TWI438943B - 發光二極體封裝結構的製造方法 - Google Patents

Description

發光二極體封裝結構的製造方法

本發明涉及半導體製程，尤其涉及一種發光二極體封裝結構的製造方法。

很多發光二極體(Light Emitting Diode,LED)封裝結構都包括反射杯結構，設置在LED發光二極體的周圍。如圖1所示，在該反射杯1表面上往往形成有一層高反射率的金屬膜2，以增加反射效果。但是該金屬膜2不易製作，在鍍制所述金屬層的過程中容易導致LED發光二極體封裝結構產生不良或失效，從而影響發光二極體封裝結構的生產良率和出光效果。

有鑒於此，有必要提供一種能夠防止LED發光二極體封裝結構不良或失效的發光二極體封裝結構的製造方法。

一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括以下步驟：提供封裝載體，該封裝載體上有兩個導線架，封裝載體包括第一表面，該第一表面上形成有容置槽，容置槽由底壁和側壁圍成；提供遮罩，所述遮罩包括滑塊和與該滑塊連接並遮蓋該滑塊的軟膜，所述軟膜為耐高溫的材料製成，所述滑塊滑動，撐開軟膜遮 住底壁；利用金屬鍍膜技術在側壁上形成金屬反射層；移出該遮罩，將發光二極體晶片貼設於所述容置槽的底部，並與所述兩個導線架通過金屬導線電性連接；形成封裝層，覆蓋所述發光二極體晶片，得到發光二極體封裝結構。

發光二極體封裝結構的製造方法中，由於在鍍金屬反射層的過程中提供了一個遮罩遮住容置槽的底壁，使得該金屬反射層僅分佈在容置槽的側壁上，避免底壁受到鍍膜的影響，防止LED發光二極體封裝結構產生不良或失效，從而提高發光二極體封裝結構的生產良率和增加出光效果。

1‧‧‧反射杯

2‧‧‧金屬膜

10‧‧‧發光二極體封裝結構

11‧‧‧封裝載體

111‧‧‧第一表面

112‧‧‧第二表面

113‧‧‧容置槽

114‧‧‧底壁

115‧‧‧側壁

12‧‧‧導線架

13‧‧‧發光二極體晶片

131‧‧‧金屬導線

14‧‧‧封裝層

15‧‧‧金屬反射層

20‧‧‧遮罩

21‧‧‧把手

22‧‧‧滑塊

23‧‧‧連桿

24‧‧‧軟膜

圖1是一種發光二極體封裝結構示意圖。

圖2是本發明實施方式提供的一種發光二極體封裝結構的製造方法流程圖。

圖3至圖7是本發明實施方式提供的一種發光二極體封裝結構的製造方法示意圖。

圖8是本發明實施方式提供的遮罩的俯視圖。

以下將結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。

請參閱圖2至圖7，本發明實施方式提供的一種發光二極體封裝結 構的製造方法包括以下步驟。

步驟S201：提供一封裝載體11，該封裝載體11上有兩個導線架12。所述封裝載體11包括相對的第一表面111及第二表面112。該第一表面111上形成有一容置槽113。所述容置槽113由底壁114和側壁115圍成。所述底壁114和側壁115可為一體成型或採用黏膠等方式固接，本實施方式中，所述底壁114和側壁115一體成型。所述封裝載體11可採用高導熱且電絕緣材料製成，該高導熱且電絕緣材料可選自石墨、矽、陶瓷、類鑽、環氧樹脂或矽烷氧樹脂等。所述每個導線架12一端裸露在容置槽113的底壁114上，另一端裸露在封裝載體11的第二表面112上。所述導線架12可採用金屬或金屬合金製成。

步驟S202：提供一遮罩20，將該遮罩20置於容置槽113內，遮住底壁114。如圖8所示，所述遮罩20包括一個把手21和多個滑塊22，把手21和滑塊22之間通過連桿23連接，用一塊軟膜24遮蓋所述滑塊22和連桿23，所述軟膜24為耐高溫的材料製成，軟膜24與所述滑塊22的外邊緣固定連接，遮蓋住所述滑塊22。當下壓把手21時，連桿23帶動滑塊22向四周滑動，撐開所述軟膜24遮蓋住整個底壁114。可以理解的，所述遮罩20還可以設計成通入氣體的方式控制所述滑塊22的滑動。

步驟S203：利用金屬鍍膜技術在側壁115上形成一金屬反射層15。該金屬鍍膜技術為蒸鍍、離子鍍或磁控濺鍍。所述金屬反射層15所用的材料可以為金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂中的一種或幾種的混合。

步驟S204：提起把手21可以使得連桿23帶動滑塊22收縮，可以避免直接向上取出所述遮罩20時，破壞所述金屬反射層15。將發光二極體晶片13貼設於所述容置槽113的底壁114上或導線架12上。具體地，該發光二極體晶片13可通過黏著膠固定於容置槽113的底壁114或導線架12上。所述發光二極體晶片13通過金屬導線131與所述兩個導線架12電性連接。值得說明的是，該發光二極體晶片13亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式電性連接所述兩個導線架12。優選地，所述金屬反射層15能夠反射發光二極體晶片13發出的光線，以控制發光二極體晶片13的出光方向。

步驟S205：在所述容置槽113內形成封裝層14，所述封裝層14的材質可以為矽膠(silicone)、環氧樹脂(epoxy)或二者的組合物。所述封裝層14還可以包含螢光轉換材料，該螢光轉換材料可以為石榴石基螢光粉、矽酸鹽基螢光粉、原矽酸鹽基螢光粉、硫化物基螢光粉、硫代鎵酸鹽基螢光粉和氮化物基螢光粉。所述封裝層14可以保護發光二極體晶片13免受灰塵、水氣等影響。這樣就形成了所述發光二極體封裝結構10。

本發明實施方式提供的發光二極體封裝結構的製造方法中，由於在鍍金屬反射層的過程中提供了一個遮罩遮住容置槽的底壁，使得該金屬反射層僅分佈在容置槽的側壁上，避免底壁受到鍍膜的影響，防止LED發光二極體封裝結構產生不良或失效，從而提高發光二極體封裝結構的生產良率和增加出光效果。

另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然， 這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。

Claims (8)

1. 一種發光二極體封裝結構的製造方法，包括以下步驟：提供封裝載體，該封裝載體上有兩個導線架，封裝載體包括第一表面，該第一表面上形成有容置槽，容置槽由底壁和側壁圍成；提供遮罩，所述遮罩包括滑塊和與該滑塊連接並遮蓋該滑塊的軟膜，所述軟膜為耐高溫的材料製成，所述滑塊滑動，撐開軟膜遮住底壁，所述遮罩還包括一個把手，方便遮罩的取出和放入，所述把手通過多個連桿與所述滑塊連接，所述軟膜遮蓋所述滑塊及連桿；利用金屬鍍膜技術在側壁上形成金屬反射層；移出該遮罩，將發光二極體晶片貼設於所述容置槽的底部，並與所述兩個導線架通過金屬導線電性連接；形成封裝層，覆蓋所述發光二極體晶片，得到發光二極體封裝結構。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述滑塊通過通入氣體的方式控制其滑動。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述金屬鍍膜技術為蒸鍍、離子鍍或磁控濺鍍。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述金屬反射層所用的材料為金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂中的一種或幾種的混合。
5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法， 其中：所述封裝層包含螢光轉換材料。
6. 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述螢光轉換材料為石榴石基螢光粉、矽酸鹽基螢光粉、原矽酸鹽基螢光粉、硫化物基螢光粉、硫代鎵酸鹽基螢光粉或氮化物基螢光粉中的一種。
7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述導線架位於容置槽底部，所述發光二極體晶片貼設於該導線架上。
8. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體封裝結構的製造方法，其中：所述發光二極體晶片利用金屬導線連接、覆晶或共晶的方式電性連接所述兩個導線架。