TWI424285B - 最佳化源、遮罩及投影光學元件之流程 - Google Patents

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Description

最佳化源、遮罩及投影光學元件之流程
所主張之本發明係關於微影裝置及程序，且更特定而言，係關於用於同時地或交替地最佳化供微影裝置及程序中使用之照明源、遮罩/設計佈局及投影光學元件的工具。
微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，遮罩可含有對應於IC之個別層的電路圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由遮罩上之電路圖案而輻照已經塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法將此電路圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案係藉由微影投影裝置順次地轉印至複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影裝置中，將整個遮罩上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作晶圓步進器。在通常被稱作步進掃描裝置之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及遮罩進行掃描，同時平行於或反平行於此參考方向同步地移動基板。將遮罩上之電路圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影裝置將具有放大因數M(通常<1)，故基板被移動之速度F將為投影光束掃描遮罩之速度的因數M倍。可(例如)自以引用之方式併入本文中的US 6,046,792搜集到關於本文所描述之微影器件的更多資訊。
在將電路圖案自遮罩轉印至基板之前，基板可經歷各種程序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他程序，諸如，曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢測。此程序陣列係用作製造器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光，等等，其皆意欲潤飾器件之個別層。若在器件中需要若干層，則將必須針對每一層來重複整個程序或其變型。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術而使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘，等等。
如所提及，微影術(microlithography)為IC之製造中的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定IC之功能元件，諸如，微處理器、記憶體晶片，等等。類似微影技術亦用於平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件之形成中。
隨著半導體製造程序繼續前進，功能元件之尺寸已不斷地縮減，同時每器件的功能元件(諸如，電晶體)之量已在數十年內穩固地增加，其遵循通常被稱作「莫耳定律」(Moore's law)之趨勢。在當前先進技術下，使用微影投影裝置來製造器件層，微影投影裝置使用來自深紫外線照明源之照明將設計佈局投影至基板上，從而創製具有充分地低於100奈米(亦即，小於來自照明源之光之波長的一半)之尺寸的個別功能元件。
此程序(其中印刷具有小於微影投影裝置之經典解析度極限之尺寸的特徵)通常被稱為低k1 微影，其係根據解析度公式CD=k1 ×λ/NA，其中λ為所使用之輻射之波長(當前在大多數狀況下為248奈米或193奈米)，NA為微影投影裝置中之投影光學元件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1 為經驗性解析度因數。一般而言，k1 愈小，則在晶圓上再生如下圖案變得愈困難：該圖案類似於由電路設計者所規劃之形狀及尺寸，以便達成特定電功能性及效能。為了克服此等困難，將複雜的微調步驟應用於微影投影裝置以及設計佈局。舉例而言，此等步驟包括(但不限於)NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移遮罩之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。
作為一重要實例，OPC處理如下事實：投影於基板上之設計佈局之影像的最終大小及置放將不等同於或簡單地僅取決於遮罩上之設計佈局的大小及置放。應注意，本文可互換地利用術語「遮罩」與「比例光罩」。又，熟習此項技術者將認識到，尤其是在微影模擬/最佳化之內容背景中，可互換地使用術語「遮罩」與「設計佈局」，此係因為：在微影模擬/最佳化中，未必使用實體遮罩，但設計佈局可用以表示實體遮罩。對於存在於某一設計佈局上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣的位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在的影響。此等近接效應起因於自一特徵耦合至另一特徵之微量光及/或諸如繞射及干涉之非幾何光學效應。類似地，近接效應可起因於在通常跟隨微影之曝光後烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間的擴散及其他化學效應。
為了確保設計佈局之經投影影像係根據給定目標電路設計之要求，需要使用設計佈局之複雜的數值模型、校正或預失真來預測及補償近接效應。C. Spence之論文「Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is Changing IC Design」(Proc. SPIE，第5751卷，第1頁至第14頁(2005年))提供當前「以模型為基礎」之光學近接校正程序的綜述。在典型高端設計中，設計佈局之幾乎每一特徵皆需要某一修改，以便達成經投影影像對目標設計之高保真度。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置，以及意欲輔助其他特徵之投影的「輔助」特徵之應用。
在一晶片設計中通常存在數百萬個特徵的情況下，將以模型為基礎之OPC應用於目標設計會需要優良的程序模型及相當大的計算資源。然而，應用OPC通常不為「嚴正科學(exact science)」，而為經驗性反覆程序(iterative process)，其不會始終補償所有可能近接效應。因此，需要藉由設計檢測(亦即，使用經校準數值程序模型之集約全晶片模擬)來驗證OPC之效應(例如，在應用OPC及任何其他RET之後的設計佈局)，以便最小化將設計瑕疵建置至遮罩之製造中的可能性。此係因如下情形而被驅使：製造在數百萬美元範圍內運行之高端遮罩的巨額成本，以及藉由重做或修復實際遮罩(一旦其已被製造)而對產品製作時程(turn-around time)之影響。
OPC及全晶片RET驗證兩者可基於如(例如)美國專利申請案第10/815,573號及Y. Cao等人之名為「Optimized Hardware and Software For Fast,Full Chip Simulation」之論文(Proc. SPIE，第5754卷，405(2005年))中所描述的數值模型化系統及方法。
除了對設計佈局或遮罩之最佳化(例如，OPC)以外，亦可與遮罩最佳化聯合地或分離地最佳化照明源，以致力於改良總微影保真度。自1990年代以來，諸如環形、四極及偶極之許多離軸照明源已被引入，且已向OPC設計提供更多自由，藉此改良成像結果。已知的是，離軸照明為用以解析遮罩中所含有之精細結構(亦即，目標特徵)之經證實方式。然而，相比於傳統照明源，離軸照明源通常向空中影像(AI)提供較少光強度。因此，變得有必要試圖最佳化照明源以在較精細解析度與縮減光強度之間達成最佳平衡。在此文件中，可互換地使用術語「照明源」與「源」。
可(例如)在Rosenbluth等人之名為「Optimum Mask and Source Patterns to Print A Given Shape」之論文(Journal of Microlithography,Microfabrication,Microsystems 1(1)，第13頁至第20頁(2002年))中找到眾多照明源最佳化途徑。將源分割成若干區帶(region)，該等區帶中每一者對應於光瞳光譜之某一區帶。接著，假定源分佈在每一源區帶中均一，且針對程序窗(process window)來最佳化每一區帶之亮度。然而，源分佈在每一源區帶中均一之此假定不始終有效，且結果，此途徑之有效性受損失。在Granik之名為「Source Optimization for Image Fidelity and Throughput」之論文(Journal of Microlithography,Microfabrication,Microsystems 3(4)，第509頁至第522頁(2004年))中所闡述的另一實例中，綜述若干現有源最佳化途徑，且提議將源最佳化問題轉換成一系列非負最小平方最佳化的基於照明器像素之方法。儘管此等方法已示範一些成就，但其通常需要多次複雜反覆以收斂。此外，可能難以判定一些額外參數(諸如，Granik之方法中的γ )之適當/最佳值，此判定規定在最佳化用於晶圓影像保真度之源與源之平穩度要求之間的取捨。
對於低k1 光微影，源及遮罩兩者之最佳化極有用於確保用於投影臨界電路圖案之可行程序窗。一些演算法(例如，Socha等人，Proc. SPIE，第5853卷，2005年，第180頁)將照明離散化成獨立源點且將遮罩離散化成在空間頻域中之繞射階，且基於可藉由光學成像模型自源點強度及遮罩繞射階預測之程序窗量度(諸如，曝光寬容度)來分離地公式化成本函數(其經定義為選定設計變數之函數)。如本文所使用之術語「設計變數」意謂微影投影裝置之參數集合，例如，微影投影裝置之使用者可調整之參數。應瞭解，微影投影裝置之任何特性(包括源、遮罩及投影光學元件之特性)可在最佳化中之設計變數當中。成本函數常常為設計變數之非線性函數。接著，使用標準最佳化技術以最小化成本函數。
公式化成本函數之此等演算法的一個問題在於：在達到對最佳源及遮罩兩者之收斂之前，此等演算法需要大數目個完全前向光學成像模型模擬。使用中等複雜度之剪輯(clip)(其經定義為具有可用於微影投影裝置之最佳化之校準特徵的設計佈局之部分，如在[實施方式]章節中進一步所詳細說明)來最佳化微影投影裝置可在最新標準PC硬體上花費數週或甚至數月，此情形通常被視為不實務。一實務最佳化程序通常花費小於約24小時。
相關地，EUV微影之延遲及不斷減少之設計規則之壓力已驅使半導體晶片製造者在現有193奈米ArF微影的情況下更深入於低k1 微影時代。針對較低k1 之微影施予對RET、曝光工具及針對微影親和設計(litho-friendly design)之需要的極大需求。1.35 ArF超數值孔徑(NA)曝光工具將為用於使晶片製造在接下來兩年內使用之曝光工具。為了確保可用可工作程序窗將電路設計生產至基板上，源-遮罩最佳化(SMO)正變為2x奈米節點所需要之重要RET。
允許在無約束之情況下且在可實行時間量內使用成本函數來同時地最佳化源及遮罩的源及遮罩(設計佈局)最佳化方法及系統在2009年11月20日申請且公開為WO 2010/059954之名為「Fast Freeform Source and Mask Co-Optimization Method」的共同讓渡之國際專利申請案第PCT/US2009/065359號中予以描述，該申請案之全文在此以引用的方式併入本文中。
微影投影裝置之硬體及軟體之新開發藉由使微影投影裝置中之投影光學元件可調整而提供更多靈活性。舉例而言，如本文所使用之術語「投影光學元件」應被廣泛地解釋為囊括各種類型之光學系統，包括折射光學元件、反射光學元件、孔隙及反射折射光學元件。術語「投影光學元件」亦可包括根據用於集體地或單一地引導、塑形或控制投影輻射光束之此等設計類型中任一者而操作的組件。術語「投影光學元件」可包括在微影投影裝置中之任何光學組件，而不管光學組件位於微影投影裝置之光徑上之何處。投影光學元件可包括用於在來自源之光通過遮罩之前塑形、調整及/或投影該光的光學組件，及/或用於在該光通過遮罩之後塑形、調整及/或投影該光的光學組件。投影光學元件通常排除源及遮罩。
舉例而言，相比於藉由現有SMO技術提供之情形，投影光學元件之可調整參數(「旋鈕(knob)」)使得有可能在更多自由度(例如，波前形狀、強度分佈，等等)上塑形光，及/或適應源及遮罩之較寬條件範圍(即，提供較大程序窗(PW))。
然而，最佳化此等額外旋鈕會招致極高計算成本。因此，用以與關聯於源及遮罩之旋鈕聯合地簡化及加速關於投影光學元件之此等旋鈕之最佳化的方法係理想的。
因此，需要用於特性化一微影程序的計算上有效率之綜合最佳化方法及流程，基於該微影程序來決定微影裝置之設定(包括投影光學元件系統之設定)且設計遮罩。
如本文所描述之實施例提供用於改良或最佳化一微影投影裝置之方法及流程，該等方法及該等流程包括改良或最佳化該微影投影裝置中之投影光學元件，且較佳地包括同時地或交替地改良或最佳化一源、一遮罩及該投影光學元件之能力。該等流程之目標係表示可能工作流程，該等可能工作流程可(例如)用以最佳化或改良該微影投影裝置，連同用於一特定設計之設計佈局。該投影光學元件有時被稱作「透鏡」，且因此，聯合最佳化程序可被稱作源遮罩透鏡最佳化(SMLO)。用以描述該SMLO程序之另一術語為源遮罩光瞳最佳化(SMPO)，此係因為：在某些實施例中，針對該投影光學元件之光瞳平面進行透鏡最佳化。然而，本發明之範疇不僅僅限於在光瞳平面中之最佳化。SMLO相比於現有源遮罩最佳化程序(SMO)及不考量投影光學元件最佳化之其他最佳化程序係理想的，此係部分地因為在該最佳化中包括該投影光學元件可藉由引入該投影光學元件之複數個可調整特性而導致一較大程序窗。該投影光學元件可用以塑形該微影投影裝置中之一波前。根據本文之實施例，該投影光學元件之該等可調整特性允許比在SMO之情況下先前可能之程序窗更大的一程序窗。儘管在該等實施例之描述中使用該投影光學元件、該源及該遮罩之可調整特性，但可在最佳化中調整該微影投影裝置之其他可調整特性，諸如，劑量及聚焦。
本文之實施例藉由最小化設計變數之一合適成本函數來改良或最佳化該微影投影裝置，該等設計變數可為該源、該投影光學元件及該遮罩之特性。給出該成本函數之非限制性實例。該成本函數之其他形式亦係可能的，且可適應多種微影量度。該成本函數可為該等設計變數之一線性或非線性函數。
已揭示同時SMLO及交替SMLO之方法。可藉由組合該SMLO與各種圖案選擇方法來加速該SMLO程序。又，包括如下流程：該等流程包括全晶片SMLO，其中最初將該SMLO應用於設計之部分之一選定子群組，此後，經由一最終遮罩最佳化步驟而校正晶片之剩餘部分，同時使(例如)源及透鏡參數保持固定。
在本發明之一實施例中，經最佳化程序配方及在本發明之方法內的最佳化步驟之輸出無需為全域最佳解。相反地，術語「最佳化」在本文中用以指代識別成像參數之值的一程序，該等值相比於彼等參數之一初始值集合提供在至少一有關量度上之一改良(例如，一局域最佳)。「最佳」及其他相關術語應被相應地解釋。在本發明之一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟以提供在一或多個量度上之進一步改良。
對於一般熟習此項技術者，在審閱結合附圖對本發明之特定實施例之以下描述後，本發明之以上及其他態樣及特徵隨即將變得顯而易見。
儘管在本文中可特定地參考本發明在IC製造中之使用，但應明確地理解，本發明具有許多其他可能應用。舉例而言，本發明可用於製造整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，應認為在本文中對術語「比例光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」可互換。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以囊括所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)，及EUV(極紫外線輻射，例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內的波長)。
如本文所使用之術語「最佳化」意謂調整微影投影裝置，使得微影之結果及/或程序具有更理想的特性，諸如，在基板上設計佈局之投影之較高準確度、較大程序窗，等等。
另外，微影投影裝置可為具有兩個或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上遮罩台)之類型。在此等「多載物台」器件中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，以引用之方式併入本文中的US 5,969,441中描述雙載物台微影投影裝置。
上文所提及之遮罩包含設計佈局。可利用CAD(電腦輔助設計)程式來產生設計佈局，此程序常常被稱作EDA(電子設計自動化)。大多數CAD程式遵循預定設計規則集合，以便創製功能設計佈局/遮罩。藉由處理及設計限制來設定此等規則。舉例而言，設計規則定義電路器件(諸如，閘極、電容器，等等)或互連線之間的空間容許度，以便確保電路器件或線彼此不會以不良方式相互作用。設計規則限制通常被稱作「臨界尺寸」(CD)。可將電路之臨界尺寸定義為線或孔之最小寬度，或兩個線或兩個孔之間的最小空間。因此，CD判定經設計電路之總大小及密度。當然，積體電路製作中之目標中之一者係在基板上如實地再生原始電路設計(經由遮罩)。
如本文所使用之術語「遮罩」可被廣泛地解釋為指代可用以對應於待創製於基板之目標部分中之圖案而向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面的通用圖案化構件；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典遮罩(透射或反射；二元、相移、混合，等等)以外，其他此等圖案化構件之實例亦包括：
-可程式化鏡面陣列。此器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射光反射為繞射光，而未經定址區域將入射光反射為非繞射光。在使用適當濾光器的情況下，可自反射光束中濾出非繞射光，從而僅留下繞射光；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。可(例如)自以引用之方式併入本文中的美國專利第5,296,891號及第5,523,193號搜集到關於此等鏡面陣列之更多資訊。
-可程式化LCD陣列。以引用之方式併入本文中的美國專利第5,229,872號中給出此建構之實例。
作為簡要介紹，圖1說明例示性微影投影裝置10。主要組件為：照明源12，其可為深紫外線準分子雷射源，或包括極紫外線(EUV)源的其他類型之源；照明光學元件，其界定部分相干(被表示為均方偏差(sigma))，且可包括塑形來自源12之光的光學元件14、16a及16b；遮罩或比例光罩18；及透射光學元件16c，其將比例光罩圖案之影像投影至基板平面22上。在投影光學元件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔隙20可限定照射於基板平面22上之光束角的範圍，其中最大可能角度界定投影光學元件之數值孔徑NA=sin(Θmax )。
在系統之最佳化程序中，系統之優值可被表示為成本函數。最佳化程序歸結為找到最小化成本函數的系統之參數集合(設計變數)的程序。成本函數可具有取決於最佳化之目標的任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性(評估點)相對於此等特性之所欲值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值。本文之術語「評估點」應被廣泛地解釋為包括系統之任何特性。系統之設計變數可限於有限範圍，及/或歸因於系統之實施之實務性而為相互相依的。在微影投影裝置之狀況下，約束常常係關聯於硬體之實體屬性及特性(諸如，可調諧範圍，及/或遮罩可製造性設計規則)，且評估點可包括在基板上之抗蝕劑影像上之實體點，以及諸如劑量及聚焦之非實體特性。
在微影投影裝置中，源提供照明(亦即，光)；投影光學元件引導及塑形照明通過遮罩且到達基板上。此處，術語「投影光學元件」經廣泛地界定成包括可更改輻射光束之波前的任何光學組件。舉例而言，投影光學元件可包括組件14、16a、16b及16c中至少一些。空中影像(AI)為基板上之光強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。抗蝕劑影像(RI)可經定義為抗蝕劑層中抗蝕劑之溶解度的空間分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像演算抗蝕劑影像，可在共同讓渡之美國專利申請案第12/315,849號中找到抗蝕劑模型之實例，該申請案之揭示內容之全文以引用的方式併入本文中。抗蝕劑模型僅係關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學程序的效應)。微影投影裝置之光學屬性(例如，源、遮罩及投影光學元件之屬性)規定空中影像。由於可改變用於微影投影裝置中之遮罩，故需要使遮罩之光學屬性與至少包括源及投影光學元件的微影投影裝置之其餘部分的光學屬性分離。
圖2中說明用於在微影投影裝置中模擬微影之例示性流程圖。源模型31表示源之光學特性(包括光強度分佈及/或相位分佈)。投影光學元件模型32表示投影光學元件之光學特性(包括由投影光學元件造成的對光強度分佈及/或相位分佈之改變)。如本文稍後所解釋，可將源模型31與投影光學元件模型32組合成透射交叉係數(TCC)模型34。設計佈局模型35表示設計佈局33之光學特性(包括由給定設計佈局33造成的對光強度分佈及/或相位分佈之改變)，設計佈局33為遮罩上特徵之配置的表示。可自透射交叉係數34及設計佈局模型35模擬空中影像36。可使用抗蝕劑模型37而自空中影像36模擬抗蝕劑影像37。舉例而言，微影之模擬可預測抗蝕劑影像中之輪廓及CD。
更具體而言，應注意，源模型31可表示源之光學特性，光學特性包括(但不限於)NA均方偏差(σ)設定以及任何特定照明源形狀(例如，離軸光源，諸如，環形、四極及偶極，等等)。投影光學元件模型32可表示投影光學元件之光學特性，光學特性包括像差、失真、折射率、實體大小、實體尺寸，等等。設計佈局模型35亦可表示實體遮罩之實體屬性，如(例如)美國專利第7,587,704號中所描述，該專利之全文以引用的方式併入本文中。模擬之目標係準確地預測(例如)邊緣置放及CD，其接著可與所欲設計進行比較。所欲設計通常被定義為OPC前設計佈局，其可以諸如GDSII或OASIS或其他檔案格式之標準化數位檔案格式予以提供。
自此設計佈局，可識別被稱作「剪輯」之一或多個部分。在本發明之特定實施例中，提取剪輯集合，其表示設計佈局中之複雜圖案(通常為約50個至1000個剪輯，但可使用任何數目個剪輯)。熟習此項技術者應瞭解，此等圖案或剪輯表示設計之小部分(亦即，電路、單元或圖案)，且該等剪輯尤其表示需要特定關注及/或驗證之小部分。換言之，剪輯可為設計佈局之部分，或可為類似的或具有設計佈局之部分之類似行為，其中藉由經驗(包括由客戶所提供之剪輯)、藉由試誤法或藉由運行全晶片模擬來識別臨界特徵。剪輯通常含有一或多個測試圖案或量規圖案。
客戶可基於設計佈局中需要特定影像最佳化之已知臨界特徵區域而先驗地提供初始較大剪輯集合。或者，在本發明之另一實施例中，可藉由使用識別臨界特徵區域的某一類別之自動化(諸如，機器視覺)或手動演算法而自整個設計佈局提取初始較大剪輯集合。
為了縮減總計算負擔，可預想各種最佳化方式。在一實施例中，首先藉由基於繞射訊符分析或任何其他方法之圖案選擇方法來選擇剪輯集合，且接著執行SMLO程序。或者，首先執行全晶片模擬，自全晶片模擬識別「熱點」及/或「溫點」，且接著執行圖案選擇步驟。基於選定圖案而進行最佳化。圖案選擇演算法(基於繞射訊符分析或其他方法)可與SMLO程序無縫地整合。
在微影投影裝置中，作為一實例，成本函數可被表達為：
其中(z 1 ,z 2 ,...,z N )為N 個設計變數或其值；f p (z 1 ,z 2 ,...,z N )為針對設計變數(z 1 ,z 2 ,...,z N )之值集合在第p 評估點處特性之實際值與所欲值之間的差。w p 為指派給第p 評估點之加權常數。比其他評估點或圖案更臨界之評估點或圖案可被指派較高w p 值。具有較大發生數目之圖案及/或評估點亦可被指派較高w p 值。評估點之實例可為晶圓上之任何實體點或圖案，或虛擬設計佈局或抗蝕劑影像或空中影像上之任何點。成本函數可表示微影投影裝置或基板之任何合適特性，例如，聚焦、CD、影像移位、影像失真、影像旋轉，等等。由於正是抗蝕劑影像常常規定基板上之電路圖案，故成本函數常常包括表示抗蝕劑影像之一些特性的函數。舉例而言，此評估點之f p (z 1 ,z 2 ,...,z N )可簡單地為抗蝕劑影像中之一點至該點之所欲位置之間的距離(亦即，邊緣置放誤差EPE p (z 1 ,z 2 ,...,z N ))。設計變數可為任何可調整參數，諸如，源、遮罩、投影光學元件之可調整參數、劑量、聚焦，等等。較佳地，設計變數中至少一些為投影光學元件之可調整特性。投影光學元件可包括被集體地稱為「波前操縱器」之組件，其可用以調整輻照光束之波前及強度分佈及/或相移之形狀。投影光學元件較佳地可調整沿著微影投影裝置之光徑之任何部位處的波前及強度分佈，諸如，在遮罩之前、在光瞳平面附近、在影像平面附近、在焦平面附近。投影光學元件可用以校正或補償由(例如)源、遮罩、微影投影裝置中之溫度變化、微影投影裝置之組件之熱膨脹引起的波前及強度分佈之某些失真。調整波前及強度分佈可改變評估點及成本函數之值。可自一模型模擬或實際地量測此等改變。
應注意，f p (z 1 ,z 2 ,...,z N )之正常加權均方根(RMS)經定義為，因此，最小化f p (z 1 ,z 2 ,...,z N )之加權RMS會等效於最小化方程式1中所定義之成本函數CF (z 1 ,z 2 ,...,z N )=(z 1 ,z 2 ,...,z N )。因此，為了本文之記法簡單性起見，可互換地利用f p (z 1 ,z 2 ,...,z N )之加權RMS與方程式1。
另外，若吾人考慮最大化PW(程序窗)，則吾人可考慮來自不同PW條件之同一實體部位以作為(方程式1)中之成本函數中之不同評估點。舉例而言，若吾人考慮N 個PW條件，則吾人可根據評估點之PW條件來分類評估點，且將成本函數寫為：
其中f pu (z 1 ,z 2 ,...,z N )為在第u 個PW條件下(u =1,...U )針對設計變數(z 1 ,z 2 ,...,z N )之值集合的第p i 評估點之所欲值與實際值之間的差。當此差為EPE時，則最小化以上成本函數會等效於在各種PW條件下最小化邊緣移位，因此等效於最大化PW。詳言之，若PW亦由不同遮罩偏置組成，則最小化以上成本函數亦包括MEEF(遮罩誤差增強因數)之最小化，MEEF(遮罩誤差增強因數)經定義為晶圓EPE與誘發性遮罩邊緣偏置之間的比率。
設計變數可具有約束，其可被表達為：(z 1 ,z 2 ,...,z N ) Z ，其中Z 為設計變數之可能值集合。
因此，最佳化程序係在約束(z 1 ,z 2 ,...,z N ) Z 下找到最小化成本函數的設計變數之值集合，亦即，找到：
可在Feng等人之名為「Optimization of Source,Mask and Projection Optics」的同在申請中且共同擁有之臨時申請案(P-3745.000-US；代理人案號第081468.0387211號)中找到SMLO程序之詳細數學構架，該申請案與本申請案在同一天申請，且該申請案之全文以引用的方式併入本文中。
圖3中說明根據一實施例的最佳化微影投影裝置之一般方法。此方法包含定義複數個設計變數之多變數成本函數的步驟302。設計變數中至少一些為投影光學元件之特性，如步驟300B所示。其他設計變數可關聯於照明源(步驟300A)及設計佈局(步驟300C)。在步驟304中，同時地調整設計變數，使得成本函數朝向收斂移動。在步驟306中，判定是否滿足預定義終止條件。預定終止條件可包括各種可能性，亦即，成本函數可最小化或最大化(如由所使用之數值技術所需要)、成本函數之值已等於臨限值或已超越臨限值、成本函數之值已達到預設誤差極限內，或達到預設數目次反覆。若滿足步驟306中之條件中任一者，則該方法結束。若不滿足步驟306中之條件中任一者，則反覆地重複步驟304及306，直至獲得所要結果為止。
在微影投影裝置中，根據實施例，可交替地最佳化(被稱作交替最佳化)或同時地最佳化(被稱作同時最佳化)源、遮罩及投影光學元件。如本文所使用之術語「同時」、「同時地」、「聯合」及「聯合地」意謂允許源、遮罩、投影光學元件之特性之設計變數及/或任何其他設計變數同時改變。如本文所使用之術語「交替」及「交替地」意謂並非允許所有設計變數同時改變。
在圖3中，同時地執行所有設計變數之最佳化。吾人將此流程稱為同時流程或共同最佳化流程。或者，交替地執行所有設計變數之最佳化，如圖4A所說明。在此流程中，在每一步驟中，使一些設計變數固定，而使其他設計變數最佳化以最小化成本函數；接著，在下一步驟中，使不同變數集合固定，而使其他變數最佳化以最小化成本函數。交替地執行此等步驟，直至滿足收斂或某些終止條件為止。如圖4A之非限制性實例流程圖所示，吾人首先獲得設計佈局(步驟402)，接著在步驟404中執行SMO(源-遮罩-最佳化)之步驟，其中使來自投影光學元件之所有設計變數固定，而使所有其他設計變數(來自照明源及遮罩設計佈局)最佳化以最小化成本函數。在此SMO中，源之特徵可在於獨立源點，且用於SMO之遮罩佈局或設計佈局之部分可經特性化為(例如)在空間頻域中之繞射元件。此情形實際地類似於全文以引用之方式併入本文中的同在申請中且共同擁有之申請案WO 2010/059954中所描述的情形。基於最佳化結果的遮罩佈局或設計佈局之部分之重新組態包括使用光學近接校正(OPC)之重新組態，及重新特性化經重新組態遮罩。接著，在下一步驟406中，執行LO(透鏡最佳化)，其中使來自照明源及遮罩設計佈局之所有設計變數固定，而使來自投影光學元件之設計變數最佳化以最小化成本函數。可交替地執行此等兩個步驟，直至在步驟408中滿足某些終止條件為止。可使用各種終止條件，諸如，成本函數之值變得等於臨限值、成本函數之值超越臨限值、成本函數之值達到預設誤差極限內，或達到預設數目次反覆，等等。應注意，吾人使用SMO-LO-交替-最佳化以作為用於交替流程之實例。交替流程可採取許多不同形式，諸如，SO-LO-MO-交替-最佳化，其中吾人交替地且反覆地執行SO(源最佳化)、LO(透鏡最佳化)及MO(遮罩最佳化)；或吾人可首先執行SMO達一次，接著交替地且反覆地執行LO及MO；等等。最終，在步驟410中獲得最佳化結果之輸出，且程序停止。將在以下諸圖中展示此等流程之另外實例。
圖4B展示根據本發明之一實施例的源-遮罩-透鏡流程，其中在步驟4010中，提供初始源及初始目標設計佈局。舉例而言，初始目標設計佈局可為實際設計佈局或實際設計佈局之部分，或剪輯或剪輯集合，或所欲設計佈局之任何其他表示。接下來，對初始目標設計佈局連同初始源執行源-遮罩-最佳化，其在步驟4020中予以展示。此源-遮罩-最佳化可包括次解析度輔助特徵(SRAF)之產生及包括。在一實施例中，使用自由形式SMO來執行SMO。此SMO步驟亦可包括用於(例如)自初始較大剪輯集合或設計佈局之部分選擇較小的更有限之剪輯集合或設計佈局之部分以繼續進行SMO的方法。藉由選擇剪輯子集或設計佈局之部分的此縮減步驟通常加快演算及最佳化程序。亦可自2010年10月28日申請的共同讓渡之美國專利申請案第12/914,954號及2010年10月26日申請的共同讓渡之WO專利申請案第PCT/EP2010/066106號知道此等選擇程序，該等申請案之揭示內容之全文以引用的方式併入本文中。執行此步驟4020作為初始步驟之原因係確保在最佳化程序之全域最小值處或附近進行全SMLO之最佳化。自此SMO程序，得到經最佳化源及經最佳化遮罩或設計佈局之部分，其在圖4B中分別用步驟4030及4040予以指示。在當前程序中，使源佈局4030固定，且隨後將經最佳化遮罩或設計佈局之經最佳化部分用於用步驟4050所指示之反覆程序，其包括步驟4060所示之反覆相位校正，及如步驟4070所示的遮罩校正或設計佈局之部分之校正。在相位校正步驟4060中，產生成本函數，其中使表示遮罩(或設計佈局之部分)及源之設計變數保持恆定，且僅允許表示相位(關聯於投影光學元件)之設計變數變化，使得相位最佳化。相位最佳化為透鏡/投影光學元件最佳化之類型。在遮罩(或設計佈局之部分)校正步驟4070中，產生成本函數，其中使表示相位及源之設計變數保持恆定，且僅允許表示遮罩(或設計佈局之部分)之設計變數變化，使得遮罩最佳化。若此反覆程序引起遵照預定終止條件，則停止反覆程序，且在步驟4080中獲得最終源、遮罩及相位校正。
圖4C展示類似於圖4B之流程，其中提供初始源及目標設計佈局或遮罩或設計佈局之部分的步驟4010及執行SMO的步驟4020類似於圖4B中之流程。再次，步驟4030指示使經最佳化源佈局針對此實例固定，但現在，在步驟4055中之共同最佳化程序中執行最佳化遮罩(或設計佈局之部分)及相位之最佳化程序。在此共同最佳化程序4055中，產生成本函數，其中使表示源之設計變數保持恆定，且僅允許表示遮罩(或設計佈局之部分)及相位之設計變數變化，使得遮罩連同相位同時地最佳化或共同最佳化。再次，若此反覆程序引起遵照預定終止條件，則停止反覆程序，且在步驟4080中獲得最終源、遮罩及相位校正。
在圖4D中，展示一流程，在該流程中展示全源-遮罩-透鏡-最佳化。提供初始源及目標設計或遮罩或設計佈局之部分的步驟4010仍類似，但代替如在先前流程中所指示之SMO步驟4020，現在，在步驟4100中執行全源-遮罩-透鏡-最佳化程序。在此共同最佳化程序4100中，產生成本函數，其中允許表示源、遮罩(或設計佈局之部分)及相位之設計變數皆變化，使得所有三個參數一起同時地最佳化或共同最佳化。在選用調諧步驟4090中，可分別在步驟4092及4094中應用另外遮罩及/或相位調諧，以(例如)相比於SMLO步驟4100藉由進一步收緊或改變終止條件來進一步最佳化遮罩及相位校正。再次，若滿足所有終止條件，則在步驟4080中獲得最終源、遮罩及相位校正。
應注意，對於圖4B至圖4D中之實例程序，可針對各種最佳化階段來公式化分離成本函數。舉例而言，用於SMO之成本函數與用於後續LO之成本函數可能不相同。可基於來自使用不同成本函數之先前最佳化步驟的結果來反覆地更新用於稍後最佳化階段之成本函數。類似地，在每一最佳化步驟結束時，終止條件亦可不同或相同。申請專利範圍章節進一步詳細說明此概念。
熟習此項技術者亦應瞭解，如之前所論述之圖案選擇演算法可與同時或交替SMLO整合。舉例而言，當採用交替SMLO時，首先可執行全晶片SMO，識別「熱點」及/或「溫點」，接著執行LO或SLO(源-透鏡最佳化)。鑒於本發明，熟習此項技術者應瞭解，次最佳化之眾多排列及組合係可能的，以便達成所要最佳化結果。
在圖4E中之流程圖所示之一實例實施例中，將圖案選擇整合至SMLO中以進一步加快最佳化程序，其尤其有用於全晶片(或整個設計佈局)最佳化。若存在具有過多測試圖案(亦被稱為「量規」或「量規圖案」)及/或過多評估點之過多剪輯，則最佳化可過慢或需要過多儲存。為了縮減用於具有許多量規圖案之大設計佈局的計算成本，吾人將圖案選擇應用於所有量規圖案。舉例而言，在步驟420中，吾人可首先識別一些重要剪輯(例如，基於繞射特性)，接著在步驟422中，吾人可針對此等剪輯中之所有評估點來進行SMLO，且接著，在步驟424中，吾人可使來自SMLO結果之照明及投影光學元件函數固定，且針對整個設計佈局來執行遮罩最佳化。當滿足終止條件時，程序在步驟426中終止。
或者，吾人可經由熱點或溫點(亦即，缺陷或幾乎為缺陷之圖案)而識別量規。圖4F中展示此反覆流程。詳言之，吾人可首先在僅至少使投影光學元件特性固定之情況下運行全晶片SMO(步驟430)或MO，且在步驟432中識別熱點及溫點。若程序窗不足夠優良(如在步驟434中所判定)，則在步驟436中將熱點及溫點轉換成量規。在步驟438中，執行量規選擇或圖案選擇方法以縮減量規之數目且將選定量規添加至量規集區中。在步驟440中，對選定量規集區執行SMLO。在必要時可重複此程序。應注意，亦可結合其他修改來應用圖4E及圖4F之此等兩個交替流程。舉例而言，吾人可首先應用圖4A之第一流程，接著識別所得熱點及溫點，接著應用圖4F之第二流程。
將結合圖4G中之流程圖來解釋根據本發明之實施例的一實例SMLO方法。可在2010年10月28日申請的共同讓渡之美國專利申請案第12/914,946號中找到類似方法，該申請案之揭示內容之全文以引用的方式併入本文中。'946申請案與本申請案之間的差異在於：'946申請案強調SMO，而本申請案強調SMLO。
在圖4G中，將最佳化微影程序所針對之目標設計佈局4300(通常包含以諸如OASIS、GDSII等等之標準數位格式的佈局)包括記憶體、測試圖案及邏輯。自此設計佈局，提取全剪輯集合4302，其表示設計4300中之所有複雜圖案(通常為約50個至1000個剪輯)。熟習此項技術者應瞭解，此等剪輯表示需要特定關注及/或驗證的設計之小部分(亦即，電路、單元或圖案)。
如在4304中大體上所示，自全集合4302選擇小剪輯子集4306(例如，15個至50個剪輯)。如下文將更詳細地所解釋，較佳地執行剪輯之選擇，使得選定圖案之程序窗儘可能接近地匹配於全臨界圖案集合之程序窗。亦藉由總轉動運行時間(圖案選擇及SMLO)縮減來量測選擇之有效性。
在4308中，用選定圖案(15個至50個圖案)4306來執行SMLO。更特定而言，針對選定圖案4306來最佳化照明源。可使用多種已知方法(例如，美國專利公開案第2004/0265707號中所描述之方法)中任一者來執行此最佳化，該公開案之內容以引用的方式併入本文中。
在4310中，用在4308中所獲得之源及投影光學元件來執行選定圖案4306之可製造性驗證。更特定而言，驗證包括執行選定圖案4306以及經最佳化源及投影光學元件之空中影像模擬，及驗證該等圖案將橫越足夠寬之程序窗進行印刷。可使用多種已知方法(例如，美國專利第7,342,646號中所描述之方法)中任一者來執行此驗證，該專利之內容以引用的方式併入本文中。
若在4310中之驗證令人滿意(如在4312中所判定)，則處理前進至在4314中之全晶片最佳化。否則，處理返回至4308，其中再次執行SMLO，但用不同源或圖案集合來執行SMLO。舉例而言，可比較如藉由驗證工具估計之程序效能與諸如曝光寬容度及聚焦深度之某些程序窗參數的臨限值。可由使用者來預定或設定此等臨限值。
在4316中，在選定圖案滿足微影效能規格(如在4312中所判定)之後，經最佳化源及投影光學元件4314將用於最佳化全剪輯集合或甚至最佳化已藉由剪輯集合表示且待圖案化於基板上之實際全晶片或全目標設計佈局。
在4318中，執行針對全剪輯集合4316中之所有圖案或針對全晶片或全目標設計佈局的以模型為基礎之次解析度輔助特徵置放(MB-SRAF)及光學近接校正(OPC)。可使用多種已知方法(例如，美國專利第5,663,893號、第5,821,014號、第6,541,167號及第6,670,081號中所描述之方法)中任一者來執行此程序。
在4320中，在使用類似於步驟4310之程序的情況下，用經最佳化源及投影光學元件4314及如在4318中所校正之全剪輯集合4316或全剪輯來執行以全圖案模擬為基礎之可製造性驗證。
在4322中，比較全剪輯集合4316或全晶片或全目標設計佈局之效能(例如，程序窗參數，諸如，曝光寬容度及聚焦深度)與剪輯子集4306(如藉由區塊4313指示)。在一實例實施例中，當針對選定圖案(15個至20個)4306及所有臨界圖案(50個至1000個)4316兩者來獲得類似(<10%)微影效能時，認為圖案選擇完成及/或源及投影光學元件對於全晶片完全地合格。
否則，在4324中，提取熱點，且在4326中，將此等熱點添加至子集4306，且程序從頭至尾地開始。舉例而言，將在驗證4320期間所識別之熱點(亦即，限制程序窗效能的在全剪輯集合4316當中之特徵)用於另外源調諧或用以重新運行SMLO。當全剪輯集合4316之程序窗在最後運行與在4322之最後運行之前的運行之間相同時，認為源及投影光學元件完全地收斂。
因此，自以上非限制性實例，閱讀者應瞭解，SMLO易於以各種形式適應於現有最佳化構架內。
如之前所論述，成本函數(CF)之最佳化處於SMLO方法之中心。CF可為某一微影量度之RMS值。當然，CF (z 1 ,z 2 ,...,z N )不限於f p (z 1 ,z 2 ,...,z N )之RMS。CF (z 1 ,z 2 ,...,z N )可呈任何其他合適形式。
圖5展示一例示性最佳化方法，其中最小化成本函數。在步驟S502中，獲得設計變數之初始值，包括其調諧範圍(若存在)。在步驟S504中，設置多變數成本函數。在步驟S506中，在圍繞針對第一反覆步驟(i=0)之設計變數之開始點值的足夠小鄰域內展開成本函數。在步驟S508中，應用標準多變數最佳化技術以最小化成本函數。應注意，最佳化問題可在S508中之最佳化程序期間或在最佳化程序中之稍後階段施加約束，諸如，調諧範圍。步驟S520指示針對用於已經選擇以最佳化微影程序之經識別評估點的給定測試圖案(亦被稱為「量規」)進行每一反覆。在步驟S510中，預測微影回應。在步驟S512中，比較步驟S510之結果與在步驟S522中所獲得之所要或理想微影回應值。若在步驟S514中滿足終止條件(亦即，最佳化產生足夠接近於所要值之微影回應值)，則在步驟S518中輸出設計變數之最終值。輸出步驟亦可包括輸出使用設計變數之最終值的其他函數，諸如，輸出在光瞳平面(或其他平面)處之經波前像差調整映像、經最佳化源映像，及經最佳化設計佈局，等等。若不滿足終止條件，則在步驟S516中，用第i反覆之結果來更新設計變數之值，且程序回到步驟S506。
圖6展示說明第二最佳化程序之關鍵步驟的實例流程圖。除非此處另有解釋，否則圖6之步驟中之許多者極類似於圖5中之對應步驟。一主要差異在於：在步驟S604中，將多變數成本函數表達為包括關於(例如)透射交叉係數(TCC)之偏導數之擬合係數的較高階(諸如，二次)多項式。在步驟S606中，圍繞針對每一反覆之開始點展開TCC，且在步驟S607中，展開空中影像、抗蝕劑影像及邊緣置放誤差(EPE)。該等步驟之其餘部分類似於圖5所描述之對應步驟。自上文之闡釋，對於熟習此項技術者將顯而易見，在本發明之特定實施例中，反覆之數目可甚至為一，從而引起單一演算序列。舉例而言，此情形可在如下時候發生：一些設計變數之描述最初足夠充分，使得在單一演算之後滿足預定義終止條件。
因此，根據一實施例的最大化程序窗之方法包含找到最小化在任何評估點p (RI p )處之抗蝕劑影像(例如，抗蝕劑層中抗蝕劑之溶解度)落在准許範圍外之機率之最大值的設計變數之值。
圖7展示同時SMLO程序可如何使用高斯牛頓演算法(Gauss Newton Algorithm)用於最佳化的一特定實例。在步驟S702中，識別設計變數之開始值。亦可識別用於每一變數之調諧範圍。在步驟S704中，使用設計變數來定義成本函數。在步驟S706中，圍繞設計佈局中所有評估點之開始值展開成本函數。在選用步驟S710中，執行全晶片模擬以涵蓋全晶片設計佈局中之所有臨界圖案。在步驟S714中獲得所要微影回應量度(諸如，CD或EPE)，且在步驟S712中比較所要微影回應量度與彼等量之預測值。在步驟S716中，判定程序窗。步驟S718、S720及S722類似於對應步驟S514、S516及S518，如關於圖5所描述。如之前所提及，最終輸出可為經最佳化以產生所要成像效能的在光瞳平面中之波前像差映像。最終輸出亦可為經最佳化源映像及/或經最佳化設計佈局。
圖8A至圖8F展示應用於設計佈局之部分的如圖4B所示之源-遮罩-透鏡最佳化。在圖8A中，展示目標設計佈局。此目標設計佈局可以諸如GDSII或Oasis設計格式之電子形式予以提供，且可為圖案子集中之圖案中之一者。在當前實例中，目標設計佈局為(例如)來自設計之部分之圖案子集的單一圖案。或者，目標圖案可包含來自圖案子集之所有選定圖案以達成待成像於基板上的設計佈局之部分之優良涵蓋。應注意，圖案子集可囊括在全晶片設計佈局中之所有圖案。來自圖案子集之目標圖案或選定圖案可包含熱點、溫點、剪輯，且甚至可包含來自設計佈局之部分的經手動或自動提取圖案。此實例中之初始源為熟知環形照明源且在該等圖式中任一者中尚未繪示。如圖8A所示之此目標設計連同初始源隨後用於源及目標圖案之同時最佳化(其通常亦被稱作源-遮罩最佳化或SMO)中。在SMO中，亦添加次解析度輔助特徵或SRAF 810，如可在圖8B之經最佳化目標設計中看出。SMO程序亦提議可在圖8C中看出的對源或照明光瞳之改變。圖8C中之圖例展示以任意相對尺度之強度值。接下來，使如圖8C所示之經最佳化源光瞳及如圖8B所示之經最佳化目標圖案保持固定，且應用相位(亦即，透鏡)校正。藉由選擇性地重複以下步驟來進行相位校正：定義複數個設計變數之多變數成本函數，複數個設計變數為微影程序之特性，其中此成本函數之複數個設計變數中至少一些為投影光學元件之特性；及反覆地重新組態複數個設計變數，直至滿足預定義終止條件為止。
已使用兩個不同終止條件來執行當前實例中之相位校正步驟，從而引起用於投影透鏡中之光瞳-平面校正的兩個不同實施例。如圖8D所示之光瞳平面校正之第一實施例係由使用光瞳平面中之經最小化相位像差引起，且如圖8E所示之光瞳平面校正之第二實施例係由最小化量規上之CD誤差引起。再次，圖8D及圖8E中之各別圖例展示以任意相對尺度之強度值。
圖8F展示經進一步調適且經進一步最佳化之目標設計佈局，其已使用經最佳化源(其在SMO程序之後尚未更改且仍係藉由圖8C表示)連同如圖8E所示之經最近最佳化之相位校正予以最佳化。比較圖8B與圖8E會展示：當經最佳化相位校正用以產生經進一步最佳化之目標佈局時，可達成總程序窗之進一步改良。在此程序中，且如圖4B所指示(見步驟4050)，相位校正(圖4B中之步驟4060)及目標圖案(圖4B中之步驟4070)之此依序最佳化可繼續，直至達成預定義終止條件為止。
圖9為說明可輔助實施本文所揭示之最佳化方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存資訊及待藉由處理器104執行之指令的主記憶體106，諸如，隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在執行待藉由處理器104執行之指令期間儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供儲存器件110(諸如，磁碟或光碟)且將其耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。輸入器件114(包括文數字按鍵及其他按鍵)耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件在一平面中指定位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。
根據本發明之一實施例，可藉由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中所含有的一或多個指令之一或多個序列來執行最佳化程序之部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如，儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列之執行使處理器104執行本文所描述之程序步驟。亦可使用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體106中所含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令來使用硬連線電路以實施本發明。因此，本發明之實施例不限於硬體電路與軟體之任何特定組合。
如本文所使用之術語「電腦可讀媒體」指代參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如，儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如，主記憶體106。傳輸媒體包括同軸電纜、銅導線及光纖，包括包含匯流排102之導線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間所產生之聲波或光波。普通形式之電腦可讀媒體包括(例如)軟碟、可撓性碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或晶匣、如在下文中所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自主記憶體106擷取及執行指令。藉由主記憶體106接收之指令可視情況在藉由處理器104之執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統100亦較佳地包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118向連接至區域網路122之網路鏈路120提供雙向資料通信耦接。舉例而言，通信介面118可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以向對應類型之電話線提供資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以向相容LAN提供資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向藉由網際網路服務提供者(ISP)126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」128)而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的例示性形式之載波。
電腦系統100可經由該(該等)網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息及接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。根據本發明，一種此類經下載應用程式提供(例如)該實施例之照明最佳化。經接收程式碼可在其被接收時藉由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式的應用程式碼。
圖10示意性地描繪例示性微影投影裝置，其照明源可利用本文所描述之方法予以最佳化。該裝置包含：
-輻射系統IL，其用於供應投影輻射光束B。在此特定狀況下，輻射系統亦包含輻射源SO；
-第一物件台(遮罩台)MT，其具備用於固持遮罩MA(例如，比例光罩)之遮罩固持器，且連接至用於相對於項目PS準確地定位該遮罩之第一定位構件；
-第二物件台(基板台)WT，其具備用於固持基板W(例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用於相對於項目PS準確地定位該基板之第二定位構件；
-投影系統(「透鏡」)PS(例如，折射、反射或反射折射光學系統)，其用於將遮罩MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如本文所描繪，裝置為透射類型(亦即，具有透射遮罩)。然而，一般而言，其亦可為(例如)反射類型(具有反射遮罩)。或者，裝置可將另一類別之圖案化構件用作遮罩之使用的替代例；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。
輻射源SO(例如，水銀燈或準分子雷射)產生輻射光束。此光束係直接地或在已橫穿諸如(例如)光束擴展器Ex之調節構件之後被饋入至照明系統(照明器)IL中。照明器IL可包含調整構件AD以用於設定光束中之強度分佈的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL將通常包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於遮罩MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
關於圖10應注意，輻射源SO可在微影投影裝置之外殼內(此常常為輻射源SO為(例如)水銀燈時之狀況)，但輻射源SO亦可遠離於微影投影裝置，輻射源SO所產生之輻射光束經導向至該裝置中(例如，憑藉合適引導鏡面)；此後者情景常常為輻射源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F2 雷射作用)時之狀況。
光束PB隨後截取遮罩MA，遮罩MA被固持於遮罩合MT上。在已橫穿遮罩MA的情況下，光束B傳遞通過透鏡PL，透鏡PL將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。類似地，第一定位構件可用以(例如)在自遮罩庫機械地擷取遮罩MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑準確地定位遮罩MA。一般而言，將憑藉未在圖10中被明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在晶圓步進器(相對於步進掃描工具)之狀況下，遮罩台MT可僅僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。
所描繪工具可用於兩種不同模式中：
-在步進模式中，使遮罩台MT保持基本上靜止，且將整個遮罩影像一次性(亦即，單次「閃光」)投影至目標部分C上。接著，使基板台WT在x及/或y方向上移位，使得可藉由光束PB來輻照不同目標部分C；
-在掃描模式中，基本上相同情景適用，惟在單次「閃光」中不曝光給定目標部分C除外。取而代之，遮罩台MT可在給定方向(所謂的「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，使得造成投影光束B遍及遮罩影像進行掃描；同時發生地，基板台WT以速度V=Mv在相同或相反方向上同時地移動，其中M為透鏡PL之放大率(通常，M=1/4或=1/5)。以此方式，可在不必損害解析度之情況下曝光相對大目標部分C。
本文所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於成像次波長特徵之任何通用成像系統，且可尤其有用於能夠產生具有愈來愈小之大小之波長的新興成像技術。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193奈米波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157奈米波長之EUV(極紫外線)微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20奈米至5奈米之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。
可使用以下條項來進一步描述本發明：
1.一種用於改良用於使用一微影投影裝置將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的電腦實施方法，該微影投影裝置包含一照明源及投影光學元件，該方法包含：自該設計佈局之該部分選擇一圖案子集且選擇一初始照明源；同時地最佳化該圖案子集及該照明源；及藉由使用該經最佳化照明源來最佳化該投影光學元件之特性。
2.如條項1之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行同時地最佳化該圖案子集及該照明源之該步驟：-定義第一複數個設計變數之一第一多變數成本函數，該第一複數個設計變數為該微影程序之特性，該第一複數個設計變數中至少一些為該照明源及該圖案子集之特性；-反覆地重新組態該第一複數個設計變數，直至滿足一第一預定義終止條件為止。
3.如條項1之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行最佳化該投影光學元件之特性之該步驟：-定義第二複數個設計變數之一第二多變數成本函數，該第二複數個設計變數為該微影程序之特性，該第二成本函數之該第二複數個設計變數中至少一些為該投影光學元件之特性；及-反覆地重新組態該第二複數個設計變數，直至滿足一第二預定義終止條件為止。
4.如條項1之方法，其中該設計佈局之該部分包含以下各者中之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、被已知具有一或多個臨界特徵的一設計佈局之一區段、已自一全晶片模擬識別一熱點或一溫點的該設計佈局之一區段，及已藉由一圖案選擇方法識別一或多個臨界特徵的該設計佈局之一區段。
5.如條項2或3之方法，其中該第一預定義終止條件及/或該第二預定義終止條件包括以下各者中之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到預設數目次反覆；達到等於或超出一預設臨限值的該成本函數之一值；達到一預定義計算時間；達到一預定義程序窗；及達到在一可接受誤差極限內的該成本函數之一值。
6.如條項1之方法，其中該方法進一步包含一以下步驟：使用該經最佳化照明源及該經最佳化投影光學元件以用於進一步最佳化該圖案子集。
7.如條項6之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行使用該經最佳化照明源及該經最佳化投影光學元件以用於進一步最佳化該圖案子集之該步驟：-定義第三複數個設計變數之一第三多變數成本函數，該第三複數個設計變數為該微影程序之特性，該第三成本函數之該第三複數個設計變數中至少一些為該圖案子集之特性；及-反覆地重新組態該第三複數個設計變數，直至滿足一第三預定義終止條件為止。
8.如條項6之方法，其中反覆地執行在使用該先前經最佳化投影光學元件及該經最佳化照明源時最佳化該圖案子集之該步驟及在使用該先前經最佳化圖案子集及該經最佳化照明源時最佳化該投影光學元件之該步驟，直至滿足一第四預定義終止條件為止。
9.如條項3之方法，其中該第二成本函數之該第二複數個設計變數包含該投影光學元件及該圖案子集兩者之特性。
10.一種用於改良用於使用一微影投影裝置將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的電腦實施方法，該微影投影裝置包含一照明源及投影光學元件，該方法包含：自該設計佈局之該部分選擇一圖案子集且選擇一初始照明源；同時地最佳化該圖案子集、該照明源及該投影光學元件。
11.如條項10之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行同時地最佳化該圖案子集、該照明源及該投影光學元件之該步驟：-定義複數個設計變數之一多變數成本函數，該複數個設計變數為該微影程序之特性，該複數個設計變數中至少一些為該照明源及該圖案子集以及該投影光學元件之特性；-反覆地重新組態該複數個設計變數，直至滿足一預定義終止條件為止。
12.如條項10之方法，其中該方法包含調諧該圖案子集及/或調諧該投影光學元件之一另外步驟。
13.如條項12之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行調諧該圖案子集及/或調諧該投影光學元件之該步驟：-定義另外複數個設計變數之一另外多變數成本函數，該另外複數個設計變數為該微影程序之特性，該另外複數個設計變數中至少一些為該圖案子集之特性，及/或該另外複數個設計變數中至少一些為該投影光學元件之特性；-反覆地重新組態另外設計變數集合，直至滿足一另外預定義終止條件為止。
14.如條項2、3、7、11或13之方法，其中在無約束的情況下或在有規定該等設計變數中至少一些之範圍之約束的情況下執行該等反覆重新組態步驟中至少一者。
15.如條項14之方法，其中該等設計變數中至少一些係在表示該微影投影裝置之一硬體實施中之實體限定的約束下。
16.如條項15之方法，其中該等約束包括以下各者中之一或多者：調諧範圍、控管遮罩可製造性之規則，及該等設計變數之間的相互相依性。
17.如條項2、3、7、11或13之方法，其中該成本函數為以下微影量度中之一或多者之一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，及最佳聚焦移位。
18.如條項1或10之方法，其中該方法包含在執行該最佳化程序之該等步驟之前選擇特性上表示該設計佈局之該部分之特徵的一目標圖案子集。
19.如條項2、3、7、11或13之方法，其中該最佳化程序包括藉由在圍繞每一反覆中之一開始點的預定義相對小鄰域內演算線性擬合係數來反覆地最小化該成本函數。
20.如條項19之方法，其中藉由選自由以下各者組成之一群組的一方法來最小化該成本函數：高斯-牛頓演算法、雷文柏格-馬括特(Levenberg-Marquardt)演算法、梯度下降演算法、模擬鍛鍊(simulated annealing)，及遺傳演算法。
21.如條項2、3、7、11或13之方法，其中藉由求解包括該等設計變數之較高階多項式的多項式來最小化該成本函數。
22.如條項21之方法，其中依據擬合常數係數來展開該成本函數。
23.如條項22之方法，其中自來自透射交叉係數(TCC)之多項式展開的係數計算該等擬合常數係數。
24.如條項23之方法，其包含計算該等透射交叉係數之偏導數。
25.如條項24之方法，其中自該等設計變數之脈衝回應計算該等透射交叉係數之該等偏導數。
26.如條項2、3、7、11或13之方法，其中該成本函數包含一抗蝕劑影像或一空中影像之特性。
27.如條項2、3、7、11或13之方法，其中藉由求解一個二次程式設計問題來最小化該成本函數。
28.如條項2、3、7、11或13之方法，其中該成本函數為僅為該投影光學元件之特性之該等設計變數的一函數，而其他設計變數被指派預定義值。
29.如條項2、3、7、11或13之方法，其中該成本函數表示在該設計佈局之該部分中找到一熱點之一機率。
30.一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施以上技術方案中任一項之方法。
雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示概念可用於任何類型之微影成像系統，例如，用於在不同於矽晶圓之基板上之成像的微影成像系統。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之實施例進行修改。
10．．．微影投影裝置
12．．．照明源
14．．．光學元件/組件
16a．．．光學元件/組件
16b．．．光學元件/組件
16c．．．透射光學元件/組件
18．．．遮罩/比例光罩
20．．．可調整濾光器/孔隙
22．．．基板平面
31．．．源模型
32．．．投影光學元件模型
33．．．設計佈局
34．．．透射交叉係數(TCC)模型
35．．．設計佈局模型
36．．．空中影像
37．．．抗蝕劑模型
38．．．抗蝕劑影像
100．．．電腦系統
102．．．匯流排
104．．．處理器
105．．．處理器
106．．．主記憶體
108．．．唯讀記憶體(ROM)
110．．．儲存器件
112．．．顯示器
114．．．輸入器件
116．．．游標控制件
118．．．通信介面
120．．．網路鏈路
122．．．區域網路
124．．．主機電腦
126．．．網際網路服務提供者(ISP)
128．．．網際網路
130．．．伺服器
810．．．次解析度輔助特徵(SRAF)
AD．．．調整構件
B．．．投影輻射光束/投影光束
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．干涉量測構件
IL．．．輻射系統/照明系統/照明器
IN．．．積光器
MA．．．遮罩
MT．．．第一物件台/遮罩台
PS．．．項目/投影系統/透鏡
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．第二物件台/基板台
圖1為根據本發明之實例實施的微影系統之各種子系統的方塊圖；
圖2為對應於圖1中之子系統之模擬模型的方塊圖；
圖3為說明根據本發明之聯合最佳化之實例方法之態樣的流程圖；
圖4A展示根據本發明之一實施例的最佳化方法或最佳化流程之實施例；
圖4B展示反覆地進行透鏡及圖案/設計佈局最佳化的另外最佳化方法之實施例；
圖4C展示經由共同最佳化而進行透鏡及圖案/設計佈局最佳化的又一最佳化方法之實施例；
圖4D展示經由共同最佳化程序而進行源、遮罩/設計佈局及透鏡最佳化的最佳化方法之實施例；
圖4E至圖4G展示SMLO方法之各種實施例，其中將圖案選擇或量規選擇整合至最佳化程序中；
圖5至圖7展示根據本發明之實施例的各種最佳化程序的實例流程圖；
圖8A至圖8F展示應用於設計之部分的如圖4B所示之源-遮罩-透鏡最佳化；
圖9為可供實施本發明之實施例的實例電腦系統的方塊圖；及
圖10為本發明之實施例所適用的微影投影裝置的示意圖。
(無元件符號說明)

Claims (15)

  1. 一種用於改良用於使用一微影投影裝置將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影程序的電腦實施方法，該微影投影裝置包含一照明源及投影光學元件，該方法包含：自該設計佈局之該部分選擇一圖案子集且選擇一初始照明源；同時地最佳化該圖案子集及該照明源；及藉由使用該經最佳化照明源來最佳化該投影光學元件之特性。
  2. 如請求項1之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行同時地最佳化該圖案子集及該照明源之該步驟：定義第一複數個設計變數之一第一多變數成本函數，該第一複數個設計變數為該微影程序之特性，該第一複數個設計變數中至少一些為該照明源及該圖案子集之特性；反覆地重新組態該第一複數個設計變數，直至滿足一第一預定義終止條件為止。
  3. 如請求項1之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行最佳化該投影光學元件之特性之該步驟：定義第二複數個設計變數之一第二多變數成本函數，該第二複數個設計變數為該微影程序之特性，該第二成本函數之該第二複數個設計變數中至少一些為該投影光學元件之特性；及反覆地重新組態該第二複數個設計變數，直至滿足一第二預定義終止條件為止。
  4. 如請求項1之方法，其中該設計佈局之該部分包含以下各者中之一或多者：一整個設計佈局、一剪輯、被已知具有一或多個臨界特徵的一設計佈局之一區段、已自一全晶片模擬識別一熱點或一溫點的該設計佈局之一區段，及已藉由一圖案選擇方法識別一或多個臨界特徵的該設計佈局之一區段。
  5. 如請求項2或3之方法，其中該第一預定義終止條件及/或該第二預定義終止條件包括以下各者中之一或多者：該成本函數之最小化；該成本函數之最大化；達到預設數目次反覆；達到等於或超出一預設臨限值的該成本函數之一值；達到一預定義計算時間；達到一預定義程序窗；及達到在一可接受誤差極限內的該成本函數之一值。
  6. 如請求項1之方法，其中該方法進一步包含一以下步驟：使用該經最佳化照明源及該經最佳化投影光學元件以用於進一步最佳化該圖案子集。
  7. 如請求項6之方法，其中藉由選擇性地重複以下步驟來執行使用該經最佳化照明源及該經最佳化投影光學元件以用於進一步最佳化該圖案子集之該步驟：定義第三複數個設計變數之一第三多變數成本函數，該第三複數個設計變數為該微影程序之特性，該第三成本函數之該第三複數個設計變數中至少一些為該圖案子集之特性；及反覆地重新組態該第三複數個設計變數，直至滿足一第三預定義終止條件為止。
  8. 如請求項6之方法，其中反覆地執行在使用該先前經最佳化投影光學元件及該經最佳化照明源時最佳化該圖案子集之該步驟及在使用該先前經最佳化圖案子集及該經最佳化照明源時最佳化該投影光學元件之該步驟，直至滿足一第四預定義終止條件為止。
  9. 如請求項3之方法，其中該第二成本函數之該第二複數個設計變數包含該投影光學元件及該圖案子集兩者之特性。
  10. 3或7之方法，其中在無約束的情況下或在有規定該等設計變數中至少一些之範圍之約束的情況下執行該等反覆重新組態步驟中至少一者。
  11. 如請求項10之方法，其中該等設計變數中至少一些係在表示該微影投影裝置之一硬體實施中之實體限定的約束下。
  12. 3或7之方法，其中該成本函數為以下微影量度中之一或多者之一函數：邊緣置放誤差、臨界尺寸、抗蝕劑輪廓距離、最差缺陷大小，及最佳聚焦移位。
  13. 如請求項1之方法，其中該方法包含在執行該最佳化程序之該等步驟之前選擇特性上表示該設計佈局之該部分之特徵的一目標圖案子集。
  14. 3或7之方法，其中該成本函數包含一抗蝕劑影像或一空中影像之特性。
  15. 一種電腦程式產品，其包含經記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在藉由一電腦執行時實施以上請求項中任一項之方法。
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Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5389421B2 (ja) * 2008-11-18 2014-01-15 東京パイプ株式会社 ガスライターの燃料吐出流量調整装置
NL2007579A (en) * 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Pattern-dependent proximity matching/tuning including light manipulation by projection optics.
NL2007577A (en) * 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization of source, mask and projection optics.
KR101492205B1 (ko) 2010-11-12 2015-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 디바이스 제조 방법
WO2012062501A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
NL2008311A (en) * 2011-04-04 2012-10-08 Asml Netherlands Bv Integration of lithography apparatus and mask optimization process with multiple patterning process.
NL2008957A (en) 2011-07-08 2013-01-09 Asml Netherlands Bv Methods and systems for pattern design with tailored response to wavefront aberration.
NL2009508A (en) 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
NL2010401A (en) 2012-03-27 2013-09-30 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
JP6108693B2 (ja) * 2012-06-08 2017-04-05 キヤノン株式会社 パターン作成方法
US10191384B2 (en) * 2013-02-25 2019-01-29 Asml Netherlands B.V. Discrete source mask optimization
US9250535B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 International Business Machines Corporation Source, target and mask optimization by incorporating countour based assessments and integration over process variations
US8954898B2 (en) 2013-03-15 2015-02-10 International Business Machines Corporation Source-mask optimization for a lithography process
CN104516206B (zh) * 2013-09-27 2017-03-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种优化光学临近修正拟合结果的方法
WO2015139951A1 (en) * 2014-03-18 2015-09-24 Asml Netherlands B.V. Pattern placement error aware optimization
TWI624765B (zh) 2014-04-14 2018-05-21 Ａｓｍｌ荷蘭公司 用以改良微影程序之電腦實施方法及電腦程式產品
EP2980646B1 (en) * 2014-07-30 2020-09-02 GenISys GmbH Process artefact compensation upon transfer of a mask layout onto a mask substrate
CN104155852B (zh) * 2014-08-26 2016-04-13 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种光刻机光源的优化方法
TWI620980B (zh) 2015-02-13 2018-04-11 Ａｓｍｌ荷蘭公司 影像對數斜率（ｉｌｓ）最佳化
TWI571701B (zh) * 2015-04-30 2017-02-21 力晶科技股份有限公司 偵測微影熱點的方法
NL2016855A (en) * 2015-06-22 2016-12-29 Asml Netherlands Bv Lithographic Method and Apparatus
US10008422B2 (en) * 2015-08-17 2018-06-26 Qoniac Gmbh Method for assessing the usability of an exposed and developed semiconductor wafer
US10699971B2 (en) * 2015-08-17 2020-06-30 Qoniac Gmbh Method for processing of a further layer on a semiconductor wafer
WO2017067752A1 (en) 2015-10-19 2017-04-27 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error
US10915689B2 (en) 2015-10-19 2021-02-09 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error
KR20180072768A (ko) * 2015-10-19 2018-06-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패터닝 공정 오차를 보정하는 장치 및 방법
KR102136796B1 (ko) 2015-10-19 2020-07-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비선형 거동의 영향을 저감시키는 방법 및 장치
WO2017067757A1 (en) 2015-10-19 2017-04-27 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error
US11029594B2 (en) * 2016-09-13 2021-06-08 Asml Netherlands B.V. Optimization of a lithography apparatus or patterning process based on selected aberration
CN108345107B (zh) * 2017-01-24 2020-03-17 清华大学 自由曲面照明系统的设计方法
JP6917477B2 (ja) * 2017-06-14 2021-08-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びリソグラフィ方法
US10815008B2 (en) 2017-07-27 2020-10-27 Bell Helicopter Textron Inc. Lift propulsion module for a tiltrotor aircraft
US11373018B2 (en) * 2018-01-25 2022-06-28 Kioxia Corporation Method of displaying model and designing pattern, and storage medium
TWI794544B (zh) 2018-10-09 2023-03-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於高數值孔徑穿縫源光罩最佳化之方法
CN112889004B (zh) * 2018-10-19 2024-06-28 Asml荷兰有限公司 通过源和掩模优化创建理想源光谱的方法
CN113168085A (zh) * 2018-11-30 2021-07-23 Asml荷兰有限公司 用于基于可制造性确定图案形成装置图案的方法
CN113227899A (zh) 2018-12-28 2021-08-06 Asml荷兰有限公司 用于在片段边界处产生图案形成装置图案的方法
US11086230B2 (en) 2019-02-01 2021-08-10 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for source mask optimization configured to increase scanner throughput for a patterning process
US20220113632A1 (en) * 2019-02-27 2022-04-14 Asml Netherlands B.V. Gauge selection for model calibration
US11061318B2 (en) * 2019-02-28 2021-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography model calibration
WO2020182440A1 (en) 2019-03-08 2020-09-17 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for diffraction pattern guided source mask optimization
EP3734365A1 (en) 2019-04-30 2020-11-04 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for photolithographic imaging
WO2020221556A1 (en) 2019-04-30 2020-11-05 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for photolithographic imaging
WO2020254066A1 (en) 2019-06-20 2020-12-24 Asml Netherlands B.V. Method for patterning process modelling
KR20220042450A (ko) 2019-08-08 2022-04-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 포토리소그래피 이미징을 위한 장치 및 방법
CN114556219A (zh) 2019-10-02 2022-05-27 Asml荷兰有限公司 使用预测模型的过程监控和调节
WO2021089320A1 (en) 2019-11-07 2021-05-14 Asml Holding N.V. Systems for cleaning a portion of a lithography apparatus
WO2021099408A1 (en) 2019-11-19 2021-05-27 Asml Holding N.V. Optimization using a non-uniform illumination intensity profile
US20230100578A1 (en) 2020-02-12 2023-03-30 Asml Netherlands B.V. Method for determining a mask pattern comprising optical proximity corrections using a trained machine learning model
CN115605810A (zh) 2020-04-03 2023-01-13 Asml控股股份有限公司（Nl） 用于在表面上形成结构的系统和方法
CN115516381A (zh) 2020-05-09 2022-12-23 Asml荷兰有限公司 确定衬底上的图案的部分的指标
TWI792198B (zh) 2020-06-01 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法
KR20230008778A (ko) 2020-06-02 2023-01-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 마스크 디자인의 프리폼 곡선적 피처 검증
DE102020209784A1 (de) 2020-08-04 2022-02-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur herstellung oder einstellung einer projektionsbelichtungsanlage
KR20230117366A (ko) 2020-12-18 2023-08-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 마스크 패턴을 결정하고 기계학습 모델을 트레이닝하는 방법
CN112817212B (zh) * 2021-01-11 2024-02-20 中国科学院微电子研究所 用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质
KR20240011727A (ko) * 2021-05-21 2024-01-26 시놉시스, 인크. 소스 마스크 최적화를 위해 초기 소스 형상들을 선택하기 위한 머신 학습
TWI833241B (zh) 2021-06-18 2024-02-21 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 使用機器學習模型產生輔助特徵之非暫時性電腦可讀媒體
WO2023006346A1 (en) 2021-07-30 2023-02-02 Asml Netherlands B.V. Method for generating mask pattern
WO2023138916A1 (en) 2022-01-21 2023-07-27 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for inspecting a portion of a lithography apparatus
WO2023160925A1 (en) 2022-02-25 2023-08-31 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for cleaning a portion of a lithography apparatus
WO2024099852A1 (en) 2022-11-09 2024-05-16 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for cleaning a portion of a lithography apparatus
EP4394512A1 (en) 2022-12-27 2024-07-03 ASML Netherlands B.V. Source mask optimization based on systematic effects on a lithographic apparatus
CN117348332B (zh) * 2023-12-04 2024-02-02 粤芯半导体技术股份有限公司 版图修正方法、装置、设备及存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050028129A1 (en) * 2003-06-30 2005-02-03 Hsu Duan-Fu Stephen Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
US20100251202A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Christophe Pierrat Lithography Modelling And Applications

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
JP3243818B2 (ja) * 1992-02-14 2002-01-07 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5663893A (en) 1995-05-03 1997-09-02 Microunity Systems Engineering, Inc. Method for generating proximity correction features for a lithographic mask pattern
JP4075966B2 (ja) 1996-03-06 2008-04-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 差分干渉計システム及びこのシステムを具えたリソグラフステップアンドスキャン装置
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands B.V., Veldhoven In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
US5821014A (en) 1997-02-28 1998-10-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask
US6335130B1 (en) 2000-05-01 2002-01-01 Asml Masktools Netherlands B.V. System and method of providing optical proximity correction for features using phase-shifted halftone transparent/semi-transparent features
EP1164432A1 (en) 2000-06-13 2001-12-19 ASML Masktools Netherlands B.V. Optical proximity correction method utilizing serifs having variable dimensions
US7245356B2 (en) * 2003-02-11 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing illumination using a photolithographic simulation
SG146424A1 (en) * 2003-03-31 2008-10-30 Asml Masktools Bv Source and mask optimization
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7342646B2 (en) 2004-01-30 2008-03-11 Asml Masktools B.V. Method of manufacturing reliability checking and verification for lithography process using a calibrated eigen decomposition model
KR100982135B1 (ko) 2005-09-09 2010-09-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 개별 마스크 오차 모델을 사용하는 마스크 검증 방법 및시스템
WO2007044557A2 (en) * 2005-10-06 2007-04-19 Luminescent Technologies, Inc. System, masks, and methods for photomasks optimized with approximate and accurate merit functions
US20070121090A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007305972A (ja) * 2006-04-11 2007-11-22 Toshiba Corp 露光条件設定方法及び半導体デバイスの製造方法
US7580113B2 (en) * 2006-06-23 2009-08-25 Asml Netherlands B.V. Method of reducing a wave front aberration, and computer program product
NL1036189A1 (nl) * 2007-12-05 2009-06-08 Brion Tech Inc Methods and System for Lithography Process Window Simulation.
JP2009218366A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Canon Inc 露光装置、露光方法、算出方法及びデバイス製造方法
JP5225463B2 (ja) 2008-06-03 2013-07-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． レンズ加熱補償方法
NL2003696A (en) * 2008-11-10 2010-05-11 Brion Tech Inc Scanner model representation with transmission cross coefficients.
CN102224459B (zh) 2008-11-21 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 用于优化光刻过程的方法及设备
NL2005522A (en) 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Pattern selection for full-chip source and mask optimization.
US8372565B2 (en) * 2010-08-31 2013-02-12 International Business Machines Corporation Method for optimizing source and mask to control line width roughness and image log slope
NL2007577A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization of source, mask and projection optics.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050028129A1 (en) * 2003-06-30 2005-02-03 Hsu Duan-Fu Stephen Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
US20100251202A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Christophe Pierrat Lithography Modelling And Applications

Also Published As

Publication number Publication date
CN102540754B (zh) 2014-12-10
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US20170176864A1 (en) 2017-06-22
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