TWI425689B - 導電體物件之製造方法 - Google Patents

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Description

導電體物件之製造方法
本發明關於一種導電體物件之製造方法，其包含：(a)液體沈積低黏度組成物；以及(b)加熱該組成物，以產生該導電體物件。
使用液體沈積技術製造之電子電路元件已受到深切的關注，這種技術可能提供較低之成本給傳統使用主流非晶矽技術的電子產品應用，例如薄膜電晶體(Thin Film Transistors,TFTs)、發光二極體(Light－Emitting diodes,LEDs)、無線射頻識別標籤(RFID tags)及光伏打等。然而功能性電極的沈積及/或圖案化、像素電極及導電跡線、條紋及軌道，對於實際應用面臨到導電率、製程及成本需求有著極大的挑戰。銀特別為被注意當作電子裝置的導電體元件之一，因為銀在成本上比金低且銀比銅擁有更好的環境穩定性。由本發明的實施例提出，對於降低成本的方法及適合製造導電體物件或電子裝置的元件之組成物有特別的需求被指出來。
由下列文件提供背景資訊：Takamatsu，美國專利第6,197,366 B1號。
Kodas等人，美國專利第6,951,666 B2號。
Yiliang Wu等人，公開之美國專利申請第20050129843A1號(對應代理人案號A3401－US－NP)。
Yuning Li等人，公開之美國專利申請第20060073667A1號(對應代理人案號20040823－US－NP)。
在實施例中提供一種用來製造導電體物件之方法，其包含：(a)以液體沈積包括初始成分的低黏度組成物，其包含有機胺、銀化合物及視情況需要地有機酸，以產生沈積組成物；以及(b)加熱該沈積組成物，以產生該含銀之導電體物件。
在另一個實施例中提供一種方法，其包含：製造一薄膜電晶體，其包含半導體層；閘極；源極，其係與該半導體層接觸；汲極，其係與該半導體層接觸；以及閘介電材料，其係配置在該半導體層與該閘極之間，其中，選自由該閘極、該源極、以及該汲極所組成之群組中之至少一電極係藉由電極製造方法而形成，該方法包含：(i)以液體沈積包括初始成分的低黏度組成物，其包含包括有機胺、銀化合物及視情況需要地有機酸，以產生沈積組成物；以及(ii)加熱該沈積組成物，以產生該至少一含銀電極。
需瞭解「銀」(與銀化合物相比)代表未與其他元素結合之銀原子，其稱為「元素銀」。
在「低黏度組成物」中之「低黏度」代表一適合液體沈積之黏著度，例如小於約1000厘泊。在實施例中，低黏度組成物之黏度小於約500厘泊，或由約5厘泊到約500厘泊。在其他實施例中，低黏度組成物之黏度小於約100厘泊。黏度在液體沈積前使用例如流變儀在室溫下切變率從約0.1 Hz到約1000 Hz下決定，來決定是否一特定之組成物表示為「低黏度」。
「液體沈積」一詞代表使用液體製程例如液體塗布或液體印刷低黏度組成物之沈積，其中該低黏度組成物為溶液或分散液。當使用印刷技術時，低黏度組成物可以被當作油墨。例示液體塗布方法例如包含旋轉塗布、刮刀塗布、桿塗布、浸泡塗布及其他相似方法。說明液體印刷技術例如包含例如微影技術或膠印、凹版印刷、彈性凸版印刷、網版印刷、版模印刷、噴墨印刷、壓印印刷(例如微接觸式印刷)及其他相似方法。在實施例中，液體沈積為噴墨印刷。
藉由本方法製造之「導電體物件」在實施例中具有高導電率。舉例來說，導電體物件之薄膜導電率藉由四點探針法量測超過約1000 Simens/公分(S/cm)、超過約5000 S/cm、超過約8,000 S/cm及超過約10,000 S/cm。導電體物件可以被使用來當作電極、導電電極及導電跡線、導電條紋、導電軌道及其他相似電子裝置。「電子裝置」一詞代表巨觀－、微－及奈米－電子裝置例如薄膜電晶體、有機發光二極體、無線射頻識別標籤、光伏打及其他需要導電元件或物件之電子裝置。導電體物件具有任何適用在上述之應用之厚度。舉例來說，厚度為由約5奈米到約10釐米、由10奈米到5釐米或由50奈米到1釐米。在實施例中導電體物件具有低電阻值，舉例來說小於1000歐姆、小於10歐姆、小於0.1歐姆或小於0.001歐姆。
低黏度組成物，其包含包括有機胺、銀化合物及選擇性地有機酸之初始成分。化學反應/交互作用發生與否將會改變初始成分。舉例來說，在實施例中有機胺可能在低黏度組成物中形成複雜且具有銀之化合物。
可以使用任何適合的銀之化合物。在實施例中，銀化合物可選擇自由醋酸銀、碳酸銀、氯酸銀、氯化銀、乳酸銀、硝酸銀、五氯丙酸銀、三氯乙酸銀、三氯甲烷磺酸銀、及相關之混合物所組成之族群中。在一實施例中，銀化合物為醋酸銀。
可以使用任何適合的有機胺。在實施例中，有機胺可選擇自由乙醇胺、氨基丙醇、二乙醇胺、2－甲胺乙醇、N,N－二甲基胺基乙醇、甲氧基乙胺、甲氧基丙胺、二胺乙烷、二氨丙烷、二氨丁烷、二胺基環已烷及相關之混合物所組成之族群中。在一實施例中，有機胺為乙醇胺。
可以使用任何適合的有機酸。在實施例中，有機酸為包含例如至少9個碳原子的羧酸。在另一實施例中，有機酸為至少包含10個碳原子之羧酸。在實施例中，有機酸可選擇自由壬酸、癸酸、香茅酸、香葉酸、十一烯酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、油酸、和其之異構物及混合物所組成之群組中。異構物具有相同數目之原子但具有不同之化學結構或不同之原子排序。舉例來說，具有12個碳原子之2－辛酸丁酯為月桂酸之異構物。在實施例中有機酸為不飽和羧酸，例如香茅酸、香葉酸、十一烯酸及油酸。在實施例中，有機酸添加物可能提供一些優點。第一，有機酸添加物可能增加導電體物件之導電率，例如約2倍到約10倍。第二，當導電體物件用來當作包含有機半導體電子裝置之電極時，目前的有機酸可能摻雜在電極及半導體間的接觸區域用以減少電極與半導體間的接觸電阻。
低黏度組成物可以為溶液或分散液。一、二或多種之初始成分係作為溶液/分散液之液體介質。在實施例中，有機胺及/或有機酸可作為溶液或分散液之液體介質。在實施例中，初始成分除了有機胺及有機酸之外，即是當作溶液/分散液之液體介質，其中液體介質包含例如由醇類、醚類、酯類、水、芳香族及其混合物所組成之群組中選擇之液體。在實施例中，液體為一種自由甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、甲氧基丙醇、乙氧基丙醇、甲氧基丁醇、二甲氧基乙二醇及其混合物所組成之族群中選擇的醇類。在實施例中，液體介質可以視為一種或以上其他初始成分之溶劑，例如銀化合物。在實施例中係同時使用兩種以上液體。其他液體的添加，例如乙二醇及/或二甲氧基乙二醇，可以減少達到所需導電率之加熱時間。舉例來說，所減少的加熱時間從約50%到兩個次量級。
低黏度組成物之初始成分可為任何適合之莫耳比例，如以下所示數值。有機胺與銀化合物的莫耳比例如從約0.8到約2.5或從約1至約2。有機酸與銀化合物的莫耳比例如從約0.01至約1或從約0.02至約0.5。在實施例中，在低黏度組成物之銀化合物從約1重量百分比至約50重量百分比，或從約5重量百分比至約30重量百分比。在存在有兩種以上液體介質的情形，在液體介質之間任何適合的比例皆可使用。
低黏度組成物可以使用任何適合的方法來配製。在實施例中，可以使用接下來的步驟。有機胺首先被溶解在適當的溶劑中，例如醇類。接著添加銀化合物同時攪動例如搖動或攪拌。在那之後，將有機酸加入上述混合物，接著進行攪動例如超音波震盪或均質化。過濾是可視需要用來移除任何未溶解的初始成分。在實施例中，銀化合物被溶解在低黏度組成物中。低黏度組成物為一溶液。
在其他實施例中，低黏度組成物為一分散液，其進一步包含例如金屬粒子，像是銀奈米粒子、金奈米粒子等。金屬粒子具有從約1奈米到約999奈米的粒子大小，特別是從約1奈米到約100奈米。
在實施例中，低黏度組成物可以非常穩定。換句話說，當儲存在常溫條件下，低黏度組成物可以具有長時間的保存期限。可以觀察到沒有或有少許沈澱。在實施例中，低黏度組成物具有超過一個星期、超過一個月、超過三個月或超過六個月的保存期限。保存期限對於藉由液體沈積製造之導電體物件為一重要參數。長的保存期限對於用於轉印及沈積是需要的，例如使用噴墨印刷低黏度組成物而不阻礙噴墨頭。較長的保存期限在實施例中可藉由以使用適當的液體介質，例如醇類及甲醯胺來達成。然而，本發明之實施例中也包含具有短保存期限之低黏度組成物。
在實施例中，在加熱前之沈積組成物主要為非結晶相。為了測定沈積組成物為非結晶相或結晶相，可以使用例如X光繞射或偏光顯微鏡等方法。在實施例中，非結晶相的沈積組成物在偏光顯微鏡下無雙折射或在X光繞射圖形下無繞射峰值。
在實施例中，加熱前之沈積組成物實質上絕緣，具有薄膜導電率例如小於10－9 S/cm或小於10－1０ S/cm。
在任意適當溫度下例如小於約250℃、或小於約20０℃或小於約150℃加熱沈積組成物，造成沈積組成物形成具有銀化合物之導電體物件，其適合在電子裝置中當作導電體元件使用。加熱溫度較佳為不會造成有害地改變先前已沈積層或基板之特性(不論是單層基板或多層基板)之一特定溫度。舉例來說，加熱操作時間範圍為從約1秒到約10小時，特別是從約10秒到約1小時。加熱在空氣下操作、在惰性氣體下操作，例如氮氣或氬氣，或是在低氣壓，例如氮氣包含從約1到約20百分比體積的氫下操作。加熱在正常大氣條件下操作或是在低壓下操作，例如從數個毫巴到約10－3 毫巴。在實施例中，加熱可例如在特定溫度使用預熱的加熱裝置以瞬間加熱的方式完成。在其他實施例中，加熱可以加熱裝置可達成之加熱率以逐步加熱方式完成，例如在室溫下(大約為20到25℃)或溫度介於約25℃到約100℃下開始加熱，以每分鐘約0.5℃到約100℃之速率加熱。
在加熱後，導電體物件的薄膜型態可以任何適合之技術，例如掃瞄式電子顯微鏡(SEM)。在實施例中，電子傳導物件為一連續沒有裂痕的薄膜。在其他實施例中，可能產生少數的空孔。在實施例中，加熱沈積組成物造成銀化合物之初始成分改變成具有熔化奈米粒子形式之銀。在實施例中，導電體物件包含混合之銀奈米粒子，其中奈米粒子具有範圍大約10奈米到約300奈米的大小(雖然奈米粒子熔合在一起，但該奈米粒子可能被辨識出粒子形狀)。在其他實施例中，粒子形狀無法在銀之中辨識出。
在實施例中，液體沈積及加熱分別在任何有效的排序下被執行一次或多次，例如兩次、三次或多次，舉例來說，沈積＋沈積＋加熱；在其他範例中，有效排序為沈積＋加熱＋沈積＋加熱。在實施例中，發生多次的沈積及/或加熱，這樣的沈積及/或加熱可以在相同或不同低黏度組成物並且在相同或不同條件(例如相同或不同加熱曲線)下被完成。在實施例中，發生多次的液體沈積及加熱可能產生厚的導電體物件，其對於某些應用可能是需要的。在實施例中，液體沈積及加熱的多次發生也可能藉由充填在層中的空孔而改善導電體物件之薄膜導電率。
在實施例中，低黏度組成物可以使用在例如製造導電體元件，例如薄膜電晶體(TFT)之源極及汲極，但不侷限於此。
第1圖為說明薄膜電晶體結構10之示意圖，其包含作為基板及閘極之高n型摻雜矽晶圓18、熱成長氧化矽絕緣層14，在上面沈積有兩金屬接點，源極20及汲極22。在兩金屬接點20及22之上方及其間為有機半導體層12。
第2圖係為說明另一薄膜電晶體結構30之示意圖，其包含基板36、閘極38、源極40及汲極42、絕緣層34及有機半導體層32。
第3圖係為說明另一薄膜電晶體結構50之示意圖，其包含作為基板及閘極之高n型摻雜矽晶圓56、熱成長氧化矽絕緣層54、及有機半導體層52，在其上沈積有源極60及汲極62。
第4圖係為說明另一薄膜電晶體結構70之示意圖，其包含基板76、閘極78、源極80、汲極82、有機半導體層72及絕緣層74。
舉例來說，基板可能包含矽、玻璃片、塑膠薄膜或薄板。結構上可撓之裝置、塑膠基板，可使用例如聚酯、聚碳酸酯、聚亞醯胺薄片等。基板的厚度可以從約10微米到超過10釐米，例如約50微米到約2釐米的厚度特別可用於可撓塑膠基板而對於固定之基板例如玻璃或矽基板，基板厚度從約0.4到約10釐米。
藉由本發明之實施例可製造閘極、源極及汲極。閘極層厚度範圍例如從約10到約2000奈米。舉例來說，源極及汲極的一般厚度從約40奈米到約1微米，在更具體的情況下，厚度為約60奈米到約400奈米。
一般來說，絕緣層可以為無機材料薄膜或有機聚合物薄膜。以無機材料舉例來說，適合當作絕緣層的無機材料包含氧化矽、氮化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、鈦酸鋇鋯等；以有機聚合物舉例來說，可來當作絕緣層的包含聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯基苯酚、聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、環氧樹脂等。舉例來說，依照所使用的介電材料之介電常數，絕緣層的厚度從約10奈米到約500奈米。絕緣層之標準厚度約從100奈米到500奈米。絕緣層可能具有導電率，例如約小於10－12 S/cm。
舉例來說，位在絕緣層和源極/汲極之間且與之接觸的是半導體層，其中半導體層的厚度一般來說，例如從約10奈米到約1微米，或約40到約100奈米。任何半導體材料可以被用來形成此層。代表性的半導體材料包含立體規則性聚噻吩、寡聚噻吩(oligthiophene)、稠五苯及半導體聚合物揭露在Beng Ong等人，美國專利申請公開第US 2003/0160230 A1號；Beng Ong等人，美國專利申請公開第US 2003/0160234 A1號；Beng Ong等人，美國專利申請公開第US 2003/0136958 A1號中；和2002年於前瞻材料第12期、2號中第99－117頁由C.D.Dimitrakopoulos和P.R.L.Malenfant所撰寫之「大面積電子之有機薄膜電晶體」所揭露之內容全部被併入參考。可使用任何適合的技術以形成半導體層。其中一方法為將包含基板及具有粉末狀化合物之來源容器的槽抽真空至約10－5 到10－7 托爾。加熱容器直到化合物升華至基板上。一般來說半導體層也可以藉由液體沈積法例如旋轉塗布、流延、網版印刷、壓印、或溶液或半導體之分散液之噴墨印刷來製造。
絕緣層、閘極、半導體層、源極及汲極可以任意順序形成，特別是在實施例中，閘極和半導體層兩者接觸絕緣層，而源極及汲極兩者接觸半導體層。「以任意順序」一詞包含依序及同時形成。舉例來說，可以同時或依序形成源極及汲極。薄膜電晶體之組成物、製程及操作描述在Bao等人，美國專利第6,107,117號中，其中所揭露之事項均被合併參考與其中。
除非另外指示，所有的份以及百分比係以重量表示，室溫指的是溫度範圍從約20到約25度C。
範例一
低黏度組成物依下列方式製備：1克的乙醇胺添加於5克的乙氧基乙醇中，接下來伴隨著搖動或攪拌添加1克的醋酸銀(AgAc)。在這之後，添加0.1克的油酸於上述混合物中，接下來藉由超音波震盪以均勻的溶解酸。組成物之黏度使用流變儀來量測，在室溫下切變率為1 Hz時其值約為10厘泊，其適合用於噴墨印刷。所產生之低黏度組成物穿過0.45微米之注射過濾器過濾，然後以1000 rpm之轉速旋轉塗布於乾淨的玻璃片上30秒，接下來在環境大氣下在加熱板上以200度C加熱30分鐘。然後冷卻至室溫，藉由四點探針法量測薄膜導電率為7－9×103 S/cm。上述之組成物在室溫下老化過夜。可以發現黑色沈澱物，此代表組成物具有短的保存期限。
範例二
除了以正丁醇作為溶劑使用，製備與範例一相似之組成物。在經過旋轉塗布和在200度C加熱30分鐘後，薄膜導電率值被量測為1.3×104 S/cm。組成物在經過室溫下老化3個月後沒有觀察到沈澱物，其代表組成物具有非常好的保存期限。
範例三
1克的乙醇胺添加於5克的正丁醇，接下來伴隨著搖動或攪拌來添加1克的醋酸銀(AgAc)。在藉由0.45注射過濾器過濾後，組成物在1000 rpm轉速下旋轉塗布於乾淨的玻璃上30秒，接下來在環境大氣下在加熱板上以200度C加熱30分鐘。薄膜導電率值被量測為1－2×103 S/cm。將範例三與範例二相比較，可以發現油酸之添加物會增加一個次量級大小的導電率。
範例四
在範例二中製備之組成物被旋轉塗布並以200度C加熱10分鐘。導電率值被量測為小於1000 S/cm。
範例五
除了添加0.4克的乙二醇當作共溶劑外，製備與範例二相似之組成物。在過濾、旋轉塗布及以200度C加熱10分鐘後，薄膜導電率值被量測為1.6×104 S/cm。將範例五與範例四和範例二相比較，可以發現共溶劑乙二醇之添加會稍微增加導電率，但會明顯地減少加熱時間。
範例六
1克的乙醇胺添加於5克的正丁醇，接下來伴隨著搖動或攪拌來添加1克的醋酸銀(AgAc)。在這之後，添加0.4克的乙二醇當作共溶劑。之後，添加0.1克在下表中所列之有機酸於上述混合物，接下來藉由超音波震盪來均勻的溶解酸。所產生之組成物如同上面所述被過濾且旋轉塗布於薄膜上。薄膜導電率在200度C加熱30分鐘後被量測。
從上表中我們可以發現包含至少9個碳原子的有機酸之低黏度組成物在加熱後呈現高導電率。異構物形式(例如癸酸、香茅酸及香葉酸均具有10個碳原子)在導電率上具有一點影響。
範例七
1克的乙醇胺添加於5克的正丁醇，接下來伴隨著搖動或攪拌來添加1克的醋酸銀(AgAc)。在那之後，添加0.4克的乙二醇當作共溶劑。因此，0.1克月桂酸添加於上述混合物，接下來藉由超音波震盪來均勻的溶解酸。所產生之組成物如同上面所述被過濾且旋轉塗布於薄膜上。在150度C加熱45分鐘後，所產生銀薄膜之薄膜導電率值被量測為1.1×104 S/cm。這個範例代表組成物可以被加熱在150度C的低溫下仍然保有高導電率。
範例八
X光繞射被使用在範例二及範例七之被加熱的薄膜。薄膜皆在間距d為2.36、2.04、1.44及1.23下給予不同之繞射條紋，其相同於真空蒸鍍純銀薄膜之繞射條紋。此結果表示導電薄膜包含銀。
範例九
掃瞄式電子顯微鏡(SEM)被使用在範例二及範例七之被加熱的薄膜上。薄膜皆連續而不具有裂痕。薄膜包含粒子大小從約50奈米到約200奈米之熔合奈米銀粒子。
範例十
如第1圖所示之示意圖，底部接觸之薄膜電晶體被選為說明銀前驅組成物之使用作為薄膜電晶體之導電電極。實驗性裝置在環境條件下製造，並且由厚度為約200奈米之熱成長氧化矽層之n型摻雜矽晶圓所組成。當氧化矽層作為絕緣層且在使用電容計量測下具有約15nF/cm2 (nanofarads/平方公分)之電容值時，晶圓可以被當為閘極。矽晶圓首先以氧/氬電漿、異丙醇、空氣乾燥清理，然後在60℃浸入在甲苯中0.1M辛基三氯矽烷溶液20分鐘。隨後晶圓以甲苯、異丙醇及空氣乾燥清洗。
在範例二中之低黏度組成物在下面被使用來形成源極及汲極。組成物以1000 rpm轉速下旋轉塗布於上述處理過之矽晶圓30秒。所產生的薄膜在200度C下被加熱30分鐘，用以在晶圓上形成連續導電銀薄膜。連續導電銀薄膜接下來以細針透過機械刻劃圖案化平行的電極。此結果產生通道長度為24微米及通道寬度為1430微米之銀源極及汲極。接下來，半導體層使用下面通式之聚噻吩半導體沈積在電極基板：
其中n為聚合度且聚噻吩具有17300之重量平均分子量。此聚噻吩及其製備被描述在Beng Ong等人，美國專利申請公開第US 2003/0160230 A1號，其所揭露之內容被合併於參考中。厚度為約30奈米到約100奈米之半導體聚噻吩層藉由持續約100秒、1,000 rpm之轉速旋轉塗布二氯苯溶液中之聚噻吩沈積在裝置上，並且在真空中以80℃乾燥20小時，接下來藉由在120－140℃的真空烤箱加熱10－30分鐘用以引起高結構次序之半導體。
場效電晶體特性的評估是使用Keithley 4200 SCS半導體特性測試系統，在黑盒子中於環境條件下所完成。載子遷移率，μ，根據公式(1)從飽和狀態(閘極電壓，VG <源極－汲極電壓，VSD )之資料來計算ISD ＝Ci μ(W/2L)(VG －VT )2 (1)其中ISD 為在飽和狀態之汲極電流，W及L分別為半導體通道寬度及長度，Ci 為絕緣層之每單位面積之電容，VG 及VT 分別為閘極電壓及臨界電壓。裝置之VT 由飽和區中ISD 的平方根與藉由量測值外推算出ISD ＝0時所得之裝置的VG 間之關係中推算出。薄膜電晶體之重要特性為其電流開/關比，其為累積狀態之飽和源極－汲極電流除上空乏狀態電流。
在此方法中所製備發明之裝置顯示極佳的輸出及轉印特性。輸出特性顯示無明顯接觸電阻、極佳飽和特性、明確的飽和電流，其為閘極偏壓的二次方。裝置約在零閘極電壓打開且具有明顯的次臨界斜率。遷移率計算為0.07－0.1 cm2 /V.s，並且電流開/關比為約107 。本發明裝置之特性實質上與傳統具有真空沈積銀電極之底面接觸薄膜電晶體相同。
10．．．薄膜電晶體結構
12．．．有機半導體層
14．．．氧化矽絕緣層
18．．．矽晶圓
20．．．源極
22．．．汲極
30．．．薄膜電晶體結構
32．．．有機半導體層
34．．．絕緣層
36．．．基板
38．．．閘極
40．．．源極
42．．．汲極
50．．．薄膜電晶體結構
52．．．有機半導體層
54．．．氧化矽絕緣層
56．．．矽晶圓
60．．．源極
62．．．汲極
70．．．薄膜電晶體結構
72．．．有機半導體層
74．．．絕緣層
76．．．基板
78．．．閘極
80．．．源極
82．．．汲極
第1圖表示薄膜電晶體之第一實施例，其中至少一導電體物件使用本方法製造。
第2圖表示薄膜電晶體之第二實施例，其中至少一導電體物件使用本方法製造。
第3圖表示薄膜電晶體之第三實施例，其中至少一導電體物件使用本方法製造。
第4圖表示薄膜電晶體之第四實施例，其中至少一導電體物件使用本方法製造。
除非特別地標記，在不同圖中相同參考號碼代表相同或類似特徵。

Claims (2)

  1. 一種導電體物件之製造方法，其包含：(a)液體沈積低黏度組成物，其包含包括有機胺、銀化合物及有機酸之初始成分，以產生沈積組成物；以及(b)加熱該沈積組成物，以產生該含銀之導電體物件，其中該有機酸為具有至少9個碳原子的羧酸。
  2. 一種製造薄膜電晶體之方法，其包含：製造一薄膜電晶體，其包含半導體層；閘極；源極，其係與該半導體層接觸；汲極，其係與該半導體層接觸；以及閘介電材料，其係配置在該半導體層與該閘極之間，其中，選自由該閘極、該源極、以及該汲極所組成之群組中之至少一電極係藉由電極製造方法而形成，該方法包含：(i)液體沈積低黏度組成物，其包含包括有機胺、銀化合物及有機酸之初始成分，以產生沈積組成物；以及(ii)加熱該沈積組成物，以產生該至少一含銀電極，其中該有機酸為具有至少9個碳原子的羧酸。
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