TWI441323B - 固態成像器件，其驅動方法，以及電子裝置 - Google Patents

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Description

固態成像器件，其驅動方法，以及電子裝置
本發明係關於一種固態成像器件、其驅動方法及一種電子裝置，且尤其係關於具有R(紅色)，G(綠色)及B(藍色)之彩色濾光鏡的一固態成像器件、其驅動方法及一電子裝置。
一電子裝置，諸如一數位視訊電子器件或一數位靜態電子器件，包含一固態成像器件，諸如一CCD(電荷耦合器件)影像感測器或一CMOS(互補金屬氧化物矽電晶體)影像感測器。
在該固態成像器件中，複數個像素以水平及垂直方向以一矩陣形配置於一半導體基板上。此外，一光接收表面形成於該半導體基板上。在該光接收表面中，例如，對於每一像素安裝一感測器，其係一光電轉換區段，諸如一光電二極體。
在該光接收表面上形成一集光結構，其將一主體影像的光集中至對於每一像素的感測器。在此，該集光結構接收該主體影像的光，且光電轉換所接收之光，以產生信號電荷，藉此獲得一像素信號。
在先前技術的CCD或CMOS影像感測器中，入射於感測器區段的光由光電二極體進行光電轉換，使得該入射光轉換為電荷，以獲得一影像信號。此一器件具有一結構，其中光入射持續特定的曝光時間，以被轉換為電荷並累積。
因為所累積之電荷的量係有限的，例如，當入射光較強時，該電荷飽和，使得白色及黑色的灰度變得不足。即，該固態成像器件具有一入射光量範圍用於獲得一適當輸出信號，然而該範圍對比於一影像擷取目標係非常狹窄的。
因此，期望提供一擴大一固態成像器件之一動態範圍之技術。
作為先前技術中擴大動態範圍的一技術，「2005 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors P.169,P.173」揭示一根據入射光的量而改變光電轉換的增量之技術。此外，JP-A-2008-167004揭示一方法，其根據入射光量而設定一增量。
此外，JP-A-2006-333439揭示一固態成像器件，其包含：一光阻擋構件，其阻擋一光電轉換區段；及一致動器，其使用MEMS驅動該光阻擋構件。
除了嘗試用器件組態擴大動態範圍的此等技術之外，已提出使用材料擴大動態範圍的技術。
例如，JP-A-1-75602及JP-A-9-129859揭示其中一電致變色材料提供於一封裝上的器件。
此外，JP-A-8-294059揭示其中一電致變色材料提供於像素之一整個表面上且對於每一像素控制透射比的一器件。
此外，JP-A-2008-124941揭示一技術，其中一電致變色材料提供於一像素區域中，以改變透射比，以便改變可見光及近紅外光的透射比。
此外，考慮到透射比控制，JP-A-11-234575揭示一技術，其中一累積時間係可變的，以增加一外觀動態範圍。
JP-A-2001-352490揭示一技術，其重複地讀取較長及較短曝光時間的信號，以增加動態範圍。
JP-A-2007-329721揭示一技術，其對於每一像素組合具有不同敏感性的複數個信號，以擴大動態範圍。
例如，在使用一高敏感性信號及一低敏感性信號擴大信號處理之動態範圍的技術中，如JP-A-11-234575、JP-A-2001-352490及JP-A-2007-329721中所揭示，因為使用一累積時間差獲得高敏感性信號及低敏感性信號，一移動主體的影像變得不自然。
此外，在利用一ND濾光鏡之技術中，如JP-A-2008-124941中所揭示，動態範圍之擴大因數很難改變。
在JP-A-8-294059中，揭示一方法，其中藉由對於每一像素回饋一像素輸出信號，調整該電致變色材料之透射比。根據此技術，可解決上文的問題。
然而在此情況中，因為可將電壓施加於每一像素之電致變色材料的時間僅為對應於資料率的時間，需要將一回饋系統的一頻率特性增加至此一程度。因此，實現該器件較困難。即使可實現該器件，電力消耗將會增加。
在根據先前技術之固態成像器件中，在沒有電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題之下，擴大動態範圍係困難的。
本發明之一實施例係針對一固態成像器件，其包含：一半導體基板，其包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其在從該等像素選擇之像素的一部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其的電壓從一第一透射比改變至一第二透射比的光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；及一上電極，其形成於該電致變色膜上方。
在根據此實施例之固態成像器件中，該電致變色膜在從該等像素選擇之像素的部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之該光入射路徑上，該半導體基板包含該光接收表面，其根據以該矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有該光電轉換區段。該電致變色膜具有根據施加至其的電壓從該第一透射比改變至該第二透射比之光透射比。該下電極形成於該電致變色膜下方，且該上電極形成於該電致變色膜上方。
本發明之另一實施例係針對一固態成像器件，其包含：一半導體基板，其包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其在該等像素之至少一部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其之電壓從一第一透射比改變至一第二透射比之光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；一上電極，其形成於該電致變色膜上方；及一電壓施加區段，其偵測累積於該光電轉換區段中的電荷量，且根據該電荷量將電壓施加至該電致變色膜。
在根據此實施例之固態成像器件中，該電致變色膜在該等像素之至少該部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之光入射路徑上，該半導體基板包含該光接收表面，其根據以該矩陣形配置之該等像素而劃分，且形成為具有該光電轉換區段。該電致變色膜具有根據施加至其的電壓從該第一透射比改變至該第二透射比的光透射比。該下電極形成於該電致變色膜下方，且該上電極形成於該電致變色膜上方。此外，安裝該電壓施加區段，其偵測累積於該光電轉換區段中之電荷量，且根據該電荷量將電壓施加至該電致變色膜。
本發明之另一實施例係針對一固態成像器件之一驅動方法，該方法包含：在一固態成像器件中，選擇所施加之電壓，使得電致變色膜之光透射比變為一預定值，且將該電壓施加至電致變色膜；該固態成像器件包含：一半導體基板，其包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其在從該等像素選擇之像素之一部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其之電壓從一第一透射比改變至一第二透射比之光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；及一上電極，其形成於該電致變色膜上方。
在根據此實施例之驅動方法中，在該固態成像器件中，選擇所施加的電壓，使得該電致變色膜之該光透射比變為該預定值，且施加該電壓至該電致變色膜；在該固態成像器件中，該電致變色膜在從該等像素選擇之像素之部分中，形成於包含該光接收表面(其根據以該矩陣形配置之像素劃分，且形成為具有該光電轉換區段)之該半導體基板上對應於該光電轉換區段之該光入射路徑上，該電致變色膜具有根據施加至其的電壓從該第一透射比改變至該第二透射比之光透射比；該下電極形成於該電致變色膜下方；且該上電極形成於該電致變色膜上方。
本發明之另一實施例係針對一固態成像器件之一驅動方法，該方法包含，在一固態成像器件中，偵測累積於光電轉換區段中之電荷的量，且根據該電荷量將電壓施加至電致變色膜；該固態成像器件包含：一半導體基板，其包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其在該等像素之至少一部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其的電壓從一第一透射比改變至一第二透射比的光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；及一上電極，其形成於該電致變色膜上方。
在根據此實施例之驅動方法中，在該固態成像器件中，偵測累積於該光電轉換區段中之電荷的量，且根據該電荷量將電壓施加至該電致變色膜；在該固態成像器件中，該電致變色膜在該等像素之至少該部分中，形成於包含該光接收表面(其根據以該矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有該光電轉換區段)之該半導體基板上對應於該光電轉換區段之該光入射路徑上，該電致變色膜具有根據施加至其之電壓從該第一透射比改變至該第二透射比之光透射比；該下電極形成於該電致變色膜下方；且該上電極形成於該電致變色膜上方。
本發明之另一實施例係針對一電子裝置，其包含：一固態成像器件；一光學系統，其將入射光引入該固態成像器件之一成像區段；及一信號處理電路，其處理該固態成像器件之一輸出信號。在此，該固態成像器件包含：一半導體基板，其包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其在從該等像素選擇之像素之一部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其之電壓從一第一透射比改變至一第二透射比的光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；及一上電極，其形成於該電致變色膜上方。
根據此實施例之該電子裝置包含：該固態成像器件；該光學系統，其將入射光引入該固態成像器件之該成像區段；及該信號處理電路，其處理該固態成像器件之輸出信號。
在該固態成像器件中，該電致變色膜在從該等像素選擇之像素之部分中，形成於包含該光接收表面(其根據以該矩陣形配置之該等像素而劃分，且形成為具有該光電轉換區段)之該半導體基板上對應於該光電轉換區段之該光入射路徑上，且具有根據施加至其之電壓從該第一透射比改變至該第二透射比的光透射比。該下電極形成於該電致變色膜下方，且該上電極形成於該電致變色膜上方。
本發明之進一步的另一實施例係針對一電子裝置，其包含：一固態成像器件；一光學系統，其將入射光引入該固態成像器件之一成像區段；及一信號處理電路，其處理該固態成像器件之一輸出信號。在此，該固態成像器件包含：一半導體基板，其包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其在該等像素之至少一部分中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其的電壓從一第一透射比改變至一第二透射比的光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；及一上電極，其形成於該電致變色膜上方；及一電壓施加區段，其偵測累積於該光電轉換區段中的電荷量，且根據該電荷量將電壓施加至該電致變色膜。
根據此實施例之該電子裝置包含：該固態成像器件；該光學系統，其將該入射光引入該固態成像器件之該成像區段；及該信號處理電路，其處理該固態成像器件之該輸出信號。
在該固態成像器件中，該電致變色膜在該等像素之至少部分中，形成於包含該光接收表面(其根據以該矩陣形配置之該等像素而劃分，且形成為具有該光電轉換區段)之該半導體基板上對應於該光電轉換區段之該光入射路徑上，且具有根據施加至其之電壓從該第一透射比改變至該第二透射比之光透射比。該下電極形成於該電致變色膜下方，且該上電極形成於該電致變色膜上方。此外，還安裝電壓施加區段，其偵測累積於該光電轉換區段中的電荷量，且根據該電荷量將電壓施加至該電致變色膜。
根據本發明之一些實施例之固態成像器件，因為利用該電致變色膜，故可擴大動態範圍，同時防止電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
根據本發明之一些實施例之固態成像器件之驅動方法，因為適當地施加電壓至該電致變色膜，故可驅動該固態成像器件以便擴大動態範圍，同時防止電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
根據本發明之一些實施例之電子裝置，可實現該電子裝置：其中可擴大動態範圍，同時防止電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
在下文中，將參考以下圖式描述根據本發明之一固態成像器件及一電子裝置之實施例。
描述將按以下次序進行。
1.　第一實施例(在具有彩色濾光鏡之一固態成像器件之一部分之像素上形成一電致變色膜的一組態)
2.　第二實施例(在具有彩色濾光鏡之一固態成像器件中對於彩色濾光鏡之每一色彩形成一不同電致變色膜的一組態)
3.　第三實施例(應用於沒有彩色濾光鏡之一固態成像器件的一組態)
4.　第四實施例(一電致變色膜之一詳細組態)
5.　第五實施例(根據對於每一列像素的一電荷量施加電壓至一電致變色膜的一組態)
6.　第六實施例(根據對於每一像素之一電荷量施加電壓至一電致變色膜的一組態)
7.　第七實施例(一電致變色膜及一光致變色膜堆疊於彼此之上的一組態)
8.　第八實施例(一電子裝置之一應用)
<第一實施例> [固態成像器件之組態]
圖1係示意性繪示根據本發明之一實施例之一固態成像器件之一平面圖。
例如，在一半導體基板上形成：一光接收表面C1，其劃分為以一矩陣形配置之像素，且形成為具有一光電二極體，其係一光電轉換區段；一驅動電路C2；及一週邊電路C3。在下文中，該光電轉換區段代表性地稱為一光電二極體。
該驅動電路C2執行信號處理，以驅動例如形成於該光接收表面C1上的像素。
該週邊電路C3具有多種電路適當安置的一組態，且例如包含：一相關雙取樣電路；一放大器；一A/D轉換器；用於伽瑪校正、白平衡及類似項目的一信號處理電路；一時脈電路；及類似物。
圖2A係示意性繪示根據當前實施例之該固態成像器件之一光接收表面的一佈局的一平面圖，且圖2B及圖2C係圖2A中之該光接收表面的局部放大圖。
在此實施例中，提供：像素組CS1，包含紅色像素R1、綠色像素G1及藍色像素B1，其等具有一電致變色膜；及像素組CS2，其包含紅色像素R2、綠色像素G2及藍色像素B2，其等並不具有該電致變色膜。
該等像素組CS1及該等像素組CS2之各者包含一紅色像素、兩個綠色像素及一藍色像素。
圖2B係該像素組CS1的一放大圖，其中該像素組CS1包含具有該電致變色膜的該紅色像素R1及該等綠色像素G1及該藍色像素B1。
圖2C係該像素組CS2之一放大圖，其中該像素組CS2包含沒有該電致變色膜的該紅色像素R2及該等綠色像素G2及該藍色像素B2。
在此實施例中，該等像素組CS1安置於該光接收表面之一中央部分中，且該等像素組CS2安置於該光接收表面之一週邊部分中。
圖3A及圖3B係示意性繪示根據當前實施例之該固態成像器件之截面圖。
圖3A係該像素組CS1中的一截面圖，該像素組CS1即該紅色像素R1、該等綠色像素G1及該藍色像素B1。
例如，在該半導體基板10上形成光電二極體11R、11G及11B，其等根據以一矩陣形形成的該紅色像素R1及該等綠色像素G1及該藍色像素B1的各自像素而劃分，且用作各自之紅色像素、綠色像素及藍色像素中的光電轉換區段。
例如，由氧化矽、氮化矽、樹脂、其堆疊本體或類似物製成的一第一絕緣膜12形成於該半導體基板10的一整個表面上，以覆蓋該等光電二極體11R、11G、11B及類似物。
例如，由氮氧化矽或類似物製成的一第二絕緣膜13形成於該第一絕緣膜12上。
例如，由氮化矽或類似物製成的一第三絕緣膜14形成於該第二絕緣膜13上。
例如，一下電極15、一電致變色膜16、一上電極17形成於該第三絕緣膜14上。
該下電極15及該上電極17係由ITO(銦錫氧化物)或奈米碳材料(諸如石墨、奈米碳管)或類似物製成的透明電極。
該電致變色膜16形成於該等光電二極體11之一光入射路徑上，且包含一電致變色材料，其中光透射比根據施加至其的電壓而改變。在此，該光透射比根據所施加的電壓從一第一透射比改變至一第二透射比。
形成該電致變色膜之該電致變色材料之特性、該光透射比及類似物將在下文中描述。
例如，對應於各自之色彩的彩色濾光鏡18R、18G及18B形成於該上電極17上，且一晶片上透鏡19形成於彩色濾光鏡上。
圖3B係該像素組CS2中的一截面圖，該像素組CS2即該紅色像素R2，該等綠色像素G2及該藍色像素B2。
圖3B中之組態實質上與圖3A中之組態相同，但不同之處在於並不形成該電致變色膜16。
在該像素組CS2中，形成一平坦化膜20，其減緩由於該電致變色膜16之厚度而導致之一段差部。
該平坦化膜20由樹脂製成，諸如一聚苯乙烯樹脂或一壓克力樹脂、或類似物，其中其光透射比在一可見光區域中約為零。
在圖3B之截面圖中，該下電極15及該上電極17包含於該像素組CS2中，但該下電極15及該上電極17可在該像素組CS2之像素中省略。
圖4係繪示根據當前實施例之該固態成像器件之該電致變色膜之光透射比的一時間回應特性的一曲線圖。
如圖4中所展示，例如，若在一時間點t1 從一接地電位施加一正電壓，則該光透射比從一第一透射比T1 增加至一第二透射比T2 。此外，若該正電壓例如在時間點t2 返回至一負電位，則該光透射比從該第二透射比T2 減小而返回至該第一光透射比T1 。
圖4中之特性的細節根據該電致變色膜之組態及材料、如上文所描述之施加之電壓及類似物而決定。
此外，根據對該電致變色膜所施加的電壓將該電致變色膜之該光透射比從該第一透射比改變至該第二透射比之必要時間亦根據該電致變色膜之組態及材料、上文所描述之施加的電壓及類似物而決定。該第一透射比改變至該第二透射比所需的時間較佳地短於1秒。
圖5係繪示根據本發明之第一實施例之該固態成像器件之該電致變色膜之光透射比之波長相依性(光透射比光譜)的一實例的一曲線圖。
在圖5中，該電致變色膜在一實線「a」及一虛線「b」中具有不同材料。
此外，關於該光透射比之波長相依性，該光透射比的變化較佳在一可見光區域中係均一的。
作為上文提及之材料的一實例，例如，可使用包含氧化鎢的一材料。在使用氧化鎢之電致變色材料中，從該第一透射比改變該光透射比至該第二透射比所需的時間短於1秒。
此外，已知氧化鎢導致該光透射比的均一改變，同時在一整個可見光區域上具有某種傾斜，且因此較佳可使用氧化鎢。
此外，亦較佳可使用鎂-鈦合金、鎂-鎳合金或類似物。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為實現ITO之90%或更高的光透射比較困難，會有該光透射比可能在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可使用具有95%或更高之光透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料，以藉此解決該光透射比縮減之問題。
[動態範圍之擴大]
圖6A及圖6B係示意性繪示根據當前實施例之該固態成像器件之一動態範圍擴大的原因的曲線圖。
圖6A繪示一像素回應於照射該像素之光的照度的一輸出信號強度。在圖中，一較高敏感性的信號照度曲線「a」對應於其中未形成該電致變色膜的一像素，或具有一像素電致變色膜(其中在未對其施加電壓之下，該光透射比並未減小)的一像素。一較低敏感性之信號-照度曲線「b」對應於其中形成一電致變色膜的一像素，且該光透射比藉由對其施加電壓而減小。假設該電致變色膜具有例如50%的光透射比。
就如圖6A中的曲線「a」，在不形成該光致變色膜的一情況中，該信號強度在飽和之照度S1 中到達100%(飽和信號SSAT )。一動態範圍表達為該曲線「a」之情況中的D1 。
然而，在形成該光致變色膜之曲線「b」中，減小該光透射比，且例如該信號強度在該照度S1 之飽和信號強度中僅達到50%。該信號強度在該照度S2 中達到100%(飽和信號SSAT )。然而，因為實際上有雜訊，該較低照度側之信號在雜訊中調和。在曲線「b」之情況中的一動態範圍表達為D2 。
因此，組合較高敏感性像素及較低敏感性像素之信號。即，分別地，較高照度側之輸出在較高敏感性信號之曲線「a」(動態範圍D1 )中補償，且較低照度側之輸出在較低敏感性信號之曲線「b」(動態範圍D2 )中補償。結果，該動態範圍變為D3 。當D3 與D1 及D2 對比時，可見該動態範圍藉由組合該較低敏感性信號及該較高敏感性信號而擴大。
較佳地，對於該較低照度側給予該較高敏感性信號之輸出之一像素並不具有該電致變色膜。此係因為兩種類型之電壓應施加至該電致變色膜，且用於施加電壓至該電致變色膜的配線係複雜的。
此外，在沒有該電致變色膜之像素中，可省略形成於該電致變色膜上方及下方的該上電極及該下電極，且替代地使用不同的透明材料，藉此使得可移除關於具有該等電極之像素的一段差部，以保護平坦化性質。
該較低敏感性信號-照度曲線「b」用於高照度之輸出，且該較低敏感性信號-照度曲線「b」之傾斜變得緩和，達該較高照度側之輸出信號未飽和之此一程度。
在根據當前實施例之固態成像器件中，因為提供具有該電致變色膜之像素及不具有該電致變色膜之像素兩者，可獲得該高敏感性信號-照度曲線「a」及該低敏感性信號-曲線「b」兩者。因為使用兩個曲線，可擴大該動態範圍。
此外，因為一最佳動態範圍之擴大因數根據場景而決定，該較低敏感性信號-照度曲線「b」之傾斜較佳地係可變的。
例如，如在圖64中之當前實施例中展示為一信號-照度曲線「c」，相對於該信號-照度曲線「b」，該信號強度對該照度之曲線之傾斜較佳地由所施加之電壓改變。
隨著該信號強度對該照度之曲線的傾斜被改變，可改變該動態範圍之擴大因數。
此外，當施加至該電致變色膜之電壓在1 V至3 V之範圍中時(其係使用於一般像素讀取中的一電位)，若一足夠改變出現於該電致變色膜之光透射比中，則不需要安裝施加至該電致變色膜之電壓的一特殊器件。
在此情況中，可由位於一影像感測器晶片之一場角之一週邊區段中的一電晶體將電壓施加至該電致變色膜。在此情況中，施加至該電致變色膜之電壓在該整個電致變色膜上係共同的，然而可使用一不同電晶體將不同電壓施加至該電致變色膜。
圖6B繪示可根據當前實施例以照度單位(Lx)在該固態成像器件中擴大的動態範圍。例如，L1(101 Lx)對應於一燭光之照度位準，Ls(102 Lx)對應於一白燈的照度位準，L3(103 Lx)對應於一螢光燈的照度位準，且L4(1014 Lx或更高)對應於太陽的照度位準。
即，在可由先前技術中的固態成像器件在約101 Lx至104 Lx之照度範圍內執行影像擷取的一情況中，若使用根據本發明之固態成像器件，則可在太陽或更高(1014 Lx或更高)之照度的條件下執行影像擷取。
在可對應於一固態成像器件之動態範圍之一般場景中，不需要擴大動態範圍。另一方面，當該影像擷取之一環境過分明亮(在強烈的太陽光下、在積雪的山上、在天氣晴朗的海邊、或類似環境)時，因為一主體之動態範圍較大，針對影像擷取設定較大的動態範圍。
根據當前實施例之該固態成像器件可經設計使得一使用者可按照主體之動態範圍之範圍而選擇動態範圍之擴大因數。例如，將該使用者根據該擴大因數選擇之電位施加至該電致變色膜，以改變該電致變色膜之光透射比。例如可連續地改變該擴大因數(對應於圖6A中之信號-照度曲線之傾斜)。
根據當前實施例之該固態成像器件可實現對應於該成像器件之一訊框率的一透射比控制。此外，因為滿足諸如熱電阻或耐久性之製造規範，入射至該等像素之光量可由上文提及之材料加以調整。
因而，可控制該感測器之飽和光量，且擴大動態範圍。此外，因為在該照度與該信號強度之間的關係之傾斜根據所施加之電壓而改變，可改變動態範圍之擴大因數。
根據當前實施例之固態成像器件，可以使用該電致變色膜之一組態擴大動態範圍，同時防止諸如電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
可使用指示一電致變色回應的所有材料作為根據當前實施例之該電致變色膜，諸如由一電致變色材料形成的一膜、藉由將該電致變色材料添加至一般樹脂膜而獲得的材料、或類似物。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高之透射比係較困難的，可能有該透射比在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可藉由使用具有95%或更高之透射比之奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料而解決該透射比減小之問題。
[固體成像器件之驅動方法]
根據當前實施例之一固態成像器件之一驅動方法係驅動具有上文提及之組態之該固態成像器件之一方法。
選擇所施加之電壓，使得該電致變色膜之光透射比變為一預定值，且將該電壓施加至該電致變色膜。
根據當前實施例之該固態成像器件之驅動方法，可擴大動態範圍，同時防止諸如電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
[固態成像器件之製造方法]
在下文中，將描述製造根據當前實施例之該固態成像器件之一方法。
首先，例如，在該半導體基板10上形成光電二極體11R、11G及11B，其等根據以一矩陣形形成的該紅色像素R1及該等綠色像素G1及該藍色像素B1之各自像素而劃分，且用作該等各自紅色像素、綠色像素及藍色像素中的光電轉換區段。
接著，例如，由氧化矽、氮化矽、樹脂、其堆疊本體或類似物製成的第一絕緣膜12使用一CVD(化學氣相沈積)方法或類似方法形成於該半導體10之整個表面上，以覆蓋該等光電二極體11R、11G及11B及類似物。
接著，例如，由氮氧化矽或類似物製成之第二絕緣膜13使用該CVD方法或類似方法形成於該第一絕緣膜12上。
接著，例如，由氮化矽或類似物製成之第三絕緣膜14使用該CVD方法或類似方法形成於該第二絕緣膜13上。
接著，例如，由ITO、或奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)、或類似物製成之一膜使用一濺鍍方法或類似方法形成於該第三絕緣膜14上，以形成該下電極15。
接著，例如，包含一電致變色材料(諸如氧化鎢)的該電致變色膜16使用該CVD方法或類似方法形成於該下電極15上。
接著，圖案化形成一光阻膜，其保護具有該電致變色膜之該等像素組CS1之一區域，且開啟沒有該電致變色膜的該等像素組CS2的一區域，且接著執行一乾蝕刻程序或類似程序。因此，移除該等像素組CS2之區域中的該電致變色膜16。
接著，例如，形成由樹脂(諸如聚苯乙烯樹脂或壓克力樹脂)製成之一膜，移除在具有該電致變色膜之該等像素組CS1之區域中形成的樹脂，且接著在其內形成該平坦化膜20。形成該平坦化膜20，以與該電致變色膜16之厚度具有近似相同的厚度。
接著，例如，使用一濺鍍方法或類似方法在該電致變色膜16及該平坦化膜20上形成由ITO、或奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)製成的一膜，以藉此形成該上電極17。
接著，例如，在該上電極17上形成各自色彩之彩色濾光鏡18R、18G及18B，且接著在彩色濾光鏡上形成該晶片上的透鏡19。
以此方式，可製造根據當前實施例之該固態成像器件。
[像素佈局之修改]
在此實施例中，具有該光致變色膜之該等像素組CS1及沒有該光致變色膜之該等像素組CS2之圖案可具有以下佈局。
圖7係示意性繪示根據當前實施例之該固態成像器件之一佈局之一截面圖。
在此實施例中，在包含兩列像素之每一像素群組中，交替地配置具有該光致變色膜之該等像素組CS1及沒有該光致變色膜之該等像素組CS2。
以此方式，該像素群組包含配置於複數個列中的該等像素，及針對每一像素群組形成一共用光致變色膜。
圖8係示意性繪示根據當前實施例之該固態成像器件之一佈局及一組態的一截面圖。
在此實施例中，在包含四列像素之每一像素群組中，交替地配置具有該光致變色膜之該等像素組CS1及沒有該光致變色膜之該等像素組CS2。
以此方式，該像素群組包含配置於複數個列中的該等像素，及針對每一像素群組形成一共用光致變色膜。
圖9係示意性繪示根據當前實施例之該固態成像器件之一佈局及一組態的一截面圖。
在此實施例中，該等像素組CS1及該等像素組CS2分別以一水平方向及以一垂直方向交替地配置。
即，在包含稱為一紅色像素R、兩個綠色像素G及一藍色像素B之一貝爾(Bayer)配置的四個像素的每一像素組中，交替地配置具有該光致變色膜之該等像素組CS1及不具有該光致變色膜之該等像素組CS2。
根據當前實施例之該固態成像器件，該光致變色膜具有根據該入射光的量而改變的光透射比，且獲得較高敏感性及較低敏感性之兩個輸出。該光透射比在較高照度時減小，且在較低照度時增加。可獲得較低敏感性信號及較高敏感性信號兩個類型。據此，可以與該第一實施例中相同的方式擴大動態範圍。
<第二實施例> [固態成像器件之組態]
圖10係示意性繪示根據當前實施例之一固態成像器件之一截面圖。
第二實施例之組態與該第一實施例之組態相同，但不同之處在於對於該等彩色濾光鏡之每一色彩形成不同電致變色膜。
即，在根據當前實施例之該固態成像器件中，形成根據該紅色像素R1及該等綠色像素G1及該藍色像素B1之各自像素而劃分的一紅色像素電致變色膜16R、一綠色像素電致變色膜16G及一藍色像素電致變色膜16B。
該電致變色膜之光透射比可根據如圖5中所展示之波長而改變，且因此，可使用導致適宜於該紅色像素R1及該等綠色像素G1及該藍色像素B1之每一像素的光透射比改變之一電致變色材料。
根據當前實施例之該固態成像器件，可以與第一實施例類似方式，以使用該電致變色膜之一組態擴大動態範圍，同時防止諸如電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高之透射比係較困難的，可能有該透射比在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可藉由使用具有95%或更高之透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料而解決該透射比減小之問題。
[固態成像器件之製造方法]
在下文中，將描述製造根據當前實施例之該固態成像器件之一方法。
圖11A、圖11B、圖12A及圖12B係示意性繪示根據當前實施例之該固態成像器件之製造方法中之一製造程序的截面圖。
首先，如圖11A中所展示，例如，在一半導體基板10上形成光電二極體11R、11G及11B，其等根據該紅色像素R1、該等綠色像素G1及該藍色像素B1之各自像素而劃分，其等以一矩陣形配置於各自之紅色像素、綠色像素及藍色像素中。
接著，例如，由氧化矽、氮化矽、樹脂、其堆疊本體或類似物製成的一第一絕緣膜12使用一CVD(化學氣相沈積)方法或類似方法形成於該半導體10之整個表面上，以覆蓋該等光電二極體11R、11G及11B及類似物。
接著，例如，由氮氧化矽或類似物製成之一第二絕緣膜13使用該CVD方法或類似方法形成於該第一絕緣膜12上。
例如，由氮化矽或類似物製成之一第三絕緣膜14使用該CVD方法或類似方法形成於該第二絕緣膜13上。
接著，例如，由ITO、或奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)製成之一膜使用一濺鍍方法或類似方法形成於該第三絕緣膜14上，以形成該下電極15。
如圖11B中所展示，例如，一藍色像素電致變色膜16B使用該CVD方法或類似方法形成於該下電極15上，圖案化形成一光阻膜，其開啟除了該等藍色像素之外的一區域，且接著執行一乾蝕刻程序或類似程序。
因此，該藍色像素電致變色膜16B僅形成於該等藍色像素之區域中。
接著，如圖12A中所展示，例如，一綠色像素電致變色膜16G使用該CVD方法或類似方法形成於該下電極15及該藍色像素電致變色膜16B上。
接著，圖案化形成一光阻膜，其開啟除了該等綠色像素之外的一區域，且接著執行一乾蝕刻程序或類似程序。
因此，該綠色像素電致變色膜16G僅形成於該等綠色像素之區域中。
接著，如圖12B中所展示，例如，一紅色像素電致變色膜16R使用該CVD方法及類似方法形成於該下電極15上、該藍色像素電致變色膜16B及該綠色像素電致變色膜16G上。
接著，圖案化形成一光阻膜，其開啟除了該等紅色像素之外的一區域，且接著執行一乾蝕刻程序或類似程序。
因此，該紅色像素電致變色膜16R僅形成於該等紅色像素之區域中。
接著，例如，由ITO、或奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)製成之一膜使用濺鍍方法或類似方法形成於該等各自彩色像素之該等電致變色膜16B、16G及16R上，以藉此形成一上電極17。
在隨後的程序中，例如，該等各自色彩之彩色濾光鏡18R、18G及18B以類似於第一實施例之一方式形成於該上電極17上，及該晶片上透鏡19形成於彩色濾光鏡上。
以此方式，可製造根據當前實施例之該固態成像器件。
<第三實施例> [固態成像器件之組態]
圖13係示意性繪示根據當前實施例之一固態成像器件之一截面圖。
當前實施例中之該固態成像器件之組態與該第一實施例中之該固態成像器件之組態實質上相同，但不同之處在於不在該等像素上安裝該等彩色濾光鏡。
即，在根據當前實施例之該固態成像器件中，該電致變色膜16形成於一固態成像器件之相同像素中，以用於單色影像擷取。
根據當前實施例之該固態成像器件，可以類似於該第一實施例之一方式，以使用該電致變色膜之一組態擴大動態範圍，同時防止諸如電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高的透射比係較困難的，可能有透射比在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可藉由使用具有95%或更高的透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料而解決該透射比減小問題。
<第四實施例> [固態成像器件之組態]
圖14係示意性繪示根據當前實施例之一固態成像器件的一截面圖。
當前實施例中之該固態成像器件之組態與該第一實施例中之該固態成像器件之該組態實質上相同，但不同之處在於該電致變色膜16係一堆疊本體，包含一電致變色材料層16a、一固體電解質層16b及一離子儲存層16c。
一電致變色材料，諸如氧化鎢，包含於該電致變色材料層16a中，且因此可實現該電致變色膜，其中光透射比根據施加至其的電壓而改變。
根據當前實施例之固態成像器件，可以與該第一實施例之一類似方式，以使用該電致變色膜之一組態擴大動態範圍，同時防止諸如電力消耗增加、影像變得不自然等類似的問題。
當前實施例可應用於根據第一至第三實施例之該等固態成像器件。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高的透射比係較困難的，可能有透射比在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可藉由使用具有95%或更高的透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料而解決該透射比減小問題。
<第五實施例> [固態成像器件之組態]
圖15A係示意性繪示根據當前實施例之一固態成像器件之一光接收表面之一佈局之一平面圖。
在此實施例中，包含該紅色像素R1、該等綠色像素G1及該藍色像素B1且具有一電致變色膜之該等像素組CS1安置於該光接收表面之整個表面上。
此外，根據對於每一像素列的電荷量施加電壓至該電致變色膜。
在此實施例中，例如，安裝一電荷偵測區段30，其偵測關於每一像素之累積於該光電二極體中的電荷量，且對於包含複數個像素之每一像素列，安裝一電壓施加區段31，其根據該電荷量將電壓施加至該電致變色膜16。該電壓施加區段31可稱為一電致變色膜驅動區段，因為該電壓施加區段31將電壓施加至該電致變色膜。
圖15B係示意性繪示根據當前實施例之一固態成像器件的一截面圖。
在此實施例中，因為該紅色像素、該等綠色像素及該藍色像素具有實質上相同的組態，將該紅色像素、該等綠色像素及該藍色像素繪示為一共用組態。
例如，在該半導體基板10上形成該等光電二極體11，其等根據該紅色像素R1及該等綠色像素G1及該藍色像素B1之各自的像素(其等以一矩陣形配置)而劃分，且用作該等各自紅色像素、綠色像素及藍色像素中的光電二極體。
例如，由氧化矽、氮化矽、樹脂、其堆疊本體或類似物製成的一第一絕緣膜12形成於該半導體基板10之整個表面上，以覆蓋該光電二極體11。
例如，由氮氧化矽或類似物製成之一第二絕緣膜13形成於該第一絕緣膜12上。
例如，由氮化矽或類似物製成之一第三絕緣膜14形成於該第二絕緣膜13上。
例如，一下電極15、一電致變色膜16、一上電極17堆疊於該第三絕緣膜14上。
例如，該下電極15及該上電極17係由ITO(銦錫氧化物)或奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)、或類似物製成的透明電極。
該電致變色膜16具有與該第一實施例中相同的組態。
該電致變色膜16形成於該光電二極體11之一光入射路徑上，且包含一電致變色材料，其中光透射比根據施加至其的電壓而改變。在此，光透射比根據所施加之電壓從一第一透射比改變至一第二透射比。
用於在該電致變色膜16中從該第一透射比改變該光透射比至該第二透射比所需之時間較佳地短於一秒。
作為上文提及之材料的一實例，可使用例如包含氧化鎢的一材料。
例如，每一色彩之一彩色濾光鏡18形成於該上電極17上，且一晶片上透鏡19形成於彩色濾光鏡上。
在此實施例中，在每一像素中安裝該電荷偵測區段30，其偵測累積於該光電二極體11中之電荷量。
在此，該電荷偵測區段30例如包含：一不純物質區域，其形成於該半導體基板上，且稱為一浮動擴散；及一稱為源極隨耦器的電晶體。
此外，對於包含該複數個像素之每一像素列，安裝該電壓施加區段31，其根據由該電荷偵測區段30偵測之電荷量將電壓施加至該電致變色膜16。
此外，該電壓施加區段31根據累積於該光電二極體11中之電荷量設定將被施加至該電致變色膜16之電壓，且施加該電壓。例如，該電壓施加區段31針對每一像素列，計算累積於形成一像素列之該等像素中電荷量的總和，且根據計算結果設定電壓。
在此，該電壓施加區段31包含例如一放大電路或類似物。
在此一組態下，由於在該光電二極體11飽和之前，減小該電致變色膜之光透射比，因而減小入射至該光電二極體之光。因此，可增加該飽和光的量。
此外，一電壓保持區段32連接至該電壓施加區段31，電壓保持區段32保持施加至該電致變色膜16的電壓。
該電壓保持區段32例如由一靜電電容性元件形成。若該電致變色膜16具有維持電位持續一必要時間的一特性，則不需要該電壓保持區段32。
在根據當前實施例之該固態成像器件中，基於累積於該像素之該光電二極體11中之電荷量決定該電致變色膜16之透射比。
此外，例如，關於包含該複數個像素之像素列，可安裝偵測累積於該光電二極體中之電荷量的電荷偵測區段30，且可對於每一像素列安裝該電壓施加區段31，其根據該電荷量將電壓施加至該電致變色膜16。
在此情況中，例如，形成該像素列之每一像素之一源極隨耦器之一源極終端連接至一電荷偵測區段及一電壓施加區段。此外，一預定電壓對於每一像素列從一電壓施加區段施加至每一像素之該電致變色膜。
在施加至所有該等像素之電致變色膜之電壓由一電荷偵測區段及一電壓施加區段產生之一情況中，該電壓可施加至每一像素之該電致變色膜之時間僅為對應於資料率之時間。因此，增加一回饋系統之一頻率特性係必要的，且因此，會有一問題：其實現係較困難的，或即使執行該實現，電力消耗也會增加。
相反地，此實施例利用一方法，其中在一列單元中執行輸出信號電壓之讀取及該信號電壓之放大，且因此，施加電壓至該列單元中之電致變色膜。因此，該電壓可施加至該電致變色膜的時間可設定為長達1H。因此，該回饋系統之頻率特性可於一較低狀態中設定至此一程度，且因此，該電力消耗比先前技術方法明顯減小。據此，可實現具有一較高動態範圍及較低電力消耗的一器件。
在此實施例中，對於每一列安裝一電致變色膜驅動電路，但若對於每一列全體安裝該電壓施加區段，則該電壓施加區段之面積可增加。在此情況中，考慮與該電力消耗減小效應之平衡，可決定一設定方法，例如，可對於複數個列之各者安裝該電壓施加區段。
此外，藉由改變一放大電路(其形成安裝於每一像素列中的電壓施加區段)之放大因數，可以與該第一實施例類似的一方式改變動態範圍之擴大因數。
根據此實施例中之固態成像器件，可以使用該電致變色膜之一組態擴大動態範圍，同時防止諸如電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
此實施例可在沒有一彩色濾光鏡之下施加至一單色器件。
可使用指示一電致變色回應的所有材料作為根據當前實施例之該電致變色膜，諸如由一電致變色材料形成的一膜、藉由將該電致變色材料添加至一般樹脂膜而獲得的材料、或類似物。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高的透射比係較困難的，可能有透射比在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可藉由使用具有95%或更高的透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料而解決該透射比減小問題。
[固體成像器件之驅動方法]
根據此實施例之一固態成像器件之一驅動方法係驅動具有上文提及之組態之該固態成像器件的一方法。
在根據上文描述之實施例之該固態影像擷取裝置中，偵測累積於該光電二極體11中之電荷，且根據該電荷量施加電壓至該電致變色膜16。
在此實施例中，對於包含該複數個像素之每一像素列，根據電荷量將該電壓施加至該電致變色膜。
根據此實施例中之該固態成像器件之驅動方法，可擴大動態範圍，同時防止電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
<第六實施例> [固態成像器件之組態]
圖16係示意性繪示根據當前實施例之一固態成像器件之一截面圖。
第六實施例具有與該第五實施例之組態相同的組態，但不同之處在於根據對於每一像素之電荷量將電壓施加至該電致變色膜。
在圖16中，該紅色像素、該等綠色像素及該藍色像素不同地展示，且電壓從該電壓施加區段31在每一像素中施加至該電致變色膜16。
在該等圖中，該電致變色膜16整體地形成於該等像素上，但可必要地對於每一像素劃分。
在先前技術中，在施加至所有像素之該電致變色膜的電壓產生於一電荷偵測區段及一電壓施加區段之一情況中，該電壓可施加至每一像素之該電致變色膜之時間僅為對應於資料比率之時間。因此，需要增強該回饋系統之一頻率特性。因此，實現該器件係較困難的。即使可實現該器件，電力消耗也會增加。
為解決上文提及之問題，在此實施例中，因為在該像素單元中執行回饋，例如，在該像素單元中控制該電致變色膜之光透射比。
在此情況中，對於每一像素施加電壓至該電致變色膜，以便改變每一像素之該電致變色膜之透射比。在電壓正常地施加至每一像素之該電致變色膜之一情況中，例如，即使在讀取電壓為1 V的一情況中，在此時流動之電流對應於總像素數的好幾倍，且所施加的電壓變為幾百V或更高。
在此實施例中，例如，將使用線選擇脈衝將電壓施加至每一像素之該電致變色膜的時間設定為短為1H。因此，可縮短將該電壓施加至每一像素之該電致變色膜的時間，且使一電致變色膜驅動電路用於回饋之頻帶變窄。因此，該電力消耗比先前技術方法明顯減小。
此實施例不同於該第五實施例之處在於對於每一像素安裝該電壓施加區段31，以進一步提高較低消耗電力之效應。
在圖16中，連接至每一像素之該電荷偵測區段30之輸出側連接至該電壓施加區段31，以將電壓施加至該電致變色膜。
每一像素之一輸出信號由該電荷偵測區段30偵測，且由該電壓施加區段31監測以放大，且因此，決定施加至該電致變色膜16之電壓。
在此實施例中，並不需要一配線用於從每一像素列之每一像素讀取信號電壓、或一垂直回饋配線用於回饋每一像素列之電致變色膜上的輸出信號的安頓時間(其在該第五實施例中係必要的)。
用於驅動該電致變色膜的該電壓施加區段31之頻率特性可設定為低至此一程度，且消耗電力比該第五實施例進一步減小。
此外，如第五實施例中所描述，在顧及該電壓施加區段之佔用面積增加的一情況中，代替在所有像素中安裝該等電壓施加區段，該電壓施加區段可安裝於複數個像素之單元中，或部分從一不必要位置移除。該電壓施加區段可出於影像品質、電力消耗及該電壓施加區段之佔用面積而以一最佳數目安裝於適當位置中。在因考慮電力消耗限制數目的一情況中，適當位置是指在有效像素區域中電壓施加區段之均一配置。
此外，以類似於該第五實施例的一方式，藉由改變該放大電路(其形成安裝於該像素列中的電壓施加區段)之放大因數，可以類似於該第一實施例之一方式改變動態範圍的擴大因數。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高的光透射比係較困難的，該光透射比可在一明亮影像擷取場景中減小。在此情況中，可使用具有95%或更高的光透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料，以藉此解決該光透射比減小的問題。
<第七實施例> [固態成像器件之組態]
圖17係示意性繪示根據此實施例之一固態成像器件的一截面圖。
第七實施例具有與該第一實施例相同的組態，但不同之處在於在該下電極15與該上電極17之間提供一光致變色膜21，其堆疊於該電致變色膜16上，且具有根據光入射量而從一第三透射比改變至一第四透射比的一光透射比。
該電致變色膜可具有與該第一實施例相同的組態。
此外，例如，可使用六二咪唑衍生物作為形成該光致變色膜之材料。
接著，將描述由於該電致變色膜及該光致變色膜之光透射比調整。
累積於有效像素之每一像素之二極體中的電荷量由該像素信號讀取電路讀取，且計算其平均值，且因此，根據該值而決定設定至該電致變色膜的光透射比。為達到所獲得之光透射比，將一必要電壓施加至整個像素區域。此運作為一用於入射至該等有效像素的光之自動光圈。
接著，通過該電致變色膜及該光致變色膜的光入射至每一像素。在此，該光致變色膜與入射至每一像素之光反應，且因此改變其光透射比。
在根據此實施例之固態成像器件中，首先，因為安裝該自動光圈，可增加每一像素之飽和照度。此外，與單獨使用該光致變色膜的器件相比，可利用由於該光致變色膜所造成的動態擴大效應而增加較高照度側的灰度。
如上文所描述，可藉由使用根據此實施例之該固態成像器件，在不影響較低照度側上的敏感性之下，擴大較高照度側之動態範圍。
圖18A至圖18C係示意性繪示根據此實施例之一固態成像器件之像素之輸出的曲線圖。
圖18A至圖18C繪示明亮及較暗場景中各自像素的一輸出。
分別地，圖18A繪示一明亮場景中該等像素的一輸出，且圖18B繪示一較暗場景中該等像素的一輸出。
如圖中所展示，因為該等輸出位準在明亮及較暗場景中彼此不同，若在相同場角中存在一對比區段，則一般在信號處理中執行一非線性校正程序。
在此實施例中，可改良該信號之非線性。
例如，圖18C中之左側代表亮度上的一輸出信號，且其中之右側代表暗度上的一輸出信號。左輸出信號及右輸出信號之間之差異一般由非線性程序補償，然而在此實施例中，如圖18C中所展示，根據入射光量設定一參考電位，且該等輸出信號係連續的。
因為補償該等信號級距中的非線性，可防止影像閃爍或類似現象，且對於一移動影像獲得具有較高解析度的一影像。
在根據此實施例之固態成像器件中，至少一電致變色膜驅動電路足夠實現該功能。
此外，若在考慮該光致變色膜之透射比時獲得的最終感測器輸出對應於使用該光致變色材料之光量與其透射比之關係的信號處理，則並不需要提供一額外器件，且沒有關於電力消耗或佔用面積的顧慮。
分別使用於此實施例中之該光致變色材料及該電致變色材料並不限於包含六二咪唑衍生物或氧化鎢之一多層膜，且只要可獲得期望的功能，可使用任意種類之材料。
此外，在圖17中，該光致變色膜21安裝於該電致變色膜16與該上電極17之間，但此並非限制性的。此外，該光致變色膜21可安裝於該等光電二極體之光入射路徑之任意位置中。
根據此實施例中之固態成像器件，以與該第一實施例類似的一方式，可以使用該電致變色膜之一組態擴大動態範圍，同時防止諸如電力消耗增加、影像變得不自然及類似的問題。
當前實施例可應用於根據第一至第六實施例之固態成像器件。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高的透射比係較困難的，可能有透射比在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可藉由使用具有95%或更高的透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料而解決該透射比減小問題。
<第八實施例> [電子裝置之應用]
圖19係示意性繪示根據當前實施例之一電子裝置之一組態的一示圖。在此實施例中之該電子裝置係一靜止影像擷取或一移動影像擷取之一視訊電子器件的一實例。
根據此實施例之該電子裝置包含一影像感測器(固體成像器件)50，一光學系統51，一信號處理電路53及類似物。
在此實施例中，利用根據該第一實施例之該固態成像器件作為該影像感測器50。
該光學系統51從該影像感測器50之一影像擷取表面上的一主體以影像形成影像光(入射光)。因此，對應的信號電荷累積於該影像感測器50中持續一預定時間。該累積之信號電荷提取為一輸出信號Vout。
一快門器件控制對該影像感測器50的一光照射時間及一光阻擋時間。
一影像處理區段供應一驅動信號，其控制該影像感測器50的一傳輸操作及該快門器件的一快門操作。藉由從該影像處理區段供應之驅動信號(時序信號)，執行該影像感測器之信號傳輸。該信號處理電路53對於該影像感測器50之輸出信號Vout執行多種信號處理，以將結果輸出作為一影像信號。執行該等信號處理之該影像信號儲存於一儲存媒體(諸如一記憶體)中、或輸出至一監視器。
根據此實施例的電子裝置，例如，可在一具有固態成像器件(其擷取尤其具有3 μm或更小的一單元節距之產生的色彩影像)之電子裝置中，減小入射至該光接收表面之光之光干涉強度的變動，且控制色彩不均勻度。
當前實施例可應用於根據第一至第七實施例之該固態成像器件。
可使用一般用作一透明電極材料的銦錫氧化物(ITO)作為該下電極15及該上電極17之材料。然而，因為用ITO實現90%或更高的透射比係較困難的，可能有透射比在一明亮影像擷取場景中減小的問題。在此情況中，可藉由使用具有95%或更高的透射比的奈米碳材料(諸如石墨或奈米碳管)作為該透明電極材料而解決該透射比減小問題。
此外，本發明並不限於一偵測可見光之入射光量的分佈以形成一影像之固態成像器件之應用，且可應用於：一擷取紅外光、X光或粒子的入射量之分佈作為一影像之固態成像器件；一般的固態成像器件(物理量分佈偵測器件)，諸如一偵測一不同物理量(諸如壓力、靜電電容)之分佈以形成一影像之指紋偵測感測器；或類似物。
此外，本發明並不限於該固態成像器件之應用，且可應用於一數位靜態電子器件、一視訊電子器件、一具有一影像擷取功能之電子裝置(諸如一行動電話)、或類似物。此外，可使用一模組類型，即，一安裝於電子裝置上之電子器件模組，作為該成像器件。
在諸如一視訊電子器件、一數位靜態電子器件、或一行動器件(諸如一行動電話)之一電子器件模組之成像器件中，可使用根據上文描述之實施例的影像感測器50作為該固態成像器件。
本發明並不限於上文提及之描述。
例如，當前實施例可應用於一CMOS感測器或一CCD器件。
此外，在未脫離本發明之精神下，可在一範圍中作出多種修改。
本發明含有關於分別在2010年6月30日及2010年9月17日於日本專利局申請之日本優先專利申請案JP 2010-172755及JP 2010-209113中所揭示之標的，其等之全部內文以引用之方式併入本文中。
熟習此項技術者應理解，取決於設計需求及其他因素，可出現多種修改、組合、子組合及變更，只要其等在隨附申請專利範圍或其等效物之範圍內。
10．．．半導體基板
11．．．光電二極體
11B．．．光電二極體
11G．．．光電二極體
11R．．．光電二極體
12．．．第一絕緣膜
13．．．第二絕緣膜
14．．．第三絕緣膜
15．．．下電極
16．．．電致變色膜
16B．．．藍色像素電致變色膜
16G．．．綠色像素電致變色膜
16R．．．紅色像素電致變色膜
16a．．．電致變色材料層
16b．．．固體電解質層
16c．．．離子儲存層
17．．．上電極
18．．．彩色濾光鏡
18B．．．彩色濾光鏡
18G．．．彩色濾光鏡
18R．．．彩色濾光鏡
19．．．晶片上透鏡
20．．．平坦化膜
21．．．光致變色膜
30．．．電荷偵測區段
31．．．電壓施加區段
32．．．電壓保持區段
50．．．影像感測器
51．．．光學系統
53．．．信號處理電路
B1．．．藍色像素
B2．．．藍色像素
C1．．．光接收表面
C2．．．驅動電路
C3．．．週邊電路
CS1．．．像素組
CS2．．．像素組
G1．．．綠色像素
G2．．．綠色像素
R1．．．紅色像素
R2．．．紅色像素
圖1係示意性繪示根據本發明之一第一實施例之一固態成像器件之一平面圖；
圖2A示意性繪示根據本發明之該第一實施例之固態成像器件之一光接收表面之一佈局的一平面圖，且圖2B及圖2C係圖2A中之該光接收表面的一部分之放大圖；
圖3A及圖3B係示意性繪示根據本發明之該第一實施例之該固態成像器件之截面圖；
圖4係繪示根據本發明之該第一實施例之該固態成像器件之一電致變色膜之光透射比之一時間回應特性的一曲線圖；
圖5係繪示根據本發明之該第一實施例之該固態成像器件之該電致變色膜之光透射比之波長相依性的一實例之一曲線圖；
圖6A及圖6B係示意性繪示根據本發明之該第一實施例之該固態成像器件之一動態範圍被擴大之原因的曲線圖；
圖7係示意性繪示根據本發明之該第一實施例之該固態成像器件之該光接收表面之一佈局的一截面圖；
圖8係示意性繪示根據本發明之該第一實施例之該固態成像器件之該光接收表面之一佈局的一截面圖；
圖9係示意性繪示根據本發明之該第一實施例之該固態成像器件之該光接收表面之一佈局之一截面圖；
圖10係示意性繪示根據本發明之一第二實施例之一固態成像器件之一截面圖；
圖11A及圖11B係示意性繪示根據本發明之該第二實施例之該固態成像器件之一製造方法中之一製造程序的截面圖；
圖12A及圖12B係示意性繪示根據本發明之該第二實施例之該固態成像器件之製造方法中的一製造程序的截面圖；
圖13係示意性繪示根據本發明之一第三實施例之一固態成像器件之一截面圖；
圖14係示意性繪示根據本發明之一第四實施例之一固態成像器件之一截面圖；
圖15A係示意性繪示根據本發明之一第五實施例之一固態成像器件之一光接收表面之一佈局之一平面圖，且圖15B係其截面圖；
圖16係示意性繪示根據本發明之一第六實施例之一固態成像器件之一截面圖；
圖17係示意性繪示根據本發明之一第七實施例之一固態成像器件之一截面圖；
圖18A及圖18C係示意性繪示根據本發明之該第七實施例之該固態成像器件之像素之輸出之曲線圖；及
圖19係示意性繪示根據本發明之一第八實施例之一電子裝置之一組態的一示圖。
10．．．半導體基板
11B．．．光電二極體
11G．．．光電二極體
11R．．．光電二極體
12．．．第一絕緣膜
13．．．第二絕緣膜
14．．．第三絕緣膜
15．．．下電極
16．．．電致變色膜
17．．．上電極
18B．．．彩色濾光鏡
18G．．．彩色濾光鏡
18R．．．彩色濾光鏡
19．．．晶片上透鏡
20．．．平坦化膜

Claims (15)

  1. 一種固態成像器件，其包括：一半導體基板，其包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之多個像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其的電壓從一第一透射比改變至一第二透射比的光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；及一上電極，其形成於該電致變色膜上方，其中該電致變色膜係形成於提供一第一像素組之該等像素之一部分中而非形成於提供一第二像素組之該等像素之一部分中。
  2. 如請求項1之固態成像器件，其包括：一電壓施加區段，其經組態以偵測在該光電轉換區段中所累積之一電荷量，且根據該電荷量施加一電壓至該電致變色膜。
  3. 如請求項2之固態成像器件，其中電壓施加區段經組態以根據對於包含該等像素之每一列的像素之該電荷量或根據對於每一像素之該電荷量而施加該電壓至該電致變色膜。
  4. 如請求項2或3之固態成像器件，其中一電壓保持區段，其保持將被施加至該電致變色膜之電壓，且連接至該電壓施加區段。
  5. 如請求項1至3任一項之固態成像器件，其中該電致變色膜係從選自包括氧化鎢、鎂-鈦合金及鎂-鎳合金之一群組之一材料而提供，及根據施加至該電致變色膜之該電壓將該電致變色膜之該光透射比從該第一透射比改變至該第二透射比所必需的時間短於一秒。
  6. 如請求項1至3任一項之固態成像器件，其中該等像素包含一紅色像素、一綠色像素及一藍色像素，該器件進一步包括一彩色濾光鏡，其在形成該紅色像素、該綠色像素及該藍色像素之各者之一區域中，形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且其傳送紅色、綠色及藍色波長區域之光。
  7. 如請求項1至3任一項之固態成像器件，其中該電致變色膜係一堆疊之本體，其包含一電致變色材料層、一固體電解質層及一離子儲存層。
  8. 如請求項1至3任一項之固態成像器件，其中一平坦化膜，其減緩由於該電致變色膜的厚度而導致之一段差部，該平坦化膜係形成於提供該第二像素組之該等像素的一部分中。
  9. 如請求項1至3任一項之固態成像器件，進一步包括一光致變色膜，其形成於該下電極與該上電極之間以與該電致變色膜堆疊，且具有根據入射光的量而從一第三透射比改變至一第四透射比的光透射比。
  10. 如請求項1至3任一項之固態成像器件，其中該上電極及該下電極由包含石墨或奈米碳管的奈米碳材料、或ITO而製成。
  11. 一種固態成像器件之驅動方法，其包括：在一固態成像器件中，選擇所施加之電壓，使得一電致變色膜之光透射比變為一預定值，且將該電壓施加至該電致變色膜；該固態成像器件包含：一半導體基板，該半導體基板包含一光接收表面，其根據以一矩陣形配置之多個像素而劃分，且形成為具有一光電轉換區段；一電致變色膜，其形成於該半導體基板上對應於該光電轉換區段之一光入射路徑上，且具有根據施加至其之一電壓從一第一透射比改變至一第二透射比的光透射比；一下電極，其形成於該電致變色膜下方；及一上電極，其形成於該電致變色膜上方，其中該電致變色膜係形成於提供一第一像素組之該等像素之一部分中而非形成於提供一第二像素組之該等像素之一部分中。
  12. 如請求項11之驅動方法，其中偵測在該光電轉換區段中所累積之一電荷量，且根據該電荷量選擇該施加之電壓。
  13. 如請求項12之驅動方法，其中根據對於包含該等像素之每一列的像素的電荷量或根據對於每一像素之電荷量而施加該電壓至該電致 變色膜。
  14. 如請求項11至13任一項之驅動方法，其中該上電極及該下電極在該固態成像器件中由包含石墨或奈米碳管的奈米碳材料、或ITO製成，及選擇該電壓使得該電致變色膜之光透射比變為一預定值，且將該電壓施加至該電致變色膜。
  15. 一種電子裝置，其包括：如請求項1至10任一項之一固態成像器件；一光學系統，其將入射光引入該固態成像器件之一成像區段；及一信號處理電路，其處理該固態成像器件之一輸出信號。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101368564B1 (ko) * 2012-05-02 2014-02-28 주식회사 삼천리 그래핀 투명 전극을 포함하는 전기변색소자
JP6198235B2 (ja) * 2012-06-11 2017-09-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP5942901B2 (ja) * 2012-06-14 2016-06-29 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
DE102012214493A1 (de) * 2012-08-14 2014-02-20 Air-Lng Gmbh Photobioreaktor zur Kultivierung von phototrophen Organismen
JP2014183206A (ja) * 2013-03-19 2014-09-29 Sony Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法ならびに電子機器
CN103442185B (zh) * 2013-09-02 2018-06-22 上海集成电路研发中心有限公司 一种cmos图像像素阵列
US10324317B2 (en) 2013-10-24 2019-06-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light control device, imaging element, and imaging device, and light transmittance control method for light control device
JP2015088691A (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
WO2015087611A1 (ja) * 2013-12-13 2015-06-18 ソニー株式会社 撮像素子及び撮像装置
US10381395B2 (en) 2013-12-24 2019-08-13 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light control device with stacked light control layers
CN105681771A (zh) * 2014-11-21 2016-06-15 比亚迪股份有限公司 阵列成像系统及图像传感器
KR102261857B1 (ko) * 2014-11-27 2021-06-07 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 적용한 이미지 획득 장치 및 방법
TWI700824B (zh) * 2015-02-09 2020-08-01 日商索尼半導體解決方案公司 攝像元件及電子裝置
JP2016200675A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 キヤノン株式会社 エレクトロクロミック素子、レンズユニット、撮像装置、窓材
CN106295477A (zh) * 2015-06-03 2017-01-04 小米科技有限责任公司 一种进行指纹识别的终端
KR102409389B1 (ko) * 2015-10-06 2022-06-15 삼성전자주식회사 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서
CN205249324U (zh) 2015-10-15 2016-05-18 开利公司 一种图像传感器终端以及楼宇管理系统
CN105278198B (zh) * 2015-11-17 2019-08-09 崔雪 互补型无机全固态电致变色器件及其制备方法
CN105338229A (zh) * 2015-11-18 2016-02-17 努比亚技术有限公司 一种摄像头模组
JP6700051B2 (ja) * 2016-01-26 2020-05-27 日本放送協会 撮像素子および撮像装置
JP2019057649A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 株式会社リコー 撮像素子、撮像装置および画像入力装置
US10789450B2 (en) * 2017-10-20 2020-09-29 Synaptics Incorporated Optical biometric sensor with automatic gain and exposure control
JP2019080305A (ja) 2017-10-20 2019-05-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および電子機器
CN108281498A (zh) * 2018-01-18 2018-07-13 黄淮学院 一种新型光伏电池及其制造方法
CN109616486A (zh) * 2018-11-23 2019-04-12 德淮半导体有限公司 图像传感器及其制造方法
CN110518029A (zh) * 2019-09-23 2019-11-29 德淮半导体有限公司 图像传感器及其制备方法
CN110794634A (zh) * 2019-11-12 2020-02-14 Oppo广东移动通信有限公司 光圈结构、摄像头及电子装置
CN117451181B (zh) * 2023-11-06 2024-08-23 北京航空航天大学 一种基于电致变色器件的计算光谱仪的制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6475602A (en) 1987-09-18 1989-03-22 Tanaka Precious Metal Ind Fine composite silver-palladium powder and production thereof
JP3182204B2 (ja) * 1991-05-01 2001-07-03 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JPH08294059A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Canon Inc 撮像装置
US6388709B1 (en) 1995-04-21 2002-05-14 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus with optical modulation elements having transmission characteristics controllable by pixel
JPH09129859A (ja) 1995-10-31 1997-05-16 Kyocera Corp 固体撮像素子
KR100198650B1 (ko) * 1996-06-29 1999-06-15 구본준 고체 촬상 장치
DE69830566T2 (de) * 1997-02-06 2006-05-11 University College Dublin Elektrochromes system
KR20010102154A (ko) * 1999-02-18 2001-11-15 오오자와 슈지로 전기착색 소자
JP4556273B2 (ja) * 2000-03-21 2010-10-06 ソニー株式会社 固体撮像素子およびこれを用いたカメラシステム
JP2001352490A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Sony Corp 撮像素子及び撮像装置
JP4360663B2 (ja) * 2000-09-01 2009-11-11 新日本石油株式会社 エレクトロクロミックミラー
US20030103151A1 (en) * 2001-12-03 2003-06-05 Xiaodong Luo Image sensor having photosensitive color filters
US6940627B2 (en) * 2002-10-30 2005-09-06 Finisar Corporation Control system for electrochromic devices
JP2006333439A (ja) 2005-04-26 2006-12-07 Konica Minolta Holdings Inc 撮像素子、撮像ユニットおよび撮像装置
US7598478B2 (en) * 2005-04-26 2009-10-06 Konica Minolta Holdings, Inc. Image pickup device having a light shield element
FR2896621B1 (fr) * 2006-01-23 2008-06-27 St Microelectronics Sa Systeme electro-optique integre
JP2007329721A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
JP2008124941A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像システム、及び可変フィルタの制御方法
JP4609428B2 (ja) 2006-12-27 2011-01-12 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JP2009212389A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Fujifilm Corp 透明有機薄膜トランジスタ
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
KR101631454B1 (ko) 2008-10-31 2016-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리회로

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