TWI424143B - A moving body system, a pattern forming apparatus, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method - Google Patents

A moving body system, a pattern forming apparatus, an exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method Download PDF

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Description

移動體系統、圖案形成裝置、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
本發明，係關於移動體系統、圖案形成裝置、曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法，更詳言之，係關於具備可保持物體來移動之移動體的移動體系統、具備該移動體系統之圖案形成裝置、具備該移動體系統之曝光裝置、將能量束照射於物體以於該物體上形成既定圖案的曝光方法、以及使用該曝光方法之元件製造方法。
以往，在製造半導體元件、液晶顯示元件等之微型元件(電子元件等)的微影製程中，較常使用步進重複方式之縮小投影曝光裝置(所謂步進器)、步進掃描方式之縮小投影曝光裝置(所謂掃描步進器(亦稱掃描器))等。
此種曝光裝置，為了將標線片(或光罩)之圖案轉印於晶圓或玻璃罩等被曝光物體(以下總稱為晶圓)上之複數個照射區域，保持晶圓之晶圓載台係藉由例如線性馬達等驅動於XY二維方向。此晶圓載台之位置測量，一般係使用長期測量值之穩定性良好、具高分析能力之雷射干涉儀。
然而，因半導體電路高積體化所伴隨之圖案之微細化，而越來越被要求須有更高精度之載台位置控制，目前，因雷射干涉儀之光束光路上環境氣氛之溫度變化及/或溫度梯度之影響而產生之空氣搖晃所導致的測量值短期變動，係占了重疊精度相當大的比重。
另一方面，作為使用於測量載台位置之雷射干涉儀以外的測量裝置雖有編碼器，但由於編碼器係使用標尺(光柵等)，因此會因格子間距之偏移、固定位置偏移、熱膨脹等使該標尺欠缺機械性長期穩定性。因此，編碼器與雷射干涉儀相較，有欠缺測量值之線性，長期穩定性差的缺點。
有鑑於上述雷射干涉儀與編碼器之缺點，已有提出各種併用雷射干涉儀與編碼器(使用繞射格子之位置檢測感測器)，來測量載台位置的裝置(參照專利文獻1,2等)。特別是，最近亦出現了測量分析能力與雷射干涉儀相同程度以上的編碼器(參照例如專利文獻3等)，將上述雷射干涉儀與編碼器組合之技術日漸受到矚目。
然而，干涉儀之反射鏡或編碼器之標尺(光柵等)在設於載台之外面、例如側面等時，很有可能會隨著該載台加速時之載台的微小變形，導致載台上的位置(與載台上之既定點的關係)變化，使載台的位置測量精度降低。又，即使基於例如提高產能的觀點而提出了一種在掃描步進器之晶圓載台的加速中進行曝光的新技術，上述隨著載台之加速導致之反射鏡或標尺在載台上之位置的變化，恐怕會成為實施上述新技術之障礙要因。
【專利文獻1】美國專利第6,819,425號說明書【專利文獻2】日本特開2004－101362號公報【專利文獻3】美國專利第7,238,931號說明書
本發明係有鑑於上述情形而完成，從第1觀點觀之，為一種移動體系統，具備：移動體，能保持物體實質地沿既定平面移動，在該物體背面側沿與該既定平面實質平行之面配置有光柵，能使從外部射入之光在內部朝向該光柵行進；以及測量系統，係使光從外部射入該移動體內部，且接收包含來自該光柵之反射光的光，以測量該移動體在該既定平面內之測量方向的位置資訊。
據此，測量系統，係藉由從外部使光射入保持物體之移動體內部，且接收包含來自設於物體背面側之光柵之反射光的光，以測量移動體在既定平面內之測量方向的位置資訊。藉此，可幾乎不受移動體周邊環境氣氛之搖晃等影響，進行移動體之高精度位置測量。
本發明從第2觀點觀之，為一種圖案形成裝置，具備於移動體保持物體以於物體形成圖案之本發明的移動體系統。
據此，由於具備移動體及可高精度地進行保持於移動體之物體之位置測量的移動體系統，因此可於物體高精度地形成圖案。
本發明從第3觀點觀之，為一種曝光裝置，係藉由能量束之照射將圖案形成於物體，其具備：圖案化裝置，係對該物體照射該能量束；以及本發明之移動體系統；係以該移動體系統驅動保持該物體的移動體，以使該能量束與該物體相對移動。
據此，由於具備移動體及可高精度地進行保持於移動體之物體之位置測量的移動體系統，而可使用該移動體系統驅動移動體以使能量束與物體相對移動，因此能使用圖案化裝置高精度地將圖案形成於物體。
本發明從第4觀點觀之，為一種第1曝光方法，係將能量束照射於物體以於該物體上形成既定圖案，其中，係使用以保持該物體且在該物體背面側沿與既定平面實質平行之面配置有光柵、能使從外部射入之光在內部朝向該光柵行進的移動體，沿該既定平面移動，使光從外部射入該移動體內部，且接收包含來自該光柵之反射光的光，以測量該移動體在該既定平面內之測量方向的位置資訊。
據此，由於係於移動體中，於物體背面側配置光柵，使光從外部射入移動體內部，並接收包含來自光柵上之測量點之反射光的光，以測量移動體的位置資訊，因此可幾乎不受移動體周邊環境氣氛之搖晃等影響，進行移動體之高精度位置測量、進而進行高精度之曝光(圖案形成)。
本發明從第5觀點觀之，為一種第2曝光方法，係將能量束照射於物體以於該物體上形成既定圖案，其中，係使第1、第2光射入可保持該物體在既定平面內移動、且在該物體背面側沿與該既定平面實質平行之面配置有光柵的移動體內部，並使用接收在該內部行進而在該光柵反射之光的第1、第2測量裝置，測量該移動體在既定平面內之測量方向的位置資訊；將使用該第1、第2測量裝置中之一測量裝置對該移動體之位置資訊之測量，切換至使用另一測量裝置對該移動體之位置資訊之測量。
據此，由於將使用第1、第2測量裝置中之一測量裝置對移動體之位置資訊之測量，切換至使用另一測量裝置對移動體之位置資訊之測量，因此即使移動體作成較小型亦可毫無障礙地控制移動體的位置。
本發明從第6觀點觀之，為一種元件製造方法，包含：使用本發明第1、第2曝光方法中任一項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
本發明從第7觀點觀之，為一種元件製造方法，包含：使用本發明之曝光裝置使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
 《第1實施形態》
以下，根據圖1~圖3(C)說明本發明之第1實施形態。
圖1係概略顯示本發明第1實施形態之曝光裝置100的概略構成。此曝光裝置100，係步進掃描方式之縮小投影曝光裝置。此曝光裝置100，具備包含光源及照明光學系統之藉由照明光IL照明標線片R之照明系統12，保持標線片R之標線片載台RST，投影光學系統PL，保持晶圓W之晶圓載台WST，以及統籌控制裝置整體之控制裝置(未圖示)等。以下，將與投影光學系統PL之光軸AX平行之方向設為Z軸方向、將在與該Z軸方向正交之面內標線片R與晶圓W相對掃描的方向設為Y軸方向、將與Z軸及Y軸正交之方向設為X軸方向，且將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θ x、θ y、及θ z方向。
照明系統10，係籍由照明光IL，以大致均一之照度來照明被未圖示標線片遮簾規定之標線片R上、沿X軸方向延伸之狹縫狀照明區域。此處，作為一例，係使用ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為照明光IL。
於前述標線片載台RST上例如籍由真空吸附固定有描繪了電路圖案等之標線片R。標線片載台RST，能籍由未圖示標線片載台驅動系統在與照明系統12之光軸(與後述投影光學系統PL之光軸AX一致)垂直之XY平面內微幅驅動，且能以指定之掃描速度驅動於既定掃描方向(此處指圖1之紙面內左右方向的Y軸方向)。
標線片載台RST在移動面內之位置，係藉由標線片雷射干涉儀(以下稱為「標線片干涉儀」)324，透過標線片載台RST之側面(經鏡面加工之端面)例如以0.5~1nm左右之分析能力隨時檢測。來自標線片干涉儀324之標線片載台RST的位置資訊，係傳送至未圖示控制裝置。控制裝置，即根據標線片載台RST之位置資訊，透過標線片載台驅動系統驅動標線片載台RST。
前述投影光學系統PL，係使用沿與Z軸方向平行之光軸AX排列之複數個透鏡(透鏡元件)所構成的折射光學系統。投影光學系統PL，例如係兩側遠心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。藉此，當以來自照明系統12之照明光IL來照明照明區域時，籍由通過投影光學系統PL之第1面(物體面)與其圖案面大致配置成一致之標線片R的照明光IL，使該照明區域內之標線片的電路圖案縮小像(電路圖案之一部分縮小像)透過投影光學系統PL，形成於區域(曝光區域IA)；該區域IA係與配置於其第2面(像面)側、表面塗布有光阻(感光劑)之晶圓W上的前述照明區域共軛。接著，藉由標線片載台RST與晶圓載台WST之同步驅動，使標線片R相對照明區域(照明光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，且使晶圓W相對曝光區域IA(照明光IL)移動於掃描方向(Y軸方向)，藉此對晶圓W上之一個照射區域(區劃區域)進行掃描曝光，以將標線片之圖案形成於該照射區域。亦即，本實施形態中，係藉由照明系統12、標線片R及投影光學系統PL將圖案生成於晶圓W上，藉由照明光IL對晶圓W上之感應層(光阻層)之曝光將該圖案形成於晶圓W上。
前述晶圓載台WST，係在其上面藉由未圖示靜電夾具機構吸附保持晶圓保持具WH。又，晶圓保持具WH，係藉由該晶圓保持具WH所具有之靜電夾具機構吸附保持晶圓W。晶圓載台WST，如圖1所示包含載台本體14，固定於該載台本體14上之晶圓台WTB，以及藉由未圖示靜電夾具機構而可拆裝自如於晶圓台WTB的晶圓保持具WH。此外，將晶圓保持具WH固定於晶圓台WTB之保持機構並不限於靜電夾具機構，亦可係例如真空夾具機構或夾持機構等。又，晶圓保持具WH亦可與晶圓台WTB一體形成，亦可藉由與靜電夾具機構不同之機構、例如真空夾具機構等來保持晶圓W。
前述載台本體14(晶圓載台WST)，係藉由包含例如線性馬達及線圈馬達(VCM)等之驅動系統驅動於X軸方向,Y軸方向,Z軸方向,θ x方向,θ y方向,以及θ z方向的六自由度方向。藉此晶圓W可移動於六自由度方向。此外，載台本體14可驅動於X軸方向、Y軸方向、以及θ z方向，可使晶圓台WTB微動於至少Z軸方向、θ x方向、以及θ y方向。此時，晶圓台WTB可微動於六自由度方向。
晶圓台WTB係由透明構件(例如玻璃等)構成，為俯視(從上方觀看)呈大致正方形的板狀構件。晶圓台WTB一邊之長度係晶圓W直徑的約三倍。於晶圓台WTB上面之中央部保持有晶圓保持具WH。晶圓台WTB，由於後述之編碼器系統之測量用雷射光係在其內部行進，因此係以至少對此測量用雷射光為透明之透射構件構成。又，晶圓台WTB，具有與XY平面實質平行之第1面(上面)及第2面(下面)，以及分別延伸於X軸方向之一對側面及分別延伸於Y軸方向之一對側面。本實施形態中，如後所述，於晶圓台WTB上面形成有光柵24，測量用雷射光從四個側面(以下稱為端面)分別射入晶圓台WTB內部。此外，透射構件最好係低熱膨脹率之材料，本實施形態中之例係使用合成石英等。又，能將晶圓台WTB整體以透射構件構成，亦能僅將測量用雷射光所通過之晶圓台WTB一部分以透射構件構成。
晶圓台WTB之－Y側端面及＋Y側端面，如圖3(A)等所示係延伸於X軸方向且相對XZ平面傾斜既定角度(θ(0°<θ<90°))。亦即，－Y側端面及＋Y側端面，其與晶圓台WTB底面(下面)所夾之角為銳角(90°－θ)，換言之，其與晶圓台WTB上面(光柵24之形成面)所夾之角為鈍角(90°＋θ)。再者，於－Y側端面及＋Y側端面，分別貼附有偏振過濾器(以下亦可單稱為「PBS」)18。又，雖未圖示，但同樣地，晶圓台WTB之－X側端面及＋X側端面，亦延伸於Y軸方向且相對XZ平面傾斜既定角度(θ)。亦即，－X側端面及＋X側端面，其與晶圓台WTB底面(下面)所夾之角為銳角(90°－θ)，換言之，其與晶圓台WTB上面所夾之角為鈍角(90°＋θ)。再者，於－X側端面及＋X側端面，分別貼附有未圖示偏振過濾器(PBS)。
前述PBS18，係包含例如一對玻璃板與被挾持於該一對玻璃板之偏振膜而構成，具有使具有特定方向之振動的偏振成分透射、將除此之外之偏振成分反射的性質。此處，係使射入PBS18之光中，具有特定方向之振動的第1偏振成分透射，並反射具有與此正交之方向之振動的第2偏振成分。
又，於晶圓台WTB之上面中央部(較晶圓保持具WH大一圈的部分)，水平設置有以X軸方向為周期方向之光柵與以Y軸方向為周期方向之光柵所組合而成的二維光柵，此光柵24之上面，係被作為保護構件之玻璃罩51覆蓋。本實施形態中，於此玻璃罩51上面，設有用以吸附保持晶圓台WH之前述靜電夾具機構。此外，本實施形態中，雖將玻璃罩51設置成覆蓋晶圓台WTB晶圓台WTB上面之大致全面，但亦可將玻璃罩51設置成僅覆蓋包含光柵24之上面一部分。本實施形態中，雖將玻璃罩51以與晶圓台WTB相同之材料構成，但亦能以其他材料、例如金屬、陶瓷、或薄膜等構成。此外，晶圓台WTB亦可包含玻璃罩51，此時，光柵24之形成面可非為晶圓台WTB之最上面而係配置於其內部。
晶圓載台WST在XY平面內的位置，係藉由後述編碼器本體透過光柵24隨時被檢測。由此編碼器本體檢測出之晶圓載台WST的位置資訊，係送至未圖示控制裝置，未圖示控制裝置即根據此位置資訊，驅動前述線性馬達及音圈馬達，以控制晶圓載台WST的位置。
前述控制裝置，包含例如工作站(或微電腦)，用以統籌控制上述檢測系統等之曝光裝置100構成各部。
其次，使用圖1~圖3(C)，詳細說明本第1實施形態中用於測量晶圓載台WST之位置之編碼器系統(測量系統)的構成等。本第1實施形態之編碼器系統，包含前述光柵，用以將測量用雷射光照射於該光柵24之四個編碼器本體(測量裝置)16Ya,16Yb,16Xa,16Xb(圖1中未圖示編碼器本體16Xa,16Xb，參照圖2)。
圖2，係顯示用以說明四個編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb之位置關係的立體圖。編碼器本體16Ya,16Yb，係用以檢測晶圓台WTB(晶圓W)在Y軸方向之位置資訊。編碼器本體16Ya,16Yb，如圖2所示配置於自曝光區域IA之中心(曝光中心)往－Y側及＋Y側相距等間隔的位置。又，編碼器本體16Xa,16Xb，係用以檢測晶圓台WTB(晶圓W)在X軸方向之位置資訊。編碼器本體16Xa,16Xb，如圖2所示配置於自曝光區域IA之中心往－X側及＋X側相距等間隔的位置。此外，本實施形態中，曝光區域IA之中心係在XY平面內與投影光學系統PL之光軸AX一致，在曝光動作中，係將晶圓載台WST相對曝光區域IA之中心進行定位(亦即晶圓W之對準)。
此處，具體說明編碼器本體16Ya。雖未圖示，但編碼器本體16Ya於其內部包含射出測量用雷射光(以下適當簡稱為雷射光)之光源、光學系統、以及包含CCD等而構成之光檢測器。
編碼器本體16Ya，如圖3(A)所示，係自設於其內部之光源射出測量用雷射光Ly1。接著，該雷射光Ly1，即如圖3(A)所示，相對設於晶圓台WTB之－Y端面之PBS18呈垂直地射入。接著，藉由PBS18，將雷射光Ly1偏振分離成偏振方向彼此正交之第1偏振成分與第2偏振成分。亦即，第1偏振成分及第2偏振成分中之任一方(此處為第1偏振成分)通過PBS18，另一偏振成分(此處為第2偏振成分)則在PBS18反射。
接著，通過PBS18之第1偏振成分(例如p偏振成分)進入晶圓台WTB內部，以入射角(90°－θ)射入底面22a，並在此處反射而以入射角(90°－θ)射入光柵24。接著，在光柵24之以Y軸方向為周期方向的格子繞射，既定次數之繞射光係沿與射入光柵24之雷射光之光路相同的光路返回。此處，從圖3(A)~圖3(C)可知，本實施形態中，射入光柵24之光，係設定成可隨時射入曝光區域IA中心正下方之點IAa。此點IAa，在XY平面內之位置係與曝光區域IA之中心相同。
接著，上述返回光(通過PBS18之光(第1偏振成分)之返回光)，係通過與在PBS18反射之第2偏振成分(例如s偏振成分)相同的光路而返回編碼器本體16Ya。
編碼器本體16Ya，係藉由前述光學系統(包含例如偏振元件等)，將在光柵24反射之第1偏振成分之反射光與在PBS18反射之第2偏振成分之反射光合成為干涉光，藉由光檢測器接收此干涉光，以檢側形成於光檢測器之受光面上的干涉紋。此檢測結果送至未圖示控制裝置，該控制裝置，係從該檢測結果算出晶圓台WTB(晶圓W)在Y軸方向的位置資訊。
返回圖2，編碼器本體16Yb之構成亦與編碼器本體16Ya相同。亦即，雖未圖示，但編碼器本體16Yb於其內部包含射出測量用雷射光之光源、光學系統、以及包含CCD等而構成之光檢測器。自編碼器本體16Yb射出之雷射光Ly2，亦藉由設於晶圓台WTB之＋Y端面之PBS18，偏振分離成第1偏振成分(通過光)與第2偏振成分(反射光)。通過PBS18之偏振成分(第1偏振成分)中，透過底面22a及光柵24之以Y軸方向為周期方向之格子而返回的光，以及在PBS18反射之偏振成分(第2偏振成分)的光，係返回至編碼器本體16Yb。此時，自編碼器本體16Yb射出之雷射光Ly2中射入光柵24的光，係隨時射入供雷射光Ly1射入之曝光區域IA中心之正下方之點IAa。接著，藉由編碼器本體16Yb內之光檢測器接收干涉光，並根據該檢測結果，由控制裝置算出晶圓台WTB(晶圓W)在Y軸方向的位置資訊。
本實施形態中，如圖3(A)~圖3(C)所示，從編碼器本體16Ya射出之雷射光Ly1、以及從編碼器本體16Yb射出之雷射光Ly2，係分別射入PBS18，並射入曝光區域IA中心正下方之同一點IAa。因此，晶圓台WTB於測量方向之Y軸方向在圖3(A)~圖3(C)之範圍內移動的期間，可隨時使用編碼器本體16Ya,16Yb測量晶圓台WTB在Y軸方向之位置資訊。又，至少在曝光區域IA存在於晶圓W上的期間，即使晶圓載台WST移動於X軸方向，雷射光Ly1,Ly2亦不會從PBS18偏離。因此，至少在曝光動作之期間，可藉由編碼器本體16Ya,16Yb隨時測量晶圓台WTB在Y軸方向的位置資訊。
因此，未圖示控制裝置，係將此等可測量在Y軸方向之位置資訊的編碼器本體(16Ya,16Yb)的測量結果(座標值)予以平均化，並將其平均值作為在Y軸方向之位置資訊算出。
此外，關於進行在X軸方向之位置測量的編碼器本體16Xa,16Xb，其不同處僅在測量方向為X軸方向、測量用雷射光Lx1,Lx2(參照圖2)之射出方向為與XZ平面平行的方向、以及係使用光柵24之以X軸方向為周期方向的格子，其他之構成及測量方法均相同。又，至少在曝光區域IA存在於晶圓W上的期間，即使晶圓載台WST移動於Y軸方向，雷射光Lx1,Lx2亦不會從晶圓台WTB之PBS18偏離。因此，至少在曝光動作之期間，可使用編碼器本體16Xa,16Xb隨時測量晶圓台WTB在X軸方向的位置資訊。未圖示控制裝置，係與上述同樣地，將編碼器本體16Xa,16Xb的測量結果(座標值)予以平均化，並將其平均值作為晶圓台WTB在X軸方向之位置資訊算出。
如以上所說明，根據本實施形態，從編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb射出之雷射光Ly1,Ly2,Lx1,Lx2，係從外部射入晶圓台WTB，到達位於曝光區域IA中心正下方之點IAa，並在光柵24繞射。接著，藉由各編碼器本體之光檢測器接收從光柵24返回之第1偏振成分與在PBS18反射之第2偏振成分的干涉光，測量晶圓台WTB之位置資訊。因此，透射過PBS18之第1偏振成分至與第2偏振成分合成的期間，亦即從PBS18射出至外部為止的期間，係通過晶圓台WTB內，而不會在外部環境氣氛中行進。藉此，在PBS18與光柵24之間，第1偏振成分(測距軸)不會受到晶圓台WTB周圍環境氣氛之搖晃的影響。再者，在晶圓台WTB之外部，第1偏振成分與第2偏振成分係通過同一光路。因此，能進行高精度之晶圓台WTB的位置測量。
又，本實施形態中，由於能高精度地進行晶圓台WTB的位置測量，因此可根據該測量結果，由控制裝置移動晶圓台WTB，藉此能以良好精度使標線片R與晶圓W相對移動。因此，能實現高精度之曝光。
又，本實施形態中，由於在晶圓台WTB之晶圓保持具WH背面部分設有光柵24，因此可藉由晶圓台WTB之加速，使光柵24在晶圓台WTB上之位置幾乎不會變化。藉此，即使在加速晶圓台WTB之期間亦能進行高精度之位置測量。因此，亦可在例如加速之期間開始進行曝光，而能期待高產能。
又，本實施形態中，由於在曝光區域IA中心正下方之既定點IAa測量晶圓台WTB之位置，因此可在無阿貝誤差的狀態下進行高精度之位置測量，並藉由使用該測量結果進行曝光時之晶圓位置控制，而能進行高精度之曝光。
此外，上述實施形態中，雖為了說明方便，係設置一對用以測量Y軸方向之位置資訊的編碼器本體(Y位置測量用編碼器本體)、以及設置一對用以測量X軸方向之位置資訊的編碼器本體(X位置測量用編碼器本體)，但並不限於此，例如在測量晶圓台WTB之偏搖(在θ z方向之旋轉資訊)時，亦可將Y位置測量用編碼器本體與X位置測量用編碼器本體之至少一方設置兩對以上。此時，可將兩對編碼器本體，配置成測量用雷射光會在隔著曝光區域IA中心相距等距離的位置射入光柵。例如，當設置兩對Y位置測量用編碼器本體時，來自第1對編碼器本體之測量用雷射光的照射點、以及來自第2對編碼器本體之測量用雷射光的照射點，係設定於在Y軸方向與曝光區域IA之中心為同一位置，且在X軸方向係從曝光區域IA之中心相距等距離的位置。此時，可從第1對編碼器本體之至少一方及第2對編碼器本體之至少一方的測量值求出在θ z方向的位置資訊。又，亦可設置第1對編碼器本體及第2對編碼器本體之一方或將兩方僅設置一個，或從此兩個或三個編碼器本體之測量值求出晶圓台WTB在Y軸方向及θ z方向的位置資訊。
此外，上述實施形態中，雖說明了將Y位置測量用編碼器本體(或X位置測量用編碼器本體)之測量值(座標值)予以平均化，且設為晶圓台WTB之Y位置(X位置)的情形，但並不限於此，亦將一對編碼器本體之任一方測量值設為Y位置(或X位置)。此時，亦可例如係隨時使用任一方之編碼器本體，僅在因某些原因而無法使用該一方之編碼器進行測量時，才使用另一方之編碼器本體，或亦可例如依時間切換一對編碼器本體。又，例如可隨時使用任一方之編碼器本體，而將另一方之編碼器本體用於一方編碼器的校準(調整用)。
又，上述實施形態中，係分別設置一對測量用雷射光之照射點(亦即編碼器本體之測量點)為同一位置之X位置及Y位置測量用編碼器本體，並將測量方向相同之一對編碼器本體之測量結果(座標值)的平均值設為晶圓台WTB在測量方向的位置資訊。然而並不限於此，亦可將測量方向相同之一對編碼器本體之測量點，配置於在XY平面內與測量方向正交之非測量方向上不同的位置，例如相對曝光區域IA之中心成對稱的位置。換言之，可將測量方向相同之一對編碼器本體之測距軸(上述實施形態中係與測量用雷射光一致)，在XY平面內與測距軸正交之方向上偏離配置。此時，可至少從該一對編碼器本體之測量結果(座標值)之至少一方求出晶圓台WTB在測量方向的位置資訊，並從兩方之測量結果求出晶圓台WTB在θ z方向的位置資訊。上述實施形態中，測量方向相同之一對編碼器本體之測距軸(及測量用雷射光之入射方向)係與該測量方向平行。此外，亦可使測量方向相同之一對編碼器本體之測量點在X軸及Y軸方向的位置兩者均不同。又，上述實施形態中，雖將測量方向相同之一對編碼器本體配置於隔著晶圓台WTB之兩側，但亦可配置於相對晶圓台WTB的同一側。此時，不僅測量方向之位置資訊，亦可測量θ z方向的位置資訊。進一步地，上述實施形態中，雖設置一對X位置測量用編碼器本體與一對Y位置測量用編碼器本體，但編碼器本體之數目不限於四個，亦可係三個以下或五個以上。亦可例如僅設置一個X位置測量用編碼器本體及Y位置測量用編碼器本體之一方，且設置一對另一方。此時，藉由將該一對編碼器本體配置於相對晶圓台WTB之同一側，而能測量X軸及Y軸方向之位置資訊與θ z方向的位置資訊。或者，亦可僅設置一個X位置測量用編碼器本體及/或一個Y位置測量用編碼器本體，以測量晶圓台WTB在X軸及/或Y軸方向之位置資訊。此時，由於亦隨時進行編碼器本體之測量，因此能實現高精度之晶圓的定位。
此外，上述實施形態中，雖說明了使晶圓台WTB之－Y側端面及＋Y側端面相對XZ平面傾斜既定角度(θ)，使晶圓台WTB之－X側端面及＋X側端面相對XZ平面傾斜既定角度(θ)的情形，但本發明並不限於此。如亦可如圖4(A)等所示，使晶圓台WTB之－Y側端面及＋Y側端面相對XZ平面傾斜既定角度(－θ)，使晶圓台WTB之－X側端面及＋X側端面(未圖示)相對XZ平面傾斜既定角度(－θ)。此時，Y側端面及X側端面任一者與晶圓台WTB之底面所構成的角均為鈍角(90°＋θ)，亦即與上面(形成有光柵24之格子面)所構成的角為銳角(90°－θ)。又，如圖4(A)所示，雷射光Ly1,Ly2(及Lx1,Lx2)分別相對所對應之端面成垂直的射入。此外，由於其他構成均與上述實施形態相同，因此此處省略其說明。
即使採用此種構成，亦與上述實施形態同樣地，從編碼器16Ya,16Yb(16Xa,16Xb)射出之測量用雷射光Ly1,Ly2(及Lx1,Lx2)係射入曝光區域IA中心正下方之點IAa(參照圖4(A)~圖4(C))。因此，當採用圖4(A)~圖4(C)所示之構成時，係與上述實施形態同樣地，可進行晶圓台WTB之位置測量。又，當採用圖4(A)~圖4(C)所示之構成時，由於不須使測量用雷射光Ly1,Ly2(及Lx1,Lx2)在晶圓台WTB底面反射，因此比較圖4(A)等與圖3(A)等可知，而能縮小在晶圓台WTB在Y軸及X軸方向之尺寸。又，圖4(A)~圖4(C)所示之構成中，不使晶圓台WTB在X軸及Y軸方向大型化，而能縮小斜入射之測量用雷射光與光柵24所構成之角。因此，與上述實施形態相較，能縮小晶圓台WTB在Z軸方向的尺寸(高度或厚度)。如此，圖4(A)~圖4(C)所示之構成中，與上述實施形態相較能將晶圓台WTB大幅地小型化。
《第2實施形態》
其次，根據圖5(A)~圖5(C)說明本發明之第2實施形態。本第2實施形態，如圖5(A)~圖5(C)所示，與前述第1實施形態(圖2)不同之處，係在於係使用較晶圓保持具WH略大尺寸之平台來作為晶圓台WTB，但其他構成則與第1實施形態相同。因此，以下係以此不同點為中心進行說明，且為了避免重複說明，係對同一或同等之構成部分使用同一符號，以省略其說明。此外，本第2實施形態之晶圓台WTB，與圖4(A)~圖4(C)所示之晶圓台WTB的尺寸大致相等。
本第2實施形態中，於晶圓台WTB之±Y側及±X側亦配置有編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb。此處，如圖5(A)所示，係將編碼器本體16Ya,16Yb之位置關係，設定成當晶圓台WTB定位於晶圓W之中心與曝光區域IA之中心大致一致的位置時，來自編碼器本體16Ya,16Yb之雷射光，會分別射入設於晶圓台WTB之－Y側端面、＋Y側端面的一對PBS18下端部。編碼器本體16Xa,16Xb雖有Y軸方向與X軸方向的差異，但係設定成與編碼器本體16Ya,16Yb相同之位置關係。
因此，如圖5(B),圖5(C)分別所示，當晶圓台WTB自圖5(A)之狀態往－Y側、或＋Y側移動時，來自編碼器本體16Ya,16Yb中之一方(在圖5(B)時為編碼器本體16Yb，在圖5(C)時為編碼器本體16Ya)之光不會射入PBS18。因此，本實施形態中，係進行使用於測量Y軸方向之位置資訊之編碼器本體16Ya,16Yb的切換。亦即，可將編碼器本體16Ya,16Yb一方對位置資訊的測量，切換至另一編碼器本體對位置資訊的測量。
因此，本第2實施形態中，在來自編碼器本體16Ya,16Yb一方之雷射光從PBS18偏離前，亦即當晶圓台WTB位於來自編碼器本體16Ya,16Yb之雷射光可同時射入設於晶圓台WTB之－Y側端面、＋Y側端面之一對PBS18的位置(例如圖5(A)之位置)時，即藉由未圖示控制裝置執行一方編碼器本體之測量值與另一方編碼器本體之測量值的接續。亦即，控制裝置係賦予另一方編碼器本體之測量值的初始值，以使一方編碼器本體之測量結果與另一方編碼器本體之測量結果一致。此接續處理，只要在另一方編碼器本體中從PBS18偏離之雷射光再度射入PBS18的時點起，直到來自一方編碼器本體之雷射光從PBS18偏離(或者一方編碼器本體之位置測量切換至另一方編碼器本體之位置測量)為止的期間進行即可。又，接續處理，亦可不與用於測量位置之編碼器本體之切換同時進行，亦可在該切換前進行。再者，接續處理與編碼器本體之切換分別係根據晶圓台WTB在Y軸方向之位置來進行、亦即決定執行時機。
又，控制裝置，亦對X位置測量用編碼器本體16Xa,16Xb進行同樣之處理。亦即，在來自一方編碼器本體之雷射光不射入PBS18之前，亦與上述同樣地賦予測量值的初始值。
如此，控制裝置可藉由編碼器本體16Ya,16Yb中之至少一方，隨時測量晶圓台WTB在Y軸方向之位置資訊，又，可藉由編碼器本體16Xa,16Xb中之至少一方，隨時測量晶圓台WTB在X軸方向之位置資訊。因此，即使將晶圓台WTB作成較小型，亦無特別障礙。
如以上所說明，根據本第2實施形態，除了可得到與前述第1實施形態同等之作用效果以外，由於藉由控制裝置執行編碼器本體間之測量值的接續，因此即使將晶圓台WTB作成較小型，亦可無特別障礙地控制晶圓台WTB的位置。因此，能使晶圓台WTB輕量化，以及藉此亦可提升包含晶圓台WTB之定位精度的位置控制性，進而實現高精度之曝光。又，隨著晶圓台WTB之輕量化而亦可實現高加速度化，因此亦能期待曝光裝置之產能提升。
此外，上述第2實施形態中，雖同樣為了說明方便，係均設置一對測量點設定在同一位置之Y位置測量用、X位置測量用編碼器本體，但並不限於此，例如在測量晶圓台WTB之偏搖(θ z旋轉)時，亦可將Y位置測量用及X位置測量用編碼器本體之至少一方設置兩對以上。此時，可將兩對編碼器本體，配置成分別射出之光會射入在隔著曝光區域IA中心相距等距離的位置。
又，上述第2實施形態中，亦可如圖4(A)等所示，使晶圓台WTB之－Y側端面及＋Y側端面相對XZ平面傾斜既定角度(θ)，使晶圓台WTB之－X側端面及＋X側端面相對XZ平面傾斜既定角度(θ)。此時，可使晶圓台WTB更加小型化，並謀求編碼器系統可測量位置之範圍的擴大。但並不限於此，在第2實施形態，亦可適用與前述第1實施形態所說明之其他變形例相同的構成。
《第3實施形態》
其次，根據圖6(A)~圖6(C)說明本發明之第3實施形態。本第3實施形態，從晶圓台WTB上面側使雷射光射入、以及因此而不於其端面設置PBS18這兩點，係與使測量用雷射光從晶圓台WTB側面射入之前述第1、第2實施形態不同，但其他部分之構成則與前述第1實施形態相同。以下係以此不同點為中心進行說明，對同一構成等使用同一符號，省略其說明。
本第3實施形態中，由於係使測量用雷射光從晶圓台WTB上面側射入，因此如圖6(A)所示，於晶圓台WTB上方，具備有在光軸AX呈左右配置之一對偏振分離/合成構件49A,49B。
偏振分離/合成構件49A,49B，係藉由未圖示支撐構件固定於編碼器本體16Ya,16Yb各自附近之晶圓台WTB上方。偏振分離/合成構件49A，包含管型偏振光束分光器28A，以及固定於位在偏振光束分光器28A最下側(－Z側)之面的反射鏡30A。同樣地，偏振分離/合成構件49B，亦包含偏振光束分光器28B及反射鏡30B，與偏振分離/合成構件49A具有同樣構成。
偏振分離/合成構件49A,49B，係將分別從編碼器本體16Ya,16Yb射入之雷射光，區分成透射過偏振光束分光器28A,28B之偏振成分(例如為第1偏光成分)與反射之偏振成分(例如為第2偏光成分)。接著，反射之偏振成分(第2偏振成分)在反射鏡30A,30B反射並再度在偏振光束分光器28A,28B反射，而返回至編碼器本體16Ya,16Yb。亦即，偏振分離/合成構件49A,49B，係發揮與前述第1、第2實施形態之PBS18相同的功能。因此，本第3實施形態，亦可與上述第1、第2實施形態同樣地進行位置測量。
本第3實施形態，由於如圖6(A)所示，亦與第1實施形態同樣地，晶圓台WTB之一邊係晶圓W直徑的約三倍，因此即使晶圓台WTB在圖6(B)所示之位置與圖6(C)所示之位置間的範圍內移動，來自編碼器本體16Ya,16Yb之測量用雷射光亦隨射射入晶圓台WTB。因此，可隨時使用兩個編碼器本體16Ya,16Yb測量晶圓台WTB在Y軸方向之位置資訊的測量。如此，未圖示控制裝置，可根據此等測量結果(座標值)之平均值，高精度地算出晶圓台WTB之Y位置。
此外，雖省略圖示，但於曝光區域IA之＋X側亦與上述第1、第2實施形態同樣地設有編碼器本體16Xa，於－X側設有編碼器本體16Xb。又，於此等編碼器本體16Xa,16Xb附近亦設有與上述偏振分離/合成構件49A,49B相同之偏振分離/合成構件，而與在Y軸方向之位置測量同樣地進行在X軸方向之位置測量。藉此，即使對晶圓台WTB在X軸方向之位置亦能進行高精度之測量。
如以上所說明，根據本第3實施形態，由於能與第1實施形態同樣地進行晶圓台WT之高精度位置測量，因此可根據該測量結果驅動晶圓台WTB，藉此能進行高精度之定位，進而實現高精度之曝光。
此外，上述第3實施形態中，雖說明了與第1實施形態同樣地晶圓台WTB之一邊設定成晶圓W直徑之約三倍的情形，但並不限於此，亦可與第2實施形態同樣地，將晶圓台WTB設定成較晶圓W大一圈的程度。此時，可與上述第2實施形態同樣地，對X軸及Y軸方向分別進行兩個編碼器本體之測量接續(例如賦予另一方編碼器本體之測量值的初始值，以使一方編碼器本體之測量結果與另一方編碼器本體之測量結果一致)，藉此可隨時測量晶圓台WTB之位置。如此，可毫無問題地進行晶圓台WTB之小型、輕量化，從此點來看，亦可實現高精度之晶圓台WTB的定位。
此外，上述第3實施形態中，亦可與第1、第2實施形態同樣地，例如在測量晶圓台WTB之偏搖(θ z旋轉)時，將X位置測量用編碼器本體與Y位置測量用編碼器本體之至少一方設置兩對以上。又，第3實施形態，亦可適用與前述第1實施形態所說明之各變形例相同的構成。
《第4實施形態》
其次，根據圖7說明本發明之第4實施形態。
圖7，係顯示本第4實施形態之曝光裝置100’一部分省略的俯視圖。
該曝光裝置100’，包含本體處理室112，包含設於該本體處理室112內之晶圓載台WST的曝光裝置本體100a’，設於本體處理室112附近之對準處理室116，收容於該對準處理室116內之測定部110，設於對準處理室116之－X側之晶圓更換處理室118，以及設於該晶圓更換處理室118內的晶圓更換部120。
前述本體處理室112內部，其環境條件(清淨度、溫度、壓力等)係維持於大致一定。
前述曝光裝置本體100a’，具有與前述第1實施形態(在第1實施形態中為曝光裝置100)具有大致相同的構成，晶圓載台WST，係相對設於地面F上之底座BS1，藉由未圖示之磁氣懸浮機構(或空氣軸承等)透過既定間隙被懸浮支撐。
於構成曝光裝置本體100a’之晶圓載台WST上裝載有晶圓保持具WH1。於此晶圓保持具WH1之下面設有二維光柵(未圖示)。又，於光柵附近設有用以決定光柵原點之標記(以下稱為「原點標記」)。此原點標記，可在將晶圓保具WH1裝載於晶圓載台WST上的狀態下，由編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb來檢測出，又，亦可藉由後述之對準系統ALG來檢測。
又，晶圓台WTB，例如與第2實施形態同樣地由玻璃等透明板狀構件構成，其＋Y側及－Y側側面係延伸於X軸方向且相對XZ平面成傾斜，＋X側及－X側側面係延伸於Y軸方向且相對YZ平面成傾斜，於此等側面設有PBS(未圖示)。此外，於晶圓台WTB上面，雖與第2實施形態不同地未設有光柵，但於晶圓保持具WH1背面設有光柵。使用此光柵，可藉由編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb與上述各實施形態同樣地，測量晶圓保持具WH1在XY平面內的位置。此外，晶圓保持具WH1背面亦可以保護構件(例如玻璃罩或薄膜等)覆蓋。
此外，晶圓台WTB亦可代替晶圓保持具WH1保持圖7之晶圓保持具WH2,WH3。本實施形態中，可使用設於晶圓保持具WH2,WH3(被晶圓台WTB保持)背面之光柵，藉由編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb測量晶圓保持具WH2,WH3在XY平面內的位置。
前述對準處理室116內部，與前述本體處理室112個別地，其環境條件(清淨度、溫度、壓力等)係維持於大致一定。
前述測定部110，包含與底座BS1獨立設於地面F上之底座BS2，設於該底座BS2上之第1保持具保持構件22，對準系統ALG，以及將對準系統ALG在底座BS2上二維驅動的對準載台AST。此外，雖未圖示，但底座BS2例如係透過四個防振單元配置於地面F(或底板等)上。
前述第1保持具保持構件22具有俯視大致正方形之形狀，圖7中，係於其上面支撐可保持晶圓W之晶圓保持具WH2。此晶圓保持具WH2，係與前述晶圓保持具WH1相同之構成，於其背面設有二維光柵。此外，第1保持具保持構件22，亦可代替晶圓保持具WH2保持圖7之晶圓保持具WH1,WH3。
前述對準載台AST，在圖7中雖省略圖示，但其可保持對準系統ALG例如藉由X軸方向驅動用X線性馬達與Y軸方向驅動用Y線性馬達，在第1保持具保持構件22上方移動於XY二維方向。藉此，可在晶圓上移動對準系統ALG之檢測區域，以檢側晶圓上之對準標記。
作為對準系統ALG，係採用例如光學系統、包含連接於該光學系統之光源的照明系統、以及包含CCD之受光系統的對準系統。此外，對準系統ALG之照明系統，亦可不藉由對準載台AST移動，而可設於對準載台AST外部並以光纖等連接。此外，並不限於此，亦可使用將來自設於外部之光源之光束傳送至對準系統ALG的光學系統、包含反射鏡等的中繼光學系統。又，對準系統ALG不限於影像處理方式，亦可使用其他、各種方式之感測器。連接於對準載台AST及對準系統ALG之纜線類，最好係設置成不會妨礙對準載台AST的移動。
對準系統ALG在XY平面內的位置，係使用測量裝置(例如干涉儀或編碼器)來測量，未圖示控制裝置，係根據測量裝置所測量之對準系統ALG的位置、以及對準系統ALG之檢測結果，算出設於晶圓上之對準標記的位置。又，對準系統ALG，係檢測設於晶圓保持具WH2(或晶圓保持具WH1,WH3)之原點標記，未圖示控制裝置，係算出該原點標記與對準標記的位置關係。
前述晶圓更換處理室118內部，與前述本體處理室112及對準處理室116個別地，其環境條件(清淨度、溫度、壓力等)係維持於大致一定。
前述晶圓更換部120，係包含於晶圓更換處理室118內之地面F上與前述底座BS1,BS2獨立設置之底座BS3、以及設於底座BS3上之第2保持具保持構件24。圖7中，係於第2保持具保持構件24上透過晶圓保持具WH3保持有晶圓W。晶圓保持具WH3，係與前述晶圓保持具WH1,WH2相同之構成，於其背面設有二維光柵。此外，第2保持具保持構件24，亦可代替晶圓保持具WH3裝載圖7之晶圓保持具WH1,WH2。
再者，本實施形態中，設有將晶圓保持具WH1~WH3在晶圓載台WST、第1保持具保持構件22、第2保持具保持構件24之間搬送的保持具搬送裝置(未圖示)。
以上述方式構成之本實施形態之曝光裝置100’，係進行以下之動作。此外，以下動作雖係藉由未圖示控制裝置來進行，但為了避免說明之複雜化，係省略與控制裝置相關的記載。
首先，將晶圓裝載於晶圓更換部120之第2保持具保持構件24所保持之晶圓保持具WH3(當保持有已曝光之晶圓時，即與新的晶圓更換)。
其次，藉由未圖示保持具搬送裝置從晶圓更換部120搬出保持有晶圓W之晶圓保持具WH3，將晶圓載台WST上之晶圓保持具WH1搬入晶圓更換部120並由第2保持具保持構件24來保持。其後，將第1保持具保持構件22上之晶圓保持具WH2搬送至晶圓載台WST上，將從晶圓更換部120搬出之晶圓保持具WH3搬送至第1保持具保持構件22上。以下，將上述晶圓保持具之搬送動作稱為保持具巡迴動作。
其次，在測定部110進行第1保持具保持構件22上之晶圓保持具WH3所保持之晶圓的對準。此對準中，藉由對準載台AST二維驅動載台系統ALG，以檢測形成於晶圓上之對準標記(例如八個)。又，亦進行設於晶圓保持具WH3之原點標記的檢測，亦算出該原點標記與對準標記之位置關係。
另一方面，在晶圓更換部120中，與上述對準動作並行，將晶圓W裝載於第2保持具保持構件24上所裝載之晶圓保持具WH1上。
其次，進行前述保持具巡迴動作，將晶圓保持具WH3裝載於晶圓台WTB上，將晶圓保持具WH1裝載於第1保持具保持構件22上，將晶圓保持具WH2裝載於第2保持具保持構件24上。
其次，曝光裝置本體100a’，即藉由編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb檢測裝載於晶圓台WTB上之晶圓保持具WH3，從其檢測結果，以及使用對準系統ALG所測量之對準標記與晶圓保持具WH3之原點標記的位置關係，算出對準標記在曝光座標值上之座標值。接著，使用所算出之對準標記之座標值，進行例如美國專利第4,780,617號說明書等所揭示之EGA(加強型全晶圓對準)，並根據該EGA結果進行對晶圓W上之複數個照射區域的曝光動作。
又，測定部110係與曝光裝置本體100a’之曝光動作並行，與前述同樣地，進行對晶圓保持具WH1上之晶圓W的對準動作，並在晶圓更換部120進行晶圓對晶圓保持具WH2之裝載(此處為更換晶圓)。
以下，反覆執行晶圓巡迴動作、曝光裝置本體100a’、測定部110、以及晶圓更換部120的各動作，以進行既定片數之晶圓的曝光動作。
如以上所說明，根據本第4實施形態，由於晶圓台WTB可拆裝自如於晶圓保持具WH1~WH3，且於晶圓保持具WH1~WH3設有原點(原點標記)，因此即使在晶圓保持具WH1~WH3從晶圓台WTB拆卸之狀態下，進行晶圓W之對準動作後再裝載於晶圓台WTB上，仍能以原點(原點標記)為基準使用對準結果，故能同時進行對一晶圓之對準動作與對其他晶圓之對準動作。藉此能實現高產能。
又，本實施形態中，亦與第1~第3實施形態同樣地，由於係使用編碼器本體16Ya,16Yb,16Xa,16Xb進行晶圓台WTB之位置測量，因此能實現高精度之晶圓台WTB的定位，進而實現高精度曝光。
此外，上述第4實施形態中，雖說明了曝光裝置100’具備曝光裝置本體100a’、測定部110、以及晶圓更換部120，但並不限於此，亦可僅具備曝光裝置本體100a’與測定部110。又，亦不限於此等構成，當晶圓保持具可拆裝自如於晶圓台WTB且不使用晶圓台WTB即能對晶圓保持具上之晶圓進行對準時，於晶圓保持具背面設有光柵之上述第4實施形態的構成，最為合適。
又，上述第4實施形態中，雖說明了使用可動之對準系統ALG執行固定之晶圓之對準的情形，但並不限於此，亦可採用對準系統ALG為固定，保持裝載有晶圓之晶圓保持具之第1保持具保持構件22可在XY平面內移動的構成。
又，上述第4實施形態中，雖說明了分別將曝光裝置本體、測定部、以及晶圓更換部配置於各處理室的情形，但並不限於此，亦可將構成各部配置於一個處理室內，或將上述構成各部之任兩個配置於同一處理室內。
又，上述第4實施形態中，雖採用了第2實施形態之編碼器系統及晶圓台，但亦可採用第1或第3實施形態之編碼器系統及晶圓台。又，上述第4實施形態中，在測量晶圓台WTB之θ z旋轉時，可將X軸及Y軸測量用編碼器本體之至少一方從一對變更成兩對。又，上述第4實施形態中，亦可適用與前述第1~第3實施形態之各變形例相同的構成。
《第5實施形態》
其次，根據圖8、圖9說明本發明之第5實施形態。圖8係顯示本第5實施形態之曝光裝置之投影光學系統PL及其下方之構成部分。此外，投影光學系統PL上方之構成部分由於與圖1之第1實施形態相同，因此省略圖示及說明。又，圖8所示投影光學系統PL及其下方之構成，亦可在圖1之曝光裝置100中直接採用。
本第5實施形態中，投影光學系統PL，係從地面F上被複數支(例如3支)之支撐柱34所支撐之投影光學系統固定座(鏡筒固定座(以下簡稱為固定座))32來支撐。投影光學系統PL，其下端部插入形成於固定座32中央部之圓形開口32a內，透過設於其高度方向中央稍微下側之突緣FLG支撐於固定座32。此外，例如亦可如國際公開第2006/038952號小冊子所揭示，將投影光學系統PL(及固定座32)懸吊支撐於配置標線片載台之底座構件等。
於固定座32下面，透過懸吊支撐構件36懸吊支撐有晶圓載台固定座BS。此外，如圖8所示，亦可非以一個懸吊支撐構件36支撐，而係使用複數個懸吊支撐構件36支撐晶圓載台固定座BS。
在晶圓載台固定座BS上方，係藉由例如磁氣力以非接觸方式可移動地懸浮支撐晶圓載台WST。晶圓載台固定座BS，包含厚板狀固定座本體42、以及設於該固定座本體42上面之由玻璃板等構成的罩構件38。又，於固定座本體42上面形成有凹部(未圖示)，於該凹部內設有Y位置測量用編碼器本體ENC及X位置測量用編碼器本體。不過，X位置測量用編碼器本體之圖示係省略。
晶圓載台WST係採用與第1~第4實施形態不同之構成。亦即，晶圓載台WST並非由晶圓台與載台本體部構成，而係例如由長方體狀之玻璃構件一體構成。例如係以與前述晶圓台WTB之透射構件相同的材料構成晶圓載台WST。雖未圖示，但此晶圓載台WST係藉由包含例如線性馬達或平面馬達之晶圓載台驅動系統，在XY平面內被驅動(包含θ z方向之旋轉)自如。
又，於晶圓載台WST上面，與第1~第3實施形態之晶圓台WTB同樣地設置有二維光柵2490(參照圖9)，其上面被玻璃罩覆蓋。此外，光柵24可與第4實施形態同樣地設於晶圓保持具WH之下面。
圖9係將編碼器本體ENC與晶圓載台WST一起顯示。本實施形態中，編碼器本體係配置於晶圓載台WST下方，使測量用雷射光從晶圓載台WST下面射入其內部以照射光柵24。測量用雷射光之照射點(亦即編碼器本體之測量點)係與曝光區域IA中心正下方之點IAa一致。
編碼器本體ENC，包含光照射部210a與受光部210b。光照射部210a包含半導體雷射212、透鏡214、偏振光束分光器BS1、一對反射鏡216a,216b、一對透鏡218a,218b、一對λ/4板220a,220b、以及一對平面鏡222a,222b。又，前述受光部210b，包含半透射鏡(半透光鏡)224、一對偏振光束分光器BS2,BS3、λ/4板226、以及四個光檢測器228a,228b,228c,228d。
本實施形態中，編碼器本體ENC係使從半導體雷射212射出之雷射光透過透鏡214射入偏振光束分光器BS1，藉由偏振光束分光器BS1偏振分離(分離成s偏振成分與p偏振成分)而成為兩個雷射光。其中一方之雷射光(被偏振光束分光器BS1反射之偏振成分)，係在反射鏡216a反射而射入晶圓載台WST內，到達晶圓載台WST上面之光柵24。此雷射光之照射點，係曝光區域IA中心正下方之點IAa。另一方面，另一方之雷射光(透射過偏振光束分光器BS1之偏振成分)，係在反射鏡216b反射而射入晶圓載台WST內，到達晶圓載台WST上面之光柵24。此雷射光之照射點亦為點IAa。接著，在光柵24之以Y軸方向為周期方向之格子繞射的光(次數為同一符號之一次或更高次的繞射光)，分別透過透鏡218a,218b、λ/4板220a,220b在平面鏡222a,222b反射。接著，各自之反射光再度通過λ/4板220a,220b後，沿與入射時相同之光路的反方向射入偏振光束分光器BS1。
此時，到達偏振光束分光器BS1之光，由於分別通過兩次λ/4板220a,220b，因此其偏光方向與入射時旋轉90°。因此，透過反射鏡216a之一方的光(亦即在偏振光束分光器BS1反射之偏振成分)係透射過偏振光束分光器BS1，透過反射鏡216b之另一方的光(透射過偏振光束分光器BS1之偏振成分)係在偏振光束分光器BS1反射。亦即，此等光係藉由偏振光束分光器BS1合成為同軸，朝向半透射鏡224。
接著，到達半透射鏡224之光束被分割為二，其中之一方到達偏振光束分光器BS3，另一方透過λ/4板226到達偏振光束分光器BS2。
在偏振光束分光器BS2偏振分離之光束(干涉光)分別到達光檢測器228a,228b，其光強度在各光檢測器228a,228b被轉換成電氣訊號。又，在偏振光束分光器BS3偏振分離之光束(干涉光)分別到達光檢測器228c,228d，其光強度在各光檢測器228c,228d被轉換成電氣訊號。
以上述方式輸出之電氣訊號，係輸入未圖示控制裝置，根據該電氣訊號測量晶圓載台WST在Y軸方向之位置資訊。
此外，X位置測量用編碼器本體，亦與上述同樣構成，使用在光柵24之以X軸方向為周期方向之格子繞射的繞射光，測量晶圓載台WST在X軸方向之位置資訊。又，編碼器本體係設置成其光軸實質與晶圓載台WST上面(形成光柵24之格子面)正交。又，編碼器本體不限於上述構成，亦可採用其他構成之編碼器本體，視其構成之不同，亦可不將光軸設置成與晶圓載台WST之上面正交。
如以上所說明，根據本第5實施形態，由於於晶圓載台之上面設有光柵24，亦此能與第1~第4實施形態同樣地進行晶圓載台WST之高精度測量。
此外，上述各實施形態中，雖設計成從各編碼器本體射出之測量用雷射光，會在曝光區域IA中心正下方之點IAa射入光柵24，但並不限於此，當不容易作如此設定時，亦能在與點IAa不同之別的點射入光柵24。又，亦可使測量點之位置在X位置測量用編碼器本體與Y位置測量用編碼器本體不同。再者，亦可將X位置測量用編碼器本體與Y位置測量用編碼器本體中之至少一方設置複數個。此時，亦可使測量方向相同之複數個編碼器本體之測量點位置不同。可藉由此複數個編碼器本體中至少在非測量方向測量點位置不同之兩個編碼器本體測量晶圓載台WST在θ z方向的位置資訊。
此外，上述各實施形態中，雖係以編碼器系統之測量用雷射光可透射之材料(合成石英等)構成晶圓台WTB的至少一部分，但並不限於此，亦能以例如中空框構件等構成。此時，可於框構件之開口部設置透射構件以密封其內部，並能調整其內部之溫度。包含以中空框構件等構成晶圓台之情形在內，上述各實施形態中，亦可採用編碼器本體之構成部分中，將作為熱源之部分(光源、偵測器等)與不作為熱源之部分(光學系統等)分離，再將兩者以光纖連接的構成。
又，上述第1~第3、第5實施形態中，雖於晶圓台WTB或晶圓載台WST之上面設置光柵24，但並不限於此，例如亦可於玻璃罩之下面或晶圓保持具之背面等設置光柵。再者，亦可代替設置玻璃罩等保護構件的方式，而以例如晶圓保持具等來代用。
此外，上述各實施形態中，雖說明了曝光裝置具備單一晶圓載台的情形，但並不限於此，亦可將本發明適用於例如美國專利第6,590,634號說明書、美國專利第5,969,441號說明書等所揭示之具備複數個晶圓載台的曝光裝置。又，亦可將本發明適用於例如美國專利第6,897,963號說明書所揭示，具備載台裝置(包含晶圓載台WST、以及能與晶圓載台獨立移動之測量載台)的曝光裝置。
又，亦能將本發明適用於揭示於例如國際公開第2004/053955號小冊子及對應之美國專利申請公開第2005/0259234號說明書等的液浸曝光裝置。
又，上述各實施形態之曝光裝置中之投影光學系統並不僅可為縮小系統，亦可為等倍系統及放大系統之任一者，投影光學系統不僅可為折射系統，亦可係反射系統及反折射系統之任一者，其投影像亦可係倒立像與正立像之任一者。再者，前述曝光區域IA，雖係在投影光學系統PL之視野內包含光軸AX的軸上區域，但例如亦可與如國際公開第2004/107011號小冊子所揭示之所謂線上型反折射系統同樣地，為不含光軸AX之離軸區域。又，曝光區域IA之形狀雖為矩形，但並不限於此，亦可係例如圓弧、梯形、或平行四邊形等。
又，照明光IL，不限於ArF準分子雷射光(波長193nm)，亦能使用KrF準分子雷射光(波長248nm)等紫外光，或F2 雷射光(波長157nm)等真空紫外光。又，可使用例如美國專利第7,023,610號說明書等所揭示之諧波，其係以塗布有鉺(或鉺及鐿兩者)之光纖放大器，將從DFB半導體雷射或纖維雷射射出之紅外線區或可見區的單一波長雷射光放大來作為真空紫外光，並以非線形光學結晶將其轉換波長成紫外光。
又，上述各實施形態中，作為曝光裝置之照明光IL，並不限於波長大於100nm之光，亦可使用波長未滿100nm之光。亦可非常合適地將本發明適用於，例如以SOR或電漿雷射為光源來產生軟X線區域(例如5~15nm之波長域)之EUV(Extreme UltraViolet)光，且使用根據其曝光波長(例如13.5nm)所設計之全反射縮小光學系統及使用反射型光罩之EUV曝光裝置。此外，本發明亦適用於使用電子射線或離子光束等之帶電粒子射線的曝光裝置。
又，上述各實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩(標線片)，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩(亦稱為可變成形光罩、主動光罩、或影像產生器，例如包含非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種之DMD(Digital Micro－mirror Device)等)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。
又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於晶圓上、而在晶圓上形成等間隔線圖案之曝光裝置(微影系統)。
進而，例如亦能將本發明適用於例如美國專利第6,611,316號所揭示之曝光裝置，其係將兩個標線片圖案透過投影光學系統在晶圓上合成，藉由一次之掃描曝光來對晶圓上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光。
又，於物體上形成圖案之裝置並不限於前述曝光裝置(微影系統)，例如亦能將本發明適用於以噴墨式來將圖案形成於物體上的裝置。
此外，上述實施形態及變形例中待形成圖案之物體(能量束所照射之曝光對象的物體)並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶瓷基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。
曝光裝置用途並不限定於半導體製造用之曝光裝置，亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案轉印於方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機器及DNA晶片等的曝光裝置。又，除了製造半導體元件等微型元件以外，為了製造用於光曝光裝置、EUV(極遠紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將本發明適用於用以將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。
此外，本發明之移動體系統並不限定於曝光裝置，亦可廣泛適用於其他之基板處理裝置(例如雷射修理裝置、基板檢查裝置等其他)，或其他精密機械中之試料定位裝置、打線裝置等具備在二維面內移動之載台等移動體的裝置。
又，上述實施形態的曝光裝置EX(圖案形成裝置)，係藉由組裝各種次系統(包含本案申請範圍中所列舉的各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置全體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。
此外，援用與上述實施形態所引用之曝光裝置等相關之所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開說明書及美國專利說明書之揭示，來作為本說明書之記載的一部分。
接著，說明在微影步驟使用上述曝光裝置(圖案形成裝置)之元件製造方法的實施形態。
圖10，係顯示元件(IC(積體電路)或LSI等半導體晶片、液晶面板、CCD、薄膜磁頭、微型機器等)的製造例流程圖。如圖10所示，首先，步驟401(設計步驟)中，係進行元件之功能/性能設計(例如半導體元件之電路設計等)，並進行用以實現其功能之圖案設計。接著，步驟202(光罩製作步驟)中，係製作形成有所設計電路圖案之光罩。另一方面，步驟403(晶圓製造步驟)中，係使用矽等材料來製造晶圓。
其次，步驟404(晶圓處理步驟)中，係使用在步驟401~步驟403所準備的光罩(標線片)與晶圓，如後述般，藉由微影技術等將實際電路等形成於晶圓上。其次，步驟405(元件組裝步驟)中，使用在步驟404所處理之晶圓進行元件組裝。於此步驟405中，係視需要而包含切割製程、接合製程及封裝製程(晶片封入)等製程。
最後，步驟406(檢查步驟)中，係進行在步驟405製成之元件的動作確認測試、耐久測試等檢查。在經過此等步驟後元件即告完成，並將之出貨。
圖11，係顯示半導體元件中該步驟404之詳細流程例。圖11中，步驟411(氧化步驟)，係使晶圓表面氧化。步驟412(CVD(化學氣相沉積)步驟)，係於晶圓表面形成絕緣膜。步驟413(電極形成步驟)，係藉由蒸鍍將電極形成於晶圓上。步驟414(離子植入步驟)，係將離子植入晶圓。以上步驟411~步驟414之各步驟，係構成晶圓處理之各階段的前處理步驟，並視各階段所需處理加以選擇並執行。
晶圓處理的各階段中，當結束上述前處理步驟時，即如以下進行後處理步驟。此後處理步驟中，首先，步驟415(光阻形成步驟)，將感光劑塗布於晶圓。接著，步驟416(曝光步驟)中，使用以上說明之曝光裝置(圖案形成裝置)及其曝光方法(圖案形成方法)將光罩之電路圖案轉印於晶圓。其次，步驟417(顯影步驟)中，使曝光之晶圓顯影，步驟418(蝕刻步驟)中，藉由蝕刻除去光阻殘存部分以外部分之露出構件。接著，步驟419(光阻除去步驟)中，除去結束蝕刻後不需要之光阻。
藉由反覆進行此等前處理步驟及後處理步驟，來於晶圓上形成多重電路圖案。
由於只要使用以上說明之本實施形態的元件製造方法，即會在曝光步驟(步驟416)中使用上述實施形態之曝光裝置(圖案形成裝置)及其曝光方法(圖案形成方法)，因此可一邊維持高重疊精度，一邊進行高產能之曝光。據此，能提昇形成有微細圖案之高積體度之微型元件的生產性。
如以上之說明，本發明之移動體驅動系統適於保持物體來移動。又，本發明之圖案形成裝置適於在物體形成圖案。又，本發明之曝光裝置及曝光方法，係適於透過能量束之照射來於物體形成圖案。又，本發明之元件製造方法，適於製造高積體度之元件。
12．．．照明系統
14．．．載台本體
16Ya,16Yb,16Xa,16Xb．．．編碼器本體
18．．．PBS
22．．．第1保持具保持構件
22a．．．底面
24．．．光柵
28A,28B．．．偏振光束分光器
30A,30B．．．反射鏡
32．．．固定座
32a．．．圓形開口
34．．．支撐柱
36．．．支撐構件
38．．．罩構件
42．．．固定座本體
49A,49B．．．偏振分離/合成構件
51．．．玻璃罩
100,100’．．．曝光裝置
100a’．．．曝光裝置本體
110．．．測定部
112．．．本體處理室
116．．．對準處理室
118．．．晶圓更換處理室
120．．．晶圓更換部
210a．．．光照射部
210b．．．受光部
212．．．半導體雷射
214．．．透鏡
216a,216b．．．反射鏡
218a,218b．．．透鏡
220a,220b．．．λ/4板
222a,222b．．．平面鏡
224．．．半透射鏡
226．．．λ/4板
228a,228b,228c,228d．．．光檢測器
324．．．標線片干涉儀
ALG．．．對準系統
AST．．．對準載台
AX．．．光軸
BS．．．晶圓載台固定座
BS1,BS2,BS3．．．底座
ENC．．．編碼器本體
F．．．地面
FLG．．．突緣
IA．．．曝光區域
IAa．．．點
IL．．．照明光
Lx1,Lx2,Ly1,Ly2．．．雷射光
PL．．．投影光學系統
R．．．標線片
RST．．．標線片載台
W．．．晶圓
WH,WH1,WH2,WH3．．．晶圓保持具
WTB．．．晶圓台
WST．．．晶圓載台
圖1，係顯示第1實施形態之曝光裝置的概略圖。
圖2，係顯示圖1之晶圓台與編碼器本體之位置關係的立體圖。
圖3(A)~圖3(C)，係用以說明以第1實施形態之編碼器本體進行測量的圖。
圖4(A)~圖4(C)，係用以說明以第1實施形態之晶圓台與編碼器變形例的圖。
圖5(A)~圖5(C)，係用以說明以第2實施形態之編碼器本體進行測量的圖。
圖6(A)~圖6(C)，係用以說明以第3實施形態之編碼器本體進行測量的圖。
圖7，係省略第4實施形態之曝光裝置一部分後所顯示的俯視圖。
圖8，係顯示第5實施形態之曝光裝置一部分的前視圖。
圖9，係顯示圖8之晶圓載台及進行該晶圓載台位置測量之編碼器本體構成的圖。
圖10，係用以說明元件製造方法之實施形態的流程圖。
圖11，係用以顯示圖10之步驟404之具體例的流程圖。
16Ya．．．編碼器本體
18．．．PBS
22a．．．底面
24．．．光柵
51．．．玻璃罩
AX．．．光軸
IA．．．曝光區域
IAa．．．點
Ly1,Ly2．．．雷射光
W．．．晶圓
WH．．．晶圓保持具
WTB．．．晶圓台

Claims (42)

  1. 一種移動體系統，具備：移動體，具有於表面裝載物體之保持構件，在該保持構件之背面側與既定平面實質平行地配置有光柵，供光在其內部朝向該光柵行進；以及測量系統，係使光從該移動體外部經由其內部照射於該光柵，且經由該移動體內部接收來自該光柵之反射光，以測量該移動體在該既定平面內之測量方向的位置資訊；該既定平面包含該移動體移動之彼此正交之第1及第2方向。
  2. 如申請專利範圍第1項之移動體系統，其中，該測量系統，係使該光經由與該既定平面交叉之該移動體側面照射於該光柵。
  3. 如申請專利範圍第2項之移動體系統，其中，該移動體之側面，係由相對該既定平面成銳角或鈍角的傾斜面構成；該測量系統，係使該光對該傾斜面成垂直地射入。
  4. 如申請專利範圍第2項之移動體系統，其中，該測量系統，係分別經由該移動體之不同側面使該光照射於該光柵。
  5. 如申請專利範圍第4項之移動體系統，其中，該不同側面，包含延伸於該第1及第2方向之該移動體的兩個側面，該測量系統，包含經由該兩個側面使該光分別照射於該光柵，以測量該移動體在不同方向之位置資訊的複數個 測量裝置。
  6. 如申請專利範圍第4項之移動體系統，其中，該不同側面，包含分別延伸於該第1方向之該移動體的一對側面，該測量系統，包含經由該一對側面使該光分別照射於該光柵，以測量該移動體在同一方向之位置資訊的一對測量裝置。
  7. 如申請專利範圍第6項之移動體系統，其中，該測量系統，可將該一對測量裝置中一方對該移動體之位置資訊的測量，切換至另一方對該移動體之位置資訊的測量。
  8. 如申請專利範圍第7項之移動體系統，其中，該測量系統，係根據該移動體在該第2方向的位置，進行用於測量該位置資訊之測量裝置的切換。
  9. 如申請專利範圍第7項之移動體系統，其進一步具備控制裝置，係設定另一測量裝置的初始值，以在將對該移動體之位置資訊之測量從該一對測量裝置中一方切換至另一方時，該一對測量裝置之測量結果一致。
  10. 如申請專利範圍第2項之移動體系統，其中，該移動體側面，係其與該光柵形成面所構成之角為銳角的傾斜面；該測量系統，係在該移動體內部使該光不反射即照射於該光柵。
  11. 如申請專利範圍第2項之移動體系統，其中，該移動體側面，係其與該光柵形成面所構成之角為鈍角的傾斜面； 該測量系統，係在該移動體內部使該光反射至少一次後將該光照射於該光柵。
  12. 如申請專利範圍第1項之移動體系統，其中，該測量系統，係使該光經由與該既定平面實質平行之該移動體上面照射於該光柵。
  13. 如申請專利範圍第12項之移動體系統，其中，該測量系統，包含分別使該光從該既定平面內彼此不同之方向照射於該光柵、以測量該移動體在該不同方向之位置資訊的複數個測量裝置。
  14. 如申請專利範圍第12項之移動體系統，其中，該測量系統，包含使該光實質地沿該既定平面內之同一方向彼此逆向地照射於該光柵、以測量該移動體在該同一方向之位置資訊的一對測量裝置。
  15. 如申請專利範圍第12項之移動體系統，其中，該測量系統，係在該移動體內部使該光反射至少一次後照射於該光柵。
  16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之移動體系統，其中，該測量系統，係在該移動體內部使該光斜向射入該光柵。
  17. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之移動體系統，其中，射入該移動體內部之光，係照射於在該既定平面內應定位該移動體的既定點或其附近。
  18. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之移動體系統，其中，該移動體，包含於該保持構件之背面配置有該 光柵、裝載有該保持構件且供光透射其內部的平台。
  19. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之移動體系統，其中，該移動體，包含供該光射入且於與該既定平面實質平行之一面形成有該光柵的透射構件，該保持構件，係設於該透射構件之一面側。
  20. 一種曝光裝置，係藉由能量束之照射將圖案形成於物體，其具備：圖案化裝置，係對該物體照射該能量束；以及申請專利範圍第1至19項中任一項之移動體系統；係以該移動體系統驅動保持該物體的移動體，以使該能量束與該物體相對移動。
  21. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，射入該移動體內部之光，係照射於該能量束之照射區域內的既定點。
  22. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，射入該移動體內部之光所照射的既定點，係該圖案化裝置的曝光中心。
  23. 如申請專利範圍第20項之曝光裝置，其中，該測量系統，包含使該光經由該移動體內部而分別照射於該光柵之第1、第2測量裝置，能從使用該第1、第2測量裝置中之一方之該移動體之驅動切換至使用另一方之該移動體之驅動。
  24. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第20至23項中任一項之曝光裝置 使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
  25. 一種曝光方法，係將能量束照射於物體以於該物體上形成既定圖案，其中，係驅動具有該物體裝載於表面之保持構件且在該保持構件之背面側與既定平面實質平行地配置有光柵、供光在其內部朝向該光柵行進的移動體，使該物體相對該能量束移動；使光從該移動體外部經由其內部照射於該光柵，且經由該移動體內部接收來自該光柵之反射光，以測量該移動體在該既定平面內之測量方向的位置資訊；該既定平面包含該移動體移動之彼此正交之第1及第2方向。
  26. 如申請專利範圍第25項之曝光方法，其係使該光經由與該既定平面交叉之該移動體側面照射於該光柵。
  27. 如申請專利範圍第26項之曝光方法，其中，該移動體之側面，係由相對該既定平面成銳角或鈍角的傾斜面構成；使該光對該傾斜面成垂直地射入。
  28. 如申請專利範圍第26項之曝光方法，其中，係使該光分別經由該移動體之不同側面照射於該光柵。
  29. 如申請專利範圍第28項之曝光方法，其中，該不同側面，包含延伸於該第1及第2方向之該移動體的兩個側面，使用經由該兩個側面使該光分別照射於該光柵之複數個測量裝置，測量該移動體在不同方向之位置資訊。
  30. 如申請專利範圍第28項之曝光方法，其中，該不同側面，包含分別延伸於該第1方向之該移動體的一對側面；使用經由該一對側面使該光分別照射於該光柵之一對測量裝置，測量該移動體在同一方向之位置資訊。
  31. 如申請專利範圍第30項之曝光方法，其中，可將該一對測量裝置中一方對該移動體之位置資訊的測量，切換至另一方對該移動體之位置資訊的測量。
  32. 如申請專利範圍第31項之曝光方法，其係根據該移動體在該既定平面在該第2方向的位置，進行用於測量該位置資訊之測量裝置的切換。
  33. 如申請專利範圍第31項之曝光方法，其係設定另一測量裝置的初始值，以在將對該移動體之位置資訊之測量從該一對測量裝置中一方切換至另一方時，該一對測量裝置之測量結果一致。
  34. 如申請專利範圍第25項之曝光方法，其中，使該光經由與該既定平面實質平行之該移動體上面照射於該光柵。
  35. 如申請專利範圍第34項之曝光方法，其中，在該移動體內部使該光反射至少一次後照射於該光柵。
  36. 如申請專利範圍第25項之曝光方法，其中，藉由使該光經由該移動體內部分別照射於該光柵之第1、第2測量裝置之至少一方測量該移動體之位置資訊，並能從使用該第1、第2測量裝置中之一方之該移動體之驅動切換至使用另一方之該移動體之驅動。
  37. 如申請專利範圍第36項之曝光方法，其係設定另一測量裝置的測量值，以在將用於驅動該移動體之位置資訊從該第1、第2測量裝置中一方切換至另一方時，在該第1、第2測量裝置間其測量結果為一致。
  38. 如申請專利範圍第25至37項中任一項之曝光方法，其中，係在該移動體內部使該光斜向射入該光柵。
  39. 如申請專利範圍第25至37項中任一項之曝光方法，其中，射入該移動體內部之光，係照射於在該既定平面內應定位該移動體的既定點或其附近。
  40. 如申請專利範圍第25至37項中任一項之曝光方法，其中，射入該移動體內部之光，係照射於該能量束之照射區域內的既定點。
  41. 如申請專利範圍第25至37項中任一項之曝光方法，其中，射入該移動體內部之光所照射的既定點係曝光中心。
  42. 一種元件製造方法，包含：使用申請專利範圍第25至41項中任一項之曝光方法使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008038752A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-03 Nikon Corporation système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
JP2009016679A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Yaskawa Electric Corp ステージ装置およびその浮上制御方法と、ステージ装置を用いた露光装置
JP4962779B2 (ja) * 2007-07-06 2012-06-27 株式会社安川電機 ステージ装置およびその浮上制御方法と、ステージ装置を用いた露光装置
JP4962780B2 (ja) * 2007-07-06 2012-06-27 株式会社安川電機 ステージ装置およびその浮上制御方法と、ステージ装置を用いた露光装置
US8237919B2 (en) * 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US20090075012A1 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036618A1 (nl) * 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system.
US8325325B2 (en) 2008-09-22 2012-12-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8508735B2 (en) * 2008-09-22 2013-08-13 Nikon Corporation Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8994923B2 (en) * 2008-09-22 2015-03-31 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) * 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8760629B2 (en) * 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010245123A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 透過照明付きテーブル
US8792084B2 (en) * 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8553204B2 (en) * 2009-05-20 2013-10-08 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8970820B2 (en) * 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8355114B2 (en) * 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8472008B2 (en) * 2009-06-19 2013-06-25 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US20110008734A1 (en) * 2009-06-19 2011-01-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8294878B2 (en) * 2009-06-19 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8355116B2 (en) 2009-06-19 2013-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8446569B2 (en) * 2009-06-19 2013-05-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5299638B2 (ja) * 2009-09-14 2013-09-25 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110086315A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110075120A1 (en) 2009-09-30 2011-03-31 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110085150A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
NL2005545A (en) * 2009-11-17 2011-05-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011199142A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Honda Motor Co Ltd 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置
US8576202B2 (en) 2010-03-25 2013-11-05 Elo Touch Solutions, Inc. Bezel-less acoustic touch apparatus
NL2008272A (en) * 2011-03-09 2012-09-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
NL2009870A (en) * 2011-12-23 2013-06-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
US9360772B2 (en) 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2010679A (en) * 2012-05-23 2013-11-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9772564B2 (en) 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US9605948B2 (en) * 2013-03-12 2017-03-28 Nikon Corporation Minimization of Abbe error caused by tip or tilt between an encoder head and a wafer stage for arbitrary location of a center of rotation
DE102014208988A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optische Positionsmesseinrichtung
DE102013220196A1 (de) * 2013-10-07 2015-04-09 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optische Positionsmesseinrichtung
TWI572863B (zh) * 2014-12-23 2017-03-01 Imt有限公司 包含雷射清理功能的晶圓測試機
CN111158220A (zh) 2015-02-23 2020-05-15 株式会社尼康 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法
CN107278279B (zh) 2015-02-23 2020-07-03 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法
KR20230107706A (ko) * 2015-02-23 2023-07-17 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법
EP3192080B1 (en) * 2015-09-30 2018-04-18 Koninklijke Philips N.V. Focussing of gratings for differential phase contrast imaging by means of electro-mechanic transducer foils
US9970845B2 (en) * 2016-02-10 2018-05-15 Apple Inc. Interrogating DOE integrity by reverse illumination
JP7404895B2 (ja) * 2020-01-29 2023-12-26 株式会社サタケ 穀粒判別器
KR20230052882A (ko) * 2020-08-17 2023-04-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 동축 투시 정렬 이미징 시스템
US12002765B2 (en) * 2022-01-04 2024-06-04 Nanya Technology Corporation Marks for overlay measurement and overlay error correction

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309198A (en) * 1992-02-25 1994-05-03 Nikon Corporation Light exposure system
TW399145B (en) * 1997-12-22 2000-07-21 Asm Lithography Bv Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
US6590634B1 (en) * 1996-11-28 2003-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
US4775877A (en) * 1985-10-29 1988-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for processing a plate-like workpiece
JPS63231217A (ja) 1987-03-19 1988-09-27 Omron Tateisi Electronics Co 移動量測定装置
JP2562479B2 (ja) * 1988-04-25 1996-12-11 株式会社 ミツトヨ 反射式ｘｙエンコーダ
JP2603338B2 (ja) * 1989-06-16 1997-04-23 キヤノン株式会社 変位測定装置
US5021649A (en) * 1989-03-28 1991-06-04 Canon Kabushiki Kaisha Relief diffraction grating encoder
DE4033556A1 (de) 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
JPH074993A (ja) * 1993-03-23 1995-01-10 Ricoh Co Ltd エンコーダ装置
JP3082516B2 (ja) * 1993-05-31 2000-08-28 キヤノン株式会社 光学式変位センサおよび該光学式変位センサを用いた駆動システム
JP3564730B2 (ja) * 1993-07-01 2004-09-15 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JPH07270122A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
JPH1038517A (ja) 1996-07-23 1998-02-13 Canon Inc 光学式変位測定装置
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
JP3849266B2 (ja) * 1997-12-18 2006-11-22 株式会社ニコン レーザ干渉測長方法および装置、およびそれを用いたステージ装置、およびそれを用いた露光装置
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
CN100578876C (zh) * 1998-03-11 2010-01-06 株式会社尼康 紫外激光装置以及使用该紫外激光装置的曝光装置和曝光方法
US6032997A (en) * 1998-04-16 2000-03-07 Excimer Laser Systems Vacuum chuck
EP1098359A4 (en) * 1998-06-02 2003-11-19 Nikon Corp SCANNING ALIGNMENT MEMBER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
DE10011130A1 (de) 2000-03-10 2001-09-13 Mannesmann Vdo Ag Entlüftungseinrichtung für einen Kraftstoffbehälter
TW527526B (en) 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
GR1003957B (el) * 2000-08-28 2002-08-06 Syngenta Participations Ag Ελεγχος ζιζανιων που καταστρεφουν το ξυλο με thiamethoxam.
JP4714403B2 (ja) 2001-02-27 2011-06-29 エーエスエムエル ユーエス，インコーポレイテッド デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置
JP2002353099A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US6788385B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP4110765B2 (ja) * 2001-11-08 2008-07-02 ソニー株式会社 受発光複合ユニット及びこれを用いた変位検出装置
US6762889B2 (en) * 2001-11-15 2004-07-13 Agilent Technologies, Inc. Compact telephoto lens for grating scale position measuring system
JP2003166856A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Fuji Electric Co Ltd 光学式エンコーダ
TW200301698A (en) 2001-12-21 2003-07-16 Bristol Myers Squibb Co Acridone inhibitors of IMPDH enzyme
JP2004101362A (ja) 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc ステージ位置計測および位置決め装置
DE60211520T2 (de) 2002-10-09 2006-12-14 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Anordnung zur Steuerung des Betriebs eines physikalischen Systems wie zum Beispiel einer Brennstoffzelle in elektrischen Fahrzeugen
CN101424883B (zh) * 2002-12-10 2013-05-15 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
SG160223A1 (en) 2003-05-06 2010-04-29 Nikon Corp Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US7025498B2 (en) * 2003-05-30 2006-04-11 Asml Holding N.V. System and method of measuring thermal expansion
KR101686762B1 (ko) * 2003-06-19 2016-12-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
TWI295408B (en) * 2003-10-22 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system
EP1526408A1 (en) * 2003-10-22 2005-04-27 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement systems
US7102729B2 (en) * 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
JP2005268608A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Sumitomo Heavy Ind Ltd ステージ装置
JP4751032B2 (ja) * 2004-04-22 2011-08-17 株式会社森精機製作所 変位検出装置
KR100854265B1 (ko) * 2004-04-27 2008-08-26 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 검출장치 및 스테이지장치
US7256871B2 (en) * 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
CN101052916B (zh) 2004-09-30 2010-05-12 株式会社尼康 投影光学设备和曝光装置
US20060139595A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness
JP2006292728A (ja) 2005-03-17 2006-10-26 Mitsutoyo Corp 光電式エンコーダ
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7349069B2 (en) * 2005-04-20 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7405811B2 (en) * 2005-04-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and positioning apparatus
US7392446B1 (en) * 2005-06-17 2008-06-24 Xilinx, Inc. Test channel usage reduction
US7348574B2 (en) * 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
US7362446B2 (en) * 2005-09-15 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit
JP2007093546A (ja) 2005-09-30 2007-04-12 Nikon Corp エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置
US7978339B2 (en) * 2005-10-04 2011-07-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus temperature compensation
US7463337B2 (en) * 2005-12-30 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Substrate table with windows, method of measuring a position of a substrate and a lithographic apparatus
EP2752714B8 (en) * 2006-01-19 2015-10-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
WO2007097466A1 (ja) * 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
EP2003680B1 (en) * 2006-02-21 2013-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
SG178791A1 (en) * 2006-02-21 2012-03-29 Nikon Corp Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method and device manufacturing method
US7602489B2 (en) * 2006-02-22 2009-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7253875B1 (en) * 2006-03-03 2007-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7636165B2 (en) * 2006-03-21 2009-12-22 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method
US7483120B2 (en) * 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
WO2008038752A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-03 Nikon Corporation système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309198A (en) * 1992-02-25 1994-05-03 Nikon Corporation Light exposure system
US6590634B1 (en) * 1996-11-28 2003-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
TW399145B (en) * 1997-12-22 2000-07-21 Asm Lithography Bv Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement

Also Published As

Publication number Publication date
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