TWI444581B - 坩堝及熔爐容量利用方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 claims description 2
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241001260012 Bursa Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009658 destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D7/00—Casting ingots, e.g. from ferrous metals
- B22D7/06—Ingot moulds or their manufacture
- B22D7/066—Manufacturing, repairing or reinforcing ingot moulds
- B22D7/068—Manufacturing, repairing or reinforcing ingot moulds characterised by the materials used therefor
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B14/00—Crucible or pot furnaces
- F27B14/08—Details peculiar to crucible or pot furnaces
- F27B14/10—Crucibles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D7/00—Casting ingots, e.g. from ferrous metals
- B22D7/06—Ingot moulds or their manufacture
- B22D7/08—Divided ingot moulds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
本發明係有關於坩鍋及熔爐容量利用方法。
某些材料自其液態固化或結晶化，當於缺乏會污染此材料或與其反應之某些氣體或其它外來物料時，有時會產生具有更一致結構品質之固體。例如，與坩鍋接觸或與其最接近之材料於固化時會受坩鍋或坩鍋之塗層污染；於固化完全後，此不純材料可自固體材料消除。藉由將此等村料固化成較大形狀，於此處理期間曝置於空氣或坩鍋或其它污染物之此材料的表面積可達最小，因此，藉由消除因污染而變不純之材料而浪費掉之材料可達最小。於另一例子，最後凝固(last-to-freeze)材料通常具有最高污染物濃度，可位於固化材料之表屇，且通常此等表面亦於固化材料使用前被消除。藉由具有較小之表面積對體積之比率，此廢料藉由使用較大形狀而達最小。較大規格之優點促進使用較大熔爐及較大坩鍋用以自熔融材料形成鑄錠，特別是形成鑄錠之所欲用途需要高品質之鑄錠時。
例如，因為製造用於生產太陽能電池之多結晶鑄錠之方法已被發明，具有愈來愈大之火爐、坩鍋，及鑄錠之趨勢。因為火爐變大，更大之坩鍋及鑄錠已被生產。具有較大鑄錠規格之經濟降低成本。較大鑄錠具有較少之供污染之表面積，且產生具有較少之受坩鍋及火爐氛圍污染及較少矽廢料之較佳品質之塊材。
現今標準係6”x 6”(156 mm x 156 mm)之塊材或晶圓，其係於鑄製後自鑄錠切下。於240公斤之火爐，16個塊材被製成一4 x 4之格柵(見第1表)。角落之塊材及側邊之塊材易形成較低品質之太陽能電池。此4 x 4格柵產生4個角落塊材，8個側邊塊材，及4個中央塊材。以450公斤之火爐，使用一5 x 5之格柵，且產生25個塊材(見第1表)。此產生4個角落塊材，12個側邊塊材，及9個中央塊材。因此，以每一坩鍋之塊材數量比率，較大之坩鍋產生具特定尺寸之更多中央塊材及較小之角落及側邊塊材，見，例如，第1表。
由240公斤之坩鍋過渡至450公斤之“巨大”坩鍋不會造成較大火爐由大部份火爐製造商製造。一般火爐內部及用以控制火爐之軟體經些微修改以容納較大坩鍋，其於尺寸係從約72 cm x 72 cm x 42 cm to變成88 x 88 x 42 cm。升級至下一尺寸之坩鍋會造成約103 cm x 103 cm x 42 cm之坩鍋尺寸，此由於較大坩鍋尺寸及方形之坩鍋而係難以裝入火爐內。當坩鍋高度增加，坩鍋之高度對寬度之比率亦可藉由增加長度及寬度而維持，但非僅單獨藉由增加高度。於未增加長度及寬度以增加每一批次之矽重量製造一較高坩鍋會製造一較低品質之鑄錠，因為當高度增長時係更難以維持鑄錠之底部至頂部之溫度梯度。
於圖式中，其無需依比例繪製，同樣之編號描述於此數個圖之實質上相似之組件。具有不同字母下標之同樣編號表示實質上相似組件之不同情況。此等圖式係以例示而非限制性地概略例示說明於本文件中探討之各種實施例。
第1圖顯示依據本發明一實施例之一32個156 mm x 156 mm塊材之坩鍋之頂視圖。
第2圖顯示於依據本發明一特別實施例之一坩鍋內之一32個156 mm x 156 mm塊材之鑄錠之頂視圖。
第3圖顯示依據本發明之一特別實施例之坩鍋100之側視圖。
本發明提供一種坩鍋及使用此坦鍋於生產鑄錠之有效率火爐容量利用之方法。此坩鍋包含一用於生產鑄錠之內部。此坩鍋亦包含一與生產鑄錠之火爐內部形狀約略相配之外部形狀。
本發明之實施例可提供一產生一批具整個較高品質之塊材之鑄錠。此坩鍋及方法亦可於一特定火爐內之單批次塊材產生比相似坩鍋及方法更多之塊材。鑄錠可為一矽鑄錠，且若用以製造太陽能電池，自此鑄錠衍生之塊材可產生更有效率之太陽能電池。
本發明提供一坩鍋，其含有一用以生產鑄錠之內部。此坩鍋含有一與生產鑄錠之火爐內部形狀約略相配之外部形狀。鑄錠亦含有數個塊材。另外，此數個塊材係呈一格柵而配置。與火爐內部形狀相配之坩鍋外部形狀能生產比使用一具有方形之坩鍋自此火爐產生之塊材數量更大之數量的塊材。再者，火爐之內部形狀具有約略圖形之形狀。坩鍋亦具有一含有約八個側邊之外周圍。另外，坩鍋之此八邊包含二組約略相對之具約相等長度之側邊。此外，坩鍋之八個側邊亦包含二組約相略相對之具約相等長度之較短側邊。另外，坩鍋之八個側邊係使得坩鍋之較長側邊與坩鍋之較短側邊呈交替。
本發明之方法提供一具有一用以生產鑄錠之內部之坩鍋之使用。此方法亦提供一具有一與生產鑄錠之火爐內部形狀約略相配之外部形狀之坩鍋之使用。於一特別實施例，藉由此方法生產之鑄錠係一矽鑄錠。
現將詳細參考本揭露請求標的之某些申請專利範圍，其範例係以附圖例示說明。雖然揭露之請求標的將結合列舉之申請專利範圍作說明，但需瞭解非意欲將揭露之請求標的限於此等申請專利範圍。相反地，揭露之請求標的係意欲涵蓋可包含於以申請專利範圍界定之現今揭露請求標的之範圍內之所有替換物、修改，及等效物。
說明書中提及“一個實施例”、“一實施例”、“一例示實施例”等係指所述之實施例可包含一特別之特徵、結構，或特性，但每一實施例可無需包含此特別之特徵、結構，或特性。再者，此等用辭無需指相同實施例。再者，當一特別之特徵、結構，或特性係描述有關於一實施例，係認為於熟習此項技藝者之認知內使此特徵、結構，或特性有關於其它實施例，無論其是否被明確描述。
於此文件中，除非其它指示，“一”或“一個”之用辭係用以包含一或多於一，且“或”之用辭係用以指非排它性之“或”。此外，亦需瞭解此間使用且非以其它方式定義之用辭或用語係用於僅為說明且非限制性之目的。再者，於此文件中提及之所有公開案、專利案，及專利文件係在完整此併入本案以為參考資料，其係彷彿被個別併入以為參考資料般。於此文件與併入以為參考資料之其等文件間不一致使用之情況，併入之參考資料中之使用需被認為係此文件之補充；對於不可調和之不一致性，此文件中之使用作主控。
於此間所述之製造方法，除非一當時或操作之順序被明確描述外，步驟係可以未偏離本發明之原則下以任何順序實行。於申請專利範圍中描述一步驟先被實施，然後數個其它步驟於其後實施，需被認為意指此第一步驟係於任何其它步驟前實施，但此等其它步驟可以任何適合順序實施，除非一順序於其它步驟內被進一步描述。例如，描述“步驟A、步驟B、步驟C、步驟D，及步驟E”之申請專利範圍元素需被解釋為意指步驟A係先進行，步驟E係最後進行，且步驟B、C，及D可於步驟A及E間以任何順序進行，且此順序仍茖於請求方法之字面範圍內。一特定步驟或次組合之步驟亦可被重複。
再者，特定之步驟可同時實行，除非明確之申請專利範圍語言描述此等係個別實行。例如，一進行X之請求步驟及一進行Y之請求步驟可於單一操作內同時進行，且形成之方法會落於請求方法之字面範圍內。
本發明之實施例係有關於一種於生產鑄錠有效率火爐容量使用之坩鍋及方法。坩鍋可含有一用於生產鑄錠之內部。此坩鍋可含有一與生產鑄錠之火爐內部形狀約略相配之外部形狀。此方法提供此坩鍋於生產鑄錠之使用。此方法亦提供一具有一與生產鑄錠之火爐內部形狀約略相配之外部形狀之坩鍋之使用。於一特別實施例，此方法提供使用一切割裝置自鑄錠生產塊材。鑄錠可使用一線鋸、帶鋸、圓形鋸或其它切割方法切成塊材。鑄錠可為矽。
本發明之裝置及方法可比其它裝置及方法更有效率使用火爐容量。藉由有效率地利用可使用之火爐空間，本發明之坩鍋及方法可於單批次塊材生產更多之塊材。藉由較佳利用可使用之火爐空間，可避免購買一較大火爐。依據本發明之坩鍋及方法亦可生產具較小比例的角落塊材之一批次之塊材。因為自鑄錠之角落切下之角落塊材可能具較低品質，本發明可提供具有整體較高品質之一批次之鑄錠。依據本發明之坩鍋及方法可達成高品質材料之改良的生產量。當此裝置及方法被用以產生用於太陽能電池之矽鑄錠，此等太陽能電池整體上可具有改良之電池效率。
於此使用時，“塊材”係指可為任何形狀之一鑄錠物件。一般，一塊材可為方形。
於此使用時，“側邊塊材”係指一可與一鑄錠之周邊共享一側邊之塊材。
於此使用時，“中央塊材”係指一未與一鑄錠之周邊贊享一側邊之塊材。
於此使用時，“角落塊材”係指一與一鑄錠之周邊共享二側邊之塊材。
於此使用時，“塗層”係指覆蓋另一材料之至少部份之一材料層，其中，此層可與其覆蓋之材料一樣厚、更厚，或更薄。
於此使用時，“埋頭式”係指一種安裝螺釘、螺栓，或相似硬體之方式，其中，一具有較寬周邊之次要錐形或半錐形孔洞係更接近於約略高於在一材料內之一具特定周邊之主要圓柱形孔洞之此材料的表面，使得此硬體不會突出於將其安裝於內之表面上，或使得此硬體突出於將其安裝於內之表面上係比無次要孔洞者更少。
於此使用時，“鎖口式”係指一種安裝一螺釘、螺栓，或相似硬體之方式，其中，一具有較寬周邊之次要圓柱形孔係更接近約略高於在一材料內之具特定周邊之一主要圓柱形孔洞之此材料的表面，使得此硬體不更突出將其安裝於內之表面上，或使得此硬體突出於將其安裝其內之表面上係比無次要孔洞者更少。
於此使用時，“坩鍋”係指一能容納熔融材料，能容納欲被熔化而變成熔融之材料，及能容納固化或結晶化時之熔融材料或此等之組合之容器。
於此使用時，“彎曲”係指經約略彎曲，或依循一約略之弧形，及不必完全彎曲之表面。於估算一表面是否彎曲，係考量平均，使得若整體上此表面係依循一約略之弧形，於某些部份(包含一部份)，數個部份，或於所有部份係依循一或多個直線之表面可為一彎曲表面。
於此使用時，“格柵”係指至少二塊材，此等塊材端緣之圖案一般係形成規則性間隔開之水平及垂直線之圖案。
於此使用時，“鑄錠”係指一固體或結晶性材料之塊材，或其等之組合物。
於此使用時，“內角”係指於二表面間形成之二角度之較小角度之角。
於此使用時，“平側邊”係指一約略呈直線，整體上係最小彎曲，且無需完全平的側邊。於估算直線度，係考量平均，使得一些微往復彎曲數次之側邊若整體上此側邊依循一約略直線則可為一平側邊。
於此使用時，“火爐”係指具有一用於加熱材料之隔室之機器、裝置、設備，或其它結構。
於此使用時，“火爐容量”係指火爐之隔室的體積。
於此使用時，“八邊形”係指一具有八個側邊之形狀或物件。
於此使用時，“周邊”係指一物件或形狀之外緣。
於此使用時，“圓形”係指不具有尖銳角落之形狀，例如，不具有90度角落之形狀。圓形可為正圓形或橢圓形。圓形可包含具有切圓之端緣的方形。
參考第1圖，係顯示依據某些實施例之坩鍋100之頂視圖。坩鍋100包含一用於生產鑄錠之內部102。參考第2圖，係顯示於坩鍋100內之一鑄錠200之頂視圖。鑄錠200可含有於熔融材料固化、結晶化，或其等之組合後被修剪掉之周邊201之部份。鑄錠200包含數個塊材202。塊材202可自鑄錠200使用一切割工具形成。鑄錠可包含矽。熔融材料可包含熔融之矽。塊材202係呈格柵配置於鑄錠200內。坩鍋100之外部形狀係與生產鑄錠之火爐內部形狀約略相配，此火爐可為一具有一具約略圓形之內部隔室的火爐。藉由與火爐之內部形狀約略相配，坩鍋100可將較大量之熔融材料裝配於火爐內，因此，可更有效率地利用火爐容量。藉由與約略呈圓形之火爐之內部形狀約略相配，坩鍋100可產生一提供比可自使用一方形坩鍋之火爐產生之塊材數量更大數量之塊材202之鑄錠200。與得自方形坩鍋之一鑄錠之格柵相比，於鑄錠200，相對於角落塊材百分率之側邊或中央塊材之百分率可為更大，且相對於中央塊材百分率之側邊塊材之百分率可被增加。見第2表。與一方形坩鍋相比時，得自坩鍋100之鑄錠200之角落塊材之百分率可被降低。
本發明之坩鍋含有塊材。此等塊材係於自坩鍋形成之鑄錠內結合在一起，因此，鑄錠包含塊材。於鑄造方法完成後，其等係藉由彼此切割開而變成個別之塊材。塊材可以一格柵圖案切割。切割可藉由此項技藝已知之任何適合的切割裝置為之。適合切割裝置之一例子係使用諸如鑽石之磨料或切割齒之鋸子，其係附接於一以連續迴路運轉之帶材。切割可包含以水冷卻，以避免刀刃過熱。適合切割裝置之另一例子係線鋸，其係使用具有冷卻流體及SiC砂礫之鋼線或以鑽石砂礫及冷卻流體塗覆之鋼線。
鑄錠之較佳品質的原因可能包含經固化或結晶化之材料接近坩鍋壁。坩鍋可以避免材料與坩鍋黏結之材料塗覆或含有此材料，而能輕易移除固體。雖然希望避免黏結，坩鍋之塗層或成份會擴散於熔融材料內，影響最接近坩鍋壁之固體材料的純度。因此，當較少之鑄錠接觸坩鍋壁，較少之材料受來自坩鍋之成份或塗層之擴散而污染。另外，坩鍋內之角落處的矽之頂表面會最後固化，且結晶化之最後凝固材料會含有最高程度之不純物。於使用鑄錠前，鑄錠之最後凝固部份可於使用前，例如，以一切割裝置移除。當較少之鑄錠接觸坩鍋壁，較少之因使用前需自鑄錠修整掉之材料被浪費掉。本發明包含具有較少角落之鑄錠，使得其等含有較少之與坩鍋周邊共享二端緣之塊材。本發明因此可產生較少百分率之較低品質的產物，且可造成較少廢料或較少之循環回收的矽。
再次參考第1圖，坩鍋100含有一含有八個側邊104及106之周邊。此八個側邊含有二組約略相對之具有約略相等長度之第一側邊104。此米個俱邊亦含有二組約略相對之具有約略相等長度之第二側邊106。坩鍋100之此八個側邊係相對應於自坩鍋100形成之鑄錠200之八個側邊，包含第一側邊204及第二側邊206。第一側邊104及第二側邊106係約略呈平坦。第一側邊104係比第二側邊106更長。第一側邊104係與第二側邊106呈交替。於一特別實施例，坩鍋100之高度可比其它坩鍋高2-20公分，此能容許與36個塊材之750公斤的方形坩鍋能容納之相同量的矽。一般，於本發明，坩鍋之高度可為較高，使得，例如，諸如較低密度之矽的較低密度材料可被具經濟性地使用，使得更多之材料可裝填於坩鍋內。
於一特別實施例，第一側邊204可為約24.00英吋。第二側邊206可為約11.14英吋。塊材202之尺寸可為6.00英吋×6.00英吋。坩鍋側邊之厚度可為0.67英吋。自鑄錠200之側邊移除之材料的厚度可為1.88英吋。
參考第3圖，係顯示一特別實施例之坩鍋100之側視圖。坩鍋寬度308可為41.00英吋。坩鍋高度306可為18.00英吋。側邊302可為0.67英吋厚。坩鍋可具有一低部304。
坩鍋可含有約略相同長度之第一側邊及第二側邊。坩鍋可含有經彎曲或含有彎曲之第一側邊，且坩鍋可獨立地含有經彎曲或含有彎曲之第二側邊。因此，坩鍋可含有經彎曲之第一側邊，及約略為直的第二側邊，坩鍋亦可含有經彎曲之第二側邊，及約略為直的第一側邊。一側邊之彎曲可含有數個一起形成一弧形或形成多於一個弧之約呈平的表面。一側邊之彎曲可含有單一彎曲。一側邊之彎曲可含有數個一起形成一弧形或形成多於一個弧之經彎曲的表面。
此設計可包含一於其內具有四個坩鍋之火爐，且每一坩鍋僅一角落降低面積。
本發明之坩鍋可自矽石、SiC、石英、石墨、Si3
N4
，或一其等之組合物製成或含有此等物。成份或塗層之選擇可包含，例如，非黏結性質，與耐加熱性質。坩鍋可包含一含有Si3
N4
、石墨，或SiO2
之塗層，其可部份、完全，或以其間之任何程度塗覆此坩鍋。坩鍋可於周邊所含之側邊間含有約110-160度之內角。坩鍋可於周邊所含之側邊間含有約125-145度之內角。坩鍋亦可含有經彎曲之外或內角落及端緣。
本發明提供一種一具有一內部形狀之坩鍋用於生產鑄錠之方法，其包含如上所述之坩鍋，其中，坩鍋之外部形狀係與一生產鑄錠之火爐之內部形狀約略相配。火爐之內部形狀可約略為圓形。火爐之內部形狀可經修改以裝配此坩鍋。
於一特別實施例，坩鍋之尺寸係使得此方法可自一25個156 mm x 156 mm之塊材的450公斤火爐產生32個156 mm x 156 mm之塊材。於另一實施例，此等尺寸係使得此方法可自一25個塊材之450公斤鑄錠的火爐生產21個180 mm x 180 mm之塊材。
本發明可提供一種改良高品質材料的生產量之方法。本發明可提供一種有效率且成本上有效之品質控制形成的鑄錠之方法。參考第2圖所述之特別實施例，額外之4個半塊材203可用於破壞性及非破壞性之測試，以改良品質及加速晶圓製造之生產量。僅測量4個角落塊材203，而非全部之塊材202，可節省時間及相關成本，包含：節省測量時間，節省進行測量後清理塊材所需之時間，及節省於測量後進行塊材切割前清理塊材所需之時間。此可助於較高生產量，同時維持所需之材料品質。
下列測量被包含於可被進行以助於控制產生材料的品質之測量：a)測量塊材上之軸向(底部至頂部)電阻分佈，其係藉由b)繪製重組壽命圖(底部至頂部)補充，且於高碳原料之情況或於鑄造工具之差的碳控制，另外之步驟c)紅外線(IR)掃瞄碳化矽顆粒(底部至頂部)。使4個角落塊材進行此等測量具有一有利結果。若個別鑄造工具之特定生長特性係已知(此可決定每一鑄造工具)，測量a)可提供有關於整個鑄錠之生長陣面(growth front)的可靠資訊。其後之晶圓形成可以生長陣面之資訊為基礎。測量b)能測量為距離坩鍋壁的距離之函數的壽命，此可因而提供某些被起始用於晶圓程度之材料品質改良之可能測量的指導方針。測量c)可產生有關於鑄錠之位向資訊。
用以裝配坩鍋之火爐的修改可為熟習此項技藝者所知之任何適合的修改。修改可包含使固持或圍繞陶瓷坩鍋之箱子之螺栓、墊片，或板材變得更薄。固持坩鍋之箱子可自石墨板製成。修改亦可包含將為此箱子之一部份的螺帽以埋頭式或鎖口式安裝於石墨板內，或以其它方式將使箱子固持在一起之硬體的輪廓降低。石墨板間之接頭可為嵌槽式、鑲接，或鳩尾式接合。固持坩鍋之底部石墨板可擴大。用於固持可移動元件之不銹鋼籠子成為具有添加至角落之對角的八角形，或對角之尺寸可被擴大。籠子之絕緣可作成較薄。加熱元件可移至較接近火爐或加熱器籠子之壁。將加熱元件固持在一起之石墨螺帽可為埋頭式或鎖口式。斜角石墨墊片可用於對角支撐板上以維持一平表面，或客製形狀可用以維持用以使石墨板固定在一起之平區段。角落延伸件可加至加熱元件之一角落物件，以使加熱元件於所有側邊皆向外移，包含使加熱元件於所有側邊向外移3”。用於閉封籠子底部之唇緣可變為較小。修改亦可包含將用以固持坩鍋之支架降低，以允許較高之坩鍋。支撐坩鍋支架之腳可藉由增加另一腳，將此等腳移得更開，或螺接至一更厚之冷卻板內而升級支撐額外重量。其它絕緣材料可被用於非經剛性化的石墨氈之絕緣鋼製籠子，使得此區段可變得更薄。於一二層式設計中可使用二種絕緣材料，且一種材料係遠離熱表面而使用。第二種絕緣材料可具有較佳緣緣性質，使得一較薄截面可用於此籠子。
所有公開案、專利案，及專利申請案在此併入本案以為參考資料。雖然於先前說明書，揭露之標的已對有關於其較佳實施例作說明，且許多細節係用於例示目的而闡述，但對熟習此項技藝者有顯地係所揭露之事項係可有另外實施例，且此間所述之某些細節可於未偏離揭露標的之基本原理作相當程度之改變。
100．．．坩鍋
102．．．內部
104,106．．．側邊
200．．．鑄錠
201．．．周邊
202．．．塊材
203．．．半塊材
204．．．第一側邊
206．．．第二側邊
302．．．側邊
304．．．低部
306．．．坩鍋高度
308．．．坩鍋寬度
第1圖顯示依據本發明一實施例之一32個156 mm x 156 mm塊材之坩鍋之頂視圖。
第2圖顯示於依據本發明一特別實施例之一坩鍋內之一32個156 mm x 156 mm塊材之鑄錠之頂視圖。
第3圖顯示依據本發明之一特別實施例之坩鍋100之側視圖。
100．．．坩鍋
102．．．內部
104,106．．．側邊
Claims (19)
- 一種坩鍋，包含：一內部，其係用於生產一鑄錠；一外部形狀，其係與一生產該鑄錠之火爐的內部形狀約略相配；以及包含八個主要側邊的一周邊，該等八個側邊包含二組相對之具有相等長度之第一側邊，及二組相對之具有相等長度之第二側邊，其中，該等第一側邊係與該等第二側邊交替且該等第一側邊係比該等第二側邊更長。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，該鑄錠包含數個塊材。
- 如申請專利範圍第2項之坩鍋，其中，該等塊材包含一格柵。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，與該火爐之該內部形狀相配之該外部形狀允許產生比可自使用一具有一方形的坩鍋之該火爐所可產生之塊材數量更大之數量的塊材。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，該火爐之該內部形狀包含一約略圓形。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，該等第一側邊包含約平坦之側邊。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，該等第二側邊包含約平坦之側邊。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，該等第一側邊包含 彎曲之側邊。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，該等第二側邊包含彎曲之側邊。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，其中，該等塊材包含一格柵，其中，與於一方形坩鍋內之一格柵相比，相對於角落塊材的百分率之側邊或中央塊材的百分率係增加。
- 如申請專利範圍第1項之坩鍋，包含矽石、石英、石墨，或Si3 N4 之至少一者。
- 一種火爐容量利用方法，包含使用申請專利範圍第1項之坩鍋產生一鑄錠。
- 如申請專利範圍第12項之方法，進一步包含使用一切割裝置將該鑄錠切成該等塊材。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中，32個156mm x 156mm塊材係自一25個156mm x 156mm塊材之450公斤鑄錠之火爐產生。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中，21個180mm x 180mm塊材係自一25個塊材之250公斤鑄錠之火爐產生。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中，該火爐包含一經修改以容納該坩鍋之火爐。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中，該等鑄錠包含矽。
- 如申請專利範圍第13項之方法，其中，該等四個部份角落塊材之分析係用以決定整體之該等鑄錠的品質。
- 一種坩鍋，包含：一內部，其係用於生產一鑄錠； 一外部形狀，其係與一生產該鑄錠之火爐的一內部形狀相配；其中，該鑄錠包含數個塊材；其中，該等塊材包含一格柵；其中，與該火爐之該內部形狀相配之該外部形狀允許產生比可自使用一具有一方形的坩鍋之該火爐所可產生之塊材數量更大之數量的塊材；其中，該火爐之該內部形狀包含一約略圓形；且其中，該坩鍋之一周邊包含八個主要側邊，其中，該等八個側邊包含二組相對之具有相等長度之較長側邊，及二組相對之具有相等長度之較短側邊，其中，該等較長側邊係與該等較短側邊交替。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US30881710P | 2010-02-26 | 2010-02-26 | |
| US12/716,889 US20110210470A1 (en) | 2010-02-26 | 2010-03-03 | Crucible and method for furnace capacity utilization |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201144732A TW201144732A (en) | 2011-12-16 |
| TWI444581B true TWI444581B (zh) | 2014-07-11 |
Family
ID=44504867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100106219A TWI444581B (zh) | 2010-02-26 | 2011-02-24 | 坩堝及熔爐容量利用方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110210470A1 (zh) |
| EP (1) | EP2539659A4 (zh) |
| JP (1) | JP5678103B2 (zh) |
| KR (1) | KR101416081B1 (zh) |
| CN (1) | CN102869940A (zh) |
| BR (1) | BR112012021539A8 (zh) |
| TW (1) | TWI444581B (zh) |
| WO (1) | WO2011103683A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010048602A1 (de) * | 2010-10-15 | 2012-04-19 | Centrotherm Sitec Gmbh | Schmelztiegel für Silizium, Schmelztiegelanordnung und Trenneinheit für einen Schmelztiegel |
| US20130192516A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Memc Singapore Pte. Ltd. (Uen200614794D) | Method of preparing cast silicon by directional solidification |
| KR101461163B1 (ko) * | 2013-03-19 | 2014-11-13 | 소스트 주식회사 | 사각형 잉곳 성장 장치 |
| CN106702485A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-05-24 | 晶科能源有限公司 | 一种多晶铸锭炉 |
| DE102020102483A1 (de) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | Kennametal Inc. | Verdampferschiffchen |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3351334A (en) * | 1965-03-01 | 1967-11-07 | Gen Electric | Container for molten fused silica |
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| US20100203350A1 (en) * | 2007-07-20 | 2010-08-12 | Bp Corporation Noth America Inc. | Methods and Apparatuses for Manufacturing Cast Silicon from Seed Crystals |
| US20100247809A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Neal James W | Electron beam vapor deposition apparatus for depositing multi-layer coating |
| EP2431338B1 (en) * | 2009-04-28 | 2021-08-25 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica vessel |
-
2010
- 2010-03-03 US US12/716,889 patent/US20110210470A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-02-24 TW TW100106219A patent/TWI444581B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-02-25 WO PCT/CA2011/050111 patent/WO2011103683A1/en active Application Filing
- 2011-02-25 EP EP11746802.5A patent/EP2539659A4/en not_active Withdrawn
- 2011-02-25 BR BR112012021539A patent/BR112012021539A8/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-02-25 KR KR1020127024902A patent/KR101416081B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-02-25 CN CN2011800103144A patent/CN102869940A/zh active Pending
- 2011-02-25 JP JP2012554180A patent/JP5678103B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011103683A1 (en) | 2011-09-01 |
| JP2013520384A (ja) | 2013-06-06 |
| BR112012021539A2 (pt) | 2017-02-07 |
| BR112012021539A8 (pt) | 2018-08-28 |
| EP2539659A4 (en) | 2015-04-15 |
| JP5678103B2 (ja) | 2015-02-25 |
| EP2539659A1 (en) | 2013-01-02 |
| CN102869940A (zh) | 2013-01-09 |
| US20110210470A1 (en) | 2011-09-01 |
| KR101416081B1 (ko) | 2014-07-07 |
| TW201144732A (en) | 2011-12-16 |
| KR20120134130A (ko) | 2012-12-11 |
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