TWI448527B - 硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其製造方法，及其使用方法，暨電磁波遮蔽物之製造方法及電磁波遮蔽物 - Google Patents

硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其製造方法，及其使用方法，暨電磁波遮蔽物之製造方法及電磁波遮蔽物 Download PDF

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硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其製造方法，及其使用方法，暨電磁波遮蔽物之製造方法及電磁波遮蔽物
本發明係關於頗適用於黏貼於能承受重複彎曲的可撓性印刷佈線板等之上，俾遮蔽從電氣電路所發生電磁雜訊用途的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜、其製造方法、及其使用方法、暨電磁波遮蔽物之製造方法及電磁波遮蔽物。
可撓性印刷佈線板因為具有彎曲性，因而為因應近年對OA機器、通信機器、行動電話等要求的更高性能化、小型化，大多使用於為能在由狹窄複雜構造所構成框體內部可組裝電子電路用。隨此種電子電路的縮小尺寸化‧高頻化，對由其所發生的不需要電磁雜訊之對策便越形重要。所以，自習知起便採行在可撓性印刷佈線板上，黏貼著將從電子電路所發生電磁雜訊予以遮蔽的電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
對該電磁波遮蔽性黏著性薄膜本身除要求電磁波遮蔽性之外，尚要求不會損及所貼合可撓性印刷佈線板整體耐彎曲性的薄度與優異耐彎曲性。所以，廣泛已知電磁波遮蔽性黏著性薄膜係具有在厚度較薄的基材薄膜上設置導電層之基本構造。
習知電磁波遮蔽性黏著性薄膜已知係在覆蓋膜單面上，設置導電性黏著劑層與視需要由金屬薄膜層構成的遮蔽層，並在另一面上依序積層著黏著劑層與由脫模性補強薄膜構成的補強遮蔽薄膜(參照專利文獻1)。
再者，已知有：具有導電性黏著劑層及/或具有金屬薄膜的遮蔽層、以及由芳香族聚醯胺樹脂構成底膜的遮蔽薄膜(參照專利文獻2)。
再者，已知有在分離膜單面上施行樹脂塗佈而形成覆蓋膜，並在上述覆蓋膜表面上設置由金屬薄膜層與黏著劑層構成遮蔽層的遮蔽性黏著薄膜(參照專利文獻3)。
而，習知電磁波遮蔽性黏著性薄膜的黏著劑層係使用諸如：聚苯乙烯系、醋酸乙烯酯系、聚酯系、聚乙烯系、聚丙烯系、聚醯胺系、橡膠系、丙烯酸系等熱可塑性樹脂；酚系、環氧系、胺基甲酸酯系、三聚氰胺系、醇酸系等熱硬化性樹脂。但是，習知黏著劑層並未兼具耐彎曲性與耐熱性，特別係為使用於可撓性印刷佈線板用途，對重複彎折的情形完全無具耐性。
專利文獻4揭示使用含有：具有羧基之聚胺基甲酸酯聚脲樹脂、具有2個以上環氧基的環氧樹脂、以及導電性填充劑的黏著劑組成物構成之電磁波遮蔽性黏著性薄膜，耐彎曲性與耐熱性均優異。
但是，專利文獻4所揭示電磁波遮蔽性黏著性薄膜係將含有：聚苯硫(以下亦簡稱「PPS」)、具有羧基之聚酯樹脂、及具有2個以上環氧基的環氧樹脂所構成硬化性薄膜狀組成物進行硬化的薄膜，使用為絕緣性基材薄膜。使用此種基材薄膜的電磁波遮蔽性黏著性薄膜，並無法因應耐彎曲性的更嚴格要求。且，將電磁波遮蔽性黏著性薄膜黏貼於被黏物後，若暴露於高溫高濕度下，便會有導致導電性降低的新問題。
[專利文獻1]日本專利特開2003-298285號公報
[專利文獻2]日本專利特開2004-273577號公報
[專利文獻3]日本專利特開2004-95566號公報
[專利文獻4]WO2006-088127號公報
本發明目的在於提供頗適用貼附於可撓性印刷佈線板等而將電磁雜訊遮蔽用途的電磁波遮蔽性黏著性薄膜，在黏貼於可撓性印刷佈線板之後，除具有足夠電磁波遮蔽性之外，尚具有能承受無鉛迴焊時之高溫的耐熱性，並具有較習知更優異的耐彎曲性，且即使暴露於高溫高濕度下[具體而言，經由壓裂測試(Pressure Cracker Test：以下稱「PCT」)]仍不會發生導電性降低的電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
再者，本發明目的在於提供當對被黏物施行加熱壓接之際，不易從黏貼區域中滲出硬化性導電性黏著劑層，且即使對具有階差的電路基板施行加熱壓接之際，階差部對導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著層仍具有充分隱藏性的電磁波遮蔽性黏著性薄膜。在此之所以要求隱藏性的理由係為能將屬於有色層的導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著層從上方利用聚胺基甲酸酯聚脲絕緣層進行隱藏的緣故。即，在硬化後覆蓋導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著層時，經硬化後的聚胺基甲酸酯聚脲絕緣層需要富柔軟性，但若在硬化前或硬化中過度富柔軟性，在階差部處於硬化過程中聚胺基甲酸酯聚脲絕緣層將會過度伸長，導致導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著層裸露出或呈透明可見。緣是，本發明目的在於提供於硬化後富柔軟性，並具優異耐彎曲性，且在黏貼時於階差部處會對導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著層，具有充分隱藏性的電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
再者，本發明目的在於提供能廉價且安定製造此種具有優異性能電磁波遮蔽性黏著性薄膜的方法、使用該電磁波遮蔽性黏著性薄膜的方法、從電磁波遮蔽性黏著性薄膜製造電磁波遮蔽物的方法、以及由該電磁波遮蔽性黏著性薄膜所獲得的電磁波遮蔽物。
本發明第一發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)，且相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)的合計100重量份，含有導電性填充劑：10~700重量份；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、以及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得。
第二發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有膠體分率30~90重量%的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份、以及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行而獲得。
第三發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，且膠體分率30~90重量%的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成；而該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力。
第四發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有：硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、及導電性填充劑，且相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份，含有導電性填充劑：10~700重量份；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係由末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，依吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力。
第五發明係關於第一~第四發明中任一項的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其中，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份，含有環氧樹脂(B)3~200重量份，且硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)100重量份，含有環氧樹脂(D)3~200重量份。
第六發明係關於第五發明的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其中，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)未接觸到硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的表面上，積層著剝離性薄膜1。
第七發明係關於第五發明的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其中，在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)未接觸到硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的表面上，積層著剝離性薄膜2。
第八發明係關於第五發明的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其中，在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)未接觸到硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的表面上，積層著剝離性薄膜2，且在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)未接觸到硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的表面上，積層著剝離性薄膜1。
第九發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；在剝離性薄膜2其中一表面上，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)重疊合的步驟。
第十發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：剝離性薄膜1其中一表面上，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；以及在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，重疊著剝離性薄膜2的步驟。
第十一發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；以及在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1的步驟。
第十二發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑 係吖系硬化劑(E)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，依吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊的步驟。
第十三發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電 性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係由末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，重疊著剝離性薄膜2的步驟。
第十四發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份、以及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸 酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；以及在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1的步驟。
第十五發明相關的膠體分率30~90重量%硬化性電磁波遮 蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、以及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰 酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)重疊合的步驟。
第十六發明相關的膠體分率30~90重量%硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、以及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲 樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，重疊著剝離性薄膜2的步驟。
第十七發明相關的膠體分率30~90重量%硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂 (A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、以及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇 (c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；以及在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1的步驟。
第十八發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有，且 具有薄膜形成能力；在剝離性薄膜2其中一表面上，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)重疊合的步驟。
第十九發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層 (II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；以及 在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，重疊著剝離性薄膜2的步驟。
第二十發明相關的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸 酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(E)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；以及在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1的步驟。
第二十一發明係關於第八發明的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之使用方法，係將第八發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，再使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化後，再將剝離性薄膜1剝離。
第二十二發明係關於第八發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之使用方法，係將第八發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，再使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，將剝離性薄膜1剝離後，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化。
第二十三發明相關的電磁波遮蔽物之製造方法，係將第六發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，重疊於被黏物上，施行加熱，使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化後，再將剝離性薄膜1剝離。
第二十四發明相關的電磁波遮蔽物之製造方法，係將第七發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，再使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化。
第二十五發明相關的電磁波遮蔽物之製造方法，係將第八發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，並使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，施行加熱，使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化後，再將剝離性薄膜1剝離。
第二十六發明相關的電磁波遮蔽物之製造方法，係將第八發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，並使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，再將剝離性薄膜1剝離後，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化。
第二十七發明相關的電磁波遮蔽物，係依照第二十三~第二十六發明中任一項所記載之製造方法獲得。
上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)較佳係相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份，含有環氧樹脂(B)3~200重量份。此種組成的導電性黏著劑層(I)係即使較薄，但當施行加熱‧壓接時仍會發揮充分的緩衝性，並流入於接地電路上(ground circuit)的絕緣薄膜去除部分。此外，經加熱‧壓接，即使無鉛迴焊仍具有能充分承受的耐熱性。此外，具有優異耐彎曲性，當黏貼於可撓性印刷佈線板之際，並不會損及電路基板整體的耐彎曲性。
本發明的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜係藉由具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，便可顯現出優異的耐濕熱性及耐彎曲性。特別係在黏貼於可撓性印刷佈線板之後，除具有足夠電磁波遮蔽性之外，尚具有能承受無鉛迴焊時之高溫的耐熱性，並具有較習知更優異的耐彎曲性，且即使暴露於高溫高濕度下[具體而言，經由壓裂測試(以下稱「PCT」)]，導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的導電性仍不會降低。
再者，本發明的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係藉由具有半硬化狀態(膠體分率30~90重量%)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，當對被黏物施行加熱壓接時，黏著劑不會過度滲出，且經硬化後可獲得柔軟且優異的彎曲特性。
再者，本發明的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係藉由具有半硬化狀態(膠體分率30~90重量%)的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，便可抑制黏貼‧硬化時的過度延伸。
本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜係就薄膜構造可例如下述4種態樣。
首先，硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的態樣(1)[以下亦稱「薄膜態樣(1)」]，具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑。
上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而生成。
再者，上述胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而生成。
含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)的黏著樹脂組成物，係良好地分散著導電性填充劑，即使含有導電性填充劑仍可發揮充分的黏著力，且進行電磁波遮蔽性黏著性薄膜與被黏物的熱壓接時，黏著劑層僅些微滲出。所以，可獲得能承受無鉛迴焊的優異耐熱性與耐彎曲性。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)，係使具有羧基的二醇化合物(a1)、末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、及聚胺化合物(a5)進行反應而獲得。該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、與有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得。
具有羧基的二醇化合物(a1)係可舉例如：二羥甲基醋酸、二羥甲基丙酸、二羥甲基丁酸、或二羥甲基戊酸等二羥甲基烷酸(其中，烷酸較佳係碳原子數2~8)；二羥琥珀酸、或二羥苯甲酸等二羥芳香族羧酸(其中，芳香族羧酸較佳係碳原子數7~11)。其中，特別係就從反應性、溶解性的觀點，較佳為二羥甲基丙酸、二羥甲基丁酸。上述具有羧基的二醇化合物(a1)係可單獨使用、亦可併用2種以上。
除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)，係一般已知構成聚胺基甲酸酯樹脂的多元醇成分，且除具有羧基的二醇化合物(a1)以外的多元醇。上述多元醇(a2)的數量平均分子量(Mn)係經考慮所獲得聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的耐熱性、黏著強度、及/或溶解性等因素之後再適當決定，較佳1000~5000。若Mn未滿500，所獲得聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的胺基甲酸酯鍵結會變為過多，導致聚合物骨架的柔軟性降低，會有對可撓性印刷佈線板的黏著性降低之傾向；反之，若Mn超過8000，源自二醇化合物(a1)的羧基在聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的數量會減少。結果，在與環氧樹脂間的反應點會減少，因而會有所獲得導電性硬化黏著劑層的耐迴焊性降低之傾向。
除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)，係可使用各種聚醚多元醇類、聚酯多元醇類、聚碳酸酯多元醇類、聚丁二烯二醇類等。
聚醚多元醇類係可舉例如：氧化乙烯、氧化丙烯、或四氫呋喃等的聚合體或共聚合體等等。
聚酯多元醇類係有如：使諸如乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、己二醇、辛二醇、1,4-丁二醇、二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、或二聚體二醇等飽和或不飽和低分子二醇類，與諸如己二酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、琥珀酸、草酸、丙二酸、戊二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、或癸二酸等二羧酸類、或該等的去水物類進行反應而獲得的聚酯多元醇類；或者使諸如正丁基環氧丙醚、或2-乙基己基環氧丙醚等烷基環氧丙醚類、凡爾賽酸環氧丙基酯等單羧酸環氧丙基酯類，與上述的二羧酸類去水物類，在醇類等含羥基化合物存在下進行反應而獲得的聚酯多元醇類；或將環狀酯化合物施行開環聚合而獲得的聚酯多元醇類。
聚碳酸酯多元醇類係可使用例如：
1)二醇或雙酚與碳酸酯的反應生成物，或
2)使二醇或雙酚在鹼存在下，與光氣進行反應而獲得的反應生成物等。
上述1)或2)的反應生成物調製時所使用的二醇，係可舉例如：乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丁二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2-甲基-1,8-辛二醇、3,3’-二羥甲基庚烷、聚氧化乙二醇、聚氧化丙二醇、丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、1,9-壬二醇、新戊二醇、辛二醇、丁基乙基戊二醇、2-乙基-1,3-己二醇、環己二醇、3,9-雙(1,1-二甲基-2-羥乙基、或2,2,8,10-四氧螺[5.5]十一烷。
再者，上述1)或2)的反應生成物調製時所使用的雙酚，係可舉例如：雙酚A、雙酚F等雙酚類；使該等雙酚類加成諸如環氧乙烷或環氧丙烷等伸烷氧化物的化合物等。
再者，上述1)的反應生成物調製時所使用的碳酸酯，係可舉例如：碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二苯酯、碳酸乙烯酯、或碳酸丙烯酯等。
就除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)所例示各種多元醇，係可單獨使用、亦可併用2種以上。
再者，在不致喪失所獲得聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)性能的範圍內，於使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應之際，亦可併用除含羧基的二醇化合物以外的低分子二醇類(即數量平均分子量未滿500的二醇類)。可併用的低分子二醇類係可舉例如：除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)製造時，所使用的各種低分子二醇等。
合成胺基甲酸酯預聚物(a4)之際，具有羧基的二醇化合物(a1)、與除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)，係相對於除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)1莫耳，較佳依具有羧基的二醇化合物(a1)0.1莫耳~4.0莫耳的比率使用，更佳依0.2莫耳~3.0莫耳的比率使用。相對於多元醇(a2)1莫耳，若含羧基的二醇化合物(a1)使用量較少於0.1莫耳，則能與環氧樹脂(B)進行交聯的會變少，有耐迴焊性降低的傾向。此外，若多於4.0莫耳，會有黏著性降低的傾向。
有機二異氰酸酯(a3)係可使用芳香族二異氰酸酯、脂肪族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯、或該等的混合物，特別係較佳為異佛爾酮二異氰酸酯。
芳香族二異氰酸酯係可舉例如：1,5-二異氰酸萘烯酯、4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’-二苯基二甲基甲烷二異氰酸酯、4,4’-苄基二異氰酸酯、二烷基二苯甲烷二異氰酸酯、四烷基二苯甲烷二異氰酸酯、1,3-二異氰酸苯烯酯、1,4-二異氰酸苯烯酯、甲苯二異氰酸酯、或二甲苯二異氰酸酯等。
脂肪族二異氰酸酯係可舉例如：丁烷-1,4-二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、或離胺酸二異氰酸酯等。
脂環族二異氰酸酯係可舉例如：環己烷-1,4-二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、1,3-雙(異氰酸酯甲基)環己烷、或甲基環己烷二異氰酸 酯等。
末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得。使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)進行合成時的條件，除使異氰酸基呈過剩狀態之外，其餘並無特別的限制，最好依異氰酸基/羥基當量比1.2/1~3/1範圍內的比例，使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應。此外，反應溫度通常係常溫~120℃，就從製造時間、副反應控制的觀點，較佳為60~100℃。
聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得。
聚胺化合物(a5)係除例如：乙二胺、丙二胺、己二胺、二乙三胺、三乙四胺、或異佛爾酮二胺、二環己基甲烷-4,4’-二胺等之外，尚可使用諸如2-(2-胺乙基胺基)乙醇、2-羥乙基乙二胺、2-羥乙基丙二胺、二-2-羥乙基乙二胺、或二-2-羥丙基乙二胺等具有羥基的胺類。其中，最好使用異佛爾酮二胺。
使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應，而合成聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)時，為調整分子量亦可併用反應終止劑。反應終止劑係可使用例如：二正丁胺等二烷基胺類；二乙醇胺等二烷醇胺類；乙醇、異丙醇等醇類。
使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、聚胺化合物(a5)、及視需要的反應終止劑進行反應時之條件，並無特別的限制，最好相對於胺基甲酸酯預聚物(a4)所具有異氰酸基，使聚胺化合物(a5)與反應終止劑中的胺基合計當量比在0.5~1.3範圍內。若當量比未滿0.5時，耐迴焊性容易變為不足，反之，若多於1.3時，聚胺化合物(a5)及/或反應終止劑會呈未反應狀態殘留，而容易殘留臭氣。
合成聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)之際所使用的溶劑，係可舉例如：苯、甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；甲醇、乙醇、異丙醇、或正丁醇等醇系溶劑；丙酮、甲乙酮、或甲基異丁酮等酮系溶劑；醋酸乙酯、或醋酸丁酯等酯系溶劑。該等溶劑係可單獨使用1種、亦可混合使用2種以上。
所獲得聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的重量平均分子量，較佳在5000~100000範圍內。若重量平均分子量未滿5000時，會有耐迴焊性差的傾向；反之，若超過100000時，會有黏著性降低的傾向。此外，聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)較佳係酸價3~25mgKOH/g，更佳7~20mgKOH/g。另外，雖即使逾越上述數值範圍以外仍可使用，但仍會有較難兼顧耐熱性與彎曲性的可能性。
再者，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中所含有的環氧樹脂(B)，係具有2個以上環氧基的樹脂，可為液狀、亦可為固形狀。
環氧樹脂(B)係可舉例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、螺環型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萜烯型環氧樹脂、三(環氧丙氧基苯基)甲烷、或四(環氧丙氧基苯基)乙烷等環氧丙醚型環氧樹脂；四環氧丙基二胺基二苯甲烷等環氧丙基胺型環氧樹脂；四溴雙酚A型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、酚酚醛型環氧樹脂、α-萘酚酚醛型環氧樹脂、或溴化酚酚醛型環氧樹脂等。該等環氧樹脂係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。該等之中，就從高黏著性、耐熱性的觀點，最好使用雙酚A型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、或四(環氧丙氧基苯基)乙烷型環氧樹脂。環氧樹脂(B)較佳係環氧當量100~1500g/eq，更佳150~700g/eq。雖即使逾越上述數值範圍以外仍可使用，但會有較難兼顧耐熱性與彎曲性的可能性。
本發明所使用的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，係相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份，較佳為環氧樹脂(B)3~200重量份，更佳5~100重量份。相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份，若環氧樹脂(B)少於3重量份，會有耐迴焊性降低的傾向。反之，若環氧樹脂(B)多於200重量份，會有黏著性降低的傾向。
在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，於不致損及耐熱性、耐彎曲性等性能的範圍內，尚可含有諸如酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層中所含有的導電性填充劑，係屬於對黏著劑層賦予導電性，而導電性填充劑係可使用金屬填充劑、碳填充劑、或該等的混合物。
金屬填充劑係可舉例如：銀、銅、或鎳等金屬粉；焊錫等合金粉；經鍍銀的銅粉、或經金屬鍍敷的玻璃纖維、或碳填充劑等。其中，較佳為導電率高的銀填充劑，特佳為容易獲得填充劑間接觸之比表面積0.5~2.5m2 /g的銀填充劑。
再者，導電性填充劑的形狀係可舉例如：球狀、碎片狀、樹枝狀、或纖維狀等。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中的導電性填充劑含有量，雖依照所需要電磁波遮蔽效果的程度而異，但相對聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)合計100重量份，較佳導電性填充劑10~700重量份，更佳50~500重量份。若導電性填充劑含有量少於10重量份，導電性填充劑間並未充分接觸，無法獲得高導電性。所以，容易導致電磁波遮蔽效果呈不足。此外，即使導電性填充劑含有量超過700重量份，除硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層的表面電阻值不會降低，導電率已達飽和狀態，且硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層中的導電性填充劑量會變為過多，造成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)對基材薄膜的密接性與黏著力降低。黏著劑層(I)的黏著力，最好對聚醯亞胺薄膜的黏著力達1N/cm以上。雖即使未滿1N/cm仍可使用，但卻會有與被黏物間的密接嫌不足之可能性。
在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，就從促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)的反應、或環氧樹脂(B)單獨反應之目的下，尚可含有硬化促進劑及/或硬化劑。環氧樹脂(B)的硬化促進劑係可使用三級胺化合物、膦化合物、咪唑化合物等，硬化劑係可使用雙氰胺、羧酸醯肼、或酸酐等。
硬化促進劑中，三級胺化合物係可舉例如：三乙胺、苄二甲胺、1,8-二氮雜雙環(5.4.0)十一烷烯-7、或1,5-二氮雜雙環(4.3.0)壬烯-5等。此外，膦化合物係可舉例如：三苯膦、或三丁膦等。另外，咪唑化合物係可舉例如：2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、或2-苯基咪唑等咪唑化合物，更可舉例如：依使咪唑化合物與環氧樹脂進行反應而對溶劑呈不溶化的形式、或將咪唑化合物封入於微膠囊中的形式等，俾改善保存安定性的潛伏性硬化促進劑，該等之中，最好為潛伏性硬化促進劑。
硬化劑的羧酸醯肼係可舉例如：琥珀酸醯肼、或己二酸醯肼等。此外，酸酐係有如六氫鄰苯二甲酸酐、或偏苯三酸酐等。
該等硬化促進劑或硬化劑分別係可併用2種以上，且使用量係合計(亦涵蓋僅使用硬化促進劑或硬化劑中任一種的情況)相對於環氧樹脂(B)100重量份，較佳為0.1~30重量份範圍內。
再者，在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層中，於不會使導電性、黏著性、及/或耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加諸如矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
接著，針對本發明所使用的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)進行說明。硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係負責對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜賦予機械強度的功用。即，即使未硬化狀態(硬化前)仍具有基材或載體的機能，相當於例如專利文獻4的基材薄膜。
硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)。
上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而生成。
再者，上述胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而生成。
含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的黏著樹脂組成物層(II)，係熱壓接時僅有些微的黏著劑層滲出，可獲得能承受無鉛迴焊的優異耐熱性與耐彎曲性。
硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)，係有如就硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中所含聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)所舉例物相同。
相關具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)，亦是有如具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)所舉例物。
環氧樹脂(D)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)的調配比率，亦是如同環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)100重量份，較佳係環氧樹脂(D)3~200重量份，更佳5~100重量份。
再者，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，於不致損及耐熱性與耐彎曲性等性能的範圍內，尚可含有酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，就在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的反應、或環氧樹脂(D)單獨反應之目的下，尚可含有硬化促進劑、及/或硬化劑之處，亦是如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況。
再者，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況，於不致使黏著性、及/或耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加諸如矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
本發明的薄膜態樣(1)中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，係除有無導電性填充劑之外，可為由同一組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成，或由不同組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成。此外，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)均呈未硬化(硬化前)的固化乾燥狀態，即使僅由上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)及上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)構成的情況，因為整體呈薄膜狀，因而並不需要特別設置支撐體或載體，但如後述，可依黏貼於剝離性片的狀態保存。
其次，針對本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的態樣(2)[以下亦稱「薄膜態樣(2)」]進行說明。
薄膜態樣(2)係藉由含有：含吖系硬化劑(E)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，便可維持著經硬化後呈柔軟且彎曲特性優異，即使經PCT仍不會使導電性降低的效果，更具有對被黏物施行加熱壓接之際，黏著劑不會過度從黏貼區域中滲出的追加效果。
薄膜態樣(2)具體而言，係具有膠體分率30~90重量%硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
膠體分率30~90重量%硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑、及吖系硬化劑(E)。該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得。該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得。吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基0.05~4莫耳範圍含有。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)，係有如薄膜態樣(1)所說明的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)同樣物。
再者，相關具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)，亦是有如薄膜態樣(1)中所說明具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)的相同物。
再者，環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，亦是如同薄膜態樣(1)中所說明環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份，較佳環氧樹脂(B)3~200重量份，更佳5~100重量份。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)所使用的吖系硬化劑(E)，較佳為具有吖基2個以上的化合物。具體係可舉例如：三羥甲基丙烷-三-β-吖基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-吖基丙酸酯、N,N’-二苯甲烷-4,4’-雙(1-吖羧醯胺)、或N,N’-六亞甲基-1,6-雙(1-吖羧醯胺)等。
藉由吖系硬化劑(E)的使用，利用吖基與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基間之高反應性，便可在不需要特別熱處理的情況下，使二者進行反應並能呈半硬化狀態。即，使二者進行反應，藉由將硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率設為30~90重量%，在加熱壓接時便可減輕從黏貼區域中滲出硬化性導電性黏著劑層的情形。硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率，較佳50~85重量%、更佳60~80重量%。
若硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率未滿30重量%時，即大半部分的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)並未反應而殘留的情況，在加熱壓接步驟中幾乎無法期待能減輕黏著劑滲出情形。反之，若硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率超過90重量%時，因為在到達加熱壓接步驟前，大半部分的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)均已與吖系硬化劑(E)反應而硬化，因而較難確保與被黏物間的黏著性。
為能獲得膠體分率30~90重量%的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，重點在於：相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，依吖基0.05~4莫耳範圍含有吖系硬化劑(E)，較佳依0.2~2莫耳範圍含有、更佳依0.4~1莫耳範圍含有。
相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，若吖系硬化劑(E)的吖基未滿0.05莫耳倍時，無法有效地減輕加熱壓接步驟時的黏著劑滲出情形，且在獲得硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)之際，並不會進行聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的硬化‧交聯。反之，相對於羧基1莫耳，若吖基多於4莫耳，因為聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的反應‧硬化會過度進行，因而在施行加熱壓接步驟之際，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)便無法將被黏物充分地潤濕，亦無法期待進行聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)的反應，無法確保對被黏物的黏著性。
另外，本發明所謂「膠體分率」係可依如下述進行求取。
將100網目的金網裁剪為寬30mm、長100mm，並測量該金網重量(W1)。接著，從剝離性薄膜2上所形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，將剝離性薄膜2去除，並利用前述金網將寬10mm、長80mm的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)包住，而形成試驗片，測量該試驗片重量(W2)。將所製得試驗片浸漬於甲乙酮(以下稱「MEK」)中，並在室溫中振盪1小時後，將試驗片從MEK中取出，經依150℃施行10分鐘乾燥後，測量乾燥後的試驗片重量(W3)。使用下述計算式[I]，將未溶解而殘留於金網中的黏著劑重量(W)視為膠體分率並計算出。
W=[(W3-W1)/(W2-W1)]×100[%]　[I]
在薄膜態樣(2)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，如同薄膜態樣(1)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在不致損及耐熱性與耐彎曲性等性能之範圍內，尚可含有酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，相關在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)的反應、或環氧樹脂(B)單獨反應之目的下，含有硬化促進劑及/或硬化劑之處，亦如同薄膜態樣(1)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)之情況。
再者，在薄膜態樣(2)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，如同薄膜態樣(1)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在不致使黏著性及/或耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
另一方面，硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係由含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、與具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)，且具有薄膜形成能力的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成。該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得。該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得。
硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)，係有如在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中所含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的同樣物。
相關具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)亦是如同具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)之同樣物。
環氧樹脂(D)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)的調配比率，亦是如同環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)100重量份，較佳為環氧樹脂(D)3~200重量份、更佳5~100重量份。
再者，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，於不致損及耐熱性與耐彎曲性等性能之範圍內，尚可含有酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，相關在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的反應、或環氧樹脂(D)單獨反應之目的下，含有硬化促進劑及/或硬化劑之處，亦如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況。
再者，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況，於不致使黏著性、耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
薄膜態樣(2)係藉由具有：含有吖系硬化劑(E)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，便具有經硬化後呈柔軟且彎曲特性優異，即使經PCT仍可維持導電性不會降低的效果，且對被黏物施行加熱壓接之際黏著劑不會過度滲出的追加效果。
在本發明的薄膜態樣(2)中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，係除有無導電性填充劑及吖系硬化劑(E)之外，亦可由同一組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成，或亦可由不同組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成。此外，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)均呈未硬化(硬化前)的固化乾燥狀態，即使僅由上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)構成的情況，因為整體呈薄膜狀，因而並不需要特別設置支撐體或載體，但如後述，可依黏貼於剝離性片的狀態保存。
接著，針對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的態樣(3)[亦稱「薄膜態樣(3)」]進行說明。
具體而言，具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，且整體的膠體分率30~90重量%之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑、以及吖系硬化劑(E)。該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得。該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得。吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基為0.05~4莫耳範圍的方式含有。
在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)，係有如薄膜態樣(1)中所說明聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的相同物。
再者，相關具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)，亦是有如薄膜態樣(1)中所說明具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)的相同物。
再者，環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，亦是如同薄膜態樣(1)中所說明環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份，較佳為環氧樹脂(B)3~200重量份、更佳5~100重量份。
相關吖系硬化劑(E)，亦是可使用如同薄膜態樣(2)中所說明吖系硬化劑(E)的相同物。
再者，藉由吖系硬化劑(E)的使用，利用吖基與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基間之高反應性，便可在不需要特別熱處理的情況下，使二者進行反應並能呈半硬化狀態。即，使二者進行反應，藉由將硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率設為30~90重量%，在加熱壓接時便可減輕從黏貼區域中滲出硬化性導電性黏著劑層的情形。硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率，較佳50~85重量%、更佳60~80重量%。
若硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑的膠體分率層(I)未滿30重量%時，即大半部分的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)並未反應而殘留的情況，在加熱壓接步驟中幾乎無法期待能減輕黏著劑滲出情形。反之，若硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率超過90重量%時，因為在到達加熱壓接步驟前，大半部分的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)均已與吖系硬化劑(E)反應而硬化，因而較難確保與被黏物間的黏著性。
為能獲得膠體分率30~90重量%的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，重點在於：相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，依吖基0.05~4莫耳範圍含有吖系硬化劑(E)，較佳依0.2~2莫耳範圍含有、更佳依0.4~1莫耳範圍含有。
相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，若吖系硬化劑(E)的吖基未滿0.05莫耳倍時，無法有效地減輕加熱壓接步驟時的黏著劑滲出情形，且在獲得硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層之際，並不會進行聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的硬化‧交聯。反之，相對於羧基1莫耳，若吖基多於4莫耳，因為聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的反應‧硬化會過度進行，因而在施行加熱壓接步驟之際，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層便無法將被黏物充分地潤濕，亦無法期待進行聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)的反應，無法確保對被黏物的黏著性。
在薄膜態樣(3)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，如同薄膜態樣(1)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在不致損及耐熱性與耐彎曲性等性能之範圍內，尚可含有酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，相關在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)的反應、或環氧樹脂(B)單獨反應之目的下，含有硬化促進劑及/或硬化劑之處，亦如同薄膜態樣(1)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)之情況。
再者，在薄膜態樣(3)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，如同薄膜態樣(1)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在不致使黏著性及/或耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
另一方面，本發明的薄膜態樣(3)，硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)亦是負責對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜進行黏貼‧硬化時，賦予機械強度的功用。即，即使未硬化狀態(硬化前)仍具有基材或載體的機能，相當於例如專利文獻4的基材薄膜。
硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係由含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及吖系硬化劑(F)，且具有薄膜形成能力的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成。該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得。該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得。吖系硬化劑(F)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基為0.05~4莫耳範圍的方式含有。
再者，相關在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的反應、或環氧樹脂(D)單獨反應之目的下，含有硬化促進劑及/或硬化劑之處，亦如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況。
再者，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況時，在不致使黏著性及/或耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
本發明的薄膜態樣(3)之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，吖系硬化劑(F)係相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，較佳依吖基0.2~2莫耳範圍的方式含有，更佳為依0.4~1莫耳範圍的方式含有。
相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，若吖系硬化劑(F)的吖基未滿0.05莫耳倍時，因為聚胺基甲酸酯聚脲樹脂中的多數羧酸將依未反應的形式存在，因此當對電路基板施行加熱貼附時，會因硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)過度延伸，導致發生機械強度降低、及階差部的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)欠缺隱藏性等不良情況的可能性。反之，若相對於羧基1莫耳，吖基多於4莫耳，便會過度抑制硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的流動性，當進行硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜製造之際，會有硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)與剝離性薄膜1間的密接性、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)與硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)間的密接性降低之可能性。
硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)，係可使用如同薄膜態樣(1)中所說明聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的相同物。
相關具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)，亦是有如薄膜態樣(1)中所說明具2個以上環氧基的環氧樹脂(A)的相同物。
環氧樹脂(D)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)的調配比率，亦是如同薄膜態樣(1)中所說明環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)100重量份，較佳為環氧樹脂(D)3~200重量份、更佳5~100重量份。
再者，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，於不致損及耐熱性與耐彎曲性等性能之範圍內，尚可含有酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，相關在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的反應、或環氧樹脂(D)單獨反應之目的下，含有硬化促進劑及/或硬化劑之處，亦如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況。
再者，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況，在不致使黏著性、耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
薄膜態樣(3)係就構成層具有：硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)。硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的膠體分率係30~90重量%、較佳50~85重量%、更佳60~80重量%。
此種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜較佳係構成層係有：膠體分率30~90重量%的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與膠體分率30~90重量%的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，各層的膠體分率分別較佳為50~85重量%、更佳60~80重量%。
即，本發明的薄膜態樣(3)中，藉由使用吖系硬化劑(E)，且將硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率設為30~90重量%，便具有經硬化後呈柔軟且彎曲特性優異，即使經PCT仍可維持導電性不會降低的效果，且對被黏物施行加熱壓接之際黏著劑不會過度滲出的追加效果。若硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率未滿30重量%時，即大半部分的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)並未反應而殘留的情況，在加熱壓接步驟中幾乎無法期待能減輕黏著劑滲出情形。反之，若硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的膠體分率超過90重量%時，因為在到達加熱壓接步驟前，大半部分的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)均已與吖系硬化劑(E)反應而硬化，因而較難確保與被黏物間的黏著性。
再者，本發明的薄膜態樣(3)，藉由使用吖系硬化劑(F)，且將硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的膠體分率設為30~90重量%，將硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜對電路基板施行加熱貼附時，便可抑制硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層發生過度延伸，並可保持機械強度。即，當黏貼於電路基板的階差部分等處之時，可防止因硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的過度延伸，導致發生硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層欠缺隱藏性等不良情況。
若膠體分率未滿30重量%，即聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)大半部分依未反應形式殘留的情況，在對電路基板進行加熱貼附之際，會有因硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的過度延伸，導致機械強度降低、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)欠缺隱藏性等不良情況發生的可能性。反之，若硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的膠體分率超過90重量%時，會過度抑制該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的流動性，在製造步驟中會有發生在與剝離性薄膜、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)間的密接性降低之可能性。
薄膜態樣(3)係藉由含有：含吖系硬化劑(E)的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與含吖系硬化劑(F)的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，便可發揮經硬化後呈柔軟且彎曲特性優異，即使經PCT仍可維持導電性不會降低的效果，且對被黏物施行加熱壓接之際黏著劑不會過度滲出，當施行加熱壓接之際，在階差的角落部處不會露出導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著層的耐延展性。
本發明的薄膜態樣(3)，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，係除有無導電性填充劑、與吖系硬化劑(E)的含有量之外，可為同一組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成，或由不同組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成。此外，吖系硬化劑(E)的含有量，亦是在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，可為相同、亦可互異。且，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)均呈未硬化(硬化前)的固化乾燥狀態，即使僅由上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)及上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)構成的情況，因為整體呈薄膜狀，因而並不需要特別設置支撐體或載體，但如後述，可依黏貼於剝離性片的狀態保存。
接著，針對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的態樣(4)[亦稱「薄膜態樣(4)」]進行說明。具體而言，係具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與膠體分率30~90重量%硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、及導電性填充劑，且含有相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為導電性填充劑：10~700重量份。該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)、與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得。該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)，係有如薄膜態樣(1)中所說明聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的相同物。
再者，相關具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)，亦是有如薄膜態樣(1)中所說明具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)的相同物。
環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，亦是如同薄膜態樣(1)中所說明環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份，較佳為環氧樹脂(B)3~200重量份、更佳5~100重量份。
再者，在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，於不致損及耐熱性與耐彎曲性等性能之範圍內，尚可含有酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，相關在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的反應、或環氧樹脂(D)單獨反應之目的下，含有硬化促進劑及/或硬化劑之處，亦如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況。
再者，在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)中，於不致使黏著性、耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
接著，針對膠體分率30~90重量%的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)進行說明。
本發明的薄膜態樣(4)，硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)亦是負責對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜進行黏貼‧硬化時，賦予機械強度的功用。即，即使未硬化狀態(硬化前)仍具有基材或載體的機能，相當於例如專利文獻4的基材薄膜。
膠體分率30~90重量%的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，係由含有：聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及吖系硬化劑(E)，且具有薄膜形成能力的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成。該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)、與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得。該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、除含羧基的二醇化合物以外且數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得。該吖系硬化劑(E)係依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基為0.05~4莫耳範圍的方式含有。
硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中所含有的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)，係有如薄膜態樣(1)中所說明聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的相同物。
相關具2個以上環氧基的環氧樹脂(D)，亦是有如具2個以上環氧基的環氧樹脂(A)的相同物。
環氧樹脂(D)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)的調配比率，亦是如同薄膜態樣(1)中所說明環氧樹脂(B)與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)的調配比率，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)100重量份，較佳為環氧樹脂(D)3~200重量份、更佳5~100重量份。
再者，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，在不致損及耐熱性與耐彎曲性等性能之範圍內，尚可含有酚系樹脂、聚矽氧系樹脂、尿素系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、或聚醯亞胺系樹脂等之1種或以上。
再者，相關在促進聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的反應、或環氧樹脂(D)單獨反應之目的下，含有硬化促進劑及/或硬化劑之處，亦如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況。
再者，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，如同硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的情況時，在不致使黏著性、耐迴焊性劣化的範圍內，尚可添加矽烷偶合劑、抗氧化劑、顏料、染料、增黏樹脂、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均塗調整劑、填充劑、或難燃劑等之1種或以上。
針對吖系硬化劑(E)進行說明。藉由吖系硬化劑(E)的使用，利用吖基與聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基間之高反應性，便可在不需要特別熱處理的情況下，使二者進行反應並能呈半硬化狀態。即，使二者進行反應，並可將硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的膠體分率形成30~90重量%。藉此，當電磁波遮蔽性黏著性薄膜對電路基板施行加熱貼附之際，可抑制硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)發生過度延伸，俾可保持機械強度。且，更可防止發生在電路基板的階差部分等處，因硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的過度延伸，導致硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層欠缺隱藏性的不良情況。
硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的膠體分率，較佳為50~85重量%、更佳60~80重量%。
若硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的膠體分率未滿30重量%，即聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)大半部分依未反應形式殘留的情況，當對電路基板施行加熱貼附之際，會因硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)過度延伸，導致發生機械強度降低、及階差部處露出硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)等不良情況。反之，若硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的膠體分率超過90重量%時，將過度抑制該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的流動性，當進行硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜製造之際，硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)與剝離性薄膜1間的密接性、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)與硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)間的密接性會降低。
為能獲得膠體分率30~90重量%的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，重點在於：相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，依吖基0.05~4莫耳範圍含有吖系硬化劑(E)，較佳依0.2~2莫耳範圍含有、更佳依0.4~1莫耳範圍含有。
相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，若吖系硬化劑(E)的吖基未滿0.05莫耳時，因為聚胺基甲酸酯聚脲樹脂中的羧酸大多依未反應形式存在，因而膠體分率未滿30%。反之，相對於羧基1莫耳，若吖基多於4莫耳，因為吖基過度存在，因而聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧酸幾乎全部會與吖系硬化劑(E)產生反應，導致膠體分率超過90%。
薄膜態樣(4)係藉由具有：硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與含有吖系硬化劑(E)的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，便可維持著經硬化後呈柔軟且彎曲特性優異，即使經PCT仍不會使導電性降低的效果，更具有對被黏物施行加熱壓接之際，黏著劑不會過度滲出的追加效果。
本發明的薄膜態樣(4)中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，係除有無導電性填充劑及吖系硬化劑(E)之外，亦可由同一組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成，或可由不同組成的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物構成。此外，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)均呈未硬化(硬化前)的固化乾燥狀態，即使僅由上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)構成的情況，因為整體呈薄膜狀，因而並不需要特別設置支撐體或載體，但如後述，可依黏貼於剝離性片的狀態保存。
其次，針對本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(1)~(4)的製造方法具體態樣，進行說明。
首先，根據薄膜態樣(1)的第1製造方法，在一剝離性薄膜(以下稱「剝離性薄膜1」)其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的硬化性樹脂組成物之塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；另外，在其他剝離性薄膜(以下稱「剝離性薄膜2」)其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、環氧樹脂(B)及導電性填充劑的硬化性導電性樹脂組成物之塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；接著，使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊。
或者根據薄膜態樣(1)的第2製造方法，在剝離性薄膜1其中一面上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；在該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，再於該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上重疊著剝離性薄膜2。
或者根據薄膜態樣(1)的第3製造方法，在剝離性薄膜2其中一面上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；在該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，再於該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1。
依照所例示的製造方法，相關本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(1)，可獲得呈剝離性薄膜2/硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)/硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)/剝離性薄膜1/的積層狀態硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
接著，針對本發明所使用的剝離性薄膜進行說明。
剝離性薄膜1及剝離性薄膜2係可使用例如：單面或雙面經施行脫模處理過的薄膜、或單面或雙面施行黏著劑塗佈的薄膜等。
脫模薄膜的基材係可舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、硬質聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、尼龍、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚乙烯醇、乙烯‧乙烯醇共聚合體、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚丁烯、軟質聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚胺基甲酸酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚合體、或聚醋酸乙烯酯等塑膠片等等；玻璃紙、高級紙、牛皮紙、或銅版紙等紙類；各種不織布、合成紙、或金屬箔、或該等組合的複合薄膜等等。
脫模處理方法係有如將脫模劑塗佈於薄膜單面或雙面上、或施行物理性消光化處理(mat forming processing)的方法。
脫模劑係可使用例如：聚乙烯、或聚丙烯等烴系樹脂；高級脂肪酸或其金屬鹽、高級脂肪酸皂、蠟、動植物油脂、雲母、滑石、聚矽氧系界面活性劑、聚矽氧油、聚矽氧樹脂、氟系界面活性劑、氟樹脂、或含氟聚矽氧樹脂等。
脫模劑的塗佈方法係可利用習知公知方式，例如：凹版塗佈方式、接觸式塗佈方式、模頭塗佈方式、唇口塗佈方式、間歇滾筒塗佈方式、刮刀塗佈方式、輥式塗佈方式、刀塗方式、噴塗方式、棒塗方式、旋塗方式、或浸塗方式等方式實施。
硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的設置方法，係可利用習知公知的塗佈方法，例如：凹版塗佈方式、接觸式塗佈方式、模頭塗佈方式、唇口塗佈方式、間歇滾筒塗佈方式、刮刀塗佈方式、輥式塗佈方式、刀塗方式、噴塗方式、棒塗方式、旋塗方式、或浸塗方式等方式實施。
另外，如後述，覆蓋著硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的剝離性薄膜2，因為一般在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)硬化前便剝離，因此在與未硬化狀態的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)間具有剝離性的前提下，亦可使用未特別施行剝離處理的薄膜(例如聚乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜)。此外，覆蓋著硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的剝離性薄膜1，因為一般在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化後才會剝離，因而在與硬化後的聚胺基甲酸酯聚脲層間具有剝離性之前提下，亦可使用未特別施行剝離處理的薄膜(例如聚乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜)。
其次，針對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(2)進行說明。
根據薄膜態樣(2)的第1製造方法，在剝離性薄膜1其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、環氧樹脂(D)、及吖系硬化劑(E)的硬化性樹脂組成物之塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；另外，在剝離性薄膜2其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、環氧樹脂(B)及導電性填充劑的硬化性導電性樹脂組成物之塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；接著，使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊。
或者，根據薄膜態樣(2)的第2製造方法，在剝離性薄膜1其中一面上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；在該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，再於該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，重疊著剝離性薄膜2。
或者，根據薄膜態樣(2)的第3製造方法，在剝離性薄膜2其中一面上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；在該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，再於該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1。
可依成為硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的膠體分率30~90重量%之半硬化狀態的方式，選擇：獲得硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)時的乾燥條件，以及使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊的條件。
例如獲得硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)時的乾燥條件，係溶劑可充分揮發，且聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)的羧酸與吖系硬化劑(E)能產生反應的條件，較佳為依50℃~150℃施行10秒~5分程度的加熱乾燥，更佳為依70℃~120℃施行30秒~3分程度的加熱乾燥。
再者，就利用吖系硬化劑(E)形成半硬化狀態的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，較容易維持硬化狀態的觀點，最好為使分開個別形成的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊，而獲得硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的方法。此情況，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，最好依溫度40℃~120℃、壓力0.1~5MPa、時間0.5秒~60秒鐘程度的條件進行重疊而一體化。
依照所例示的製造方法，相關本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(2)，可獲得呈剝離性薄膜2/硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)/硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)/剝離性薄膜1/的積層狀態硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
其次，針對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(3)進行說明。
根據薄膜態樣(3)的第1製造方法，例如在剝離性薄膜1其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、環氧樹脂(D)及吖系硬化劑(F)的硬化性樹脂組成物之塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；另外，在剝離性薄膜2其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、環氧樹脂(B)、吖系硬化劑(E)及導電性填充劑的硬化性導電性樹脂組成物之塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；接著，使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊。
或者，根據薄膜態樣(3)的第2製造方法，在剝離性薄膜1其中一面上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；在該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，再於該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，重疊著剝離性薄膜2。
或者，根據薄膜態樣(3)的第3製造方法，在剝離性薄膜2其中一面上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；在該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，再於該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1。
可依成為硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)之膠體分率30~90重量%半硬化狀態的方式，選擇：獲得硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)時的乾燥條件，以及使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊的條件。另外，乾燥條件與硬化條件等係可依照如同硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(2)之製造方法的同樣條件實施。
依照所例示的製造方法，相關本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(3)，可獲得呈剝離性薄膜2/硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)/硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)/剝離性薄膜1/的積層狀態硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
接著，針對硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(4)進行說明。
根據薄膜態樣(4)的第1製造方法，例如在剝離性薄膜1其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)的硬化性樹脂組成物塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；另外，在剝離性薄膜2其中一面上，施行含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、環氧樹脂(B)、吖系硬化劑(E)及導電性填充劑的硬化性導電性樹脂組成物之塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；接著，使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊。
或者，根據薄膜態樣(4)的第2製造方法，在剝離性薄膜1其中一面上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)；在該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，再於該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，重疊著剝離性薄膜2。
或者，根據薄膜態樣(4)的第3製造方法，在剝離性薄膜2其中一面上，施行上述硬化性導電性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)；在該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，施行上述硬化性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，再於該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，重疊著剝離性薄膜1。
可依成為硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)之膠體分率30~90重量%半硬化狀態的方式，選擇：獲得硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)時的乾燥條件，以及使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊的條件。另外，乾燥條件、硬化條件等，係可依照硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(2)之製造方法的相同條件實施。
依照所例示的製造方法，相關本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜態樣(4)，可獲得呈剝離性薄膜2/硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)/硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)/剝離性薄膜1/的積層狀態硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
再者，針對本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的使用方法具體態樣進行說明。
硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜最好係呈剝離性薄膜2/硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)/硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)/剝離性薄膜1/的積層狀態，從上述硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜上將剝離性薄膜2剝落，而使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)露出。使該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，經加熱，便使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)中，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(B)、以及聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(D)產生反應，而二層(I)、(II)硬化。在接觸界面附近，亦會有發生聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與環氧樹脂(D)、聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與環氧樹脂(B)間之反應的情況。所以，在二層(I)、(II)施行硬化後，藉由將剝離性薄膜1剝落，便可將被黏物阻隔電磁波。
另外，使硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜重疊於被黏物之後，將剝離性薄膜1剝落之後，再將上述二層(I)、(II)施行加熱而硬化的使用態樣亦屬較佳。
可黏貼本發明硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的被黏物，係可以例如能承受重複彎曲的可撓性印刷佈線板為代表例。當然，亦可適用於剛性印刷佈線板。
上述硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜頗適用於被黏物係例如使用印刷佈線板所製得的電磁波遮蔽物，例如行動電話、數位相機等物品。
[實施例]
其次，例示實施例，針對本發明進行更詳細說明，惟本發明並不因該等而受限定。實施例及比較例中，「份」及「%」分別係指「重量份」及「重量%」。
另外，實施例中所記載聚胺基甲酸酯聚脲樹脂的重量平均分子量、及聚酯樹脂的數量平均分子量，係依GPC測定所求得聚苯乙烯換算的重量平均分子量、及數量平均分子量，GPC測定的條件係如下。
裝置：Shodex GPC System-21(昭和電工製)
管柱：Shodex KF-802、KF-803L、KF-805L(昭和電工製)合計3支連結使用。
溶劑：四氫呋喃
流速：1.0mL/min
溫度：40℃
試料濃度：0.3重量%
試料注入量：100μL
[聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、(C)之合成] [合成例1]
在具備有攪拌機、溫度計、回流冷卻器、點滴裝置、及氮導入管的反應容器中，裝填入：由己二酸、對苯二甲酸及3-甲基-1,5-戊二醇所獲得且數量平均分子量(以下稱「Mn」)=1006的二醇414份、二羥甲基丁酸8份、異佛爾酮二異氰酸酯145份、以及甲苯40份，在氮環境下依90℃進行3小時反應。在其中添加甲苯300份，獲得末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯預聚物的溶液。接著，在異佛爾酮二胺27份、二正丁胺3份、2-丙醇342份、及甲苯576份的混合物中，添加所獲得胺基甲酸酯預聚物的溶液816份，於70℃下施行3小時反應，獲得重量平均分子量(以下稱「Mw」)=54,000、酸價5mgKOH/g的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液。在其中添加甲苯144份、2-丙醇72份，獲得非揮發份30%的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(A-1)[或(C-1)]。
[合成例2]
在具備有攪拌機、溫度計、回流冷卻器、點滴裝置、及氮導入管的反應容器中，裝填入：由己二酸、3-甲基-1,5-戊二醇及1,6-己烷碳酸酯二醇所獲得Mn=981的二醇390份、二羥甲基丁酸16份、異佛爾酮二異氰酸酯158份、及甲苯40份，在氮環境下依90℃進行3小時反應。在其中添加甲苯300份，便獲得末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯預聚物的溶液。接著，在異佛爾酮二胺29份、二正丁胺3份、2-丙醇342份、及甲苯576份的混合物中，添加所獲得胺基甲酸酯預聚物的溶液814份，於70℃下施行3小時反應，獲得Mw=43,000、酸價10mgKOH/g的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液。在其中添加甲苯144份、2-丙醇72份，獲得非揮發份30%的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(A-2)[或(C-2)]。
[合成例3]
在具備有攪拌機、溫度計、回流冷卻器、點滴裝置、及氮導入管的反應容器中，裝填入：由己二酸與3-甲基-1,5-戊二醇所獲得Mn=1002的二醇352份、二羥甲基丁酸32份、異佛爾酮二異氰酸酯176份、及甲苯40份，在氮環境下依90℃進行3小時反應。在其中添加甲苯300份，獲得末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯預聚物的溶液。接著，在異佛爾酮二胺32份、二正丁胺4份、2-丙醇342份、及甲苯576份的混合物中，添加所獲得胺基甲酸酯預聚物的溶液810份，於70℃下施行3小時反應，獲得Mw=35,000、酸價21mgKOH/g的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液。在其中添加甲苯144份、2-丙醇72份，獲得非揮發份30%的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(A-3)[或(C-3)]。
[合成例4]
在具備有攪拌機、溫度計、回流冷卻器、點滴裝置、及氮導入管的反應容器中，裝填入：由己二酸、3-甲基-1,5-戊二醇及1,6-己烷碳酸酯二醇所獲得Mn=981的二醇432份、異佛爾酮二異氰酸酯137份、及甲苯40份，在氮環境下依90℃進行3小時反應。在其中添加甲苯300份，獲得末端具有異氰酸酯基之胺基甲酸酯預聚物的溶液。接著，在異佛爾酮二胺25份、二正丁胺3份、2-丙醇342份、及甲苯576份的混合物中，添加所獲得胺基甲酸酯預聚物的溶液818份，於70℃下施行3小時反應，獲得Mw=48,000、酸價0mgKOH/g的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液。在其中添加甲苯144份、2-丙醇72份，獲得非揮發份30%的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(A-4)[或(C-4)]。
[聚酯樹脂(P-1)之合成] [合成例5]
在具備有攪拌機、溫度計、氮氣導入管及回流脫水裝置的燒瓶中，裝填入：對苯二甲酸二甲酯184.4份、新戊二醇94.8份、乙二醇94.2份、2-甲基-1,3-丙二醇54.7份、及醋酸鋅0.035份。將原料施行加熱溶融，待呈可攪拌狀態時便開始進行攪拌，一邊在常壓下將所餾出的甲醇排除於反應系統外，一邊從170℃歷時3小時徐緩升溫至220℃，在220℃下保持1小時。將內溫暫時冷卻至170℃，添加己二酸92.6份、間苯二甲酸65.8份、及1,4-環己烷二羧酸113.6份，一邊在常壓下將所餾出的水排除於反應系統外，一邊歷時3小時升溫至240℃，更在240℃下保持，並持續進行反應直到生成物酸價呈15mgKOH/g為止。
接著，將裝置改為真空減壓裝置，並加入四丁基鈦酸鹽0.06份，於240℃溫度、2托爾減壓下，持續進行6小時反應後，再取出於聚氟乙烯樹脂製容器中。
該樹脂的數量平均分子量係18000，玻璃轉移溫度係27℃。
接著，相對於所獲得聚酯樹脂100份，添加甲苯100份並溶解。接著，在各自的燒瓶中添加乙二醇雙偏苯三酸酯二酐5份，依100℃溫度進行5小時反應，獲得Mw=24,000、酸價14mgKOH/g的聚酯樹脂溶液。在其中添加甲苯經稀釋，獲得非揮發份30%之具有羧基的聚酯樹脂溶液(P-1)。
[實施例1]
相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(A-1)333份，添加環氧樹脂(B-1)20份，獲得黏著樹脂組成物。相對於該黏著樹脂組成物353份，添加導電性填充劑(福田金屬箔粉工業製「AgXF-301」)180份並施行攪拌混合，獲得相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂與環氧樹脂(B-1)合計100重量份，含有導電性填充劑150份的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑。
另外，相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(C-1)333份，添加環氧樹脂(D-1)20份，獲得絕緣性樹脂組成物1。
接著，剝離性薄膜2係經對厚度75μm聚對苯二甲酸乙二酯薄膜單面施行剝離處理過的薄膜，在其剝離處理面上施行硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑的塗佈，經乾燥，獲得乾燥膜厚8μm的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)。
另外，剝離性薄膜1係經對厚度50μm聚對苯二甲酸乙二酯薄膜單面施行剝離處理過的薄膜，在其剝離處理面上施行絕緣性樹脂組成物的塗佈，經乾燥，形成乾燥膜厚15μm的硬化性絕緣性樹脂組成物層(II)。
使剝離性薄膜2上所設置的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)面、與在剝離性薄膜1上所設置的硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)面進行貼合，製得硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[實施例2~13]
如同實施例1，使用表1及表2所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、及導電性填充劑，調製得硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物，而製得硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[實施例14~28]
如同實施例1，使用表3及表4所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、導電性填充劑、及吖系硬化劑，調製硬化性導電性黏著劑與硬化性絕緣性樹脂組成物，而製得硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[實施例29~45]
如同實施例1，使用表5及表6所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、及導電性填充劑，調製硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物，而製得硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[實施例46~61]
如同實施例1，使用表7及表8所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、導電性填充劑、及吖系硬化劑，調製硬化性導電性黏著劑與硬化性絕緣性樹脂組成物，而製得硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例1~7及11]
如同實施例1，使用表9及表10所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、及導電性填充劑，調製硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物，而製得電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例8]
除取代聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(C-1)333份，改為使用合成例5所製得具羧基之聚酯樹脂溶液(P-1)333份，並在剝離性薄膜1的剝離處理面上，設置厚15μm硬化性絕緣性樹脂組成物層(II)之外，其餘均如同實施例1，製得電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例9~10]
除取代實施例1所使用硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，改為使用聚苯硫薄膜(比較例9)、或聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(比較例10)之外，其餘均如同實施例1，製得電磁波遮蔽薄膜。
[比較例12~20]
如同實施例14，使用表11及表12所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、導電性填充劑、及吖系硬化劑，調製硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物，而製得電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例21]
除取代聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(C-1)333份，改為使用合成例5所製得具羧基聚酯樹脂的溶液(P-1)333份，並在剝離性薄膜1的剝離處理面上，設置厚15μm硬化性絕緣性樹脂組成物層(II)之外，其餘均如同實施例14，製得電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例22~23]
除取代實施例14所使用薄膜狀硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，改為使用聚苯硫薄膜(比較例22)、或聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(比較例23)之外，其餘均如同實施例14，製得電磁波遮蔽薄膜。
[比較例24~31]
如同實施例29，使用表13及表14所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、及導電性填充劑，調製導電性黏著劑，而製得電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例32~33]
除取代聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(C-1)333份，改為使用合成例5所獲得具羧基聚酯樹脂的溶液(P-1)333份，而在比較例32中則未使用吖系硬化劑，在比較例33中則有使用吖系硬化劑，並於剝離性薄膜1的剝離處理面上，設置厚15μm硬化性絕緣性樹脂組成物層(II)之外，其餘均如同實施例29，製得電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例34~35]
除取代實施例29所使用硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，改為使用聚苯硫薄膜(比較例34)、或聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(比較例35)之外，其餘均如同實施例29，製得電磁波遮蔽薄膜。
[比較例36~44]
如同實施例46，使用表15及表16所示種類及量的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液、環氧樹脂、導電性填充劑、及吖系硬化劑，調製硬化性導電性黏著劑與硬化性絕緣性樹脂組成物，而製得硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例45~46]
除取代聚胺基甲酸酯聚脲樹脂溶液(C-1)333份，改為使用合成例5所製得具羧基聚酯樹脂溶液(P-1)333份，在比較例45中未使用吖系硬化劑，在比較例46中則使用吖系硬化劑，於剝離性薄膜1的剝離處理面上，設置厚15μm硬化性絕緣性樹脂組成物層(II)之外，其餘均如同實施例46，製得電磁波遮蔽性黏著性薄膜。
[比較例47~48]
除取代實施例46所使用硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，改為使用聚苯硫薄膜(比較例47)、或聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(比較例48)之外，其餘均如同實施例46，製得電磁波遮蔽薄膜。
針對各實施例及各比較例所獲得具剝離性薄膜的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(或電磁波遮蔽薄膜)，依以下方法就聚醯亞胺薄膜黏著性、耐熱性、耐彎曲性、及壓裂(以下稱「PCT」)耐性施行評估。結果如表1~表16所示。
(1)聚醯亞胺薄膜黏著性評估
準備寬10mm、長70mm的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(或電磁波遮蔽薄膜)，將剝離性薄膜2剝落，並在露出的硬化性導電性黏著劑層上，將厚度50μm聚醯亞胺薄膜(TORAY‧DUPON公司製「開普頓200EN」)，依150℃、1.0MPa、及30min的條件施行壓接，而使導電性黏著劑層(I)及薄膜狀絕緣性組成物層(II)硬化。
經壓接後，為求測定用補強，便將剝離性薄膜1去除，並在露出的硬化薄膜狀絕緣層上，使用聚胺基甲酸酯聚脲系黏著片，將上述聚醯亞胺薄膜載體依150℃、1MPa、及30min的條件施行壓接。
在23℃相對濕度50%環境下，依拉伸速度50mm/min、及剝離角度90°，將已硬化導電性黏著劑層與聚醯亞胺薄膜間剝離，並將剝離力的中心值視為聚醯亞胺薄膜黏著強度(N/cm)。
另外，比較例11及12的情況，並未施行測定用補強。
(2)耐熱性評估
準備寬10mm、長60mm的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(或電磁波遮蔽薄膜)，將剝離性薄膜2剝落，在露出的硬化性導電性黏著劑層(I)上，將厚度50μm聚醯亞胺薄膜(TORAY‧DUPON公司製「開普頓200EN」)，依150℃、1MPa、及30min的條件施行壓接，而使導電性黏著劑層(I)及薄膜狀絕緣性組成物層(II)硬化。
經壓接後，將剝離性薄膜1去除，依180℃電烤箱施行3min，接著依280℃電烤箱施行90sec的加熱處理。依目視觀察經加熱處理後的試料外觀，評估有無出現發泡、翹起、及/或剝落等外觀不良情形。
分別各施行5次試驗，並依發生外觀不良的次數進行評估。
○：未發生外觀不良
△：雖有發生外觀不良，但在2次以內
×：有發生外觀不良，且達3次以上
(3)耐彎曲性評估
從寬6mm、長120mm硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(或電磁波遮蔽薄膜)上，將剝離性薄膜2剝落，將露出的硬化性導電性黏著劑層(I)，在另外製作的可撓性印刷佈線板(厚25μm聚醯亞胺薄膜上，形成由厚12μm銅箔構成的電路圖案，更在電路圖案上積層著具黏著劑且厚40μm覆蓋膜的佈線板)之覆蓋膜面，依150℃、1MPa、及30min的條件施行 壓接，而使導電性黏著劑層(I)及薄膜狀絕緣性組成物層(II)硬化。
將剝離性薄膜1去除，依曲率半徑0.38mm、荷重500g、及速度180次/min的條件，驅動MIT彎曲試驗機，並利用直到電路圖案出現斷線為止的次數，施行耐彎曲性評估。評估基準係如下：
○：3000次以上
△：1500次以上、未滿3000次
×：未滿1500次
(4)硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的PCT耐性評估
從寬20mm、長50mm的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(或電磁波遮蔽薄膜)上，將剝離性薄膜2剝落，並將露出的硬化性導電性黏著劑層(I)，在另外製作的可撓性印刷佈線板(在厚12.5μm聚醯亞胺薄膜上，形成由厚18μm銅箔構成，且形成未施行電耦接的電路2A、2B，在電路2A上，積層著具黏著劑，且厚37.5μm，並具有直徑1.6mm貫穿孔的覆蓋膜之佈線板)上，依150℃、1MPa、及30min的條件施行壓接，而使導電性黏著劑層(I)及薄膜狀絕緣性組成物層(II)硬化(參照圖1)。
經壓接後，將剝離性薄膜1去除，針對圖1(3)所示2A-2B間的電阻值，使用三菱化學製「LORESTA GP」四點探針，依PCT(121℃、100%RH、及2氣壓)前後進行測定。評估基準係如下：
○：未滿500mΩ
△：500mΩ以上、未滿1000mΩ
×：1000mΩ以上
(5)延性試驗
將厚125μm、寬20mm、長30mm的「小」聚醯亞胺薄膜(A)，放置於寬50mm、長50mm的「大」聚醯亞胺薄膜(B)略中央處。
準備寬50mm、長60mm的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(或電磁波遮蔽薄膜)，將剝離性薄膜2剝落，利用露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，將涵蓋上述「小」聚醯亞胺薄膜(A)整體在內的上述「大」聚醯亞胺薄膜(B)整面覆蓋，依150℃、1MPa、及30min的條件施行壓接，而使硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化。
經壓接後，將剝離性薄膜1去除，針對經硬化後由電磁波遮蔽薄膜與上述「大」聚醯亞胺薄膜(B)間所夾置的上述「小」聚醯亞胺薄膜(A)各邊部分(由階差所造成的突起部分)，透過硬化後的電磁波遮蔽薄膜絕緣層，依肉眼及50倍顯微鏡進行觀察，並評估在由階差所造成突起部分處，能透明觀看到硬化後導電性黏著劑層的程度。
○：肉眼及顯微鏡均未透明觀看到導電性黏著劑層。
△：雖依肉眼未透明觀看到導電性黏著劑層，但依顯微鏡卻能透明觀看到導電性黏著劑層。
×：肉眼及顯微鏡均能透明觀看到導電性黏著劑層。
(6)黏著劑層的滲出性評估
在厚度50μm聚醯亞胺薄膜(TORAY‧DUPON公司製「開普頓200EN」)其中一面上，施行各實施例及各比較例所記載各硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑組成物的塗佈，使用電烤箱，依100℃施行2分鐘乾燥，而形成乾燥膜厚8μm硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)，利用鑿孔機在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)及聚醯亞胺薄膜中，貫穿形成直徑5mm的孔。
另外，在厚度50μm聚醯亞胺薄膜(TORAY‧DUPON公司製「開普頓200EN」)其中一面上，施行各實施例及各比較例所記載各硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物的塗佈，使用電烤箱，依100℃施行2分鐘乾燥，而形成乾燥膜厚15μm硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲組成物層(II)。
接著，將已有開孔的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊，並依150℃、1.0MPa、及30min的條件施行壓接處理。經壓接處理後，針對經硬化後的導電性黏著劑層之孔部分，使用放大鏡進行觀察，並測定硬化時的導電性黏著劑滲出量。評估基準係如下：
○：導電性黏著劑層滲出量未滿0.1mm，即硬化後的黏著劑層(I)之孔直徑超過4.8mm。
×：導電性黏著劑層的滲出量達0.1mm以上，即硬化後的黏著劑層(I)之孔直徑在4.8mm以下。
各表中的代號係如下述：
B-1、D-1：雙酚A型環氧樹脂、Japan Epoxy Resins製「JER828」、環氧當量=189g/eq。
B-2、D-2：雙酚A型環氧樹脂、Japan Epoxy Resins製「JER1002」、環氧當量=650g/eq。
B-3、D-3：四(環氧丙氧基苯基)乙烷型環氧樹脂、Japan Epoxy Resins製「JER1031」、環氧當量=190g/eq。
B-4、D-4：單官能團環氧樹脂、Dow Chemical製「UVR-6216」、環氧當量=240g/eq。
PPS：聚苯硫薄膜。
PET：聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
以上，雖針對本發明沿用特定態樣進行說明，惟熟習此技術者所為的輕易思及變形與改良均涵蓋於本發明範圍內。
1‧‧‧聚醯亞胺薄膜
2A、2B‧‧‧銅箔電路
3‧‧‧覆蓋層(黏著劑層未圖示)(覆蓋膜)
4‧‧‧貫穿孔
5‧‧‧硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的硬化物)
5a‧‧‧硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲組成物層(II)的硬化層
5b‧‧‧硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的硬化層
圖1為壓裂測試(Pressure Cracker Test：PCT)耐性評估試驗方法說明圖。圖1(1)係可撓性印刷佈線板的示意俯視圖，在聚醯亞胺薄膜1上形成電路2A、2B，並依露出電路2A其中一部分的方式，積層著具有貫穿孔4的覆蓋膜3。圖1(2)係圖1(1)中的D-D’線切剖圖。圖1(3)係圖1(1)中的C-C’線切剖圖。圖1(4)係在圖1(1)~圖1(3)所示覆蓋膜3與電路2B上，依露出電路2A、2B其中一部分的方式，重疊著硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜5，再經壓接、硬化的狀態示意俯視圖。圖1(5)係圖1(4)中的D-D’線切剖圖。圖1(6)係圖1(4)中的C-C’線切剖圖。
1．．．聚醯亞胺薄膜
2．．．銅箔電路
2A、2B．．．電路
3．．．覆蓋層(黏著劑層未圖示)(覆蓋膜)
4．．．貫穿孔
5．．．硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜(硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的硬化物)
5a．．．硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲組成物層(II)的硬化層

Claims (30)

  1. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)，且相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)的合計100重量份，含有導電性填充劑：10~700重量份；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、以及有 機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得。
  2. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有膠體分率30~90重量%的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、以及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑所形成；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基以0.05~4莫耳範圍的方式含有；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行 反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得。
  3. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)，且膠體分率30~90重量%的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑所形成；而該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基以0.05~4莫耳範圍的方式含有；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II) 係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)依相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基以0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力。
  4. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，係具有：硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)、與膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜；其中，上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、及導電性填充劑，且相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份，含有導電性填充劑：10~700重量份；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係由末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲 酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物所形成；而，該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，依吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其中，硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)100重量份而含有環氧樹脂(B)3~200重量份，且硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係相對於聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)100重量份而含有環氧樹脂(D)3~200重量份。
  6. 如申請專利範圍第5項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性 薄膜，其中，在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)未接觸到硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的表面上，積層著剝離性薄膜1。
  7. 如申請專利範圍第5項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其中，在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)未接觸到硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的表面上，積層著剝離性薄膜2。
  8. 如申請專利範圍第5項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜，其中，在硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)未接觸到硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的表面上，積層著剝離性薄膜2，且在硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)未接觸到硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的表面上，積層著剝離性薄膜1。
  9. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二 醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；在剝離性薄膜2其中一表面上形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)重疊合的步驟。
  10. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性 聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；以及在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上重疊著剝離性薄膜2的步驟。
  11. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物 以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；以及在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上重疊著剝離性薄膜1的步驟。
  12. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯 聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，依吖基0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)相重疊的步驟。
  13. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應 而獲得；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係由末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上重疊著剝離性薄膜2的步驟。
  14. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺 基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、以及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上形成硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；而，該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)與具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；以及 在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上重疊著剝離性薄膜1的步驟。
  15. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，該薄膜之膠體分率為30~90重量%，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、以及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電 性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)重疊合的步驟。
  16. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，該薄膜之膠體分率為30~90重量%，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、以及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量 平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有；以及在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上重疊著剝離性薄膜2的步驟。
  17. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，該薄膜之膠體分率為30~90重量%，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份之導電性填充劑：10~700重量份、及硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑形成膠體分率30~90重量%之硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、以及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺 化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(F)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；以及在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上重疊著剝離性薄膜1的步驟。
  18. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組 成物係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；在剝離性薄膜2其中一表面上形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；以及使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)重疊合的步驟。
  19. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜1其中一表面上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性 聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯 (a3)進行反應而獲得；以及在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上重疊著剝離性薄膜2的步驟。
  20. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之製造方法，係包括有：在剝離性薄膜2其中一表面上形成硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)的步驟；而，該硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)係含有聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(B)、以及相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)與上述環氧樹脂(B)合計100重量份為10~700重量份的導電性填充劑；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(A)係使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)與聚胺化合物(a5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(a4)係使具有羧基的二醇化合物(a1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(a2)、及有機二異氰酸酯(a3)進行反應而獲得；在上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)上，由聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)、具有2個以上環氧基的環氧樹脂(D)、及硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物形成膠體分率30~90重量%之硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)的步驟；該聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)係 使末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)與聚胺化合物(c5)進行反應而獲得；該末端具有異氰酸酯基的胺基甲酸酯預聚物(c4)係使具有羧基的二醇化合物(c1)、含羧基的二醇化合物以外之數量平均分子量500~8000的多元醇(c2)、及有機二異氰酸酯(c3)進行反應而獲得；該硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物係吖系硬化劑(E)相對於上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(C)中的羧基1莫耳，吖基依0.05~4莫耳範圍的方式含有，且具有薄膜形成能力；以及在上述硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)上重疊著剝離性薄膜1的步驟。
  21. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之使用方法，係申請專利範圍第8項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的使用方法，其中，將申請專利範圍第8項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，再使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化後，再將剝離性薄膜1剝離。
  22. 一種硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜之使用方法，係申請專利範圍第8項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的使用方法，其中，將申請專利範圍第8項之硬化性電磁波遮 蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，再使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，將剝離性薄膜1剝離，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化。
  23. 一種電磁波遮蔽物之製造方法，係將申請專利範圍第6項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，施行加熱，使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化後，再將剝離性薄膜1剝離。
  24. 一種電磁波遮蔽物之製造方法，係將申請專利範圍第7項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，再使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化。
  25. 一種電磁波遮蔽物之製造方法，係將申請專利範圍第8項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，並使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，施行加熱，使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹 脂組成物層(II)硬化後，再將剝離性薄膜1剝離。
  26. 一種電磁波遮蔽物之製造方法，係將申請專利範圍第8項之硬化性電磁波遮蔽性黏著性薄膜的剝離性薄膜2剝離，並使露出的硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)重疊於被黏物上，再將剝離性薄膜1剝離，施行加熱，而使上述硬化性導電性聚胺基甲酸酯聚脲黏著劑層(I)與硬化性絕緣性聚胺基甲酸酯聚脲樹脂組成物層(II)硬化。
  27. 一種電磁波遮蔽物，係依照申請專利範圍第23項之製造方法所獲得。
  28. 一種電磁波遮蔽物，係依照申請專利範圍第24項之製造方法所獲得。
  29. 一種電磁波遮蔽物，係依照申請專利範圍第25項之製造方法所獲得。
  30. 一種電磁波遮蔽物，係依照申請專利範圍第26項之製造方法所獲得。
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