CN106569639A - 一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺 - Google Patents

一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺 Download PDF

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Abstract

一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，它涉及触摸屏领域，特别涉及一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺。本发明的目的是要解决现有手机触摸屏的硬度低、不易耐刮花和达不到环保效果的问题。制备工艺包括：在基材的下表面依次形成阻挡层、导电层、电桥层、绝缘层、感应层和保护层；再在基材的上表面涂覆胶，再将保护膜粘贴到基材的上表面上，完成一种高硬度耐刮花手机触摸屏的制备。本发明制备的高硬度耐刮花手机触摸屏工艺简单，生产效率提高了20%以上，生产成本降低了10%以上，耐刮花能力达到3H以上。本发明适用于制备高硬度耐刮花手机触摸屏。

Description

一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺
技术领域
本发明涉及触摸屏领域，特别涉及一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺。
背景技术
触摸屏是可接收触摸等输入信号的感应式装置。触摸屏赋予了信息交互崭新的面貌，是极富吸引力的全新信息交互设备。触摸屏技术的发展引起了国内外信息传媒界的普遍关注，已成为光电行业异军突起的朝阳高新技术产业。
随着社会的不断进步，电子产品的发展也是层出不穷，触摸屏应用到手机、平板电脑、笔记本电脑的产品不断更新，为了增加这些电子产品显示屏表面的耐刮花性，增加其使用寿命，常常在显示屏的表面贴上一层屏幕保护膜。
目前人们用到的保护膜仅仅只是起到保护作用，但是大部分的保护膜的硬度低，耐刮伤性差，在使用过程中容易被手指、挂件等硬物刮伤，从而影响了液晶显示屏的使用寿命。
而且，随着人们对时尚生活的追求及个性需求的多样化，大多数人购买各种屏幕保护膜的目的已经不只是为了满足保护屏幕的功能，人们对保护膜的性能要求越来越高，希望拥有各种不同效果的耐刮花的屏幕保护膜，目前市场上用到的已有的钻石膜主要工艺是：在溶剂型的UV 胶中加入钻石粉，然后涂布在耐刮花层，这样得到的钻石膜其表面硬度低，耐刮花性能不好，达不到广大用户的要求，同时其表面涂布技术要求高，钻石粉分布不均匀，且溶剂型的UV 胶在涂布过程中溶剂的挥发会对人体及环境有一定的影响，达不到环保的效果。
发明内容
本发明的目的是要解决现有手机触摸屏的硬度低、不易耐刮花和达不到环保效果的问题，而提供一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺。
基于此，本发明提供一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，该工艺包括以下步骤：
步骤1、在基材的下表面上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层；
所述真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层的工艺条件为：第一室的加热温度为70℃~80℃，第二室的加热温度为110℃~ 120℃，第三室的加热温度为170℃~ 180℃，第四室的加热温度为230℃~240℃，第五室的加热温度为270℃~280℃，第六室的加热温度为290℃~300
℃，第七室与第八室的加热温度均为315℃~325℃，总加热时间为550秒~750秒，所述基材的传送速度为35毫米/秒~ 55毫米/秒，真空度为2×10-1Pa~3×10-1Pa；所述真空溅镀第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W~5000W；
步骤2、在所述阻挡层上涂覆导电材料，干燥后形成导电层；
所述导电材料按重量份数由60份~98份有机导电聚合物、0.4份~24份成膜树脂、2份~15份高沸点极性溶剂和0.1份~1.5份表面活性剂组成；
步骤3、在所述导电层上依次真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜，并在形成的Mo-Al-Mo 膜上蚀刻线路，形成电桥层；
所述真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~60℃，第二室的加热温度为60℃~ 70℃，第三室的加热温度为70℃~80℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为850 秒~900 秒，所述玻璃基板的传送速度为20 毫米/秒~ 30 毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa ~3.0×10-1Pa；所述第一Mo 膜的溅射功率为2000W ~3000W；所述Al 膜的溅射功率为10000W~ 14000W；所述第二Mo 膜的溅射功率为2000W~3000W；
步骤4、在所述电桥层上涂覆绝缘胶形成绝缘层；
步骤5、在所述绝缘层上真空溅镀氧化铟锡膜，并在所述氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层；
所述真空溅镀氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为650 秒~800 秒，所述玻璃基板的传送速度为32毫米/秒~42 毫米/秒，真空度为2×10-1Pa ~3×10-1Pa；真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的溅射功率为3500W~4350W；
步骤6、在所述感应层上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层；
所述真空溅镀第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为900 秒~ 1000秒，所述玻璃基板的传送速度为25 毫米/秒~ 30毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa ~3.5×10-1Pa；真空溅镀所述第二二氧化硅膜的溅射功率为6750W~7750W；
步骤7、在基材的上表面上涂覆胶，再将保护膜粘贴到基材的上表面上，完成一种高硬度耐刮花手机触摸屏的制备；
所述的保护膜依次由保护透明膜层、防刮花层、使用透明膜层、钻石粉复合胶层和剥离透明膜层复合而成；
所述保护透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述使用透明膜层的厚度为50μm~200μm；所述剥离透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述防刮花层的厚度为8μm~20μm；
所述的保护透明膜层、使用透明膜层和剥离透明膜层为PET 材质，所述钻石粉复合胶层的厚度为250μm ~350μm。
本发明的优点：
一、本发明中的导电层和感应层位于基材的同一侧，从而避免了电容式触摸屏在生产清洗过程中被污染，提高了良品率；
二、本发明采用绝缘层将电桥层与感应层隔开，而实现电容式触摸屏的功能，比双面结构的电容式触摸屏减少了一层，从而降低了生产成本；且本发明制备的高硬度耐刮花手机触摸屏工艺简单，生产效率提高了20%以上，生产成本降低了10%以上；
三、本发明制备的高硬度耐刮花手机触摸屏的耐刮花能力达到3H以上；
四、本发明中的保护膜利用聚氨酯树脂或有机硅胶与钻石粉、分散助剂形成钻石粉复合胶层，不仅钻石粉在胶层中分散均匀，而且使得整个保护膜散射不同的色彩，极具美观效果，实用性好；保护膜中的防刮花层选用无溶剂型的UV 胶作为耐刮伤层，减少了因溶剂挥发而带来的污染，生产过程环保；
五、本发明工艺简单，条件易控，生产成本低，制备的高硬度耐刮花手机触摸屏的硬度高，抗刮花，具有稳定导电能力和优异透过率。
本发明适用于制备高硬度耐刮花手机触摸屏。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式是一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，该工艺包括以下步骤：
步骤1、在基材的下表面上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层；
所述真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层的工艺条件为：第一室的加热温度为70℃~80℃，第二室的加热温度为110℃~ 120℃，第三室的加热温度为170℃~ 180℃，第四室的加热温度为230℃~240℃，第五室的加热温度为270℃~280℃，第六室的加热温度为290℃~300
℃，第七室与第八室的加热温度均为315℃~325℃，总加热时间为550秒~750秒，所述基材的传送速度为35毫米/秒~ 55毫米/秒，真空度为2×10-1Pa~3×10-1Pa；所述真空溅镀第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W ~5000W；
步骤2、在所述阻挡层上涂覆导电材料，干燥后形成导电层；
所述导电材料按重量份数由60份~98份有机导电聚合物、0.4份~24份成膜树脂、2份~15份高沸点极性溶剂和0.1份~1.5份表面活性剂组成；
步骤3、在所述导电层上依次真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜，并在形成的Mo-Al-Mo 膜上蚀刻线路，形成电桥层；
所述真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~60℃，第二室的加热温度为60℃~ 70℃，第三室的加热温度为70℃~80℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为850 秒~900 秒，所述玻璃基板的传送速度为20 毫米/ 秒~ 30 毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa ~3.0×10-1Pa；所述第一Mo 膜的溅射功率为2000W ~3000W；所述Al 膜的溅射功率为10000W~ 14000W；所述第二Mo 膜的溅射功率为2000W ~ 3000W ；
步骤4、在所述电桥层上涂覆绝缘胶形成绝缘层；
步骤5、在所述绝缘层上真空溅镀氧化铟锡膜，并在所述氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层；
所述真空溅镀氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为650 秒~800 秒，所述玻璃基板的传送速度为32毫米/秒~42 毫米/秒，真空度为2×10-1Pa ~3×10-1Pa；真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的溅射功率为3500W~4350W；
步骤6、在所述感应层上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层；
所述真空溅镀第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为900 秒~ 1000秒，所述玻璃基板的传送速度为25 毫米/秒~ 30毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa ~3.5×10-1Pa；真空溅镀所述第二二氧化硅膜的溅射功率为6750W~ 7750W；
步骤7、在基材的上表面上涂覆胶，再将保护膜粘贴到基材的上表面上，完成一种高硬度耐刮花手机触摸屏的制备；
所述的保护膜依次由保护透明膜层、防刮花层、使用透明膜层、钻石粉复合胶层和剥离透明膜层复合而成；
所述保护透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述使用透明膜层的厚度为50μm~200μm；所述剥离透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述防刮花层的厚度为8μm~20μm；
所述的保护透明膜层、使用透明膜层和剥离透明膜层为PET 材质，所述钻石粉复合胶层的厚度为250μm ~350μm。
本实施方式的优点：
一、本实施方式中的导电层和感应层位于基材的同一侧，从而避免了电容式触摸屏在生产清洗过程中被污染，提高了良品率；
二、本实施方式采用绝缘层将电桥层与感应层隔开，而实现电容式触摸屏的功能，比双面结构的电容式触摸屏减少了一层，从而降低了生产成本；且本实施方式制备的高硬度耐刮花手机触摸屏工艺简单，生产效率提高了20%以上，生产成本降低了10%以上；
三、本实施方式制备的高硬度耐刮花手机触摸屏的耐刮花能力达到3H以上；
四、本实施方式中的保护膜利用聚氨酯树脂或有机硅胶与钻石粉、分散助剂形成钻石粉复合胶层，不仅钻石粉在胶层中分散均匀，而且使得整个保护膜散射不同的色彩，极具美观效果，实用性好；保护膜中的防刮花层选用无溶剂型的UV 胶作为耐刮伤层，减少了因溶剂挥发而带来的污染，生产过程环保；
五、本实施方式工艺简单，条件易控，生产成本低，制备的高硬度耐刮花手机触摸屏的硬度高，抗刮花，具有稳定导电能力和优异透过率。
本实施方式适用于制备高硬度耐刮花手机触摸屏。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同点是：所述基材为玻璃、聚碳酸酯PC 板、亚克力板或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET板。其他步骤与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二之一不同点是：所述有机导电聚合物为聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯中的至少一种。其他步骤与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同点是：所述高沸点极性溶剂为二甲基甲酰胺、乙二醇、二甲基亚砜和N- 甲基吡咯烷酮中的至少一种。其他步骤与具体实施方式一至三相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同点是：所述成膜树脂为丙烯酸树脂。其他步骤与具体实施方式一至四相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同点是：所述表面活性剂为氟表面活性剂、阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂中的至少一种；所述氟表面活性剂为F[CF(CF3)CF2O]1CF(CF3)SO2NH(CH2)4OH、C4F9SO2NH(CH2)5OH和
C8F17CONH(CH2)2OH 中的至少一种；所述阴离子表面活性剂为C12H25NaO4S、C18H29NaO3S中的至少一种。其他步骤与具体实施方式一至五相同。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同点是：所述钻石粉复合胶层为聚氨酯树脂或有机硅胶中混合有钻石粉、分散助剂，所述钻石粉的粒径在200目以上；所述钻石粉为钻石金粉、钻石银粉、钻石蓝粉、钻石紫粉中的一种或几种混合体；所述分散助剂为纤维素衍生物，包括：乙基纤维素、甲基纤维素、羧丙基纤维素中的一种或几种。其他步骤与具体实施方式一至六相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同点是：所述防刮花层为无溶剂型UV 光固化树脂，该防刮花层的表面硬度大于等于3H 铅笔硬度。其他步骤与具体实施方式一至七相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同点是：所述阻挡层的厚度为15nm~25nm；所述导电层的厚度为15nm~25nm；所述电桥层的厚度为300nm~400nm；所述第一Mo 膜的厚度为30nm~50nm；所述Al 膜的厚度为200nm~300nm；所述第二Mo 膜的厚度为30nm~50nm。其他步骤与具体实施方式一至八相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同点是：所述绝缘层的厚度为1μm~2μm；所述感应层的厚度为15nm~25nm；所述保护层的厚度为40nm~55nm。其他步骤与具体实施方式一至九相同。
采用以下实施例验证本发明的有益效果：
实施例一：一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，包括以下步骤：
步骤1、在基材的下表面上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层；
所述基材为玻璃；
所述真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层的工艺条件为：第一室的加热温度为75℃，第二室的加热温度为115℃，第三室的加热温度为175℃，第四室的加热温度为235℃，第五室的加热温度为275℃，第六室的加热温度为295℃，第七室与第八室的加热温度均为320℃，总加热时间为650秒，所述基材的传送速度为50毫米/秒，真空度为2×10-1Pa；真空溅镀所述第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W；
所述阻挡层的厚度为20nm；
步骤2、在所述阻挡层上涂覆导电材料，干燥后形成导电层；
所述导电材料按重量份数由75份有机导电聚合物、10份成膜树脂、10份高沸点极性溶剂和0.5份表面活性剂组成；
所述有机导电聚合物为聚苯胺；
所述高沸点极性溶剂为二甲基甲酰胺；
所述成膜树脂为丙烯酸树脂；
所述表面活性剂为氟表面活性剂；所述氟表面活性剂为F[CF(CF3)CF2O]1CF(CF3)SO2NH(CH2)4OH；
所述导电层的厚度为20nm；
步骤3、在所述导电层上依次真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜，并在形成的Mo-Al-Mo 膜上蚀刻线路，形成电桥层；
所述真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃，第二室的加热温度为65℃，第三室的加热温度为75℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃，总加热时间为900秒，所述玻璃基板的传送速度为25毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa；所述第一Mo 膜的溅射功率为2000W；所述Al 膜的溅射功率为10000W；所述第二Mo 膜的溅射功率为2000W；
所述第一Mo 膜的厚度为40nm；所述Al 膜的厚度为250nm；所述第二Mo 膜的厚度为40nm；
步骤4、在所述电桥层上涂覆绝缘胶形成绝缘层；
所述绝缘层的厚度为1μm；
步骤5、在所述绝缘层上真空溅镀氧化铟锡膜，并在所述氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层；
所述真空溅镀氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃，总加热时间为700 秒，所述玻璃基板的传送速度为40 毫米/秒，真空度为2×10-1Pa；真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的溅射功率为3500W；
所述感应层的厚度为20nm；
步骤6、在所述感应层上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层；
所述真空溅镀第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃，总加热时间为900 秒，所述玻璃基板的传送速度为30毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa；真空溅镀所述第二二氧化硅膜的溅射功率为6750W；
所述保护层的厚度为50nm；
步骤7、在基材的上表面上涂覆胶，再将保护膜粘贴到基材的上表面上，完成一种高硬度耐刮花手机触摸屏的制备；
所述的保护膜依次由保护透明膜层、防刮花层、使用透明膜层、钻石粉复合胶层和剥离透明膜层复合而成；
所述钻石粉复合胶层为有机硅胶中混合有钻石粉、分散助剂，所述钻石粉的粒径在400目；所述钻石粉为钻石金粉；所述分散助剂为乙基纤维素；
所述防刮花层为无溶剂型UV 光固化树脂，该防刮花层的表面硬度等于3H 铅笔硬度；
所述保护透明膜层的厚度为50μm；所述使用透明膜层的厚度为150μm；所述剥离透明膜层的厚度为50μm；所述防刮花层的厚度为16μm；
所述的保护透明膜层、使用透明膜层和剥离透明膜层为PET 材质，所述钻石粉复合胶层的厚度为300μm。
实施例一的优点：
一、实施例一中的导电层和感应层位于基材的同一侧，从而避免了电容式触摸屏在生产清洗过程中被污染，提高了良品率；
二、实施例一采用绝缘层将电桥层与感应层隔开，而实现电容式触摸屏的功能，比双面结构的电容式触摸屏减少了一层，从而降低了生产成本；且实施例一制备的高硬度耐刮花手机触摸屏工艺简单，生产效率提高了30%，生产成本降低了20%；
三、实施例一制备的高硬度耐刮花手机触摸屏的耐刮花能力达到3H；
四、实施例一中的保护膜利用有机硅胶与钻石粉、分散助剂形成钻石粉复合胶层，不仅钻石粉在胶层中分散均匀，而且使得整个保护膜散射不同的色彩，极具美观效果，实用性好；保护膜中的防刮花层选用无溶剂型的UV 胶作为耐刮伤层，减少了因溶剂挥发而带来的污染，生产过程环保；
五、实施例一的工艺简单，条件易控，生产成本低，制备的高硬度耐刮花手机触摸屏的硬度高，抗刮花，具有稳定导电能力和优异透过率。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。

Claims (10)

1.一种高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：
步骤1、在基材的下表面上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层；
所述真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层的工艺条件为：第一室的加热温度为70℃~80℃，第二室的加热温度为110℃~ 120℃，第三室的加热温度为170℃~ 180℃，第四室的加热温度为230℃~240℃，第五室的加热温度为270℃~280℃，第六室的加热温度为290℃~300
℃，第七室与第八室的加热温度均为315℃~325℃，总加热时间为550秒~750秒，所述基材的传送速度为35毫米/秒~ 55毫米/秒，真空度为2×10-1Pa~3×10-1Pa；所述真空溅镀第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W~5000W；
步骤2、在所述阻挡层上涂覆导电材料，干燥后形成导电层；
所述导电材料按重量份数由60份~98份有机导电聚合物、0.4份~24份成膜树脂、2份~15份高沸点极性溶剂和0.1份~1.5份表面活性剂组成；
步骤3、在所述导电层上依次真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜，并在形成的Mo-Al-Mo 膜上蚀刻线路，形成电桥层；
所述真空溅镀第一Mo 膜、Al 膜及第二Mo 膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~60℃，第二室的加热温度为60℃~ 70℃，第三室的加热温度为70℃~80℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为850 秒~900 秒，所述玻璃基板的传送速度为20 毫米/秒~ 30 毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa ~3.0×10-1Pa；所述第一Mo 膜的溅射功率为2000W~3000W；所述Al 膜的溅射功率为10000W~14000W；所述第二Mo 膜的溅射功率为2000W~3000W；
步骤4、在所述电桥层上涂覆绝缘胶形成绝缘层；
步骤5、在所述绝缘层上真空溅镀氧化铟锡膜，并在所述氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层；
所述真空溅镀氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为650 秒~800秒，所述玻璃基板的传送速度为32毫米/秒~42毫米/秒，真空度为2×10-1Pa ~ 3×10-1Pa；真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的溅射功率为3500W~4350W；
步骤6、在所述感应层上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层；
所述真空溅镀第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为50℃~ 60℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为70℃~ 80℃，总加热时间为900 秒~ 1000秒，所述玻璃基板的传送速度为25 毫米/秒~ 30毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa ~3.5×10-1Pa；真空溅镀所述第二二氧化硅膜的溅射功率为6750W~ 7750W；
步骤7、在基材的上表面上涂覆胶，再将保护膜粘贴到基材的上表面上，完成一种高硬度耐刮花手机触摸屏的制备；
所述的保护膜依次由保护透明膜层、防刮花层、使用透明膜层、钻石粉复合胶层和剥离透明膜层复合而成；
所述保护透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述使用透明膜层的厚度为50μm~200μm；所述剥离透明膜层的厚度为25μm~75μm；所述防刮花层的厚度为8μm~20μm；
所述的保护透明膜层、使用透明膜层和剥离透明膜层为PET 材质，所述钻石粉复合胶层的厚度为250μm ~350μm。
2.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述基材为玻璃、聚碳酸酯PC 板、亚克力板或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET板。
3.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述有机导电聚合物为聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述高沸点极性溶剂为二甲基甲酰胺、乙二醇、二甲基亚砜和N- 甲基吡咯烷酮中的至少一种。
5.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述成膜树脂为丙烯酸树脂。
6.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述表面活性剂为氟表面活性剂、阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂中的至少一种；所述氟表面活性剂为F[CF(CF3)CF2O]1CF(CF3)SO2NH(CH2)4OH、C4F9SO2NH(CH2)5OH和C8F17CONH(CH2)2OH 中的至少一种；所述阴离子表面活性剂为C12H25NaO4S、C18H29NaO3S 中的至少一种。
7.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述钻石粉复合胶层为聚氨酯树脂或有机硅胶中混合有钻石粉、分散助剂，所述钻石粉的粒径在200 目以上；所述钻石粉为钻石金粉、钻石银粉、钻石蓝粉、钻石紫粉中的一种或几种混合体；所述分散助剂为纤维素衍生物，包括：乙基纤维素、甲基纤维素、羧丙基纤维素中的一种或几种。
8.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述防刮花层为无溶剂型UV 光固化树脂，该防刮花层的表面硬度大于等于3H 铅笔硬度。
9.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述阻挡层的厚度为15nm~25nm；所述导电层的厚度为15nm~25nm；所述电桥层的厚度为300nm~400nm；所述第一Mo 膜的厚度为30nm~50nm；所述Al 膜的厚度为200nm~300nm；所述第二Mo 膜的厚度为30nm~50nm。
10.根据权利要求1所述高硬度耐刮花手机触摸屏制备工艺，其特征在于，所述绝缘层的厚度为1μm~2μm；所述感应层的厚度为15nm~25nm；所述保护层的厚度为40nm~55nm。
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