JP2011199142A - 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】スクライブ位置の誤差に起因する非発電領域を削減し、発電効率が向上したカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上面への裏面電極層成膜工程と、裏面電極層をスクライブして複数に分割する工程、複数の裏面電極上への光吸収層成膜工程と、光吸収層をスクライブして複数に分割する工程と、複数の光吸収層上への透明電極層成膜工程と、透明電極層をスクライブして複数に分割する工程とを備えた薄膜太陽電池の製造方法において、裏面電極層を分割する複数の分割スクライブ溝に直交する直交スクライブ溝をガラス基板の端部に形成し、分割スクライブ溝と直交スクライブ溝との交点を撮像手段で検出し、交点の座標を元に光吸収層および透明電極層のスクライブの位置決めを行い、交点の検出のための観察は、基板において下面から行う。
【選択図】図11
【解決手段】基板の上面への裏面電極層成膜工程と、裏面電極層をスクライブして複数に分割する工程、複数の裏面電極上への光吸収層成膜工程と、光吸収層をスクライブして複数に分割する工程と、複数の光吸収層上への透明電極層成膜工程と、透明電極層をスクライブして複数に分割する工程とを備えた薄膜太陽電池の製造方法において、裏面電極層を分割する複数の分割スクライブ溝に直交する直交スクライブ溝をガラス基板の端部に形成し、分割スクライブ溝と直交スクライブ溝との交点を撮像手段で検出し、交点の座標を元に光吸収層および透明電極層のスクライブの位置決めを行い、交点の検出のための観察は、基板において下面から行う。
【選択図】図11
Description
本願発明は、光吸収層がカルコパイライト系化合物からなるカルコパイライト型薄膜太陽電池などの薄膜太陽電池の製造方法に係り、特に、薄膜太陽電池のうち非発電領域の占める割合を削減し、発電効率を向上させる方法に関する。
太陽電池は、シリコンなどの単結晶型太陽電池、多結晶型太陽電池、薄膜太陽電池などの種類に大別され、これらのうち薄膜型のものは、同出力の他の太陽電池と比較して原料の使用量が少なく、また、製造プロセスが簡易かつ低エネルギーで済むという利点から、商品化開発が進められている。
薄膜型太陽電池の一種であるカルコパイライト型薄膜太陽電池は、カルコパイライト系化合物(例えばCu(In1−xGax)Se2、以下CIGSと略称する)からなるCIGS層をp型の光吸収層として有し、基本的な構造として、基板、裏面電極層、p型光吸収層、n型バッファ層、透明電極層からなり、光を照射することによって裏面電極層と透明電極層から電気を取り出すことができる。
このようなCIGS層を光吸収層として備えた一般的なカルコパイライト型薄膜太陽電池(単電池)の層構造を図1に示す。この電池は、(a)のソーダライムガラス(SLG)基板上10に、正極として機能する(b)のMo裏面電極層11がスパッタリング等により形成されている。Mo裏面電極層11上には、必要に応じてNa源としてのNaディップ層を形成し、そのNaディップ層を介するかまたはMo裏面電極層11上に直接的に、(c)のCu−In−Gaからなる光吸収層プリカーサ12が成膜され、(d)続いてセレン化水素(H2Se)雰囲気中熱処理することにより光吸収層プリカーサにSeを拡散させる処理を行いCIGSからなるp型光吸収層13´が形成される。(e)さらに、光吸収層13´の上に化学析出法(Chemical Bath Deposition法、以下、CBDと略称する)によって例えばCdSやZnS、InSからなるバッファ層13´´が形成されて(p型光吸収層13´およびバッファ層13´´をまとめて以下、光吸収層13とする)、その上に(f)のZnOやZnAlO等からなる透明電極層14が形成されている。
図1に示す単電池は、所望の電圧を得るために直列に接続される必要があるため、通常、図2に示すように、単電池が直列に接続された構造となるように各層が形成される。すなわち、まず(a)ガラス基板10上に裏面電極層11が形成され、(b)裏面電極層11がスクライブ等の手段により複数の領域に分割され、続いて(c)その上に光吸収層13が形成され、(d)光吸収層13が複数の領域に分割され、最後に(e)その上に透明電極層14が形成され、(f)透明電極層14が複数の領域に分割される。
このような形成方法によれば、図4に示すように、分割された裏面電極層11aを正極とし、分割された透明電極層14aを負極として、その間に分割された光吸収層13aを保持した単電池が複数形成され、透明電極層14aのT字状下端部15が隣接する単電池の裏面電極層11aに接続される形で、これら単電池が直列接続された構造が得られる。
従来、このように裏面電極層、光吸収層および透明電極層を複数に分割する際は、先端に刃部を有するスクライブ等の手段によって各層を切削して行っているが、そのスクライブ間隔は予め決められた所定の間隔にて機械的に行われるため、分割位置の誤差が不可避であった。
すなわち、図6に示すように、符号20、21および22で示す3箇所でスクライブが行われ、これらは互いに隣接していることが好ましいが、そのスクライブ間隔を厳密に制御することは困難であるため、符号CおよびEで示す領域が残存するようスクライブ間隔が設定される。このように残存した領域CおよびEに存在する光吸収層は周囲を取り囲む透明電極層が裏面電極層と接触しているため電位差が0であり、発電に寄与しない。そのため、スクライブ部であるために不可避的に発電に寄与しない領域B、DおよびFに加えて、領域CおよびEの部分も発電に寄与せず、太陽電池全体として発電を行うのは領域Aのみとなってしまい、発電効率が低下するという問題があった。
例えば、発電セル長(領域AF)が約5mmで、スクライブ部(領域B、DおよびF)の幅が約50μm程度で、領域CおよびEがそれぞれ約100μmである場合、非発電領域は面積比で7%を占める。また、発電に寄与しない光吸収層が存在するために、原料の利用率も低下するという問題もある。
このような問題に対して、裏面電極層をスクライブして複数に分割した後、光吸収層を形成して光吸収層を複数に分割するにあたり、撮像手段によって基板の端部を検出し、予め設定した端部から光吸収層のスクライブ位置までの距離を移動させることにより、この検出された端部を基準とすることで光吸収層のスクライブ位置を補正する技術が知られている。
しかしながら、撮像手段によるガラス基板端部の検出は、端部に形成された基板自体のミクロの凹凸や、積層された各層の端部や表面の状態によって誤検出が生じる場合があった。
また、他の技術としては、裏面電極層をスクライブして複数に分割した後、光吸収層を形成して光吸収層を複数に分割するにあたり、裏面電極層の複数の分割スクライブ溝に直交する直交スクライブ溝を基板端部近傍に形成し、分割スクライブ溝と直交スクライブ溝との交点を撮像手段によって検出し、この交点の座標によって光吸収層のスクライブ位置を補正する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1に記載の方法では、交点の検出を基板において積層が行われる上面側において、すなわち光吸収層を介して行なう。そのため、特許文献1の段落0033にも記載されているように、光吸収層の表面の状態によっては検出が正確ではないという問題があった。さらに、光吸収層の上に透明電極層を形成した後に交点の検出を行う際は、誤差が拡大する虞がある。
本願発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、裏面電極層にスクライブ溝を設けて、続いてこの上に光吸収層および透明電極層を形成してスクライブ溝を設けるにあたり、裏面電極層のスクライブ溝の座標の検出を正確に行なうことにより、誤差を抑制して裏面電極層の溝と、光吸収層および透明電極層の溝との間の非発電領域を削減し、太陽電池の発電効率を向上させることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供することを目的としている。
本願発明は、ガラス基板上の上面に裏面電極層を成膜する工程と、裏面電極層をスクライブして複数の裏面電極層に分割する工程と、複数の裏面電極上に光吸収層を成膜する工程と、光吸収層をスクライブして複数の光吸収層に分割する工程と、複数の光吸収層上に透明電極層を成膜する工程と、透明電極層をスクライブして複数の透明電極層に分割する工程とを備えた薄膜太陽電池の製造方法において、裏面電極層を複数に分割する複数の分割スクライブ溝に直交する直交スクライブ溝をガラス基板の端部に形成し、分割スクライブ溝と直交スクライブ溝との交点を撮像手段で検出し、交点の座標を元に光吸収層および透明電極層のスクライブの位置決めを行い、交点の検出のための観察は、ガラス基板において積層が行われる上面と反対の下面から行うことを特徴としている。
本願発明においては、撮像手段は、上面側に設置され、撮像手段は、下面側にて観察された交点の検出を、反射鏡を介して上面側にて行なうことを好ましい態様としている。
また、本願発明は、ガラス基板上の上面側に裏面電極層を形成する裏面電極層成膜手段と、裏面電極層上に光吸収層を形成する光吸収層成膜手段と、光吸収層上に透明電極層を形成する透明電極層成膜手段と、裏面電極層、光吸収層、および透明電極層のそれぞれを複数に分割する複数の分割スクライブ溝と、裏面電極層の分割スクライブ溝に直交する直交スクライブ溝とを形成するスクライブ手段とを備えた薄膜太陽電池の製造装置において、スクライブ手段には、裏面電極層の分割スクライブ溝と直交スクライブ溝との交点を検出する撮像手段が一体に設けられ、交点を基板の下面側にて観察した像を上面側に導く反射鏡を備えたことを特徴としている。
本願発明によれば、裏面電極層の分割スクライブ溝と直交スクライブ溝との交点を基板の下面側から観察し、この交点の像を反射鏡を介して上面側に導いて、スクライブ手段と一体化された撮像手段によって検出して、この交点座標の検出結果に基づいてスクライブ手段(撮像手段)の位置決めを行ない、続いて光吸収層の分割および透明電極層の分割を行なうので、スクライブ手段が移動して光吸収層および透明電極層のスクライブを行うにあたり、上面側から検出を行う場合と比較してスクライブ位置に誤差が生じることが抑制され、これら溝どうしの間の非発電領域を削減することができるという効果を奏する。
以下、本願発明の実施形態について更に詳細に説明する。
本願発明の実施形態
図3は、本願発明のカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造工程を示す模式図である。まず、SLG等の基板10上に、正極として機能するMo等からなる裏面電極層11が金属Moターゲット等を用いてスパッタリング法により成膜される(図3(a))。そして、その上に形成される光吸収層の性能向上を目的としてNaを拡散させるため、必要に応じてNa源としての図示しないNaディップ層が形成される場合がある。
本願発明の実施形態
図3は、本願発明のカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造工程を示す模式図である。まず、SLG等の基板10上に、正極として機能するMo等からなる裏面電極層11が金属Moターゲット等を用いてスパッタリング法により成膜される(図3(a))。そして、その上に形成される光吸収層の性能向上を目的としてNaを拡散させるため、必要に応じてNa源としての図示しないNaディップ層が形成される場合がある。
そのNaディップ層が設けられた裏面電極層または裏面電極層単体は、先端にスクライブ刃を有するか、あるいはレーザにより切削を行うスクライブ手段30によってスクライブされ、分割溝20によって複数に分割されたMo裏面電極層11aが形成される(図3(b))。
ここで、次の光吸収層13を成膜してこれを分割する工程に先立って、その分割を行う際の位置決めに用いられる補正用のマークを検出させるスクライブの形成工程に入る。図10は、そのような補正用のマークを検出させるためのスクライブの模式図である。基板10の一端部(図ではB端)近傍には、裏面電極層11を複数に分割するスクライブ溝20に直交する直交スクライブ溝23がスクライブ手段30によって形成される。
次に、図3(c)の光吸収層の成膜工程に入る。Mo裏面電極層11a上に、金属InターゲットおよびCu−Ga合金ターゲットを用いたスパッタリング法によりIn層とGu−Ga層からなる光吸収層プリカーサ(図示せず)が形成される。続いてH2Se雰囲気下で例えば500℃以上の加熱処理を行い、光吸収層プリカーサにSeを拡散させ、Cu−In−Ga−Seからなるp型光吸収層13´が成膜される(図3(c))。さらに、このp型光吸収層13´の上には、例えばCBD法によりCdS,ZnSあるいはInS等のバッファ層13´´が形成され、光吸収層13となる。
次に、SLG基板10は、図示しない作業ステージ上に載置され、前述した補正用マークの検出が行なわれる。図11は、この工程を示すもので、図11(a)に示すように、スクライブ手段30と一体に設けられた同軸LED51によって光が照射され、反射鏡52を介して基板下面の観察が行われる。このとき、スクライブ手段30と一体に設けられた撮像手段50によって、その映像が撮影される。図11(b)は、この撮影映像41を示す。撮影映像41に裏面電極層11の分割スクライブ溝20と直交スクライブ溝23が観察されると、その交点が検出され、マーク45として座標が設定される。
マーク45によって裏面電極層11の分割スクライブ溝20のX座標が検出されているので、このマーク45のX座標から所定の距離までスクライブ手段30を移動させ、その位置で、光吸収層13はスクライブ手段30によって切削され、分割スクライブ溝21によって複数に分割された光吸収層13aを形成される(図3(d))。なお、所定の距離とは、マーク45によってX座標が検出された分割スクライブ溝20と、分割スクライブ溝21との間に非スクライブ領域が残存しないようにこれら溝を隣接させるような移動距離であり、目的のスクライブ溝の幅によって適宜設定されるものである。
続いて、光吸収層13a上に、ZnOターゲットまたはZnAlO合金ターゲットを用いたスパッタリング法によりZnOまたはZnAlO等からなる負極である透明電極層14が成膜される(図3(e))。
前述したように、マーク45によって裏面電極層11の分割スクライブ溝20のX座標が検出されているので、このマーク45のX座標から所定の距離までスクライブ手段30を移動させ、その位置で、透明電極層14はスクライブ手段30によって切削され、分割スクライブ溝22によって複数に分割された透明電極層14aが形成される(図3(f))。なお、所定の距離とは、分割スクライブ溝21と分割スクライブ溝22との間に非スクライブ領域が残存しないようにこれら溝を隣接させるような移動距離であり、目的のスクライブ溝の幅によって適宜設定されるものである。
透明電極層14のスクライブが完了した後は、基板10の端部近傍に形成された直交スクライブ溝23部分を必要に応じて切断して、最終製品とされる。以上のようにして、図5に示す本願発明のカルコパイライト型薄膜太陽電池が得られる。
なお、透明電極層14を分割するにあたり、再度、図11に示すように基板の下面側から分割スクライブ溝20と直交スクライブ溝23の交点の検出を行ってもよい。このようにすることで、誤差の発生をより確実に抑制することができる。特に、光吸収層と透明電極層の2層が形成された後は、上面側からの検出がより困難になっているので、下面側から検出を行う本願発明の効果が発揮される。
従来の位置合わせ方法に対する本願発明の優位性
ここで、従来のスクライブ手段の位置合わせについて説明する。図8に示すように、裏面電極層11は、単に分割スクライブ溝20によってのみ分割されている。そして、光吸収層13の分割に先立ってスクライブ手段30の位置合わせを行う際には、図9(a)に示すように、基板の端部をカメラ50によって観察する。この撮影映像40は、基板の端部が拡大されたものであり、端部と認識された部分に沿って複数のマークが設定され、この2点を結ぶ直線が基板端部と認識される。したがって、例えば端部に凹凸がある場合は、マーク42および43のように、実際の端部方向とは異なる斜め方向に端部が検出されてしまい、これが誤差の原因となっていた。また、基板上に形成された裏面電極層11や光吸収層13の表面性状によっては、例えばその濃淡が顕著な部分にマーク44として検出されてしまう場合もあった。
ここで、従来のスクライブ手段の位置合わせについて説明する。図8に示すように、裏面電極層11は、単に分割スクライブ溝20によってのみ分割されている。そして、光吸収層13の分割に先立ってスクライブ手段30の位置合わせを行う際には、図9(a)に示すように、基板の端部をカメラ50によって観察する。この撮影映像40は、基板の端部が拡大されたものであり、端部と認識された部分に沿って複数のマークが設定され、この2点を結ぶ直線が基板端部と認識される。したがって、例えば端部に凹凸がある場合は、マーク42および43のように、実際の端部方向とは異なる斜め方向に端部が検出されてしまい、これが誤差の原因となっていた。また、基板上に形成された裏面電極層11や光吸収層13の表面性状によっては、例えばその濃淡が顕著な部分にマーク44として検出されてしまう場合もあった。
さらに、本発明同様に直交スクライブ溝と分割スクライブ溝の交点を検出する方式である特許文献1に記載の方法によっては、撮影および検出を各層が形成された上面側から行うため、形成された光吸収層の表面性状によっては検出に誤差が生じる場合があった。また、透明電極層を形成した後に交点の検出を行う際は、積層される厚さが増大しているため、認識性が悪く、誤差もより大きくなる虞がある。一方、本発明によれば、基板の裏面から直交スクライブ溝と分割スクライブ溝の交点を検出しているので、積層される光吸収層や透明電極層の表面性状に左右されず、SLG基板10を通してのみ交点の検出が行えるので、検出誤差を確実に抑制することができる。
本願発明の効果
従来の製造方法によって得られる太陽電池の単電池部分を拡大した模式図を図6に、本願発明によって得られる太陽電池の単電池部分を拡大した模式図を図7にそれぞれ示す。従来の太陽電池では、スクライブ領域B、DおよびFに加え、分割溝20と21との間、分割溝21と22との間に、スクライブ位置の誤差に起因して領域CおよびEが形成されてしまっており、上述の通りこの領域は発電に寄与せずに全体として発電効率を低下させる原因となっていたが、本願発明の太陽電池では、上記誤差を補正してスクライブを行なうことができるため、スクライブ領域B、DおよびFが全て隣接して、非発電領域である領域CおよびEが形成されず、全体として発電効率が向上している。
従来の製造方法によって得られる太陽電池の単電池部分を拡大した模式図を図6に、本願発明によって得られる太陽電池の単電池部分を拡大した模式図を図7にそれぞれ示す。従来の太陽電池では、スクライブ領域B、DおよびFに加え、分割溝20と21との間、分割溝21と22との間に、スクライブ位置の誤差に起因して領域CおよびEが形成されてしまっており、上述の通りこの領域は発電に寄与せずに全体として発電効率を低下させる原因となっていたが、本願発明の太陽電池では、上記誤差を補正してスクライブを行なうことができるため、スクライブ領域B、DおよびFが全て隣接して、非発電領域である領域CおよびEが形成されず、全体として発電効率が向上している。
また、本願発明では、スクライブ手段と撮像手段が一体化されて設けられているので、撮像手段とスクライブ刃が近接した位置となり、スクライブ位置の補正での誤差を小さくすることができるという効果を奏する。
高発電効率を有するカルコパイライト型薄膜太陽電池の製造に有望である。
10…基板、
11…裏面電極層、
11a…分割された裏面電極層、
12…光吸収層プリカーサ、
13…光吸収層、
13´…p型光吸収層、
13´´…バッファ層、
13a…分割された光吸収層、
14…透明電極層、
14a…分割された透明電極層、
15…裏面電極−透明電極接点、
20…裏面電極層分割スクライブ溝、
21…光吸収層分割スクライブ溝、
22…透明電極層分割スクライブ溝、
23…直交スクライブ溝、
30…スクライブ手段、
40、41…検出画像、
42〜45…マーク、
50…撮像手段、
51…同軸LED、
52…反射鏡、
A…発電領域、
B、D、F…スクライブ領域、
C、E…非発電領域。
11…裏面電極層、
11a…分割された裏面電極層、
12…光吸収層プリカーサ、
13…光吸収層、
13´…p型光吸収層、
13´´…バッファ層、
13a…分割された光吸収層、
14…透明電極層、
14a…分割された透明電極層、
15…裏面電極−透明電極接点、
20…裏面電極層分割スクライブ溝、
21…光吸収層分割スクライブ溝、
22…透明電極層分割スクライブ溝、
23…直交スクライブ溝、
30…スクライブ手段、
40、41…検出画像、
42〜45…マーク、
50…撮像手段、
51…同軸LED、
52…反射鏡、
A…発電領域、
B、D、F…スクライブ領域、
C、E…非発電領域。
Claims (3)
- ガラス基板上の上面に裏面電極層を成膜する工程と、
前記裏面電極層をスクライブして複数の裏面電極層に分割する工程と、
前記複数の裏面電極上に光吸収層を成膜する工程と、
前記光吸収層をスクライブして複数の光吸収層に分割する工程と、
前記複数の光吸収層上に透明電極層を成膜する工程と、
前記透明電極層をスクライブして複数の透明電極層に分割する工程とを備えた薄膜太陽電池の製造方法において、
前記裏面電極層を複数に分割する複数の分割スクライブ溝に直交する直交スクライブ溝を前記ガラス基板の端部に形成し、
前記分割スクライブ溝と前記直交スクライブ溝との交点を撮像手段で検出し、
前記交点の座標を元に光吸収層および透明電極層のスクライブの位置決めを行い、
前記交点の検出のための観察は、前記ガラス基板において積層が行われる上面と反対の下面から行うことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記撮像手段は、前記上面側に設置され、
前記撮像手段は、前記下面側にて観察された交点の検出を、反射鏡を介して上面側にて行なうことを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。 - ガラス基板上の上面側に裏面電極層を形成する裏面電極層成膜手段と、
前記裏面電極層上に光吸収層を形成する光吸収層成膜手段と、
前記光吸収層上に透明電極層を形成する透明電極層成膜手段と、
前記裏面電極層、前記光吸収層、および前記透明電極層のそれぞれを複数に分割する複数の分割スクライブ溝と、前記裏面電極層の分割スクライブ溝に直交する直交スクライブ溝とを形成するスクライブ手段とを備えた薄膜太陽電池の製造装置において、
前記スクライブ手段には、前記裏面電極層の分割スクライブ溝と前記直交スクライブ溝との交点を検出する撮像手段が一体に設けられ、
前記交点を前記基板の下面側にて観察した像を上面側に導く反射鏡を備えたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造装置。
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