TWI427815B - 半導體發光裝置的互連 - Google Patents

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Paul S Martin
Daniel A Steigerwald
Decai Sun
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Philips Lumileds Lighting Co
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Description

半導體發光裝置的互連
本發明係關於將半導體發光裝置附裝至其他結構之方法。
半導體發光裝置係當前可用之最有效的光源之一，其包括發光二極體(LED)、諧振腔發光二極體(RCLED)、垂直腔雷射二極體(VCSEL)、及邊射型雷射器。於能在可見光譜上運作之高亮度發光裝置之製造中，人們當前所感興趣的材料系統包括III－V族半導體。舉例而言，鎵、鋁、銦、氮、磷、及砷之二元、三元及四元合金。III－V族裝置可發出可見光譜上的光。以GaAs及GaP為主之裝置通常用來發出波長較長的光，例如黃至紅光，而III族裝置通常用來發出波長較短的光，例如，近UV至綠光。
圖1圖解闡釋一詳述於美國專利5,777,433中之一以GaAs或GaP為主的先前技術封裝。LED 10包括一由一封裝11所囊封之半導體LED晶片12，該封裝通常為熱固性材料，例如，環氧樹脂或熱塑性材料。LED晶片12中之一p－n接面13產生光。一對電觸點15及16連接至LED晶片12，觸點16係藉由一銲線(wire bond)14連接至晶片12，而觸點15係藉由(例如)環氧樹脂連接至晶片12。連接LED晶片12至觸點15之環氧樹脂使得裝置僅適合於低溫應用，此乃因環氧樹脂通常會因忍受高溫而降解。另外，環氧樹脂具有甚高之熱阻，因此圖1之設計僅為逃逸LED晶片12的熱設置高阻路徑從而使裝置10侷限於低功率應用。
隨著開發出能以高功率運作之半導體發光裝置，故需要可忍受更高熱量且可更高效地自該報道體裝置移除熱之新型封裝。圖2及3圖解闡釋一覆晶型III族氮化物裝置之剖視圖及平面視圖，該覆晶型III族氮化物裝置詳細闡述於以引用方式併入本文之美國專利6,486,499中。圖2及3裝置係一種自p－n接面至燈封裝之熱阻率被減小之大面積(例如，>400×400 μm2 )LED。圖2及3之裝置使用一倒裝結構，該倒裝結構採用一低電阻率、不透明、高反射之p電極。
於圖2所示之剖視圖中，該裝置包括一由n型和未摻雜層11及p－型層12構成之III族氮化物磊晶異質結構，n型和未摻雜層11及p－型層12各自與一作用區域13接觸。視需要，將III族氮化物層11附裝至一透明基板10。基板10可係用於沈積III族氮化物層之生長基板。於圖3中所示之LED晶粒底部之平面視圖中，n電極22包括若干插入p電極金屬化部分20之「手指」以在整個裝置內擴散電流。由於一高反射之厚p電極金屬化部分20的緣故，可透過透明基板10自裝置取出光。該等電極金屬化部分經由互連60連接至位於子基台基板50上之子基台電極52。該等互連在LED與該子基台之間達成電連接的同時提供作業期間自LED移除熱之熱路徑。該等互連可由如下製成：位於LED晶粒與子基台之間之元素金屬、金屬合金、半導體金屬合金、銲料、導熱及導電塗料或化合物(例如，環氧樹脂)、異金屬之間的共晶接點(例如，Pd－In－Pd)、Au柱形凸塊、或銲料凸塊。
該等互連經由導電界面41、54附裝至LED及子基台。當銲料用作該互連時，該等導電界面係可濕潤金屬。應用製程最初係決定該互連之厚度及面積。一個可應用技術係網板印刷製程，其中將塗料施加至子基台晶圓或LED上之選定區域。其他技術包括電鍍、剝離、及軟熔(reflow)。對於一將銲料用作該互連之實施例，該最終互連之厚度及面積係由LED晶粒上及次基台上之銲料54體積以及可潤濕金屬41來決定。LED上之可銲區域係經由圖案化潤濕金屬來界定，或經由一設置於LED晶粒上之圖案化介電鈍化層42中之通路來界定。介電鈍化層42擔當p與n電極之間之一電絕緣層，且由於銲料層60延伸跨過p及n電極兩者故需要介電鈍化層42。類似地，次基台上之可銲區域係藉由圖案化可銲金屬54或藉由設置一介電層51來界定。可將第二組可銲金屬層55沈積於子基台之背部以附裝至該封裝之剩餘部分。視需要，可將一適合之銲料直接沈積於該子基台之背部。接面與封裝之熱阻很大程度上由晶粒/子基台之銲點及子基台材料和幾何形狀來決定。因此，合意之情形係用銲料覆蓋LED晶粒之整個表面。此不可能達到，此乃因LED之p與n電極區域之間需要電絕緣。同樣，n與p可銲金屬之間之間隙寬度必須慮及附裝至子基台之晶粒的公差。儘管如此，圖3之裝置仍提供約85%之銲料覆蓋範圍(其被界定為可銲金屬區域41相對於p電極區域20之比率)。
如圖1中所示之裝置，圖2及3中所示之裝置同樣具有有限之溫度作業，此乃因其侷限於銲料層60熔點以下之作業條件。舉例而言，諸如共晶SnPb及共晶AuSn之典型銲料分別侷限於183℃與280℃之運作溫度。同樣，將半導體裝置附裝至圖2中所示之子基台通常涉及藉由將半導體裝置及子基台快速加熱至該銲料熔點以上之溫度來軟熔銲料層60。該製程可能由於引入熱應力而損壞該半導體裝置。進一步，銲料通常係合金且通常包含Sn。合金通常具有比純金屬差之導熱性，且於高溫下，Sn可損壞附裝至半導體層之金屬電極。
此項技術中需要可提供低熱阻、促進高溫作業、不需要諸如高處理溫度之應力處理條件且不昂貴並易於製造之封裝連接設計及附裝技術。
本發明實施例教示安裝一半導體發光裝置之方法，該半導體發光裝置包括一設置於一n型區域與一p型區域之間之發光層及若干電連接至n型區域及p型區域之觸點。將一金屬層電鍍於一形成於基台上之金屬層上或電鍍於一形成於一個裝置觸點上之金屬層上。然後，藉由使該裝置振動、藉由對該裝置施加熱、且/或藉由對該裝置施加壓力從而導致金屬層接觸表面間之交互擴散，由此將該半導體發光裝置實體連接至該基台。於一些實施例中，係將一銲料層形成於電鍍金屬層上，然後藉由加熱該銲料將該半導體發光裝置實體連接至該基台。
根據本發明之互連可經受高運作溫度而可減少降解或失效，可藉由覆蓋大部分薄區域且藉由使用導熱金屬有利地降低該裝置與該基台間連接之熱阻及電阻，可達成低廉之大量製造，且可改良裝置之可靠性且減少裝置由於應力導致半導體層破裂而引起失效的頻率。
圖4圖解闡釋一附裝至一基台之覆晶發光裝置。該覆晶裝置包括一附裝至半導體裝置層74之基板73，該等半導體裝置層包括至少一個設置於一n型區域與一p型區域之間之發光或作用層。n型觸點71及p型觸點72電連接至半導體結構74之n及p型區域。半導體結構74藉由數個金屬與金屬互連75a－75e並經由觸點71及72連接至基台70。基台70可係包括(例如)如下材料在內之任一適合材料：金屬(例如，銅)、半導體(例如，矽)、或複合式基台(例如，印刷電路板及金屬核心印刷電路板)。
金屬互連75a－75e通常為Al、Au、Cu、或Ni。該等互連係於一柱形凸塊形成製程中形成，其中在每一互連之地點處將若干金屬層(未顯示)形成於基台70及觸點71和72兩者上。藉由用一毛細管饋入一金屬絲並將該絲暴露於一使該絲之一部分熔化成金屬球之靜電放電，將一互連金屬球形成於基台70或觸點71及72上之每一薄金屬層上。然後，將該半導體裝置定位於基台70上，且將超聲波熱能(thermosonic energy)施加至該裝置及該基台，以於該等薄金屬層與該互連金屬球之間達成一原子級之金屬與金屬間交互擴散，以致該兩個薄金屬層與該互連金屬球之間通常沒有可辨識界面。該金屬與金屬之互連導致一在冶金學上均勻之接合點，允許所完成之裝置在高溫下運作，且可以相對低之處理溫度來形成。
圖9中圖解闡釋熱超音波接合(thermosonic bonding)。半導體裝置95定位於一基台70上。一個或多個金屬互連97形成於裝置95與基台70之一者或兩者上。接合頭92定位於半導體裝置95之頂表面上，在一III族氮化物裝置生長於藍寶石上之情形下接合頭92通常定位於藍寶石生長基板之頂表面上。接合頭92連接至一超聲波換能器(ultrasonic transducer)90。超聲波換能器90可(例如)係一由鋯鈦酸鉛(PZT)層構成之堆疊。當以一使系統諧振之頻率(通常係一約數十或數百kHz之頻率)施加電壓V至換能器90時，換能器90開始振動，換能器90亦使接合頭92及裝置95振動，通常係以微米數量級之振幅94振動。該振動使互連97金屬晶格內之原子交互擴散，從而導致一在冶金學上均勻之接合點。
於一些實施例中，圖9中所示之製程可在一介於150與200℃之間之溫度下發生，該溫度係一較低之溫度且因此較一些先前技術中所需之處理溫度造成較少的損害。於一些實施例中，係將(例如)約100牛頓/平方毫米互連面積之壓力施加至接合頭92之頂部。
圖4中所示金屬與金屬互連之一個缺點係：上述柱形凸塊形成製程係以一系列步驟一次一個的方式來形成互連75a－75e。該種系列步驟耗費時間且因此對於大量製造係昂貴。同樣，個別互連之所佔面積侷限於大致圓形之凸塊，且必須間隔開該等凸塊以避免重疊及個別互連間之干擾。重疊或相互干擾之互連可導致機械強度弱且熱性質差之連接。使用圓形、間隔開之凸塊限制接觸面積，從而非所要地增加該半導體裝置與該基台之間之連接的熱阻。
根據本發明之實施例，提供包括大面積金屬與金屬互連之裝置。圖5圖解闡釋本發明之一第一實施例。一種較圖4所示圓形凸塊更為廣闊之金屬與金屬互連係藉由以下步驟形成：首先，在基台70及觸點71和72上形成薄的金屬層，然後將該等薄金屬以微影之方式圖案化成該合意之佈置從而導致呈合意形狀之薄金屬區域。於圖5中，該等薄金屬區域係位於觸點71及72上之區域76a及77a，且係位於基台70上之76b及77b。觸點71及72可包括數個用於不同目的之金屬層，例如，觸點71及72可包括一個或多個歐姆層、反射層、保護金屬層及銲接層。薄金屬區域76a及77a可係一多層接觸結構之部分，或可將其額外添加至形成觸點71及72之其他金屬層。換言之，薄金屬區域76a及77a除了促進形成互連之外還可用於一個目的，例如，保護該觸點內之另一金屬層或提供一反射器，或可僅施加薄金屬區域76a及77a來形成互連。類似地，位於基台70上之薄金屬區域76b及77b可係一多層接觸結構之部分或額外地形成至一接觸結構。
藉由習用微影技術來圖案化薄金屬區域76a、76b、77a、及77b可在形狀及互連佈局方面達成很大的靈活性，並且可達成比圖4中所示圓形凸塊更高程度之凖確性及解析度。該等互連之形狀及佈局取決於半導體裝置上之n型及p型觸點之佈置。一般而言，合意之情形係最大化基台70與n型及p型觸點71和72之間之橫向廣度以減小該半導體裝置與該基台之間界面之熱阻及電阻。該等互連之面積與半導體結構74之面積較佳地為至少20%，更佳地為至少30%，更佳地為至少40%，更佳地為至少60%，且更佳地為至少80%。圖7及8圖解闡釋基台70上之金屬層76b及77b之佈置，該等佈置與圖3中所示之III族氮化物覆晶型發光裝置相一致。於圖7所示之基台中，該等互連面積與該等裝置觸點面積之比率為約40%；於圖8中所示之基台內，該比率為約60%。替代一如圖8中所示之單一連續互連，使用多個由區域62(其中沒有圖7中所示互連)所分離之互連可係有利，此乃因需要更少之互連材料從而可減小成本。另外，當該互連材料於熱超音波接合製程期間具有橫向擴展之空間時，圖9中所示之超聲波熱製程可導致一更強之銲接。同樣，一單一、連續之互連所導致的銲接越堅硬，則可能會導致較一具有多個互連之裝置中更多之應力施加至該半導體發光裝置。
在圖案化薄金屬區域76a、77a、76b、及77b之後，將延性厚金屬層78及79電鍍於基台70或觸點71及72上，因此電鍍於區域76a及77a或區域76a及77b上。金屬層78及79經選擇具有延性、具有高導熱及導電性、且具有適度之抗氧化性。舉例而言，金屬層78及79可係：Au，其具有良好之導熱性且不昂貴；Cu，其較Au具有更好之導熱性；Ni或Al，其較Au或Cu更為便宜。依據所使用之金屬，金屬層78及79與半導體結構74之間可包含障壁層以保護該等半導體層以便被金屬層78及79污染，或金屬層78及79與基台70之間可包含障壁層以保護該基台以免被金屬層78及79污染。於一些實施例中，厚金屬層78及79與其上電鍍有該等厚金屬層之薄金屬層係同一材料。於其他實施例中，厚金屬層78及79係不同之材料。舉例而言，某些或所有薄金屬區域76a、77a、76b、及77b可係Au，而厚金屬層78及79可係Al。
金屬層78及79係如下電鍍於基台70或觸點71及72上。首先，藉由(例如)濺鍍將一薄金屬晶種層(例如，100－500奈米之Ti或TiW)沈積於待電鍍之整個晶圓表面上。該晶種層在該表面上形成一電鍍所必需之連續導電層。然後，施加光阻劑並使其圖案化，以便電鍍僅發生於既定表面上。舉例而言，自金屬區域76b及77b之表面移除光阻劑，而保留該等金屬區域間之區域內的光阻劑以防止該等金屬區域間之區域內發生電鍍。然後，將該晶圓浸入一適宜之電鍍槽內且將厚金屬層78及79電鍍於該晶圓上。自該槽移除該晶圓，剝離該剩餘光阻劑，且將該晶圓浸入一溶液內以剝離位於該剩餘光阻劑被剝離之區域下方之晶種層。於一些實施例中，可藉由除電鍍以外之製程(例如，蒸鍍)來形成厚金屬層78及79。
金屬層78及79可介於1與50微米厚且通常介於5與20微米厚。該等互連之厚度係藉由控制該等電鍍條件來控制。一般而言，係儘可能快地電鍍金屬層78及79以減少處理時間及成本。然而，通常當快速地電鍍一金屬層(例如，金)時，所獲得的層會非常硬，可能在圖9中所示之超聲波熱製程中難於接合該層。相應地，於一些實施例中，在電鍍之後，會在(例如)小於350℃之溫度下退火金屬層78及79達約1小時以使其軟化。於該等實施例中，可將金屬層78及79形成於基台70上，基台70較半導體結構74更能忍受退火條件。儘管較厚的層可提供一更為可靠之連接，但較薄的層78及79係合意，此乃因其通常較不昂貴且更易於形成。金屬層78及79較圖1－4裝置中之互連可提供一更為依從之互連，此可減少該半導體結構中由於(例如)加熱及冷卻循環所引起之應力量。該應力會引起可消弱效能或導致裝置失效之破裂。形成愈厚之層78及79，提供愈多之應力釋放。
在形成圖案化薄金屬層76a、77a、76b及77b及厚延性層78及79之後，將半導體裝置定位於基台70上且藉由任一導致薄金屬層76a、77a、76b及77b與厚金屬層78及79之間交互擴散之製程來結合該裝置及該基台。適合製程之實例包括上文參照圖9闡述之超聲波熱製程及熱壓縮接合，其中將該裝置及基台加熱至(例如)一介於150與600℃(通常300至600℃)之間之溫度，且於(例如)一介於100與200牛頓/平方毫米互連面積之壓力下將其擠壓在一起。
圖6圖解闡釋本發明之一替代實施例。於圖6之裝置中，薄銲料層84及85形成於厚延性金屬層78及79上。銲料層84及85可係(例如)形成厚度介於3與5微米之間之共晶AuSn銲料。另一選擇係，銲料層84及85可係一形成於Au層78及79上之薄Sn帽層。例如，可藉由電鍍或藉由蒸鍍來形成銲料層84及85。然後，將該半導體裝置定位於子基台70上，並藉由於(例如)一大於280℃之溫度下軟熔銲料層84及85而將其結合至子基台70。
以上實施例中所述之互連可提供數個優點。首先，該等互連可經受高運作溫度而不會降解(degrading)或崩解(disintegrating)，且於一些實施例中，不存在於高運作溫度下可能會污染該等裝置觸點之Sn。其次，與上述柱形凸塊形成製程相比，上述方法可形成覆蓋該裝置層較大面積之互連。使用較大面積之互連可有利地降低該等互連之熱阻及電阻。第三，薄金屬層之沈積及微影圖案化及厚金屬層之電鍍係成批處理之製程，該成批處理之製程較形成圖4中所示之柱形凸塊所需之一系列製程耗費更少之時間且因此較不昂貴。第四，厚依從延性層可減少該半導體裝置中之應力，從而潛在地改良裝置之可靠性且減少由於應力導致半導體層破裂而引起裝置失效之頻率。第五，該等互連可由諸如Au及Cu等純金屬而並非諸如銲料等合金來形成。純金屬較合金通常具有更好之導電性。第六，上述互連可比先前技術互連中所使用之銲料層薄。使用較薄之互連可有利地降低該等互連之熱阻及電阻。
儘管上文詳細地闡述了本發明，但熟悉此項技術者應瞭解，在本發明揭示內容之前提下可對本發明作出若干修改，此並不違背本文所述本發明概念之精神。因此，本發明並非意欲將本發明範圍限定於所圖解及闡述之具體實施例。
10．．．LED
11．．．封裝
12．．．半導體LED晶片
13．．．p－n接面
14．．．銲線
15．．．電觸點
16．．．電觸點
20．．．p電極金屬化部分
22．．．n電極
41．．．導電界面
42．．．介電鈍化層
50．．．子基台基板
51．．．介電層
52．．．子基台電極
54．．．導電界面
55．．．可銲金屬層
60．．．銲料層
62．．．區域
70．．．基台
71．．．觸點
72．．．觸點
73．．．基板
74．．．半導體裝置層
75a．．．互連
75b．．．互連
75c．．．互連
75d．．．互連
75e．．．互連
76．．．區域
76a．．．區域
76b．．．薄金屬區域
77．．．薄金屬層
77a．．．薄金屬層
77b．．．薄金屬層
78．．．厚延性層
79．．．厚延性層
84．．．薄銲料層
85．．．薄銲料層
90．．．超聲波換能器
92．．．接合頭
94．．．振幅
95．．．半導體裝置
97．．．金屬互連
圖1圖解闡釋一先前技術之封裝發光裝置。
圖2係一先前技術之安裝於一基台上之覆晶型發光裝置之剖視圖。
圖3係一先前技術之發光裝置之平面視圖。
圖4圖解闡釋一藉由金屬與金屬互連附裝至一基台之覆晶型發光裝置。
圖5圖解闡釋一根據本發明一實施例之裝置。
圖6圖解闡釋一根據本發明一替代實施例之裝置。
圖7及8圖解闡釋根據本發明實施例之一諸如圖3所示裝置之互連設計。
圖9圖解闡釋一熱超音波接合設備。
70．．．基台
71．．．觸點
72．．．觸點
73．．．基板
74．．．半導體裝置層
76a．．．薄金屬區域
76b．．．薄金屬區域
77a．．．薄金屬層
77b．．．薄金屬層
78．．．厚延性層
79．．．厚延性層

Claims (35)

  1. 一種半導體製造方法，其包括：提供一半導體發光裝置，該半導體發光裝置包括：一設置於一n型區域與一p型區域之間之發光層；電連接至該n型區域及該p型區域之複數個觸點(contacts)；及一形成於該等觸點中之一者上之第一金屬層；提供一基台，該基台包括：一形成於該基台上之第二金屬層；及一電鍍於該第二金屬層上之第三金屬層；及藉由致使該等第一、第二及第三金屬層交互擴散(interdiffusion)，將該半導體發光裝置實體連接至該基台；其中該第三金屬層具有該半導體發光裝置之一面積的至少20%之橫向延伸(lateral extent)。
  2. 如請求項1之方法，其中致使交互擴散包括使該半導體發光裝置振動。
  3. 如請求項1之方法，其中該等第一及第二金屬各自包括Au、Cu、Ni、及Al。
  4. 如請求項1之方法，其中該第三金屬包括Au、Cu、Ni、及Al中之一者。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包括微影圖案化該等第一及第二金屬層以形成預定之形狀。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包括在電鍍之後退火該第 三金屬層。
  7. 如請求項1之方法，其中致使交互擴散包括提供一介於150與600℃之間之環境溫度。
  8. 如請求項1之方法，致使交互擴散包括對該半導體發光裝置施加壓力。
  9. 如請求項1之方法，其中該第三金屬層之一厚度介於1與50微米之間。
  10. 如請求項1之方法，其中該第三金屬層之一厚度介於5與20微米之間。
  11. 如請求項1之方法，其中該第三金屬層具有一為該半導體發光裝置之一面積的至少30%之橫向延伸。
  12. 如請求項1之方法，其中該第三金屬層具有一為該半導體發光裝置之一面積的至少40%之橫向延伸。
  13. 一種半導體製造方法，其包括：提供一半導體發光裝置，該半導體發光裝置包括：一設置於一n型區域與一p型區域之間之發光層；及電連接至該n型區域及該p型區域之複數個觸點；在該等觸點中之一者上形成一第一金屬層；將一第二金屬層電鍍於該第一金屬層上；提供一基台，該基台包括一形成於該基台上之第三金屬層；及藉由致使該等第一、第二、第三金屬層交互擴散，將該半導體發光裝置實體連接至該基台；其中該第二金屬層具有該半導體發光裝置之一面積的 至少20%之橫向延伸。
  14. 如請求項13之方法，其中該等第一及第三金屬各自包括Au、Cu、Ni、及Al中之一者。
  15. 如請求項13之方法，其中該二金屬包括Au、Cu、Ni、及Al中之一者。
  16. 如請求項13之方法，其中致使交互擴散包括使該半導體發光裝置振動。
  17. 如請求項13之方法，其中致使交互擴散包括提供一介於150與600℃之間之環境溫度。
  18. 如請求項13之方法，致使交互擴散包括對該半導體發光裝置施加壓力。
  19. 如請求項13之方法，其中該第二金屬層之一厚度介於1與50微米之間。
  20. 如請求項13之方法，其中該第二金屬層之一厚度介於5與20微米之間。
  21. 一種半導體製造方法，其包括：提供一半導體發光裝置，該半導體發光裝置包括：一設置於一n型區域與一p型區域之間之發光層；及電連接至該n型區域及該p型區域之複數個觸點；在該等觸點中之一者上形成一第一金屬層；將一第二金屬層電鍍於該第一金屬層上；提供一基台；將一銲料層形成於該第二金屬層上；及藉由加熱該銲料層將該半導體發光裝置實體連接至該 基台。
  22. 如請求項21之方法，其中該銲料層包括Au及Sn中之一者。
  23. 如請求項21之方法，其中該銲料層之一厚度介於3與5微米之間。
  24. 如請求項21之方法，其中該第二金屬層具有一為該半導體發光裝置之一面積的至少20%之橫向延伸。
  25. 一種半導體製造方法，其包括：提供一半導體發光裝置，該半導體發光裝置包括：一設置於一n型區域與一p型區域之間之發光層；及電連接至該n型區域及該p型區域之複數個觸點；提供一基台，該基台包括：一形成於該基台上之第一金屬層；一電鍍於該第一金屬層上之第二金屬層；將一銲料層形成於該第二金屬層上；及藉由加熱該銲料層將該半導體發光裝置實體連接至該基台。
  26. 如請求項25之方法，其中該銲料層包括Au及Sn中之一者。
  27. 如請求項25之方法，其中該銲料層之一厚度介於3與5微米之間。
  28. 如請求項25之方法，其中該第二金屬層具有一為該半導體發光裝置之一面積的至少20%之橫向延伸。
  29. 一種半導體結構，其包括一藉由至少一個互連而連接至 一基台之半導體發光裝置，其中：所有互連之一總橫向延伸為該半導體發光裝置之一面積之至少20%；及該互連係Au及Cu中之一者。
  30. 如請求項29之結構，其中：該半導體發光裝置包括：一設置於一n型區域與一p型區域之間之III族氮化物發光層；電連接至該n型區域及該p型區域之複數個觸點；及一形成於該等觸點中之一者上之第一金屬層；該基台包括一第二金屬層；及該至少一個互連設置於該第一金屬層與該第二金屬層之間。
  31. 如請求項30之結構，其中：電連接至該n型區域及該p型區域之該等觸點皆形成該裝置之一底側上；且來自該發光層的光透過該裝置之一頂側逃逸出該裝置。
  32. 如請求項30之結構，其中該至少一個互連之一厚度介於1與50微米之間。
  33. 如請求項30之結構，其中該至少一個互連之一厚度介於5與20微米之間。
  34. 如請求項30之結構，其中所有互連之該總橫向延伸為該半導體發光裝置之一面積之至少30%。
  35. 如請求項30之結構，其中所有互連之該總橫向延伸為該半導體發光裝置之一面積之至少40%。
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