TWI439417B - Preparation of Nano - zeolite Thin Films with Low Dielectric Constant - Google Patents

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Description

具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法
本發明是有關於一種沸石薄膜的製備方法，特別是指一種具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法。
低介電常數材料通常被用來降低電晶體間的電性干擾，同時讓這些電晶體的位置能夠更靠近，進而製造出體積更小、速度更快和耗電更少的半導體元件。但隨著半導體元件不斷微小化，傳統低介電常數薄膜越來越容易受到製程中的高溫破壞，除有龜裂、破損等情況產生外，更難附著在晶片導線所用的金屬層上，且可能會衍生出如傳輸延遲(RC delay)、串音雜訊(cross-talk noise)等問題。先前常使用之低介電常數材料為二氧化矽，其介電常數約為3.7，已無法合乎所需，必須找尋介電常數更低的材料，且依現今業界之需求來看，期望介電常數值為κ<2.2。目前普遍認為純矽沸石為一種極具潛力的低介電常數材料，原因在於沸石具有高孔隙度、高疏水性、高機械強度及良好水熱穩定性等優點。
美國專利公告案第6,630,696號，揭示一種使用原位結晶法(in-situ crystallization)或旋轉塗佈法(spin-coating process)製作的低介電常數奈米級純矽沸石薄膜。其中旋轉塗佈法是藉由在基材上塗佈沸石結晶溶液後，於350-550℃高溫中煅燒，以去除沸石結晶溶液中的模板劑以及溶劑，來製成一高孔隙度的沸石薄膜。高溫煅燒步驟除耗費能源外，易引起薄膜表面龜裂或破損，不符合綠色化學與簡化製程的需求。
除了運用上述方式製備純矽沸石薄膜之外，Dow Corning公司另提出一種低介電常數之碳化矽與氫化碳氧化矽(low-κ SiC and H:SiOC)薄膜的製備方法，此方法是使用電漿輔助化學氣相沉積之乾式製程，製程雖較為簡化，但是，沸石薄膜的製法與上述運用電漿輔助化學氣相沉積製備薄膜的不同之處在於：沸石薄膜必須先製備一特定配方的先驅物溶液並經過一段時間之結晶過程，也就是需先製備沸石晶體，才可進行薄膜的製備；而電漿輔助化學氣相沉積方法則無法先製得一結晶溶液，因此，電漿輔助化學氣相沉積方法並無法直接用來製備沸石薄膜。
為了克服前述各種沸石薄膜製備方法的問題，本案發明人提出一種利用大氣電漿系統來製造沸石薄膜的方法(中華民國專利公開案第201018645號)，其步驟為：將水、異丙氧基鋁、四甲基氫氧化銨，及二氧化矽溶膠依設定比例配製一混合液，將該混合液水解並加熱後再離心過濾，然後添加去離子水而獲得一沸石懸浮溶液；接著將一基材置於一腔體下方，並將經霧化的該沸石懸浮溶液用惰性氣體將沸石結晶帶入該腔體內，經由依據一設定電壓所產生之電漿產生電漿化學反應，在該基材上沉積一耐高溫之沸石薄膜。相較於水熱合成法所製得的薄膜，此案所得薄膜之膜厚較均一，且煅燒後表面龜裂的情況也有改善，但對於低介電常數的材料需求而言，仍須改進其整體製造流程，才可完全符合半導體產業的需求。
由上述可知，目前的低介電常數沸石薄膜的製造方法除製程較為繁雜且尚需改善薄膜性質(降低介電常數值)外，由於沸石晶體必須藉由一模板劑作為沸石晶體生長的基礎，因此就目前運用高溫煅燒方式來去除模板劑的方式也有待改善。
有鑑於半導體產業對純矽奈米沸石薄膜的大量需求，本案發明人試圖找尋一種合乎綠色製程、步驟簡化且節省能源的製備方法。經多方試驗後，成功地利用大氣電漿系統並省略傳統製程中耗能的煅燒步驟，提出一種製備適用於半導體產業的具有低介電常數之奈米沸石薄膜的方法。
因此，本發明之目的，即在提供一種具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法。
於是，本發明具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，包含：
(A)　配製一奈米沸石晶體懸浮液，該奈米沸石晶體懸浮液包括多數個奈米沸石晶體及乙醇，每一個奈米沸石晶體含有多數個孔洞及多數個位於該等孔洞內的模板分子；
(B)　對一基材施予一加熱處理；
(C)　將該奈米沸石晶體懸浮液予以霧化，以形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴；
(D)　利用一惰性氣體，將該等含有奈米沸石晶體之霧化液滴帶入一電漿中進行電漿反應，以獲得多數個經電漿處理之奈米沸石晶體；及
(E)　使該等經電漿處理之奈米沸石晶體沉積於該步驟(B)之經加熱基材上，以去除該等奈米沸石晶體之模板分子並製得一具有低介電常數之奈米沸石薄膜。
本發明製備方法利用加熱基材的方式去除該模板劑，免去傳統製程中煅燒的步驟，且基材的加熱溫度遠低於煅燒溫度，透過此一綠色製程，製得一種合乎半導體產業標準的具有低介電常數之奈米沸石薄膜。
本發明具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，包含：
(A)　配製一奈米沸石晶體懸浮液，該奈米沸石晶體懸浮液包括多數個奈米沸石晶體及乙醇，每一個奈米沸石晶體含有多數個孔洞及多數個位於該等孔洞內的模板分子；
(B)　對一基材施予一加熱處理；
(C)　將該奈米沸石晶體懸浮液予以霧化，以形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴；
(D)　利用一惰性氣體，將該等含有奈米沸石晶體之霧化液滴帶入一電漿中進行電漿反應，以獲得多數個經電漿處理之奈米沸石晶體；及
(E)　使該等經電漿處理之奈米沸石晶體沉積於該步驟(B)之經加熱基材上，以去除該等奈米沸石晶體之模板分子並製得一具有低介電常數之奈米沸石薄膜。
該步驟(A)的奈米沸石晶體懸浮液可依據習知方式進行製備，例如2009年由Johan A.Martens團隊所提出(Salvador Eslava,Christine E.A.Kirschhock,Steliana Aldea,Mikhail R.Baklanov,Francesca Iacopi,Karen Maex,Johan A.Martens,“Characterization of spin-on zeolite films prepared from Silicalite-1 nanoparticle suspensions”,Microporous and Mesoporous Materials,vol.118,pp.458-466,2009.)，其之奈米沸石晶體懸浮液是依據25：9：360：200之莫耳比例，將四乙基矽酸鹽(tetraethyl orthosilicate，簡稱TEOS)、氫氧化四丙銨(tetrapropylammonium hydroxide，簡稱TPAOH，作為模板分子)、水及乙醇進行混合、反應及純化後，再加入乙醇所獲得。
較佳地，該步驟(B)之基材加熱處理的溫度範圍在200~300℃。當基材加熱溫度高於300℃時，將致使沸石晶體的結構受到破壞。
較佳地，該步驟(B)之基材在加熱前可先進行一預處理步驟，以利於後續薄膜的形成。
較佳地，該步驟(C)是透過使用一霧化器，將該奈米沸石晶體懸浮液予以霧化，該霧化器可例如超音波震盪器。本發明藉由此一霧化的方式，形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴。更可藉由霧化器的強度，使這些霧化液滴的大小均一。
該步驟(D)之電漿反應是透過在常壓下通過一電漿而完 成，也就是使用一大氣電漿系統。較佳地，該步驟(D)之電漿是透過施加60~90V之電壓所產生。更佳地，該步驟(D)之電漿是透過施加60~90V之脈衝式交流電壓所產生。理論上，電壓越高，奈米沸石晶體沉積成膜效果越佳，但當該電漿的電壓高於90V時，會有電弧的現象產生。
較佳地，該步驟(D)之惰性氣體為氬氣，供給量範圍在6~50L/m(slm)之間。更佳地，該氬氣供給量為10L/m(slm)。
較佳地，該步驟(D)之該等含有奈米沸石晶體之霧化液滴流量範圍在60~200cc/min(sccm)之間。更佳地，該等含有奈米沸石晶體之霧化液滴流量為100cc/min。
較佳地，該步驟(E)所製得之具有低介電常數之奈米沸石薄膜具有低於2之介電常數。
較佳地，該步驟(E)所製得之奈米沸石薄膜的膜厚範圍為80nm~800nm。
用於完成本發明方法的設備配置可例如圖1所示，包含一奈米沸石晶體懸浮液11、一基材12、一超音波震盪器13、一惰性氣體14、一流量控制器15、一電漿產生器16及一加熱器17。而本發明方法之一具體例中，係包含：(a)先配製一奈米沸石晶體懸浮液11；(b)使該基材12於一加熱器17上進行一加熱處理；(c)利用一超音波震盪器13，使該奈米沸石晶體懸浮液11予以霧化，以形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴；(d)　利用一惰性氣體14，並利用一流量控制器15，將該等含有奈米沸石晶體之霧化液滴帶入一電漿產生器16中進行電漿反應，以獲得多數個經電漿處理之奈米沸石晶體；及
(e)　使該等經電漿處理之奈米沸石晶體沉積於該步驟(B)之經加熱基材12上，以去除該等奈米沸石晶體之模板分子並製得一具有低介電常數之奈米沸石薄膜。
較佳地，在該步驟(e)中，該電漿產生器16之出口處與基材12間的距離在3~5mm之間。當距離小於3 mm時，易導致電漿系統有電弧產生。更佳地，該距離為5 mm。
本發明方法屬於乾式製程，透過簡單調整各個步驟的時間及條件，並利用電漿及基板加熱處理而能去除溶劑及模板分子，使得奈米沸石晶體更可緊密且均勻堆疊，而製得合乎後續應用需求的奈米沸石薄膜。
本發明將就以下實施例來作進一步說明，但應瞭解的是，該實施例僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施之限制。
[實施例] ＜實施例1＞ 合成奈米沸石晶體懸浮液
實施例1之奈米沸石晶體懸浮液的配方莫耳比例為TEOS：TPAOH：水：乙醇=25：9：360：200。其中，TEOS購自於ACROS公司，純度98%，符合半導體產業對矽源之純度的需求；TPAOH購自於Alfa Aesar，純度40%。
首先依據上述莫耳比例，秤取適量的TPAOH與去離子水均勻混合，攪拌15分鐘，再加入適量乙醇攪拌5分鐘，最後逐滴加入TEOS並進行水解攪拌72小時後，放入90℃壓力釜中68小時，取出後冷卻，以13000 rpm的轉速離心後獲得一奈米沸石晶體懸浮液11。
將該奈米沸石晶體懸浮液11以X-ray繞射儀(簡稱XRD，供應商為PANalytical，型號X’PERT Pro)及紅外線光譜儀(FT-IR，供應商為Thermo NICOLET，型號5700)鑑定，證實所配製的奈米沸石晶體懸浮液11中，含有的奈米沸石晶體為奈米級MFI型純矽沸石(silicalite-1)，再利用場發射掃描式電子顯微鏡(FE-SEM，供應商為Hitachi，型號4700)觀察，可見奈米沸石晶體呈現大小均一的六角形，粒徑約為50 nm。
基材預處理
ITO導電玻璃：利用鎢鋼筆裁切ITO導電玻璃，置入肥皂水超音波震盪15分鐘，以去離子水清洗，再浸沒於丙酮中並以超音波震盪15分鐘，接著用去離子水清洗後，再浸入乙醇溶液中震盪15分鐘，取出於室溫下陰乾。
製作奈米沸石薄膜
將ITO導電玻璃基材12加熱至300℃，再設置如圖1之設備系統。利用一超音波震盪器13，以乙醇作為分散劑，使上述之奈米沸石晶體懸浮液11予以霧化，形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴。再利用氬氣與氧氣所構成之惰性氣體14，使該等含有奈米沸石晶體之霧化液滴帶入一電漿產生器16進行電漿反應，其中，利用流量控制器15控制氣體流量為10 L/min(slm)，含有奈米沸石晶體之霧化液滴流量為100 cc/min，並設定電漿產生器16的電壓為90 V，調整電漿產生器16出口處與基材12間的距離為5 mm。隨後使該等經電漿處理的奈米沸石晶體沉積於經加熱的基材12上，以去除該等奈米沸石晶體之模板分子，並獲得一奈米沸石薄膜。
[比較例] ＜ 比較例1＞
比較例1所使用的奈米沸石晶體懸浮液的合成方法及基材預處理方式與實施例1相同，並使用如圖1所示之設備系統，唯一不同之處在於，比較例1以水作為分散劑，使奈米沸石晶體懸浮液11予以霧化，形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴。該電漿設備系統的各設定參數與實施例1相同，該等經電漿處理的奈米沸石晶體沉積於經加熱的基材12上，獲得一奈米沸石薄膜。
如圖2所示，比較兩種不同分散劑的奈米沸石薄膜之IR訊號[(a)為比較例1之結果，(b)為實施例1之結果]，可發現以水作為沸石懸浮溶液之分散劑的沸石薄膜(比較例1)，其IR訊號明顯較弱；據此說明以水作為沸石懸浮溶液之分散劑較不易成膜，以乙醇作為分散劑(實施例1)的成膜效果較佳。
＜比較例2＞
比較例2所使用的奈米沸石晶體懸浮液的合成方法及基材預處理方式與實施例1相同，不同之處在於，比較例2的純矽奈米沸石薄膜由旋轉塗佈法製成，即將基材置於旋轉塗佈機上，並對該基材進行該奈米沸石晶體懸浮液的二次塗佈(每次的時間為90秒，且轉速分別為200 rpm及400 rpm)。待塗佈後，將塗佈有奈米沸石晶體懸浮液之基材置於60℃烘箱中烘乾表面水分，以於基材上形成一純矽奈米沸石薄膜。
[性質測試]
為驗證本發明具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法(實施例1)所製得的奈米沸石薄膜(以下簡稱pl-PSZ)，與旋轉塗佈法(比較例2)所製成之奈米沸石薄膜(以下簡稱sp-PSZ)的性質差異，針對上述兩種製法不同的奈米沸石薄膜進行下述幾項測試：
1.　結構分析：
使用紅外線光譜儀(簡稱FT-IR，供應商為Thermo NICOLET，型號5700)，分析沸石晶體懸浮液(以下簡稱silicalite-1)、sp-PSZ以及pl-PSZ的沸石分子官能基。
如圖3所示，其中分析曲線(a)為silicalite-1結果、(b)為sp-PSZ結果及(c)為pl-PSZ結果。
silicalite-1及sp-PSZ在1400-1500cm-1 有模板分子TPA的訊號出現，而pl-PSZ在此處沒有訊號出現，證實本發明所提供的製備方法可有效去除TPA模板分子。
sp-PSZ在900-1000cm-1 有訊號出現，表示sp-PSZ帶有SiOH與OH的官能基，這兩種官能基可能源自於乙醇或沸石孔洞中所帶的基團；而pl-PSZ在此處沒有訊號出現，證明本發明所提供的製備方法可以去除源自於乙醇或沸石孔洞中的SiOH與OH基團。
2.　表面平整度：
運用場發射掃描式電子顯微鏡(簡稱FE-SEM，供應商為Hitachi，型號4700)觀察sp-PSZ及pl-PSZ奈米沸石薄膜表面，結果如圖4~7所示。
如圖4所示，觀察pl-PSZ，放大250倍時有緻密的表面；如圖5所示，放大至10萬倍時，可以看見奈米沸石薄膜表面由約50nm的奈米沸石晶體顆粒組成，其表面凹凸但堆疊有序。
如圖6所示，觀察sp-PSZ，放大250倍時可見其奈米沸石薄膜表面有龜裂產生，是來自於成膜後熱處理步驟所形成；如圖7所示，放大至11萬倍時觀察sp-PSZ表面的每個粒子，可發現粒子大小均勻但有龜裂現象產生，推測是因粒子間原本透過各個粒子與水分子和模板分子的結合力而得以相接合，但在加熱後，此結合力被瞬間去除而造成龜裂。
3.　膜厚成長機制分析：
分別依據實施例1的步驟進行薄膜製備，且製膜期間利用場發射掃描式電子顯微鏡(簡稱FE-SEM，供應商為Hitachi，型號4700)觀察不同沉積時間下的沸石薄膜橫切面，同時分析沸石薄膜的成長機制，觀察結果如圖8(a)~(d)所示。另外，同樣利用場發射掃描式電子顯微鏡觀察比較例1所述之製法製得的多層sp-PSZ，結果如圖9。
在圖8(a)~(d)中，pl-PSZ在沉積時間(a)5分鐘為240 nm，(b)15分鐘為320 nm，(c)30分鐘為380 nm，(d)60分鐘為561 nm。由圖可說明pl-PSZ厚度由沉積時間決定，隨著時間增加而增加，一般來說，膜厚可以控制在80 nm~800nm之間，且可發現薄膜內部堆疊緻密、穩定。
在圖9中，觀察塗覆多層的sp-PSZ橫切面，層與層之間鍵結力不強，呈現片狀堆疊。sp-PSZ的第一層厚度為0.83μm，第二層與第三層厚度分別為1.83μm，第四層與第五層厚度分別約為2μm。
推測sp-PSZ每一層之膜厚受基材的附著力影響，其中第一層沸石薄膜受到最大的基材附著力影響，故厚度最小；層與層之間的厚度不均勻且鍵結不強，是sp-PSZ需克服的問題之一。
4 .　表面張力：
使用接觸角測定儀(簡稱CA，供應商為NICOLET，型號5700)，以甘油(表面張力為63 dynes/cm)為溶劑，測定表面張力，判斷pl-PSZ及sp-PSZ奈米沸石薄膜的親疏水性。
如圖10所示，pl-PSZ的接觸角(簡稱CA)為151°，滴入的甘油液滴在pl-PSZ表面呈圓球狀，顯示pl-PSZ為疏水型。如圖11所示，sp-PSZ的接觸角為21°，表面張力較pl-PSZ小，滴入的甘油液滴呈現扁平狀，顯示sp-PSZ為親水型。
另結合IR觀測的結果作推測，sp-PSZ含有SiOH官能基以及TPA模板分子上的胺基，使sp-PSZ表面為親水性且具有極性；而pl-PSZ的IR分析結果不含有上述兩種官能基，屬於疏水性的非極性表面。
5.　耐熱性：
使用FT-IR進行熱穩定度的比對。
首先進行pl-PSZ與silicalite-1的比對。在250~650℃之間加熱pl-PSZ及已去除溶劑的silicalite-1粉末，並分別在250℃、350℃、450℃、550℃及650℃下維持恆溫四小時後，並進行IR測試。
結果如圖12所示，溫度標註之左側為pl-PSZ結果，右側為silicalite-1結果。在650℃下，pl-PSZ的訊號強度未減弱，silicalite-1粉末的訊號強度則有減弱的現象。
接著比對pl-PSZ與sp-PSZ。在250~650℃之間加熱pl-PSZ及sp-PSZ，分別在加熱前、加熱至550℃維持四小時，以及加熱至600℃維持六小時的情況下，進行IR測試。
結果如圖13所示，溫度標註之左側為pl-PSZ結果，右側為sp-PSZ結果。pl-PSZ在三種溫度下，官能基訊號強度變化不大，而sp-PSZ則是在600℃環境中放置六小時後，官能基訊號消失瓦解，說明pl-PSZ具有較佳的耐熱性，可以承受高達600℃的高溫。
由上述比較分析，可說明本發明運用電漿的沸石薄膜製備方法，具有提高奈米沸石晶體之耐熱性的效果。
6.　介電性質：
使用阻抗分析儀(LCR-meter，供應商惠普，型號為HP-4294A)測量電容值，再經公式計算後，求得介電常數值(κ)。
結果如圖14所示，(a)為pl-PSZ的結果，(b)為sp-PSZ的結果。pl-PSZ的κ=1.97，sp-PSZ的κ=2.17，證實本發明方法可以有效控制純矽奈米沸石薄膜的介電常數值在2以下，使所製成的奈米沸石薄膜合乎半導體產業對低介電薄膜的需求。
綜合上述分析比較，本發明pl-PSZ與一般常見之sp-PSZ作比較時，pl-PSZ表面Si-OH含量較低，同時奈米沸石晶體間推疊排列較為緊密，且明顯具有更高的疏水性(CA=151°)。另，pl-PSZ在550℃環境中仍保持與加熱前相當的IR訊號強度，說明具有較佳的耐熱性。因此，本發明為一種簡單且環保且品質良好的具有低介電常數之沸石薄膜的製備方法。
綜上所述，本發明藉由霧化器及選用乙醇作為分散劑，形成含有奈米沸石晶體之霧化液滴，並使該含有奈米沸石晶體之霧化液滴通過一電漿並進行電漿化學反應後，沉積奈米沸石晶體於經加熱的基材上，形成一內部均勻緻密，可以抗高溫的低介電性質奈米沸石薄膜，且在製程中不需煅燒，僅需加熱基材即可移除模板分子。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
11‧‧‧奈米沸石晶體懸浮液
12‧‧‧基材
13‧‧‧超音波震盪器
14‧‧‧惰性氣體
15‧‧‧流量控制器
16‧‧‧電漿產生器
17‧‧‧加熱器
圖1是一系統裝置圖，說明本發明方法的一具體例之設備系統設置；
圖2是一紅外線光譜圖，說明實施例1與比較例1的IR訊號，其中，(a)為比較例1之分析結果及(b)為實施例1之分析結果；
圖3是一紅外線光譜圖，說明奈米沸石晶體、sp-PSZ及pl-PSZ的分析結果，其中，(a)為silicalite-1之奈米沸石晶體之分析結果、(b)為sp-PSZ之分析結果、(c)為pl-PSZ之分析結果；
圖4是一光學顯微鏡照片，說明pl-PSZ放大250倍的表面；
圖5是一場發射掃描式電子顯微鏡照片，說明pl-PSZ放大10萬倍的表面；
圖6是一光學顯微鏡照片，說明sp-PSZ放大250倍的表面；
圖7是一場發射掃描式電子顯微鏡照片，說明sp-PSZ放大11萬倍的表面；
圖8(a)~(d)是場發射掃描式電子顯微鏡照片，紀錄pl-PSZ於(a)5分鐘、(b)15分鐘、(c)30分鐘，以及(d)60分鐘之沉積情形的pl-PSZ橫切面照片；
圖9是一場發射掃描式電子顯微鏡照片，說明sp-PSZ多層沉積的橫切面；
圖10是一顯微鏡照片，說明pl-PSZ的表面張力性質；
圖11是一顯微鏡照片，說明sp-PSZ的表面張力性質；
圖12是一紅外線光譜圖，說明pl-PSZ及silicalite-1在不同溫度下的分析結果；
圖13是一紅外線光譜圖，說明pl-PSZ及sp-PSZ在不同溫度下的分析結果；及
圖14(a)及(b)是頻率與介電常數關係圖，說明pl-PSZ及sp-PSZ的頻率與介電常數關係圖。
11．．．奈米沸石晶體懸浮液
12．．．基材
13．．．超音波震盪器
14．．．惰性氣體
15．．．流量控制器
16．．．電漿產生器
17．．．加熱器

Claims (5)

  1. 一種具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，包含：(A)配製一奈米沸石晶體懸浮液，該奈米沸石晶體懸浮液包括多數個奈米沸石晶體及乙醇，每一個奈米沸石晶體含有多數個孔洞及多數個位於該等孔洞內的模板分子；(B)對一基材施予一溫度範圍在200~300℃之間的加熱處理；(C)將該奈米沸石晶體懸浮液予以霧化，以形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴；(D)利用一惰性氣體，將該等含有奈米沸石晶體之霧化液滴帶入一電漿中進行電漿反應，以獲得多數個經電漿處理之奈米沸石晶體；及(E)使該等經電漿處理之奈米沸石晶體沉積於該步驟(B)之經加熱基材上，以去除該等奈米沸石晶體之模板分子並製得一具有低介電常數之奈米沸石薄膜。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，其中，該步驟(D)之電漿是透過施加60~90V之電壓所產生。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述之具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，其中，該步驟(D)之電漿是透過施加60~90V之脈衝式交流電壓所產生。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述之具有低介電常數之奈米 沸石薄膜的製備方法，其中，該步驟(E)之奈米沸石薄膜具有低於2之介電常數。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述之具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，其中，該步驟(E)之奈米沸石薄膜的膜厚範圍為80nm~800nm。
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