TWI430998B - 光活性化合物 - Google Patents

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M Dalil Rahman
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Az Electronic Mat Ip Japan Kk
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Description

光活性化合物
本發明係關於新穎的光活性化合物，其可在微蝕刻術領域中用作光阻組合物且尤其可在半導體裝置之製造中用於負型及正型圖案成像；以及用於光阻成像之光阻組合物及方法。
光阻組合物用於在微蝕刻方法中製造小型化電子組件，諸如製造電腦晶片及積體電路。一般而言，在該等方法中，首先在一基板材料(諸如用於製造積體電路之矽晶圓)上塗佈光阻組合物之薄塗膜。接著將所塗基板焙燒以蒸發光阻組合物中之任何溶劑並使塗膜固著於該基板上。接著使塗於該基板上之光阻在輻射下經受成像曝光。
輻射曝光促使塗佈表面之曝露區域發生化學轉化。可見光、紫外(UV)光、電子束及X射線輻射能量為當前微蝕刻方法中常用的輻射類型。在此成像曝光之後，將所塗基板用顯影液處理以溶解並移除光阻中之輻射曝光區域或未曝光區域。半導體裝置之小型化傾向已促成對愈來愈低之輻射波長敏感之新穎光阻劑之使用且亦促成複雜多級系統之使用以克服此小型化所帶來之難關。
光阻組合物存在兩種類型：負作用型及正作用型。在微影處理中，在特定點處所使用之光阻類型係依據半導體裝置之設計來確定。當使負型光阻組合物在輻射下曝光成像時，光阻組合物中曝露於輻射之區域變得難溶於顯影液(例如發生交聯反應)，而光阻塗膜中之未曝光區仍相對可溶於此溶液。因此，用顯影劑處理所曝光之負型光阻可移除光阻塗膜中之非曝光區並在塗膜中形成負像，從而露出光阻組合物沈積於其上之下伏基板表面之所要部分。
另一方面，當使正型光阻組合物在輻射下曝光成像時，光阻組合物中曝露於輻射之彼等區域變得更易溶於顯影液(例如發生重排反應)，而未曝光之彼等區域仍相對不溶於顯影液。因此，用顯影劑處理所曝光之正型光阻可移除塗膜中之曝光區且在光阻塗膜中形成正像。此外，露出下伏表面之所要部分。
光阻解析度之定義為光阻組合物在曝光及顯影之後可以高影像邊緣敏銳度自光罩轉印至基板的最小特徵。在當前很多主要的邊緣製造應用中，需要約小於二分之一微米的光阻解析度。此外，幾乎總是需要經顯影之光阻壁型面相對於基板近乎垂直。光阻塗膜中之顯影區與未顯影區之間的該等界線轉換成精確圖案，從而將光罩影像轉移至基板上。當小型化傾向使裝置上之關鍵尺寸減小時，此變得愈加關鍵。在光阻尺寸已減少至150 nm以下之情況下，光阻圖案之粗糙度已成為關鍵問題。對於線圖案及空間圖案，通常將邊緣粗糙度(一般已知為線邊緣粗糙度)作為沿光阻線之粗糙度觀測，且對於接觸孔係作為側壁粗糙度觀測。邊緣粗糙度對光阻之微影效能具有不利的影響，尤其是減少了臨界尺寸寬容度以及將光阻之線邊緣粗糙度轉移至基板。因此，非常需要可使邊緣粗糙度最小化的光阻。
在需要亞半微米幾何構型之情況下，通常使用對介於約100 nm與約300 nm之間之短波長敏感的光阻。尤其較佳為包含以下物之光阻：非芳族聚合物、光酸產生劑、視情況溶解性抑制劑及溶劑。
高解析度、化學放大、遠紫外光(100－300 nm)正型及負型增強光阻劑可用於具有小於四分之一微米幾何構型之影像之圖案化。迄今為止主要存在三種可提供小型化之顯著改進的深紫外光(UV)曝光技術且該等技術使用發出248 nm、193 nm及157 nm輻射之雷射。用於深UV之光阻通常包含具有酸不穩定基團且在酸存在下可去保護之聚合物；吸收光後產生酸之光活性組分；及溶劑。
用於248 nm之光阻通常係基於經取代之聚羥基苯乙烯及其共聚物，諸如US 4,491,628及US 5,350,660中所述之彼等物。另一方面，用於193 nm曝光之光阻需要非芳族聚合物，原因在於芬烴在此波長下為不透明的。US 5,843,624及GB 2,320,718揭示可用於193 nm曝光之光阻。一般而言，含有脂環烴的聚合物可用於200 nm以下曝光之光阻。將脂環烴併入聚合物內係出於多種原因，主要原因在於其具有可改良抗蝕刻性之較高碳：氫比，此外其在低波長下可達成透明且其具有較高玻璃轉移溫度。在157 nm下敏感之光阻係基於氟化聚合物，已知其在彼波長下為大體透明的。由含有氟化基團之聚合物所製得之光阻描述於WO 00/67072及WO 00/17712中。
用於光阻中之聚合物設計成對於成像波長為透明的，但另一方面，光活性組分通常設計成在成像波長下具有吸收性以使光活性最大化。光阻之光活性視光活性組分之吸收特性而定，吸收性愈高，形成酸所需之能量愈少且光阻感光性愈強。
本發明係關於式Ai Xi化合物，其中Ai為有機鎓陽離子；且Xi為式X－CF2 CF2 OCF2 CF2 －SO3 － 之陰離子，其中X係選自鹵素、烷基、烷氧基及芳氧基；其中Ai係選自及Y－Ar其中Ar係選自、萘基或蒽基；Y係選自、、；其中R1 、R2 、R3 、R1A 、R1B 、R2A 、R2B 、R3A 、R3B 、R4A 、R4B 、R5A 及R5B 各自獨立地選自Z、氫、OSO2 R9 、OR20 、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、芳基、芳烷基、芳基羰基甲基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、直鏈或支鏈全氟烷基、單環全氟烷基或多環全氟烷基、直鏈或支鏈烷氧基鏈、硝基、氰基、鹵素、羧基、羥基、硫酸酯基、三氟乙磺酸酯基或羥基；R6 及R7 各自獨立地選自視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、芳基、芳烷基、直鏈或支鏈全氟烷基、單環全氟烷基或多環全氟烷基、芳基羰基甲基、硝基、氰基或羥基，或者R6 及R7 與其所連接之S原子連在一起形成視情況含有一或多個O原子的5員、6員或7員飽和環或不飽合環；R9 係選自烷基、氟烷基、全氟烷基、芳基、氟芳基、全氟芳基、單環烷基或多環烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環氟烷基或多環氟烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)或單環全氟烷基或多環全氟烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)；R20 為烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)或單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)；T為直接鍵、視情況含有一或多個O原子之二價直鏈或支鏈烷基、二價芳基、二價芳烷基，或視情況含有一或多個O原子之二價單環烷基或多環烷基；Z為－(V)j －(C(X11)(X12))n －O－C(＝O)－R8 ，其中(i)X11或X12中之一者為含有至少一個氟原子的直鏈或支鏈烷基且另一者為氫、鹵素或直鏈或支鏈烷基鏈；或(ii)X11與X12兩者皆為含有至少一個氟原子的直鏈或支鏈烷基鏈；V為選自以下者之鍵聯基團：直接鍵、視情況含有一或多個O原子之二價直鏈或支鏈烷基、二價芳基、二價芳烷基，或視情況含有一或多個O原子之二價單環烷基或多環烷基；X2為氫、鹵素或含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈；R8 為視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基，或芳基；X3為氫、直鏈或支鏈烷基鏈、鹵素、氰基或－C(＝O)－R50 (其中R50 係選自視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈)或－O－R51 (其中R51 為氫或直鏈烷基鏈或支鏈烷基鏈)；i與k各自獨立地為0或正整數；j為0至10；m為0至10；且n為0至10；該視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、直鏈或支鏈烷基鏈、直鏈或支鏈烷氧基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、芳烷基、芳基、萘基、蒽基、視情況含有一或多個O原子之5員、6員或7員飽和環或不飽合環或芳基羰基甲基可未經取代或經一或多個選自由以下基團組成之群之基團取代：Z、鹵素、烷基、C1－8 全氟烷基、單環烷基或多環烷基、OR20 、烷氧基、C3－20 環烷氧基、二烷基胺基、二環二烷基胺基、羥基、氰基、硝基、三氟乙磺酸酯基、側氧基、芳基、芳烷基、氧原子、CF3 SO3 、芳氧基、芳硫基及式(II)至(VI)之基團：
其中R10 及R11 各自獨立地表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈，或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基，或者R10 與R11 連在一起可表示用以形成五員或六員環之伸烷基；R12 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基，或多環烷基或芳烷基，或者R10 與R12 連在一起表示伸烷基，該伸烷基與間雜之－C－O－基團連在一起形成五員或六員環，該環中之碳原子視情況經氧原子取代；R13 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基；R14 及R15 各自獨立地表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基；R16 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基或芳烷基；且R17 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基、芳烷基、基團－Si(R16 )2 R17 或基團－O－Si(R16 )2 R17 ，該視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基及芳烷基可未經取代或如上經取代。
本發明亦係關於光阻組合物，其包含含有酸不穩定基團之聚合物及如上所述之化合物。視情況，該光阻組合物亦可含有一或多種選自以下化合物的光酸產生劑：(a)具有式(Ai)2 Xi1之化合物，其中各Ai定義如上且可不同，且Xi1為式Q－R500 －SO3 － 之陰離子，其中Q係選自－ O3 S及－ O2 C；且R500 為選自直鏈或支鏈烷基、環烷基、芳基或其組合、視情況含有懸垂S或N的基團，其中烷基、環烷基及芳基可未經取代或經一或多個選自由以下基團組成之群之基團取代：鹵素、未經取代或經取代之烷基、未經取代或經取代之C1－8 全氟烷基、羥基、氰基、硫酸酯基及硝基；及(b)具有式Ai Xi2之化合物，其中Ai為如上定義之有機鎓陽離子且Xi2為陰離子；及其(a)與(b)之混合物。Xi2陰離子之實例包括CF3 SO3 － 、CHF2 SO3 － 、CH2 SO3 － 、CCl3 SO3 － 、C2 F5 SO3 － 、C2 HF4 SO3 － 、C4 F9 SO3 － 、樟腦磺酸根、全氟癸烷磺酸根、苯磺酸根、五氟苯磺酸根、甲苯磺酸根、全氟甲苯磺酸根、(Rf1SO2 )3 C－ 及(Rf1SO2 )2 N－ ，其中各Rf1獨立地選自由高度氟化或全氟化烷基或氟化芳基組成之群且當任何兩個Rf1基團之組合連起來形成橋時可為環狀，此外，該等Rf1烷基鏈含有1－20個碳原子且可為直鏈、支鏈或環狀，以使得二價氧、三價氮或六價硫可間雜於主鏈中，此外當Rf1含有環狀結構時，該結構具有5個或6個環成員，視情況其中1或2個環成員為雜原子；及Rg－O－Rf2－SO3 － ，其中Rf2係選自由直鏈或支鏈(CF2 )j (其中j為4至10之整數)及視情況經全氟C1－10 烷基取代之C1 －C12 環全氟烷基二價基團組成之群，Rg係選自由以下基團組成之群：C1 －C20 直鏈、支鏈單環烷基或多環烷基、C1 －C20 直鏈、支鏈單環烯基或多環烯基、芳基及芳烷基，該烷基、烯基、芳烷基及芳基可未經取代、經取代、視情況含有一或多個懸垂氧原子、經部分氟化或全氟化。該等陰離子Xi2之實例包括(C2 F5 SO2 )2 N－ 、(C4 F9 SO2 )2 N－ 、(C8 F17 SO2 )3 C－ 、(CF3 SO2 )3 C－ 、(CF3 SO2 )2 N－ 、(CF3 SO2 )2 (C4 F9 SO2 )C－ 、(C2 F5 SO2 )3 C－ 、(C4 F9 SO2 )3 C－ 、(CF3 SO2 )2 (C2 F5 SO2 )C－ 、(C4 F9 SO2 )(C2 F5 SO2 )2 C－ 、(CF3 SO2 )(C4 F9 SO2 )N－ 、[(CF3 )2 NC2 F4 SO2 ]2 N－ 、(CF3 )2 NC2 F4 SO2 C－(SO2 CF3 )2 、(3,5－雙(CF3 )C6 H3 )SO2 N－ SO2 CF3 、C6 F5 SO2 C－ (SO2 CF3 )2 、C6 F5 SO2 N－ SO2 CF3 、 CF3 CHFO(CF2 )4 SO3 － 、CF3 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 CH2 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 O(CF2 )4 SO3 － 、C2 H5 O(CF2 )4 SO3 － 、C4 H9 O(CF2 )4 SO3 － 、C6 H5 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、C2 H5 OCF2 CF(CF3 )SO3 － 、CH2 ＝CHCH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 OCF2 CF(CF3 )SO3 － 、C4 H9 OCF2 CF(CF3 )SO3 － 、C8 H17 O(CF2 )2 SO3 － 及C4 H9 O(CF2 )2 SO3 － 。適當陰離子之其他實例可見於美國專利第6,841,333號及美國專利第5,874,616號中。
Ai Xi2之實例包括雙(4－第三丁基苯基)錪雙全氟乙烷磺醯亞胺、三氟甲烷磺酸二苯基錪、九氟丁烷磺酸二苯基錪、三氟甲烷磺酸三苯基鋶、九氟丁烷磺酸三苯基鋶、4－(1－丁氧基苯基)二苯基鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、4－(1－丁氧基苯基)二苯基鋶雙－(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6－三甲基苯基二苯基鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6－三甲基苯基二苯基鋶雙－(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基鋶雙－(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基鋶－(三氟甲基全氟丁基磺醯基)醯亞胺、參－(第三丁基苯基)鋶－(三氟甲基全氟丁基磺醯基)醯亞胺、參－(第三丁基苯基)鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、參－(第三丁基苯基)鋶－雙－(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺及類似物，以及熟習此項技術者已知之其他光酸產生劑。
當組合使用時，本發明光酸產生劑與其他光酸產生劑之比率的範圍為約1：0.6至約1：1.3。
本文中亦提供使用本發明光酸產生劑製造塗膜基板的方法以及塗膜基板。
本發明係關於式Ai Xi之化合物，其中Ai為有機鎓陽離子；且Xi為式X－CF2 CF2 OCF2 CF2 －SO3 － 之陰離子，其中X係選自鹵素、烷基、烷氧基及芳氧基；其中Ai係選自及Y－Ar其中Ar係選自、萘基或蒽基；Y係選自、、；其中R1 、R2 、R3 、R1A 、R1B 、R2A 、R2B 、R3A 、R3B 、R4A 、R4B 、R5A 及R5B 各自獨立地選自Z、氫、OSO2 R9 、OR20 、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、芳基、芳烷基、芳基羰基甲基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、直鏈或支鏈全氟烷基、單環全氟烷基或多環全氟烷基、直鏈或支鏈烷氧基鏈、硝基、氰基、鹵素、羧基、羥基、硫酸酯基、三氟乙磺酸酯基或羥基；R6 及R7 各自獨立地選自視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、芳基、芳烷基、直鏈或支鏈全氟烷基、單環全氟烷基或多環全氟烷基、芳基羰基甲基、硝基、氰基或羥基，或者R6 及R7 與其所連接之S原子連在一起形成視情況含有一或多個O原子的5員、6員或7員飽和環或不飽合環；R9 係選自烷基、氟烷基、全氟烷基、芳基、氟芳基、全氟芳基、單環烷基或多環烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環氟烷基或多環氟烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)或單環全氟烷基或多環全氟烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)；R20 為烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)或單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)；T為直接鍵、視情況含有一或多個O原子之二價直鏈或支鏈烷基、二價芳基、二價芳烷基，或視情況含有一或多個O原子之二價單環烷基或多環烷基；Z為－(V)j －(C(X11)(X12))n －O－C(＝O)－R8 ，其中(i)X11或X12中之一者為含有至少一個氟原子的直鏈或支鏈烷基且另一者為氫、鹵素或直鏈或支鏈烷基鏈；或(ii)X11與X12兩者皆為含有至少一個氟原子的直鏈或支鏈烷基鏈；V為選自以下者之鍵聯基團：直接鍵、視情況含有一或多個O原子之二價直鏈或支鏈烷基、二價芳基、二價芳烷基，或視情況含有一或多個O原子之二價單環烷基或多環烷基；X2為氫、鹵素或含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈；R8 為視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基，或芳基；X3為氫、直鏈或支鏈烷基鏈、鹵素、氰基或－C(＝O)－R50 (其中R50 係選自視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈)或－O－R51 (其中R51 為氫或直鏈烷基鏈或支鏈烷基鏈)；i與k各自獨立地為0或正整數；j為0至10；m為0至10；且n為0至10；該視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、直鏈或支鏈烷基鏈、直鏈或支鏈烷氧基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基(其中環烷基環視情況含有一或多個O原子)、芳烷基、芳基、萘基、蒽基、視情況含有一或多個O原子之5員、6員或7員飽和環或不飽合環或芳基羰基甲基可未經取代或經一或多個選自由以下基團組成之群之基團取代：Z、鹵素、烷基、C1－8 全氟烷基、單環烷基或多環烷基、OR20 、烷氧基、C3－20 環烷氧基、二烷基胺基、二環二烷基胺基、羥基、氰基、硝基、三氟乙磺酸酯基、側氧基、芳基、芳烷基、氧原子、CF3 SO3 、芳氧基、芳硫基及式(II)至(VI)之基團： 其中R10 及R11 各自獨立地表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈，或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基，或者R10 與R11 連在一起可表示用以形成五員或六員環之伸烷基；R12 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基，或多環烷基或芳烷基，或者R10 與R12 連在一起表示伸烷基，該伸烷基與間雜之－C－O－基團連在一起形成五員或六員環，該環中之碳原子視情況經氧原子取代；R13 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基；R14 及R15 各自獨立地表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基；R16 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基或芳烷基；且R17 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基、芳烷基、基團－Si(R16 )2 R17 或基團－O－Si(R16 )2 R17 ，該視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基及芳烷基可未經取代或如上經取代。
本發明亦係關於光阻組合物，其包含含有酸不穩定基團之聚合物及如上所述之化合物。視情況，該光阻組合物亦可含有一或多種選自以下化合物的光酸產生劑：(a)具有式(Ai)2 Xi1之化合物，其中各Ai定義如上且可不同，且Xi1為式Q－R500 －SO3 － 之陰離子，其中Q係選自－ O3 S及－ O2 C；且R500 為選自直鏈或支鏈烷基、環烷基、芳基或其組合、視情況含有懸垂S或N的基團，其中烷基、環烷基及芳基可未經取代或經一或多個選自由以下基團組成之群之基團取代：鹵素、未經取代或經取代之烷基、未經取代或經取代之C1－8 全氟烷基、羥基、氰基、硫酸酯基及硝基；及(b)具有式Ai Xi2之化合物，其中Ai為如上定義之有機鎓陽離子且Xi2為陰離子；及其(a)與(b)之混合物。Xi2陰離子之實例包括CF3 SO3 － 、CHF2 SO3 － 、CH3 SO3 － 、CCl3 SO3 － 、C2 F5 SO3 － 、C2 HF4 SO3 － 、C4 F9 SO3 － 、樟腦磺酸根、全氟癸烷磺酸根、苯磺酸根、五氟苯磺酸根、甲苯磺酸根、全氟甲苯磺酸根、(Rf1SO2 )3 C－ 及(Rf1SO2 )2 N－ ，其中各Rf1獨立地選自由高度氟化或全氟化烷基或氟化芳基組成之群且當任何兩個Rf1基團之組合連起來形成橋時可為環狀，此外，該等Rf1烷基鏈含有1－20個碳原子且可為直鏈、支鏈或環狀，以使得二價氧、三價氮或六價硫可間雜於主鏈中，此外當Rf1含有環狀結構時，該結構具有5個或6個環成員，視情況其中1或2個環成員為雜原子；及Rg－O－Rf2－SO3 － ，其中Rf2係選自由直鏈或支鏈(CF2 )j 及視情況經全氟C1－10 烷基取代之C1 －C12 環全氟烷基二價基團組成之群，其中j為4至10之整數，Rg係選自由以下基團組成之群：C1 －C20 直鏈、支鏈單環烷基或多環烷基、C1 －C20 直鏈、支鏈單環烯基或多環烯基、芳基及芳烷基，該烷基、烯基、芳烷基及芳基可未經取代、經取代、視情況含有一或多個懸垂氧原子、經部分氟化或全氟化。該等陰離子Xi2之實例包括(C2 F5 SO2 )2 N－ 、(C4 F9 SO2 )2 N－ 、(C8 F17 SO2 )3 C－ 、(CF3 SO2 )3 C－ 、(CF3 SO2 )2 N－ 、(CF3 SO2 )2 (C4 F9 SO2 )C－ 、(C2 F5 SO2 )3 C－ 、(C4 F9 SO2 )3 C－ 、(CF3 SO2 )2 (C2 F5 SO2 )C－ 、(C4 F9 SO2 )(C2 F5 SO2 )2 C－ 、(CF3 SO2 )(C4 F9 SO2 )N－ 、[(CF3 )2 NC2 F4 SO2 ]2 N－ 、(CF3 )2 NC2 F4 SO2 C－ (SO2 CF3 )2 、(3,5－bis(CF3 )C6 H3 )SO2 N－ SO2 CF3 、C6 F5 SO2 C－ (SO2 CF3 )2 、C6 F5 SO2 N－ SO2 CF3 、 CF3 CHFO(CF2 )4 SO3 － 、CF3 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 CH2 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 O(CF2 )4 SO3 － 、C2 H5 O(CF2 )4 SO3 － 、C4 H9 O(CF2 )4 SO3 － 、C6 H5 CH2 O(CF2 )4 SO3 － 、C2 H5 OCF2 CF(CF3 )SO3 － 、CH2 ＝CHCH2 O(CF2 )4 SO3 － 、CH3 OCF2 CF(CF3 )SO3 － 、C4 H9 OCF2 CF(CF3 )SO3 － 、C8 H17 O(CF2 )2 SO3 － 及C4 H9 O(CF2 )2 SO3 － 。適當陰離子之其他實例可見於美國專利第6,841,333號及美國專利第5,874,616號中。
Ai Xi2之實例包括雙(4－第三丁基苯基)錪雙全氟乙烷磺醯亞胺、三氟甲烷磺酸二苯基錪、九氟丁烷磺酸二苯基錪、三氟甲烷磺酸三苯基鋶、九氟丁烷磺酸三苯基鋶、4－(1－丁氧基苯基)二苯基鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、4－(1－丁氧基苯基)二苯基鋶雙－(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6－三甲基苯基二苯基鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6－三甲基苯基二苯基鋶雙－(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基鋶雙－(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、甲苯二苯基鋶－(三氟甲基全氟丁基磺醯基)醯亞胺、參－(第三丁基苯基)鋶－(三氟甲基全氟丁基磺醯基)醯亞胺、參－(第三丁基苯基)鋶雙－(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、參－(第三丁基苯基)鋶－雙－(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺及類似物，以及熟習此項技術者已知之其他光酸產生劑。
當組合使用時，本發明光酸產生劑與其他光酸產生劑之比率的範圍為約1：0.6至約1：1.3。
本文中亦提供使用本發明光酸產生劑製造塗膜基板的方法以及塗膜基板。
如本文中所使用之術語烷基意謂直鏈或支鏈烴。烷基之典型實例包括但不限於甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、3－甲基己基、2,2－二甲基戊基、2,3－二甲基戊基、正庚基、正辛基、正壬基及正癸基。
伸烷基係指二價烷基，其可為直鏈或支鏈基團，諸如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基或類似基團。
術語芳基意謂藉由消去一氫原子而自芳烴衍生而得之基團且可經取代或未經取代。芳烴可為單核或多核烴。單核類型芳基之實例包括苯基、甲苯基、二甲苯基、菜基、異丙苯基及類似芳基。多核類型芳基之實例包括萘基、蒽基、菲基及類似芳基。芳基可未經取代或如上文中所規定經取代。
術語烷氧基係指烷基－O－之基團，其中烷基如本文中所定義。烷氧基之典型實例包括但不限於甲氧基、乙氧基、丙氧基、2－丙氧基、丁氧基，第三丁氧基、戊氧基及己氧基。
術語芳氧基係指芳基－O－之基團，其中芳基如本文中所定義。
術語芳烷基意謂含有芳基之烷基。其為具有芳族結構與脂族結構的烴基團，亦即，其中低碳烷基氫原子經單核或多核芳基取代的烴基團。芳烷基之實例包括不限於苄基、2－苯基－乙基、3－苯基－丙基、4－苯基－丁基、5－苯基－戊基、4－苯基環己基、4－苄基環己基、4－苯基環己基甲基、4－苄基環己基甲基、萘基甲基及類似基團。
如本文中所使用之術語單環烷基係指視情況經取代之飽和或部分不飽合單環烷基環系統，其中若環為部分不飽合環，則其為單環烯基。如本文中所使用之術語多環烷基係指含有兩個或兩個以上環的視情況經取代之飽和或部分不飽合多環烷基環系統，其中若環為部分不飽合環，則其為多環烯基。視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基之實例已熟知於熟習此項技術者且包括例如環丙基、環丁基、環戊基、環庚基、環己基、2－甲基－2－降基、2－乙基－2－降基、2－甲基－2－異冰片基、2－乙基－2－異冰片基、2－甲基－2－金剛烷基、2－乙基－2－金剛烷基、1－金剛烷基－1－甲基乙基、金剛烷基、三環癸基、3－氧雜三環[4.2.1.02,5 ]壬基、四環十二烷基、四環[5.2.2.0.0]十一烷基、莰基、異冰片基降基內酯、金剛烷基內酯及類似基團。
術語烷氧基羰基烷基包括經烷氧基羰基取代之烷基(如本文中定義)。烷氧基羰基烷基之實例包括甲氧基羰基甲基[CH3 O－C(＝O)－CH2 －]、乙氧基羰基甲基[CH3 CH2 O－C(＝O)－CH2 －]、甲氧基羰基甲基[CH3 O－C(＝O)－CH2 CH2 －]及乙氧基羰基乙基[CH3 CH2 O－C(＝O)－CH2 CH2 －]。
如本文中所使用之術語烷基羰基意謂經由羰基與如本文中定義之親本分子部分所連接之如本文中定義之烷基，烷基羰基一般可表示為烷基－C(O)－。烷基羰基之典型實例包括但不限於乙醯基(甲基羰基)、丁醯基(丙基羰基)、辛醯基(庚基羰基)、十二烷醯基(十一基羰基)及類似基團。
烷氧基羰基意謂烷基－O－C(O)－，其中烷基如上文所述。非限制實例包括甲氧基羰基[CH3 O－C(O)－]及乙氧基羰基[CH3 CH2 O－C(O)－]、苄氧基羰基[C6H5CH2 O－C(O)－]及類似基團。
烷氧基烷基意謂末端烷基經由醚氧原子與烷基部分連接，烷氧基烷基一般可表示為烷基－O－烷基，其中烷基可為直鏈或支鏈基團。烷氧基烷基之實例包括但不限於甲氧基丙基、甲氧基丁基、乙氧基丙基、甲氧基甲基。
單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基意謂末端單環烷基或多環烷基經由－O－C(＝O)－與烷基部分連接，其一般可表示為單環烷基－O－C(＝O)－烷基或多環烷基－O－C(＝O)－烷基。
單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基意謂末端單環烷基或多環烷基經由醚氧原子與烷基部分連接，其一般可表示為單環烷基－O－烷基或多環烷基－O－烷基。
單環氟烷基或多環氟烷基意謂經一或多個氟原子取代的單環烷基或多環烷基。
適用於光阻組合物中之聚合物包括具有可使得聚合物不溶於鹼性水溶液中之酸不穩定基團的彼等物，但該聚合物在酸存在下可使聚合物去保護，其中接著該聚合物變得可溶於鹼性水溶液中。聚合物較佳在200 nm以下為透明的，且主要為非芳族聚合物且較佳為丙烯酸酯類及/或環烯烴聚合物。該等聚合物例如為(但不限於)US 5,843,624、US 5,879,857、WO 97/33,198、EP 789,278及GB 2,332,679中所述之彼等聚合物。對於200 nm以下輻射較佳之非芳族聚合物為經取代之丙烯酸酯類、環烯烴類、經取代之聚乙烯等。基於聚羥基苯乙烯及其共聚物之芳族聚合物亦可使用，尤其用於248 nm曝光。
基於丙烯酸酯類之聚合物通常基於具有至少一個含有懸垂脂環基之單元且具有自聚合物主鏈及/或自脂環基懸垂之酸不穩定基團的聚(甲基)丙烯酸酯。懸垂脂環基之實例可為金剛烷基、三環癸基、異冰片基、基及其衍生基團。其他側基亦可併入聚合物內，諸如甲羥戊酸內酯、γ丁內酯、烷氧基烷基等。脂環基之結構之實例包括：
併入聚合物內之單體之類型及其比率經最優化可得到最佳微影效能。該等聚合物描述於R.R.Dammel等人，Advances in Resist Technology and Processing,SPIE，第3333卷，第144頁(1998)。該等聚合物之實例包括聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－甲羥戊酸內酯甲基丙烯酸酯)、聚(羧基－四環十二烷基甲基丙烯酸酯－共－四氫哌喃基羧基四環十二烷基甲基丙烯酸酯)、聚(三環癸基丙烯酸酯－共－四氫哌喃基甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯酸)、聚(3－氧環己基甲基丙烯酸酯－共－金剛烷基甲基丙烯酸酯)。
由環烯烴(用降冰片烯及四環十二烯衍生物)合成之聚合物可藉由開環複分解反應、自由基聚合反應或使用有機金屬觸媒聚合而得。環烯烴衍生物亦可與環酐或與順丁烯二醯亞胺或其衍生物共聚合。環酐之實例為順丁烯二酸酐(MA)及衣康酸酐(itaconic anhydride)。環烯烴併入聚合物之主鏈內且可為任何經取代或未經取代之含有不飽和鍵之多環烴。該單體可連有酸不穩定基團。該聚合物可由一或多種具有不飽和鍵之環烯烴單體合成。環烯烴單體可為經取代或未經取代之降冰片烯，或四環十二烷。環烯烴上之取代基可為脂族或環脂族烷基、酯、酸、羥基、腈或烷基衍生物。環烯烴單體之實例包括(不限於)：
亦可用於合成該聚合物之其他環烯烴單體為：
該等聚合物描述於以下參考文獻(該文獻併入本文中)中：M－D.Rahman等人，Advances in Resist Technology and Processing,SPIE，第3678卷，第1193頁，(1999)。該等聚合物之實例包括聚((第三丁基－5－降冰片烯－2－甲酸酯－共－2－羥基乙基－5－降冰片烯－2－甲酸酯－共－5－降冰片烯－2－甲酸－共－順丁烯二酸酐)、聚(第三丁基－5－降冰片烯－2－甲酸酯－共－異冰片基－5－降冰片烯－2－甲酸酯－共－2－羥基乙基－5－降冰片烯－2－甲酸酯－共－5－降冰片烯－2－甲酸－共－順丁烯二酸酐)、聚(四環十二烯－5－甲酸酯－共－順丁烯二酸酐)、聚(第三丁基－5－降冰片烯－2－甲酸酯－共－順丁烯二酸酐－共－2－甲基金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－甲羥戊酸內酯甲基丙烯酸酯)、聚(2－甲基金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－甲羥戊酸內酯甲基丙烯酸酯)及類似物。
亦可將含有(甲基)丙烯酸酯單體、環烯烴單體及環酐之混合物的聚合物(其中該等單體如上所述)組合成混合型聚合物。環烯烴單體之實例包括選自以下者之彼等物：第三丁基降冰片烯甲酸酯(BNC)、羥基乙基降冰片烯甲酸酯(HNC)、降冰片烯甲酸(NC)、第三丁基四環[4.4.0.1.2,6 1.7,10 ]十二－8－烯－3－甲酸酯及第三丁氧基羰基甲基四環[4.4.0.1.2,6 1.7,10 ]十二－8－烯－3－甲酸酯。在有些情況下，環烯烴之較佳實例包括第三丁基降冰片烯甲酸酯(BNC)、羥基乙基降冰片烯甲酸酯(HNC)及降冰片烯甲酸(NC)。(甲基)丙烯酸酯單體之實例包括選自以下者之彼等物：甲羥戊酸內酯甲基丙烯酸酯(MLMA)、2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯(MAdMA)、2－金剛烷基甲基丙烯酸酯(AdMA)、2－甲基－2－金剛烷基丙烯酸酯(MAdA)、2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯(EAdMA)、3,5－二甲基－7－羥基金剛烷基甲基丙烯酸酯(DMHAdMA)、金剛烷基甲氧基甲基(甲基)丙烯酸酯(AdOMMA)、異金剛烷基甲基丙烯酸酯、羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷(HAdMA；例如羥基在3位置)、羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯(HADA；例如羥基在3位置)、乙基環戊基丙烯酸酯(ECPA)、乙基環戊基甲基丙烯酸酯(ECPMA)、三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯(TCDMA)、3,5－二羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷(DHAdMA)、β－甲基丙烯醯氧基－γ－丁內酯、α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯或β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯(α－GBLMA或β－GBLMA)、5－甲基丙烯醯氧基－2,6－降冰片烷羧內酯(MNBL)、5－丙烯醯氧基－2,6－降冰片烷羧內酯(ANBL)、異丁基甲基丙烯酸酯(IBMA)、α－γ－丁內酯丙烯酸酯(α－GBLA)、螺內酯(甲基)丙烯酸酯、氧基三環癸烷(甲基)丙烯酸酯、金剛烷內酯(甲基)丙烯酸酯及α－甲基丙烯醯氧基－γ－丁內酯。用該等單體所形成之聚合物之實例包括聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(第三丁基降冰片烯甲酸酯－共－順丁烯二酸酐－共－2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3,5－二羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3,5－二甲基－7－羥基金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－乙基環戊基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(乙基環戊基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－異丁基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基－共－甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－5－丙烯醯氧基－2,6－降冰片烷羧內酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯)；及聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)。
適當聚合物之其他實例包括描述於以下專利中之彼等物：美國專利第6,610,465號、第6,120,977號、第6,136,504號、第6,013,416號、第5,985,522號、第5,843,624號、第5,693,453號、第4,491,628號；WO 00/25178、WO 00/67072；JP 2000－275845、JP 2000－137327及JP 09－73173，該等專利以引用方式併入本文中。可使用一或多種光阻性樹脂之摻混物。通常利用標準的合成方法製備各種類型之適當聚合物。程序或適當標準程序(例如自由基聚合)之參考可見於上述文獻中。
咸信環烯烴及環酐單體可形成交替聚合結構，且併入聚合物內之(甲基)丙烯酸酯單體之量可改變以得到最佳微影特性。聚合物內(甲基)丙烯酸酯單體相對於環烯烴/酸酐單體之百分比的範圍為約95莫耳%至約5莫耳%，進一步為約75莫耳%至約25莫耳%，且更進一步為約55莫耳%至約45莫耳%。
可用於157 nm曝光的氟化非酚系聚合物亦呈現線邊緣粗糙度且可經由使用本發明所述之新穎之光活性化合物之混合物得到改善。該等聚合物描述於WO 00/17712及WO 00/67072中，該等專利以引用方式併入本文中。一種該聚合物之實例為聚(四氟乙烯－共－降冰片烯－共－經5－六氟異丙醇取代之2－降冰片烯)。
亦可使用由環烯烴及氰基合成之含有烯系單體的聚合物，該等聚合物描述於美國專利6,686,429中，該專利內容以引用方式併入本文中。
聚合物之分子量可基於所用化學處理類型及所要微影效能加以最優化。通常，重量平均分子量係在3,000至30,000範圍內且聚合度分散性係在1.1至5、較佳1.5至2.5範圍內。
所關注之其他聚合物包括可見於並描述於美國專利申請案第10/371,262號(2003年2月21日申請，現作為美國專利申請案第10/658,840號申請(2003年12月17日申請)且現作為美國專利申請公開案第2004/0166433號已公開)中，該等案之內容以引用方式併入本文中。亦可使用其他聚合物，諸如揭示於美國專利申請案第10/440,452號(2003年5月16日申請，標題為"Photoresist Composition for Deep UV and Process Thereof")中之彼等物，該案之內含以引用方式併入本文中。
本發明之固體組分係溶於有機溶劑中。固體在溶劑或溶劑混合物中之量的範圍為約1重量%至約50重量%。聚合物可在固體之5重量%至90重量%之範圍內且光酸產生劑可在固體之1重量%至約50重量%之範圍內。適用於該等光阻之溶劑可包括：例如，酮類，諸如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、異佛爾酮(isophorone)、甲基異戊基酮、2－庚酮4－羥基及4－甲基－2－戊酮；C1 至C10 脂族醇類，諸如甲醇、乙醇及丙醇；含有芳族基團之醇類，苄醇；環狀碳酸酯類，諸如碳酸乙二酯及碳酸丙二酯；脂族烴類或芳族烴類(例如己烷、甲苯、二甲苯等及類似物)；環醚類，諸如二噁烷及四氫呋喃；乙二醇；丙二醇；己二醇；乙二醇單烷基醚類，諸如乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚；乙二醇乙酸烷基醚類，諸如乙二醇乙酸甲基醚及乙二醇乙酸乙基醚；乙二醇二烷基醚類，諸如乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇甲基乙基醚；二乙二醇單烷基醚類，諸如二乙二醇單甲基醚、二甘醇單乙基醚及二乙二醇二甲基醚；丙二醇單烷基醚類，諸如丙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇丙基醚及丙二醇丁基醚；丙二醇乙酸烷基醚類，諸如丙二醇乙酸甲基醚、丙二醇乙酸乙基醚、丙二醇乙酸丙基醚及丙二醇乙酸丁基醚；丙二醇丙酸烷基醚類，諸如丙二醇丙酸甲基醚、丙二醇丙酸乙基醚、丙二醇丙酸丙基醚及丙二醇丙酸丁基醚；2－甲氧基乙基醚(二乙二醇二甲醚)；具有醚部分與羥基部分的溶劑，諸如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇及乙氧基丙醇；酯類，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯及乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯；乙基2－羥基丙酸酯、甲基2－羥基2－甲基丙酸酯、乙基2－羥基2－甲基丙酸酯、甲基羥基乙酸酯、乙基羥基乙酸酯、丁基羥基乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、甲基3－羥基丙酸酯、乙基3－羥基丙酸酯、丙基3－羥基丙酸酯、丁基3－羥基丙酸酯、甲基2－羥基3－甲基丁酸酯、甲基甲氧基乙酸酯、乙基甲氧基乙酸酯、丙基甲氧基乙酸酯、丁基甲氧基乙酸酯、甲基乙氧基乙酸酯、乙基乙氧基乙酸酯、丙基乙氧基乙酸酯、丁基乙氧基乙酸酯、甲基丙氧基乙酸酯、乙基丙氧基乙酸酯、丙基丙氧基乙酸酯、丁基丙氧基乙酸酯、甲基丁氧基乙酸酯、乙基丁氧基乙酸酯、丙基丁氧基乙酸酯、丁基丁氧基乙酸酯、甲基2－甲氧基丙酸酯、乙基2－甲氧基丙酸酯、丙基2－甲氧基丙酸酯、丁基2－甲氧基丙酸酯、甲基2－乙氧基丙酸酯、乙基2－乙氧基丙酸酯、丙基2－乙氧基丙酸酯、丁基2－乙氧基丙酸酯、甲基2－丁氧基丙酸酯、乙基2－丁氧基丙酸酯、丙基2－丁氧基丙酸酯、丁基2－丁氧基丙酸酯、甲基3－甲氧基丙酸酯、乙基3－甲氧基丙酸酯、丙基3－甲氧基丙酸酯、丁基3－甲氧基丙酸酯、甲基3－乙氧基丙酸酯、乙基3－乙氧基丙酸酯、丙基3－乙氧基丙酸酯、丁基3－乙氧基丙酸酯、甲基3－丙氧基丙酸酯、乙基3－丙氧基丙酸酯、丙基3－丙氧基丙酸酯、丁基3－丙氧基丙酸酯、甲基3－丁氧基丙酸酯、乙基3－丁氧基丙酸酯、丙基3－丁氧基丙酸酯及丁基3－丁氧基丙酸酯；氧異丁酸酯，例如甲基－2－羥基異丁酸酯、甲基α－甲氧基異丁酸酯、乙基甲氧基異丁酸酯、甲基α－乙氧基異丁酸酯、乙基α－乙氧基異丁酸酯、甲基β－甲氧基異丁酸酯、乙基β－甲氧基異丁酸酯、甲基β－乙氧基異丁酸酯、乙基β－乙氧基異丁酸酯、甲基β－異丙氧基異丁酸酯、乙基β－異丙氧基異丁酸酯、異丙基β－異丙氧基異丁酸酯、丁基β－異丙氧基異丁酸酯、甲基β－丁氧基異丁酸酯、乙基β－丁氧基異丁酸酯、丁基β－丁氧基異丁酸酯、甲基α－羥基異丁酸酯、乙基α－羥基異丁酸酯、異丙基α－羥基異丁酸酯及丁基α－羥基異丁酸酯；具有醚部分與羥基部分的溶劑，諸如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇及乙氧基丙醇；及其他溶劑，諸如二元酸酯，及γ－丁內酯；酮醚衍生物，諸如二丙酮醇甲基醚；酮醇衍生物，諸如丙酮醇或二丙酮醇；內酯，諸如丁內酯；醯胺衍生物，諸如二甲基乙醯胺或二甲基甲醯胺；苯甲醚；及其混合物。
可將其他各種添加劑添加至光阻組合物中，再將溶液塗佈於基板上，該等添加劑諸如著色劑、非光化性染料、抗條紋劑、增塑劑、助黏劑、溶解抑制劑、塗佈助劑、感光加速劑、其他光酸產生劑及增溶劑(例如某些未用作主溶劑之部分之小含量溶劑(其實例包括乙二醇醚及乙二醇乙酸醚、戊內酯、酮類、內酯及類似物)及界面活性劑。改良膜厚均勻性的界面活性劑(諸如氟化界面活性劑)可添加至光阻溶液中。將能量由特定波長範圍內轉移至不同曝光波長的增感劑亦可添加至光阻組合物中。通常亦將鹼添加至光阻中以防止在光阻影像之表面出現t形頂或橋接。鹼之實例為胺、氫氧化銨及感光性鹼。尤其較佳之鹼為三辛基胺、二乙醇胺及四丁基氫氧化銨。
所製備之光阻組合物溶液可藉由光阻技術中所使用之任何習知方法(包括浸漬、噴霧及旋塗)塗佈於基板上。例如當旋塗時，在所用旋塗設備類型及旋塗過程所允許之時間量既定的情況下，可相對於固體含量百分比來調整光阻溶液，以便得到所要厚度之塗膜。適當的基板包括矽、鋁、聚合物樹脂、二氧化矽、摻雜二氧化矽、氮化矽、鉭、銅、多晶矽、陶瓷、鋁/銅混合物；砷化鎵及其他該等III/V族化合物。光阻亦可塗於抗反射塗膜上。
藉由所述程序所製備之光阻塗膜尤其適於矽/二氧化矽晶圓之應用，諸如用於製造微處理器及其他小型化積體電路組件。亦可使用鋁/氧化鋁晶圓。基板亦可包含多種聚合物樹脂，尤其透明聚合物，諸如聚酯。
接著將光阻組合物溶液塗於基板上，且將基板在約70℃至約150℃之溫度下、在熱盤上處理(焙燒)約30秒至約180秒或在對流烘箱中處理(焙燒)約15至約90分鐘。此溫度處理經選用以便降低光阻中殘餘溶劑之濃度，同時不導致固體組分大量熱降解。一般而言，需要溶劑濃度及此最初溫度最小化。處理(烘焙)進行至大體全部的溶劑已蒸發且基板上剩留約半微米厚之光阻組合物薄塗膜為止。在一較佳實施例中，溫度為約95℃至約120℃。處理進行至溶劑移除變化率變得相對無關緊要時為止。膜厚度、溫度及時間選擇視使用者所需之光阻特性以及所用設備及商業上所需要之塗佈時間而定。塗膜基板接著可以任何所要圖案(藉由使用適當光罩、底片、型版、模板等所產生)、在光化輻射(例如約100 nm(奈米)至約300 nm波長之紫外線輻射、X射線、電子束、離子束或雷射輻射)下成像曝光。
接著使光阻經受曝光後第二次烘焙或熱處理，再顯影。加熱溫度的範圍可約90℃至約150℃，更佳約100℃至約130℃。加熱可在熱盤上進行約30秒至約2分鐘、更佳約60秒至約90秒，或藉由對流烘箱進行約30至約45分鐘。
將所曝光之光阻塗佈基板藉由浸入顯影液中顯影以移除成像曝光區，或藉由噴霧顯影方法顯影。溶液較佳藉由例如氮氣猝發攪動來加以攪動。將基板擱置於顯影劑中直至曝光區中全部或大體全部的光阻塗膜溶解為止。顯影劑包括氫氧化銨或鹼金屬氫氧化物之水溶液。一較佳顯影劑為四甲基氫氧化銨之水溶液。將所塗晶圓自顯影液中移除後，視情況可進行顯影後熱處理或焙燒，以增強塗膜黏附性及耐蝕刻條件及其他物質之化學性質。顯影後熱處理可包含將塗膜及基板在塗膜軟化點以下進行烘箱烘焙或用UV硬化法烘焙。在工業應用中，尤其在矽/二氧化矽類型基板上製造微電路單元中，經顯影之基板可用經緩衝之基於氫氟酸之蝕刻溶液或乾蝕刻法處理。乾蝕刻之前，光阻可經電子束固化處理，以便增強光阻之耐乾蝕刻性。
本發明進一步提供一種如下製造半導體裝置的方法：藉由用光阻組合物塗佈適當基板而在基板上產生光致影像。本發明方法包含用光阻組合物塗佈適當基板並熱處理該所塗基板直至大體全部的光阻溶劑被移除為止；將該組合物成像曝光並用適當顯影劑移除該組合物之成像曝光區移除。
以下實例提供本發明之製備及使用方法之說明。然而不希望該等實例以任何方式限制或約束本發明之範圍且不應理解為，為實施本發明只能使用所提供之條件、參數或數值。除非另有說明，否則所有份數及百分比皆以重量計。
實例1： 合成三苯基鋶5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽
取12.56公克(0.03莫耳)5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺醯氟(Synquest)置於燒瓶中之水中，且添加過量KOH(0.06莫耳，3.31公克)，且將所得混合物在攪拌下、在80℃下加熱六個小時。在攪拌下，在1小時期間內向此反應混合物(冷卻至室溫後)中逐滴添加三苯基鋶溴化物(0.03莫耳，10.14公克)之1：2 v/v THF/水溶液。添加後，將反應混合物在室溫下再進一步攪拌3小時。反應完成後，使用二氯甲烷萃取靶化合物三苯基鋶5－碘基八氟－3－氧雜五氟磺酸鹽。將其用DI水洗滌至少三次。蒸發二氯甲烷以得到淺黃色液體。將其再溶於二氯甲烷中且於己烷中沈澱。產率為82%。熔點(毛細管)：110－112℃。
實例2： 合成雙(4－第三丁基苯基)錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽
取9.93公克(0.0233莫耳)5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺醯氟(Synquest)置於燒瓶中之水中，且添加過量KOH(0.0473莫耳，2.65公克)，且將所得混合物在攪拌下、在80℃下加熱六個小時。將反應混合物冷卻至室溫後，在攪拌下，在1小時期間內逐滴添加雙(第三丁基苯基)錪乙酸鹽(0.0233莫耳，10.56公克)之5：1 v/v THF/水溶液。添加後，將反應混合物在室溫下再進一步攪拌3小時。反應完成後，以類似於實例1之方式萃取並純化靶化合物雙(4－第三丁基苯基)錪5－碘基八氟－3－氧雜五氟磺酸鹽。產率為84%。熔點(毛細管)：118－122℃。
實例3：
0.6318公克聚(EAdMA/ECPMA/HAdA/α－GBLMA；15/15/30/40)聚合物、0.062 g(143微莫耳/公克)三苯基鋶5－碘基八氟－3－氧雜五氟磺酸鹽(實例1中所合成)、0.0062公克N,N－二異丙基苯胺(38.6 mol%)及0.0204公克之界面活性劑(氟脂族聚合物酯，由3M Corporation,St.Paul Minnesota提供)之10重量%PGMEA溶液溶於15.44公克MHIB及3.61公克PGME中。將溶液充分混合以便完全溶解且使用0.2 μm過濾器過濾。
實例4：
塗有底抗反射塗膜(B.A.R.C.)之矽基板係藉由將底抗反射塗膜溶液(AZArF－38，可獲自AZ Electronic Materials USA Corp.,Somerville,NJ)旋塗於矽基板上並在225℃下烘焙90秒來製備。B.A.R.C塗膜厚度為87 nm。接著將實例3之光阻溶液塗於B.A.R.C塗佈矽基板上。調整旋塗速度以使得光阻膜厚度為130 nm，以100℃/60 s軟焙燒，使用6%半色度光罩、用Nikon 306D 0.85NA及偶極照射來曝光。將所曝光之晶圓以110℃/60 s進行曝光後焙燒，且使用四甲基氫氧化銨之2.38重量%水溶液顯影30秒。接著用AMAT CD SEM量測線圖案及空間圖案。印刷70 nm厚密CD之敏感度為30 mJ，具有0.20 nm以上之DoF，3sigma LER/LWR值分別為9 nm及13 nm。
實例5：
將0.6208 g聚(EAdMA/ECPMA/HAdA/α－GBLMA；15/15/30/40)聚合物、0.0144 g(30 μmol/g)之雙(4－第三丁基苯基)錪雙－全氟乙烷磺醯亞胺、0.0256 g(60 μmol/g)之三苯基鋶5－碘基八氟－3－氧雜五氟磺酸鹽(實例1中所合成)、0.0335 g(47 μmol/g)之雙[二(4－第三丁基苯基)錪]全氟丁烷－1,4－二磺酸鹽、0.0058 g之DIPA及0.0204 g之界面活性劑(氟脂族聚合物酯，由3M Corporation,St.Paul Minnesota提供)之10重量%PGMEA溶液溶於15.44 g之MHIB及3.76 g之PGME中以得到光阻溶液。將光阻溶液經由0.2 μm過濾器過濾。
實例6：
塗有底抗反射塗膜(B.A.R.C.)之矽基板係藉由將底抗反射塗膜溶液(AZArF－38，可獲自AZ Electronic Materials USA Corp.,Somerville,NJ)旋塗於矽基板上並在225℃下烘焙90秒來製備。B.A.R.C膜厚度為87 nm。接著將實例5之光阻溶液塗於B.A.R.C塗佈矽基板上。調整旋塗速度以使得光阻膜厚度為130 nm，以100℃/60 s軟焙燒，使用6%半色度光罩、用Nikon 306D 0.85NA及偶極照射來曝光。將所曝光之晶圓以110℃/60 s進行曝光後焙燒，且使用四甲基氫氧化銨之2.38重量%水溶液顯影30秒。接著用CD SEM量測線圖案及空間圖案。印刷70 nm厚密CD之敏感度為41 mJ，具有6%以上EL，0.25 nm以上之DoF，具有6.36/10.38 nm之3sigma LER/LWR值之直型面。
實例7：
將0.62 g聚(EAdMA/ECPMA/AdOMMA/HAdA/α－GBLMA；5/15/10/30/40)聚合物、0.0144 g(30 μmol/g)之雙(4－第三丁基苯基)錪雙－全氟乙烷磺醯亞胺、0.0256 g(60 μmol/g)之三苯基鋶5－碘基八氟－3－氧雜五氟磺酸鹽(實例1中所合成)、0.0335 g(47 μmol/g)之雙[二(4－第三丁基苯基)錪]全氟丁烷－1,4－二磺酸鹽、0.0058 g之DIPA及0.0204 g之界面活性劑(氟脂族聚合物酯，由3M Corporation,St.Paul Minnesota提供)之10重量%PGMEA溶液溶於15.44 g之MHIB及3.76 g之PGME中。將光阻溶液經由0.2 μm過濾器過濾。
實例8：
塗有底抗反射塗膜(B.A.R.C.)之矽基板係藉由將底抗反射塗膜溶液(AZArF－38，可獲自AZ Electronic Materials Corporation,Somerville,NJ)旋塗於矽基板上並在225℃下烘焙90秒來製備。B.A.R.C膜厚度為87 nm。接著將實例7之光阻溶液塗於B.A.R.C塗佈矽基板上。調整旋塗速度以使得光阻膜厚度為130 nm，以100℃/60 s軟焙燒，使用6%半色度光罩、用Nikon 306D 0.85NA及偶極照射來曝光。將所曝光之晶圓以110℃/60 s進行曝光後焙燒，且使用四甲基氫氧化銨之2.38重量%水溶液顯影30秒。接著用CD SEM量測線圖案及空間圖案。印刷70 nm厚密CD之敏感度為41 mJ，具有8%以上EL，250 nm以上之DoF，具有6.34/9.73 nm之3sigma LER/LWR值之直型面。
實例9：
將0.6156 g聚(EAdMA/ECPMA/HAdA/α－GBLMA；15/15/30/40)聚合物、0.0144 g(30 μmol/g)之雙(4－第三丁基苯基)錪雙－全氟乙烷磺醯亞胺、0.0164 g(30 μmol/g)之雙(三苯基鋶)全氟丁烷－1,4－二磺酸鹽、0.0472 g(94 μmol/g)之雙(4－第三丁基苯基)錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽(實例2中所合成)、0.0065 g之DIPA及0.0240 g之界面活性劑(氟脂族聚合物酯，由3M Corporation,St.Paul Minnesota提供)之10重量%PGMEA溶液溶於15.44 g之MHIB及3.76 g之PGME中以得到光阻溶液。將光阻溶液經由0.2 μm過濾器過濾。
實例10：
塗有底抗反射塗膜(B.A.R.C.)之矽基板係藉由將底抗反射塗膜溶液(AZArF－38，可獲自AZ Electronic Materials Corporation,Somerville,NJ)旋塗於矽基板上並在225℃下烘焙90秒來製備。B.A.R.C膜厚度為87 nm。接著將實例9之光阻溶液塗於B.A.R.C塗佈矽基板上。調整旋塗速度以使得光阻膜厚度為130 nm，以100℃/60 s軟焙燒，使用6%半色度光罩、用Nikon 306D 0.85NA及偶極照射來曝光。將所曝光之晶圓以110℃/60 s進行曝光後焙燒，且使用四甲基氫氧化銨之2.38重量%水溶液顯影30秒。接著用CD SEM量測線圖案及空間圖案。印刷70 nm厚密CD之敏感度為45 mJ，具有6% EL，250 nm以上之DoF，分別具有7 nm及11 nm之3sigma LER/LWR值之直型面。
實例11：
實例3、5、7及9可藉由用以下聚合物中之一者取代其中之聚合物重複進行：聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(第三丁基降冰片烯甲酸酯－共－順丁烯二酸酐－共－2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3,5－二羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3,5－二甲基－7－羥基金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－乙基環戊基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(乙基環戊基甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－異丁基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯－共－β－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－甲基丙烯醯氧基降冰片烯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯)；聚(2－甲基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－甲基丙烯醯氧基金剛烷－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－乙基－2－金剛烷基－共－甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯－共－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯)；聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯甲基丙烯酸酯)；及聚(2－乙基－2－金剛烷基甲基丙烯酸酯－共－3－羥基－1－金剛烷基丙烯酸酯－共－α－γ－丁內酯丙烯酸酯－共－三環[5,2,1,02,6 ]癸－8－基甲基丙烯酸酯)。
以形成光阻溶液。由此所形成之光阻溶液預計得到與實例4、6、8及10中所見之彼等結果類似的結果。
實例12：
實例11可藉由用以下物中之一者置換實例1之三苯基鋶5－碘基八氟－3－氧雜五氟磺酸鹽或置換實例2之雙(4－第三丁基苯基)錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽來重複進行：雙(4－辛氧基苯基)錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、[(4－辛氧基苯基)苯基錪]5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、(4－甲基苯基)苯基錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、雙(4－甲基苯基)錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、(4－甲氧基苯基)苯基錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、雙(4－甲氧基苯基)錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、4－羥基－3,5－二甲基二甲基苯基鋶5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、(4－第三丁基苯基二苯基鋶)5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、雙(4－第三－丁基苯基)苯基錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、雙(4－羥基苯基)苯基錪5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、(苯甲醯基四亞甲基鋶)5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、(參(4－第三丁基苯基)鋶)5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、[雙[2－甲基－金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、[雙[4－(3,5－二(三氟甲基)苯磺醯氧基)－苯基]苯基鋶]5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽、[雙[4,4－雙(三氟甲基)－3－氧雜三環[4.2.1.02,5 ]－壬基甲氧基苯基]苯基鋶]5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽，或[雙[4－五氟苯磺醯氧基苯基]苯基鋶]5－碘基八氟－3－氧雜戊烷磺酸鹽。由此所形成之光阻溶液預計得到與實例4、6、8及10中所見之彼等結果類似的結果。
式(Ai)2 Xi1之其他光酸產生劑可根據美國專利申請案第11/179,886號(2005年7月12日申請)及第11/355,762號(2006年2月16日申請)中所述程序製備，該等案之內容以引用方式併入本文中。其他實例可見於美國專利申請案第11/355,400號(2006年2月16日申請)、美國已公開專利申請案2004－0229155及美國已公開專利申請案2005－0271974、美國專利第5,837,420號、美國專利第6,111,143號及美國專利第6,358,665號中，該等專利之內容以引用方式併入本文中。式Ai Xi2之彼等其他光酸產生劑已熟知於熟習此項技術者，例如由美國專利申請案第20030235782號及美國專利申請案第20050271974號所知之彼等物，該等案以引用方式併入本文中。
本發明之上述說明闡明並描述本發明。此外，本揭示案展示並描述本發明之僅部分實施例，然而應瞭解，如上所述，本發明能夠用於其他各種組合、修改及環境且能夠在如本文中所表現之本發明思想之範圍內加以改變或修改，從而符合上述教示及/或相關技術之技巧或經驗。文中所述之實施例進一步旨在說明已知實施本發明之最佳方式及使得其他熟習此項技術者能夠使用本發明之該等或其他實施例及進行本發明之特定應用或用途所需要之各種修改。因此，本說明書不希望本發明受本文中所揭示之形式之限制。此外，希望隨附申請專利範圍應理解為包括替代實施例。

Claims (4)

  1. 一種式Ai Xi化合物，其中Ai為有機鎓陽離子；且Xi為式X-CF2 CF2 OCF2 CF2 -SO3 - 之陰離子，其中X係碘；且其中Ai係 其中R1A 、R2A 、R3A 、R4A 、R5A 各自獨立地選自Z、氫、OSO2 R9 、OR20 、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、芳基、芳烷基、芳基羰基甲基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基、其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基、直鏈或支鏈全氟烷基、單環全氟烷基或多環全氟烷基、直鏈或支鏈烷氧基鏈、硝基、氰基、鹵素、羧基、羥基、硫酸酯基(sulfate)、三氟乙磺酸酯基(tresyl)或羥基； R6 及R7 各自獨立地選自視情況經OSO2 R9 或OR20 取代之芳基；R9 係選自烷基、氟烷基、全氟烷基、芳基、氟芳基、全氟芳基、其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環烷基或多環烷基、其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環氟烷基或多環氟烷基，或其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環全氟烷基或多環全氟烷基；R20 為烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基，或其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基；T為直接鍵；Z為-(V)j -(C(X11)(X12))n -O-C(=O)-R8 ，其中(i)X11或X12中之一者為含有至少一個氟原子的直鏈或支鏈烷基且另一者為氫、鹵素或直鏈或支鏈烷基鏈；或(ii)X11與X12兩者皆為含有至少一個氟原子的直鏈或支鏈烷基鏈；V為選自以下者之鍵聯基團：直接鍵、視情況含有一或多個O原子之二價直鏈或支鏈烷基、二價芳基、二價芳烷基，或視情況含有一或多個O原子之二價單環烷基或多環烷基；R8 為視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基 鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基，或芳基；j為0至10；且n為0至10；該視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、直鏈或支鏈烷基鏈、直鏈或支鏈烷氧基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、單環烷基羰基或多環烷基羰基、烷氧基烷基、烷氧基羰基烷基、烷基羰基、其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環烷基氧基羰基烷基或多環烷基氧基羰基烷基、其中環烷基環視情況含有一或多個O原子的單環烷基氧基烷基或多環烷基氧基烷基、芳烷基、芳基、萘基、蒽基、視情況含有一或多個O原子之5員、6員或7員飽和環或不飽合環，或芳基羰基甲基，其係未經取代或經一或多個選自由以下基團組成之群之基團取代：Z、鹵素、烷基、C1-8 全氟烷基、單環烷基或多環烷基、OR20 、烷氧基、C3-20 環烷氧基、二烷基胺基、二環二烷基胺基、羥基、氰基、硝基、三氟乙磺酸酯基、側氧基、芳基、芳烷基、氧原子、CF3 SO3 、芳氧基、芳硫基及式(II)至(VI)之基團： 其中R10 及R11 各自獨立地表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈，或視情況含有一或 多個O原子之單環烷基或多環烷基，或者R10 與R11 一起可表示用以形成五員或六員環之伸烷基；R12 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基，或芳烷基，或者R10 與R12 一起表示伸烷基，該伸烷基與間雜之-C-O-基團一起形成五員或六員環，該環中之碳原子視情況經氧原子取代；R13 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基；R14 及R15 各自獨立地表示氫原子、視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈或視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基；R16 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基或芳烷基；且R17 表示視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基、芳烷基、基團-Si(R16 )2 R17 或基團-O-Si(R16 )2 R17 ，該視情況含有一或多個O原子之直鏈或支鏈烷基鏈、視情況含有一或多個O原子之單環烷基或多環烷基、芳基及芳烷基，其未經取代或如前述經取代。
  2. 一種可用於在深UV中成像的光阻組合物，其包含：a)含有酸不穩定基團的聚合物； b)如請求項1之化合物；及c)選自於以下之群的化合物：：雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三苯基鋶乙烷二磺酸鹽、雙(三苯基鋶)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(三苯基鋶)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(三苯基鋶)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(三苯基鋶)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基 鋶)全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基錪)甲烷二磺酸鹽、雙(三苯基鋶)甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基錪)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(三苯基鋶)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(苯甲醯基-四亞甲基鋶)甲烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)錪全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶甲烷二磺酸鹽、雙(4-辛氧基苯基)苯基鋶全氟甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯氧基-苯基]苯基鋶]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟-苯-磺醯氧基苯基]苯基鋶]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯氧基 苯基]苯基-鋶]全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯-磺醯氧基苯基]苯基鋶]全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯氧基苯基]苯基鋶]全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯氧基-苯基]苯基鋶]全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯氧基苯基]苯基鋶]xx甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4-五氟苯磺醯氧基苯基]苯基鋶]全氟甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯氧基)-苯基]苯基鋶]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)-苯磺醯氧基)苯基]苯基鋶]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯氧基)苯基]苯基鋶]全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯氧基)苯基]苯基鋶]全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)-苯磺醯氧基)苯基]苯基鋶]全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯氧基)-苯基]苯基鋶]全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[4-(3,5-二(三氟甲基)苯磺醯氧基)苯基]苯基鋶]甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基錪)乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基錪)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(三苯基鋶)乙烷二磺酸鹽、雙(三苯基鋶)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(苯甲醯基四亞甲基-鋶)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(苯甲醯基四亞甲基鋶)乙烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(參(4-第三丁基苯基)鋶)乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基-鋶)全氟乙烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基二苯基鋶)乙烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基 乙醯氧基甲氧基苯基]苯基-鋶]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基-金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[2-甲基-金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基甲氧基苯基]苯基鋶]甲烷二磺酸鹽、雙[雙[2-甲基金剛烷基乙醯氧基-甲氧基苯基]苯基鋶]全氟甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]全氟丁烷-1,4-二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基-苯基]苯基鋶]乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4，4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]-全氟乙烷二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基-苯基]苯基鋶]全氟丙烷-1,3-二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]-全氟丙烷-1-甲酸鹽-3-磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]全氟丁烷-1-甲酸鹽-4-磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環-[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基苯基]苯基鋶]甲烷二磺酸鹽、雙[雙[4,4-雙(三氟甲基)-3-氧雜三環[4.2.1.02,5 ]-壬基甲氧基 苯基]苯基鋶]全氟甲烷二磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪雙-全氟乙烷磺醯亞胺、4-(1-丁氧基苯基)二苯基鋶雙-(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、4-(1-丁氧基苯基)二苯基鋶雙-(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6-三甲基苯基二苯基鋶雙-全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、2,4,6-三甲基苯基二苯基鋶雙-(全氟乙烷磺醯基)醯亞胺、參-(第三丁基苯基)鋶-(三氟甲基全氟丁基磺醯基)醯亞胺、參-(第三丁基苯基)鋶雙-(全氟丁烷磺醯基)醯亞胺、參-(第三丁基苯基)鋶-雙-(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺，及其混合物。
  3. 一種使光阻成像之方法，其包含以下步驟：a)在一基板上塗佈如請求項2之光阻組合物；b)烘焙該基板以大體移除溶劑；c)將該光阻塗層成像曝光；d)視情況將該光阻塗層進行曝光後烘焙；及e)用鹼性水溶液將該光阻塗層顯影。
  4. 一種經塗佈之基板，其包含具有一光阻塗膜之基板，其中該光阻塗膜係由如請求項2之光阻組合物形成。
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