TWI431131B - 透明導電薄膜的製造方法 - Google Patents

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Description

透明導電薄膜的製造方法 【相關申請案之參考文獻】
本發明專利申請案是主張已向韓國智慧財產局所申請之韓國發明專利申請案之優先權，該申請案之申請案號為：10-2010-0078447；申請日為：2010年8月13日，本發明專利申請案所揭露之內容是參照並結合該韓國發明專利申請案之全部內容。
本發明係有關一種製造具有高穿透率的氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)透明導電薄膜的方法，特別是關於一種透明導電薄膜的製造方法，其中導電薄膜係在基板上形成預定薄膜層時，利用電漿陽離子碰撞此預定薄膜層而形成者。
一透明導電薄膜利用有穿透力的可見光明亮地顯示給人們，同時並具有優良的導電率。
此透明導電薄膜係作為一透明電極，並應用於液晶顯示器(LCD)、有機發光顯示器(OLED)、發光二極體(LED)、智慧型窗戶(smart window)、光學元件、太陽能電池或是觸控面板等。
透明導電薄膜係藉由使用一種磁控濺鍍方法(magnetron sputtering method)的真空鍍膜來製造，並使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO)或氧化鋅摻雜鋁(AZO)作為標靶材料(target material)。到目前為止，在這些已發展的材料中，氧化銦錫是最具穿透度的，並具有良好導電率及良好的生產率，因此氧化銦錫是最常被使用作為透明電極的材料。
製造氧化銦錫透明導電薄膜的傳統方法如下面所述。首先，一基板係設置於一真空腔室中。然後，將此真空腔室之初始真空狀態設定為10-6 托(Torr)，並設定溫度300℃給基板。接著，注入非常微量的氬氣於此真空腔室中，使真空腔室被設定為大約10-3 托真空狀態。施加射頻電源給二氧化錫(SnO2 )，並利用磁控濺鍍方法來形成一二氧化矽(SiO2 )薄膜；施加一直流電源給ITO以製造一ITO導電薄膜。
由於傳統方法係提供大約300℃的溫度給基板，此基板在此300℃溫度下必須沒有轉變。因此，基板可能為透明的，並可能形成具有大約0.7或1.1毫米(mm)厚度的玻璃。
在玻璃基板上連續進行二氧化矽(SiO2 )和ITO鍍膜所形成的ITO透明導電薄膜係有限的使用在導航或類似的觸控面板上。
當使用者藉由手指、筆或類似者接觸觸控面板時，觸控面板接收輸入，以代替使用輸入裝置，例如，鍵盤或滑鼠。最近，觸控面板可應用的領域已擴展到資訊電子裝置的輸入裝置，例如，行動電話及攜帶型電動遊戲機。
由於應用在資訊電子裝置的觸控面板必須是薄又輕，所以ITO薄膜係製造於一聚對苯二甲酸乙二酯(PET)可憢性薄膜基板(flexible film substrate)，由於PET薄膜基板的可撓性，所以可以使用光學透明膠(optically clear adhesive，OCA)將ITO渡膜再次固定於薄塑膠或強化玻璃(tempered glass)上。因此，製造觸控面板的一些生產過程勢必會增加，因而減少生產率，此外，也會產生另外一種問題，也就是降低此觸控面板的光穿透度的品質。
因此，在薄塑膠基板或薄強化玻璃基板上製造具有高穿透度的ITO透明導電薄膜的新方法是有必要的。
具體來說，在製造使用靜電電容的觸控面板時，係在製造此ITO透明導電薄膜之後，進行圖案化製程以移除部份ITO透明導電薄膜；此時，人們可以用肉眼輕易看到此圖案，因此，有必要提出一種製造透明導電薄膜的新方法。
本發明提供一種無須使用高溫加熱的透明導電薄膜的製造方法。
本發明亦提供一種透明導電薄膜的製造方法，其中在製造氧化銦錫(ITO)透明導電薄膜後，圖案化移除部份ITO透明導電薄膜時，可使肉眼看不到此圖案。
根據本發明，在此係提供一種透明導電薄膜的製造方法，此方法包括：將設置有一基板的載板(carrier)傳輸至一真空腔室；利用電漿槍產生的電漿陽離子碰撞此傳輸基板的一表面；利用濺鍍(sputtering)高折射氧化物於此基板表面，以形成一高折射氧化層，同時電漿陽離子碰撞高折射氧化物；利用濺鍍低折射氧化物於此高折射氧化層上，以形成一低折射氧化層，同時電漿陽離子碰撞低折射氧化物；以及利用濺鍍導電氧化物於此低折射氧化層上，以形成一導電氧化層，同時電漿陽離子碰撞導電氧化物。
上述之載板係為一平板狀，且此基板可以配置於此載板上。
在此基板的雙面或單面上可以形成小於或等於50μ的硬化膜(Hard-coating)，此基板可包含聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate)、一由PMMA及聚碳酸酯組成的雙層基板、一由PMMA、聚碳酸酯及PMMA組成的三層基板，或是由聚碳酸酯、PMMA、聚碳酸酯組成的三層基板，且基板具有小於或等於1.1 mm的厚度。
在此基板的雙面或單面上可以形成小於或等於50μ的硬化膜，此基板可包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚醚碸(PES)薄膜，且基板具有小於或等於200 μ的厚度；或是在基板的雙面或單面上形成小於或等於50μ的硬化膜，此基板可包含COP、COC、PEN或PES薄板，且基板具有等於或大於500 μ的厚度。
此基板可包含具有厚度小於或等於1.1 mm的強化玻璃或是具有厚度小於或等於1.1 mm的鈉鈣玻璃(soda lime glass)或無鹼玻璃(nonalkaline glass)，以化學強化基板的雙面或單面。
上述之高折射氧化物可包含五氧化二鈮(Nb2 O5 )、三氧化二鈦(Ti2 O3 )、五氧化二鉭(Ta2 O5 )或是二氧化鋯(ZrO2 )。
上述之低折射氧化物可包含二氧化矽(SiO2 )、二氟化鎂(MgF2 )、二氟化鋇(BaF2 )或是三氟化鋁(AlF3 )。
上述之導電氧化物可包含氧化銦錫(indium tin oxide)、氧化銦鋅(indium zinc oxide)、氧化錫(tin oxide)或氧化鋅摻雜鋁(aluminum-doped zinc oxide)或是氧化錫摻雜銻(antimony-doped tin oxide)。
底下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
本發明之實施例及所參照之隨附圖式將在以下作詳細說明，其係顯示本發明的最佳實施例。
第1圖為根據本發明一實施例於氧化銦錫(ITO)透明導電薄膜的製造方法流程圖。
請參閱第1圖所示，本方法包括有，將設置有一基板的載板(carrier)傳輸至一真空腔室中(步驟S110)；利用電漿槍產生的電漿陽離子碰撞此傳輸基板(步驟S120)；利用濺鍍高折射氧化物，以進行高折射氧化物鍍膜，同時電漿陽離子碰撞高折射氧化物(步驟S130)；利用濺鍍低折射氧化物，以進行低折射氧化物鍍膜，同時電漿陽離子碰撞低折射氧化物(步驟S140)；以及利用濺鍍導電氧化物，以進行導電氧化物鍍膜，同時電漿陽離子碰撞導電氧化物(步驟S150)。
第2圖為本發明在腔室中進行透明導電薄膜的製造方法的示意圖。
請參閱第2圖所示，準備下列製造設備，以便進行本方法。
首先，準備一真空腔室10，其係提供一空間，用以執行一製程，例如濺鍍或鍍膜於基板300上。
基板300組成的標的物可以裝載或卸載到此真空腔室10。
在此，真空腔室10包含有一負載鎖定腔室(loadlock chamber)12a，其係負載一載板100，用以傳輸安置的基板300進入真空腔室10中；第一及第二緩衝腔室14a及14b，用以高真空化真空腔室10；一製程腔室(process chamber)20係用來進行鍍膜；以及一卸載腔室(unloading chamber)12b，其係將基板300卸載出真空腔室10外。
並且，製程腔室20更包含有第一及第二傳輸腔室11a及11b，分別安裝在此製程腔室20的腔室輸入端及腔室輸出端。
此製程腔室20更包含第一到第四製程腔室21～24。
此載板100及其相關結構將詳細說明如後。
真空腔室10更包含一輸送帶30，以將載板100卸載到真空腔室10外面，並連續性的於載板100上安裝另一基板並重新裝載到真空腔室10中。
再者，渦輪分子幫浦(turbo molecule pump，TMP)15係安裝在第一及第二緩衝腔室14a及14b，以便將第一及第二緩衝腔室14a及14b內部設定為高真空。質流控制器(Mass flow controller，MFC)16係安裝在第一到第四製程腔室21～24，以便注入氬氣；藉由注入氬氣，即可在第一到第四腔室21～24中的基板300上進行鍍膜製程(coating process)。
一電漿槍17係安裝在第一製程腔室21，以便於基板300上鍍膜形成一透明導電薄膜，且電漿槍17及一設有高折射氧化物的第一磁控濺鍍槍(first magnetron sputtering gun)18a安裝在第二製程腔室22。
電漿槍17及一設有低折射氧化物的第二磁控濺鍍槍18b係安裝在第三製程腔室23；電漿槍17及一設有導電氧化物的第三磁控濺鍍槍18c係安裝在第四製程腔室24。
加熱器13係分別安裝在負載鎖定腔室12a、第一緩衝腔室14a、第一及第二傳輸腔室11a及11b及第一到第四製程腔室21～24，以便供應預定的溫度給基板300。
真空腔室10具有像是多腔連續式磁控濺鍍裝置(inline magnetron sputtering device)這樣的結構，由於此種真空腔室10的結構在相關領域中已為眾所皆知的，所以此處省略不再贅述。
第3圖本發明在進行透明導電薄膜的製造方法所使用的載板100示意圖，第4圖為第3圖所示載板100的側視圖。
請參閱第3圖所示，載板100係支撐基板300，以便基板300裝載到真空腔室10中或是自真空腔室10中卸載出來。
此載板100具有一平板狀，其並具有一預定區域。載板100上設置有複數個基板座(substrate holder)200，其中在基板座200的一表面上可以設置有4片具有尺寸為500×500 mm的基板300，或是可設置120片具有尺寸小於或等於60×100 mm的基板300。在第4圖中，基板300係同時設置於基板座200的雙面，但基板300可依需求僅設置於基板座200的一表面。
此時，在基板300的雙面或單面上可製作小於或等於50μ的硬化膜，此基板300可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯、一由PMMA及聚碳酸酯組成的雙層基板、一由PMMA、聚碳酸酯及PMMA組成的三層基板，或是由聚碳酸酯、PMMA、聚碳酸酯組成的三層基板，且基板300具有小於或等於1.1 mm的厚度。
可選擇性地，在基板300的雙面或單面上可製作小於或等於50μ的硬化膜，此基板可包含PET、COP、COC、PEN或PES薄膜，且基板300具有小於或等於200 μ的厚度；或是在基板300的雙面或單面上製作小於或等於50μ的硬化膜，此基板300可包含COP、COC、PEN或PES薄板，且基板300具有等於或大於500 μ的厚度。
可選擇性地，此基板300可包含厚度小於或等於1.1 mm的強化玻璃，或是厚度小於或等於1.1 mm的鈉鈣玻璃或無鹼玻璃，以化學強化基板的雙面或單面。
根據本發明的本實施例的方法將再詳細說明並參閱第1圖所示。
基板300的配置範例顯示於第3圖中，如第3圖所示，複數基板300係設置於載板100上。
請參閱第3圖所示，四個基板座200係設置於載板100上，每一基板座200上設置30片具有尺寸為53×90 mm的基板300。在此，若基板300設置於載板100的正面及背面表面，則總共可設置240片基板300於載板100上；若基板300僅設置於載板100的正面或背面表面，則只能設置120片基板300於載板100上。因此，基板300的數量可根據使用者而改變。
將基板300裝載至真空腔室10之前，載有基板300的載板100係先裝載至負載鎖定腔室12a中；然後，使用渦輪分子幫浦15將此負載鎖定腔室12a的內部抽真空至大約10-3 托(Torr)，再利用負載鎖定腔室12a將載板100裝載至真空腔室10中。
在載板100裝載進入此真空腔室10與製程腔室20時，可設定為下列狀態。
啟動加熱器13並加熱真空腔室10內部整體到大約40℃；然後，使用渦輪分子幫浦15將第一緩衝腔室14a、第一及第二傳輸腔室11a及11b以及第一到第四製程腔室21～24內部設定為大約10-7 托(Torr)的真空狀態。
然後，持續啟動加熱器13並加強，使真空腔室10內部整個被加熱至大約100℃，第二緩衝腔室14b內部設定為大約10-7 托(Torr)的真空狀態，且卸載腔室12b內部設定為大約10-3 (Torr)的真空狀態。
對於一便利的鍍膜製程而言，透過MFC 16注入氬氣，以便將第一及第二傳輸腔室11a及11b與第一到第四製程腔室21～24內部設定為大約10-3 (Torr)的真空狀態。
位於基板300上的異物可藉由濺鍍移除，此濺鍍的進行係利用供應電源給第一到第三磁控濺鍍槍18a～18c，其係分別裝設有高折射氧化物、低折射氧化物及導電氧化物。
將負載鎖定腔室12a減壓，並將設置有基板300的載板100裝載至此負載鎖定腔室12a，並利用TMP 15將負載鎖定腔室12a設定至大約10-3 托(Torr)的真空狀態。將載板100傳輸至第一緩衝腔室14a，在此，第一緩衝腔室14a的內部設定為大約10-7 托(Torr)的真空狀態，然後利用注入一預定份量的氬氣，再將其真空值設定為大約10-3 (Torr)的真空狀態。
因此，當真空腔室10內部設定成上面所述，載板100以一定速度傳輸至第一及第二傳輸腔室11a及11b與第一到第四製程腔室21～24，以便製造一透明導電薄膜。
首先，在步驟S110，基板300被傳輸至真空腔室10中的第一製程腔室21；然後在步驟S120，在第一製程腔室21中的電漿槍17產生的電漿陽離子會碰撞基板300，在此，電漿陽離子僅會碰撞基板300的一表面。
進行步驟S120至一預定時間，然後基板300傳輸至第二製程腔室22，在第二製程腔室22中，使用第一磁控濺鍍槍18a濺鍍高折射氧化物，以藉此於基板300一表面形成一高折射氧化層310；同時，在步驟S130，電漿槍17產生的電漿陽離子碰撞鍍膜在基板300上的高折射氧化物。
當高折射氧化層310的厚度達到100 nm時，結束步驟S130，並開始進行步驟S140。
高折射氧化物可為五氧化二鈮(Nb2 O5 )、三氧化二鈦(Ti2 O3 )、五氧化二鉭(Ta2 O5 )及二氧化鋯(ZrO2 )的其中任何之一，在此，Nb2 O5 、Ti2 O3 、Ta2 O5 及ZrO2 的折射係數(index of refraction)分別為2.3、2.5、1.81及2.2。
在步驟S130之後，基板300傳輸至第三製程腔室23。在第三製程腔室23中，使用第二磁控濺鍍槍18b濺鍍低折射氧化物於基板300，以藉此於基板300上的高折射氧化層310上形成一低折射氧化層320；同時，在步驟S140，電漿槍17產生的電漿陽離子碰撞鍍膜在基板300上的低折射氧化物。
當低折射氧化層320的厚度達到100 nm時，結束步驟S140，並開始進行步驟S150。
在此，低折射氧化物可為二氧化矽(SiO2 )、二氟化鎂(MgF2 )、二氟化鋇(BaF2 )及三氟化鋁(AlF3 )的其中任何之一，且SiO2 、MgF2 、BaF2 及AlF3 的折射係數可分別為1.5、1.3、1.4及1.38。高折射氧化物及低折射氧化物係以1.5為判斷基準，因此，既使使用除了上面所提到的氧化物外的其他氧化物，皆可以1.5為判斷基準來分類為高折射氧化物及低折射氧化物。
在步驟S140結束後，基板300傳輸至第四製程腔室24。在第四製程腔室24中，使用第三磁控濺鍍槍18c濺鍍導電氧化物，以藉此於基板300上的低折射氧化層320上形成一導電氧化層330；同時，在步驟S150，電漿槍17產生的電漿陽離子碰撞鍍膜在基板300上的導電氧化物。
當導電氧化層330的厚度達到20 nm時，結束步驟S150，並完成整個方法。
在此，導電氧化物可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅、氧化錫或氧化鋅摻雜鋁或是氧化錫摻雜銻的任何其中之一。在本發明之本實施例中，係採用ITO作為導電氧化物。
藉由上述之方法將形成以下所述的一透明導電薄膜。
第5圖為根據本發明一實施例透明導電薄膜的製造方法所製造的氧化銦錫(ITO)透明導電薄膜的結構剖視圖。
請參閱第5圖所示，高折射氧化層310、低折射氧化層320及導電氧化層330係連續地堆疊在基板300上。
一般而言，電漿輔助相沈積法(plasma-assisted deposition)的執行是透過濺鍍以及鍍膜氧化物，同時電漿槍產生的陽離子碰撞會已鍍膜的氧化物。
在基板300形成一薄膜後，原本保持大約10-7 托(Torr)真空狀態的第二緩衝腔室14b，藉由注入少量的氬氣使設定改為大約10-3 托(Torr)的真空狀態。接著，載板100從第二傳輸腔室11b傳輸至第二緩衝腔室14b以及負載鎖定腔室12a。然後，將真空腔室10減壓，設置有基板300的載板100卸載到真空腔室10外面。
具有高穿透度的ITO透明導電薄膜可以藉由重複上述製程來多次製造，包含有自載板100上移開基板300、使用輸送帶30移動位於負載鎖定腔室12a前面的載板100以及隨後安置另一基板300於載板100上。
下列表1表示一ITO透明導電薄膜於圖案化前及圖案化後的穿透度。
第6圖為ITO透明導電薄膜圖案化前與圖案化後的穿透度連續變化曲線圖。
在第6圖中，A表示ITO蝕刻後的穿透度，B表示ITO鍍膜後的穿透度。
如表1及第6圖所示，一ITO層的表面電阻為230歐姆/平方公分(Ohm/cm2 )，且在波長541nm到543nm之間，穿透度具有90.96%的最大值。一般而言，表面電阻為230 Ohm/cm2 的ITO層的穿透度約從87%到89%，且在Nb2 O5 、二氧化矽及ITO的堆疊結構中，穿透度會增加。
由於具有表面電阻為230 Ohm/cm2 的ITO層在圖案化前及圖案化後於波長550 nm的穿透度差異係等於或大於1，所以肉眼可以看到圖案。
因此，下面製程可以在第1圖的方法中更進一步完成。
第7圖為根據本發明另一實施例於透明導電薄膜的製造方法流程圖。
請參閱第7圖所示，此方法包括：將設置有一基板的載板(carrier)傳輸至一真空腔室中(步驟S110)；利用一電漿槍產生的電漿陽離子碰撞此傳輸基板(步驟S120)；利用濺鍍高折射氧化物，以進行高折射氧化物鍍膜，同時電漿陽離子碰撞高折射氧化物(步驟S130)；利用濺鍍低折射氧化物，以進行低折射氧化物鍍膜，同時電漿陽離子碰撞低折射氧化物(步驟S140)；利用濺鍍導電氧化物，以進行導電氧化物鍍膜，同時電漿陽離子碰撞導電氧化物(步驟S150)；以及形成一圖案於一已形成的透明導電薄膜上(步驟S160)。
有關步驟S110到步驟S150之詳細說明係與第1圖的方法相同，所以不再重複敘述。
根據本實施例，在形成包含有位於基板300上的高折射氧化層310、低折射氧化層320及導電氧化層330的透明導電薄膜之後，在步驟S160中，在此透明導電薄膜上形成一預定的圖案。
在製造透明導電薄膜之後，將進行移除部分透明導電薄膜的圖案化製程，在此，圖案化製程可利用一ITO蝕刻溶液的濕蝕刻來完成，或是利用電漿的乾蝕刻來完成。
如表1所示，在完成圖案化製程之後，此圖案在波長550 nm的穿透度差異係小於或等於1，換句話說，由於在Nb2 O5 、二氧化矽及ITO的堆疊結構的圖案化前及圖案化後，於波長550 nm的穿透度差異係為0.4，所以肉眼無法看到此圖案。
因為在圖案化製程之前的所有製程係與本發明之前一實施例相同，所以不再重複敘述。
根據本發明，甚至是在未施加高溫加熱的情況下，仍可製造透明導電薄膜。
再者，在製造ITO透明導電薄膜之後，移除部分透明導電薄膜所形成的圖案，也無法以肉眼看到。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
10．．．真空腔室
11a．．．第一傳輸腔室
11b．．．第二傳輸腔室
12a．．．負載鎖定腔室
12b．．．卸載腔室
13．．．加熱器
14a．．．第一緩衝腔室
14b．．．第二緩衝腔室
15．．．渦輪分子幫浦(TMP)
16．．．質流控制器(MFC)
17．．．電漿槍
18a．．．第一磁控濺鍍槍
18b．．．第二磁控濺鍍槍
18c．．．第三磁控濺鍍槍
20．．．製程腔室
21．．．第一製程腔室
22．．．第二製程腔室
23．．．第三製程腔室
24．．．第四製程腔室
30．．．輸送帶
100．．．載板
200．．．基板座
300．．．基板
310．．．高折射氧化層
320．．．低折射氧化層
330．．．導電氧化層
第1圖為根據本發明一實施例於透明導電薄膜的製造方法流程圖。
第2圖為本發明在腔室中進行透明導電薄膜的製造方法的示意圖。
第3圖為本發明在進行透明導電薄膜的製造方法所使用的載板示意圖。
第4圖為第3圖載板的側視圖。
第5圖為根據本發明一實施例透明導電薄膜的製造方法所製造的氧化銦錫(ITO)透明導電薄膜的結構剖視圖。
第6圖為ITO透明導電薄膜圖案化前與圖案化後的穿透度連續變化曲線圖。
第7圖為根據本發明另一實施例於透明導電薄膜的製造方法流程圖。

Claims (12)

  1. 一種透明導電薄膜的製造方法，該方法包括：傳輸一設置有一基板的載板至一真空腔室；利用一電漿槍產生的電漿陽離子碰撞該基板的一表面；利用濺鍍一高折射氧化物於該基板表面，以形成一高折射氧化層，同時該電漿陽離子碰撞該高折射氧化物；利用濺鍍低折射氧化物於該高折射氧化層上，以形成一低折射氧化層，同時該電漿陽離子碰撞該低折射氧化物；以及利用濺鍍導電氧化物於該低折射氧化層上，以形成一導電氧化層，同時電漿陽離子碰撞該導電氧化物；其中，該高折射氧化物為五氧化二鈮(Nb2 O5 )、三氧化二鈦(Ti2 O3 )、五氧化二鉭(Ta2 O5 )或二氧化鋯(ZrO2 )，以及該低折射氧化物為二氧化矽(SiO2 )、二氟化鎂(MgF2 )、二氟化鋇(BaF2 )或三氟化鋁(AlF3 )。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該載板係為一平板狀，且該基板係配置於該載板上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，更包括圖案化該透明導電薄膜，於製造該透明導電薄膜之後。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該基板的雙面或單面上形成有小於或等於50μ的硬化膜(Hard-coating)，該基板可包含聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate)、一由PMMA及聚碳酸酯組成的雙層基板、一由PMMA、聚碳酸酯及PMMA組成的三層基板，或是由聚碳酸酯、PMMA、聚碳酸酯組成的三層基板，且該基板具有小於或等於1.1 mm的厚度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中在該基板的雙面或單面上係形成有小於或等於50μ的硬化膜，該基板包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、環烯烴聚合物(COP)、環烯烴共聚物(COC)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或聚醚碸(PES)薄膜，且該基板具有小於或等於200 μ的厚度；或是在該基板的雙面或單面上形成小於或等於50μ的硬化膜，該基板包含COP、COC、PEN或PES薄板，且該基板具有等於或大於500 μ的厚度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該基板包含具有厚度小於或等於1.1 mm的強化玻璃或是具有厚度小於或等於1.1 mm的鈉鈣玻璃或無鹼玻璃，以化學強化該基板的雙面或單面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該高折射氧化層之形成係持續進行直到該高折射氧化層厚度達到100 nm為止。
  8. 如申請專利範圍第1或7項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該高折射氧化物包含五氧化二鈮(Nb2 O5 )、三氧化二鈦(Ti2 O3 )、五氧化二鉭(Ta2 O5 )或二氧化鋯(ZrO2 )。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該低折射氧化層之形成係持續進行直到該低折射氧化層厚度達到100 nm為止。
  10. 如申請專利範圍第1或9項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該低折射氧化物包含二氧化矽(SiO2 )、二氟化鎂(MgF2 )、二氟化鋇(BaF2 )或三氟化鋁(AlF3 )。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該導電氧化層之形成係持續進行直到該導電氧化層厚度達到20 nm為止。
  12. 如申請專利範圍第1或11項所述之透明導電薄膜的製造方法，其中該導電氧化層包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化錫或氧化鋅摻雜鋁或是氧化錫摻雜銻。
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