TWI456632B - 控制離子摻雜製程的方法和系統 - Google Patents

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Claims (19)

  1. 一種控制離子摻雜製程的方法，包括：判斷一半導體晶圓之複數個關鍵尺寸(CD)的變異；在一離子摻雜製程之過程中，以一二維模式移動上述半導體晶圓；以及控制上述半導體晶圓的一移動速度，以使得摻雜到上述半導體晶圓中的一摻雜濃度根據上述關鍵尺寸變異而變化，其中上述速度為一線性速度V，上述線性速度V基本上等於：
  2. 如申請專利範圍第1項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中控制上述速度的步驟包括：增加上述速度以降低摻雜到上述半導體晶圓的摻雜濃度；以及降低上述速度以增加摻雜到上述半導體晶圓的摻雜濃度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中上述移動上述半導體晶圓的步驟包括以一角速度w移動上述半導體晶圓，上述角速度w大致等於V*(1/R)*(180/pi)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中上述移動上述半導體晶圓的步驟更包括： 將上述半導體晶圓固定在一平臺上，上述半導體晶圓的一中心部分大致與上述平臺的一中心部分對準；提供一掃描臂，耦接至上述平臺的中心部分，並且具有一長度R；以及根據上述被摻雜的半導體晶圓的位置，調整上述掃描臂的上述角速度；其中當上述半導體晶圓的一底部部分被摻雜時，藉由一因數(R-r1)/R調整上述掃描臂的角速度，上述底部部分從上述半導體晶圓的中心部分沿一第一徑向延伸一第一距離(r1)；其中當上述半導體晶圓的一頂部部分被摻雜時，藉由一因數(R+r2)/R調整上述掃描臂的角速度(w)，上述頂部部分從所述半導體晶圓的中心部分沿與上述第一徑向相對的一第二徑向延伸一第二距離(r2)。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中將由判斷上述關鍵尺寸的變異而獲得的一資訊提供到一先進程序控制(APC)系統，用以控制上述半導體晶圓移動的速度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之控制離子摻雜製程的方法，更包括藉由上述先進程序控制系統，根據上述關鍵尺寸的變異所關的資訊控制上述離子摻雜製程的一離子束流剖面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中上述半導體晶圓對應於上述關鍵尺寸的變異被劃分為複數個區域，並且其中上述控制上述離子束 流剖面的步驟包括調整一離子束峰值大小，用以調節摻雜到上述區域的摻雜濃度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中上述判斷上述關鍵尺寸的變異的步驟包括判斷形成在上述半導體晶圓上的複數個閘極結構的關鍵尺寸的變異；以及其中上述摻雜製程在上述閘極結構之每一者的相對側形成複數個輕摻雜源極/汲極區。
  9. 一種控制離子摻雜製程的方法，包括：提供一半導體晶圓，其具有形成在其上的複數個特徵；判斷位於上述半導體晶圓的一第一區域中的特徵的一第一關鍵尺寸(CD)和位於上述半導體晶圓的一第二區域中的特徵的一第二關鍵尺寸；以及在上述半導體晶圓以一二維模式被掃描時，摻雜離子至上述半導體晶圓內；其中當上述離子摻雜到上述第一區域時，以一第一速度移動上述半導體晶圓，當上述離子摻雜到上述第二區域時，以不同於上述第一速度的一第二速度移動上述半導體晶圓。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中上述第一速度和第二速度根據上述第一關鍵尺寸和上述第二關鍵尺寸之間的變異而變化。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中上述特徵包括複數個閘極結構，並且在 上述半導體晶圓內摻雜離子，形成置於上述閘極結構之每一者的相對側的複數個輕摻雜源極/汲極區。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之控制離子摻雜製程的方法，其中上述判斷上述第一和第二關鍵尺寸在一剝除過程之後進行。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之控制離子摻雜製程的方法，更包括將與上述第一和第二關鍵尺寸相關的一資訊前饋到一先進程序控制(APC)系統，用以控制上述第一速度和上述第二速度。
  14. 一種控制離子摻雜製程的系統，包括：一平臺，可用於固定一半導體晶圓；一機構，連接到上述平臺並能夠以一二維模式移動上述半導體晶圓；一離子摻雜設備，其用於提供當上述半導體晶圓在移動時，將離子摻雜上述半導體晶圓中的一離子束；以及一控制器，其用於接收與上述半導體晶圓的複數個關鍵尺寸(CD)的變異相關的資訊；以及控制上述半導體晶圓的一移動速度，用以使摻雜到上述半導體晶圓的一摻雜濃度根據與上述關鍵尺寸的變異相關的資訊而變化。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之控制離子摻雜製程的系統，還包括一檢測設備，用於判斷上述關鍵尺寸的變異並為上述控制器提供與上述關鍵尺寸的變異相關的資訊。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之控制離子摻雜製程的系統，其中上述速度為一線性速度V，上述線性速度V基本等於：
  17. 如申請專利範圍第16項所述之控制離子摻雜製程的系統，其中上述機構用於以一角速度(w)移動上述半導體晶圓，上述角速度(w)大致等於V*(1/R)*(180/pi)。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之控制離子摻雜製程的系統，其中所述機構包括一掃描臂，上述掃描臂耦接至上述平臺的一中心部分，並且具有一長度R；其中上述平臺的中心部分大致對準於上述半導體晶圓的一中心部分；其中上述控制器用以根據被摻雜的半導體晶圓的位置，調整上述掃描臂的角速度；其中當上述半導體晶圓的一底部部分被摻雜時，藉由一因數(R-r1)/R調整上述掃描臂的角速度，上述底部部分從上述半導體晶圓的中心部分沿一第一徑向延伸一第一距離(r1)；其中當上述半導體晶圓的一頂部部分被摻雜時，藉由一因數(R+r2)/R來調整上述掃描臂的角速度(w)，上述頂部部分從上述半導體晶圓的中心部分沿與上述第一徑向相對的一第二徑向延伸一第二距離(r2)。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之控制離子摻雜製程的系統，其中上述控制器用以根據上述與關鍵尺寸的 變異相關的資訊改變一離子束的剖面。
TW098139459A 2009-02-27 2009-11-20 控制離子摻雜製程的方法和系統 TWI456632B (zh)

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