CN100407017C - 透明导电性层叠体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供透明导电性层叠体,其是在厚度为2~200μm的透明薄膜基材的一侧表面,从前述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性层叠体,其特征在于:第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成的,并且第一透明电介质薄膜包含相对于氧化铟100重量份含有氧化锡0~20重量份、氧化铈10~40重量份的复合氧化物,当设第一透明电介质薄膜的折射率为n1、第二透明电介质薄膜的折射率为n2、透明导电性薄膜的折射率为n3时,满足n2<n3≤n1的关系。

Description

透明导电性层叠体技术领域本发明涉及在可见光区域为透明的,并且在薄膜基材上具有导电性薄 膜的透明导电性层叠体及其制造方法。本发明的透明导电性层叠体除了用 于液晶显示器、电致发光显示器等新型显示器方式和触摸屏等中的透明电 极以外,还可以用于透明物品防静电和屏蔽电磁波等方面。背景技术以往,作为透明导电性薄膜,众所周知的有在玻璃上形成氧化铟薄膜 的所谓导电性玻璃。但是由于导电性玻璃的基材是玻璃,所以其可挠性、 加工性差,有时不适合用于某些用途中。因此近年来,除可挠性、加工性 之外,由于在耐冲击性能上优异、且质轻等优点,以聚对苯二甲酸乙二醇 酯薄膜为代表的各种塑料薄膜作为基材的透明导电性薄膜受到赞许和使 用。但是,使用薄膜基材的透明导电性薄膜,由于薄膜表面的光反射率大, 所以存在透明性差的问题,除此之外透明导电性薄膜还存在耐擦伤性差、 使用中容易划伤而使电阻增大或者产生断线的问题。特别是在触摸屏用的 透明导电性薄膜中,由于通过隔片相对设置的一对薄膜彼此通过从其一方 的屏板侧的按压打点而强力地接触,所以希望具有能够抵抗此的良好耐久 特性,也就是具有打点特性,但是使用上述薄膜基材的透明导电性薄膜的 打点性差,所以作为触摸屏存在着寿命短的问题。对于前述问题,提出了透明导电性层叠体,其使用特定膜厚的薄膜作 为薄膜基材,在其一侧表面按照形成光折射率小于薄膜基材光折射率的透 明电介质薄膜、进而在此电介质薄膜上面形成透明导电性薄膜的顺序依次 形成膜,并且在薄膜基材的另一侧表面,通过使用透明粘合剂层,贴合其 它透明基体而成(专利文献l)。如果采用所述的透明导电性层叠体,则可以改善透明性和导电性薄膜的耐擦伤性,并且还可以改善作为触摸屏用的 打点特性。还提出了一种透明导电性层叠体,其是在透明薄膜基材一侧表面从前 述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜和透 明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性层叠体,前述薄膜基材、两 层透明电介质薄膜、透明导电性薄膜各自的光折射率关系为:第二透明电 介质薄膜<薄膜基材《第一透明电介质薄膜<透明导电性薄膜(专利文献 2)。如果使用所述的透明导电性层叠体,则可以改进在弯曲状态下使用触 摸屏时的打点特性。但是在专利文献2中,在透明薄膜基材上形成的第一 透明电介质薄膜中使用了有机物和无机物的混合体,所以不容易调节透明 性等光学性能。另外,还提出了一种透明导电性薄膜层叠体,其是在透明 薄膜基材的一侧表面,从前述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄膜、 第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性 层叠体,并且各自光折射率关系为:第二透明电介质薄膜<透明导电性薄 膜《第一透明电介质薄膜(专利文献3)。如果使用所述的透明导电性层叠 体,则可以抑制透过光的着色。但是专利文献3中,在透明薄膜基材上形 成的第一透明电介质薄膜的形成方面,虽然记载有各种方法,但是无论用 哪一种方法,形成速度都不是很快。[专利文献1]特开平6-222352号公报 [专利文献2]特开2002-326301号公报 [专利文献3] 特开2000-301648号公报发明内容本发明以提供透明导电性层叠体及其制造方法为目的,所述透明导电 性层叠体是在透明薄膜基材的一侧表面,从前述薄膜基材开始,按照第一 透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成 膜的层叠体,其可以抑制透过光着色,并且生产性良好。另外,本发明还以提供使用该透明导电性层叠体的触摸屏为目的。为了解决上述课题,本发明人等进行了锐意研究,结果发现:通过以 下所示的透明导电性层叠体可以达到上述目的,从而完成了本发明。艮口,本发明涉及透明导电性层叠体,其是在厚度为2〜200um的透明薄膜基材的一侧表面,从前述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄 膜、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电 性层叠体,其特征在于:第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成 的,并且第一透明电介质薄膜包含相对于氧化铟100重量份含有氧化锡0〜20重量份、氧化铈10〜40重量份的复合氧化物,当设第一透明电介质薄膜的折射率为nl,第二透明电介质薄膜的折射 率为n2,透明导电性薄膜的折射率为n3时,满足n2〈n3《nl的关系。在上述透明导电性层叠体中,优选第一透明电介质薄膜的厚度为10〜 200nm,并且表面电阻值为1 X 106 (Q/口)或更大。作为上述透明导电性层叠体,可以使用在透明薄膜基材的另一侧表 面,通过使用透明粘合剂层,贴合透明基体的层叠体。本发明还涉及透明导电性层叠体的制造方法,其是在厚度为2〜200 Pm透明薄膜基材的一侧表面,从前述薄膜基材侧开始,按照第一透明电 介质薄膜、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透 明导电性层叠体的制造方法,其特征在于:第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成 的,并且第一透明电介质薄膜包含相对于氧化铟100重量份含有氧化锡 0〜20重量份、氧化铈10〜40重量份的复合氧化物,当设第一透明电介质薄膜的折射率为nl,第二透明电介质薄膜的折射 率为n2,透明导电性薄膜的折射率为n3时,满足n2<n3《nl的关系。在上述透明导电性层叠体的制造方法中,优选第一透明电介质薄膜的 厚度为10〜200nm,并且表面电阻值为1X106 (Q/口)或更大。本发明还涉及触摸屏,将具有透明导电性薄膜的一对屏板,以透明导 电性薄膜相对的方式,通过隔片使其相对设置而成的,其特征在于,至少 一侧屏板含有前述透明导电性层叠体。本发明中使用相对于氧化铟含有特定量的氧化锡、氧化铈的复合氧 化物形成第一透明电介质薄膜。该复合氧化物是在属于透明导电性材料的 氧化铟和氧化锡的复合体中进一步添加氧化铈的复合氧化物,使用该复合 氧化物,可以达到透明导电性薄膜的折射率或更高的高折射率。其结果可 以增大第一透明电介质薄膜和第二透明电介质薄膜的折射率差,容易进行 光学调节,能够得到透明性等光学特性良好的透明导电性层叠体。用前述本发明复合氧化物形成的第一透明电介质薄膜的表面电阻值 高,还可以控制达到不影响透明导电性薄膜的导电性的高电阻值。为了不 影响透明导电性薄膜的导电性,优选第一透明电介质薄膜的表面电阻值是绝缘的(高电阻值),优选1 X 106 ( Q /□)或更大,迸一步优选1 X 108 ( Q/□)或更大。前述本发明的复合氧化物具有高折射率,并且在形成薄膜时,在通常 被使用的溅射法中的生产性(制膜中的溅射率)良好。过去,作为高折射率材料,可以使用Ti02(2.35)、 Nd203(2.15)、 ZrO2(2.05)、 Ta205(2.2)、 ZnO(2.1) 、 In2O3(2.0) 、 SnO2(2.0)等[上述各材料的()内的数值 是光折射率]。但是在前述材料中,Ti02、 Nd203、 Zr02、 Ta205、 ZnO等在 形成薄膜时,在通常被使用的溅射法中的生产性(制膜溅射率)差。另一 方面,虽然ln203、 Sn02等的薄膜生产性良好,但是它们的表面电阻值低, 会影响透明导电性薄膜的导电性,所以不适合用于第一电介质薄膜。本发明的透明导电性层叠体,在透明导电性薄膜和薄膜基材之间因为 有第一透明电介质薄膜和第二透明电介质薄膜的两层透明电介质薄膜,并 且耐擦伤性、弯曲性也很好,而且如上所述,在第一透明电介质薄膜中使 用了以特定比例含有特定成分的、高折射率并且具有高电阻值的复合氧化 物,而且第一透明电介质薄膜是通过干法形成的,所以可以抑制透过光的着色,而且生产性高,容易进行光学调节。 附图说明[图l]表示本发明一例透明导电性层叠体的剖面图。[图2]表示本发明另一例透明导电性层叠体的剖面图。[图3]表示本发明一例触摸屏的剖面图。符号说明F薄膜基材1第一透明电介质薄膜2第二透明电介质薄膜3透明导电性薄膜 A粘合剂层 T透明基体具体实施方式以下参照附图说明本发明的透明导电性层叠体。图1是表示本发明一 例透明导电性层叠体的示意图,在透明薄膜基材F的一侧表面形成第一透 明电介质薄膜1和第二透明电介质薄膜2,进而在第二透明电介质薄膜2 上形成透明导电性薄膜3。图2是在图1所示透明导电性层叠体的薄膜基材F的另一侧表面,通 过透明粘合剂层A贴合透明基体T时的例子。同时在图2的透明基体T 的外表面上可以设置硬质涂层处理层等,该硬质涂层处理层在图中没有示 出。对于本发明中所使用的薄膜基材F,没有特别限制,可以使用具有透 明性的各种塑料薄膜。例如作为其材料,可以列举聚酯系树脂、乙酸酯系 树脂、聚醚砜系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、 聚烯烃系树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫醚系树 脂等。在这些材料中,从成本方面考虑,优选聚酯系树脂。优选使用薄膜 基材F的光折射率通常为1.4〜1.7左右的材料。这些薄膜基材F的厚度范围在2〜200 u m。特别优选厚度范围在20〜 150"m。如果厚度低于2ixm,则作为基材的机械强度不足,将该基材巻 成筒状后,难以进行连续形成第一、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄 膜以及进一步形成粘合剂层的操作。另一方面如果超过200iim,则从质 轻、薄型化等市场要求观点考虑,是不优选的。在前述薄膜基材F的表面预先实施溅射、电晕放电、火焰、紫外线照 射、电子射线照射、化成、氧化等蚀刻处理、硬质涂层或底涂处理,可以 提高设置在其上面的第一透明电介质薄膜1对于前述薄膜基材F的附着 性。另外,在设置第一透明电介质薄膜l之前,根据需要,还可以通过溶 剂清洗或超声波清洗等进行除尘、净化。在前述薄膜基材F上,按照第一透明电介质薄膜l、第二透明电介质 薄膜2、透明导电性薄膜3的顺序依次形成膜。第一透明电介质薄膜1的 光折射率nl、第二透明电介质薄膜2的光折射率n2、透明导电性薄膜3 的光折射率n3满足n2〈n3《nl的关系,通常透明导电性薄膜3的折射率 n3约为2左右(通常为1.9〜2.1),所以这种情况下一般优选第一透明电 介质薄膜1的光折射率nl为1.9〜2.3左右,进一步优选2.0〜2.2, 一般优 选第二透明电介质薄膜2的光折射率n2为1.3〜1.7左右,进一步优选为 1.4〜1.6。前述第一透明电介质薄膜1是用相对于氧化铟100重量份含有特定量 的氧化锡和氧化铈的复合氧化物形成的。作为形成材料,优选使用各氧化 物成分混合物的烧结体。前述复合氧化物中,从光学特性观点考虑,优选 氧化锡相对于氧化铟100重量份的比例为0〜20重量份。进一步优选为3〜15重量份。当氧化锡的比例超过20重量份时,使用烧结体作为形成材料 时,由于其烧结密度降低,所以在形成膜时,不容易保持稳定放电(放电稳定性差)。另外从高电阻值(绝缘性)和光学特性观点考虑,优选氧化铈相对于氧化铟100重量份的比例为10〜40重量份。进一步优选为15〜 30重量份。当氧化铈的比例低于10重量份时,第一透明电介质薄膜1的 表面电阻值降低,变得具有导电性,而不优选。另一方面,当氧化铈的比 例超过40重量份时,则生产性(制膜溅射率)降低,而不优选。对于前述第一透明电介质薄膜1的厚度,没有特别限制,优选10〜 200nm。进一步优选15〜60nm。如果低于10nm,则很难形成连续覆盖膜。 另一方面,从光学调节角度考虑,优选设为200nm或更小。作为第二透明电介质薄膜2的材料,可以列举如NaF(1.3)、 Na3AlF6(1.35)、 LiF(1.36)、 MgF2(1.38)、 CaF2(1.4)、 BaF2(1.3)、 Si02(1.46)、 LaF3(1.55)、 CeF3(1.63)、八1203(1.63)等无机物[上述各材料()内的数值是 光折射率],或光折射率为1.4〜1.6左右的丙烯酸系树脂、氨基甲酸酯系 树脂、硅氧垸系聚合物、醇酸树脂、三聚氰胺树脂等有机物。从这些物质 中适当选择材料,或者进行组合,形成满足前述折射率n2的第二透明电 介质薄膜2。第二透明电介质薄膜2的厚度,没有特别限制,但是为了形成连续覆 盖膜,并提高透明性和耐擦伤性,优选其厚度在10nm或更大,更优选10〜 300nm,特别优选20〜120nm。如果第一透明电介质薄膜1的厚度和第二 透明电介质薄膜2的厚度合在一起的总厚度过厚,则不能期待透明性的提 高,并且可能产生裂纹,所以优选前述总厚度在150nm或更小,更优选 IOO腿或更小。作为透明导电性薄膜3的材料,没有特别限制,可以优选使用如含氧 化锡的氧化铟、含锑的氧化锡等。透明导电性薄膜3的厚度没有特别限制,但为了形成其表面电阻在1 X103 (Q/口)或更小的具有良好导电性的连续覆盖膜,优选厚度在10nm 或更大。如果膜厚过厚,则会造成透明性降低,所以厚度设为10〜300nm 左右即可。通常在薄膜基材F上,按照第一透明电介质薄膜l、第二透明电介质 薄膜2和透明导电性薄膜3的顺序依次形成膜。作为第一透明电介质薄膜 1和透明导电性薄膜3的形成方法,可以列举如真空蒸镀气相蒸镀法、溅 射法、离子镀覆法等,可以根据材料的种类和所需的膜厚采用适当的方法。在这些方法中, 一般采用溅射法。另外,作为第二透明电介质薄膜2的形成方法,除了上述方法以外,还可以采用涂布法等。如上所述,在按照第一透明电介质薄膜1、第二透明电介质薄膜2 和透明导电性薄膜3的顺序依次形成膜的薄膜基材F的另一侧表面,可以 通过透明粘合剂层A贴合透明基体T。贴合透明基体T的方法,既可以在 透明基体T侧上设置粘合剂层A,然后在其上面贴合薄膜基材F,反之, 也可以在薄膜基材F侧上设置粘合剂层A,然后把透明基体T贴合到它的 上面。在后者的方法中,可以把薄膜基材F巻成筒状,然后连续形成粘合 剂层A,在生产性方面更是有效。作为粘合剂层A,只要是具有透明性的粘合剂,则没有特别限制,均 可使用,例如可以使用丙烯酸系粘合剂、有机硅系粘合剂、橡胶系粘合剂 等。该粘合剂层A,在粘结透明基体T后,由于其缓冲效果,具有提高在 薄膜基材F —侧表面设置的透明导电性薄膜3的耐擦伤性和作为触摸屏用 的打点特性的功能。从更好发挥该功能的观点考虑,优选把粘合剂层的弹 性系数范围设定在1〜100N/cm2,把其厚度设定在lum或更大,通常把 厚度范围设定在5〜100iim。通过粘合剂层A贴合的透明基体T是可赋予透明基材F以良好的机 械强度,特别有助于防止产生巻曲等的材料,当贴合透明基体T后仍要求 可挠性时,通常使用6〜300"m左右的塑料薄膜,当不特别要求可挠性时, 通常可以分别使用0.05〜10mm左右的玻璃板或者薄膜状以至板状的塑 料。作为塑料材质,可以列举与前述薄膜基材相同的材料。另外根据需要,还可以在上述透明基体T的外表面(与粘合剂层相反 侧的表面)上,设置以提高视认性为目的的防眩处理层和防反射处理层,或者设置以保护外表面为目的的硬质涂层处理层。作为硬质涂层处理层, 优选使用如含有三聚氰胺系树脂、氨基甲酸酯系树脂、醇酸系树脂、丙烯 酸系树脂、有机硅系树脂、环氧树脂等固化型树脂的固化覆盖膜。图3是表示使用前述本发明透明导电性层叠体(图2)的触摸屏例子 的示意图。也就是以使形成相互垂直条纹状的透明导电性薄膜Pld、 P2d相对的方式,通过隔片S把具有透明导电性薄膜Pld、 P2d的一对屏板Pl、 P2相对设置而形成的触摸屏,其中,作为一侧的屏板P1,使用上述图2 所示的透明导电性层叠体。该触摸屏,当使用输入笔M从屏板Pl侧克服隔片S的弹力进行按压 打点时,导电性薄膜Pld、 P2d互相接触,电路形成ON状态, 一旦解除 上述按压,则返回到原来的OFF状态,具有作为透明开关结构体的功能。 这时,因为屏板P1含有上述透明导电性层叠体,所以导电性薄膜的耐擦 伤性和打点特性优异,可以长期稳定地维持上述功能。在图3中,屏板P1可以是图1中所示的透明导电性层叠体。另外, 屏板P2在含有塑料薄膜或玻璃板等的透明基体T'上设置了导电性薄膜 P2d,但是也可以使用与上述屏板P1相同的图l或图2所示的透明导电性层叠体。 实施例以下叙述本发明的实施例,更具体地进行说明。在以下叙述中,份表 示重量份。各层的折射率和膜厚:在折射率与透明电介质薄膜和透明导电性薄膜 不同的适当热塑性薄膜基板上,在相同的涂布条件下,用单层层叠,使用 在该层叠面光反射光谱上根据光干涉效果所发现的反射率的最大峰或最 小峰的波长和该峰反射率的值,通过光学模拟计算出来。另外硬质涂层的 折射率,使用阿贝折射仪(测定波长为590nm)进行测定,厚度是通过采 用与前述透明电介质薄膜相同的光干涉法进行计算求出的。第一透明电介 质薄膜的表面电阻值(Q/口)是利用三菱化学公司制造的HIRESTA电阻测定仪测定的。膜厚是使用日立制作所制造的透过型电子显微镜H-7650测定的。实施例1(第一透明电介质薄膜的形成)在含有厚度为125um的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下称为PET 薄膜)的薄膜基材(光折射率nf=1.66)的一侧表面,在氩气为95%和氧 气为5%的混合气体气氛中,用氧化铟100份、氧化锡10份和氧化铈25 份的混合物烧结体,通过下述条件的反应溅射法,形成相对于氧化铟100 份含有氧化锡10份和氧化铈25份的复合氧化物(光折射率nh2.1)的第 一透明电介质薄膜。第一透明电介质薄膜的厚度为32nm,表面电阻值(Q /□)为8.5xl09。〈溅射条件〉革巴尺寸:200mmx500mm输出:3.0kw电压值:450V放电时间:lmin真空度:0.5Pa (第二透明电介质薄膜的形成)接着在第一透明电介质薄膜上,通过电子束加热法,在lxl0—2〜 3xl(T2Pa的真空度下真空蒸镀Si02(光折射率n2=1.46),形成厚度为50nm 的第二透明电介质薄膜。(透明导电性薄膜的形成)接着在上述Si02薄膜上,使用氩气为95%和氧气为5%的混合气体, 在0.5Pa的气氛中,用氧化铟100份和氧化锡10份的混合物烧结体,通过 反应溅射法,形成相对于氧化铟100份含有氧化锡10份的复合氧化物(光 折射率111=2.0)的第一透明电介质薄膜。实施例2(第一透明电介质薄膜的形成)在厚度为25 y m的PET薄膜上,用#16号钢丝绕线棒涂布在紫外线固 化型树脂(旭电化社制,KRX571-76NL) 100份中混合有机硅系流平剂0.5 份、并且用溶剂稀释使固体成分达到40%的溶液,以使干燥后的膜厚度达 到7um,用干燥烘箱对溶剂进行气化后,用高压水银灯进行紫外线照射 固化,形成透明硬质涂层(光折射率为1.54)。在实施例1中,作为薄膜基材,使用上述形成有硬质涂层的PET薄 膜,在该硬质涂层上,用氧化铟100份、氧化锡5份和氧化铈10份的混 合物烧结体,用与实施例1相同的反应溅射法形成相对于氧化铟100份含 有氧化锡5份和氧化铈10份的复合氧化物(光折射率nl=2.05)的第一透 明电介质薄膜,除此之外进行与实施例l相同的操作,形成第一透明电介 质薄膜。第一透明电介质薄膜的厚度为35nm,表面电阻值(Q/口)为接着在第一透明电介质薄膜上,进行与实施例l相同的操作,形成第 二透明电介质薄膜,再进行与实施例1相同的操作,形成透明导电性薄膜, 得到透明导电性层叠体。(透明导电性层合薄膜的制备)接着在上述PET薄膜的另一侧表面,形成约20 ii m厚的弹性系数被 调节到10N/cn^的丙烯酸系透明粘合剂层(在丙烯酸丁酯、丙烯酸和乙酸乙烯酯的重量比为ioo : 2 :5的丙烯酸系共聚物ioo份中配合异氰酸酯系交联剂1份而成),在它的上面贴合包含厚度为125 y m的PET薄膜的透 明基体,制备如图2所示结构的透明导电性层叠体。 比较例1(第一透明薄膜的形成)在实施例1中,用氧化铟IOO份和氧化锡IO份的混合物烧结体,通 过与实施例1相同的反应溅射法,形成相对于氧化铟100份含有氧化锡10 份的复合氧化物(光折射率nh2.0)的第一透明电介质薄膜,除此之外进行与实施例1相同的操作形成第一透明电介质薄膜。第一透明薄膜的厚度为51nm,表面电阻值(Q/口)为1.1x103。接着在第一透明薄膜上,进行与实施例l相同的操作,形成第二透明 电介质薄膜,再进行与实施例l相同的操作形成透明导电性薄膜,得到透 明导电性层叠体。比较例2 (第一透明电介质薄膜的形成)在实施例1中,用氧化铟100份、氧化锡10份、氧化铈50份的混合 物烧结体,通过与实施例l相同的反应溅射法,形成相对于氧化铟100份 含有氧化锡10份和氧化铈50份的复合氧化物(光折射率nl-2.2)的第一 透明电介质薄膜,除此之外进行与实施例1相同的操作形成第一透明电介 质薄膜。第一透明电介质薄膜的厚度为25nm,表面电阻值(Q/口)为接着在第一透明电介质薄膜上进行与实施例1相同的操作,形成第二 透明电介质薄膜,再进行与实施例l相同的操作,形成透明导电性薄膜, 得到透明导电性层叠体。比较例3(第一透明电介质薄膜的形成)在实施例1中,用钛金属通过与实施例1相同的反应溅射法,形成氧 化钛(光折射率nl=2.35)的第一透明电介质薄膜,除此之外进行与实施 例l相同的操作,形成第一透明电介质薄膜。第一透明电介质薄膜的厚度 为20nm,表面电阻值(Q/口)超过lx1013。接着在第一透明电介质薄膜上进行与实施例1相同的操作,形成第二 透明电介质薄膜,再进行与实施例l相同的操作,形成透明导电性薄膜, 得到透明导电性层叠体。对于在实施例和比较例中得到的透明导电性层叠体,进行下述评价。 结果表示在表1中。〈透明导电性薄膜的表面电阻值〉

使用三菱化学公司制造的LORESTA电阻测定仪,测定表面电阻(Q /□)。透明导电性薄膜的表面电阻值设定为450 (Q/口),优选从450 (Q /□)开始不变化的透明导电性薄膜。 〈光学特性〉

使用岛津制作所制造的分光光度计UV3150,测定色调b*,色调b* 表示透过光的着色,如果色调W值在负值侧变大,则透过光的蓝色增加; 如果在正值侧变大,则黄色增加。优选色调1)*值的范围在-2〜2,因为在 该范围内可以抑制着色。

表1中记载了在实施例1所述的溅射条件下,第一透明电介质薄膜的 溅射率。优选在实施例1所述的溅射条件下均匀的溅射率。

[表1]透明基体 (厚:y m) 薄膜基材 第一透明(电介质)薄膜 第二透明电 介质薄膜的 折射率 (n2) 透明导电 性薄膜的 折射率 (n3〉 透明导电性层压体 厚 折射率 (nf) 折射率 (nl) 材料(S量比) 表面电阻值 透明介电性薄膜 的表面介电系数 色调b* 溅射率 (nm)

<table>table see original document page 17</column></row> <table>如表1所示,实施例的透明导电性层叠体的第一透明电介质薄膜具有 高折射率,色调良好,容易进行光学调节。而且第一透明电介质薄膜具有 高电阻值,不会损坏透明导电性层叠体的导电性。此外溅射率高,生产性 也良好。另一方面在比较例l中,由于第一透明薄膜的表面电阻值低,所 以会对透明导电性薄膜的表面电阻值造成影响。另外,在比较例1中,由 于第一透明薄膜的膜厚,所以作为透明导电性层叠体的光学特性降低。在 比较例2中,虽然使用了与实施例的第一透明电介质薄膜相同的材料,但 是与实施例相比,在比较例2中由于氧化铈的配合量多,所以溅射率差。 另外在比较例3中,实施例的第一透明电介质薄膜的材料是氧化钛,溅射

Claims (6)

1. 一种透明导电性层叠体,其是在厚度为2~200μm的透明薄膜基材的一侧表面,从所述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄膜、第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性层叠体,其特征在于: 第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成的,并且第一透明电介质薄膜由相对于氧化铟100重量份含有氧化锡0~20重量份、氧化铈10~40重量份的复合氧化物形成, 当设第一透明电介质薄膜的折射率为n1,第二透明电介质薄膜的折射率为n2,透明导电性薄膜的折射率为n3时,满足n2<n3≤n1的关系。
2. 根据权利要求1所述的透明导电性层叠体,其特征在于:第一透明电 介质薄膜的厚度为10〜200nm,并且表面电阻值为1 X 106 Q/口或更大。
3. 根据权利要求l所述的透明导电性层叠体,其特征在于:在透明薄膜 基材的另一侧表面,通过透明粘合剂层贴合透明基体。
4. 透明导电性层叠体的制造方法,其是在厚度为2〜200um的透明薄 膜基材的一侧表面,从所述薄膜基材侧开始,按照第一透明电介质薄膜、 第二透明电介质薄膜和透明导电性薄膜的顺序依次形成膜的透明导电性 层叠体的制造方法,其特征在于:第一透明电介质薄膜是通过真空蒸镀法、溅射法或离子镀覆法形成 的,并且第一透明电介质薄膜由相对于氧化铟100重量份含有氧化锡0〜 20重量份、氧化铈10〜40重量份的复合氧化物形成,当设第一透明电介质薄膜的折射率为nl,第二透明电介质薄膜的折 射率为n2,透明导电性薄膜的折射率为n3时,满足n2〈n3《nl的关系。
5. 根据权利要求4所述的透明导电性层叠体的制造方法,其特征在于-第一透明电介质薄膜的厚度为10〜200nm,并且表面电阻值为1X106Q/ 口或更大。
6. —种触摸屏,将具有透明导电性薄膜的一对屏板,以透明导电性薄膜相对的方式,通过隔片使其相对设置而成的,其特征在于,至少一侧屏板 含有权利要求1〜3中的任意一项所述的透明导电性层叠体。
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