TWI426995B - Copper or copper alloy foil, and a method of manufacturing both sides of a copper-clad laminate using the copper or copper alloy foil - Google Patents

Copper or copper alloy foil, and a method of manufacturing both sides of a copper-clad laminate using the copper or copper alloy foil Download PDF

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Description

銅或銅合金箔、及使用該銅或銅合金箔之兩面覆銅積層板之製造方法
本發明係關於一種適用於例如用於可撓性配線板(FPC，Flexible Printed Circuit)之於樹脂層之兩面積層銅或銅合金箔而成之兩面覆銅積層板的銅或銅合金箔、及使用該銅或銅合金箔之兩面覆銅積層板之製造方法。
可撓性配線板(FPC)中所使用之覆銅積層板(CCL)，可使用於樹脂層之單面積層銅箔而成之單面覆銅積層板、及於樹脂層之兩面積層銅箔而成之兩面覆銅積層板(以下稱為「兩面CCL」)。於兩面CCL上形成電路者為兩面可撓性配線板，其容易實現電路之精細化、FPC之省空間化，因此兩面CCL之使用有增加的傾向。
此種兩面CCL之製造方法，已知有於銅箔之單面澆鑄樹脂組成物之清漆並進行加熱硬化後，於樹脂面熱壓接其他銅箔之方法(專利文獻1)。又，有如下等方法：於兩面具有熱塑性聚醯亞胺層之聚醯亞胺膜之表面與背面，同時熱壓接銅箔；於具有熱塑性聚醯亞胺層之聚醯亞胺膜之單面熱壓接銅箔之後，於與銅箔相反側之聚醯亞胺膜面塗佈熱塑性聚醯亞胺層，並於該面熱壓接其他銅箔；於銅箔之單面澆鑄聚醯亞胺之前驅物即清漆，並進行硬化後，於與銅箔相反側之樹脂表面形成熱塑性聚醯亞胺層，並且於該面熱壓接其他銅箔。
專利文獻1：日本特開平05-212824號公報
此處，若除去於樹脂層(上述聚醯亞胺膜等)之兩面同時層疊銅箔之情形，則會將最初與樹脂層積層之銅箔(第1銅箔)於最初積層時加熱至300℃以上之溫度，並暫時冷卻。進而，於之後在樹脂層之相反面積層其他銅箔(第2銅箔)時，亦同樣對第1銅箔進行再加熱並予以冷卻。
然而，當積層第2銅箔並進行加熱後將其冷卻時，有時與第1銅箔之長度方向平行地且通常於寬度方向中央位置產生皺褶或折痕。即便調整第2銅箔之積層條件或積層時之加熱條件(熱壓接條件、張力等)，亦難以完全消除該皺褶或折痕。並且，認為上述皺褶或折痕係於如下情形時產生：由於施加於第1銅箔及第2銅箔之積層時之受熱歷程不同，故因積層第2銅箔並進行加熱後將其冷卻時之溫度變化而導致夾持樹脂層而存在之兩銅箔之尺寸變化率不同，銅箔無法承受由此所產生之應力。
即，本發明係為解決上述課題而完成者，目的在於提供一種當用於兩面覆銅積層板時可抑制皺褶或折痕之銅或銅合金箔、及使用該銅或銅合金箔之兩面覆銅積層板之製造方法。
本發明人等進行各種研究之結果發現：於製造兩面CCL時，即便因施加於第1銅箔及第2銅箔之受熱歷程不同使兩箔產生尺寸變化之差，從而有應力產生於箔上，亦可藉由調整兩銅箔之特性，以使銅箔不翹曲(bucking)地抑制皺褶或折痕。
即，本發明之銅或銅合金箔係用於兩面覆銅積層板，且當σA =(EA ×ΔLA )/2×1000時，|10×σA |≦YSA ，彎曲次數為40萬次以上。
其中，EA ：將上述銅或銅合金箔於350℃保持30分鐘並冷卻至室溫後之寬度方向之楊式模數(單位為GPa)；ΔLA ：自室溫升溫至350℃並保持30分鐘後冷卻至室溫時之上述銅或銅合金箔之寬度方向上之尺寸變化率(單位為ppm，將收縮設為正值)；YSA ：拉伸試驗中之上述銅或銅合金箔之0.2%安全限應力(Proof stress)(單位為MPa)；彎曲次數：使用IPC滑動彎曲試驗機，將箔切成寬度方向為12.5mm、長度方向為200mm之帶狀並於350℃加熱處理0.5小時之後使用，彎曲半徑於箔厚度為18μm之情形時設為1.5mm、於箔厚度為12μm之情形時設為1mm，對試驗片負載每分鐘100次之反覆滑動，電阻自初始上升20%之彎曲次數亦終止的次數。
較佳為上述銅或銅合金箔均為壓延箔，最終冷軋加工度R(%)為93.0%以上，且最終退火後之平均結晶粒徑GS(μm)為GS≦3.08×R-260。
ΔLA 較佳為145ppm以下。
本發明之兩面覆銅積層板之製造方法具有：第1步驟，於上述銅或銅合金箔之單面形成樹脂層，而獲得單面覆銅積層板；及第2步驟，於上述單面覆銅積層板之上述樹脂層側積層其他上述銅或銅合金箔並進行加熱，而獲得兩面覆銅積層板。
根據本發明，於製造兩面覆銅積層板時可抑制皺褶或折痕。
以下，對使用本發明之實施形態之銅或銅合金箔的兩面覆銅積層板之製造方法進行說明。再者，於本發明中，所謂%，只要未作特別說明，則表示質量%(質量%)。圖1係表示兩面覆金屬積層板8之製造方法。
圖1中，首先連續捲出捲筒狀之第1銅或銅合金箔4，使用應用輥機(Application roller)10、11等，於所捲出之第1銅或銅合金箔4之單面以特定厚度連續塗佈清漆狀樹脂組成物2a。樹脂組成物2a於硬化後成為樹脂層2。繼而，將塗佈有樹脂組成物2a之第1銅或銅合金箔4導入至乾燥裝置15中，使樹脂組成物2a硬化(或半硬化)。如此，於第1銅或銅合金箔4之單面形成樹脂層，而獲得單面覆銅積層板(第1步驟)。此處，亦有時於第1步驟結束之後將該單面覆銅積層板捲繞成捲筒狀，再進行至第2步驟。再者，係於第1銅或銅合金箔4之單面形成樹脂層時進行加熱，但除於塗佈上述樹脂組成物之後進行加熱以外，例如亦可將如樹脂膜般已成為樹脂層者熱壓接於第1銅或銅合金箔4之單面。又，通常第1步驟中之加熱溫度成為第2步驟中之加熱溫度以上之溫度。繼而，連續捲出捲筒狀之第2銅或銅合金箔6，於加熱至例如350～400℃之層疊輥20、21之間連續通過第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6。此時，於第1銅或銅合金箔4之樹脂層2側積層第2銅或銅合金箔6並進行加熱，而獲得兩面覆銅積層板8(第2步驟)。將兩面覆銅積層板8適當捲繞成捲筒。
並且，如圖2所示，兩面覆銅積層板8係於第1銅或銅合金箔4之樹脂層2側積層第2銅或銅合金箔6而構成。
第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6例如可舉出：純銅、精銅(JIS-1100)、無氧銅(JIS-1020)或於該等純銅、精銅、無氧銅中添加合計為40～400質量ppm之Sn及/或Ag者。可將第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6之厚度設為例如6～18μm左右。第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6使用相同者。第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6可為壓延箔，亦可為電解箔。
樹脂層2可使用聚醯亞胺、PET(聚對酞酸乙二酯)、環氧樹脂、酚樹脂等熱固性樹脂；飽和聚酯樹脂等熱塑性樹脂，但並不限定於該等樹脂。又，亦可將溶劑中溶解有該等樹脂層之成分之清漆(例如聚醯亞胺之前驅物之聚醯胺酸溶液)塗佈於第1銅或銅合金箔4之單面並進行加熱，藉此去除溶劑，使反應(例如醯亞胺化反應)進行而使其硬化。可將樹脂層2之厚度設為例如1～15μm左右。
其次，對本發明之特徵部分即第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6之特性進行說明。
以下，表示當於第1銅或銅合金箔4之單面形成樹脂層之後，積層第2銅或銅合金箔6而製造兩面CCL時，由於夾持樹脂之兩片銅或銅合金箔4、6之尺寸變化之差而產生之應力。
首先，於在溫度T1 (T1 為積層第2銅或銅合金箔6時之加熱溫度)下積層為兩面CCL後冷卻至T2 為止之情形時，施加於第1銅或銅合金箔4之應力σA 係以下述式1所表示：
σA =EA ×EB /(EA +EB )×(αB ×(T1 -T2 )+ΔLB -(αA ×(T1 -T2 )+ΔLA ))×1000　(1)。再者，尺寸變化Δ係將收縮設為正，且為寬度方向(自銅或銅合金箔之捲筒連續地製造CCL時之捲筒寬度方向)之變化。
此處，用於CCL之銅或銅合金箔為近似於純銅者，因此即便稍微含有添加成分，亦可將熱膨脹係數α(下標A、B分別表示第1銅或銅合金箔4、第2銅或銅合金箔6)視為相同(αA ≒αB )。因此，式1係以下述式2所表示：σA =EA ×EB /(EA +EB )×(ΔLA -ΔLB )×1000　(2)。
其中，EA ：將上述第1銅或銅合金箔於350℃保持30分鐘並冷卻至室溫之後，再次於350℃保持30分鐘並冷卻至室溫之第1受熱歷程中，上述第1銅或銅合金箔之寬度方向上之楊式模數(單位為GPa)；EB ：由將上述第2銅或銅合金箔於350℃保持30分鐘並冷卻至室溫之第2受熱歷程所產生之上述第2銅或銅合金箔之寬度方向上之楊式模數(單位為GPa)；ΔLA ：以自室溫升溫至350℃並保持30分鐘後冷卻至室溫時之尺寸為基準，再次於350℃保持30分鐘並冷卻至室溫後之上述第1銅或銅合金箔之寬度方向上之尺寸變化率(單位為ppm，將收縮設為正值)；ΔLB ：自室溫升溫至350℃，保持30分鐘並冷卻至室溫後之上述第2銅或銅合金箔之寬度方向上之尺寸變化率(單位為ppm，將收縮設為正值)。
再者，所謂室溫係為25～35℃(通常為25℃)。
即，若使兩片銅或銅合金箔4、6之楊式模數變小，且使銅或銅合金箔4、6之尺寸變化率之差(ΔLA -ΔLB )變小，則應力σA 會變小，不易產生製造兩面CCL時之皺褶或折痕。
此處，即便兩片銅或銅合金箔4、6使用相同者，亦產生尺寸變化率之差(ΔLA -ΔLB )，因此顯然該差並非由熱膨脹所引起。並且，若對金屬加熱則產生再結晶或回復等組織變化，因此若加熱金屬後進行冷卻，則會變得較原先尺寸短(熱收縮)、或長(熱伸長)。又，即便將暫時加熱並冷卻之金屬再次於相同溫度以下加熱並冷卻，亦不會產生熱收縮或熱伸長。再者，該等現象於壓延箔與電解箔中均會產生，但壓延箔之由壓延所引起之應變更大，又，根據箔之成分之不同，由於製造CCL時所施加之熱而由壓延組織變化為再結晶組織，故熱收縮或熱延伸變大。
圖3係表示藉由製造CCL時所施加之熱而產生上述熱延伸或熱收縮，導致第1銅或銅合金箔4產生皺褶(折痕)100之狀態。
首先，若於上述第1步驟中製造單面覆銅積層板時，將第1銅或銅合金箔4加熱後進行冷卻，則熱收縮成比原先長度小。繼而，若於上述第2步驟中製造兩面覆銅積層板時，將第2銅或銅合金箔6加熱後進行冷卻，則欲熱收縮成比原先之長度小(圖3之箭頭)。另一方面，已於第1步驟中熱收縮之第1銅或銅合金箔4於第2步驟中幾乎不進行熱收縮(圖3之箭頭)。
因此，於第2步驟中之加熱後冷卻時，藉由第2銅或銅合金箔6欲收縮之力而施加壓縮應力於第1銅或銅合金箔4。繼而，第1銅或銅合金箔4無法承受該壓縮應力而翹曲(產生皺褶或折痕)。
然而，於施加壓縮應力於第1銅或銅合金箔4側之情形時，若該銅箔之安全限應力大於壓縮應力(式2之σA )，則不會引起翹曲，而難以產生皺褶或折痕。通常無法求出銅箔之相對於壓縮之安全限應力，但是否會引起翹曲之邊界值可由相對於拉伸之安全限應力(YS)代替。即，認為若以YS成為σA 以上之方式選擇第1銅或銅合金箔4，則不會產生皺褶或折痕。
並且，本發明人等藉由實驗而求出於製造兩面覆銅積層板時不會產生皺褶或折痕之條件，結果可知若以相對於式2之σA 而成為
|10×σA |≦YSA 　(3)
之方式選擇第1銅或銅合金箔4，則難以產生皺褶或折痕。
另一方面，可知於施加壓縮應力於第2銅或銅合金箔6之情形時，若以相對於式2之σB 而成為
10×σB |≦YSB 　(4)
之方式選擇第2銅或銅合金箔6，則難以產生皺褶或折痕。然而，一般係施加壓縮應力於第1銅或銅合金箔4。
為滿足式3(或式4)，σA (σB )即尺寸變化率之差(ΔLA -ΔLB )越小越好，因此於第1步驟中第1銅或銅合金箔4所受之熱與於第2步驟中第2銅或銅合金箔6所受之熱之差越小越好。又，於第1步驟中第1銅或銅合金箔4所受之應變越小，尺寸變化率之差(ΔLA -ΔLB )亦變小。
根據以上所述，滿足式3、4之具體方法可舉出：1)預先加熱第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6；2)於第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6為壓延箔之情形時，以低加工度進行壓延；3)使根據箔之厚度與機械性質所設定之壓延時張力不超過限度；4)第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6使用電解箔。然而，若考慮一般係施加壓縮應力於第1銅或銅合金箔4側，則亦可僅對第2銅或銅合金箔6實施1)至4)之方法。
關於上述1)之方法，已知純銅為具有面心立方結構之金屬，若藉由加熱而進行再結晶，則立方體方位擴展，彎曲性變佳。立方體方位擴展之銅箔之楊式模數較低，拉伸試驗中之0.2%安全限應力亦較低。即，可以說此種立方體方位擴展之銅箔於製造兩面CCL時(進行第2步驟時)最容易產生折痕或皺褶。根據本發明人等之實驗明白，例如將純銅箔於350℃保持30分鐘後進行冷卻，結果楊式模數為70GPa左右，0.2%安全限應力為50MPa左右。如此，認為即便將安全限應力較小之銅或銅合金箔再次加熱至350℃左右為止後進行冷卻，尺寸變化亦幾乎為0。
因此，使用相同者作為第1銅或銅合金箔4及第2銅或銅合金箔6(EA ≒EB 、|σA |≒|σB |)，以ΔLA ≒0時，式2係以下述式5表示：
σA =(EA ×ΔLB )/2×1000　(5)。
並且，根據式3與式5，而成為下述式6：
|10000×(EA ×ΔLB /2)|≦YSA 　(6)，
只要使用如滿足式6之銅或銅合金箔製造兩面CCL即可。
又，根據上述實驗結果，若將EA =70GPa、YSA =50MPa代入式5中，則可獲得ΔLB =143(ppm)。即，若至少將第2銅或銅合金箔6於使用前加熱，使用ΔLB ≦143(ppm)者，則兼具彎曲性且難以產生折痕或皺褶。只要將第2銅或銅合金箔6之加熱條件設為於50℃～200℃加熱1秒～10小時左右即可，但並不限定於此。例如加熱條件可舉出於60℃保持3小時或於130℃保持3秒。即，預先對銅或銅合金箔施加上述之熱處理後用於製造兩面CCL即可。
其次，關於上述2)之方法，壓延箔之應變係根據最終退火後之壓延加工度、一道次軋縮量、張力及加工溫度等而變化。然而，軋縮量或張力會取決於加工對象之箔之厚度或壓延機之性能而難以同樣地規定。又，加工溫度越高則應變越小，但壓延中壓延油發揮冷卻劑之作用，而難以規定瞬間之加工溫度。
因此，根據壓延加工度來規定箔所需要之條件。此處，若減小壓延加工度則箔之應變變小，但再結晶時立方體方位難以擴展而彎曲性下降，故而不佳。相對於此，若減小壓延前之結晶粒徑，則即便以相同之加工度進行壓延，立方體方位亦擴展。根據以上之見解，本發明人等進行實驗後明白：若最終冷軋加工度R(%)為93.0%以上，且最終退火後之平均結晶粒徑GS(μm)為GS≦3.08×R-260，則不會損害彎曲性，且可抑制折痕或皺褶產生。然而，若R過高則存在彎曲性下降之傾向，因此於使用前未預先加熱銅或銅合金箔之情形(未進行上述1)之方法之情形)時，R較佳為98%以下。
如上所述，於本發明之銅或銅合金箔中，彎曲性必需優異，且銅或銅合金箔之彎曲次數必需為40萬次以上。
此處，彎曲次數係使用IPC(美國印刷電路工業會)滑動彎曲試驗機，將使箔切成寬度方向(成為與壓延方向成直角之方向。於電解箔之情形時為與MD(machine direction，縱向)成直角之方向)為12.5mm、長度方向為200mm之帶狀而得之試驗片於350℃加熱處理0.5小時之後加以使用。彎曲半徑於箔厚度為18μm之情形時設為1.5mm、於箔厚度為12μm之情形時設為1mm，對試驗片負載每分鐘100次之反覆滑動，終止之次數為試驗片之電阻自初始上升20%之彎曲次數。已知銅或銅合金箔之彎曲次數為40萬次以上者相當於實際之兩面CCL中設為合格之彎曲次數。
例如，於先前之銅箔中，亦存在R(%)為93.0%以上且最終退火後之平均結晶粒徑GS(μm)為GS≦3.08×R-260者(例如含有1200ppmSn無氧銅)，但其彎曲次數未滿40萬次。又，即便使用以公知之組成且為使其具有高彎曲性而利用公知之方法所製造之銅箔(例如以加工度為99.2%進行最終壓延之箔)，於50℃～200℃進行1秒～10小時左右之預先加熱者亦滿足上述式6，因此彎曲性優異，適於兩面覆銅積層板。
實施例
使用表1中所示之組成之銅箔(銅合金箔)，以圖1所示之方式製造兩面CCL。此處，第1銅箔4與第2銅箔6雖為相同，但根據於製造CCL中所使用之順序，區別為第1銅箔4及第2銅箔6而加以說明。
再者，對一部分銅箔如表1所示般調整結晶粒徑GS與加工度，或實施預先熱處理。再者，預先熱處理係於下述化學處理(電鍍)後進行，亦可於將要製造CCL之前進行。
首先，對第1銅箔4之單面進行化學處理(電鍍)，於該面以厚度成為25μm之方式塗佈聚醯亞胺樹脂之前驅物清漆(宇部興產製造之U-Varnish A)。然後，於設定為130℃之熱風循環式高溫槽中乾燥30分鐘，階段性地花費2000秒升溫至350℃並進行硬化(醯亞胺化)而形成樹脂層2，從而製作單面CCL。繼而，於單面CCL之樹脂側面塗佈熱塑性聚醯亞胺(接著層)並進行乾燥後，重疊第2銅箔6，利用加熱至350℃之壓力機進行熱壓接10分鐘而製造兩面CCL。然後，將兩面CCL冷卻至室溫，目測判定折痕或皺褶之產生情況。
△LA 係將銅箔切成寬度方向為150mm、長度方向為12.5mm之帶狀，利用維氏硬度計打出評點間隔為80mm之凹痕，測定兩凹痕之座標，藉此求出加熱前之距離L。再者，於積層前預先進行熱處理之銅箔試樣之情形時，於該熱處理後同樣求出距離。繼而，將試樣於350℃之烘箱中保持30分鐘後取出，冷卻至室溫，然後測定兩凹痕之座標，求出距離L'。△LA 可分別以(L-L')/L進行計算，收縮之情形為正值。
又，銅箔之楊式模數EA可依據JIS-Z2280-1993利用振動法而求出，0.2%安全限應力YSA 係使用拉伸試驗機，依據JIS-Z2241-1998而求出。
彎曲性係以如下方式進行評價。首先，將銅箔切成寬度方向為12.5mm、長度方向為200mm之帶狀而製成試驗片，將其於350℃加熱處理0.5小時之後使用。彎曲試驗係使用IPC(美國印刷電路工業會)滑動彎曲試驗機，彎曲半徑於銅箔厚度為18μm之情形時設為1.5mm、於銅箔厚度為12μm之情形時設為1mm。銅箔厚度越薄則彎曲性越好，因此為以相同基準進行評價，只要根據銅箔厚度而改變彎曲半徑即可。然後，對試驗片負載每分鐘100次之反覆滑動，終止之次數為試驗片之電阻自初始上升20%之彎曲次數。已知銅或銅合金箔之彎曲次數為40萬次以上者相當於實際之兩面CCL中設為合格之彎曲次數。
將所獲得之結果示於表1。
如由表1所明示，於對銅箔進行預先熱處理之實施例1～13之情形時，成為|10×σA |≦YSA ，所獲得之兩面CCL中無皺褶或折痕，且彎曲性亦優異。
又，於調整銅箔之壓延條件而使R成為93.0%以上且98.0%以下，並且GS≦3.08×R-260之實施例12、13之情形時，即便未進行預先熱處理，亦成為|10×σA |≦YSA ，所獲得之兩面CCL中無皺褶或折痕，且彎曲性亦優異。
另一方面，於將R設為未滿93.0%且未進行預先熱處理之比較例1～3之情形時，彎曲性下降。於使用電解銅箔且未進行預先熱處理之比較例4之情形時，彎曲性亦下降。
於以獲得GS＞3.08×R-260之GS之方式進行退火後加以壓延之比較例5之情形時、及於將R設為未滿93.0%之比較例6之情形時，彎曲性亦下降。
於在R超過98.0%之條件下進行壓延且未進行預先熱處理之比較例7～10之情形時，|10×σA |＞YSA ，所獲得之兩面CCL中產生皺褶或折痕。
於銅中添加之元素(Sn或Ag)之量超過400ppm之比較例11、12，彎曲性下降。
2．．．樹脂層
2a．．．樹脂組成物
4．．．第1銅或銅合金箔
6．．．第2銅或銅合金箔
8．．．兩面覆銅積層板
10、11．．．應用輥機
15．．．乾燥裝置
20、21．．．層疊輥
100．．．皺褶(折痕)
圖1，係表示本發明之實施形態之兩面覆銅積層板之製造方法的圖。
圖2，係表示兩面覆銅積層板之構成例之剖面圖。
圖3，係表示由於兩面覆銅積層板之製造時所施加之熱而第1銅或銅合金箔產生皺褶(折痕)之狀態之圖。
2．．．樹脂層
2a．．．樹脂組成物
4．．．第1銅或銅合金箔
6．．．第2銅或銅合金箔
8．．．兩面覆銅積層板
10、11．．．應用輥機
15．．．乾燥裝置
20、21．．．疊輥

Claims (7)

  1. 一種銅箔，其用於兩面覆銅積層板，且當σA =(EA ×△LA )/2×1000時，|10×σA |≦YSA ，彎曲次數為40萬次以上，其中，EA ：將該銅箔於350℃保持30分鐘並冷卻至室溫後之寬度方向上之楊式模數(單位為GPa)；△LA ：自室溫升溫至350℃並保持30分鐘後冷卻至室溫時該銅箔之寬度方向上之尺寸變化率(單位為ppm，將收縮設為正值)；YSA：拉伸試驗中該銅箔之0.2%安全限應力(Proof stress)(單位為MPa)；彎曲次數：使用IPC滑動彎曲試驗機，將箔切成寬度方向為12.5mm、長度方向為200mm之帶狀並於350℃加熱處理0.5小時後加以使用，彎曲半徑於箔厚度為18μm之情形時設為1.5mm、於箔厚度為12μm之情形時設為1mm，對試驗片負載每分鐘100次之反覆滑動，電阻自初始上升20%之彎曲次數即終止的次數。
  2. 如申請專利範圍第1項之銅箔，其中，該銅箔為壓延箔，最終冷軋加工度R(%)為93.0%以上，且最終退火後之平均結晶粒徑GS(μm)為GS≦3.08×R-260。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之銅箔，其中，△LA 為145ppm以下。
  4. 一種銅合金箔，其用於兩面覆銅積層板，且當σA =(EA ×△LA )/2×1000時，|10×σA |≦YSA ，彎曲次數為40萬次以上， 其中，EA ：將該銅合金箔於350℃保持30分鐘並冷卻至室溫後之寬度方向上之楊式模數(單位為GPa)；△LA ：自室溫升溫至350℃並保持30分鐘後冷卻至室溫時該銅合金箔之寬度方向上之尺寸變化率(單位為ppm，將收縮設為正值)；YSA ：拉伸試驗中該銅合金箔之0.2%安全限應力(Proof stress)(單位為MPa)；彎曲次數：使用IPC滑動彎曲試驗機，將箔切成寬度方向為12.5mm、長度方向為200mm之帶狀並於350℃加熱處理0.5小時後加以使用，彎曲半徑於箔厚度為18μm之情形時設為1.5mm、於箔厚度為12μm之情形時設為1mm，對試驗片負載每分鐘100次之反覆滑動，電阻自初始上升20%之彎曲次數即終止的次數。
  5. 如申請專利範圍第4項之銅合金箔，其中，該銅合金箔為壓延箔，最終冷軋加工度R(%)為93.0%以上，且最終退火後之平均結晶粒徑GS(μm)為GS≦3.08×R-260。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項之銅合金箔，其中，△LA 為145ppm以下。
  7. 一種兩面覆銅積層板之製造方法，其具有：第1步驟：係於申請專利範圍第1至6項中任一項之銅或銅合金箔之單面形成樹脂層，而獲得單面覆銅積層板；及第2步驟：係於該單面覆銅積層板之該樹脂層側積層其他之該銅或銅合金箔並進行加熱，而獲得兩面覆銅積層板。
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