CN101840851B - 离子注入系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置，该引出装置用于从该离子源引出离子束；一质量分析磁铁，用于从该离子束中选择一预设能量范围内的离子束；一工件扫描装置，用于在一慢速扫描方向上慢速扫描工件、并且在一快速扫描方向上快速扫描工件，使工件往复穿过该预设能量范围内的离子束以完成离子注入；该系统还包括一设于该引出装置与该质量分析磁铁之间的离子束传输路径上的偏转磁铁，用于实时地偏转该离子束，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分为平行直线。本发明还公开了一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法。本发明可保证注入剂量的均匀性，提高生产效率。

Description

离子注入系统及方法

技术领域

本发明涉及一种离子注入系统，特别是涉及一种离子注入系统及方法。

背景技术

离子注入技术是把某种元素的原子电离成离子，并使其在几百伏至几百千伏的电压下进行加速，在获得较高速度后射入放在真空靶室中的工件表面的一种离子束应用技术。工件经离子注入后，其表面的物理、化学及机械性能都会发生显著的改变。

尤其令人感兴趣的是，用离子注入法在单晶或多晶硅中掺杂，是制造现代集成电路的一种常规工艺过程。由于半导体产品的生产逐渐趋向较大的半导体晶圆(从8英寸到12英寸，而现在已向18英寸发展)，单晶圆工艺(一次处理一片晶圆)最近已被广泛地采用。晶圆工件越大，所需的注入时间就越长，因此要想达到一定的注入剂量均匀性和注入角度均匀性也变得越来越困难。由于单晶圆工艺中，对注入到晶圆的束流角度分布和均匀性的要求十分严格，所以对束流的角度和流强分布控制提出了新的较高的要求。

图1所示为目前的半导体行业中采用的离子注入机的一种最常用的离子注入方法，由离子注入机中的工件扫描装置带动工件以二维扫描的方式往复穿过离子束，以完成离子注入，其中，该二维扫描通常包括：在一慢速扫描方向上慢速扫描工件以及在一快速扫描方向上快速扫描工件，此处的“慢速”和“快速”仅为相对概念，即工件在快速扫描方向上的扫描速度远大于其在慢速扫描方向上的扫描速度。在实际的注入制程中，既可以将该慢速扫描方向设置为纵向、将该快速扫描方向设置为横向；也可以将该慢速扫描方向设置为横向、将该快速扫描方向设置为纵向。图1中所示的即为将该慢速扫描方向设置为纵向、将该快速扫描方向设置为横向的情况，图中的实线和虚线均表示注入工位处的离子束与工件的相对运动轨迹，工件的纵向运动是步进式的，而在每两次纵向步进之间，工件则会在工件扫描装置的机械手臂的带动下进行一次连续的横向运动。为了改善工件上注入角度的均匀性，在目前的扫描方式中，如图1所示，一般是在对工件的整个表面完成一轮注入后，将工件相对于离子束旋转180°，而后对工件的整个表面再进行一轮注入，图1中的实线表示第一轮注入时离子束与工件的相对运动轨迹，而虚线则表示第二轮注入时离子束与工件的相对运动轨迹。图2所示为机械手臂带动工件沿横向穿过离子束的示意图，机械手臂1’绕其转动轴2’旋转，从而使得设于其末端的工件支架3’带动置于其上的工件旋转穿过离子束，因此，如图1所示，工件的横向运动轨迹严格而言是由往复的弧线构成的，这会导致如下缺陷：当工件扫描次数较少时，会导致工件表面上诸如区域A的位置注入剂量较低，而诸如区域B的位置注入剂量较高，因此不得不通过增加工件在每轮注入中进行的扫描次数，来补偿注入剂量不均匀的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中的离子注入方法为了改善注入剂量不均匀而需要较多的扫描次数，因此导致生产效率较低的缺陷，提供一种能够保证注入剂量均匀性，从而能够减少扫描次数、提高生产效率的离子注入系统及方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置，该引出装置用于从该离子源引出离子束；一质量分析磁铁，用于从该离子束中选择一预设能量范围内的离子束；一工件扫描装置，用于在一慢速扫描方向上慢速扫描工件、并且在一快速扫描方向上快速扫描工件，使工件往复穿过该预设能量范围内的离子束以完成离子注入；其特点在于，该系统还包括一设于该引出装置与该质量分析磁铁之间的离子束传输路径上的偏转磁铁，用于实时地偏转该离子束，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分为平行直线。

较佳地，该工件扫描装置用于在纵向上慢速扫描工件、并且在横向上快速扫描工件，该偏转磁铁用于在该工件扫描装置每次横向移动工件的过程中，实时地在竖直方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的横向部分为水平直线。

较佳地，该工件扫描装置用于在横向上慢速扫描工件、并且在纵向上快速扫描工件，该偏转磁铁用于在该工件扫描装置每次纵向移动工件的过程中，实时地在水平方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的纵向部分为竖直直线。

较佳地，设该偏转磁铁与工件之间的离子束传输路径的长度为K，在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中的每一时刻t，若未启动该偏转磁铁时该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的实时位置在慢速扫描方向上偏离δ(t)，则该偏转磁铁用于在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)角度，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

较佳地，该工件扫描装置的设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上的偏离为0。

较佳地，设在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中，工件的实时位置相对于工件在当前该次快速移动中的起始位置在慢速扫描方向上的最大偏离距离为δmax，则该工件扫描装置的设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上偏离0.5δmax。

较佳地，该偏转磁铁为二极磁铁。

本发明的另一技术方案为：一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法，在该方法中，利用该引出装置从该离子源引出离子束，通过该质量分析磁铁从该离子束中选择该预设能量范围内的离子束，并利用该工件扫描装置在一慢速扫描方向上慢速扫描工件、并且在一快速扫描方向上快速扫描工件，使工件往复穿过该预设能量范围内的离子束以完成离子注入；其特点在于，实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁实时地偏转该离子束，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分为平行直线。

较佳地，利用该工件扫描装置在纵向上慢速扫描工件、并且在横向上快速扫描工件，在该工件扫描装置每次横向移动工件的过程中，实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁实时地在竖直方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的横向部分为水平直线。

较佳地，利用该工件扫描装置在横向上慢速扫描工件、并且在纵向上快速扫描工件，在该工件扫描装置每次纵向移动工件的过程中，实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁实时地在水平方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的纵向部分为竖直直线。

较佳地，设该偏转磁铁与工件之间的离子束传输路径的长度为K，在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中的每一时刻t，若未启动该偏转磁铁时该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的实时位置在慢速扫描方向上偏离δ(t)，则实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)角度，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

较佳地，将该工件扫描装置设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上的偏离为0；实时地调整该偏转磁铁的电流大小，使该偏转磁铁在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

较佳地，设在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中，工件的实时位置相对于工件在当前该次快速移动中的起始位置在慢速扫描方向上的最大偏离距离为δmax，将该工件扫描装置设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上偏离0.5δmax；实时地调整该偏转磁铁的电流大小和电流方向，使该偏转磁铁在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

本发明的积极进步效果在于：本发明通过在注入工位处，使离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分成为平行直线，解决了原先的弧线轨迹会导致工件表面注入剂量不均匀的问题。而在保证了注入剂量均匀性的条件下，本发明便能够大幅地减少在每轮注入中工件进行的扫描次数，这样一方面提高了离子束的利用效率，另一方面也减少了因工件的机械扫描而浪费的注入时间，从而极大地提高了离子注入系统的生产效率，降低了生产成本。

附图说明

图1为一种现有的离子注入方法的示意图。

图2为现有技术中的机械手臂带动工件沿横向穿过离子束的示意图。

图3为本发明的离子注入系统的示意图。

图4为本发明的离子注入系统的第一实施例的原理示意图。

图5为本发明中的离子束与工件上的预设注入线之间的相对偏离量的计算示意图。

图6为本发明中的偏转磁铁对离子束的偏转角度的计算示意图。

图7为本发明的离子注入系统的第二实施例的原理示意图。

图8为本发明中在注入工位处离子束与工件的相对运动轨迹的示意图。

具体实施方式

下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。

如图3所示，本发明中的该离子注入系统与现有的离子注入系统同样地包括以下组件：一离子源和一引出装置1，该引出装置用于从该离子源引出离子束；一质量分析磁铁2，用于使通过其中的离子束发生90°左右的偏转，从而利用不同能量的离子偏转路径也不同，选择出一预设能量范围内的离子束，并且该质量分析磁铁2在对离子束进行偏转选择的同时并不会改变束流的形状，即不会改变束流中的离子在束流横截面上的相对位置；一工件扫描装置，用于在一慢速扫描方向上慢速扫描工件3、并且在一快速扫描方向上快速扫描工件3，以使工件3往复穿过该预设能量范围内的离子束，从而完成离子注入制程。

但与现有系统不同的是，本发明的该离子注入系统还包括一设于该引出装置与该质量分析磁铁2之间的离子束传输路径上的偏转磁铁4，该偏转磁铁4可以采用二极磁铁实现。该偏转磁铁4用于实时地偏转该离子束，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分为平行直线(参见图8)。

由背景技术中的介绍可知，将该慢速扫描方向设置为纵向、将该快速扫描方向设置为横向的第一工件扫描模式，相对于将该慢速扫描方向设置为横向、将该快速扫描方向设置为纵向的第二工件扫描模式，其工件移动原理是完全相同的，仅仅是移动方向相差90度而已，相应地，利用该偏转磁铁4对离子束进行实时微调以实现本发明目的设计原理也是完全相同的，因此，以下仅以将该慢速扫描方向设置为纵向、将该快速扫描方向设置为横向的第一工件扫描模式为例，并以图1和图2所示的现有技术为基础，对本发明的改进之处进行详细说明。由背景技术中的介绍可知，注入剂量的不均匀是由机械手臂的旋转运动模式造成的，该旋转运动模式会使得离子束与工件的相对运动轨迹的横向部分呈一弧线。参考图1和图2可知，当工件由机械手臂带动，在横向上沿一上凸的弧线运动时，若不采用本发明的该偏转磁铁4对离子束的传输方向在竖直方向上进行调整，则离子束与工件的相对运动轨迹会呈一下凹的弧线。为了克服现有技术中的种种缺陷，最优化的注入模式为：该预设能量范围内的离子束在工件表面沿一条条水平直线状的轨迹进行注入，在本文中将该些理想的注入轨迹称为预设注入线，而本发明的目的即在于：利用该偏转磁铁4对离子束的传输方向在竖直方向上进行偏转微调，从而使离子束在工件表面上的实际注入轨迹与该些预设注入线重合。

实施例1

如图4所示，直线A表示工件在某一次横向运动中所对应的预设注入线，而弧线B则表示在没有启动该偏转磁铁4的情况下，离子束将会在工件表面上形成的注入轨迹。在本实施例中，对该工件扫描装置进行设置，使得在该工件扫描装置每次横向移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则离子束在注入工位处的高度与工件上对应于当前该次横向移动的预设注入线的高度相等，即，直线A与弧线B的两端重合。若弧线B上每一点的高度坐标为δ(t)(以直线A所处的实时高度为高度坐标原点)，则该偏转磁铁4需要在每一时刻t将离子束在工件表面的注入位置移动-δ(t)，即向上抬升距离|δ(t)|，以使得在工件的当前该次横向运动过程中，离子束的实际注入轨迹始终与直线A重合。

对该偏转磁铁4的控制方式如下：

首先需要计算获得δ(t)的值。如图5所示，设机械手臂的旋转轴到其工件支架之间的长度为L，当机械手臂旋转了角度θ(t)时，δ(t)＝-L(1-cosθ(t))。

然后需要计算获得在该偏转磁铁4处对离子束的微调角度ε(t)。如图6所示，设该偏转磁铁4与工件3之间的离子束传输路径的长度为K，则ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

设在该工件扫描装置每次横向移动工件的过程中，工件的实时位置相对于工件在当前该次横向移动中的起始位置在竖直方向上的最大偏离距离为δmax，则在本实施例中，δ(t)的值会在-δmax～0之间变化，因此该偏转磁铁4对离子束的偏转角度将会在0～arctan(δmax/K)之间变化，这可以通过对该偏转磁铁4的电流大小的微调来实现。该微调的操作方法为本领域普通技术人员公知的技术手段，故在此不做赘述。

实施例2

如图7所示，直线A’表示工件在某一次横向运动中所对应的预设注入线，而弧线B’则表示在没有启动该偏转磁铁4的情况下，离子束将会在工件表面上形成的注入轨迹。本实施例与实施例1的唯一区别仅在于：对该工件扫描装置进行设置，使得在该工件扫描装置每次横向移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则离子束在注入工位处的高度与工件上对应于当前该次横向移动的预设注入线的高度相距0.5δmax。同样地，若弧线B’上每一点的高度坐标为δ(t)(以直线A’所处的实时高度为高度坐标原点)，则该偏转磁铁4需要在每一时刻t将离子束在工件表面的注入位置移动-δ(t)，以使得在工件的当前该次横向运动过程中，离子束的实际注入轨迹始终与直线A’重合。

在对该偏转磁铁4的控制中，对δ(t)以及ε(t)的计算过程与实施例1完全相同。但与实施例1不同的是，在本实施例中，δ(t)的值会在-0.5δmax～0.5δmax之间变化，因此该偏转磁铁4对离子束的偏转角度将会在-arctan(0.5δmax/K)～arctan(0.5δmax/K)之间变化，这可以通过对该偏转磁铁4的电流大小和电流方向的综合微调实现。该微调的操作方法为本领域普通技术人员公知的技术手段，故在此不做赘述。

由于在本实施例中该偏转磁铁4对离子束传输方向的改变较小，因此对离子束状态的影响也较轻微，更有利于对注入角度和注入剂量均匀性的控制。

无论是采用实施例1还是实施例2的微调模式，本发明最终获得的离子束与工件的相对运动轨迹都将如图8所示，其中的实线表示对工件的整个表面进行第一轮注入时离子束与工件的相对运动轨迹，而虚线则表示在第一轮注入结束后将工件旋转180°再次进行第二轮注入时离子束与工件的相对运动轨迹。

而对于将该慢速扫描方向设置为横向、将该快速扫描方向设置为纵向的第二工件扫描模式，与上述第一工件扫描模式时的唯一区别仅在于：该偏转磁铁4在该工件扫描装置每次纵向移动工件的过程中，实时地在水平方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的纵向部分为竖直直线。而该微调过程的具体实现方法则与实施例1及实施例2所述的内容完全类似，故在此不做赘述。本发明通过在注入工位处，使离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分成为平行直线，解决了原先的弧线轨迹会导致工件表面注入剂量不均匀的问题。在保证了注入剂量均匀性的条件下，本发明便能够大幅地减少在每轮注入中工件进行的扫描次数，这样一方面提高了离子束的利用效率，另一方面也减少了因工件的机械扫描而浪费的注入时间，从而极大地提高了离子注入系统的生产效率，降低了生产成本。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种离子注入系统，其包括：

一离子源和一引出装置，该引出装置用于从该离子源引出离子束；

一质量分析磁铁，用于从该离子束中选择一预设能量范围内的离子束；

一工件扫描装置，用于在一慢速扫描方向上慢速扫描工件、并且在一快速扫描方向上快速扫描工件，使工件往复穿过该预设能量范围内的离子束以完成离子注入；

其特征在于，该系统还包括一设于该引出装置与该质量分析磁铁之间的离子束传输路径上的偏转磁铁，用于实时地偏转该离子束，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分为平行直线；

设该偏转磁铁与工件之间的离子束传输路径的长度为K，在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中的每一时刻t，若未启动该偏转磁铁时该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的实时位置在慢速扫描方向上偏离δ(t)，则该偏转磁铁用于在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)角度，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

2.如权利要求1所述的离子注入系统，其特征在于，该工件扫描装置用于在纵向上慢速扫描工件、并且在横向上快速扫描工件，该偏转磁铁用于在该工件扫描装置每次横向移动工件的过程中，实时地在竖直方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的横向部分为水平直线。

3.如权利要求1所述的离子注入系统，其特征在于，该工件扫描装置用于在横向上慢速扫描工件、并且在纵向上快速扫描工件，该偏转磁铁用于在该工件扫描装置每次纵向移动工件的过程中，实时地在水平方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的纵向部分为竖直直线。

4.如权利要求1所述的离子注入系统，其特征在于，该工件扫描装置的设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上的偏离为0。

5.如权利要求1所述的离子注入系统，其特征在于，设在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中，工件的实时位置相对于工件在当前该次快速移动中的起始位置在慢速扫描方向上的最大偏离距离为δmax，则该工件扫描装置的设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上偏离0.5δmax。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的离子注入系统，其特征在于，该偏转磁铁为二极磁铁。

7.一种利用权利要求1所述的离子注入系统实现的离子注入方法，在该方法中，利用该引出装置从该离子源引出离子束，通过该质量分析磁铁从该离子束中选择该预设能量范围内的离子束，并利用该工件扫描装置在一慢速扫描方向上慢速扫描工件、并且在一快速扫描方向上快速扫描工件，使工件往复穿过该预设能量范围内的离子束以完成离子注入；

其特征在于，实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁实时地偏转该离子束，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹沿快速扫描方向的部分为平行直线；

设该偏转磁铁与工件之间的离子束传输路径的长度为K，在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中的每一时刻t，若未启动该偏转磁铁时该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的实时位置在慢速扫描方向上偏离δ(t)，则实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)角度，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

8.如权利要求7所述的离子注入方法，其特征在于，利用该工件扫描装置在纵向上慢速扫描工件、并且在横向上快速扫描工件，在该工件扫描装置每次横向移动工件的过程中，实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁实时地在竖直方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的横向部分为水平直线。

9.如权利要求7所述的离子注入方法，其特征在于，利用该工件扫描装置在横向上慢速扫描工件、并且在纵向上快速扫描工件，在该工件扫描装置每次纵向移动工件的过程中，实时地调整该偏转磁铁，使该偏转磁铁实时地在水平方向上微调该离子束的传输方向，以使得在注入工位处，该预设能量范围内的离子束与工件的相对运动轨迹的纵向部分为竖直直线。

10.如权利要求7所述的离子注入方法，其特征在于，将该工件扫描装置设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上的偏离为0；实时地调整该偏转磁铁的电流大小，使该偏转磁铁在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

11.如权利要求7所述的离子注入方法，其特征在于，设在该工件扫描装置每次快速移动工件的过程中，工件的实时位置相对于工件在当前该次快速移动中的起始位置在慢速扫描方向上的最大偏离距离为δmax，将该工件扫描装置设置为：在该工件扫描装置每次快速移动工件的起始时刻，若未启动该偏转磁铁，则该预设能量范围内的离子束在注入工位处的位置相对于工件上对应当前该次快速移动的预设注入线的位置在慢速扫描方向上偏离0.5δmax；实时地调整该偏转磁铁的电流大小和电流方向，使该偏转磁铁在每一时刻t、在慢速扫描方向上将该离子束的传输方向偏转ε(t)，该ε(t)满足ε(t)＝-arctan(δ(t)/K)。

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