社製、融点:152℃)
(c)エポキシ樹脂としては、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。(c)成分として、具体的には、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型及び各種多官能エポキシ樹脂を使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。
(e)硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。(e)成分がフェノール性水酸基、酸無水物、アミン類又はイミダゾール類を含むと、接続部に酸化膜が生じることを抑制するフラックス活性を示し、接続信頼性・絶縁信頼性を向上させることができる。以下、各硬化剤について説明する。
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール及び各種多官能フェノール樹脂などを使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。また、液状フェノール樹脂は高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがあることから、室温(1気圧、25℃)で固形のフェノール樹脂を用いることが望ましい。
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート等を使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。これらは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。また、液状酸無水物は高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがあることから、室温(1気圧、25℃)で固形の酸無水物を用いることが望ましい。
アミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド等を使用することができる。また、液状アミンは高温加熱時に分解して揮発成分が発生する恐れがあることから、室温(1気圧、25℃)で固形のアミンを用いることが望ましい。
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体などが挙げられる。これらの中でも、硬化性や保存安定性、接続信頼性の観点から、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加体、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体が好ましい。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、これらをマイクロカプセル化して潜在性を高めた潜在性硬化剤を用いてもよい。
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ(4−メチルフェニル)ボレート、テトラフェニルホスホニウム(4−フルオロフェニル)ボレートなどが挙げられる。
(d)重量平均分子量10000以上の高分子成分としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性およびフィルム形成性に優れることから、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、ポリカルボジイミド樹脂等が望ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴムがより好ましい。これらの高分子成分は単独で、或いは2種以上の混合物又は共重合体として使用することができる。
[式(V)中、Q4及びQ9は各々独立に炭素数1〜5のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、Q5、Q6、Q7、及びQ8は各々独立に炭素数1〜5のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、pは1〜5の整数を示す。]
で表される脂肪族エーテルジアミンが挙げられ、中でも、低温ラミネート性と有機レジスト付き基板に対する良好な接着性を確保できる点で、下記一般式(VI)で表される脂肪族エーテルジアミンがより好ましい。
[式中、sは2〜80の整数を示す。]
できる。絶縁性無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素等が挙げられ、その中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン、窒化ホウ素が好ましく、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素がより好ましい。ウィスカーとしては、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム、窒化ホウ素等が挙げられる。樹脂フィラーとしては、ポリウレタン、ポリイミド等が挙げられる。これらのフィラー及びウィスカーは単独で又は2種以上の混合物として使用することができる。フィラーの形状、粒径、及び配合量については、特に制限されない。
本実施形態の半導体装置について、図1及び2を用いて以下説明する。図1は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図1(a)に示すように、半導体装置100は、互いに対向する半導体チップ10及び基板(回路配線基板)20と、半導体チップ10及び基板20の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線15と、半導体チップ10及び基板20の配線15を互いに接続する接続バンプ30と、半導体チップ10及び基板20間の空隙に隙間なく充填された半導体封止用接着剤40とを有している。半導体チップ10及び基板20は、配線15及び接続バンプ30によりフリップチップ接続されている。配線15及び接続バンプ30は、半導体封止用接着剤40により封止されており外部環境から遮断されている。
本実施形態の半導体装置の製造方法について、図4を用いて以下説明する。図4は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた300mlフラスコに、1,12−ジアミノドデカン0.42g、ポリエーテルジアミン(BASF製、商品名:D400)16.5g、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(信越化学製、商品名:LP−7100)0.53g及びN−メチル−2−ピロリドン(関東化学製、以下「NMP」という)105gを仕込み、攪拌した。上記ジアミンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、無水酢酸で再結晶精製した4,4’−(4,4’−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物)(ALDRICH製、商品名:BPADA)22.45gを少量ずつ添加した。室温で8時間反応させたのち、キシレン100gを加え、窒素ガスを吹き込みながら180℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除去し、ポリイミド樹脂溶液を得た(ポリイミド樹脂のTg:40℃、重量平均分子量:30000)。得られたポリイミド樹脂溶液からNMPを除去し、ポリイミド樹脂を固形分として得た。
(i)重量平均分子量10000以上の高分子成分
・上記ポリイミド合成にて合成したポリイミド樹脂(以下「ポリイミドA」という)
(ii)エポキシ樹脂
・トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ(ジャパンエポキシレジン株式会社、商品名:EP1032H60、以下「EP1032」という)
(iii)第一級又は第二級窒素原子含有化合物
・2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成株式会社製、商品名:2PHZ−PW、以下「2PHZ」という)
・2−エチル−4−メチルイミダゾール(四国化成株式会社製、商品名:2E4MZ)
(iv)第三級窒素原子含有化合物
・1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(四国化成株式会社製、商品名:2PZCN)
(v)カルボン酸
・イソフタル酸(東京化成株式会社製)
(vi)エステル
・安息香酸フェニル(東京化成株式会社製)
・イソフタル酸ジフェニル(東京化成株式会社製)
・テレフタル酸ビス[4−(メトキシカルボニル)フェニル](東京化成株式会社製、以下「テレフタル酸ビス」という)
(vii)無機フィラー
・シリカフィラー(株式会社アドマテックス製、商品名:SE2050、平均粒径:0.5μm)
(viii)樹脂フィラー
・メタブレン型有機フィラー(三菱レイヨン製、商品名:W5500)
(実験例14〜22)
ホットプレートで245℃に加熱したCu板上に、直径0.8mmのSn/Ag/Cuハンダボールを10粒置き、下記表3に示す配合物をハンダボール上に添加した。10秒後、ハンダ10粒が全て溶融した場合を「A」、5〜9粒が溶融した場合を「B」、5粒以下の溶融若しくは全く溶融しなかった場合を「C」と評価した。
(実施例1)
エポキシ樹脂(EP1032)2g、第二級窒素原子含有化合物(2PHZ)0.14g、イソフタル酸ジフェニル0.33g、無機フィラー(SE2050)3g、樹脂フィラー(W5500)0.5g、並びに、有機溶媒としてのトルエン及び酢酸エチル(質量比1:1)の混合溶媒を、固形分が60質量%になるように仕込んだ。その後、φ0.8mmのビーズ及びφ2.0mmのビーズを上記固形分と同質量加え、ビーズミル(フリッチュ・ジャパン株式会社製、遊星型微粉砕機P−7)で30分間撹拌した。その後、ポリイミドAを固形分で2g加え、再度ビーズミルで30分間撹拌した。撹拌に用いたビーズをろ過によって除去し、樹脂ワニスを得た。得られた樹脂ワニスを、基材フィルム(帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスA53」)に小型精密塗工装置(廉井精機製)で塗工し、クリーンオーブン(ESPEC製)中、110℃で10分間乾燥して、フィルム状接着剤を得た。
樹脂ワニスの配合物の組成を下記の表5の通りに変更したことを除いては、実施例1と同様にして、実施例2〜3及び比較例1〜2のフィルム状接着剤を作製した。なお、樹脂ワニスにおいて、使用した混合溶媒及び固形分割合は実施例1と同一である。
作製したフィルム状接着剤を所定のサイズ(縦8mm×横8mm×厚み0.025mm)に切り抜いて、ガラスエポキシ基板(ガラスエポキシ基材:420μm厚、銅配線:9μm厚)上に貼付し、ハンダバンプ付き半導体チップ(チップサイズ:縦7mm×横7mm×高さ0.15mm、バンプ高さ:銅ピラー及びハンダの合計約40μm、バンプ数328)をフリップチップ実装装置(パナソニック製、商品名:FCB3)で実装した(実装条件:フィルム状接着剤の到達温度180℃、10秒間、0.5MPa。次いで、フィルム状接着剤の到達温度245℃、10秒間、0.5MPa)。これにより、図4と同様に上記ガラスエポキシ基板と、ハンダバンプ付き半導体チップとがデイジーチェーン接続された半導体装置を得た。
作製したフィルム状接着剤を所定のサイズ(φ6mm、厚み約0.025mm)に切り抜いて、ガラスチップ(縦15mm×横15mm×厚み0.7mm)上に貼付し、フィルム状接着剤の上にシリコンチップ(縦12mm×横12mm×厚み0.725mm)を被せ、サンプルAを作製した。サンプルAをフリップチップ実装装置(パナソニック製、商品名:FCB3)で圧着した(圧着条件:フィルム状接着剤の到達温度180℃、10秒間、0.5MPa)。圧着後、スキャナ(EPSON社製、商品名:GT−9300UF)でガラスチップ及びシリコンチップ間のフィルム状接着剤の画像を取り込み、画像処理ソフト(Adobe Photoshop)を用いて、色調補正、二階調化によりフィルム状接着剤部分を識別し、ヒストグラムによりフィルム状接着剤部分の占める割合を算出した。これを初期面積とした。
{1−(5日後面積/初期面積)}×100=面積変化率(%) …(1)
面積変化率が20%以下の場合を「A」(保存安定性良好)、20%より大きい値の場合を「B」(保存安定性不良)として評価した。
Claims (7)
- 半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、前記接続部を封止する半導体封止用接着剤であって、
(a)第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、(b)エステルと、(c)エポキシ樹脂と、(d)重量平均分子量10000以上の高分子成分と、を含有し、形状がフィルム状である、半導体封止用接着剤。 - 前記(a)第一級又は第二級窒素原子含有化合物がイミダゾール類である、請求項1記載の半導体封止用接着剤。
- 前記接続部が、主成分として銅、ニッケル、スズ及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有する、請求項1又は2に記載の半導体封止用接着剤。
- 前記(d)重量平均分子量10000以上の高分子成分がポリイミド樹脂である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体封止用接着剤。
- 前記(b)エステルがカルボン酸エステルである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体封止用接着剤。
- 半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置の製造方法であって、
前記接続部を、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体封止用接着剤を用いて封止する工程を備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の製造方法によって得られる、半導体装置。
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