KR20080064746A

KR20080064746A - 발광 다이오드 장치 제조 방법

Info

Publication number: KR20080064746A
Application number: KR1020080001351A
Authority: KR
Inventors: 밍- 리; 슈-웨이 치우
Original assignee: 유니-라이트 터치테크 코포레이션
Priority date: 2007-01-05
Filing date: 2008-01-04
Publication date: 2008-07-09
Also published as: TW200830577A; DE102008003093A1; JP2008172226A; US20080293172A1

Abstract

비도전성 기판을 제거하지 않고 수직 LED 장치를 제조하기 위한 LED 장치 제조 방법이 개시된다. 첫번째, 도전성 기판이 비도전성 기판의 LED 에피택셜 층위에 형성되어, 결합 또는 전기도금에 의해 LED 웨이퍼를 형성하고, 또한 복수의 LED 스틱으로 절단되고, 2개의 LED 스틱 사이마다 각각의 공간층이 결합되어 있다. 두번째로, 복수의 LED 스틱과 공간층은 픽스쳐에 의해 고정되고, 각 LED 스틱의 유형 Ⅰ의 반도체 층과 LED 에피택셜 층의 활성층은 각각의 공간층에 의해 덮혀져 있다. 또한, 투명 도전층이 그 위에 형성됨으로써, 유형 Ⅰ과 반대의 유형 Ⅱ의 반도체 층과 전기적으로 접속되고, 복수의 전극이 그 위에 형성된다. 마지막으로, 상기 LED 스틱은 복수의 LED 장치로 절단된다.

Description

발광 다이오드 장치 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DIODE DEVICES}

본 발명은 LED 장치 제조 방법에 관한 것으로, 특히 약한 열방산 비도전성 기판을 제거할 필요없이 수직 LED 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.

질화 갈륨(GaN)은 청색광의 파장에 근접한 발광 범위를 갖는 넓은 에너지 대역(실온에서 Eg=3.4eV)을 갖기 때문에, 단파장 발광 장치에 매우 적합하고, 그러므로 광전자 장치를 개발하는데 가장 인기있는 물질중 하나가 되어 오고 있다. 현재 기술에서는, 단파장 발광 다이오드(LED)를 제조하기 위해 사파이어 기판 위에 질화 갈륨을 안정적으로 성장할 수 있지만, 사파이어의 약한 열방산으로 인해, LED의 신뢰도가 좋지 않다.

사파이어의 약한 열방산 문제를 극복하기 위해, 질화 갈륨 LED 에피택셜층이 사파이어 기판 위에 형성된 후, 질화 갈륨 LED 에피택셜층이 더 좋은 열방산을 갖는 기판 위에 또한 접합되고, 그 후, 사파이어 기판은 LED 장치에서 제거된다.

도 1a ~ 1d는 질화 갈륨 LED 장치를 제조하는 종래 방법을 나타내는 단면도이다. 첫번째, 도 1a에 나타낸 것같이, 사파이어 기판(10) 위에, 질화 갈륨 LED 에 피택셜층(11)이 형성되어 있고, 질화 갈륨 LED 에피택셜층(11)은 n형 질화 갈륨층(12), 활성층(13), p형 질화 갈륨층(14)으로 구성된다. 도 1b에 나타낸 것같이, 도전성 기판(16) 위에, 도전성 접합층(17)이 형성되어 있다. 두번째, 도 1c에 나타낸 것같이, 사파이어 기판(10)과 도전성 기판(16)이 접합된다. 도 1d에 나타낸 것같이, 질화 갈륨 LED 에피택셜층(11)의 일면이 노출되도록 상기 사파이어 기판(10)이 제거되고, 그 후 복수의 전극(18)이 질화 갈륨 LED 에피택셜층(11)의 표면 위에 형성되고, 마지막으로, 절단되어 복수의 LED 장치를 형성한다. 사파이어의 약한 열 방산으로 인해, 질화 갈륨 LED 에피택셜층은 또한 도전성 기판(16)과 접합되고, 사파이어 기판은 제거되어 LED 장치가 강한 열방산 효과, 강한 정전기 방지 효과, 강한 대전류 동작 등의 장점을 갖는다.

그러나, 질화 갈륨 LED 에피택셜층(11)과 사파이어 기판(10)이 분리될 때, 질화 갈륨 LED 에피택셜층(11)은 쉽게 손상된다. 예를 들면, 레이저 충격에 의해 질화 갈륨 LED 에피택셜층(11)과 사파이어 기판(10)을 분리하는 것은, 질화 갈륨 LED 에피택셜층으로 하여금 왜곡되게 한다.

본 발명의 목적은 LED 에피택셜층과 비도전성 기판을 분리하는데 있어서 LED 에피택셜 층의 손상을 피하기 위해 약한 열 방산 비도전성 기판을 제거하지 않고 LED 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적에 기초하여, 본 발명은 비도전성 기판을 제거할 필요없이 LED 장치를 제조하는 방법을 개시한다. 도전성 기판은 전기도금 또는 접합 방법에 의해 비도전성 기판으로 LED 에피택셜 층 위에 형성됨으로써, LED 웨이퍼를 형성하고, LED 웨이퍼는 복수의 LED 스틱으로 절단되고, 각 공간 층은 2개의 LED 스틱 사이마다 접합되고, LED 스틱의 열과 공간층은 픽스쳐에 의해 고정되면서, 공간층은 유형 Ⅰ 반도체층과 활성층을 덮는다. 다음에, 투명한 도전층이 LED 스틱과 공간층 위에 형성되므로, 비도전성 기판 위의 투명한 도전층이 유형 Ⅰ에 반대의 유형 Ⅱ의 반도체 층으로 전기적으로 접속됨으로써, 복수의 LED 장치를 제조하기 위해, 전극 형성 및 커팅 등의 후속의 제조 처리가 행해진다.

종래의 LED 장치의 결함을 고려하여, 본 발명은 LED 장치 제조 방법을 개시함으로써, 정상과 바닥면에 전극을 갖는 수직형 LED 장치가 약한 열방산 비도전성 기판의 필요없이 형성될 수 있으므로, LED 에피택셜층의 손상이 방지되고, 밀봉 과정이 간단화될 수 있다.

본 발명의 상세한 실시예를 서술하지만, 여기에 기재되어 있는 것 이외에, 본 발명은 다른 실시예에 널리 적용가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 청구범위에 의해 보호되는 것이고, 개시된 실시예들에만 한정되는 것은 아니다.

또한, 본 발명을 더 쉽게 이해하도록 보다 상세한 설명을 제공하기 위해, 도면에 나타낸 항목은 대응적으로 수치가 주어지는 것은 아니고, 도면의 명백성을 유지하기 위해, 몇몇의 크기 및 관련 치수는 과장될 수 있고, 관련 상세는 도시되지 않을 수 있다.

도 2a 내지 2d는 LED 웨이퍼 형성 방법을 나타내는 본 발명의 실시예의 개략도이다. 첫번째, 도 2a에 도시한 것같이, LED 에피택셜층(21)은 비도전성 기판(20) 위에 형성되고, 비도전성 기판(20)은 사파이어 등의 물질로 만들어진 투명 기판이다. 유형 Ⅰ이 n형일 때, 유형 Ⅱ은 유형 Ⅰ에 반대의 p형 이고, 유형 Ⅰ이 p형일 때, 유형 Ⅱ은 유형 Ⅰ에 반대의 n형 이다. 그러므로, LED 에피택셜 층(21)은 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층으로 순서대로 구성될 수 있거나, LED 에피택셜 층(21)은 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층으로 구성될 수 있다. 실시예에서, LED 에피택셜층은 n형 질화 갈륨층, 활성층 및 p형 질화 갈륨층으로 구성될 수 있다.

두번째로, LED 웨이퍼를 형성하기 위해, 비도전성 기판(20)의 LED 에피택셜층 위에 도전성 기판이 형성된다. 도 1b에 나타낸 것같이, 도전성 접착층(31)을 갖는 도전성 기판(30)이 제공되고, 도전성 기판(30)은 비도전성 기판(20) 보다 더 좋 은 열방산을 갖는다. 도전성 기판(30)의 물질은 반도체, 금속 또는 합금일 수 있다. 도전성 접착층(31)의 물질은 금(Au), 금합금(Au 합금)일 수 있다. 또한, 밀봉 접촉층(도면에 비도시)은 외부 접속을 위해 도전성 기판(30) 아래에 또한 형성될 수 있다. 세번째로, 도 2c에 나타낸 것같이, 비도전성 기판(20)과 도전성 기판(30)은 웨이퍼 접합 기술에 의해 결합되어 LED 웨이퍼(35)를 형성할 수 있고, 실시예에서, 웨이퍼 접합 기술은 열접합, 열압축 접합 또는 열 초음파 접합 등을 포함할 수 있다.

또한, 도전성 기판은 전기도금법에 의해 LED 에피택셜층(21)(도면에 비도시) 위에 형성될 수 있다.

또한, 비도전성 기판(20)의 대부분의 두께는 감소되지 않거나 감소될 수 있다. 도 2d에 나타낸 것같이, 유형 Ⅰ 도전층(22)을 노출시키지 않고, 비도전성 기판(20)의 대부분의 두께는 그라인딩 기술에 의해 감소되어 비도전성 기판(20a)으로 될 수 있다.

도 2e 내지 2i는 LED 웨이퍼 형성 방법을 나타내는 본 발명의 제1 실시예의 개략도이다. 첫번째, 도 2e는 LED 웨이퍼(35)의 평면도를 나타낸다. 첫번째, 도 2e에 나타낸 것같이, LED 웨이퍼(35)는 복수의 LED 스틱(36)으로 절단되고, 절단 기술은 다이싱 소(dicing saw), 다이아몬드 스크라이버(diamond scriber) 또는 레이저 커팅 등이 될 수 있다. 두번째, 도 2f에 나타낸 것같이, 복수의 공간층(37)의 각 공간층(37)은 2 LED 스틱마다 접합되고, 각 공간층(37)의 높이는 노출된 유형 Ⅰ의 반도체층(22)으로 유형 Ⅱ의 반도체층(24)과 활성층(23)을 완전히 덮고, 공간 층의 물질은 실리콘 등의 반도체 물질일 수 있거나, 세라믹 물질일 수 있다. 그 후, LED 스틱(36)의 열과 공간층(37)은 픽스쳐(40)에 의해 고정된다.

세번째, 도 2g에 나타낸 것같이, 투명한 도전층(38)이 LED 스틱(36)의 전체 열과 공간층(37)의 정상에 형성되므로, 비도전 기판(20a)의 투명한 도전층(38)이 유형 Ⅰ의 반도체 층(22)과 접속된다. 투명한 도전층(38)의 물질은 산화 니켈/금(NiO/Au), 산화 인듐 주석(ITO), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 알루미늄 아연(AlZnO) 등일 수 있다. 유형 Ⅱ의 반도체 층(24)과 활성층(23)이 공간층(37)에 의해 덮혀지면서, 투명한 도전층(38)이 유형 Ⅰ 반도체층(22)과 전기적으로 접속될 수 있고, 활성층(23)과 유형 Ⅱ 반도체(24)는 접속되지 않아 단락되는 것을 피할 수 있다.

네번째, 도 2h에 나타낸 것같이, 공간층(37)은 제거되고, LED 스틱(36)의 전체 열은 픽스쳐(40)에 의해 고정됨으로써, 복수의 유형 Ⅰ의 전극(39)이 각 LED 스틱(36)의 투명한 도전층(38) 위에 형성되고 나서, LED 스틱(36)은 도 2i에 나타낸 것같이 복수의 수직형 LED 장치로 절단되고, 실시예에서, 절단 방법은 다이싱 소(dicing saw), 다이아몬드 스크라이버(diamond scriber) 또는 레이저 커팅 등이 될 수 있다. 그러므로, 전류는 유형 Ⅰ 전극(39)으로부터 투명한 도전층(38), 유형 Ⅰ 반도체층(22)을 통해 활성층(23)으로 전달되어 광을 방사한다.

도 3a 내지 3b는 LED 장치 제조 방법을 나타내는 본 발명의 제2 실시예의 개략도이다. 첫번째, 도 3a에 나타낸 것같이, LED 웨이퍼(35)는 복수의 LED 스틱(36)으로 절단된다.

도 3b에 나타낸 것같이, 각 공간층(37)은 2개의 LED 스틱(36) 사이마다 글루 접합 등의 접합 방법에 의해 접합되고, 공간층(37)의 물질은 실리콘, 세라믹 등의 반도체 물질일 수 있다. 또한, 공간층(37)의 2면은 고반사 처리되어, LED 스틱과 접합되는 고반사층(비도시)을 형성할 수 있고, 고반사층은 고반사 금속층 또는 고반사 코팅의 멀티 층일 수 있다. 고반사 금속층의 물질은 금, 알루미늄, 은 또는 그 합금들 중 하나를 포함하고, LED가 동일한 방향으로 광을 방사하게 함으로써, LED의 지향성을 증가시킨다.

도 4a 내지 4b는 LED 장치 위에 전극을 접합하는 방법을 나타내는 본 발명의 실시예의 개략도이다. 상기 방법에 의해 제조된 LED 장치(50)는 도 4a에 나타낸 것같고, LED 스틱(36)은 LED 에피택셜 층(21)과 유형 Ⅰ 전극(39)을 갖는 기판(212)으로 구성되고, 금속 바(213)는 개별 와이어 접합의 필요없이 도 4b에 나타낸 것같이(측면도) 각 LED 스틱(39)의 유형 Ⅰ 전극(39)과 접합된다.

도 5a 내지 5c는 LED 장치 제조 방법을 나타내는 본 발명의 제3 실시예의 개략도이다. 첫번째, 도 5a에 나타낸 것같이, LED 웨이퍼(35)는 LED 에피택셜층(21)을 포함하는 기판(212)을 갖고, LED 에피택셜층(21)은 유형 Ⅰ 반도체층, 활성층 및 유형 Ⅰ 반도체층과 반대의 유형 Ⅱ 반도체층으로 구성되고, 기판(212)은 비도전성 기판 또는 도전성 기판일 수 있다.

두번째로, LED 웨이퍼(35)는 도 5b에 나타낸 것같이, 복수의 LED 스틱(36)으로 절단되고, 복수의 공간층(37)이 설치되고, 각 공간층(37)은 2개의 LED 스틱(36) 마다 접합되고, 공간층(37)의 높이는 도 5c에 나타낸 것같이, LED 스틱(36) 의 높 이보다 더 낮다. 공간층(37)의 물질은 실리콘, 또는 세라믹 물질 등의 반도체 물질 일 수 있다. 또한, LED 스틱(36)의 열과 공간층(37)은 픽스쳐(40)에 의해 고정된 후, LED 스틱(36)의 표면 및 노출면이 또한 제조된다.

LED 스틱의 노출면과 표면은 또한 반사방지 처리되어, 광효율을 증가시키고, 반사 방지 처리는 표면 조면화 처리와 반사 방지 코팅을 포함하므로, LED 장치의 발광의 전체 반사가 회피될 수 있고, 발광 효율이 개선되어 고효율의 LED 장치를 얻을 수 있다. LED 스틱(36)의 노출면과 표면은 도 6의 실시예에 나타낸 것같이 적어도 하나의 반사 방지층(61)으로 반사 방지 코팅되고, 하나의 반사방지층만이 도면에 도시된다. 또한, 반사방지층(61)은 산화 실리콘 또는 질화 실리콘의 유전층일 수 있고, 반사 방지 코팅이 플라즈마 개선된 화학 기상 증착(PECVD) 등에 의해 실시될 수 있고, 증착 두께는 유전층에서 이동하는 광의 파장인 파장의 대략 1/4이다. 일반적으로, 광원의 전체 반사를 감소시키고 광효율을 증가시키기 위해 반사 방지층의 멀티 층에 의해 더 좋은 효과가 얻어질 수 있다. 그 후, 복수의 개구가 전극(도면에 비도시) 위에 형성될 수 있고, 몇몇 고효율 LED 장치(도면에 비도시)를 얻기 위해 LED 스틱은 절단된다.

상기 방법을 통해, LED 스틱의 노출면이 고반사 처리되어 고반사 층을 형성할 수 있으므로, LED 스틱이 동일한 방향으로 광을 방사하여 그 광 지향성을 증가시키고, 고지향성 LED 스틱(도면에 비도시)을 형성할 수 있다. 고반사층은 고반사 금속층이거나 고반사 코팅의 멀티층이고, 고반사층이 고반사 금속층일 때, 투명한 유전층이 고반사 금속층과 LED 에피택셜층 사이에 형성되어 고반사층과 LED 에피택 셜층 사이의 단락을 방지한다.

도 7a 내지 7d는 고지향성 LED 장치 제조 방법을 나타내는 본 발명의 실시예의 개략도이다. 첫번째, LED 웨이퍼는 LED 에피택셜 층(21)을 포함하는 기판(212)을 갖고, 그 실시예가 도전성 기판에 기초하며, 비도전성 기판의 실시예는 여기에 서술하지 않는다. LED 에피택셜 층(21)은 유형 Ⅰ 반도체층, 활성층, 유형 Ⅰ에 반대의 유형 Ⅱ 반도체층으로 구성된다. 두번째, LED 웨이퍼는 복수의 LED 스틱(36)으로 절단되고, 또한 상기 복수의 LED 스틱(36)의 표면은 광저항층(62)으로 형성되고, 즉, 도 7a에 나타낸 것같이, 복수의 LED 스틱(36)은 픽스쳐(40)에 의해 고정되고, 상기 복수의 스틱(36)은 회전되어 광저항층(62)으로 코팅하고, 그 후, 각 LED 스틱(36)은 분리된다.

다음에, 도 7b에 나타낸 것같이, 상기 복수의 LED 스틱(36)은 픽스쳐(40)에 의해 고정되고, 각 공간층(37)은 2층의 LED 스틱(36) 사이 마다 접합되고, 공간층(37)의 높이는 LED 스틱(36)의 높이보다 낮다. 그 후, 도 7c에 나타낸 것같이, 투명한 도전층(63) 및 고반사층(64)이 복수의 LED 스틱의 열 및 복수의 공간층(37) 위에 형성되고, 고반사층(64)은 고반사 금속층 또는 고반사 코팅의 멀티층이다. 고반사 금속층의 금속은 금, 알루미늄, 은 또는 그 합금중 하나를 포함한다. 투명한 도전층(63)이 고반사층(64)과 LED 에피택셜 층(21) 사이의 회로 단락을 피하기 위해 사용되고, 고반사층(64)이 고반사 코팅의 멀티층이면, 투명한 도전층(63)이 형성될 필요는 없다. 실시예 도면과 후속되는 설명은 고반사층(64)이 고반사 금속층인 것에 기초한다. 그 후에, 공간층(37)이 제거되고, 또한 LED 스틱(36) 표면 위의 선택 저항층(62), 투명한 도전층(63) 및 고반사층(64)이 도 7d에 나타낸 것같이 제거된다. 결국, 전극이 LED 스틱(36) 위에 형성되고(비도시), LED 스틱은 복수의 LED 장치로 절단된다(비도시).

LED 장치(50)의 활성층에 의해 방사된 광(510)은 상기 LED 장치(50)의 2면에서 고반사층(64)에 의해 반사됨으로써, LED 장치(50)가 도 8에 나타낸 것과 동일한 방향으로 광을 방사하도록 일정한 조광 특성을 갖게 한다.

본 발명의 LED 웨이퍼 형성 방법은, 비도전성 기판을 제거할 필요 없이, LED 장치의 위, 아래 전극을 형성하기 위해 비도전성 기판의 LED 에피택셜층 위에 도전성 기판을 형성함으로써, LED 에피택셜 층과 비도전성 기판을 분리하는데 있어서 생기는 LED 에피택셜 층의 손상을 방지한다. 본 발명의 LED 장치 제조 방법은, 큰 면적의 LED 장치를 직접 절단함으로써, 수율이 증가될 수 있다.

상기 서술된 실시예들은 본 발명의 기술적인 사상과 특성만을 서술한 것이다. 그 주요 목적은 본 기술에서 숙련된 자가 본 발명의 내용을 이해함으로써 실행하도록 하기 위한 것이므로, 본 출원의 청구범위를 제한하기 위해 사용된 것은 아니고, 즉, 본 발명에 관계되는 모든 동등한 변경 또는 수정이 청구 범위 내에 포함될 수 있다.

도 1a 내지 1d는 종래의 질화 갈륨 LED 장치를 제조하는 방법을 나타내는 단면도이다.

도 2a 내지 2d는 LED 웨이퍼 형성 방법을 나타내는 본 발명의 실시예의 개략도이다.

도 2e 내지 2i는 LED 웨이퍼 형성 방법을 나타내는 본 발명의 제1 실시예의 개략도이다.

도 3a 내지 3b는 LED 장치 제조 방법을 나타내는 본 발명의 제2 실시예의 개략도이다.

도 4a 내지 4b는 LED 장치 위에 전극을 접합하는 방법을 나타내는 본 발명의 실시예의 개략도이다.

도 5a 내지 5c는 LED 장치 제조 방법을 나타내는 본 발명의 제3 실시예의 개략도이다.

도 6은 고효율 LED 장치 제조 방법을 나타내는 본 발명의 다른 실시예의 개략도이다.

도 7a 내지 7d는 고지향성 LED 장치 제조 방법을 나타내는 본 발명의 실시예의 개략도이다.

도 8은 고지향성 LED 장치의 개략도이다.

Claims

LED 장치 제조 방법으로서,

LED 웨이퍼를 준비하는 단계;

상기 LED 웨이퍼를 복수의 LED 스틱으로 절단하는 단계; 및

상기 복수의 LED 스틱을 픽스쳐에 의해 고정하는 단계로서, 각 공간층이 2개의 LED 스틱 사이 마다 접합되고, 상기 공간층의 높이는 상기 LED 스틱의 높이보다 더 낮은, 단계를 포함하며,

이로부터, 상기 복수의 LED 스틱의 표면 및 노출된 측면을 제조하는 방법이 수행되는, LED 장치 제조 방법.
청구항 1에 있어서,

상기 LED 웨이퍼는 LED 에피택셜 층을 포함하는 기판이고, 상기 LED 에피택셜 층은 유형 Ⅰ의 반도체층, 활성층, 및 상기 유형 Ⅰ과 상반되는 유형 Ⅱ의 반도체층으로 구성되는, LED 장치 제조 방법.
청구항 2에 있어서,

상기 기판은 도전성 또는 비도전성 기판인, LED 장치 제조 방법.
청구항 2에 있어서,

상기 기판은 비도전성 기판이고, 도전성 기판이 상기 비도전성 기판의 유형 Ⅱ의 반도체층의 위에 또한 형성되는, LED 장치 제조 방법.
청구항 4에 있어서,

상기 비도전성 기판의 유형 Ⅱ의 반도체층 위에 도전성 기판을 형성하는 단계에서, 상기 도전성 기판은 전기도금 기술 또는 접합에 의해 형성되는, LED 장치 제조 방법.
청구항 1에 있어서,

상기 픽스쳐에 의해 고정하는 단계와 상기 측면을 제조하는 단계 사이에, 투명한 도전층을 형성하는 단계를 포함하는, LED 장치 제조 방법.
청구항 6에 있어서,

상기 투명한 도전층은 복수의 LED 스틱과 복수의 공간층의 위에 형성되는, LED 장치 제조 방법.
LED 장치의 발광 효율을 증가시키기 위한 LED 장치 제조 방법으로서,

LED 에피택셜 층을 포함하는 기판을 갖는 LED 웨이퍼를 준비하는 단계;

상기 LED 웨이퍼를 복수의 LED 스틱으로 절단하는 단계;

상기 복수의 LED 스틱을 픽스쳐에 의해 고정하는 단계로서, 각 공간층이 2개 의 LED 스틱 사이마다 접합되고, 상기 공간층의 높이는 상기 LED 스틱의 높이보다 더 낮은, 단계;및

상기 복수의 LED 스틱의 표면 및 노출된 측면을 반사방지 처리하는 단계를 포함하는, LED 장치 제조 방법.
청구항 8에 있어서,

상기 LED 에피택셜 층은 유형 Ⅰ의 반도체층, 활성층, 및 상기 유형 Ⅰ과 상반되는 유형 Ⅱ의 반도체층을 포함하는, LED 장치 제조 방법.
청구항 9에 있어서,

상기 기판은 도전성 또는 비도전성 기판인, LED 장치 제조 방법.
청구항 9에 있어서,

상기 기판은 상기 LED 에피택셜 층 위의 복수의 전극을 포함하고 있는, LED 장치 제조 방법.
청구항 8에 있어서,

상기 반사 방지 처리는 표면 조면화처리 또는 반사 방지 코팅인, LED 장치 제조 방법.
청구항 12에 있어서,

상기 반사 방지 코팅은 상기 LED 스틱의 표면 및 노출면 위에 적어도 하나의 방사 방지층을 도포함으로서 형성되는, LED 장치 제조 방법.
LED 장치의 지향성을 증가시키기 위한 LED 장치 제조 방법으로서,

LED 에피택셜 층을 포함하는 기판을 갖는 LED 웨이퍼를 준비하는 단계;

상기 LED 웨이퍼를 복수의 LED 스틱으로 절단하는 단계;

상기 복수의 LED 스틱의 표면 위에 광저항층을 형성하는 단계;

상기 복수의 LED 스틱을 픽스쳐에 의해 고정하는 단계로서, 각 공간층이 2개의 LED 스틱 사이마다 접합되고, 상기 공간층의 높이는 상기 LED 스틱의 높이보다 더 낮은, 단계;

고반사층을 복수의 LED 스틱과 복수의 공간 층 전체 열 위에 형성하는 단계;및

상기 복수의 LED 스틱의 표면에 있는 상기 광저항층과 상기 고반사층을 제거하는 단계;를 포함하고,

이에 따라, 상기 고반사층이 상기 복수의 LED 스틱의 노출면 위에 형성되는, LED 장치 제조 방법.
청구항 14에 있어서,

상기 LED 에피택셜 층은 유형 Ⅰ의 반도체층, 활성층, 및 상기 유형 Ⅰ과 상 반되는 유형 Ⅱ의 반도체층을 포함하는, LED 장치 제조 방법.
청구항 14에 있어서,

상기 고반사층은 고반사 금속층인, LED 장치 제조 방법.
청구항 16에 있어서,

상기 고반사층과 상기 LED 에피택셜 층 사이의 단락을 피하기 위해 고반사층을 형성하는 단계 전에 투명한 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는, LED 장치 제조 방법.
청구항 16에 있어서,

상기 고반사 금속층의 물질은 금, 알루미늄, 은 또는 그 합금중 하나를 포함하는, LED 장치 제조 방법.
청구항 14에 있어서,

상기 고반사층은 고반사 코팅의 멀티 층인, LED 장치 제조 방법.
청구항 14에 있어서,

상기 광저항층을 형성하는 단계는, 상기 복수의 LED 스틱을 픽스쳐에 의해 고정하고, 상기 광저항층은 상기 복수의 LED 스틱의 위에 형성되는, LED 장치 제조 방법.