TWI448837B - 微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

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TWI448837B TW100134914A TW100134914A TWI448837B TW I448837 B TWI448837 B TW I448837B TW 100134914 A TW100134914 A TW 100134914A TW 100134914 A TW100134914 A TW 100134914A TW I448837 B TWI448837 B TW I448837B
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Sjoerd Nicolaas Lambertus Donders
Joost Jeroen Ottens
Cornelis Van Der Hoeven Jan
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Sergei Shulepov
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Asml Netherlands Bv
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Description

微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至一基板上(通常施加至該基板之一目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)製造積體電路(IC)。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱為光罩(mask)或主光罩(reticle))可用於產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至一基板(例如，矽晶圓)上之一目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經連續地圖案化之相鄰目標部分之網路。已知之微影裝置包括：所謂之步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂之掃描器，其中藉由在一給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案、同時平行於或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議了將微影投影裝置中之基板浸漬於一具有相對較高之折射率之液體(例如，水)中，以便填充投影系統之最終元件與基板之間的空間。因為在液體中曝光輻射將具有較短波長，所以此情形之要點係賦能較小特徵之成像。(亦可認為液體之效應係增加系統之有效NA且亦增加焦點深度。)已提議了其他浸液，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水。
然而，將基板或基板與基板台浸入液浴中(例如，參見美國專利US 4,509,852，其全文以引用的方式併入本文中)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速的大量液體。此需要額外或更強大的馬達，且液體中之擾流可導致不良且不可預知之效應。
所提議之解決方案中的一者係藉由使用一液體限制系統而使一液體供應系統僅在基板之一局部區域上及在投影系統之最終元件與基板之間提供液體(該基板通常具有一比投影系統之最終元件大的表面區域)。一種已被提議配置此情形之方式揭示於PCT專利公開案WO 99/49504中，其全文以引用的方式併入本文中。如圖2及3所說明，液體藉由至少一入口IN而供應至基板上(較佳沿基板相對於最終元件之移動方向)，且在投影系統下方已通過之後藉由至少一出口OUT而移除。亦即，當在-X方向上於元件下方掃描基板時，在該元件之+X側處供應液體且在-X側處吸收該液體。圖2示意性地展示了該配置，其中經由入口IN而供應液體且經由連接至一低壓源之出口OUT而在元件之另一側上吸收該液體。在圖2之說明中，液體係沿基板相對於最終元件之移動方向而供應，但並不需要為此情況。定位於最終元件周圍之入口及出口的各種定向及數目皆可行，圖3中說明一實例，其中在最終元件周圍以規則圖案提供以下四組：每一側上具有一入口與一出口。
圖4中展示具有一局部液體供應系統之另一浸漬式微影解決方案。液體藉由在投影系統PL之任一側上的兩個溝槽入口IN而供應，且藉由在入口IN外部徑向地配置之複數個離散出口OUT而移除。入口IN及OUT可在具有一孔之板中配置，該孔處於該板之中心且投影光束被投影通過該孔。液體藉由在投影系統PL之一側上的一溝槽入口IN而供應，且藉由在投影系統PL之另一側上的複數個離散出口OUT而移除，從而導致液體薄膜在投影系統PL與基板W之間流動。使用入口IN與出口OUT之哪一組合之選擇可視基板W之移動方向而定(入口IN與出口OUT之另一組合係不活動的)。
在全文各以引用的方式併入本文中之歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請公開案第US 2004-0136494號中，揭示了兩級或雙級浸漬式微影裝置之觀念。此裝置具備用於支撐一基板之兩個台板。平整性量測係使用在無浸液之第一位置處之台板來進行，且曝光係使用在存在浸液之第二位置處之台板來進行。或者，裝置僅具有一台板。
處理微影裝置中之浸液會引起液體處理之一或多個問題。通常在諸如基板及/或感應器之物件與圍繞該物件(例如，基板)之邊緣之基板台之間存在間隙。全文以引用的方式併入本文中之美國專利申請公開案US 2005-0264778揭示了使用材料來填充彼間隙或提供液體源或低壓源以故意使用液體來填充間隙，以便避免間隙在液體供應系統下方通過時之氣泡包含物及/或移除確實進入間隙之任何液體。
需要(例如)提供液體自物件之邊緣與定位有該物件之基板台之間的間隙之移除。物件可為基板、感應器、封閉板，等等。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一液體供應系統，其經組態以向基板台上之物件與投影系統之間的空間提供液體；及一在基板台中之排液管，其經組態以含有在使用中在物件之邊緣與基板台之間洩漏之液體，其中，在使用中，排液管中之氣體壓力維持為大體上等於基板上方之周圍氣體壓力。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一液體供應系統，其經組態以向基板台上之物件與投影系統之間的空間提供液體；及一在基板台中之腔室，其與在使用中包圍物件之外部邊緣的間隙進行流體連通，使得腔室對圍繞物件之外部邊緣的位置處之基板台之外部表面開放，其中，在使用中，液體與界定間隙並越過間隙而相互面向之表面具有大於45°之接觸角。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一液體供應系統，其經組態以向基板台上之物件與投影系統之間的空間提供液體；及一在基板台中之腔室，其與在使用中包圍物件之外部邊緣的間隙進行流體連通，使得腔室對圍繞物件之外部邊緣的位置處之基板台之外部表面開放，其中，在使用中，界定間隙之表面與間隙開放處之腔室之表面之間的角度為至少90°。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板，該基板台包含一通向腔室之通路，該通路將腔室連接至基板台之外部表面且在使用中包圍基板台上之物件的外部邊緣；及一可撓性瓣片，其越過通路可延伸且經大體上偏置以阻斷氣體在通路與腔室之間的流動，且藉由來自上方之流體靜壓力及/或流體動壓力可變形以不阻斷間隙以允許液體自通路進入腔室中。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一液體供應系統，其經組態以向投影系統與基板之間的空間提供液體；一第一基板台，其經組態以固持一基板，該第一基板台具有一具有一面之邊緣，該面具有一垂直組件；及一第二基板台，其經組態以固持一基板，該第二基板台具有一具有一面之邊緣，該面具有一垂直組件，其中，在使用中，液體與該等面中之至少一者之至少一部分具有大於45°之接觸角。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含：經由液體而將圖案化輻射光束投影於基板上；及在維持於周圍壓力之排液管中收集在物件之邊緣與經組態以固持基板之基板台之間洩漏之液體。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含：經由液體而將圖案化輻射光束投影於基板上；及經由物件與經組態以固持基板之基板台之間的間隙而在腔室中收集液體，液體與界定間隙且越過間隙而相互面向之表面具有大於45°之接觸角。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含經由液體而將圖案化輻射光束投影於基板上，其中在經組態以固持基板之基板台上的物件之間洩漏、沿通路行進且移動可撓性瓣片之液體越過通路之出口而延伸以使液體暴露至低壓，使得液體自可撓性瓣片被移除以允許可撓性瓣片再阻斷通路。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含：使用投影系統經由液體而將圖案化輻射光束投影於由第一基板台所支撐之基板上；將第二基板台定位成緊接於第一基板台；及在投影系統下方一起移動兩個基板台，使得第二基板台在投影系統下方移動，其中在移動期間經定位成緊接於彼此之第一基板台與第二基板台之邊緣各包含一具有一垂直組件之面，其中液體與該等面中之至少一者的至少一部分具有大於45°之接觸角。
根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置，其包含：一基板台，其經建構以固持一基板；一液體供應系統，其經組態以在基板、基板台及/或基板台上之物件之在基板、基板台及/或物件與投影系統之間的局部區域上提供液體；基板台中之至少一排液管，其經組態以含有在使用中在基板及/或物件之邊緣與基板台之間洩漏之液體；一負壓源，其連接至該至少一排液管以用於液體自該至少一排液管之移除；及一控制器，其用於在該局部區域係在該基板及/或物件之邊緣上方時大體上將該負壓源連接至該至少一排液管。
根據本發明之一態樣，提供一種器件製造方法，其包含：經由液體而將圖案化輻射光束投影於基板上；及經由物件與經組態以固持基板之基板台之間的間隙而在腔室中收集液體，其中該液體在計劃中限於局部區域，且當該局部區域係在該物件之邊緣上方時向該腔室施加負壓以移除液體，且當該局部區域係不在該物件之該邊緣上方時不向該腔室施加負壓。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；一支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐一圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至一第一定位器PM，該第一定位器PM經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件；一基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持一基板(例如，塗覆有抗蝕劑之晶圓)W且連接至一第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以根據某些參數來準確地定位該基板；及一投影系統(例如，一折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將一由圖案化器件MA賦予輻射光束B之圖案投影至基板W之一目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
該照明系統可包括用於導向、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
該支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中之其他條件而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台板，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件處於(例如)相對於投影系統之所要位置處。本文中術語"主光罩"或"光罩"之任何使用可被認為與更為一般之術語"圖案化器件"同義。
本文中所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地理解為係指可用於在輻射光束之橫截面中向其賦予一圖案(諸如)以在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，賦予輻射光束之圖案可能不完全地對應於基板之目標部分中的所要圖案，例如，若圖案包括相移特徵或所謂之輔助特徵。通常，賦予輻射光束之圖案將對應於在目標部分中所產生之器件中的一特定功能層，諸如一積體電路。
圖案化器件可為透射型或反射型。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。光罩在微影中已為吾人所熟知，且包括諸如二進位型、交變相移型及衰減相移型之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，其中每一鏡面可個別地傾斜，以便在不同方向上反射一入射輻射光束。該等傾斜鏡面在由鏡面矩陣所反射之輻射光束中賦予一圖案。
本文中所使用之術語"投影系統"應被廣泛地理解為涵蓋任何類型之投影系統，包括適合於所使用之曝光輻射或適合於諸如浸液之使用或真空之使用之其他因素的折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。本文中術語"投影透鏡"之任何使用可被認為與更為一般之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，該裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，該裝置可為反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙級)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上支撐結構)之類型。在此等"多級"機器中，可並行地使用額外台板，或可在一或多個台板上進行預備步驟，同時將一或多個其他台板用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射光源SO接收輻射光束。光源及微影裝置可為單獨實體，例如，當光源為準分子雷射器時。在此等情況下，不認為光源形成微影裝置之一部分，且借助於包含(例如)適合之導向鏡及/或光束放大器之光束傳遞系統BD而將輻射光束自光源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，光源可為微影裝置之整體部分，例如，當光源為汞燈時。光源SO及照明器IL連同光束傳遞系統BD(若需要)一起可被稱為輻射系統。
照明器IL可包含一用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，至少可調整照明器之瞳孔平面中強度分佈的外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱為σ-外部及σ-內部)。另外，照明器IL可包含諸如積光器IN及聚光器CO之各種其他組件。照明器可用以調節輻射光束，以使輻射光束在其橫截面中具有所要之均一性及強度分佈。
輻射光束B入射至固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感應器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感應器)，可準確地移動基板台WT，(例如)以便將不同的目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，例如，在自一光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間，第一定位器PM及另一位置感應器(其在圖1中未被明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑而準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(精定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相反)之情況下，可將支撐結構MT僅連接至短衝程致動器，或可將其固定。圖案化器件MA及基板W可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2而得以對準。雖然如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但是其可位於目標部分之間的空間(此等被稱為切割道對準標記)中。類似地，在圖案化器件MA上提供一個以上晶粒之情況下，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上固定，同時將賦予輻射光束之整個圖案一次性投影至一目標部分C上(亦即，單一靜態曝光)。接著在X及/或Y方向上移位基板台WT，使得可曝光一不同的目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單一靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，對支撐結構MT及基板台WT同步地掃描，同時將賦予輻射光束之圖案投影至一目標部分C上(亦即，單一動態曝光)。基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特徵來判定。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單一動態曝光中目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，使支撐結構MT保持基本上固定，從而固持一可程式化圖案化器件，且將基板台WT移動或掃描，同時將賦予輻射光束之圖案投影至一目標部分C上。在此模式中，通常使用一脈動輻射光源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的連續輻射脈衝之間，根據需要來更新可程式化圖案化器件。此操作模式可容易應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)的無光罩微影。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化，或亦可使用完全不同的使用模式。
雖然本發明可與任何類型之液體供應系統一起使用，但設計經最佳化以供諸如圖5中所說明之系統的局部區域液體供應系統使用。在此類型之液體供應系統中，在任一時間僅向基板之全部頂部表面的一較小區域提供液體。簡要地描述局部區域液體供應系統之操作係說明性的。
參看圖5，局部區域液體供應系統包含一具有一液體限制結構之液體供應系統，該液體限制結構沿投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界的至少一部分延伸。液體限制結構在XY平面中相對於投影系統大體上固定，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某一相對移動。在一實施例中，密封形成於液體限制結構與基板之表面之間，且可能為諸如氣體密封之無接觸密封。
液體限制結構12至少部分地含有在投影系統PL之最終元件與基板W之間的空間11中之液體。對基板之無接觸密封16可圍繞投影系統之像場而形成，使得液體被限制於基板表面與投影系統之最終元件之間的空間內。該空間至少部分地藉由定位於投影系統PL之最終元件下方且包圍投影系統PL之最終元件的液體限制結構12而形成。液體藉由液體入口13而進入在投影系統下方且在液體限制結構12內之空間中，且可藉由液體出口13而移除。液體限制結構12可略微延伸至投影系統之最終元件上方，且液面上升至最終元件上方，使得提供液體之緩衝。液體限制結構12具有一內部周邊，該內部周邊在一實施例中在上部末端處與投影系統或其最終元件之形狀緊密地一致且可(例如)為圓形。在底部處，內部周邊與像場之形狀緊密地一致，例如矩形，但並不需要為此情況。
液體藉由氣體密封16而包含於空間11中，氣體密封16在使用期間形成於液體限制結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封係藉由在壓力下經由入口15而提供至液體限制結構12與基板之間的間隙且經由出口14而提取之氣體(例如，空氣或合成空氣，但在一實施例中，為N2 或另一惰性氣體)來形成。配置氣體入口15上之過壓、出口14上之真空能級及間隙之幾何形狀，使得存在一限制液體之向內的高速氣體流。彼等入口/出口可為包圍空間11之環形溝槽，且氣體流16有效地含有空間11中之液體。在全文以引用的方式併入本文中之美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示了此系統。
其他解決方案是可能的，且本發明之一或多個實施例同樣可適用於彼等。舉例而言，替代氣體密封16，有可能具有僅提取液體之單相提取器。徑向外部之此單相提取器可為一或多個特徵以產生有助於使液體包含於空間中之氣體流。一個此類型之特徵可能為所謂的氣體刀(gas knife)，其中一薄氣體射流被向下導向於基板W上。在基板於投影系統與液體供應系統下方之掃描運動期間，可能產生導致液體上之壓力朝向基板下降之流體靜力及流體動力。
就局部區域液體供應系統而言，在投影系統PL與液體供應系統下方移動基板W，且當基板W之邊緣將被成像時，或當基板台上之感應器將被成像或基板台將被移動以使得虛設基板或所謂的封閉板可定位於液體供應系統下方以使能夠發生基板調換時，基板W之邊緣將通過空間11下方，且液體可洩漏至基板W與基板台WT之間的間隙中。可在流體靜壓力或流體動壓力下或在氣體刀或其他氣體流產生器件之力下強制此液體。
雖然下文將關於提供圍繞基板W之邊緣的排液管而描述本發明之一或多個實施例，但一或多個實施例同樣可適用於置放於基板台上之一或多個其他物件，包括(但不限於)一在(例如)基板調換期間藉由附著至液體供應系統之底部而用以維持液體供應系統中之液體的封閉板及/或一或多個感應器。因此，下文對基板W之任何參考應被認為與諸如感應器或封閉板之任何其他物件同義。
圖6說明本發明之一實施例。圖6為穿過基板台WT及基板W之橫截面。圍繞基板W之外部邊緣而提供排液管10，其中存在基板W與基板台WT之間的間隙15。在一實施例中，排液管10圍繞基板W之周邊而延伸。在一實施例中，排液管10可僅圍繞基板W之周邊之一部分而延伸。
基板W在基板W之成像期間固持於基板台WT上。基板W定位於為具有複數個突出物22之夾盤的小突起台(pimple table)20上。在基板W與突出物22之間的基板台WT之表面之間的間隙中所產生之負壓將基板W夾持於突出物22上。
為了解決基板W之準確尺寸之容許度與基板W可能不極佳地在中心定位於小突起台20上之事實，基板台WT經建構及配置成使得間隙/溝槽/通路15提供於基板W與基板台WT之頂部部分之間以解決容許度。
基板台WT之頂部部分經建構及配置成使得當基板W置放於基板台WT上時，基板台WT之頂部表面將大體上與基板W之頂部表面平行且共平面。此係確保當基板W之邊緣被成像時，或當基板台WT在投影系統下方通過以引起基板W在投影系統下方持續第一時間或在成像之後使基板W自投影系統下方移出、且液體供應系統必須自基板台WT之頂部表面至基板W之頂部表面通過或液體供應系統必須自基板W之頂部表面至基板台WT之頂部表面通過時，液體至間隙15中之洩漏將被減小或最小化。然而，某些液體將不可避免地進入間隙15。
在一實施例中，間隙15具備一低壓源，以便移除進入間隙15之液體。然而，當基板W之邊緣未被成像且因此並未覆蓋於液體中時，低壓源可越過基板W之邊緣而產生氣體流。此氣體流可導致基板W之局部冷卻，其為有害的。
在一實施例中，可能不提供液體移除器件以自間隙15移除液體(例如，間隙可使用柔韌材料來阻斷)。雖然此克服了基板W之局部冷卻的問題，但遺憾的是，此可能導致液體供應系統中之液體中的氣泡包含物(當氣體在液體供應系統下方通過時)，藉此可能引入成像錯誤。此外或其他，由於存在基板損壞及/或粒子產生之危險，希望避免(固態)密封部件與基板W之間的接觸。
一或多個實施例係針對緩解此等問題或其他問題中之一或多個。一或多個實施例具有減小經由間隙15而自液體供應系統所損耗之液體量的優點。
現將參看圖6來詳細地描述排液管10之構造。在圖6中，間隙或通路或溝槽15具有兩個相異的垂直元件。間隙之頂部元件界定於基板W與基板台WT之頂部部分之間。間隙15之為下部元件的最狹窄部分界定於基板台WT之兩個突出物40、60之間。徑向向內突出物40自小突起台20或在小突起台20下方徑向向外延伸，使得其邊緣大體上與基板W之邊緣垂直地對準。然而，突出物40之邊緣可在基板W之徑向內部或徑向外部。外部突出物60比基板台WT之頂部部分更向內而徑向向內突出，但再次未必為此情況且其可更少地突出。實際上，外部突出物60可被略去，且基板台WT之頂部部分可向下延伸以形成突出物。因此，間隙15之每一側藉由基板台WT之一突出物來界定。
間隙或通路或溝槽15使腔室70與基板台WT上方之氣氛進行流體連通。在一實施例中，可經由突出物40、60之間的間隙15而自基板台WT之外部至腔室70中直接繪製一線。在一實施例中，彼線為垂直線及/或在腔室70之底部壁72上截取腔室70之邊界。若間隙15及腔室70之尺寸經正確地選擇，則此配置具有意謂可在液體供應系統中使用以便有助於在空間內含有液體之氣體刀不受間隙15之存在的影響之優點，因為氣體刀並未"感覺到"腔室70之底部。為了使此效應(或更精確地，缺乏效應)存在，腔室70之底部72自基板台WT之頂部表面應為至少1 mm、至少2 mm、至少3 mm、至少4 mm或至少5 mm。
在圖6之排液管中，腔室70中之氣體壓力維持於與基板台WT之外部的氣體之壓力(亦即，周圍氣體壓力)相同之壓力。此意謂：當間隙15未藉由液體供應系統來覆蓋且液體供應系統之一或多個氣體流動器件經由間隙15而吹送氣體時，在正常操作中大體上不存在通過間隙15之氣體流。即使液體供應系統覆蓋間隙15之一部分(包圍基板W之周邊之間隙15及向遠小於基板W之頂部表面區域之空間提供液體之液體供應系統)，在腔室70中將仍維持周圍壓力，因為腔室70為環形(或其他形狀)，且經由圍繞基板W之周邊的另一位置處之間隙15而將對在基板台WT上方之氣氛開放。
為了自腔室70移除液體，使用在腔室70中並不產生負壓之液體移除器件。在一實施例中，液體移除器件在腔室70中大體上並不產生氣體流。舉例而言，液體移除器件可為使用(例如)用於液體移除之毛細管通路80中之毛細管作用的被動式液體移除器件。若浸液與毛細管通路80之內部表面具有小於90°或小於80°、70°、60°、50°、40°、30°或20°之接觸角，則擱置於腔室70之底部72上之液體的移除應被大大地增強。一或多個其他液體移除器件可能為可用的，例如，當偵測到在腔室70中之通路80之口部處存在液體時僅向通路80施加負壓之液體移除器件，或微篩單相提取器(例如，參見歐洲專利申請公開案EP 1,628,163)。圖10之實施例中給出了單相提取器之使用的實例。
以另一方式，本發明之實施例之一部分可能被視為不使用主動抽吸以自間隙15(及腔室70)移除液體，尤其當不存在液體時。實際上，在一實施例中，可使用連接至負壓源之普通通路來替代毛細管通路80。控制器控制負壓源是否連接至腔室70。當在任一時間僅向基板之局部區域(在計劃中)供應液體之液體供應系統12定位於間隙15上方以使得液體供應系統中之液體11排入間隙中時，負壓源經由通道80而連接至腔室70。當液體供應系統未定位於間隙上方(亦即，其遠離間隙)時，負壓源不連接至腔室70。因此，在腔室70處於周圍壓力之大多數時間期間，但當液體落入腔室或存在於腔室中時，負壓源經由通道80而施加以移除進入腔室之液體。因此，當基板之邊緣被掃描時，腔室僅處於負壓，且當液體供應系統首先移動於基板上時，液體供應系統之貯器因此係在基板之邊緣上方或處於掃描操作之開始及結束。當然，應瞭解，當負壓源連接至腔室70時之時序可與上文所述之時序不同。舉例而言，在貯器11已在邊緣上方通過之後，可使負壓源保持連接持續預定時間長度，或當感應到所有液體已自排液管被移除時，可僅使負壓源保持斷開。對負壓源之連接/斷開可根據基板及液體供應系統之相對位置而加以控制。
在使用中，有可能使間隙15足夠小，使得浸液之表面張力意謂：當間隙15橫穿液體供應系統之阻障部件之邊緣時，浸液將橋接基板W與基板台WT之間的間隙。然而，使用中的流體靜壓力及/或流體動壓力及/或歸因於掃描移動之壓力可意謂液體之表面張力不足以防止液體進入間隙15並在突出物40、60之間進入腔室70中。然而，因為液體以被動方式自腔室70移除而不在腔室70中產生負壓，故液體自間隙至腔室70中之單相提取係可能的，使得氣泡不可能被引入至空間中之液體中。換言之，液體在滴入腔室70中之前將僅僅流入間隙15中並填充該間隙，且間隙15中之任何氣體將被強制進入腔室70中或沿間隙15被側向地擠出。
因為無負壓施加至腔室70，故優於當負壓施加至腔室70時之情況，通過溝槽或通路或間隙15之液體損耗率應被極大地減小。
為了減小通過間隙15之液體流，界定該間隙並相互面向之面(其被標記為42、62)的表面特性可經特定地組態。舉例而言，若浸液(例如，超純水(UPW))在(例如)強UV輻射及UPW流之微影裝置中的操作條件下與彼等面42、62之表面具有大約45°的接觸角(亦即，彼等面在操作條件下具有適度疏水性)，則在彼等兩個表面之間延伸之任何液體彎液面的強度通常將足夠高以克服彎液面上方之液體的流體靜力及流體動力。在一實施例中，浸液與界定間隙且越過間隙而相互面向之表面具有大於70°、80°或90°的接觸角。在一實施例中，面42、62界定間隙15之最狹窄部分。
彎液面之強度亦可藉由改變面42、62之幾何形狀來增加。若彼等面之形狀經改變以增強毛細管作用，則確保浸液與彼等面之表面具有大於45°之接觸角的需要可被減小。如圖6中以虛線所說明，若間隙15之下部邊緣被提供為尖銳邊緣(例如，間隙之壁以大於90°、大於100°或大於110°之角度與腔室之壁相交)，則可能形成毛細管鎖(capillary lock)。圖8中說明用以減小液體損耗之某些其他解決方案。
一些液體可在某些情況下滲漏，例如，當間隙15在阻障部件之邊緣下方通過時，將在間隙15中留下液體。接著，間隙15可在可為液體供應系統之一部分之氣體刀下方通過，其在間隙中液體之頂部吹送且導致液體落入腔室70中。實際上，此製程可能為有益的，因為其意謂：間隙被完全清潔，使得沿間隙之彼點處的間隙15下次在浸液之空間11下方通過時，液體可在隨著氣泡進入空間中之浸液中而找到其道路的間隙中之氣體之危險性減小的情況下填充間隙15(因為任何氣體可逃逸且不由間隙中之小液滴限制)。在浸液中所誘發之流體靜壓力及掃描壓力可確保通過間隙15之液體之正確流動方向，從而避免氣泡形成並上升至空間中。又，可藉由氣體刀而自間隙清除液體而不回流於基板及基板台上。以此方式可避免飛濺及相關聯之缺陷。
如圖6中所說明，其說明界定間隙15之突出物40、60，該等突出物40、60具有相互面向之凸起面42、62。因此，突出物40、60界定彼等兩個突出物之間的中間部分或點處之間隙15之最狹窄部分。其他形狀亦是可能的，包括(但不限於)圖8中所說明之形狀。
本發明之一或多個實施例亦可適用於可在基板調換期間橋接兩個基板台WT之間的間隙而不使用封閉板之方式。在此方法中，將兩個基板台一起移動成靠近且接著一起在投影系統下方移動，使得液體供應系統自一基板台"移動"至另一基板台。在此情況下，圖6中所說明之基板W之邊緣藉由第一基板台WT1之邊緣來替代，使得此第一基板台WT1提供圖6之左側的突出物40，且第二基板台WT2提供圖6之右側的突出物60。在一實施例中，某一類別之排液管將附著至基板台WT1、WT2中之一者或另一者或兩者，但因為排液管(其正替代腔室70)處於大氣壓力，所以此並不存在問題。
在一實施例中，腔室70之尺寸係其應為間隙15之寬度之至少兩倍的尺寸，以便確保確實進入間隙15之任何液體在不首先散開之情況下並不越過基板W行進得過遠。將間隙15之寬度至腔室70之寬度的過渡配置為較大且突然會確保在突出物40、60之間橋接之液體彎液面需要在彼點處中斷，使得液體將流入腔室70中並滴於底部表面72上，在底部表面72處，液體可藉由液體移除器件80而移除。在一實施例中，腔室或溝槽比間隙15寬至少1 mm。
如圖6中所說明，間隙15定位於腔室70之中心上方。未必為此情況，且如圖6中所說明，間隙15可定位於沿腔室70之寬度之自最左側至最右側的任何地方(最內側及最外側)。
圖7說明本發明之一實施例，除了以下所描述之內容以外，該實施例與上文關於圖6所描述之實施例相同。在此實施例中，間隙15之最窄點藉由基板W之邊緣與基板WT之頂部部分之間的距離來界定。因此，第一實施例之突出物40、60不存在且分別藉由基板W之邊緣及基板台WT之頂部部分來替代(亦即，此等分別形成突出物40、60)。用於基板台WT之材料通常具有親水性或親液性，其意謂浸液與基板台WT之表面具有小於90°之接觸角。在一實施例中，可使基板W之邊緣具有疏水性或疏液性(亦即，浸液與表面具有大於90°之接觸角)，且可使界定間隙15之另一側之基板台WT的邊緣具有疏水性或疏液性。此類似於上文所述之內容。
圖8說明一實施例，除了以下所描述之內容以外，該實施例與上文關於圖7所描述之實施例相同。此實施例經最佳化用於低液體消耗。因為圖7中之間隙不能再被減小(因為基板尺寸容許度)，故選擇不同的突出物形狀(圖8a)，以便最小化間隙15之寬度，同時對於基板尺寸之變化仍賦能合適的基板台容許度。
在圖8a之實施例中，兩個突出物中之至少一者的凸起表面藉由凹入表面來替代。凹入表面最接近於間隙之最接近於腔室70之另一側。以此方式，因為基板W自身之邊緣的曲率，所以基板W可更接近於突出物，藉此使間隙變窄。藉此需要較短彎液面以橋接基板W與基板台WT之間的間隙。較短彎液面強於長彎液面。
在圖8b之實施例中，將腔室70之橫截面形成為四邊形形狀。間隙15之任一側上之腔室的表面以與水平平面成大體上45°之角度而向下傾斜。此有助於進入間隙15之任何液體藉由沿腔室70之壁的側流動而離開間隙。側之精確角度並不重要，且自水平在15°與90°之間的任一角度係尤其合適的。實際上，腔室之側可藉由垂直表面而形成，使得腔室70之橫截面為正方形的橫截面，其中頂部及底部表面為水平的且側為垂直的。此係因為，與階段加速(stage acceleration)相比，重力對於實際流體運動為唯一次要重要的。另外，可能使壁67之表面具有疏液性，使得浸液與腔室70之壁67具有大於90°或100°之接觸角。毛細管力主要負責使用提取孔而將流體優先驅動至底部角落。因此，需要驅動水處之角落可藉由具有親液性之表面來製造，而其他區域可具有疏液性。在具有水平頂部壁及底部壁之正方形橫截面腔室的情況下，可使頂部壁及徑向外部側壁具有疏液性。使間隙15為約0.6 mm寬，且此允許基板W與基板台之頂部表面之間的間隙在約0.15與0.55 mm之間變化，使得可適應基板W之直徑之容許度。
腔室70之底部72在間隙15下方為大約5 mm。腔室70之下壁朝向間隙15下方之位置向內傾斜，使得其大約在間隙15與底部72之間的中途自最大分離會聚。在腔室70之底部72中，提供複數個離散孔及/或狹縫。此等孔較佳圍繞排液管之整個圓周而相互等距地定位。合適的數字為大約100，每一者具有約0.3 mm之直徑。此等孔通向第二腔室800，第二腔室800之內部表面亦具有疏液性且具有類似於壁67之接觸角。較佳地，此等孔處於腔室70之(徑向最內部)角落，但自製造觀點而言，此可能不為實際位置。較佳地，第二腔室800具有疏液性，其可導致液體之更快移除。
向第二腔室800施加負壓。此將導致氣體流過孔81及流過間隙15。然而，所需要之氣體/液體提取流保持為低。間隙15之對氣體流之阻力係可忽略的，即使當間隙15藉由來自定位於間隙15上方或在間隙15上方移動之液體供應系統之液體而被局部地阻塞時。因此，第一腔室70在實際級別上係經由間隙15而直接連接至外界環境。因此，在腔室70中將不存在負壓，即使當經由孔81而提取混合氣體/液體流時。
因此，將存在通過間隙15之較低氣體流及通過孔81之較高氣體流。通過孔81之較高氣體流將不導致實質冷卻。因此，當液體供應系統置放於間隙15上方時，因為腔室70將處於周圍壓力，故將無實質量的水或液體被排入腔室70中。疏液性表面有助於達成低水流流入腔室70中。因為待由孔81所提取之液體量因此較低，且亦因為液體藉由毛細管作用而朝向提取點主動地輸送，故提取流可為較小的。
圖8c至圖8f說明可用以使間隙變窄而無需不必要地妨礙液體限制結構12之氣體刀之氣體的路徑之其他措施，亦即，排液管之"無底部"特徵，其意謂氣體刀並未"感覺到"腔室70之底部。在此等實施例中，至少一分割器定位於間隙15下方之腔室70中，以將間隙至腔室中之開口分為兩個或兩個以上間隙。
在圖8c中所說明之實施例中，桿體200定位於間隙15下方，在一實施例中沿間隙15之整體長度，使得桿體200為環狀(或其他周邊形狀)。如圖8c中所說明，桿體200將間隙15分為兩部分，使得將存在兩個較短的彎液面，一者在桿體與基板W或直接在基板W下方之基板台WT之間，且一者在桿體200與在桿體200之右側的基板台WT之間。然而，並不妨礙排液管之無底部特徵，因為來自氣體刀之氣體將易於通過桿體200之任一側而進入腔室70中。
除了已藉由一系列葉片210來替代桿體200以外，圖8d之實施例類似於圖8c之實施例。此等葉片或翼片210經配置成使得其在彼此之間形成自間隙15至腔室70中之複數個間隙或通路。因此，翼片210可被視為在橫截面中具有狹長結構，其具有在一實施例中沿間隙15之底部一直延伸以形成若干環狀(或其他周邊形狀)之長度。四個翼片210被說明。然而，熟習此項技術者應瞭解，可提供任何數目。翼片將間隙15之寬度分裂為若干較小間隙，液體彎液面需要越過該等間隙來橋接。
圖8e中之實施例說明另一觀念，其中，網狀物220置放於間隙15下方，使得網狀物220橋接間隙15之左側之基板台WT與間隙15之右側之基板台WT之間的間隙。此外，在一實施例中，網狀物220完全圍繞間隙15而延伸。柵格或濾網或網狀物220使用許多間隙呈現液體，彎液面必須越過該等間隙而橋接，藉此提供用於使液體通過之許多狹窄間隙。然而，甚至此柵格或濾網或網狀物對通過其之氣體流亦將不呈現較大阻力。
圖8f展示間隙被分為兩個間隙之另一實施例。在此情況下，單一板230置放於間隙之中心，藉此將間隙分裂為兩個間隙並減小液體必須橋接而越過之寬度。在圖8f之實施例中，僅提供被給定一厚度之單一板(與圖8d中所說明之具有複數個翼片之實施例對比)。在圖8f之實施例中，板230被展示為係垂直的。然而，板230未必需要為垂直的，且其可以與圖8d之實施例中之某些翼片210相同的方式而成一角度。
在上述實施例中，將各種表面描述為具有疏液性，且將其他表面描述為具有親液性。實際上，兩個表面可具有疏液性，或兩個表面可具有親液性；與液體具有不同接觸角之表面之特性為達成效應之特性。亦即，液體將在具有最低接觸角之表面上(及在最狹窄的地方)收集，亦即，具有最低表面能及具有最小自由液體表面的地方。因此，上文所述之具有親液性之區域亦可具有疏液性，只要該等區域為與液體具有不同於已被描述為具有疏液性之區域的接觸角之接觸角之表面。相反情況亦如此(亦即，被描述為具有疏液性之區域實際上可具有親液性，只要該等區域具有大於已被描述為具有親液性之區域的接觸角之接觸角)。
舉例而言，一表面可具有30°之接觸角，且另一表面可具有80°之接觸角。在彼情況下，上壁將具有80°之接觸角，且下壁將具有30°之接觸角。
圖9a至圖9b說明一實施例，除了以下所描述之內容以外，該實施例與上文關於圖6所描述之實施例相同。在此實施例中，瓣片100經提供以密封間隙15至腔室70之入口。在圖9a中，間隙15被說明為自基板W之邊緣至腔室70中之曲折路徑。然而，在本實施例中亦可使用圖6、圖7、圖8中所說明之間隙15。
為可撓性瓣片之瓣片100沿間隙15之整體周邊延伸。瓣片100在其最內部邊緣或最外部邊緣處附著至基板台。在此實施例中，提供一主動式液體移除器件，使得腔室70保持於壓力低於周圍壓力之負壓。為了避免越過基板W之邊緣之表面的氣體流，當液體供應器件未定位於沿間隙15之彼點處時，瓣片經偏置以使得其覆蓋間隙15至腔室70中之入口。當液體進入間隙15且沿間隙15而被強制於瓣片100上時，選擇瓣片之材料特性及瓣片100之尺寸，使得瓣片頂部上之液體的重量及/或流體動壓力將強制瓣片在瓣片未附著至基板台(如圖9b中所說明)之邊緣處向下，使得液體可流入腔室70中，其中藉由主動式液體移除器件而吸盡液體。明顯地，一旦所有液體被移除，則瓣片100將移回至瓣片歸因於在彼方向上被偏置而阻斷至腔室70中之通路15處之位置。
一旦瓣片已移開而不如圖9b中所說明來密封間隙，則重量及/或流體動壓力強制瓣片100打開之液體將被暴露至腔室70中之負壓，且將被抽吸至腔室70中且藉由主動式液體移除器件180而自腔室70移除。
因此，在此實施例中，可防止在基板之邊緣上方之氣體流。
圖10說明另一實施例，除了液體移除器件係以單相提取器801之形式且提供排液管加熱器300以外，該實施例與上文關於圖8b所描述之實施例相同。排液管加熱器300可用以補償通過間隙15之可出現之任何空氣流及/或可補償歸因於蒸發之熱損耗。單相提取器801定位於腔室70之底部。單相提取器包含複數個通孔805。此等通孔可以濾網之形式來提供。該等通孔具有一尺寸，使得液體彎液面可橋接越過個別通孔805之間隙。複數個通孔805定位於排液管之腔室70與施加有負壓之另一腔室810之間。第二腔室810由液體填充且在使用中保持充滿液體。
小孔具有在5至50μm範圍內之直徑，且較佳地，孔之表面具有稍微親液性，亦即，與浸液具有小於90°之接觸角。此類型之液體提取器揭示於EP 1,028,163中，且吾人參考彼文獻以說明單相提取器810之特徵。
單相提取器經由韌性安裝台825而連接至基板台WT，以減小振動自單相提取器801至基板台WT之傳輸。
雖然在本文中可特定參考微影裝置在IC之製造中之使用，但是應瞭解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之情形中，本文中術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用可被認為分別與更為一般之術語"基板"或"目標部分"同義。在(例如)一軌道(通常將一抗蝕劑層塗覆至基板並顯影經曝光之抗蝕劑的工具)、度量工具及/或檢驗工具中，可在曝光之前或之後處理本文所參考之基板。在適用之處，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理(例如)一次以上，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語"基板"亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
雖然上文已特定參考光學微影之情形中本發明之實施例的使用，但是應瞭解，本發明可用於其他應用，例如，壓印微影，且在情形允許之情況下，其不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定經產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓於經供應至基板之抗蝕劑層中，隨之，藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使抗蝕劑固化。將圖案化器件自抗蝕劑中移出，從而在抗蝕劑經固化之後在其中留下一圖案。
本文中所使用之術語"輻射"及"光束"包含所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365、248、193、157或126 nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有5至20 nm範圍內之波長)，以及諸如離子束或電子束之粒子束。
在情形允許之情況下，術語"透鏡"可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但是應瞭解，本發明可以不同於所述之方式加以實施。舉例而言，本發明可採取一電腦程式之形式，其含有描述如上文所揭示之方法的一或多個機器可讀指令序列，或本發明可採取一資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)之形式，其中儲存有此電腦程式。
可將本發明之一或多個實施例應用於任何浸漬式微影裝置，特別(但不獨佔式地)係上文所提及之彼等類型，且不管浸液是否以液浴之形式來提供還是僅提供於基板之局部表面區域上。應廣泛地解釋如本文中所考慮之液體供應系統。在某些實施例中，其可為向投影系統與基板及/或基板台之間的空間提供液體之機構或結構之組合。其可包含向空間提供液體之一或多個結構、一或多個液體入口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及/或一或多個液體出口之組合。在一實施例中，空間之一表面可為基板及/或基板台之一部分，或空間之一表面可完全覆蓋基板及/或基板台之一表面，或空間可封閉基板及/或基板台。液體供應系統視需要可進一步包括一或多個元件以控制液體之位置、數量、品質、形狀、流動速率或任何其他特徵。
根據所使用之曝光輻射之所要特性及波長，裝置中所使用之浸液可具有不同組份。對於193 nm之曝光波長，可使用超純水或基於水之組份，且為此原因，浸液有時被稱為水，且可使用諸如親水性、疏水性、濕度等之水相關術語。
上文之描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的是，在不脫離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下，可對所描述之本發明進行修改。
10．．．排液管
11．．．空間
12．．．液體限制結構
13．．．液體入口
14．．．出口
15．．．氣體入口
16．．．氣體密封
20．．．小突起台
22．．．突出物
40．．．突出物
42．．．面
60．．．突出物
62．．．面
67．．．壁
70．．．腔室
72．．．底部
80．．．毛細管通路
81．．．孔
100．．．瓣片
180．．．液體移除器件
200．．．桿體
210．．．葉片/翼片
220．．．網狀物
230．．．板
300．．．排液管加熱器
800．．．第二腔室
801．．．單相提取器
805．．．通孔
810．．．另一腔室
825．．．韌性安裝台
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳遞系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感應器
IL．．．照明器
IN．．．積光器
IN．．．入口
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
OUT．．．出口
PL．．．投影系統
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
SO．．．輻射光源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2及圖3描繪在微影投影裝置中使用之液體供應系統；
圖4描繪在微影投影裝置中使用之另一液體供應系統；
圖5描繪局部區域液體供應系統；
圖6以橫截面說明根據本發明之一實施例之基板台中的排液管；
圖7以橫截面說明根據本發明之一實施例之基板台中的排液管；
圖8a至圖8f以橫截面說明根據本發明之一實施例之基板台中的排液管之變化；
圖9a及圖9b以橫截面說明根據本發明之一實施例的排液管；
圖10以橫截面說明根據本發明之另一實施例的排液管。
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳遞系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感應器
IL．．．照明器
IN．．．積光器
M1．．．圖案化器件對準標記
M2．．．圖案化器件對準標記
MA．．．圖案化器件/光罩
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射光源
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (17)

  1. 一種微影裝置，其包含：一平台；一液體供應系統，其經組態以提供一液體至該平台上之一物件與一投影系統之間的一空間內；及一位於平台中之排液管，其經組態以移除液體，其中該排液管沿該物件之至少部分周圍延伸；該排液管包含一室、一間隙及一密封，其中該間隙經配置以將該室與該平台上方之氣體(atmosphere)進行流體連通；其中該密封經配置以密封該間隙至該室之一入口；其中該密封經配置以由該間隙中之液體來開啟。
  2. 如請求項1之微影裝置，其另包含一主動式液體移除裝置，其用於從該室移除液體。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中藉由該主動式液體移除裝置該室維持於一低於大氣壓力之壓力下。
  4. 如請求項1之微影裝置，其另包含一被動式液體移除裝置，其用於從該室移除液體。
  5. 如請求項4之微影裝置，其中該被動式液體移除裝置係一毛細管通道。
  6. 如請求項5之微影裝置，其中該毛細管通道與該液體具有小於90°之一接觸角。
  7. 如請求項1-6中任一項之微影裝置，其中該密封經配置以由該液體之流體動壓力來開啟。
  8. 如請求項1-6中任一項之微影裝置，其中該密封經配置以由該液體之重量來開啟。
  9. 如請求項1-6中任一項之微影裝置，其中該密封係一可撓性瓣片。
  10. 如請求項9之微影裝置，其中該可撓性瓣片沿該間隙之整體周圍延伸。
  11. 如請求項9之微影裝置，其中該瓣片經偏置以使其覆蓋該間隙之該入口。
  12. 如請求項9之微影裝置，其中該瓣片附著至該台之最內或最外側邊緣。
  13. 如請求項1-6中任一項之微影裝置，其中該物件係該基板。
  14. 如請求項1-6中任一項之微影裝置，其中該物件係一感應器。
  15. 如請求項1-6中任一項之微影裝置，其中該台係一固持一基板之基板台。
  16. 一種微影裝置，其包含：一平台；一液體供應系統，其經組態以提供液體至該平台上之一物件與一投影系統之間的一空間內；及一排液管，其位於該平台中並經組態以移除液體，該排液管包含一室、一間隙及一網狀物，其中該間隙經配置以將該室與該平台上方之氣體進行流體連通； 其中該網狀物係提供於該室之一開口內，及其中該網狀物完全圍繞間隙而延伸且提供細縫以供液體通過其間。
  17. 如請求項16之微影裝置，其中該網狀物係提供於該室之該開口、該開口位於該間隙與該室之間。
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