TWI447695B - 有機電致發光放射部之驅動方法 - Google Patents

有機電致發光放射部之驅動方法 Download PDF

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Description

有機電致發光放射部之驅動方法
本發明有關於有機電致發光放射部之驅動方法。
已知具有放射部之顯示元件及包括此顯示元件的顯示裝置。例如，具有使用有機材料之電致發光性(此後稱為「EL」)之有機電致發光放射部(此後可簡稱為「有機EL顯示元件」)的顯示元件已作為能藉由低電壓直流電驅動來執行高亮度放射之顯示元件。
如同液晶顯示裝置，例如在包括有機EL顯示元件的有機電致發光顯示裝置(此後可簡稱為「有機EL顯示裝置」)中，已知有簡單矩陣系統及主動矩陣系統作為驅動系統。主動矩陣系統具有使結構變得複雜之缺點，但具有可使影像亮度變高等等的優點。在由主動矩陣系統驅動之有機EL顯示元件中，設置包括含有放射層等等的有機層之放射部及驅動放射部的驅動電路。
例如從日本專利申請案JP-A-2007-310311已知一種作為驅動有機電致發光放射部(此後簡稱為「放射部」)之電路，包括兩電晶體及一電容部之驅動電路(參照「2Tr/1C」驅動電路)。「2Tr/1C」驅動電路包括寫入電晶體TRW 及驅動電晶體TRD 的兩電晶體，並進一步包括一電容部C1 ，如第2圖中所示。在此，驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區形成第二節點ND2 ，及驅動電晶體TRD 的閘極電極形成第一節點ND1 。
此外，如第4圖之時序圖所示，在[時期-TP(2)1 ']中，執行臨限電壓抵消的預先處理。換言之，經由藉由來自掃瞄線SCN的信號處於啟通狀態的寫入電晶體TRW ，從資料線DTL施加第一節點初始化電壓V0fs (如零伏特)至第一節點ND1 。藉此，第一節點ND1 之電位變成V0fs 。此外，經由驅動電晶體TRD ，從電源供應部100施加第二節點初始化電壓VCC-L (如-10電壓)至第二節點ND2 。藉此，第二節點ND2 之電位變成VCC-L 。由電壓Vth (如3伏特)表示驅動電晶體TRD 的臨限電壓。當驅動電晶體TRD 的閘極電極與另一源極/汲極區(此後為了方便稱為「源極區」)間的電位差變成Vth 或更多時，驅動電晶體TRD 轉換至啟通狀態。注意到放射部ELP的陰極電極連接至電源供應線PS2，對電源供應線PS2施加電壓Vcat (如零伏特)。
接著，在[時期-TP(2)2 ']中，執行臨限電壓抵消處理。亦即，當維持寫入電晶體TRW 的啟通狀態時，電源供應部100的電壓係從第二節點初始化電壓VCC-L 切換到驅動電壓VCC-H (如20伏特)。結果為第二節點ND2 的電位朝由第一節點ND1 之電位減掉驅動電晶體TRD 的臨限電壓Vth 而得之電位改變。亦即，浮置第二節點ND2 的電位升高。接著，當驅動電晶體TRD 的閘極電極與源極區之間的電位差到達Vth 時，驅動電晶體TRD 轉換至關閉狀態。在此狀態中，第二節點ND2 的電位一般為(V0fs -Vth )。
接著，在[時期-TP(2)3 ']中，寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。接著，資料線DTL的電壓係設定至對應至視頻信號[用於控制放射部ELP中之亮度的視頻信號(驅動信號，亮度信號)Vsig_m ]的電壓。
接著，在[時期-TP(2)4 ']中，執行寫入程序。詳言之，將掃瞄線SCN轉換至高位準及寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。結果為第一節點ND1 之電位升高至視頻信號Vsig_m 。
在此，假設電容部C1 的值為C1 、放射部ELP的電容CEL 為CEL ，且進一步，驅動電晶體TRD 的閘極電極與另一源極/汲極區間的寄生電容的值為Cgs ，當驅動電晶體TRD 的閘極電極從V0fs 改變成Vsig_m (>V0fs )時，在電容部C1 端之電位(換言之，第一節點ND1 與第二節點ND2 的電位)基本上會改變。亦即，基於驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位(=第一節點ND1 之電位)的改變量(Vsig_m -V0fs )之電荷係分配到電容部C1 、放射部ELP的電容值CEL 及驅動電晶體TRD 的閘極電極與另一源極/汲極區間的寄生電容。因此，若值CEL 與值C1 及值Cgs 相比為夠大，根據驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位的改變量(Vsig_m -V0fs )之驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區(第二節點ND2 )之電位改變為小。此外，典型地，放射部ELP的電容CEL 之值CEL 大於電容部C1 的值C1 及驅動電晶體TRD 的寄生電容的值Cgs 。依此，為了方便說明，說明將不考慮由第一節點ND1 之電位改變所產生之第二節點ND2 的電位改變。注意到係在不考慮由第一節點ND1 之電位改變所產生之第二節點ND2 的電位改變的情形下形成第4圖中所示的時序圖。
在上述操作中，當從電源供應部100施加電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區時，視頻信號Vsig_m 係施加至驅動電晶體TRD 的閘極電極。依此，如第4圖中所示，在[時期-TP(2)4 ']中，第二節點ND2 的電位升高。將於後敘述電位之升高量ΔV(電位校正值)。假設驅動電晶體TRD 的閘極電極(第一節點ND1 )之電位為Vg ，且驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區(第二節點ND2 )之電位為Vs，若不考慮第二節點ND2 之電位升高量ΔV，則Vg 之值及Vs 之值為如下所述。可由下列式子(A)表示第一節點ND1 與第二節點ND2 間的電位差，亦即驅動電晶體TRD 的閘極電極與作為源極區之另一源極/汲極區間的電位差Vgs 。
亦即，驅動電晶體TRD 的寫入處理中所得之Vgs 僅取決於用於控制放射部ELP的亮度之視頻信號Vsig_m 、驅動電晶體TRD 的臨限電壓Vth 以及用於初始化驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位的電壓V0fs 。此外，其與放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 並不相干。
之後，概述遷移率校正處理。在上述操作中，在寫入處理中，亦執行根據驅動電晶體TRD 的特性(如遷移率μ或類似者之大小)改變驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區之電位(亦即第二節點ND2 之電位)的遷移率校正處理。
如上述，當從電源供應部100施加電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區時，視頻信號Vsig_m 係施加至驅動電晶體TRD 的閘極電極。在此，如第4圖中所示，在[時期-TP(2)4 ']中，第二節點ND2 之電位升高。結果為若驅動電晶體TRD 的遷移率μ為大，則驅動電晶體TRD 的源極區中之電位升高量ΔV(電位校正值)變較大，且若驅動電晶體TRD 的遷移率μ為小，則驅動電晶體TRD 的源極區中之電位升高量ΔV(電位校正值)變較小。驅動電晶體TRD 的閘極電極與源極區間之電位差Vgs 係從式子(A)轉變成下列式子(B)。注意到，可在設計有機EL顯示裝置預先決定[時期-TP(2)4 ']的整個時間(t0 )作為設計值。
透過上述操作，完成臨限電壓抵消處理、寫入處理及遷移率校正處理。此外，在接續的[時期-TP(2)5 ']一開始，由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態，並藉此，使第一節點ND1 浮置。同時，從電源供應部100施加電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區(此後為了方便稱為「汲極區」)。因此，結果為第二節點ND2 之電位升高，與發生在驅動電晶體TRD 的閘極電極中之所謂的自舉升壓(bootstrap)現象相同，且第一節點ND1 之電位亦升高。驅動電晶體TRD 的閘極電極與源極區之間的電位差Vgs 基本上保持式子(B)的值。此外，在放射部ELP中流動的電流為從驅動電晶體TRD 的汲極區流至源極區的汲極電流Ids 。若驅動電晶體TRD 理想上在飽和區中操作，可由下列式子(C)來表示汲極電流Ids 。放射部ELP放射具有根據汲極電流Ids 的值之亮度的光。於後說明係數k。
Ids =k‧μ‧(Vgs -Vth )2 =k‧μ‧(VSig_m -V0fs -ΔV)2 　(C)
此外，第4圖中所示的[時期-TP(2)5 ']為放射時期，以及從[時期-TP(2)6 ']之開始至下一放射時期的時期為非放射時期(此後簡稱為「非放射時期」)。詳言之，在[時期-TP(2)6 ']之開始，電源供應部100的電壓VCC-H 係切換至電壓VCC-L 並維持至下一時期[時期-TP(2)1 '](第4圖中由[時期-TP(2)+1 ']顯示)末端。藉此，從[時期-TP(2)6 ']之開始至接下來的[時期-TP(2)+5 ']之開始之時期為非放射時期。
將於後詳述已經概述之2Tr/1C驅動電路之操作。
在上述驅動方法中，放射時期中的驅動電晶體之閘極電極的電位高於源極/汲極區之間的通道形成區之電位。此外，在非放射時期的大部分中，驅動電晶體之閘極電極的電位亦高於源極/汲極區之間的通道形成區之電位。因此，例如，當根據上述驅動方法驅動放射部所形成之有機EL顯示裝置時，會發現驅動電晶體的特性傾向於因時間改變而移至增強側。在上述說明中，已說明其中與理想上發生在驅動電晶體之閘極電極中的所謂自舉升壓電路相同現象的情況。然而，實際上，驅動電晶體的特性傾向於移至增強側，並藉此，在自舉升壓操作中發生第一節點與第二節點間之電位差改變的現象。此現象造成有機電致發光顯示裝置之時變亮度的發生。
因此，希望提供一種有機電致發光放射部之驅動方法，其可減少驅動電晶體的特性因時間改變而移至增強側之程度。
本發明之一實施例有關於一種具有驅動電晶體及顯示元件之顯示裝置的驅動方法，連接至電源供應部之該驅動電晶體的一源極/汲極區，連接至設置在該顯示元件中之陽極電極的另一源極/汲極區，該方法包含下列步驟：藉由施加預定中間電壓至該陽極電極來設定該陽極電極的電位，使得該顯示元件的該陽極電極及在該顯示元件的另一端之陰極電極之間的電位差不超過該顯示元件的臨限電壓；以及接著在從該電源供應部施加驅動電壓至該驅動電晶體的該一源極/汲極區時將該驅動電晶體保持在關閉狀態中。
本發明之另一實施例有關於一種有機電致發光放射部之驅動方法，使用包括寫入電晶體、驅動電晶體及電容部的驅動電路，在該驅動電晶體中，
(A-1)一源極/汲極區連接至電源供應部，
(A-2)另一源極/汲極區連接至設置在有機電致發光放射部中之陽極電極並連接至該電容部的一電極，並形成第二節點，以及
(A-3)閘極電極連接至該寫入電晶體的另一源極/汲極區且連接至該電容部的另一電極，並形成第一節點，
在該寫入電晶體中，
(B-1)一源極/汲極區連接至資料線，以及
(B-2)閘極電極連接至掃瞄線，
該方法包含下列步驟：
(a)　藉由施加預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的電位，使得該第二節點及設置在該有機電致發光放射部中的陰極電極之間的電位差不超過該有機電致發光放射部中的臨限電壓，以及接著在從該電源供應部施加驅動電壓至該驅動電晶體的該一源極/汲極區時將該驅動電晶體保持在關閉狀態。
本發明之該實施例的有機電致發光放射部的驅動方法包括步驟(a)。步驟(a)對應至非放射時期，驅動電晶體之閘極電極的電位低於源極/汲極區的通道形成區之電位。藉此，驅動電晶體之閘極電極與通道形成區間之電位關係在放射時期與非放射時期之間顛倒，且減少驅動電晶體之特性因時間改變而移至增強側的傾向。此外，在步驟(a)，藉由施加預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的電位，並因此，可在即使具有短掃瞄時期之顯示裝置中毫無問題地驅動放射部。
參照附圖根據實施例說明本發明。將以下列順序說明。
1.　本發明之實施例的有機電致發光放射部之驅動方法的更詳細說明
2.　用於個別實施例中之有機電致發光顯示裝置的概要說明
3.　實施例1(2Tr/1C驅動電路的實施例)
4.　實施例2(2Tr/1C驅動電路的實施例)
5.　實施例3(3Tr/1C驅動電路的實施例)
6.　實施例4(3Tr/1C驅動電路的實施例)
7.　實施例5(4Tr/1C驅動電路的實施例)
<本發明之實施例的有機電致發光放射部之驅動方法的更詳細說明>
本發明之實施例的有機電致發光放射部之上述驅動方法可包括下列步驟：
(b)　執行從該資料線經由藉由來自該掃瞄線之信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體施加視頻信號至該第一節點的寫入程序；接著
(c)　藉由來自該掃瞄線的該信號將該寫入電晶體轉換至關閉狀態以浮置該第一節點；以及
(d)　從該電源供應部施加該驅動電壓至該驅動電晶體的該一源極/汲極區，以經由該驅動電晶體根據該第一節點及該第二節點之間的電位差之值在該有機電致發光放射部中流動電流，以及
可重複地執行從步驟(b)至步驟(d)的一連串步驟並且在步驟(d)及下一步驟(b)之間執行該步驟(a)。
含有上述較佳組態的本發明之實施例的有機電致發光放射部之上述驅動方法可包括，在該步驟(b)之前，下列步驟：(b-1)施加第一節點初始化電壓至該第一節點及第二節點初始化電壓至該第二節點，並藉此，執行該第一節點的該電位之初始化及該第二節點的該電位之初始化的預先處理，使得該第一節點及該第二節點之間的該電位差可以超過該驅動電晶體的該臨限電壓以及該第二節點及設置在該有機電致發光放射部中的陰極電極之間的該電位差不超過該有機電致發光放射部中的臨限電壓；以及接著(b-2)執行朝著藉由保持該第一節點的該電位時從該第一節點之該電位減掉該驅動電晶體之該臨限電壓而得之電位改變該第二節點之該電位的臨限電壓抵消處理。
在含有上述較佳組態的本發明之實施例的有機電致發光放射部之上述驅動方法中，該步驟(a)可為藉由施加預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的該電位，施加該第一節點初始化電壓至該第一節點，接著，浮置該第一節點以將該驅動電晶體保持在關閉狀態，以及從該電源供應部施加該驅動電壓至該驅動電晶體的該一源極/汲極區之步驟。
在此情況中，在該步驟(a)，藉由從該電源供應部經由該驅動電晶體供應該預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的該電位。替代地，該驅動電路可進一步包括第一電晶體，且在該第一電晶體中，(C-1)另一源極/汲極區連接至該第二節點，(C-2)閘極電極連接至第一電晶體控制線，以及在該步驟(a)，藉由經由因來自該第一電晶體控制線的信號而轉換至啟通狀態之該第一電晶體施加該預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的該電位。此外，在該步驟(a)，從該資料線經由因來自該掃瞄線的該信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體施加該第一節點初始化電壓至該第一節點。
在含有上述各種較佳組態的本發明之實施例的有機電致發光放射部之上述驅動方法中，在該步驟(b-1)，從該資料線經由因來自該掃瞄線的該信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體施加該第一節點初始化電壓至該第一節點。替代地，在該步驟(b-1)，從該電源供應部經由該驅動電晶體施加該第二節點初始化電壓至該第二節點。此外，該驅動電路可進一步包括第一電晶體，且在該第一電晶體中，(C-1)另一源極/汲極區連接至該第二節點，(C-2)閘極電極連接至第一電晶體控制線，以及在該步驟(b-1)，經由因來自該第一電晶體控制線的信號而轉換至啟通狀態的該第一電晶體施加該第二節點初始化電壓至該第二節點。
在含有上述各種較佳組態的本發明之實施例的有機電致發光放射部之上述驅動方法中，在該步驟(b-2)，保持其中從該資料線經由因來自該掃瞄線的該信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體施加該第一節點初始化電壓至該第一節點的情況，並藉此，保持該第一節點的該電位。替代地，在該步驟(b-2)，從該電源供應部施加該驅動電壓至該驅動電晶體的該一源極/汲極區，並藉此，朝藉由從該第一節點的該電位減掉該驅動電晶體之該臨限電壓而得之該電位改變該第二節點的該電位。
在含有上述各種較佳組態的本發明之實施例的有機電致發光放射部之上述驅動方法(此後簡稱為「本發明之實施例的驅動方法」或「本發明之實施例」)中，在步驟(b)，當施加該驅動電壓至該驅動電晶體的該一源極/汲極區時，可從該資料線施加該視頻信號。藉此，在與寫入處理同時，執行根據該驅動電晶體之特性升高該第二節點的電位之遷移率校正處理。容後詳述遷移率校正處理的細節。
用於本發明之實施例中的有機電致發光顯示裝置(此後可簡稱為「有機EL顯示裝置」)，可採用所謂的黑白顯示組態或彩色顯示組態。例如，可採用彩色顯示組態，其中一畫素包括複數子畫素，且詳言之，一畫素包括紅發光子畫素、綠發光子畫素及藍發光子畫素的三個子畫素。此外，一畫素可包括這三種子畫素的一組，以及額外一或複數種子畫素(如具有放射改善亮度之白光的額外子畫素之一組、具有放射用於擴大色彩複製範圍之輔助彩色光的額外子畫素之一組、具有放射用於擴大色彩複製範圍之黃光的額外子畫素之一組、或具有放射用於擴大色彩複製範圍之黃及青光的額外子畫素之一組)。
作為有機EL顯示裝置之畫素值，VGA(640,840)、S-VGA(800,600)、XGA(1024,768)、APRC(1152,900)、S-XGA(1280,1024)、U-XGA(1600,1200)、HD-TV(1920,1080)、Q-XGA(2048,1536)及(1920,1035)、(720,480)、(1280,960)等等的影像顯示之一些解析度可作為範例，但解析度不限於這些值。
在有機EL顯示裝置中，如掃瞄電路及信號輸出電路的各種電路之組態及結構、如掃瞄線及資料線之各種佈線、電源供應部、有機電致發光放射部(此後可簡稱為「放射部」)可為已知的組態及結構。詳言之，放射部可包括陽極電極、電洞輸送層、放射層、電子輸送層、陰極電極等等。
作為形成驅動電路之電晶體，可引用n通道薄膜電晶體(TFT)。形成驅動電路的電晶體可為增強型或抑制型。在n通道電晶體中，可形成輕度摻雜汲極結構(LDD)。在一些例子中，可不對稱地形成LDD結構。例如，由於當有機電致發光顯示元件(此後可簡稱為「有機EL顯示元件」)發光時大量電流流動於驅動電晶體中，可僅在一源極/汲極區側形成LDD結構，該一源極/汲極區側在發光時變成汲極區側。注意到可例如使用p通道薄膜電晶體作為寫入電晶體或類似者。
形成驅動電路之電容部可由一電極、另一電極及在這兩電極間之介電質層(絕緣層)所形成。形成驅動電路之上述電晶體及電容部可形成在某平面中(如形成在支撐件上)，且放射部經由例如層間絕緣層形成在形成驅動電路之電晶體及電容部上。此外，驅動電晶體之另一源極/汲極區經由例如接觸洞連接至設置在放射部中之陽極電極。注意到電晶體可形成在半導體基底或類似者上。
如下述，將參照附圖說明本發明之實施例，且在說明前，將說明用於各個實施例中之有機EL顯示裝置的概要。
<用於個別實施例中之有機電致發光顯示裝置的概要說明>
適用於個別實施例中之有機電致發光顯示裝置為具有複數畫素之有機EL顯示裝置。一畫素包括複數子畫素(在各個實施例中，紅發光子畫素、綠發光子畫素及藍發光子畫素的三個子畫素)。各子畫素包括有機EL顯示元件10，具有其中驅動電路11及連接至驅動電路11之放射部(放射部ELP)為堆疊的結構。
第1圖為根據實施例1及實施例2之有機EL顯示裝置的概念圖。第13圖為根據實施例3及實施例4之有機EL顯示裝置的概念圖，且第20圖為根據實施例5之有機EL顯示裝置的概念圖。
第2圖顯示基本上包括兩電晶體/一電容部之驅動電路(可稱為「2Tr/1C驅動電路」)。第14圖顯示基本上包括三電晶體/一電容部之驅動電路(可稱為「3Tr/1C驅動電路」)。第21圖顯示基本上包括四電晶體/一電容部之驅動電路(可稱為「4Tr/1C驅動電路」)。
在此，在各個實施例中之有機EL顯示裝置包括：
(1)掃瞄電路101；
(2)信號輸出電路102；
(3)配置在第一方向中N個以及與第一方向不同的第二方向中M個之二維矩陣中之共N×M的有機EL顯示元件10，各具有放射部ELP及驅動放射部ELP之驅動電路11；
(4)連接至掃瞄電路101並在第一方向中延伸之M條掃瞄線SCL；
(5)連接至信號輸出電路102並在第二方向中延伸之N條資料線DTL；以及
(6)電源供應部100。
在第1、13及20圖中，顯示3×3的有機EL顯示元件10，然而，這僅為範例。為了方便，在第1、13及20圖中，省略顯示在第2圖中之電源供應線PS2及類似者。
放射部ELP具有已知組態及結構，包括陽極電極、電洞輸送層、放射層、電子輸送層、陰極電極等等。掃瞄電路101、信號輸出電路102、掃瞄線SCL、資料線DTL及電源供應部100可為組態及結構。
將說明驅動電路11之最少組成元件。驅動電路11包括至少一驅動電晶體TRD 、寫入電晶體TRW 及具有一對電極之容量部C1 。驅動電晶體TRD 包括具有源極/汲極區、通道形成區及閘極電極之n通道TFT。此外，寫入電晶體TRW 亦包括具有源極/汲極區、通道形成區及閘極電極之n通道TFT。寫入電晶體TRW 可包括p通道TFT。
在此，在驅動電晶體TRD 中，
(A-1)一源極/汲極區連接至電源供應部100，
(A-2)另一源極/汲極區連接至設置在放射部ELP中之陽極電極並連接至該電容部C1 的一電極，並形成第二節點ND2 ，以及
(A-3)閘極電極連接至該寫入電晶體TRW 的另一源極/汲極區且連接至該電容部C1 的另一電極，並形成第一節點ND1 ，
在該寫入電晶體TRW 中，
(B-1)一源極/汲極區連接至資料線DTL，以及
(B-2)閘極電極連接至掃瞄線SCL。
第3圖為有機EL顯示裝置之一部分的示意性剖面圖。形成驅動電路11之電晶體TRD 及TRW 及容量部C1 係形成在支撐件20上，且放射部ELP係經由例如層間絕緣層40形成在形成驅動電路11之電晶體TRD 及TRW 及容量部C1 上。此外，驅動電晶體TRD 之另一源極/汲極區經由接觸洞連接至設置在放射部ELP中之陽極電極。在第3圖中，僅顯示驅動電晶體TRD 。隱藏其他電晶體。
詳言之，驅動電晶體TRD 包括閘極電極31、閘極絕緣層32、源極/汲極區35，35設置在半導體層33中，以及對應至在源極/汲極區35，35間之半導體層33的一部分之通道形成區34。另一方面，容量部C1 包括另一電極36、由閘極絕緣層32之延伸部所形成的介電質層以及一電極37(對應至第二節點ND2 )。閘極電極31、閘極絕緣層32之一部分以及形成容量部C1 之另一電極36係形成在支撐件20上。驅動電晶體TRD 之一源極/汲極區35連接至電線38，且另一源極/汲極區35連接至該一電極37。由層間絕緣層40覆蓋驅動電晶體TRD 、容量部C1 等等，且包括陽極電極51、電洞輸送層、放射層、電子輸送層及陰極電極53之放射部ELP係設置在層間絕緣層40上。在此圖中，電洞輸送層、放射層、電子輸送層由一層52所顯示。第二層間絕緣層54設置在層間絕緣層40無放射部ELP的部份上，且透明基底21設置在第二層間絕緣層54及陰極電極53上，且在放射層中放射的光通過基底21並輸出到外部。該一電極37(第二節點ND2 )及陽極電極51藉由設置在層間絕緣層40中的接觸洞連接。此外，陰極電極53經由設置在第二層間絕緣層54及層間絕緣層40中的接觸洞56及55連接至設置在閘極絕緣層32之延伸部上的電線39。
將說明顯示在第3圖中之有機EL顯示裝置及其類似者的製造方法。首先，在支撐件20上，根據已知方法適當地形成諸如掃瞄線SCL的各種電線、形成電容部C1 的電極、包括半導體層之電晶體、層間絕緣層、接觸洞等等。接著，根據已知方法執行沈積及圖案化，且形成配置在矩陣中之放射部ELP。接著，已經經過上述步驟的支撐件20與基底21相對並密封住，且執行例如至外部電路之佈線連結，並藉此，可獲得有機EL顯示裝置。
在個別的實施例中之有機EL顯示裝置為包括複數有機EL顯示元件10的彩色顯示裝置(如N×M=1920×480)。該個別的有機EL顯示元件10形成子畫素且包括複數子畫素的一群形成一畫素，且畫素配置在第一方向及與第一方向不同之第二方向中之二維矩陣中。一畫素包括配置在其中掃瞄線SCL延伸方向中之放射紅光之紅發光子畫素、放射綠光之綠發光子畫素及放射藍光之藍發光子畫素的三種子畫素。
有機EL顯示裝置配置在二維矩陣中之包括(N/3)×M畫素。線序式掃瞄形成個別畫素之有機EL顯示元件10，且顯示訊框率為FR(時間/秒)。亦即，同時驅動配置在第m列(在此m=1、2、3...、M)中的形成個別(N/3)畫素(N子畫素)之有機EL顯示元件10。換言之，在形成一列的個別有機EL顯示元件10中，以其所屬之列為單位地控制其放射/非放射時間。注意到相關於形成一列之每一畫素的寫入視頻信號的處理可為同時寫入視頻信號至所有的畫素之處理(此後可簡稱為「同時寫入處理」)，或相關於每一畫素順序寫入視頻信號的處理(此後可簡稱為「順序寫入處理」)。可根據有機EL顯示裝置的組態適當地選擇寫入處理。
如上述，線序掃瞄第一列至第M列中之有機EL顯示元件10。為了方便說明，分配給掃瞄有機EL顯示元件10的各列之時期係稱為「水平掃瞄時期」。在下列各個實施例中，在每一水平掃瞄時期中，有其中從信號輸出電路102施加第一節點初始化電壓至資料線DTL的時期(此後稱為「初始化時期」)，及接著，其中從信號輸出電路102施加視頻信號Vsig 至資料線DTL的時期(此後稱為「視頻信號時期」)。
在此，原則上，將說明關於位在第m列、第n行(在此，n=1、2、3...、N)中之有機EL顯示元件10的驅動及操作，且將之稱為「第(n、m)有機EL顯示元件10」或「第(n、m)子畫素」。此外，在配置於第m列中之個別有機EL顯示元件10的水平掃瞄時期結束之前，執行各種處理(臨限電壓抵消處理、寫入處理及遷移率校正處理，將於後敘述)。注意到在第m個水平掃瞄時期內執行寫入處理及遷移率校正處理且，在一些情況中，可從第(m-m")個水平掃瞄時期執行至第m個水平掃瞄時期。另一方面，取決於驅動電路類型，臨限電壓抵消處理及其之預先處理可在第m個水平掃瞄時期前執行。
接著，在所有上述各種處理結束後，允許形成配置在第m列中之個別有機EL顯示元件10的放射部發光。注意到，在所有上述各種處理結束後，可立即允許放射部發光或在預定時期過了(如預定列的水平掃瞄時期)之後允許放射部發光。可根據有機EL顯示裝置之規格、驅動電路之組態或類似者來適當地設定預定時期。注意到，在下列說明中，為了方便說明，在各種處理結束之後，立刻允許放射部發光。此外，形成配置在第m列中之個別有機EL顯示元件10的放射部的放射狀態持續直到配置在第(m+m')列中之個別有機EL顯示元件10的水平掃瞄時期前。在此，根據有機EL顯示裝置之設計規格來決定「m'」。換言之，形成配置在某顯示訊框中之第m列中之個別有機EL顯示元件10的放射部之光放射持續直到第(m+m'-1)個水平掃瞄時期。另一方面，從第(m+m')個水平掃瞄時期開始至下一顯示訊框中之第m個水平掃瞄時期中的寫入處理及遷移率校正處理完成，形成配置在第m列中之個別有機EL顯示元件10的放射部基本上維持非放射狀態。藉由提供上述非放射狀態時期(在此簡稱為「非放射時期」)，在減少因主動矩陣驅動的影像模糊且可獲得更佳之移動影像品質。注意到個別子畫素(有機EL顯示元件10)的放射狀態/非放射狀態不限於上述狀態。此外，水平掃瞄時期之時間長度為少於(1/FR)×(1/M)秒的時間長度。當(m+m')的值大於M時，在下一顯示訊框中處理水平掃瞄時期的多餘量。
在一電晶體之兩源極/汲極區中，「一源極/汲極區」可意指在連接至電源供應部之側的源極/汲極區。此外，電晶體的啟通狀態係指在源極/汲極區間形成通道的狀態。並不考慮電流是否從電晶體的一源極/汲極區流動至另一源極/汲極區。另一方面，電晶體的關閉狀態係指在源極/汲極區間沒有形成通道的狀態。此外，某電晶體之一源極/汲極區連接至另一電晶體的一源極/汲極區之模式包括該某電晶體之該源極/汲極區及該另一電晶體的該源極/汲極區佔據相同區的模式。此外，源極/汲極區可不僅包括多晶矽、無晶矽或含有雜質之類似者的傳導材料，但亦包括由金屬、金屬合金、傳導粒子、上述之堆疊結構、有機材料(傳導聚合物)所形成之層。此外，在用於下列說明中之時序圖中，指示個別時期(時間長度)的橫軸之長度為示意性，而不顯示個別時期之時間長度的份量。此亦適用於縱軸。此外，時序圖中之波形形狀亦為示意性。
如下，說明本發明之實施例。
[實施例1]
實施例1有關於有機電致發光放射部的驅動方法。在實施例1中，驅動電路11包括兩電晶體/一電容部。第2圖為包括驅動電路11之有機電致發光顯示元件10之等效電路圖。
首先將說明驅動電路及放射部之細節。
驅動電路11包括寫入電晶體TRW 及驅動電晶體TRD 之兩電晶體，且進一步包括一容量部C1 (2Tr/1C驅動電路)。
[驅動電晶體TRD ]
驅動電晶體TRD 之一源極/汲極區經由電源供應線PS1連接至電源供應部100。另一方面，驅動電晶體TRD 之另一源極/汲極區連接至
[1]放射部ELP的陽極電極，以及
[2]容量部C1 之一電極，
且形成第二節點ND2 。此外，驅動電晶體TRD 之閘極電極連接至
[1]寫入電晶體TRW 之另一源極/汲極區，以及
[2]容量部C1 之另一電極，
且形成第一節點ND1 。將於後說明從電源供應部100所供應之電壓。
在此，驅動驅動電晶體TRD 以在有機EL顯示元件10之放射狀態中根據下列式子(1)流動汲極電流Ids 。在有機EL顯示元件10之放射狀態中，驅動驅動電晶體TRD 之該一源極/汲極區作為汲極區且另一源極/汲極區作為源極區。為了方便說明，在下列說明中，驅動驅動電晶體TRD 之該一源極/汲極區可簡稱為「汲極區」，且另一源極/汲極區可簡稱為「源極區」。在此，如下標示每一符號。
μ：有效遷移率
L：通道長度
W：通道寬度
Vgs ：閘極電極與源極區間之電位差
Vth ：臨限電壓
COX ：(閘極絕緣層之相對電容率)×(真空電容率)/(閘極絕緣層之厚度)
k≡(1/2)‧(W/L)‧Cox
Ids =k‧μ‧(Vgs -Vth )2 　(1)
汲極電流Ids 流動在有機EL顯示元件10之放射部ELP中，且有機EL顯示元件10之放射部ELP發光。此外，取決於汲極電流Ids 之值的大小，控制有機EL顯示元件10之放射部ELP中的放射狀態(亮度)。
[寫入電晶體TRW ]
寫入電晶體TRW 之另一源極/汲極區連接至上述驅動電晶體TRD 之閘極電極。另一方面，寫入電晶體TRW 之該一源極/汲極區連接至資料線DTL。此外，經由資料線DTL從信號輸出電路102，供應用於控制放射部ELP的亮度之視頻信號(驅動信號、亮度信號)Vsig 及第一節點初始化電壓至該一源極/汲極區。注意到，經由資料線DTL，可供應其他各種信號及電壓(如用於預先充電驅動之信號、各種參考電壓或類似者)至該一源極/汲極區。此外，藉由來自連接至寫入電晶體TRW 之閘極電極的掃瞄線SCL的信號，詳言之，來自掃瞄電路101之信號，控制寫入電晶體TRW 之啟通/關閉操作。
[放射部ELP]
放射部ELP的陽極電極連接至上述之驅動電晶體TRD 的源極區。另一方面，放射部ELP的陰極電極連接至電源供應線PS2，其中對電源供應線PS2供應電壓Vcat 。以CEL 表示放射部ELP的寄生電容。此外，放射部ELP之放射所需的臨限電壓為Vth-EL 。換言之，若等於或多於Vth-EL 之電壓係供應於放射部ELP的陽極電極與陰極電極之間，放射部ELP會發光。
在下列說明中，如下設定電壓或電位值，然而，這些僅為說明用之值而非限制於這些值。此亦適用於其他實施例，將於後詳述。
Vsig ：用於控制放射部ELP之亮度的視頻信號，零伏特至10伏特
VCC-H ：用於在放射部ELP中流動電流之驅動信號，20伏特
VCC-M ：中間電壓，2伏特
VCC-L ：第二節點初始化電壓，-10伏特
V0fs ：用於初始化驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位(第一節點ND1 之電位)之第一節點初始化電壓，零伏特
Vth ：驅動電晶體TRD 之臨限電壓的設計值，3伏特
Vcat ：供應至放射部ELP之陰極電極的電壓，零伏特
Vth-EL ：放射部ELP之臨限電壓，3伏特
首先，為了更佳理解本發明，將說明根據實施例1之使用有機EL顯示裝置的參考實例之驅動方法的操作及此情況中之問題。第4圖示意性顯示根據此參考實例之放射部ELP的驅動時序圖，且第5A至5F圖及第6A及6B圖示意性顯示個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
在此參考實例中之放射部ELP的驅動方法，使用上述驅動電路11，包括下列步驟：
(a')執行第一節點ND1 的該電位及第二節點ND2 的該電位之初始化的預先處理，使得第一節點ND1 及第二節點ND2 之間的該電位差可以超過驅動電晶體TRD 的臨限電壓Vth 且第二節點ND2 及設置在放射部ELP中的陰極電極之間的該電位差不超過放射部ELP中的臨限電壓Vth-EL ；接著
(b')執行朝著藉由保持第一節點ND1 的電位時從第一節點ND1 之電位減掉驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 而得之電位改變第二節點ND2 之電位的臨限電壓抵消處理；接著
(c')執行經由藉由來自掃瞄線SCL的信號而轉換至啟通狀態寫入電晶體TRW 從資料線DTL供應視頻信號Vsig 至第一節點ND1 之寫入處理；接著
(d')藉由來自掃瞄線SCL的信號而將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態來浮置第一節點ND1 ；
(e')從電源供應部100經由驅動電晶體TRD 流動藉由根據放射部ELP中之第一節點ND1 與第二節點ND2 之間的電位差之值的電流來驅動放射部ELP；以及接著
(f')從電源供應部100經由驅動電晶體TRD 供應第二節點初始化電壓VCC-L 至第二節點ND2 來將放射部ELP轉換至非放射狀態。
第4圖中所示之[時期-TP(2)0 ']至[時期-TP(2)3 ']為其中執行寫入操作的[時期-TP(2)4 ']前的操作時期。此外，在[時期-TP(2)0 ']至[時期-TP(2)3 ']中，第(n、m)個有機EL顯示元件10基本上處於非放射狀態中。如第4圖中所示，不僅[時期-TP(2)4 ']，[時期-TP(2)1 ']至[時期-TP(2)3 ']亦包含在第m個水平掃瞄時期Hm 中。
為了方便說明，[時期-TP(2)1 ']之開始與第m個水平掃瞄時期Hm 中之初始化時期(其中在第4圖中之資料線DTL的電位為V0fs 的時期，且此亦適用於其他水平掃瞄時期)的開始相符。類似地，[時期-TP(2)2 ']的末端與水平掃瞄時期Hm 中之初始化時期的末端相符。此外，[時期-TP(2)3 ']之開始與水平掃瞄時期Hm 中之視頻信號時期(其中在第4圖中之資料線DTL的電位為Vsig_m 的時期，其容後詳述)的開始相符。
如下，說明[時期-TP(2)0 ']至[時期-TP(2)+5 ']的個別時期。可根據有機EL顯示裝置之設計適當地設定[時期-TP(2)1 ']至[時期-TP(2)3 ']之個別時期的長度。
[時期-TP(2)0 '](參見第4及5A圖)
[時期-TP(2)0 ']係用於例如為從前一顯示訊框至目前顯示訊框的操作。換言之，此時期為從前一顯示訊框中的第(m+m')個水平掃瞄時期的開始至目前顯示訊框中之第(m-1)個水平掃瞄時期的時期。此外，在[時期-TP(2)0 ']中，第(n、m)個有機EL顯示元件10係在非放射狀態中。在[時期-TP(2)0 ']之開始(未圖示)，從電源供應部100供應之電壓係從驅動電壓VCC-H 切換至第二節點初始化電壓VCC-L 。結果為，第二節點ND2 的電位變成低於VCC-L ，供應反向電壓於放射部ELP的陽極電極與陰極電極之間。此外，根據第二節點ND2 的電位降，浮置的第一節點ND1 的電位(驅動電晶體TRD 的閘極電極)亦變成較低。
如上述，在個別的水平掃瞄時期中，從信號輸出電路102供應第一節點初始化電壓V0fs 至資料線DTL，並接著，取代第一節點初始化電壓V0fs 供應視頻信號Vsig 至資料線DTL。詳言之，根據目前顯示訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm ，供應第一節點初始化電壓V0fs 至資料線DTL，並接著，取代第一節點初始化電壓V0fs 供應對應至第(n、m)個子畫素之視頻信號Vsig (為了方便說明，表示成Vsig_m ，此亦適用於其他視頻信號)至資料線DTL。類似地，根據第(m+1)個水平掃瞄時期Hm+1 ，供應第一節點初始化電壓V0fs 至資料線DTL，並接著，取代第一節點初始化電壓V0fs 供應對應至第(n、m+1)個子畫素之視頻信號Vsig_m+1 至資料線DTL。在第4圖中，雖省略說明，在水平掃瞄時期Hm 、Hm+1 及Hm+m ，以外的個別水平掃瞄時期中，供應第一節點初始化電壓V0fs 及視頻信號Vsig 至資料線DTL。
[時期-TP(2)1 '](參見第4及5B圖)
接著，目前顯示訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 開始。在[時期-TP(2)1 ']中，執行上述步驟(a')。
詳言之，在[時期-TP(2)1 ']之開始，掃瞄線SCL轉換成高位準以將寫入電晶體TRW 轉換成啟通狀態。從信號輸出電路102供應至資料線DTL的電壓為V0fs (初始化時期)。結果為，第一節點ND1 之電壓變成V0fs (零伏特)。由於從電源供應部100供應第二節點初始化電壓VCC-L 至第二節點ND2 ，第二節點ND2 之電位保持在VCC -L (-10伏特)。
由於第一節點ND1 與第二節點ND2 間之電位差為10伏特且驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 為3伏特，驅動電晶體TRD 處於啟通狀態。第二節點ND2 與設置在放射部ELP中的陰極電極間之電位差為-10伏特且不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。藉此，完成初始化第一節點ND1 之電位與第二節點ND2 之電位的預先處理。
[時期-TP(2)2 '](參見第4及5C圖)
在[時期-TP(2)2 ']中，執行上述步驟(b')。
亦即，當維持寫入電晶體TRW 的啟通狀態時，將從電源供應部100所供應之電壓從VCC-L 切換至VCC-H 。結果為，雖第一節點ND1 之電位並為改變(維持V0fs =零伏特)，第二節點ND2 朝從第一節點ND1 之電位減掉驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 所得的電位改變。亦即，浮置的第二節點ND2 之電位上升。為了方便說明，[時期-TP(2)2 ']的長度為足以改變第二節點ND2 之電位的長度。
若[時期-TP(2)2 ']的長度夠長，則驅動電晶體TRD 的閘極電極與另一源極/汲極區間之電位差到達Vth ，且驅動電晶體TRD 轉換至關閉狀態。亦即，浮置的第二節點ND2 之電位變成更接近(V0fs -Vth =-3伏特)，且最終變成(V0fs -Vth )。在此，若確保下列式子(2)，換言之，若選擇並決定電位以滿足下列式子(2)，則放射部ELP不發光。
(V0fs -Vth )<(Vth-EL +VCat )　(2)
在[時期-TP(2)2 ']中，第二節點ND2 之電位最終變成(V0fs -Vth )。亦即，僅根據驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 及初始化驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位之電壓V0fs 來決定第二節點ND2 之電位。此外，該電位與放射部ELP之臨限電壓Vth-EL 不相干。
[時期-TP(2)3 '](參見第4及5D圖)
在[時期-TP(2)3 ']的開始，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。此外，供應至資料線DTL的電壓係從第一節點初始化電壓V0fs 切換至視頻信號Vsig_m (視頻信號時期)。若驅動電晶體TRD 已經到達臨限電壓抵消處理中之關閉狀態，則第一節點ND1 與第二節點ND2 之電位實質上不變。注意到，若驅動電晶體TRD 尚未到達臨限電壓抵消處理中之關閉狀態，於[時期-TP(2)3 ']中發生自舉升壓，且第一節點ND1 與第二節點ND2 之電位變得稍微較高。
[時期-TP(2)4 '](參見第4及5E圖)
在此時期內，執行上述步驟(c')。藉由來自掃瞄線SCL之信號將寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。此外，經由寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應視頻信號Vsig_m 至第一節點ND1 。結果為，第一節點ND1 之電位上升至視頻信號Vsig_m 。驅動電晶體TRD 處於啟通狀態。在某些情況中，寫入電晶體TRW 之啟通狀態可在[時期-TP(2)3 ']中保持。在此組態中，在資料線DTL之電壓從第一節點初始化電壓V0fs 切換至視頻信號Vsig_m 之後立刻開始寫入處理。
在此，假設容量部C1 的容量為值C1 ，放射部ELP的電容CEL 為值CEL ，且進一步，驅動電晶體TRD 的閘極電極與另一源極/汲極區間的寄生電容為值Cgs ，當驅動電晶體TRD 的閘極電極從V0fs 改變成Vsig_m (>V0fs )時，在電容部C1 端之電位(第一節點ND1 與第二節點ND2 的電位)基本上會改變。亦即，基於驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位(=第一節點ND1 之電位)的改變量(Vsig_m -V0fs )之電荷係分配到電容部C1 、放射部ELP的電容值CEL 及驅動電晶體TRD 的閘極電極與另一源極/汲極區間的寄生電容。因此，若值CEL 與值C1 及值Cgs 相比為夠大，根據驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位的改變量(Vsig_m -V0fs )之驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區(第二節點ND2 )之電位的改變為小。此外，典型地，放射部ELP的電容CEL 之值CEL 大於電容部C1 的值C1 及驅動電晶體TRD 的寄生電容的值Cgs 。依此，為了方便說明，在不考慮由第一節點ND1 之電位改變所產生之第二節點ND2 的電位改變下進行上述說明。此外，除了有特別需要之情況外，在不考慮由第一節點ND1 之電位改變所產生之第二節點ND2 的電位改變下進行上述說明。此亦適用於其他實施例。注意到係在不考慮由第一節點ND1 之電位改變所產生之第二節點ND2 的電位改變的情形下形成驅動時序圖。
在上述寫入處理中，當從電源供應部100供應驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 之該一源極/汲極區時，供應視頻信號Vsig_m 至驅動電晶體TRD 之閘極電極。依此，如第4圖中所示，在[時期-TP(2)4 ']中，第二節點ND2 之電位上升。容後說明電位上升量(第4圖中所示之ΔV)。假設驅動電晶體TRD 之閘極電極(第一節點ND1 )的電位為Vg ，且驅動電晶體TRD 之另一源極/汲極區(第二節點ND2 )的電位為Vs ，若不考慮第二節點ND2 的電位上升，則Vg 的值及Vs 的值係如下述般。第一節點ND1 與第二節點ND2 間之電位差，亦即驅動電晶體TRD 之閘極電極與作為源極區之該另一源極/汲極區之間的電位差Vgs 可以下列式子(3)表示。
換言之，在驅動電晶體TRD 中於寫入處理中獲得的Vgs 僅取決於用於控制放射部ELP中之亮度的視頻信號Vsig_m 、驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 及用於初始化驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位之電壓V0fs 。此外，其與放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 不相干。
之後，說明[時期-TP(2)4 ']中之第二節點ND2 的電位上升。在上述參考實例之驅動方法中，在寫入處理中，亦執行根據驅動電晶體TRD 之特性(如遷移率μ的大小或類似者)改變驅動電晶體TRD 之另一源極/汲極區(亦即，第二節點ND2 的電位)的遷移率校正處理。
在其中從多晶矽薄膜電晶體或類似者製造驅動電晶體TRD 的情況中，電晶體間產生的遷移率μ變化為無可避免。依此，若施加具有相同值的視頻信號Vsig 至複數個具有不同遷移率μ的驅動電晶體TRD ，流動在具有大遷移率μ的驅動電晶體TRD 中之汲極電流Ids 與流動在具有小遷移率μ的驅動電晶體TRD 中之汲極電流Ids 之間會有差異。當有此一差異時，有機EL顯示裝置的螢幕均勻度會變差。
在上述參考實例的驅動方法中，當從電源供應部100施加驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 之一源極/汲極區時，供應視頻信號Vsig_m 至驅動電晶體TRD 的閘極電極。依此，如第4圖中所示，在[時期-TP(2)4 ']中，第二節點ND2 的電位上升。若驅動電晶體TRD 的遷移率μ的值為大，則在驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區之電位(亦即第二節點ND2 的電位)的上升量ΔV(電位校正值)變較大。相反地，若驅動電晶體TRD 的遷移率μ的值為小，則在驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區中之電位的上升量ΔV(電位校正值)變較小。在此，驅動電晶體TRD 之閘極電極與作為源極區之該另一源極/汲極區之間的電位差Vgs 可以從式子(3)轉換為下列式子(4)。
注意到可預先在有機EL顯示裝置的設計時決定執行第4圖中之[時期-TP(2)4 ']的寫入處理之預定時間([時期-TP(2)4 ']之全部時間t0 )為設定值。此外，決定[時期-TP(2)4 ']之全部時間t0 使得驅動電晶體TRD 的另一源極/汲極區中之電位(V0fs -Vth +ΔV)可滿足下列式子(2')。藉此，在[時期-TP(2)4 ']中，放射部ELP不發光。此外，藉由遷移率校正處理同時執行係數k(≡(1/2)‧(W/L)‧COX )之變化的校正。
(V0fs -Vth +ΔV)<(Vth-EL +Vcat )　(2' )
[時期-TP(2)5 '](參見第4及5F圖)
經由上述說明，完成步驟(a')至步驟(c')。接著，在[時期-TP(2)5 ']中，執行上述步驟(d')及步驟(e')。亦即，當維持從電源供應部100供應電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 之一源極/汲極區的情況時，根據掃瞄電路101之操作將掃瞄線SCL轉換至低位準、將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態以及浮置驅動電晶體TRD 之第一節點ND1 ，亦即閘極電極。因此，結果使第二節點ND2 之電位上升。
在此，如上述般，浮置驅動電晶體TRD 之閘極電極且因為容量部C1 存在而在驅動電晶體TRD 之閘極電極中發生與所謂的自舉升壓相同的現象，且第一節點ND1 之電位亦上升。結果為，驅動電晶體TRD 之閘極電極與作為源極區之該另一源極/汲極區之間的電位差Vgs 基本上保持式子(4)的值。
此外，第二節點ND2 之電位上升並超過(Vth-EL +Vcat )，並藉此，放射部ELP開始發光。流動於放射部ELP中之電流為從驅動電晶體TRD 之汲極區流至源極區的汲極電流Ids ，且可以式子(1)表示。在此，從式子(1)及(4)，可將式子(1)轉變成下列式子(5)：
Ids =k‧μ‧(Vsig_m -VOfs -ΔV)2 　(5)
因此，當VOfs 設定成零伏特時，流動於放射部ELP中之電流Ids 係例如與從用於控制放射部ELP中之亮度的視頻信號Vsig_m 的值減去因驅動電晶體TRD 的遷移率μ造成之電位校正值ΔV而得之值的平方成正比。換言之，流動於放射部ELP中之電流Ids 不取決於放射部ELP之臨限電壓Vth-EL 或驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 。亦即，放射部ELP的發光量(亮度)不受放射部ELP之臨限電壓Vth-EL 或驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 的影響。此外，第(n、m)個有機EL顯示元件10之亮度對應至電流Ids 的值。
此外，驅動電晶體TRD 之遷移率μ越大，電位校正值ΔV越大，並因此，在式子(4)左手邊的Vgs 值變越小。因此，在式子(5)中，即使遷移率μ為大，(Vsig_m -VOfs -ΔV)2 變較小，且因此可校正汲極電流Ids 。亦即，在具有不同遷移率μ之中驅動電晶體TRD ，當視頻信號Vsig 的值為相同時，汲極電流Ids 變得實質上相同。結果為，使流動於放射部ELP中並控制放射部ELP之亮度的電流Ids 變得均勻。藉此，可校正因遷移率μ之變化(進一步，k的變化)造成的放射部ELP之亮度的變化。
接著，放射部ELP之放射狀態持續至第(m+m'-1)個水平掃瞄時期。第(m+m'-1)個水平掃瞄時期之末端對應至[時期-TP(2)5 ']的末端。在此，「m'」滿足關係1<m'<M且為有機EL顯示裝置中之預定值。換言之，從第(m+1)個水平掃瞄時期Hm+1 驅動放射部ELP至緊接於第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 之前，且此時期為放射時期。
[時期-TP(2)6 '](參見第4及6A圖)
接著，執行上述步驟(f')，且將放射部ELP轉換至非放射狀態中。
詳言之，當保持寫入電晶體TRw 關閉狀態時，在[時期-TP(2)6 ']之開始將從電源供應部100供應之電壓從VCC-H 切換至VCC-L (換言之，第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 開始)。結果為，第二節點ND2 之電位變成低於VCC-L 且施加反向電壓於放射部ELP的陽極電極與陰極電極之間，且放射部ELP轉換至非放射狀態中。此外，根據第二節點ND2 的電位降，浮置的第一節點ND1 之電位(驅動電晶體TRD 之閘極電極)亦變得較低。
接著，上述非放射狀態持續直到下一訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 之前。此時間對應至第4圖中所示之[時期-TP(2)+1 ']之開始之前。依照此方式，藉由提供非放射時期，在減少因主動矩陣驅動的影像模糊之後可獲得更佳的移動影像品質。例如，若m'=M/2，放射時期與非放射時期的時間長度實質上分別為一顯示訊框之時間長度的一半。
接著，在[時期-TP(2)+1 ']及後續的時其中，重複執行描述於[時期-TP(2)1 ']至[時期-TP(2)6 ']中的相同步驟(參見第4圖及第6B圖)。換言之，顯示在第4圖中之[時期-TP(2)6 ']對應至下一個[時期-TP(2)0 ']。
在上述參考實例的驅動方法中，放射時期中之驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位高於源極/汲極區之間的通道形成區之電位。此外，非放射時期的大部分係由在第4圖中之[時期-TP(2)6 ']所佔據，且驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位亦高於在[時期-TP(2)6 ']中之源極/汲極區之間的通道形成區之電位。因此，當根據上述驅動方法驅動放射部ELP時，可知的驅動電晶體TRD 之特性傾向於因時間改變而位移至增進側。
例如，假設驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 變得比作為設計值的3伏特高3伏特而成為6伏特。在此，在[時期-TP(2)2 ']之末端的第二節點ND2 之電位變得低3伏特而成為-6伏特。因而，當寫入處理結束時在[時期-TP(2)4 ']之末端的第二節點ND2 之電位變得比當驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 為3伏特時之電位更低3伏特。
若理想地執行第4圖中之[時期-TP(2)5 ']中的自舉升壓操作，在[時期-TP(2)4 ']中之第一節點ND1 與第二節點ND2 之間的電位差亦於[時期-TP(2)5 ']中維持。由於由式子(5)給出汲極電流，若驅動電晶體TRD 之特性位移至增進側，位移不影響顯示裝置的亮度。
然而，實際上，當在自舉升壓操作中第一節點ND1 之電位升高時，由電容部C1 、電容CEL 等等除以第一節點ND1 之電位中的改變量，且第二節點ND2 之電位亦升高。亦即，第二節點ND2 之電位的升高量稍微小於第一節點ND1 之電位的升高量。換言之，經由自舉升壓操作，第一節點ND1 與第二節點ND2 間之電位差變小。當在自舉升壓操作中之第一節點ND1 之電位改變量越大時，第一節點ND1 與第二節點ND2 間之電位差的改變量越大。
如上述，當驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 為6伏特時，比設計值3伏特高3伏特，在[時期-TP(2)4 ']之末端之第二節點ND2 的電位亦變得比當驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 為3伏特時之電位更低3伏特。藉此，因[時期-TP(2)5 ']中之自舉升壓操作所造成之第二節點ND2 之電位改變量變得大幾乎3伏特。因此，若視頻信號Vsig 的值為相同，在[時期-TP(2)5 ']中之第一節點ND1 與第二節點ND2 間之電位差變得比在臨限電壓Vth 為3伏特的情況中的稍微較小，且汲極電流減少。
如上述，若驅動電晶體TRD 之特性傾向於因時間改變而位移至增進側，在自舉升壓操作中第一節點ND1 與第二節點ND2 間之電位差因而變得更小。藉此，發生汲極電流減少且放射部ELP之亮度變較低的現象。
接下來，將說明實施例1的驅動方法。第7圖示意性顯示根據實施例1的放射部ELP的驅動時序圖，且第8A至8F圖及第9A至9C圖示意性顯示個別電晶體之啟通/關閉狀態等等。
在實施例1及其他實施例中之放射部ELP的驅動方法，將於後說明，使用上述驅動電路11，包括下列步驟，
(a)藉由施加預定中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，使得第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間之電位差不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL ，並接著，將驅動電晶體TRD 保持於關閉狀態中，同時從電源供應部100施加驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區。注意到，在實施例3及實施例4中，電壓VCC-H 係讀到電壓VCC 中且電壓VCC-M 係讀到電壓VSS-M 中，其將於後說明。此亦適用於下列說明。
在實施例1及其他實施例中之放射部ELP的驅動方法包括下列步驟：
(b)執行從資料線DTL經由藉由來自掃瞄線STL之信號而轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW 施加視頻信號Vsig 至第一節點ND1 的寫入程序；接著
(c)藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態以浮置第一節點ND1 ；以及
(d)從電源供應部100施加驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區，以經由驅動電晶體TRD 根據第一節點ND1 及第二節點ND2 之間的電位差之值在放射部ELP中流動電流，以及
重複地執行從步驟(b)至步驟(d)的一連串步驟並且在步驟(d)及下一步驟(b)之間執行步驟(a)。
此外，在實施例1及其他實施例中之放射部ELP的驅動方法，在步驟(b)之前，包括下列步驟：
(b-1)施加第一節點初始化電壓至第一節點ND1 及第二節點初始化電壓至第二節點ND2 ，並藉此，執行第一節點ND1 的電位之初始化及第二節點ND2 的電位之初始化的預先處理，使得第一節點ND1 及第二節點ND2 之間的電位差可以超過驅動電晶體TRD 的臨限電壓Vth 以及第二節點ND2 及設置在放射部ELP中的陰極電極之間的電位差不超過放射部ELP中的臨限電壓Vth-EL ；以及接著
(b-2)執行朝著藉由保持第一節點ND1 的電位時從第一節點ND1 之電位減掉驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 而得之電位來改變第二節點ND2 之電位的臨限電壓抵消處理。
在實施例1及其他實施例中之放射部ELP的驅動方法中，步驟(a)為藉由施加預定中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的該電位，施加第一節點初始化電壓至第一節點ND1 ，接著，浮置第一節點ND1 以將驅動電晶體TRD 保持在關閉狀態，以及從電源供應部100施加驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區之步驟。
第7圖中所示之[時期-TP(2)0 ]至[時期-TP(2)3 ]為在其中執行寫入處理之[時期-TP(2)4 ]時期之前的操作時期。此外在[時期-TP(2)0 ]至[時期-TP(2)4 ]中，第(n、m)個有機EL顯示元件10處於非放射狀態中。如第7圖中所示，不單是[時期-TP(2)4 ]，[時期-TP(2)1 ]及[時期-TP(2)3 ]亦含在第m個水平掃瞄時期Hm 中。
為了方便說明，[時期-TP(2)1 ]的開始與第m個水平掃瞄時期Hm 中之初始化時期(其中在第7圖中之資料線DTL的電位為V0fs 的時期，且此亦適用於其他水平掃瞄時期)的開始相符。類似地，[時期-TP(2)2 ]的末端與水平掃瞄時期Hm 中之初始化時期的末端相符。此外，[時期-TP(2)3 ]之開始與水平掃瞄時期Hm 中之視頻信號時期(其中在第7圖中之資料線DTL的電位為Vsig_m 的時期，其容後詳述)的開始相符。
此外，[時期-TP(2)4 ]的末端與水平掃瞄時期Hm 中之視頻信號時期的末端相符。
如下，首先說明[時期-TP(2)0 ]至[時期-TP(2)4 ]的個別時期。
[時期-TP(2)0 ](參見第7及8A圖)
[時期-TP(2)0 ]係用於例如為從前一顯示訊框至目前顯示訊框的操作。換言之，[時期-TP(2)0 ]為從前一顯示訊框中的第(m+m')個水平掃瞄時期的開始至目前顯示訊框中之第(m-1)個水平掃瞄時期的時期。此外，在[時期-TP(2)0 ]中，第(n、m)個有機EL顯示元件10係在非放射狀態中。在[時期-TP(2)0 ]之開始(未圖示)，執行將於後說明之[時期-TP(2)6A ]中所述的操作。
從電源供應部100供應驅動電壓VCC-H (20伏特)至驅動電晶體TRD 之一源極/汲極區。然而，第一節點ND1 之電位(驅動電晶體TRD 之閘極電極)為V0fs (零伏特)，且第二節點ND2 之電位為VCC-M (2伏特)。依此，第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間的電位差不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。此外，驅動電晶體TRD 之閘極電極與作為源極區之另一源極/汲極區間的電位差Vgs 不超過驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 。第(n、m)個有機EL顯示元件10係在非放射狀態中。
[時期-TP(2)1 ](參見第7及8B圖)
接著，在目前顯示訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 開始。在[時期-TP(2)1 ]中，執行上述步驟(b-1)。
在實施例1中，從電源供應部100經由驅動電晶體TRD 施加第二節點初始化電壓VCC-L 至第二節點ND2 ，並經由被來自掃瞄線SCL的信號轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW 從資料線DTL施加第一節點初始化電壓V0fs 至第一節點ND1 。
詳言之，在[時期-TP(2)1 ]之開始，掃瞄線SCL轉換至高位準並將寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。從信號輸出電路102供應至資料線DTL之電壓為V0fs (初始化時期)。結果為，第一節點ND1 的電位為V0fs (零伏特)。此外，將來自電源供應部100之電壓從驅動電壓VCC-H 切換至第二節點初始化電壓VCC-L (-10伏特)。由於驅動電晶體TRD 之閘極電極與作為源極區之一源極/汲極區之間的電位差Vgs 超過驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth ，從電源供應部100經由驅動電晶體TRD 供應第二節點初始化電壓VCC-L 至第二節點ND2 。
由於第一節點ND1 與第二節點ND2 之間的電位差為10伏特且驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 為3伏特，驅動電晶體TRD 處於啟通狀態。第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間的電位差為-10伏特且不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。藉此，完成初始化第一節點ND1 之電位及第二節點ND2 之電位的預先處理。
[時期-TP(2)2 ](參見第7及8C圖)
在[時期-TP(2)2 ]中，執行上述步驟(b-2)。
在實施例1中，經由被來自掃瞄線SCL的信號轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，維持其中從資料線DTL施加第一節點初始化電壓V0fs 至第一節點ND1 的情況，並藉此，保持第一節點ND1 的電位。此外，從電源供應部100施加驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區，並藉此，朝著藉由從第一節點ND1 之該電位減掉驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 而得之電位改變該第二節點ND2 的電位。
[時期-TP(2)2 ]之操作與藉由參照第4及5C圖所述之[時期-TP(2)2 ']中之操作相同，並省略說明。在[時期-TP(2)2 ]中，第二節點ND2 的電位亦最終變成(V0fs -Vth )。亦即，第二節點ND2 的電位僅取決於驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 及用於初始化驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位之電壓V0fs ，但與放射部ELP臨限電壓Vth-EL 不相干。
[時期-TP(2)3 ](參見第7及8D圖)
在[時期-TP(2)3 ]之開始，藉由來自掃瞄線SCL的信號使寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。此外，將供應至資料線DTL的電壓從第一節點初始化電壓V0fs 切換至視頻信號Vsig_m (視頻信號時期)。
[時期-TP(2)3 ]之操作與藉由參照第4及5D圖所述之[時期-TP(2)3 ']中之操作相同。若在步驟(b-2)驅動電晶體TRD 已經到達關閉狀態，第一節點ND1 及第二節點ND2 之電位實質上不改變。注意到若在步驟(b-2)驅動電晶體TRD 尚未到達關閉狀態，在[時期-TP(2)3 ]中會發生自舉升壓操作，且第一節點ND1 及第二節點ND2 之電位實變得稍高。
[時期-TP(2)4 ](參見第7及8E圖)
在此時期內，執行上述步驟(b)。藉由來自掃瞄線SCL的信號使寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。此外，經由寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應視頻信號Vsig_m 至第一節點ND1 。
[時期-TP(2)4 ]之操作與藉由參照第4及5E圖所述之[時期-TP(2)4 ']中之操作相同，且省略說明。驅動電晶體TRD 之閘極電極與作為源極區的另一源極/汲極區間的電位差Vgs 係由上述式子(4)所提供。
[時期-TP(2)5 ](參見第7及8F圖)
經由上述操作，完成步驟(b-1)至步驟(b)。接著，在[時期-TP(2)5 ]中，執行上述步驟(c)及步驟(d)。
[時期-TP(2)5 ]之操作與藉由參照第4及5F圖所述之[時期-TP(2)5 ]中之操作相同。當維持其中從電源供應部100供應電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區之情況時，掃瞄線SCL根據掃瞄電路101的操作而轉換至低位準、寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態且第一節點ND1 ，亦即驅動電晶體TRD 之閘極電極，為浮置。
第二節點ND2 的電位上升並且在驅動電晶體TRD 之閘極電極中發生與自舉升壓電路中相同的現象，且第一節點ND1 的電位亦上升。第二節點ND2 的電位升高並超過(Vth-EL +Vcat )，且藉此，放射部ELP開始發光。流動在放射部ELP中之電流為從驅動電晶體TRD 之汲極區流至源極區的汲極電流Ids ，且以式子(5)表示。有機EL顯示元件10轉換至放射狀態中並維持此狀態直到在第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 之前。
在顯示在第7圖中之[時期-TP(2)+1 ]及後續的時期中，重複執行上述步驟(b-1)至步驟(d)。例如，在[時期-TP(2)+1 ]中，執行下一步驟(b-1)。在實施例1之驅動方法中，在步驟(d)及下一步驟(b-1)之間，詳言之，在第7圖中所示之[時期-TP(2)6A ]至[時期-TP(2)6C ]中，執行上述步驟(a)。[時期-TP(2)6A ]之開始及[時期-TP(2)6B ]的末端分別對應至第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 中之初始化時期的開始及末端。[時期-TP(2)6C ]之開始對應至第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 中之視頻信號時期的開始。
在實施例1中，藉由施加預定中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，使得第二節點ND2 之電位可高於在步驟(b-1)之第二節點ND2 的電位(詳言之，VCC-L )且第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間的電位差不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。接著，在從電源供應部100供應驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區時驅動電晶體TRD 係保持在關閉狀態中。
詳言之，經由驅動電晶體TRD ，從電源供應部100施加中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 ，並接著，將電源供應部100之電壓從中間電壓VCC-M 切換至驅動電壓VCC-H 。此外，經由被來自掃瞄線SCL之信號轉換至啟通狀態的寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一節點初始化電壓VOfs 至第一節點ND1 ，並接著，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。如下述，說明從[時期-TP(2)6A ]至[時期-TP(2)6C ]之操作。
[時期-TP(2)6A ](參見第7及9A圖)
在[時期-TP(2)6A ]之開始，將電源供應部100之電壓從驅動電壓VCC-H 切換至中間電壓VCC-M (2伏特)。從電源供應部100經由驅動電晶體TRD 供應中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 。第二節點ND2 的電位變成VCC-M 。有機EL顯示元件10轉換至非放射狀態中。根據第二節點ND2 之電位改變，第一節點ND1 的電位變成較低。
[時期-TP(2)6B ](參見第7及9B圖)
當電源供應部100之電壓維持在中間電壓VCC-M 時，在[時期-TP(2)6B ]之開始，掃瞄線SCL轉換至高位準，且寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。經由轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一節點初始化電壓V0fs 至第一節點ND1 。藉此，驅動電晶體TRD 之閘極電極與該源極/汲極區之間的電位差Vgs 變成小於驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth ，並因此，驅動電晶體TRD 轉換至關閉狀態。接著，在[時期-TP(2)6B ]之末端，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。驅動電晶體TRD 維持關閉狀態。
[時期-TP(2)6C ](參見第7及9C圖)
在[時期-TP(2)6C ]的開始，將電源供應部100之電壓從中間電壓VCC-M 切換至驅動電壓VCC-H 。驅動電晶體TRD 維持關閉狀態。此狀態維持直到[時期-TP(2)+1 ]之前。有機EL顯示元件10亦維持非放射狀態。
接著，如第7圖中所示，在[時期-TP(2)+1 ]及後續的時期中，重複執行在上述[時期-TP(2)1 ]至[時期-TP(2)6C ]中所述之相同步驟。[時期-TP(2)+1 ]之開始對應至下一訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 。
在藉由參照第7圖所述之實施例1的驅動方法中，放射時期為[時期-TP(2)5 ]，且非放射時期的大部分係由[時期-TP(2)6C ]所佔據。如同上述參考實例之驅動方法，在實施例1之驅動方法中，在放射時期中之驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位亦高於源極/汲極區之間的通道形成區之電位。
然而，在實施例1之驅動方法中，在佔據非放射時期的大部分之[時期-TP(2)6C ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs (零伏特)、一源極/汲極區的電位為VCC-H (20伏特)且另一源極/汲極區的電位為VCC-M (2伏特)。亦即，在非放射時期中之驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位低於源極/汲極區之間的通道形成區的電位。
如上述，在實施例1之驅動方法中，驅動電晶體TRD 之閘極電極與通道形成區之間的電位關係在放射時期與非放射時期之間為相反，且減少因時間改變所造成之朝增進側之位移的傾向。此外，在步驟(a)，藉由施加預定中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，並因此，從步驟(d)移至步驟(a)的時間可變得更短，且甚至在具有短掃瞄時期之顯示裝置中可毫無問題地驅動放射部ELP。
[實施例2]
實施例2亦關於有機電致發光放射部之驅動方法。實施例2為實施例1的修改例。
在實施例2之驅動方法中，亦執行在實施例1中所示之步驟(b-1)至步驟(a)。注意到實施例2之驅動方法的不同之處在於，在初始化時期中，信號輸出電路102施加第一初始化電壓至資料線DTL作為第一節點初始化電壓，並接著，取代第一初始化電壓，施加比第一初始化電壓更低的第二初始化電壓至資料線DTL作為第一節點初始化電壓。
在下列說明中，電壓值為如下，然而，這些值僅為例示性，而非限制至這些值。此亦適用於後述之其他實施例。
V0fs1 ：第一初始化電壓，零伏特
V0fs2 ：第二初始化電壓，-2伏特
將說明實施例2的驅動方法。第10圖示意性顯示根據實施例2之放射部ELP的驅動時序圖，且第11A至11F圖及第12A至12E圖示意性顯示個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
為了方便說明，第10圖中所示之[時期-TP(2)1 ]之開始與第m個水平掃瞄時期Hm 中之初始化時期(其中在第10圖中資料線DTL的電位為V0fs1 或V0fs2 的時期)的開始相符。類似地，[時期-TP(2)3A ]的末端與水平掃瞄時期Hm 中之初始化時期的末端相符。此外，[時期-TP(2)3B ]之開始與水平掃瞄時期Hm 中之視頻信號時期(其中在第10圖中之資料線DTL的電位為Vsig_m 的時期，其容後詳述)的開始相符。
此外，在水平掃瞄時期Hm 中之初始化時期中，其中信號輸出電路102施加第一初始化電壓V0fs1 至資料線DTL作為第一節點初始化電壓的時期與從[時期-TP(2)1 ]的開始至[時期-TP(2)2 ]的末端之時期相符。類似地，其中信號輸出電路102施加第二初始化電壓V0fs2 至資料線DTL作為第一節點初始化電壓的時期與[時期-TP(2)3A ]相符。
另外，[時期-TP(2)4 ]的末端與第m個水平掃瞄時期Hm 中之視頻信號時期的末端相符。
[時期-TP(2)0 ](參見第10及11A圖)
此時期之操作與藉由參照第7及8A圖實施例1中所述之[時期-TP(2)0 ]中的操作相同，且省略說明。
[時期-TP(2)1 ](參見第10及11B圖)
接著，目前訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 開始。在[時期-TP(2)1 ]中，執行步驟(b-1)，亦即上述預先處理。此時期之操作實質上與藉由參照第7及8B圖實施例1中所述之[時期-TP(2)1 ]中的操作相同。
亦即，在[時期-TP(2)1 ]之開始，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態，並經由在啟通狀態中之寫入電晶體TRW 從資料線DTL施加第一初始化電壓V0fs1 作為第一節點初始化電壓至第一節點ND1 以初始化第一節點ND1 的電位。此外，從電源供應部100施加第二節點ND2 電壓VCC-L 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區並初始化第二節點ND2 的電位。藉此，完成初始化第一節點ND1 的電位及第二節點ND2 的電位之預先處理。
[時期-TP(2)2 ](參見第10及11C圖)
在[時期-TP(2)2 ]中，執行上述步驟(b-2)。
在實施例2中，如同在實施例1的情況中，經由被來自掃瞄線SCL的信號轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，維持其中從資料線DTL施加第一初始化電壓V0fs1 至第一節點ND1 的情況，並藉此，保持第一節點ND1 的電位。此外，從電源供應部100施加驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區，並藉此，朝著藉由從第一節點ND1 之該電位減掉驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 而得之電位來改變該第二節點ND2 的電位。
此時期之操作實質上與藉由參照第7及8C圖實施例1中所述之[時期-TP(2)2 ]中的操作相同，且省略說明。第二節點ND2 的電位亦最終變成(V0fs1 -Vth )。
[時期-TP(2)3A ](參見第10及11D圖)
在[時期-TP(2)3A ]之開始，藉由來自掃瞄線SCL的信號使寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。此外，將供應至資料線DTL的電壓從第一初始化電壓V0fs1 切換至第二初始化電壓V0fs2 。若在步驟(b-2)驅動電晶體TRD 已經足以到達關閉狀態，可忽略寄生電容及類似者的影響，第一節點ND1 及第二節點ND2 之電位實質上為不變。
[時期-TP(2)3B ](參見第10及11E圖)
在[時期-TP(2)3B ]之開始，將供應至資料線DTL的電壓從第二初始化電壓V0fs2 切換至視頻信號Vsig_m (視頻信號時期)。此外，維持寫入電晶體TRW 之關閉狀態。第一節點ND1 及第二節點ND2 之電位實質上為不變。
[時期-TP(2)4 ](參見第10及11F圖)
在此時期內，執行上述步驟(b)。藉由來自掃瞄線SCL的信號使寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。此外，經由寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應視頻信號Vsig_m 至第一節點ND1 。
此時期之操作實質上與藉由參照第7及8E圖所述之[時期-TP(2)4 ]中的操作相同，且省略說明。驅動電晶體TRD 之閘極電極與作為源極區的另一源極/汲極區間的電位差Vgs 係由上述式子(4)所提供。
[時期-TP(2)5 ](參見第10及12A圖)
經由上述操作，完成步驟(b-1)至步驟(b)。接著，在[時期-TP(2)5 ]中，執行上述步驟(c)及步驟(d)。
此時期之操作實質上與藉由參照第7及8F圖所述之[時期-TP(2)4 ]中的操作相同，且省略說明。放射部ELP開始發光。流動在放射部ELP中之電流為從驅動電晶體TRD 之汲極區流至源極區的汲極電流Ids ，且以式子(5)表示。有機EL顯示元件10轉換至放射狀態中並維持此狀態直到在第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 之前。
如同在實施例1中所示的情況中般，在顯示在第10圖中之[時期-TP(2)+1 ]及後續的時期中，重複執行上述步驟(b-1)至步驟(d)。例如，在[時期-TP(2)+1 ]中，執行下一步驟(b-1)。在實施例2之驅動方法中，在步驟(d)及下一步驟(b-1)之間，詳言之，在第10圖中所示之[時期-TP(2)6A ]至[時期-TP(2)6C ]中，執行上述步驟(a)。[時期-TP(2)6A ]之開始及[時期-TP(2)6C ]的末端分別對應至第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 中之初始化時期的開始及末端。[時期-TP(2)6D ]之開始對應至第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 中之視頻信號時期的開始。
在實施例2中，藉由施加預定中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，使得第二節點ND2 之電位可高於在步驟(b-1)之第二節點ND2 的電位(詳言之，VCC-L )且第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間的電位差不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。接著，在從電源供應部100供應驅動電壓VCC-H 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區時驅動電晶體TRD 係保持在關閉狀態中。
詳言之，經由驅動電晶體TRD ，從電源供應部100施加中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 ，並接著，將電源供應部100之電壓從中間電壓VCC-M 切換至驅動電壓VCC-H 。此外，經由被來自掃瞄線SCL之信號轉換至啟通狀態的寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一初始化電壓V0fs1 及第二初始化電壓V0fs2 作為第一節點初始化電壓至第一節點ND1 ，並接著，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。如下述，說明從[時期-TP(2)6A ]至[時期-TP(2)6D ]之操作。
[時期-TP(2)6A ](參見第10及12B圖)
在[時期-TP(2)6A ]之開始，將電源供應部100之電壓從驅動電壓VCC-H 切換至中間電壓VCC-M (2伏特)。從電源供應部100經由驅動電晶體TRD 供應中間電壓VCC-M 至第二節點ND2 。第二節點ND2 的電位變成VCC-M 。有機EL顯示元件10轉換至非放射狀態中。根據第二節點ND2 之電位改變，第一節點ND1 的電位變成較低。
[時期-TP(2)6B ](參見第10及12C圖)
當電源供應部100之電壓維持在中間電壓VCC-M 時，在[時期-TP(2)6B ]之開始，掃瞄線SCL轉換至高位準，且寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。經由轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一初始化電壓V0fs1 (零伏特)至第一節點ND1 。藉此，驅動電晶體TRD 之閘極電極與該源極/汲極區之間的電位差Vgs 變成小於驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth ，並因此，驅動電晶體TRD 轉換至關閉狀態。接著，寫入電晶體TRW 之啟通狀態維持至下一個[時期-TP(2)6C ]的末端。
[時期-TP(2)6C ](參見第10及12D圖)
在[時期-TP(2)6C ]的開始，經由轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第二初始化電壓V0fs2 (-2伏特)至第一節點ND1 。第一節點ND1 之電位從V0fs1 改變至V0fs2 。驅動電晶體TRD 維持在關閉狀態。
[時期-TP(2)6D ](參見第10及12E圖)
在[時期-TP(2)6D ]的開始，將電源供應部100之電壓從中間電壓VCC-M 切換至驅動電壓VCC-H 。驅動電晶體TRD 維持關閉狀態。此狀態維持直到[時期-TP(2)+1 ]之前。有機EL顯示元件10亦維持非放射狀態。
接著，如第10圖中所示，在[時期-TP(2)+1 ]及後續的時期中，重複執行在上述[時期-TP(2)1 ]至[時期-TP(2)6D ]中所述之相同步驟。[時期-TP(2)+1 ]之開始對應至下一訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 之開始。
在實施例2的驅動方法中，放射時期為[時期-TP(2)5 ]，且非放射時期的大部分係由[時期-TP(2)6D ]所佔據。在放射時期中之驅動電晶體TRD 的閘極電極之電位亦高於源極/汲極區之間的通道形成區之電位。然而，在佔據非放射時期的大部分之[時期-TP(2)6D ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs2 (-2伏特)、一源極/汲極區的電位為VCC-H (20伏特)且另一源極/汲極區的電位為VCC-M (2伏特)。亦即，在非放射時期中之驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位低於源極/汲極區之間的通道形成區的電位。
在實施例2之驅動方法中，驅動電晶體TRD 之閘極電極與通道形成區之間的電位關係在放射時期與非放射時期之間亦為相反，且減少因時間改變所造成之朝增進側之位移的傾向。
在實施例1之驅動方法中，於第7圖中所示之[時期-TP(2)6C ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs (零伏特)。另一方面，在實施例2之驅動方法中，在佔據非放射時期的大部分之[時期-TP(2)6D ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs2 (-2伏特)。亦即，與實施例1之驅動方法相比，可將在非放射時期中之驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位變成比源極/汲極區之間的通道形成區的電位更低。因此，進一步減少因時間改變所造成之朝增進側之位移的傾向。
[實施例3]
實施例3亦關於有機電致發光放射部之驅動方法。在實施例3中，驅動電路11包括三電晶體/一電容部(3Tr/1C驅動電路)。第13圖為根據實施例3之有機EL顯示裝置的概念圖，且第14圖為包括驅動電路11之有機EL顯示元件10的等效電路圖。
首先說明驅動電路及放射部的細節。
如同上述2Tr/1C驅動電路，3Tr/1C驅動電路包括寫入電晶體TRW 及驅動電晶體TRD 的兩電晶體，且進一步包括一電容部C1 。此外，3Tr/1C驅動電路進一步包括第一電晶體TR1 。
[驅動電晶體TRD ]
此驅動電晶體TRD 之組態與實施例1中所述之驅動電晶體TRD 的組態相同，且省略詳細說明。注意到，在實施例1中，藉由從電源供應部100施加電壓VCC-L 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區來初始化第二節點ND2 的電位。另一方面，在實施例3中，如後述，使用第一電晶體TR1 來初始化第二節點ND2 的電位。因此，在實施例3中，針對第二節點ND2 的電位之初始化，無需從電源供應部100施加電壓VCC-L 。針對此，在實施例3中電源供應部100供應恆定電壓VCC 。
[寫入電晶體TRW ]
此寫入電晶體TRW 之組態與實施例1中所述之寫入電晶體TRW 的組態相同，且省略詳細說明。如同實施例1般，從信號輸出電路102經由資料線DTL，供應用於控制放射部ELP中之亮度的視頻信號(驅動信號、亮度信號)Vsig 以及另外第一節點初始化電壓V0fs 至一源極/汲極區。
[第一電晶體TR1 ]
在第一電晶體TR1 中，
(C-1)另一源極/汲極區連接至該第二節點ND2 ，
(C-2)第二節點初始化電壓VSS-L 或中間電壓VSS-M 係施加至一源極/汲極區，以及
(C-3)閘極電極連接至第一電晶體控制線AZ1。於下說明電壓VSS-L 及電壓電壓VSS-M 。
不特別限定第一電晶體TR1 之導電類型。在實施例3中，第一電晶體TR1 包括例如n通道電晶體。由來自第一電晶體控制線AZ1之信號控制第一電晶體TR1 的啟通/關閉狀態。詳言之，第一電晶體控制線AZ1係連接至第一電晶體控制電路103。此外，根據第一電晶體控制電路103之操作，第一電晶體控制線AZ1轉換至低位準或高位準，且第一電晶體TR1 轉換至啟通狀態或關閉狀態中。第一電晶體TR1 之一源極/汲極區連接至電源供應線PS3。電源供應線PS3之一端連接至第二電源供應部104。根據第二電源供應部104之操作，適當地施加電壓VSS-L 或電壓VSS-M 至電源供應線PS3。
[放射部ELP]
此放射部ELP之組態與實施例1中所述之放射部ELP的組態相同，且省略詳細說明。
接下來，說明實施例3之驅動方法。
在下列說明中，如下設定電壓VCC 的值、電壓VSS-L 的值及電壓VSS-M 的值。然而，這些值僅為例示性，且不限於這些值。此亦適用於其他實施例，其容後敘述。
VCC ：用於在放射部ELP中流動電流之驅動電壓，20伏特
VSS-L ：用於初始化第二節點ND2 之電位的第二節點初始化電壓，-10伏特
VSS-M ：中間電壓，2伏特
第15圖示意性顯示根據實施例3之放射部ELP的驅動時序圖，且第16A至16F圖及第17A至17C圖示意性顯示個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
實施例3之驅動方法與實施例1之驅動方法主要不同之處在於電源供應部100施加恆定電壓VCC 且使用第一電晶體TR1 來初始化第二節點ND2 之電位。第15圖中所示之[時期-TP(3)0 ]至[時期-TP(3)+5 ]的個別時期對應至實施例1中所參照的第7圖中所示之[時期-TP(2)0 ]至[時期-TP(2)+5 ]的個別時期。
在實施例3之有機EL顯示裝置中，在個別水平掃瞄時期中，從信號輸出電路102施加第一節點初始化電壓V0fs 至資料線DTL，並接著，取代第一節點初始化電壓V0fs 地施加視頻信號Vsig 至資料線DTL。細節與實施例1中所述者相同。在個別水平掃瞄時期及[時期-TP(3)0 ]至[時期-TP(3)+5 ]的個別時期中之初始化時期及視頻信號時期之間的關係與相關於實施例1中第7圖中所示之[時期-TP(2)0 ]至[時期-TP(2)+5 ]所述者相同，並省略說明。
如下述，將說明[時期-TP(3)0 ]至[時期-TP(3)+5 ]的個別時期。
[時期-TP(3)0 ](參見第15及16A圖)
[時期-TP(3)0 ]係用於例如為從前一顯示訊框至目前顯示訊框的操作。換言之，[時期-TP(3)0 ]為從前一顯示訊框中的第(m+m')個水平掃瞄時期的開始至目前顯示訊框中之第(m-1)個水平掃瞄時期的時期。此外，在[時期-TP(3)0 ]中，第(n、m)個有機EL顯示元件10係在非放射狀態中。在[時期-TP(3)0 ]之開始(未圖示)，執行將於後說明之[時期-TP(3)6A ]及類似者中所述的操作。除了第一電晶體TR1 處於關閉狀態中外，此時期的操作實質上與實施例1中所述的[時期-TP(2)0 ]中的相同。
[時期-TP(3)1 ](參見第15及16B圖)
接著，在目前顯示訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 開始。在[時期-TP(3)1 ]中，執行上述步驟(b-1)。
在實施例3中，不如同實施例1般，經由被第一電晶體控制線AZ1轉換至啟通狀態的第一電晶體TR1 ，施加第二節點初始化電壓VSS-L 至第二節點ND2 。注意到，如同實施例1，經由被來自掃瞄線SCL的信號轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL施加第一節點初始化電壓V0fs 至第一節點ND1 。
詳言之，在[時期-TP(3)1 ]之開始，掃瞄線SCL轉換至高位準以將寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。從信號輸出電路102供應至資料線DTL之電壓為V0fs (初始化時期)。結果為，第一節點ND1 的電位為V0fs (零伏特)。此外，藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號將第一電晶體TR1 轉換至啟通狀態。經由在啟通狀態中之第一電晶體TR1 ，施加第二節點初始化電壓VSS-L 至第二節點ND2 。
並且經由驅動電晶體TRD 施加驅動電壓VCC 至第二節點ND2 。依此，第二節點ND2 之電位係由電壓VSS-L 及電壓VCC 、第一電晶體TR1 之啟通電阻的值及驅動電晶體TRD 之啟通電阻的值所決定。在此，若第一電晶體TR1 之啟通電阻的值夠低，第二節點ND2 之電位變成較低而幾乎成為VSS-L 。如下述，為了方便，將假設第二節點ND2 之電位為VSS-L 來進行說明。此外，第15圖顯示其中，當第一電晶體TR1 在啟通狀態時，第二節點ND2 之電位為VSS-L 之情況。此亦適用於第18圖，將在實施例4中參照。
由於第一節點ND1 與第二節點ND2 之間的電位差為10伏特且驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth 為3伏特，驅動電晶體TRD 處於啟通狀態。第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間的電位差為-10伏特且不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。藉此，完成初始化第一節點ND1 之電位及第二節點ND2 之電位的預先處理。
[時期-TP(3)2 ](參見第15及16C圖)
在[時期-TP(3)2 ]之開始，藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號使第一電晶體TR1 轉換至關閉狀態。直至[時期-TP(3)5 ]的開始，其將於後說明，維持第一電晶體TR1 之關閉狀態。
在[時期-TP(3)2 ]之中，執行上述步驟(b-2)。此時期之操作實質上與相關於實施例1中之[時期-TP(2)2 ]之所述的操作相同，且將省略說明。第16C圖對應至第8C圖。
[時期-TP(3)3 ](參見第15及16D圖)
在[時期-TP(3)3 ]之開始，藉由來自掃瞄線SCL的信號使寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。此外，將供應至資料線DTL的電壓從第一節點初始化電壓V0fs 切換至視頻信號Vsig_m (視頻信號時期)。此時期之操作實質上與相關於實施例1中之[時期-TP(2)3 ]之所述的操作相同，且將省略說明。第16D圖對應至第8D圖。
[時期-TP(3)4 ](參見第15及16E圖)
在此時期內，執行上述步驟(b)。藉由來自掃瞄線SCL的信號使寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。此外，經由寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應視頻信號Vsig_m 至第一節點ND1 。此時期之操作實質上與相關於實施例1中之[時期-TP(2)4 ]之所述的操作相同，且將省略說明。第16E圖對應至第8E圖。
[時期-TP(3)5 ](參見第15及16F圖)
經由上述操作，完成步驟(b-1)至步驟(b)。接著，在[時期-TP(3)5 ]中，執行上述步驟(c)及步驟(d)。此時期之操作實質上與相關於實施例1中之[時期-TP(2)5 ]之所述的操作相同，且將省略說明。第16F圖對應至第8F圖。
在顯示在第15圖中之[時期-TP(3)+1 ]及後續的時期中，重複執行上述步驟(b-1)至步驟(d)。例如，在[時期-TP(3)+1 ]中，執行下一步驟(b-1)。在實施例3之驅動方法中，在步驟(d)及下一步驟(b-1)之間，詳言之，在第15圖中所示之[時期-TP(3)6A ]至[時期-TP(3)6C ]中，執行上述步驟(a)。
同樣在實施例3中，藉由施加預定中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，使得第二節點ND2 之電位可高於在步驟(b-1)之第二節點ND2 的電位(詳言之，VSS-L )且第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間的電位差不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。接著，在從電源供應部100供應驅動電壓VCC 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區時驅動電晶體TRD 係保持在關閉狀態中。
詳言之，經由藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號而轉換至啟通狀態之第一電晶體TR1 ，施加中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 。此外，經由藉由來自掃瞄線SCL的信號而轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一節點初始化電壓V0fs 至第一節點ND1 ，並接著，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。如下述，說明從[時期-TP(3)6A ]至[時期-TP(3)6C ]之操作。
[時期-TP(3)6A ](參見第15及17A圖)
在[時期-TP(3)6A ]之開始，經由藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號而轉換至啟通狀態之第一電晶體TR1 ，施加中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 。直至後述之[時期-TP(3)6B ]的末端，維持第一電晶體TR1 之啟通狀態。
如同[時期-TP(3)1 ]中所述之情況般，亦經由驅動電晶體TRD 施加驅動電壓VCC 至第二節點ND2 。依此，第二節點ND2 之電位係由電壓VSS-M 及電壓VCC 、第一電晶體TR1 之啟通電阻的值及驅動電晶體TRD 之啟通電阻的值所決定。在此，若第一電晶體TR1 之啟通電阻的值夠低，第二節點ND2 之電位變成較低而幾乎成為VSS-M 。如下述，為了方便，將假設第二節點ND2 之電位為VSS-M 來進行說明。此外，第15圖顯示其中，當第一電晶體TR1 在啟通狀態時，第二節點ND2 之電位為VSS-M 之情況。此亦適用於第18圖，將在實施例4中參照。
第二節點ND2 之電位變成VSS-M 。有機EL顯示元件10轉換成非放射狀態。根據第二節點ND2 之電位改變，第一節點ND1 之電位變得較低。
[時期-TP(3)6B ](參見第15及17B圖)
在[時期-TP(3)6B ]之開始，掃瞄線SCL轉換至高位準，且寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。經由轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一節點初始化電壓V0fS 至第一節點ND1 。藉此，驅動電晶體TRD 之閘極電極與該源極/汲極區之間的電位差VgS 變成小於驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth ，並因此，驅動電晶體TRD 轉換至關閉狀態。
[時期-TP(3)6C ](參見第15及17C圖)
在[時期-TP(3)6C ]的開始，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態，且藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號將第一電晶體TR1 轉換至關閉狀態。驅動電晶體TRD 維持關閉狀態。此狀態維持直到[時期-TP(3)+1 ]之前。有機EL顯示元件10亦維持非放射狀態。
接著，如第15圖中所示，在[時期-TP(3)+1 ]及後續的時期中，重複執行在上述[時期-TP(3)1 ]至[時期-TP(3)6C ]中所述之相同步驟。[時期-TP(3)+1 ]之開始對應至下一訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 之開始。
在實施例3的驅動方法中，在佔據非放射時期的大部分之[時期-TP(3)6C ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs (零伏特)、一源極/汲極區的電位為VCC (20伏特)且另一源極/汲極區的電位為VSS-M (2伏特)。亦即，在非放射時期中之驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位低於源極/汲極區之間的通道形成區的電位。
因此，如同在實施例1之驅動方法中所說明的情況中般，驅動電晶體TRD 之閘極電極與通道形成區之間的電位關係在放射時期與非放射時期之間為相反，且減少因時間改變所造成之朝增進側之位移的傾向。此外，在步驟(a)，藉由施加預定中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，並因此，從步驟(d)移至步驟(a)的時間可變得更短，且甚至在具有短掃瞄時期之顯示裝置中可毫無問題地驅動放射部ELP。
[實施例4]
實施例4亦關於有機電致發光放射部之驅動方法。實施例4為實施例3的修改例且亦為實施例2的修改例。實施例4與實施例3的關係對應至實施例2與實施例1的關係。亦即，實施例4之不同處在於，在初始化時期中，信號輸出電路102施加第一初始化電壓V0fs1 至資料線DTL作為第一節點初始化電壓，並接著，取代第一初始化電壓，施加比第一初始化電壓更低的第二初始化電壓V0fs2 至資料線DTL作為第一節點初始化電壓。
根據實施例4之有機EL顯示裝置的概念圖與第13圖相同，且包括驅動電路11之有機EL顯示元件10的等效電路圖與第14圖相同。形成實施例4之顯示裝置的個別構成元件與實施例3中所述的相同，並省略說明。
第18圖示意性顯示根據實施例4之放射部ELP的驅動時序圖，且第19A至19E圖示意性顯示個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
實施例4之驅動方法與實施例2之驅動方法主要不同之處在於電源供應部100施加恆定電壓VCC 且使用第一電晶體TR1 來初始化第二節點ND2 之電位。第18圖中所示之[時期-TP(3)0 ]至[時期-TP(3)+5 ]的個別時期對應至實施例2中所參照的第10圖中所示之[時期-TP(2)0 ]至[時期-TP(2)+5 ]的個別時期。在個別水平掃瞄時期及[時期TP(3)0 ]至[時期-TP(3)+5 ]的個別時期中之初始化時期及視頻信號時期之間的關係與相關於實施例2中第10圖中所示之[時期-TP(2)0 ]至[時期-TP(2)+5 ]所述者相同，並省略說明。
[時期-TP(3)0 ](參見第18圖)
此時期之操作實質上與藉由參照實施例3中之第15及16A圖所述的操作相同，且省略說明。
[時期-TP(3)1 ](參見第18圖)
在目前顯示訊框中之第m個水平掃瞄時期Hm 開始。在[時期-TP(3)1 ]中，執行上述步驟(b-1)。此時期之操作實質上與藉由參照實施例3中之第15及16B圖所述的[時期-TP(3)1 ]之操作相同，其中將V0fs 讀取至V0fs1 中，且省略說明。
[時期-TP(3)2 ](參見第18圖)
在[時期-TP(3)2 ]之開始，藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號使第一電晶體TR1 轉換至關閉狀態。直至[時期-TP(3)5 ]的開始，其將於後說明，維持第一電晶體TR1 之關閉狀態。
第18圖中所示之[時期-TP(3)2 ]至[時期-TP(3)4 ]中的操作實質上與藉由參照實施例2中第10圖所述的[時期-TP(2)2 ]至[時期-TP(2)4 ]中的操作相同，除了第一電晶體TR1 係在關閉狀態中的差別之外，且省略說明。
[時期-TP(3)5 ](參見第18及19A圖)
經由上述操作，完成步驟(b-1)至步驟(b)。接著，在[時期-TP(3)5 ]中，執行上述步驟(c)及步驟(d)。此時期之操作實質上與藉由參照實施例2中第10圖所述的[時期-TP(2)5 ]中的操作相同，除了第一電晶體TR1 係在關閉狀態中的差別之外，且省略說明。放射部ELP開始發光。流動在放射部ELP中之電流為從驅動電晶體TRD 之汲極區流至源極區的汲極電流Ids ，且以式子(5)表示。有機EL顯示元件10轉換至放射狀態中並維持此狀態直到在第(m+m')個水平掃瞄時期Hm+m' 之前。
如同在實施例2中所示的情況中般，在顯示在第18圖中之[時期-TP(3)+1 ]及後續的時期中，重複執行上述步驟(b-1)至步驟(d)。例如，在[時期-TP(3)+1 ]中，執行下一步驟(b-1)。在實施例4之驅動方法中，在步驟(d)及下一步驟(b-1)之間，詳言之，在第18圖中所示之[時期-TP(3)6A ]至[時期-TP(3)6D ]中，執行上述步驟(a)。
同樣在實施例4中，藉由施加預定中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，使得第二節點ND2之電位可高於在步驟(b-1)之第二節點ND2 的電位(詳言之，VSS-L )且第二節點ND2 與設置在放射部ELP中之陰極電極間的電位差不超過放射部ELP的臨限電壓Vth-EL 。接著，在從電源供應部100供應驅動電壓VCC 至驅動電晶體TRD 的一源極/汲極區時驅動電晶體TRD 係保持在關閉狀態中。
詳言之，經由藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號而轉換至啟通狀態的第一電晶體TR1 ，施加中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 。此外，經由藉由來自掃瞄線SCL之信號轉換至啟通狀態的寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一初始化電壓V0fs1 及第二初始化電壓V0fs2 作為第一節點初始化電壓至第一節點ND1 ，並接著，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態。如下述，說明從[時期-TP(3)6A ]至[時期-TP(3)6D ]之操作。
[時期-TP(3)6A ](參見第18及19B圖)
在[時期-TP(3)6A ]之開始，藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號而將第一電晶體TR1 轉換至啟通狀態。經由第一電晶體TR1 施加中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 。第二節點ND2 的電位變成VSS-M 。有機EL顯示元件10轉換至非放射狀態中。根據第二節點ND2 之電位改變，第一節點ND1 的電位變成較低。
[時期-TP(3)6B ](參見第18及19C圖)
當維持第一電晶體TR1 之啟通狀態時，在[時期-TP(3)6B ]之開始，掃瞄線SCL轉換至高位準，且寫入電晶體TRW 轉換至啟通狀態。經由轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第一初始化電壓V0fs1 (零伏特)至第一節點ND1 。藉此，驅動電晶體TRD 之閘極電極與該源極/汲極區之間的電位差Vgs 變成小於驅動電晶體TRD 之臨限電壓Vth ，並因此，驅動電晶體TRD 轉換至關閉狀態。直至下一個[時期-TP(3)6C ]的末端，維持寫入電晶體TRW 之啟通狀態。
[時期-TP(3)6C ](參見第18及19D圖)
在[時期-TP(3)6C ]的開始，經由轉換至啟通狀態之寫入電晶體TRW ，從資料線DTL供應第二初始化電壓V0fs2 (-2伏特)至第一節點ND1 。第一節點ND1 之電位從V0fs1 改變至V0fs2 。驅動電晶體TRD 維持在關閉狀態。
[時期-TP(3)6D ](參見第18及19E圖)
在[時期-TP(3)6D ]的開始，藉由來自掃瞄線SCL的信號將寫入電晶體TRW 轉換至關閉狀態，且藉由來自第一電晶體控制線AZ1之信號將第一電晶體TR1 轉換至關閉狀態。驅動電晶體TRD 維持關閉狀態。此狀態維持直到[時期-TP(3)+1 ]之前。有機EL顯示元件10亦維持非放射狀態。
在實施例4的驅動方法中，在佔據非放射時期的大部分之[時期-TP(3)6D ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs2 (-2伏特)、一源極/汲極區的電位為VCC (20伏特)且另一源極/汲極區的電位為VSS-M (2伏特)。亦即，在非放射時期中之驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位低於源極/汲極區之間的通道形成區的電位。
因此，如同在實施例1之驅動方法中所說明的情況中般，驅動電晶體TRD 之閘極電極與通道形成區之間的電位關係在放射時期與非放射時期之間為相反，且減少因時間改變所造成之朝增進側之位移的傾向。此外，在步驟(a)，藉由施加預定中間電壓VSS-M 至第二節點ND2 來設定第二節點ND2 的電位，並因此，從步驟(d)移至步驟(a)的時間可變得更短，且甚至在具有短掃瞄時期之顯示裝置中可毫無問題地驅動放射部ELP。
在實施例3之驅動方法中，於第10圖中所示之[時期-TP(3)6C ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs (零伏特)。另一方面，在實施例4之驅動方法中，在佔據非放射時期的大部分之[時期-TP(3)6D ]中，驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位為V0fs2 (-2伏特)。亦即，與實施例3之驅動方法相比，可將在非放射時期中之驅動電晶體TRD 之閘極電極的電位變成比源極/汲極區之間的通道形成區的電位更低。因此，進一步減少因時間改變所造成之朝增進側之位移的傾向。
[實施例5]
實施例5亦關於有機電致發光放射部之驅動方法。實施例5為實施例3及實施例4之修改例。在實施例5中，驅動電路11包括四電晶體/一電容部(4Tr/1C驅動電路)。第20圖為根據實施例5之有機EL顯示裝置的概念圖，且第21圖為包括驅動電路11之有機EL顯示元件10的等效電路圖。
首先說明驅動電路的細節。
如同上述3Tr/1C驅動電路，4Tr/1C驅動電路包括寫入電晶體TRW 、驅動電晶體TRD 及第一電晶體TR1 的三電晶體，及一電容部C1 。此外，4Tr/1C驅動電路進一步包括第二電晶體TR2 。
[驅動電晶體TRD ]
此驅動電晶體TRD 之組態與實施例1中所述之驅動電晶體TRD 的組態相同，且省略詳細說明。如同在實施例3中所述之情況般，電源供應部100供應恆定電壓VCC 至驅動電晶體之一源極/汲極區。
[寫入電晶體TRW ]
此寫入電晶體TRW 之組態與實施例1中所述之寫入電晶體TRW 的組態相同，且省略詳細說明。
[第一電晶體TR1 ]
此第一電晶體TR1 之組態與實施例3中所述之第一電晶體TR1 的組態相同，且省略詳細說明。
實施例5之驅動電路11進一步包括第二電晶體TR2 ，且電源供應部100及驅動電晶體TRD 之一源極/汲極區經由第二電晶體TR2 連接在一起。此外，實施例5與實施例3及實施例4的不同之處在於，當第一電晶體TR1 處於啟通狀態時，第二電晶體TR2 處於關閉狀態中。
詳言之，在第二電晶體TR2 中，
(D-1)一源極/汲極區連接至電源供應部100，
(D-2)另一源極/汲極區連接至驅動電晶體TRD 之一源極/汲極區，以及
(D-3)閘極電極連接至第二電晶體控制線CL。第二電晶體控制線CL之末端連接至第二電晶體控制電路105。
在實施例3中，曾經說明當經由在啟通狀態中之第一電晶體TR1 施加第二節點初始化電壓VSS 至第二節點ND2 時，亦經由驅動電晶體TRD 施加驅動電壓VCC 至第二節點ND2 。在此情況中，會有經由驅動電晶體TRD 及第一電晶體TR1 流動之直通電流的問題。
依此，在實施例5中，當在如實施例3及實施例4中所示的操作中第一電晶體TR1 轉換至啟通狀態時，根據來自第二電晶體控制電路105之信號使第二電晶體TR2 轉換至關閉狀態。
舉例而言，第22A至22C圖示意性顯示當執行對應至實施例3中所參照之第15圖中所示的[時期-TP(3)0 ]至[時期-TP(3)2 ]之個別時期的操作時，個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
如上述，已相較於實施例3中之操作說明實施例5之操作，然而，此操作不限於此。同樣比較實施例4之操作，當第一電晶體TR1 處於啟通狀態時，藉由將第二電晶體TR2 轉換至關閉狀態而防止直通電流的流動。
如上述，已經說明本發明之較佳實施例，然而，本發明之較佳實施例不限於那些。有機EL顯示裝置、有機EL元件、形成驅動電路之各種構成元件及放射部的驅動方法中之步驟僅為實例，且可適當地加以改變。
在實施例1至實施例5中，電壓V0fs 及類似者係經由資料線DTL施加至第一節點ND1 。另一方面，例如，如第23圖中所示，電壓V0fs 及類似者可使用連接至第一節點ND1 之第三電晶體TR3 來施加至第一節點ND1 。
本申請案含有關於揭露在於2009年1月6日向日本專利局申請的日本專利申請案號JP 2009-000664中之標的，其全部內容以參考方式包含於此。
熟悉此技藝人士應了解到可根據設計需求及其他因素而做出各種修改、結合、子結合及替換而不背離所附之申請專利範圍或其等效者之範疇。
10．．．有機EL顯示元件
11．．．驅動電路
20．．．支撐件
21．．．基底
31．．．閘極電極
32．．．閘極絕緣層
33．．．半導體層
34．．．通道形成區
35．．．源極/汲極區
36．．．另一電極
37．．．一電極
38．．．電線
39．．．電線
40．．．層間絕緣層
51．．．陽極電極
52．．．層
53．．．陰極電極
54．．．第二層間絕緣層
55、56．．．接觸洞
100．．．電源供應部
101．．．掃瞄電路
102．．．信號輸出電路
103．．．第一電晶體控制電路
104．．．第二電源供應部
105．．．第二電晶體控制電路
AZ1．．．第一電晶體控制線
CL．．．第二電晶體控制線
C1 ．．．電容部
DTL．．．資料線
ELP．．．放射部
Ids ．．．汲極電流
ND1 ．．．第一節點
ND2 ．．．第二節點
PS1、PS2、PS3．．．電源供應線
TR1 ．．．第一電晶體
TRD ．．．驅動電晶體
TRW ．．．寫入電晶體
VCC-H ‧‧‧驅動電壓
VCC-L ‧‧‧第二節點初始化電壓
VCC-M ‧‧‧中間電壓
V0fs ‧‧‧第一節點初始化電壓
V0fs1 ‧‧‧第一初始化電壓
V0fs2 ‧‧‧第二初始化電壓
VSS-L ‧‧‧第二節點初始化電壓
VSS-M ‧‧‧中間電壓
Vsig ‧‧‧視頻信號
Vth ‧‧‧臨限電壓
Vth-EL ‧‧‧臨限電壓
第1圖為根據實施例1之有機電致發光顯示裝置的概念圖。
第2圖為包括驅動電路之有機電致發光顯示元件的等效電路圖。
第3圖為有機電致發光顯示裝置之示意性部分剖面圖。
第4圖為根據一參考實例之有機電致發光放射部的驅動時序圖之示意圖。
第5A至5F圖示意性顯示形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第6A及6B圖示意性顯示在第5F圖之後形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第7圖為根據實施例1之有機電致發光放射部的驅動時序圖之示意圖。
第8A至8F圖示意性顯示形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第9A及9C圖示意性顯示在第8F圖之後形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第10圖為根據實施例2之有機電致發光放射部的驅動時序圖之示意圖。
第11A至11F圖示意性顯示形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第12A及12E圖示意性顯示在第11F圖之後形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第13圖為根據實施例3之有機電致發光放射部的概念圖。
第14圖為包括驅動電路之有機電致發光顯示元件的等效電路圖。
第15圖為根據實施例3之有機電致發光放射部的驅動時序圖之示意圖。
第16A至16F圖示意性顯示形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第17A及17C圖示意性顯示在第16F圖之後形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第18圖為根據實施例4之有機電致發光放射部的驅動時序圖之示意圖。
第19A至19E圖示意性顯示形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第20圖為根據實施例5之有機電致發光顯示裝置的概念圖。
第21圖為包括驅動電路之有機電致發光顯示元件的等效電路圖。
第22A至22C圖示意性顯示形成有機電致發光顯示裝置的驅動電路之個別電晶體的啟通/關閉狀態等等。
第23圖為包括驅動電路之有機電致發光顯示元件的等效電路圖。

Claims (18)

  1. 一種具有驅動電晶體及顯示元件之顯示裝置的驅動方法，其中該驅動電晶體之第一電流電極係連接至電源供應線，而該驅動電晶體之第二電流電極係連接至該顯示元件之陽極電極，該方法包含下列步驟，於複數訊框週期中之影像訊框的顯示期間：在既定訊框週期之發光週期開始後且在下一訊框週期之發光週期開始前，藉由施加預定中間電壓至該陽極電極來設定該陽極電極的電位，使得該顯示元件的該陽極電極及該顯示元件的陰極電極之間的電位差不超過該顯示元件的臨限電壓；以及接著從一段時間週期將該驅動電晶體保持在關閉狀態中，該時間週期在當驅動電壓從該電源供應線被供應至該驅動電晶體之該第一電流電極時開始以及在當陽極初始化電壓被供應至該陽極時結束，在該時間週期期間從該電源供應線施加驅動電壓至該驅動電晶體的該第一電流電極，其中該中間電壓係高於該陽極初始化電壓，該陽極初始化電壓為足夠低以便停止該顯示元件之發光的電壓且被供應至該陽極以於發光週期之間初始化該陽極，且該中間電壓係低於該驅動電壓，該驅動電壓為產生該顯示元件中之發光的電壓。
  2. 一種有機電致發光放射部之驅動方法，使用包括寫 入電晶體、驅動電晶體及電容部的驅動電路，其中該驅動電晶體包含，(A-1)連接至電源供應線之第一電流電極，(A-2)連接至有機電致發光放射部之陽極電極並連接至該電容部的第一電極之第二電流電極，並形成第二節點，以及(A-3)連接至該寫入電晶體的第二電流電極且連接至該電容部的第二電極之閘極電極，並形成第一節點，其中該寫入電晶體包含，(B-1)連接至資料線之第一電流電極，以及(B-2)連接至掃瞄線之閘極電極，該方法包含下列步驟，於複數訊框週期中之影像訊框的顯示期間：(a)在既定訊框週期之發光週期開始後且在下一訊框週期之發光週期開始前，藉由施加預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的電位，使得該第二節點及設置在該有機電致發光放射部中的陰極電極之間的電位差不超過該有機電致發光放射部中的臨限電壓，以及接著從一段時間週期將該驅動電晶體保持在關閉狀態中，該時間週期在當驅動電壓從該電源供應線被供應至該驅動電晶體之該第一電流電極時開始以及在當陽極初始化電壓被供應至該陽極時結束，在該時間週期期間從該電源供應線施加驅動電壓至該驅動電晶體的該第一電流電極，其中該中間電壓係高於該陽極初始化電壓，該陽極初 始化電壓為足夠低以便停止該顯示元件之發光的電壓且被供應至該陽極以於發光週期之間初始化該陽極，且該中間電壓係低於該驅動電壓，該驅動電壓為產生該顯示元件中之發光的電壓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，進一步包含下列步驟：(b)藉由從該資料線經由藉由來自該掃瞄線之信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體而施加視頻信號至該第一節點以執行寫入程序；接著(c)藉由來自該掃瞄線的該信號將該寫入電晶體轉換至關閉狀態，藉此造成該第一節點浮置；以及(d)從該電源供應線施加該驅動電壓至該驅動電晶體的該第一電流電極，並造成電流經由該驅動電晶體而流至該有機電致發光放射部，該電流之大小係由該第一節點及該第二節點之間的電位差之值來決定，其中重複地執行從步驟(b)至步驟(d)的一連串步驟於各訊框週期中並且在該既定訊框週期的該步驟(d)及後續訊框週期的該步驟(b)之間執行該既定訊框週期的該步驟(a)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，進一步包含，在該步驟(b)之前，下列步驟：(b-1)施加第一初始化電壓至該第一節點及陽極初始化電壓至該第二節點，並藉此，執行該第一節點的該電 位之初始化及該第二節點的該電位之初始化的預先處理，使得該第一節點及該第二節點之間的該電位差超過該驅動電晶體的該臨限電壓以及該第二節點及該有機電致發光放射部的陰極電極之間的該電位差不超過該有機電致發光放射部中的臨限電壓；以及接著(b-2)執行包含朝著藉由保持該第一節點的該電位於固定值時從該第一節點之該電位減掉該驅動電晶體之該臨限電壓而得之電位改變該第二節點之該電位的臨限電壓抵消處理。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中該步驟(a)進一步包含在設定該第二節點之該電位後施加該第一節點初始化電壓至該第一節點並接著造成該第一節點浮置在當該驅動電壓被施加至該驅動電晶體之該第一電流電極時。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中，在該步驟(a)，藉由從該電源供應線經由該驅動電晶體施加該預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的該電位。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中該驅動電路進一步包括第一電晶體，其中該第一電晶體包含，(C-1)連接至該第二節點之第一電流電極，以及(C-2)連接至第一電晶體控制線之閘極電極，以及其中在該步驟(a)， 藉由經由因來自該第一電晶體控制線的信號而轉換至啟通狀態之該第一電晶體施加該預定中間電壓至該第二節點來設定該第二節點的該電位。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中，在該步驟(a)，從該資料線經由因來自該掃瞄線的該信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體施加該第一初始化電壓至該第一節點。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中，在該步驟(b-1)，從該資料線經由因來自該掃瞄線的該信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體施加該第一節點初始化電壓至該第一節點。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中，在該步驟(b-1)，從該電源供應線經由該驅動電晶體經由該驅動電晶體而施加該陽極初始化電壓至該第二節點。
  11. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中該驅動電路進一步包括第一電晶體，其中該第一電晶體包含，(C-1)連接至該第二節點之第一電流電極，以及(C-2)連接至第一電晶體控制線之閘極電極，以及其中在該步驟(b-1)，經由因來自該第一電晶體控制線的信號而轉換至啟通狀態的該第一電晶體施加該陽極初始化電壓至該第二節點。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中，在該步驟(b-2)，保持其中從該資料線經由因來自該掃瞄線的該信號而轉換至啟通狀態之該寫入電晶體施加該第一初始化電壓至該第一節點的情況，並藉此，保持該第一節點的該電位。
  13. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中，在該步驟(b-2)，從該電源供應線施加該驅動電壓至該驅動電晶體的該第一電流電極，並藉此，朝藉由從該第一節點的該電位減掉該驅動電晶體之該臨限電壓而得之該電位改變該第二節點的該電位。
  14. 如申請專利範圍第5項所述之有機電致發光放射部的驅動方法，其中該步驟(a)進一步包含在施加該第一初始化電壓後及在造成該第一節點浮置前施加第二初始化電壓至該第一節點，其中該第二初始化電壓係低於該第一初始化電壓。
  15. 一種具有驅動電晶體及顯示元件的顯示裝置，包含：連接至電源供應線之該驅動電晶體的第一電流電極，以及連接至該顯示元件之陽極電極的第二電流電極，其中，於複數訊框週期中之影像訊框的顯示期間，在既定訊框週期之發光週期開始後且在下一訊框週期之發光週期開始前，藉由施加預定中間電壓至該陽極電極來設定 該陽極電極的電位，使得該顯示元件的該陽極電極及在該顯示元件的另一端之陰極電極之間的電位差不超過該顯示元件的臨限電壓；以及接著從一段時間週期該驅動電晶體在關閉狀態中，該時間週期在當驅動電壓從該電源供應線被供應至該驅動電晶體之該第一電流電極時開始以及在當陽極初始化電壓被供應至該陽極時結束，在該時間週期期間從該電源供應線施加驅動電壓至該驅動電晶體的該第一電流電極，其中該中間電壓係高於該陽極初始化電壓，該陽極初始化電壓為足夠低以便停止該顯示元件之發光的電壓且被供應至該陽極以於發光週期之間初始化該陽極，且該中間電壓係低於該驅動電壓，該驅動電壓為產生該顯示元件中之發光的電壓。
  16. 一種具有複數畫素之顯示裝置，該些複數畫素包括驅動電晶體、開關電晶體及顯示元件，其中該驅動電晶體係連接於電源供應線與該顯示元件的陽極電極之間以控制一供應至該顯示元件之電流，該開關電晶體係連接於該陽極電極與電位線之間，以及該顯示裝置組態成驅動該些複數畫素之至少一者以致，於一訊框週期內：在發光週期開始後，藉由將該開關電晶體設定於導電狀態，該陽極電極之電位被設定至中間電位，接著，從該驅動電晶體供應至該顯示元件之該電 流被切斷，且在下一發光週期開始前經由該開關電晶體以將低電位供應至該陽極電極。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該中間電位係高於該低電位，該低電位為足夠低以便停止該顯示元件之發光的電位，及其中該中間電位係低於驅動電位，該驅動電位為產生該顯示元件中之發光的電位。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中該中間電位為用以使介於該顯示元件的該陽極與陰極電極間之電位差的值小於該顯示元件之臨限電壓的電位。
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