TWI428884B - Image display device - Google Patents

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TWI428884B
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Naruhiko Kasai
Masato Ishii
Tohru Kohno
Hajime Akimoto
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Japan Display Inc
Panasonic Liquid Crystal Displ
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Description

圖像顯示裝置
本發明涉及圖像顯示裝置，且係關於由例如EL(Electro Luminescence，電激發光)元件或有機EL元件及其他自發光型之顯示元件(像素)構成顯示區域之圖像顯示裝置。
此類圖像顯示裝置具有其顯示元件(自發光元件)之發光亮度與流經該元件之電流量成比例之性質，因此可藉由對流經該元件之電流量進行控制而實現灰階顯示。
然而，例如有機EL元件具有如下性質：因該元件特性之劣化而導致於並未作為持續顯示之像素之像素中產生亮度差。
而且，該等顯示元件之亮度差會作為「殘像現象」而被人們之眼睛識別出，且係導致作為圖像顯示裝置之壽命縮短之主要因素。
因此，例如下述專利文獻1(日本專利特開2004-38209號公報)所示揭示一技術，藉由設置對流經各顯示元件之電流量進行測定並根據該測定出之電流量來對劣化部分進行校正之機構而消除上述「殘像現象」。
於此，上述專利文獻1所揭示之圖像顯示裝置，具備由例如A/D(Analog/Digital，類比/數位)轉換器構成之電流測定器來對流經各顯示元件之電流量進行測定。
然而，要求該電流測定器之測定範圍具有相當廣之範圍。其原因在於各顯示元件之劣化所引起之電流變動較大，又亦能充分應對溫度或製造差異所引起之電流變動。
於該情形時，有可能導致上述電流測定器之電路規摸擴大。因此要求避免該電流測定器之電路規模之擴大，但上述專利文獻1中並無考慮到此方面之記載。
本發明之目的在於提供一種具備消除殘像現象而又不會擴大規模之電路之圖像顯示裝置。
本發明之圖像顯示裝置係為了檢測因溫度所引起之較大電流變動，將測定流至顯示元件之電流量之檢測機構(電流測定器)之標準電壓切換為可藉由使上述電流量反饋而檢測因上述顯示元件劣化所引起之微小電流變化之標準電壓，使該檢測機構之電流測定範圍追隨溫度變動。藉此，可用同一個檢測機構檢測因變動較大之溫度狀況所引起之電流量變動、及因變動微小之元件劣化所引起之電流量變動之任一者。
本發明之構成例如可為如下者。
(1)本發明之圖像顯示裝置之特徵在於：其係包含例如包括複數個顯示元件之顯示部、對該顯示部輸入顯示訊號電壓之訊號線、及控制該顯示訊號電壓之顯示控制部，且包含：檢測用電源；切換開關，其係使該檢測用電源之電流流至上述顯示元件；檢測電路，其係檢測流至上述顯示元件之電流；及檢測資訊儲存電路，其係儲存由該檢測電路所檢測出之資訊並根據該資訊校正上述顯示訊號電壓；上述檢測電路構成為：於根據第1標準電壓設定第1電流測定範圍並進行電流檢測後，反饋所檢測出之電流量，藉此根據與上述第1標準電壓不同之第2標準電壓來設定第2電流測定範圍並進行電流檢測。
(2)本發明之圖像顯示裝置例如以(1)之構成為前提，其特徵在於：上述切換開關於一顯示期間中之與輸出該顯示訊號電壓之期間不同之期間，連接上述檢測用電源與上述顯示元件。
(3)本發明之圖像顯示裝置例如以(1)之構成為前提，其特徵在於：上述檢測用電源為恆定電流源。
(4)本發明之圖像顯示裝置例如以(1)之構成為前提，其特徵在於：上述檢測電路判別劣化元件之位準，上述檢測資訊儲存電路儲存一畫面份量之劣化元件之狀態。
(5)本發明之圖像顯示裝置例如以(1)之構成為前提，其特徵在於：上述顯示控制電路校正輸入至上述劣化元件之顯示資料。
(6)本發明之圖像顯示裝置例如以(1)之構成為前提，其特徵在於：設有交換開關，其係在於供給上述顯示訊號電壓，並將擔當紅、綠、藍之各訊號分時供給至上述顯示部內。
(7)本發明之圖像顯示裝置例如以(1)之構成為前提，其特徵在於：上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度相同。
(8)本發明之圖像顯示裝置例如以(1)之構成為前提，其特徵在於：上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度不同。
(9)本發明之圖像顯示裝置之特徵在於：其係具備例如包含複數個顯示元件之顯示部、對該顯示部輸入顯示訊號電壓之資料訊號線、及控制該顯示訊號電壓之顯示控制部，且具備：檢測用電源；切換開關，其係使該檢測用電源之電流經由檢測訊號線而流至上述顯示元件；檢測電路，其係檢測流至上述顯示元件之電流；及檢測資訊儲存電路，其係儲存由該檢測電路所檢測出之資訊並根據該資訊校正上述顯示訊號電壓；上述資料訊號線及上述檢測訊號線包含由切換電路所切換之共用訊號線；上述檢測電路構成為：於根據第1標準電壓設定第1電流測定範圍並進行電流檢測後，反饋所檢測出之電流量，藉此根據與上述第1標準電壓不同之第2標準電壓設定第2電流測定範圍並進行電流檢測。
(10)本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特徵在於：上述切換開關係於一顯示期間中之與輸出該顯示訊號電壓之期間不同之期間，連接上述檢測用電源與上述顯示元件。
(11)本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特徵在於：上述檢測用電源為恆定電流源。
(12)本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特徵在於：上述檢測電路判別劣化元件之位準，上述檢測資訊儲存電路儲存一畫面量之劣化元件之狀態。
(13)本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特徵在於：上述顯示控制電路校正輸入至上述劣化元件之顯示資料。
(14)本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特徵在於：設有切換開關，其係在於供給上述顯示訊號電壓，並將擔當紅、綠、藍之各訊號分時供給至上述顯示部內。
(15)本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特徵在於：上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度相同。
(16)本發明之圖像顯示裝置例如以(9)之構成為前提，其特徵在於：上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度不同。
再者，本發明並不限定於上述構成，可於不脫離本發明之技術思想之範圍內進行各種變更。又，除上述構成以外之本發明之構成例由本案說明書全體之記載或圖式當可明白。
根據本發明之圖像顯示裝置，可具備消除殘像現象而又不會擴大規模之電路。
關於本發明之其他效果，由說明書全體之記載當可明白。
一面參考圖式一面說明本發明之實施例。再者，於各圖及各實施例中，對於相同或類似之構成要素附上相同符號並省略其說明。
於此，符號為如下：6...顯示及檢測控制部、11...資料線驅動機構、13...發光用電壓生成機構、15...掃描線驅動機構、17...自發光元件顯示器、18...元件特性檢測掃描機構、21...殘像檢測及位置判別機構、24...殘像資訊儲存機構、26...殘像像素資料校正機構、28...驅動時序生成機構、37...殘像校正量計算機構、44...第一R選擇開關、45...第一G選擇開關、46...第一B選擇開關、47...第二R選擇開關、62...資料寫入開關、63...寫入電容、64...驅動電晶體、65...有機EL、73...檢測用電源、74...第一檢測線開關、75...第二檢測線開關、76...第三檢測線開關、77...第四檢測線開關、79...移位暫存器、84...A/D轉換機構、85...殘像像素位置資訊生成機構、94...有機EL電流對電壓特性、97...劣化元件有機EL電流對電壓特性、101...高溫有機EL電流對電壓特性、103...高溫劣化元件有機EL電流對電壓特性、108...第1比較器、109...第2比較器、110...第3比較器、111...第4比較器、112...第5比較器、113...第6比較器、114...第7比較器、137...7to3解碼器、141...參考電壓控制機構、143...上參考電壓生成機構、145...下參考電壓生成機構、147...檢測時序控制機構、151...上參考電壓切換機構、152...下參考電壓切換機構、156...顯示/檢測切換控制部、158...資料線驅動及殘像位置判別機構、160...資料線及檢測線共用自發光元件顯示器、161...一水平閂鎖及類比轉換機構、167...第一資料線檢測切換開關、168...第二資料線檢測切換開關、169...第三資料線檢測切換開關、170...第四資料線檢測切換開關、175...RGB切換控制機構。
(第一實施形態)
以下，使用圖式詳細說明本發明之第一實施形態。
圖1表示本發明之一實施形態之圖像顯示裝置，且表示自發光元件顯示裝置之示例。
圖1中，1表示垂直同步訊號，2表示水平同步訊號，3表示允許資料訊號，4表示顯示資料，5表示同步時脈。垂直同步訊號1係顯示一畫面週期(一幀週期)之訊號，水平同步訊號2係一水平週期之訊號，允許資料訊號3係表示顯示資料4有效之期間(顯示有效期間)之訊號。該等所有訊號係與同步時脈5同步地輸入。於本實施形態中，該等顯示資料之一畫面自左上端之像素依序以光柵掃描形式傳送，例如一個像素之資訊包含6位元之數位資料。6係顯示及檢測控制部，7係資料線控制訊號，8係掃描線控制訊號，9係檢測掃描線控制訊號，10係檢測線控制訊號。顯示及檢測控制部6根據垂直同步訊號1、水平同步訊號2、允許資料訊號3、顯示資料4及同步時脈5，生成用以控制顯示之資料線控制訊號7及掃描線控制訊號8，以及用以檢測下述顯示元件之特性之檢測掃描線控制訊號9及檢測線控制訊號10。11係資料線驅動機構，12係資料線驅動訊號。資料線驅動機構11根據資料線控制訊號7而生成寫入至由自發光元件構成之像素(下述)之訊號電壓及三角波訊號(下述)並作為資料線驅動訊號12輸出。13係發光用電壓生成機構，14係發光用電壓。發光用電壓生成機構13生成供給用以使自發光元件(下述)發光之電流之電源電壓，並將其作為發光用電壓14輸出。15係掃描線驅動機構，16係掃描線選擇訊號。17係自發光元件顯示器。自發光元件顯示器17係指使用發光二極體或有機EL等作為顯示元件之顯示器。自發光元件顯示器17具有配置為矩陣狀之複數個自發光元件(像素部)。自發光元件顯示器17之顯示動作，係根據自資料線驅動機構11輸出至依據自掃描線驅動機構15輸出之掃描線選擇訊號16所選擇及寫入控制之像素的資料線驅動訊號12之訊號電壓所對應的像素之資料寫入、以及三角波訊號而進行動作。驅動自發光元件之電壓係作為發光用電壓14來供給。再者，資料線驅動機構11及掃描線驅動機構15可由各個LSI(Large Scale Integration Circuit，大規模積體電路)實現，亦可由一個LSI實現，進而亦可與像素部形成於同一個玻璃基板上。自發光元件顯示器17具有例如240×320點之解析度，1點係由從左起為R(紅)、G(綠)、B(藍)之3像素構成。即，顯示器17之水平方向包含720個像素。自發光元件顯示器17可根據流至自發光元件之電流量及自發光元件之點亮時間，來調整自發光元件之發光亮度。流至自發光元件之電流量越大，自發光元件之亮度就越高。自發光元件之點亮時間越長，自發光元件之亮度就越高。18係元件特性檢測掃描機構，19係檢測掃描線選擇訊號。元件特性檢測掃描機構18生成用以選擇對自發光元件顯示器17之自發光元件之劣化狀態進行檢測之掃描線的檢測掃描線選擇訊號19。20係檢測線輸出訊號，21係殘像檢測及位置判別機構，22係殘像檢測結果，23係位置資訊。檢測線輸出訊號20係根據自發光元件顯示器17之由檢測掃描線選擇訊號19所選擇之一水平線上之自發光元件之劣化狀態的檢測結果，藉由殘像檢測及位置判別機構21而輸出殘像檢測結果22及與該結果相對應之自發光顯示器17上之位置資訊23。24係殘像資訊儲存機構，25係殘像校正像素資訊。殘像資訊儲存機構24根據位置資訊23而暫時儲存殘像檢測結果22，並將其作為殘像校正像素資訊25加以輸出。殘像檢測結果22表示劣化位準，位置資訊23係作為表示畫面上之位置之位址資訊而輸出。殘像資訊儲存機構24將劣化位準儲存於依據位置資訊23之位址上，藉此殘像校正像素資訊25對照顯示時序而輸出劣化位準。
圖2係表示上述顯示及檢測控制部6之內部構成之一實施形態的圖。圖2中，26係殘像像素資料校正機構，27係顯示校正資料。殘像像素資料校正機構26根據下述殘像校正量而對顯示資料4進行校正，並作為顯示校正資料27加以輸出。28係驅動時序生成機構，29係水平開始訊號，30係水平移位時脈，31係垂直開始訊號，32係垂直移位時脈。驅動時序生成機構28生成表示顯示水平位置之最前端之水平開始訊號29、成為逐個像素地閂鎖顯示資料4之時序之水平移位時脈30、表示顯示垂直位置之最前端之垂直開始訊號31、以及使掃描線選擇依序移位之垂直移位時脈32。33係垂直檢測開始訊號，34係垂直檢測移位時脈，35係水平檢測開始訊號，36係水平檢測移位時脈。驅動時序生成機構28生成表示檢測動作之垂直方向之最前端的垂直檢測開始訊號33、使檢測掃描線依序移位之垂直檢測移位時脈34、表示檢測之水平位置之最前端的水平檢測開始訊號35、以及使檢測之水平位置依序移位之水平檢測移位時脈36。37係殘像校正量計算機構，38係殘像校正量。殘像校正量計算機構37根據殘像校正像素資訊25來判斷殘像位準並計算校正量，且作為殘像校正量38加以輸出。
圖3係表示上述自發光元件顯示器17之內部構成之一實施形態的圖。本實施形態係表示使用例如有機EL元件作為自發光元件之情形之示例。圖3中，39係第一資料線輸出，40係第二資料線輸出，41係R選擇訊號，42係G選擇訊號，43係B選擇訊號，44係第一R選擇開關，45係第一G選擇開關，46係第一B選擇開關，47係第二R選擇開關。第一資料線輸出39連接於根據R選擇訊號41切換之第一R選擇開關44、根據G選擇訊號42切換之第一G選擇開關45、以及根據B選擇訊號43切換之第一B選擇開關46，隨後，直至第二、第三、...、第二四0為止，資料線輸出均連接於RGB之選擇開關。R選擇訊號41、G選擇訊號42、B選擇訊號43係將一水平期間加以三等分而成為「ON(接通)」狀態之訊號，藉由一根資料線輸出而將訊號電壓輸出至R、G、B之三根資料線。48係第一R資料線，49係第一G資料線，50係第一B資料線，51係第二R資料線，52係第一掃描線，53係第二掃描線，54係第一列第一行之R像素，55係第一列第一行之G像素，56係第一列第一行之B像素，57係第一列第二行之R像素，58係第二列第一行之R像素，59係第二列第一行之G像素，60係第二列第一行之B像素，61係第二列第二行之R像素。第一R資料線48、第一G資料線49、第一B資料線50、第二R資料線51係用以將各個訊號電壓輸入至像素之資料線。第一掃描線52、第二掃描線53分別係用以將第一掃描線選擇訊號及第二掃描線選擇訊號(下述)輸入至像素之訊號線。經由各個資料線對根據各個掃描線選擇訊號而選擇之掃描線上之像素寫入訊號電壓，並根據訊號電壓來控制像素之亮度。此時之發光用之電源成為發光用電壓14。於此，僅於第一列第一行之R像素54表示像素之內部構成，但至於第一列第一行之G像素55、第一列第一行之B像素56、第一列第二行之R像素57、第二列第一行之R像素58、第二列第一行之G像素59、第二列第一行之B像素60、第二列第二行之R像素61亦為相同之構成。62係資料寫入開關，63係寫入電容，64係驅動電晶體，65係有機EL元件。資料寫入開關62藉由第1掃描線52而成為接通狀態，並將來自第一R資料線48之訊號電壓儲存於寫入電容63中。驅動電晶體64將依照儲存於寫入電容63之訊號電壓之驅動電流供給至有機EL元件65。因此，表示有機EL元件65之發光亮度係取決於寫入至寫入電容63之訊號電壓及發光用電壓14。又，如先前說明所述，自發光元件顯示器17之像素數、即解析度為240×320，就掃描線而言，水平方向之線係於垂直方向上自第1線至第320線為止排列有320根，就資料線而言，R、G、B各自之垂直方向之線於水平方向上自第1點至第240點為止排列有240根，即共計720根。66係檢測開關，67係第一檢測掃描線，68係第二檢測掃描線，69係第一檢測線，70係第二檢測線，71係第三檢測線，72係第四檢測線。檢測開關66係於受到第一檢測掃描線67之選擇時將有機EL元件65之特性輸出至第一檢測線69之開關。第二檢測掃描線68、第二檢測線70、第三檢測線71、第四檢測線72亦相同地經由各個像素之檢測開關連接於有機EL元件。於此，檢測線亦排列有例如720根。
圖4係表示上述殘像檢測及位置判別機構21之內部構成之一實施形態的圖。圖4中，73係檢測用電源，74係第一檢測線開關，75係第二檢測線開關，76係第三檢測線開關，77係第四檢測線開關，78係檢測輸出線。第一檢測線開關74、第二檢測線開關75、第三檢測線開關76、第四檢測線開關77係藉由下述之移位暫存器而沿著水平方向依序移位而進行選擇，並於將作為恆定電流源之檢測用電源73依序連接於第一檢測線69、第二檢測線70、第三檢測線71、第四檢測線72、...、第七二0檢測線時之有機EL元件之特性輸出至檢測輸出線78。79係移位暫存器，80係第一檢測線選擇訊號，81係第二檢測線選擇訊號，82係第三檢測線選擇訊號，83係第四檢測線選擇訊號。根據水平檢測開始訊號35及水平檢測移位時脈36，將用以依序切換先前說明之檢測線開關之第一檢測線選擇訊號80、第二檢測線選擇訊號81、第三檢測線選擇訊號82及第四檢測線選擇訊號83加以輸出。84係A/D轉換機構。對作為類比值之自檢測輸出線78輸出之有機EL元件之特性進行數位轉換後作為殘像檢測結果22加以輸出。85係殘像像素位置資訊生成機構，根據水平檢測開始訊號35及水平檢測移位時脈36來判斷像素位置並作為位置資訊23加以輸出。
圖5係表示上述自發光顯示器17中產生殘像之情形之表現例的圖。圖5(a)表示將顯示區域之大部分顯示為黑色之情形。86係顯示外框，87係黑色顯示，88係固定顯示圖案。將顯示外框86內之有效顯示區域之背景設為黑色顯示87，其中表示將固定顯示圖案88長時間顯示於相同位置之狀態。圖5(b)表示將整個顯示區域顯示為白色之情形。89係白色顯示，90係殘像圖案，91係同一水平線。於長時間顯示上述固定圖案88之情形時，與周邊之黑色顯示87相比劣化加重。因此，於設為白色顯示89時，在顯示劣化加重之固定圖案88之像素中觀察到殘像圖案90。因此，於顯示區域之同一水平線91上排列有不產生殘像之像素與產生殘像之像素。
圖6係表示上述有機EL元件65之檢測特性的圖。圖6中， 92係電流軸，93係電壓軸，94係有機EL元件之電流對電壓特性，95係恆定電流條件，96係恆定電流施加時電壓。電流對電壓特性94係表示對有機EL元件65施加之電壓與電流之關係的曲線。於此，特性檢測時連接作為恆定電流源之檢測用電源73，故而電流對電壓特性94之曲線上作為施加有恆定電流條件95時之電壓值之恆定電流施加時電壓96成為應檢測之特性電壓。97係有機EL元件產生劣化時之電流對電壓特性，98係有機EL元件產生劣化時之電流施加時電壓。上述電流對電壓特性97於產生劣化時傾斜度小於電流對電壓特性94，此時若施加恆定電流條件95，則成為恆定電流施加時電壓98，於劣化時表現出檢測電壓增大。
圖7係表示圖5所示之同一水平線91上之像素於施加恆定電流時之電壓之圖。圖7中，99係水平顯示位置，100係檢測電壓。將縱軸設為電壓軸93，因此同一水平線91上之像素之檢測電壓100表現為如下：於不產生殘像之像素中成為恆定電流施加時電壓96，而於產生殘像之像素中成為恆定電流施加時電壓98。
圖8係表示上述有機EL元件65之檢測特性於高溫時之變動的圖。圖8中，101係高溫時之有機EL元件65之電流對電壓特性，102係此時之恆定電流施加時電壓。如上所述，檢測特性時連接作為恆定電流源之檢測用電源73，故而於高溫狀態下進行檢測之情形時，上述電流對電壓特性101之曲線上作為施加有恆定電流條件95時之電壓值之恆定電 流施加時電壓102成為應檢測之特性電壓。103係因高溫而導致劣化之有機EL元件65之電流對電壓特性，104係此時之恆定電流施加時電壓。與上述相同地，上述電流對電壓特性103於產生劣化時傾斜度小於上述電流對電壓特性101，此時藉由施加恆定電流條件95而成為恆定電流施加時電壓104，於劣化時表現出檢測電壓增大。亦即，於高溫時，自恆定電流施加時電壓102向恆定電流施加時電壓104劣化，而使檢測電壓增大。
圖9係表示圖7所示之同一水平線91上之像素於施加恆定電流時之電壓在高溫時之變動的圖。圖9中，105係高溫時之檢測電壓，100係常溫時之檢測電壓。可判斷高溫時之檢測電壓105之總體位準要小於常溫時之檢測電壓100。
圖10係表示以於常溫時及高溫時均獲得檢測電壓之方式設定A/D轉換之標準電壓之示例的圖。圖10中，106係常溫電壓設定範圍，107係高溫電壓設定範圍。就常溫電壓設定範圍106而言，其最大值成為有機EL元件65產生劣化時之恆定電流施加時電壓98，其最小值成為恆定電流施加時電壓96。此例中，將殘像之檢測位準設為7位準，即A/D轉換時自標準電壓之最大值至最小值為止以7位準之分辨率檢測類比值，並將該類比值轉換為3位元之數位資料後加以輸出。
此時，高溫時之檢測電壓105偏離上述常溫電壓設定範圍106，因此必須將A/D轉換時之標準電壓擴大到亦包括上述常溫電壓設定範圍106在內之高溫電壓設定範圍107。並 且，作為A/D轉換器，為對應於該高溫電壓設定範圍107，而必須設置複數個A/D轉換器、或必須為擴大電壓設定範圍且一併增大分辨率之A/D轉換器，故而均將不可避免地導致電路規模之增大。
圖11係表示圖4所示之A/D轉換器84之內部構成之一實施形態的圖。圖11中，108係第1比較器，109係第2比較器，110係第3比較器，111係第4比較器，112係第5比較器，113係第6比較器，114係第7比較器，115係第1比較電壓，116係第2比較電壓，117係第3比較電壓，118係第4比較電壓，119係第5比較電壓，120係第6比較電壓，121係第7比較電壓，122係第1比較結果，123係第2比較結果，124係第3比較結果，125係第4比較結果，126係第5比較結果，127係第6比較結果，128係第7比較結果。各比較器108~114係對檢測輸出線78之電壓與各個比較電壓115~121進行比較，並將結果作為比較結果122~128加以輸出。例如，於檢測輸出線78之電壓大於比較電壓之情形時，將「1」作為比較結果輸出。129係第1分壓電阻，130係第2分壓電阻，131係第3分壓電阻，132係第4分壓電阻，133係第5分壓電阻，134係第6分壓電阻，135係第7分壓電阻，136係第8分壓電阻。藉由各分壓電阻129~136，對下述之上參考電壓與下參考電壓進行分壓而生成各比較電壓115~121。第1分壓電阻129及第8分壓電阻136大致為0歐姆，第1比較電壓115之電壓設為與上參考電壓相同，第7比較電壓121之電壓設為與下參考電壓相同，第2分壓電阻130~第7分壓電阻135為相等之電阻值，第2比較電壓116至第6比較電壓120對上參考電壓與下參考電壓之間進行均等分壓。137係7to3解碼器，138係數位第3位元輸出，139係數位第2位元輸出，140係數位第1位元輸出。7to3解碼器137係對比較結果122~128進行解碼並作為3位元之數位輸出138~140加以輸出。於此，如先前說明所述，比較結果122~128係以「0000000」、「0000001」、「0000011」、「0000111」、「0001111」、「0011111」、「0111111」、「11111111」之8種形式來表示，因此分別轉換為「000」、「001」、「010」、「011」、「100」、「101」、「110」、「111」。141係參考電壓控制機構，142係殘像檢測時之參考電壓，143係上參考電壓生成機構，144係殘像檢測時之上參考電壓，145係下參考電壓生成機構，146係殘像檢測時之下參考電壓，147係檢測時序控制機構，148係檢測切換訊號，149係溫度檢測時之上參考電壓，150係溫度檢測時之下參考電壓，151係上參考電壓切換機構，152係下參考電壓切換機構，153係上參考電壓，154係下參考電壓。檢測時序控制機構147生成用以切換溫度檢測及殘像檢測之時序之檢測切換訊號148。上參考電壓切換機構151及下參考電壓切換機構152分別根據檢測切換訊號148，於溫度檢測時切換溫度檢測時之上參考電壓149及溫度檢測時之下參考電壓150，且於殘像檢測時切換殘像檢測時之上參考電壓144及殘像檢測時之下參考電壓146，並分別作為上參考電壓153及下參考電壓154加以輸出。參考電壓控制機構141根據溫度檢測時之比較結果122~128而生成成為殘像檢測時之上下參考電壓之標準的殘像檢測時之參考電壓142。上參考電壓生成機構143及下參考電壓生成機構145分別以殘像檢測時之參考電壓142為標準，生成殘像檢測時之上參考電壓144及殘像檢測時之下參考電壓146。
圖12係對上述A/D轉換器84之動作進行說明的圖。圖12中，上圖(a)表示溫度檢測動作，下圖(b)表示殘像檢測動作。155係溫度檢測點。於溫度檢測時，將上參考電壓153設為溫度檢測時之上參考電壓149(參考圖11)並將下參考電壓154設為溫度檢測時之下參考電壓150(參考圖11)，因此比較電壓115~121成為對兩者之間進行均等分割之位準。於此，本實施例中，溫度檢測時之上參考電壓149及溫度檢測時之下參考電壓150具有與特性對於產品使用環境之溫度變化而變動相對應之範圍，且係作為周邊溫度較高時之動作進行說明。根據溫度檢測之結果，參考電壓之範圍大概係自第7比較電壓121至第4比較電壓118，且殘像檢測時之參考電壓142反映該結果。於本實施例中，將溫度檢測點155之測定結果作為殘像檢測時之參考電壓142加以輸出，並將與殘像檢測時之參考電壓142位準相同之殘像檢測時之下參考電壓146(參考圖11)作為下參考電壓154加以輸出，且將殘像檢測時之參考電壓142與應檢測之最大幅度相加所得之值、即殘像檢測時之上參考電壓144(參考圖11)設為上參考電壓153。藉此，殘像檢測時之比較電壓115~121較溫度檢測時更精確，故而可對應於更微小之變動。
圖13係與圖8相對應之圖，且係表示上述有機EL元件65之檢測特性於高溫時之變動表現出與圖8不同之特性之情形的圖。與圖8相同地，101係高溫時之有機EL元件65之電流對電壓特性，102係高溫時之恆定電流施加時電壓。183係高溫時已產生劣化之有機EL元件65之電流對電壓第二特性，184係高溫時已產生劣化之有機EL元件65之恆定電流施加時第二電壓。電流對電壓特性101於產生劣化時之傾斜度較小，相對於此，上述電流對電壓第二特性183之變動大於常溫時，此時若施加恆定電流條件95則成為恆定電流施加時第二電壓184，從而可判斷出產生劣化時檢測電壓之變動量大於常溫時。
圖14係與圖9相對應之圖，且係圖7所示之同一水平線91上之像素於施加恆定電流時之電壓在高溫時之變動表現出與圖9不同之特性之情形的圖。圖14中，185係高溫檢測第二電壓，其總體位準小於常溫時之檢測電壓100，並且其振幅(電流測定範圍之幅度)大於圖9所示之高溫檢測電壓105。
圖15係與圖10相對應之圖，且係表示A/D轉換之標準電壓設定於高溫時之特性不同於圖10之情形之實施態樣的圖。圖15中，常溫電壓設定範圍106及高溫電壓設定範圍107與圖10相同地，因高溫時之檢測電壓185偏離常溫電壓設定範圍106，故而必須將A/D轉換時之標準電壓擴大至高溫電壓設定範圍107。為了應對該情況，必須設置複數個A/D轉換器、或擴大電壓設定範圍且增大分辨率，從而導致電路規模增大。再者，圖15中，高溫時之檢測電壓185之範圍大幅度大於圖10之情形。
圖16係與圖12相對應之圖，且係表示圖11所示之A/D轉換器84之動作於高溫時之變動表現出與圖12不同之特性之情形之實施態樣的圖。圖16中，雖然動作與圖12之情形相同，但高溫時之檢測電壓185之範圍大於常溫時之檢測電壓100，因此殘像檢測時之比較電壓115~121大於圖16所示之高溫時或者圖12所示之高溫時。再者，高溫時之檢測電壓185之範圍可根據圖13所示之特性而預先計算出，故而可基於該計算資料而設定殘像檢測時之比較電壓115~121。
以下，使用上述圖1至圖16，就與溫度變動相對應之殘像檢測進行說明。首先，使用圖1說明圖像顯示裝置中之顯示資料之流程。圖1中，顯示及檢測控制機構6根據垂直同步訊號1、水平同步訊號2、允許資料訊號3及同步時脈5，而生成成為自發光元件顯示器17之顯示時序之資料線控制訊號7及掃描線控制訊號8。並且，除生成上述訊號以外，還生成成為用以對自發光元件顯示器17之像素狀態進行檢測之時序的檢測掃描線控制訊號9及檢測線控制訊號10。下文作詳細說明。資料線驅動機構11、掃描線驅動機構15及發光用電壓生成機構13之動作與先前相同。元件特性檢測掃描機構18在不同於顯示動作之期間而另行設定之檢測期間內，為對所檢測之像素進行掃描而根據檢測掃描線控制訊號9生成檢測掃描線選擇訊號19。殘像檢測及位置判別機構21根據藉由檢測掃描線選擇訊號19而選擇之成為掃描線上之像素特性之檢測線輸出訊號20的狀態，對元件之劣化狀態進行檢測，並且根據檢測線控制訊號10判斷像素位置，藉此生成用以儲存於殘像資訊儲存機構24中之作為位址資訊之位置資訊23、及表示元件劣化之位準之殘像檢測結果22。下文作詳細說明。殘像校正像素資訊25係依照顯示時序而自殘像資訊儲存機構24讀出元件劣化位準之資訊。接著，使用圖2，就上述顯示及檢測控制機構6之動作之詳細情況加以說明。圖2中，殘像像素資料校正機構26根據殘像校正量38僅對顯示資料4中已劣化之像素資料進行校正，其他像素未經校正而作為顯示校正資料27輸出。下文作詳細說明。驅動時序生成機構28與先前相同地生成水平開始訊號29、水平移位時脈30、垂直開始訊號31及垂直移位時脈32。進而，驅動時序生成機構28於一顯示期間內，生成用以在不同於顯示期間而另行設定之檢測期間內對檢測掃描線進行掃描之時序訊號即垂直檢測開始訊號33、垂直檢測移位時脈34，並生成用以將所選擇之檢測掃描線上之像素狀態於水平方向上依序輸出之時序訊號即水平檢測開始訊號35、水平檢測移位時脈36。接著，圖3中，根據經由第一檢測掃描線67及第二檢測掃描線68依序輸出之掃描線選擇訊號，各個像素之有機EL元件65經由各個像素之檢測開關而連接於第一檢測線69、第二檢測線70、第三檢測線71、第四檢測線72至第三二0檢測線(未圖示)，從而將各個特性作為檢測線輸出訊號20加以輸出。
圖4中，對檢測輸出線78僅輸出在溫度特性檢測時與下述溫度檢測點對應之檢測線選擇訊號、及藉由切換檢測線開關而相應之像素之特性。於殘像檢測時，根據依照檢測水平開始訊號35及檢測水平移位時脈36而由移位暫存器79生成之第一檢測線選擇訊號80、第二檢測線選擇訊號81、第三檢測線選擇訊號82及第四檢測線選擇訊號83，經由第一檢測線開關74、第二檢測線開關75、第三檢測線開關76、第四檢測線開關77，於水平方向依序移位並進行切換後輸出。此時，圖3所示之有機EL元件65連接於作為恆定電流源之檢測用電源73(參考圖4)，因此具有圖8所示之特性之有機EL元件65，於圖5所示之白色顯示89中，常溫時將恆定電流施加時電壓96作為檢測特性輸出至檢測輸出線78，高溫時將高溫恆定電流施加時電壓102作為檢測特性輸出至檢測輸出線78，且於殘像圖案90中，常溫時將劣化元件恆定電流施加時電壓98作為檢測特性輸出至檢測輸出線78，高溫時將高溫元件劣化時恆定電流施加時電壓104作為檢測特性輸出至檢測輸出線78。其結果，圖5所示之同一水平線91上之元件特性之檢測結果如圖9所示。A/D轉換機構84根據A/D轉換之標準電壓之初始設定之溫度檢測時之特性，來設定殘像檢測時之A/D轉換之標準電壓，並於殘像檢測時將作為類比資料之檢測輸出線78轉換為作為數位資料之檢測結果22，殘像像素位置資訊生成機構85僅於殘像檢測時，根據垂直檢測開始訊號33、水平檢測開始訊號35及水平檢測移位時脈36，對輸出檢測結果22之像素位置進行判別，並作為位置資訊23加以輸出。
於上述有機EL元件65連接於作為恆定電流源之檢測用電源73之情形時，如圖8所示，該有機EL元件65之特性隨著溫度而產生變動，且如圖9所示，常溫時將恆定電流施加時電壓96或者劣化元件恆定電流施加時電壓98作為檢測特性輸出至檢測線輸出訊號20，且高溫時將高溫恆定電流施加時電壓102及高溫元件劣化恆定電流施加時電壓104作為檢測特性輸出至檢測線輸出訊號20。其結果，圖5所示之同一水平線91上之元件特性之檢測結果，如圖9所示大幅度變動。
上述A/D轉換機構84參考電壓設定範圍內之7位準來進行數位轉換。如圖10所示，例如常溫時，對以檢測電壓100表示之類比資料進行數位轉換，因此常溫電壓設定範圍106成為A/D轉換機構所必需之電壓設定範圍。相對於此，於周圍溫度上升或者點燈時間較長而面板之溫度上升之情形時，如高溫檢測電壓105所示，其位準之變動程度大於檢測電壓100。於該情形時，於常溫電壓設定範圍106無法進行數位轉換。因此，為了能以同一個A/D轉換機構來應對上述情況，必須如高溫電壓設定範圍107般擴大電壓設定範圍，且增加所轉換之位準數或者設置複數個A/D轉換機構，但會產生電路規模擴大之不良情況。因此，於本實施態樣中，如圖11所示，藉由設A/D轉換機構84之參考電壓為可改變而應對不良情況。即，檢測時序控制機構147 進行時序控制，以便於檢測殘像之前必定檢測溫度特性。溫度特性之檢測時，對溫度檢測點155之元件特性進行檢測。此時，以溫度檢測時之上參考電壓149及溫度檢測時之下參考電壓150為標準，生成各比較電壓115~121。此時之溫度檢測時之上參考電壓149及溫度檢測時之下參考電壓150設定為在有機EL元件65之特性所使用之溫度狀況下可採用之最大範圍。因此，如圖12之上圖(a)所示，於較寬之電壓設定範圍內各比較電壓之間隔設定得較大。如圖16所示，本實施態樣之溫度檢測點155上之A/D轉換之結果大概為第7比較電壓121附近，因此使殘像檢測時之參考電壓142反映該結果。將與殘像檢測時之參考電壓142位準相同之殘像檢測時之參考電壓146作為下參考電壓154加以輸出，並將殘像檢測時之參考電壓142與應檢測之最大幅度相加所得之值即殘像檢測時之上參考電壓144作為上參考電壓153，由此殘像檢測時之比較電壓115~121較溫度檢測時更精確，亦可對應於更微小之變動。於此，於本實施態樣中，將溫度檢測點155上之A/D轉換之結果作為下參考電壓，但亦可藉由以結果為中央加上上參考電壓並減去下參考電壓而生成，亦可藉由設結果為上參考電壓並減去下參考電壓而生成。
接著，如上述圖13至圖16所示，以下說明常溫時之劣化特性與高溫時之劣化特性不同之情形。上述有機EL元件65係連接於圖4所示之作為恆定電流源之檢測用電源73，特性隨著溫度產生變動之有機EL元件65，如圖14所示，常溫 時將恆定電流施加時電壓96或者劣化元件恆定電流施加時電壓98作為檢測特性而輸出檢測線輸出訊號20，高溫時將高溫恆定電流施加時電壓102及高溫元件劣化恆定電流施加時電壓184作為檢測特性而輸出檢測線輸出訊號20。其結果，圖5所示之同一水平線91上之元件特性之檢測結果，如圖14所示產生大幅度變動，當和常溫時之劣化特性與高溫時之劣化特性相同之情形進行比較時，可判斷檢測結果之振幅(電流測定範圍之幅度)不同。
接著，如圖15所示，A/D轉換機構84參考電壓設定範圍內之7位準並進行數位轉換。例如，常溫時，對以檢測電壓100表示之類比資料進行數位轉換，因此常溫電壓設定範圍106成為上述A/D轉換機構84所必需之電壓設定範圍。相對於此，於周圍溫度上升或者點燈時間較長而面板之溫度上升之情形時，高溫檢測電壓185之位準變動大於上述檢測電壓100，可判斷出不同於常溫時之劣化特性與高溫時之劣化特性相同之情形，其振幅(電流測定範圍之幅度)亦產生變化。
使A/D轉換機構84之參考電壓(參考圖11)為可改變，藉此對應於上述之位準大幅變動及振幅之變化。動作與常溫時之劣化特性和高溫時之劣化特性相同之情形大致相同，但如圖16所示，以高溫時之殘像檢測時之比較電壓115~121大於常溫時之方式生成上參考電壓153及下參考電壓154。再者，該上參考電壓153及下參考電壓154可根據例如圖13所示之特性圖來設定圖16(b)所示之115~121之幅 度，因此可根據該幅度來進行設定。
藉由上述動作，圖1中殘像及位置判別機構21將自發光元件顯示器17內之元件劣化所導致之殘像現象之檢測結果，作為表示殘像之位準之殘像檢測結果22及表示其位置之位置資訊23加以輸出，殘像資訊儲存機構24中於依照位置資訊23之位址中儲存殘像檢測結果22。最後，自殘像資訊儲存機構24根據顯示時序來讀出相應之像素之殘像資訊，且視需要對顯示資料進行校正，藉此消除殘像。
(第二實施形態)
以下，使用圖式，詳細說明本發明之第二實施形態。
圖17表示本發明之第二實施形態之自發光元件顯示裝置。圖17中，標註與圖1相同之符號之部分之構成與第一實施形態相同並進行相同之動作。156係顯示/檢測切換控制部，157係顯示/檢測切換控制訊號，158係資料線驅動及黑點缺陷位置判別機構，159係資料線驅動及檢測線輸出訊號，160係資料線及檢測線共用自發光元件顯示器。顯示/檢測切換控制部156生成資料線控制訊號7、掃描線控制訊號8、檢測掃描線控制訊號9，並且生成檢測線控制訊號上加上用以切換資料線驅動及檢測動作之訊號的顯示/檢測切換控制訊號157。資料線驅動及殘像位置判別機構158具有資料線驅動機構及第一實施形態所示之殘像檢測及位置判別機構之兩方功能，使資料線驅動及檢測線輸出訊號159經由共用之資料線連接於資料線及檢測線共用自發光元件顯示器160。
圖18係表示上述資料線驅動及殘像位置判別機構158之內部構成之一實施形態的圖。圖18中，標註了與圖4相同之符號的部分與第一實施形態相同，並進行相同之動作。161係一水平閂鎖及類比轉換機構，162係第一資料線驅動訊號輸出，163係第二資料線驅動訊號輸出，164係第三資料線驅動訊號輸出，165係第四資料線驅動訊號輸出。一水平閂鎖及類比轉換機構161係與第一實施形態相同地，以水平開始訊號28為最前端並根據水平移位時脈29取入所輸入之顯示校正資料26，將一水平期間之資料作為第一資料線驅動訊號輸出162、第二資料線驅動訊號輸出163、第三資料線驅動訊號輸出164、第四資料線驅動訊號輸出165加以輸出。於該實施態樣中，與例如第一實施形態相同地，輸出至第二四0資料線驅動訊號輸出為止。166係檢測切換訊號，167係第一資料線檢測切換開關，168係第二資料線檢測切換開關，169係第三資料線檢測切換開關，170係第四資料線檢測切換開關，171係第一資料線及檢測線，172係第二資料線及檢測線，173係第三資料線及檢測線，174係第四資料線及檢測線。於該實施態樣中，不同於第一實施形態，因與資料線共用，故而檢測線之根數為240根。第一資料線檢測切換開關167、第二資料線檢測切換開關168、第三資料線檢測切換開關169、第四資料線檢測切換開關170、...、第二四0資料線檢測切換開關係根據檢測切換訊號166，於顯示驅動時，將第一資料線驅動訊號輸出162、第二資料線驅動訊號輸出163、第三資料線驅動訊號輸出164、第四資料線驅動訊號輸出165、...、第二四0資料線驅動訊號輸出加以輸出至第一資料線及檢測線171、第二資料線及檢測線172、第三資料線及檢測線173、第四資料線及檢測線174、...、第二四0資料線及檢測線，藉此進行與第一實施形態之顯示動作相同之動作。於檢測時，將第一檢測線69、第二檢測線70、第三檢測線71、第四檢測線72、...、第二四0檢測線連接於第一資料線及檢測線171、第二資料線及檢測線172、第三資料線及檢測線173、第四資料線及檢測線174、...、第二四0資料線及檢測線，藉此於一水平期間內用R、G、B分割第一實施形態之檢測動作。175係RGB切換控制機構，176係R顯示檢測選擇訊號，177係G顯示檢測選擇訊號，178係B顯示檢測選擇訊號。RGB切換控制機構175係與第一實施形態相同地將一水平期間三等分為R、G、B而進行資料線訊號寫入，此外生成成為用以對檢測亦相同地進行三等分之切換訊號之R顯示及檢測選擇訊號176、G顯示及檢測選擇訊號177、B顯示及檢測選擇訊號178。
圖19係表示上述資料線及檢測線共用自發光元件顯示器160之內部構成之一實施形態的圖。圖19中，標註了與圖3相同之符號之部分與第一實施形態相同，並進行相同之動作。179係第R顯示檢測共用線，180係第一G顯示檢測共用線，181係第一B顯示檢測共用線，182係第二R顯示檢測共用線。例如，R顯示檢測共用線、G顯示檢測共用線、B顯示檢測共用線分別排列有240根，即共計720根。第一R顯示檢測共用線179、第一G顯示檢測共用線180、第一B顯示檢測共用線181、第二R顯示檢測共用線182、...、第二四0R顯示檢測共用線、第二四0G顯示檢測共用線、第二四0B顯示檢測共用線，分別於顯示驅動時，使各像素之資料寫入開關62設為接通狀態，藉此連接於寫入電容63，並進行與第一實施形態相同之訊號電壓寫入動作，於檢測時使各像素之檢測開關66設為接通狀態，藉此連接於有機EL元件65並進行與第一實施形態相同之特性檢測動作。
以上，於本實施形態中，除將資料線及檢測線作為共用線進行切換而使用以外之動作，均與第一實施形態相同。
以上，使用實施例對本發明進行了說明，但至此為止之各實施例中所說明之構成僅為一示例，本發明可於不脫離技術思想之範圍內進行適當變更。又，各個實施例中說明之構成，只要不互相矛盾，亦可加以組合使用。
1．．．垂直同步訊號
2．．．水平同步訊號
3．．．允許資料訊號
4．．．顯示資料
5．．．同步時脈
6．．．顯示及檢測控制部
7．．．資料線控制訊號
8．．．掃描線控制訊號
9．．．檢測掃描線控制訊號
10．．．檢測線控制訊號
11．．．資料線驅動機構
12．．．資料線驅動訊號
13．．．發光用電壓生成機構
14．．．發光用電壓
15．．．掃描線驅動機構
16．．．掃描線驅動訊號
17．．．自發光元件顯示器
18．．．元件特性檢測掃描機構
19．．．檢測掃描線選擇訊號
20．．．檢測線輸出訊號
21．．．殘像檢測及位置判別機構
22．．．殘像檢測結果
23．．．位置資訊
24．．．殘像資訊儲存機構
25．．．殘像校正像素資訊
26．．．殘像像素資料校正機構
27．．．顯示校正資料
28．．．驅動時序生成機構
29．．．水平開始訊號
30．．．水平移位時脈
31．．．垂直開始訊號
32．．．垂直移位時脈
33．．．垂直檢測開始訊號
34．．．垂直檢測移位時脈
35．．．水平檢測開始訊號
36．．．水平檢測移位時脈
37．．．殘像校正量計算機構
38．．．殘像校正量
39．．．第一資料線輸出
40．．．第二資料線輸出
41．．．R選擇訊號
42．．．G選擇訊號
43．．．B選擇訊號
44．．．第一R選擇開關
45．．．第一G選擇開關
46．．．第一B選擇開關
47．．．第二R選擇開關
48．．．第一R資料線
49．．．第一G資料線
50．．．第一B資料線
51．．．第二R資料線
52．．．第一掃描線
53．．．第二掃描線
54．．．第一列第一行之R像素
55．．．第一列第一行之G像素
56．．．第一列第一行之B像素
57．．．第一列第二行之R像素
58．．．第二列第一行之R像素
59．．．第二列第一行之G像素
60．．．第二列第一行之B像素
61．．．第二列第二行之R像素
62．．．資料寫入開關
63．．．寫入電容
64．．．驅動電晶體
65．．．有機EL元件
66．．．檢測開關
67．．．第一檢測掃描線
68．．．第二檢測掃描線
69．．．第一檢測線
70．．．第二檢測線
71．．．第三檢測線
72．．．第四檢測線
73．．．檢測用電源
74．．．第一檢測線開關
75．．．第二檢測線開關
76．．．第三檢測線開關
77．．．第四檢測線開關
78．．．檢測輸出線
79．．．移位暫存器
80．．．第一檢測線選擇訊號
81．．．第二檢測線選擇訊號
82．．．第三檢測線選擇訊號
83．．．第四檢測線選擇訊號
84．．．A/D轉換機構
85．．．殘像像素位置資訊生成機構
86．．．顯示外框
87．．．黑色顯示
88．．．固定顯示圖案
89．．．白色顯示
90．．．殘像圖案
91．．．同一水平線
92．．．電流軸
93．．．電壓軸
94．．．有機EL元件之電流對電壓特性
95．．．恆定電流條件
96．．．恆定電流施加時電壓
97．．．有機EL元件產生劣化時之電流對電壓特性
98．．．有機EL元件產生劣化時之電流施加時電壓
99．．．水平顯示位置
100．．．檢測電壓
101．．．高溫時之有機EL元件65之電流對電壓特性
102．．．此時之恆定電流施加時電壓
103．．．由於高溫而產生劣化之有機EL元件65之電流對電壓特性
104．．．此時之恆定電流施加時電壓
105．．．高溫時之檢測電壓
106．．．常溫電壓設定範圍
107．．．高溫電壓設定範圍
108．．．第1比較器
109．．．第2比較器
110．．．第3比較器
111．．．第4比較器
112．．．第5比較器
113．．．第6比較器
114．．．第7比較器
115．．．第1比較電壓
116．．．第2比較電壓
117．．．第3比較電壓
118．．．第4比較電壓
119．．．第5比較電壓
120．．．第6比較電壓
121．．．第7比較電壓
122．．．第1比較結果
123．．．第2比較結果
124．．．第3比較結果
125．．．第4比較結果
126．．．第5比較結果
127．．．第6比較結果
128．．．第7比較結果
129．．．第1分壓電阻
130．．．第2分壓電阻
131．．．第3分壓電阻
132．．．第4分壓電阻
133．．．第5分壓電阻
134．．．第6分壓電阻
135．．．第7分壓電阻
136．．．第8分壓電阻
137．．．7至3解碼器
138．．．數位第3位元輸出
139．．．數位第2位元輸出
140．．．數位第1位元輸出
141．．．參考電壓控制機構
142．．．殘像檢測時之參考電壓
143．．．上參考電壓生成機構
144．．．殘像檢測時之上參考電壓
145．．．下參考電壓生成機構
146．．．殘像檢測時之下參考電壓
147．．．檢測時序控制機構
148．．．檢測切換訊號
149．．．溫度檢測時之上參考電壓
150．．．溫度檢測時之下參考電壓
151．．．上參考電壓切換機構
152．．．下參考電壓切換機構
153．．．上參考電壓
154．．．下參考電壓
155．．．溫度檢測點
156．．．顯示/檢測切換控制部
157．．．顯示/檢測切換控制訊號
158．．．資料線驅動及黑點缺陷位置判別機構
159．．．資料線驅動及檢測線輸出訊號
160．．．資料線及檢測線共用自發光元件顯示器
161．．．一水平閂鎖及類比轉換機構
162．．．第一資料線驅動訊號輸出
163．．．第二資料線驅動訊號輸出
164．．．第三資料線驅動訊號輸出
165．．．第四資料線驅動訊號輸出
166．．．檢測切換訊號
167．．．第一資料線檢測切換開關
168．．．第二資料線檢測切換開關
169．．．第三資料線檢測切換開關
170．．．第四資料線檢測切換開關
171．．．第一資料線及檢測線
172．．．第二資料線及檢測線
173．．．第三資料線及檢測線
174．．．第四資料線及檢測線
175．．．RGB切換控制機構
176．．．R顯示檢測選擇訊號
177．．．G顯示檢測選擇訊號
178．．．B顯示檢測選擇訊號
179．．．第R顯示檢測共用線
180．．．第一G顯示檢測共用線
181．．．第一B顯示檢測共用線
182．．．第二R顯示檢測共用線
183．．．電流對電壓第二特性
184．．．恆定電流施加時第二電壓
185．．．高溫檢測第二電壓
圖1係表示本發明之圖像顯示裝置之一實施形態的圖，且表示自發光元件顯示裝置。
圖2係表示圖1所示之顯示及檢測控制部之內部構成之一實施形態的圖。
圖3係表示圖1所示之自發光元件顯示器之內部構成之一實施形態的圖。
圖4係表示圖1所示之殘像檢測及位置判別機構之內部構成之一實施形態的圖。
圖5(a)、(b)係表示圖1所示之自發光顯示器中產生殘像之情形之表現例的說明圖。
圖6係表示圖3所示之有機EL元件之檢測特性之一例的圖表。
圖7係表示圖5所示之同一水平線上之各像素於施加恆定電流時之電壓的圖。
圖8係表示圖6所示之有機EL元件之檢測特性於高溫時之變動的圖。
圖9係表示圖7所示之同一水平線上之像素於施加恆定電流時之電壓在高溫時之變動的圖。
圖10係表示A/D轉換時之標準電壓設定之一例的說明圖。
圖11係表示圖4所示之A/D轉換器之內部構成之一實施形態的圖。
圖12(a)、(b)係用以說明圖11所示之A/D轉換器之動作的圖。
圖13係表示圖6所示之有機EL元件之檢測特性於高溫時之變動表現出與圖8所示者不同之特性的圖。
圖14係表示圖7所示之同一水平線上之像素於施加恆定電流時之電壓在高溫時之變動表現出與圖9所示者不同之特性的圖。
圖15係表示A/D轉換之標準電壓設定之交換時之特性表現出與圖10所示者不同之特性的圖。
圖16(a)、(b)係表示圖11所示之A/D轉換器之動作於高溫時之變動表現出與圖12所示者不同之特性之實施態樣的圖。
圖17係表示本發明之圖像顯示裝置之其他實施形態的圖。
圖18係表示圖17所示之資料線驅動及殘像位置判別機構之內部構成之一實施形態的圖。
圖19係表示圖17所示之資料線及檢測線為共用之自發光元件顯示器之內部構成之一實施形態的圖。
22．．．殘像檢測結果
35．．．水平檢測開始訊號
78．．．檢測輸出線
84．．．A/D轉換器
108．．．第1比較器
109．．．第2比較器
110．．．第3比較器
111．．．第4比較器
112．．．第5比較器
113．．．第6比較器
114．．．第7比較器
115．．．第1比較電壓
116．．．第2比較電壓
117．．．第3比較電壓
118．．．第4比較電壓
119．．．第5比較電壓
120．．．第6比較電壓
121．．．第7比較電壓
122．．．第1比較結果
123．．．第2比較結果
124．．．第3比較結果
125．．．第4比較結果
126．．．第5比較結果
127．．．第6比較結果
128．．．第7比較結果
129．．．第1分壓電阻
130．．．第2分壓電阻
131．．．第3分壓電阻
132．．．第4分壓電阻
133．．．第5分壓電阻
134．．．第6分壓電阻
135．．．第7分壓電阻
136．．．第8分壓電阻
137．．．7至3解碼器
138．．．數位第3位元輸出
139．．．數位第2位元輸出
140．．．數位第1位元輸出
141．．．參考電壓控制機構
142．．．殘像檢測時之參考電壓
143．．．上參考電壓生成機構
144．．．殘像檢測時之上參考電壓
145．．．下參考電壓生成機構
146．．．殘像檢測時之下參考電壓
147．．．檢測時序控制機構
148．．．檢測切換訊號
149．．．溫度檢測時之上參考電壓
150．．．溫度檢測時之下參考電壓
151．．．上參考電壓切換機構
152．．．下參考電壓切換機構
153．．．上參考電壓
154．．．下參考電壓

Claims (16)

  1. 一種圖像顯示裝置，其特徵在於：其係包含包括複數個顯示元件之顯示部、對該顯示部輸入顯示訊號電壓之訊號線、及控制該顯示訊號電壓之顯示控制部；且包含：檢測用電源；切換開關，其係使該檢測用電源之電流流至上述顯示元件；檢測電路，其係檢測流至上述顯示元件之電流；及檢測資訊儲存電路，其係儲存由該檢測電路所檢測出之資訊並根據該資訊校正上述顯示訊號電壓；上述檢測電路構成為：於根據第1標準電壓設定第1電流測定範圍並進行電流檢測後，反饋所檢測出之電流量，藉此根據與上述第1標準電壓不同之第2標準電壓設定第2電流測定範圍並進行電流檢測，對1群顯示元件進行溫度檢測，基於上述1群顯示元件之溫度檢測結果決定上述第2標準電壓，將根據殘像檢測所檢測之資訊輸出至上述檢測資訊儲存電路。
  2. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述切換開關於一顯示期間中之與輸出該顯示訊號電壓之期間不同之期間，連接上述檢測用電源與上述顯示元件。
  3. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述檢測用電源為恆定電流源。
  4. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述檢測電路判別劣化元件之位準，上述檢測資訊儲存電路儲存一畫面份量 之劣化元件之狀態。
  5. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述顯示控制電路校正輸入至上述劣化元件之顯示資料。
  6. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中設有交換開關，其係於上述顯示訊號電壓之供給，將負責紅、綠、藍之各訊號分時供給至上述顯示部內。
  7. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度相同。
  8. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度不同。
  9. 一種圖像顯示裝置，其特徵在於：其係包含包括複數個顯示元件之顯示部、對該顯示部輸入顯示訊號電壓之資料訊號線、及控制該顯示訊號電壓之顯示控制部；且包含：檢測用電源；切換開關，其係使該檢測用電源之電流經由檢測訊號線而流至上述顯示元件；檢測電路，其係檢測流至上述顯示元件之電流；及檢測資訊儲存電路，其係儲存由該檢測電路所檢測出之資訊並根據該資訊校正上述顯示訊號電壓；上述資料訊號線及上述檢測訊號線包含由切換電路所切換之共用訊號線；上述檢測電路構成為：於根據第1標準電壓設定第1電流測定範圍並進行電流檢測後，反饋所檢測出之電流量，藉此根據與上述第1標準電壓不同之第2標準電壓設定第2電流測定範圍並進行電流檢測， 對1群顯示元件進行溫度檢測，基於上述1群顯示元件之溫度檢測結果決定上述第2標準電壓，將根據殘像檢測所檢測之資訊輸出至上述檢測資訊儲存電路。
  10. 如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述切換開關於一顯示期間中之與輸出該顯示訊號電壓之期間不同之期間，連接上述檢測用電源與上述顯示元件。
  11. 如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述檢測用電源為恆定電流源。
  12. 如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述檢測電路判別劣化元件之位準，上述檢測資訊儲存電路儲存一畫面份量之劣化元件之狀態。
  13. 如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述顯示控制電路校正輸入至上述劣化元件之顯示資料。
  14. 如請求項9之圖像顯示裝置，其中設有交換開關，其係於上述顯示訊號電壓之供給，將負責紅、綠、藍之各訊號分時供給至上述顯示部內。
  15. 如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度相同。
  16. 如請求項9之圖像顯示裝置，其中上述第1電流測定範圍之幅度與第2電流測定範圍之幅度不同。
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