JP2603338B2 - 変位測定装置 - Google Patents
変位測定装置Info
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- JP2603338B2 JP2603338B2 JP15416889A JP15416889A JP2603338B2 JP 2603338 B2 JP2603338 B2 JP 2603338B2 JP 15416889 A JP15416889 A JP 15416889A JP 15416889 A JP15416889 A JP 15416889A JP 2603338 B2 JP2603338 B2 JP 2603338B2
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- diffraction grating
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Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は変位測定装置に関し、特に透明基板上にレリ
ーフ型回折格子を形成した光学式スケールの変位をレリ
ーフ型回折格子で生じる回折光を利用して測定する変位
測定装置に関する。
ーフ型回折格子を形成した光学式スケールの変位をレリ
ーフ型回折格子で生じる回折光を利用して測定する変位
測定装置に関する。
［従来技術］ 従来、この種の変位測定装置としては、例えば実公昭
61−39289号公報に開示してあるような装置が知られて
いる。この装置はガラス基板上に周期的な溝を形成して
レリーフ型の回折格子とし、周期的な溝表面にAu、Alな
どの反射膜を蒸着して光学式スケールを構成している。
そして、この光学式スケール100を、第４図に示す如く
レリーフ型回折格子の上方から照明しレリーフ型回折格
子で生じた回折光同志を干渉させて干渉縞を形成し、こ
の干渉縞を光電変換することにより光学式スケール100
の変位を測定している。
61−39289号公報に開示してあるような装置が知られて
いる。この装置はガラス基板上に周期的な溝を形成して
レリーフ型の回折格子とし、周期的な溝表面にAu、Alな
どの反射膜を蒸着して光学式スケールを構成している。
そして、この光学式スケール100を、第４図に示す如く
レリーフ型回折格子の上方から照明しレリーフ型回折格
子で生じた回折光同志を干渉させて干渉縞を形成し、こ
の干渉縞を光電変換することにより光学式スケール100
の変位を測定している。
このようなレリーフ型回折格子は溝の高さを適宜定め
てやることで零次反射回折光（正反射光）の強度を弱
め、測定に用いる高次反射回折光の強度を強めることが
できるので極めて有効である。
てやることで零次反射回折光（正反射光）の強度を弱
め、測定に用いる高次反射回折光の強度を強めることが
できるので極めて有効である。
しかしながら、第４図に示す如く、レリーフ型回折格
子の溝表面に反射膜３を蒸着すると、蒸着された膜の厚
さの変動によって、溝の形状や溝の深さが変化する。そ
の結果、従来の装置では回折光の強度が変動し、高精度
な測定が不可能となる。
子の溝表面に反射膜３を蒸着すると、蒸着された膜の厚
さの変動によって、溝の形状や溝の深さが変化する。そ
の結果、従来の装置では回折光の強度が変動し、高精度
な測定が不可能となる。
［発明の概要］ 本発明は上記従来の問題点を解消し、高精度な測定を
行なうことが可能な変位測定装置を提供することを目的
としている。
行なうことが可能な変位測定装置を提供することを目的
としている。
この目的を達成するために、本発明の変位測定装置
は、透明基板の一方の基板面上にレリーフ型回折格子を
形成した光学式スケールを光で照明し、該レリーフ型回
折格子で生じた回折光を用いて干渉光を形成し、該干渉
光を光電変換することにより該光学式スケールの変位を
測定する装置において、該レリーフ型回折格子上に形成
した反射膜と、該透明基板の他方の基板面側から該光学
式スケールを照明して該回折光を生じせしめる照明手段
とを有し、該透明基板の屈折率をｎ、該光の波長をλ、
ｍを整数（ｍ≧０）とした時に、該レリーフ型回折格子
の溝の深さｈが、 （λ/n）×（m/2＋0.199）≦ｈ≦（λ/n）× ｛（ｍ＋１）/2−0.199｝ なる条件を満たすように装置が構成されている。
は、透明基板の一方の基板面上にレリーフ型回折格子を
形成した光学式スケールを光で照明し、該レリーフ型回
折格子で生じた回折光を用いて干渉光を形成し、該干渉
光を光電変換することにより該光学式スケールの変位を
測定する装置において、該レリーフ型回折格子上に形成
した反射膜と、該透明基板の他方の基板面側から該光学
式スケールを照明して該回折光を生じせしめる照明手段
とを有し、該透明基板の屈折率をｎ、該光の波長をλ、
ｍを整数（ｍ≧０）とした時に、該レリーフ型回折格子
の溝の深さｈが、 （λ/n）×（m/2＋0.199）≦ｈ≦（λ/n）× ｛（ｍ＋１）/2−0.199｝ なる条件を満たすように装置が構成されている。
本発明では、その上に反射膜が施されたレリーフ型回
折格子が形成されている基板面とは反対側の基板面側か
ら光を照射し、レリーフ型回折格子によって回折光を発
生させるので、反射膜の膜厚変動による回折光強度の変
動が生じない。従って、極めて高精度に光学式スケール
の変位を測定することができる。
折格子が形成されている基板面とは反対側の基板面側か
ら光を照射し、レリーフ型回折格子によって回折光を発
生させるので、反射膜の膜厚変動による回折光強度の変
動が生じない。従って、極めて高精度に光学式スケール
の変位を測定することができる。
更に、本発明では、レリーフ型回折格子の溝の深さｈ
が上記条件を満たすように設定されるため、反射膜の膜
厚変動以外の他の要因によりレリーフ型回折格子の溝の
深さが少々変化しても、レリーフ型回折格子で生じる回
折光の強度変動を小さく抑えることが可能になる。又、
上記条件に従えば特に１次回折光の強度を大きくするこ
とができるので、±１次回折光を用いて干渉光を形成す
ることにより、光学式スケールの変位に応じて生じる干
渉光の明暗変化の比（ビジビリテイー）を大きくするこ
とができ、測定感度を向上させることが可能になる。
が上記条件を満たすように設定されるため、反射膜の膜
厚変動以外の他の要因によりレリーフ型回折格子の溝の
深さが少々変化しても、レリーフ型回折格子で生じる回
折光の強度変動を小さく抑えることが可能になる。又、
上記条件に従えば特に１次回折光の強度を大きくするこ
とができるので、±１次回折光を用いて干渉光を形成す
ることにより、光学式スケールの変位に応じて生じる干
渉光の明暗変化の比（ビジビリテイー）を大きくするこ
とができ、測定感度を向上させることが可能になる。
本発明の変位測定装置は、予め決めた方向に並進移動
する所謂リニアスケールの変位、或は所定の軸を回転軸
として回転する所謂ロータリースケールの変位等様々な
光学式スケールの読み取りに用いることができる。
する所謂リニアスケールの変位、或は所定の軸を回転軸
として回転する所謂ロータリースケールの変位等様々な
光学式スケールの読み取りに用いることができる。
本発明の更なる特徴と具体的形態は、以下に示す実施
例に記載されている。
例に記載されている。
［実施例］ 第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一実施例を示す説明
図であり、第１図（Ａ）は本測定装置に用いる光学式ス
ケールの構成を示す断面図であり、第１図（Ｂ）は本測
定装置の構成を示す概略図である。
図であり、第１図（Ａ）は本測定装置に用いる光学式ス
ケールの構成を示す断面図であり、第１図（Ｂ）は本測
定装置の構成を示す概略図である。
第１図（Ａ），（Ｂ）において、１は矩形状の溝が周
期的に刻まれて成るレリーフ型回折格子を有する光透過
性基板、２は光透過性基板１の一方の基板面の表面に蒸
着された反射防止膜、３は反射膜で、他方の基板面に刻
まれた矩形状の溝面（レリーフ型回折格子の格子面）に
蒸着されている。そして、これらの部材1,2,3で光学式
スケール100が構成されている。
期的に刻まれて成るレリーフ型回折格子を有する光透過
性基板、２は光透過性基板１の一方の基板面の表面に蒸
着された反射防止膜、３は反射膜で、他方の基板面に刻
まれた矩形状の溝面（レリーフ型回折格子の格子面）に
蒸着されている。そして、これらの部材1,2,3で光学式
スケール100が構成されている。
本実施例では、光学式スケール100に対して反射防止
膜２が形成された一方の基板面側から光束が入射し、光
透過性基板１の内部を透過して、反射膜３が蒸着された
レリーフ型回折格子に達し、反射回折される。従って、
反射膜３の膜厚とは無関係に一定光量の反射回折光は生
じることになる。又、光透過性基板１の光束反射側の基
板面に反射防止膜を施しているので、入射光束の光量損
失は微小である。
膜２が形成された一方の基板面側から光束が入射し、光
透過性基板１の内部を透過して、反射膜３が蒸着された
レリーフ型回折格子に達し、反射回折される。従って、
反射膜３の膜厚とは無関係に一定光量の反射回折光は生
じることになる。又、光透過性基板１の光束反射側の基
板面に反射防止膜を施しているので、入射光束の光量損
失は微小である。
光透過性基板１の屈折率をｎ、溝の深さをｈ、入射す
る光束の波長をλとすると、溝の底部31で反射した光束
E1と、溝の上部32で反射した光束E2は、次の（１）式と
（２）式で表わされる。
る光束の波長をλとすると、溝の底部31で反射した光束
E1と、溝の上部32で反射した光束E2は、次の（１）式と
（２）式で表わされる。
E1＝ａ×exp［ｉ｛ωｔ＋２π／λ（Ｌ＋2nh）｝］……
（１） E2＝ａ×exp［ｉ（ωｔ＋２πL/λ） ……（２） ここで、ａは入射光束の振幅、ωは入射光束の角周波
数、Ｌは回折格子の部分を除いた光路長（光源から溝上
部32に到る光路長）である。正反射光、すなわち、０次
反射回折光の強度I0（ｈ）は、 I0（ｈ）＝|E1＋E2|2＝2a2 ｛１＋COS（4nπh/λ）｝ ……（３） であり、I0（０）＝4a2で正規化すれば、 I0（ｈ）＝｛１＋COS（4nπh/λ）｝/2 ……（４） となる。
（１） E2＝ａ×exp［ｉ（ωｔ＋２πL/λ） ……（２） ここで、ａは入射光束の振幅、ωは入射光束の角周波
数、Ｌは回折格子の部分を除いた光路長（光源から溝上
部32に到る光路長）である。正反射光、すなわち、０次
反射回折光の強度I0（ｈ）は、 I0（ｈ）＝|E1＋E2|2＝2a2 ｛１＋COS（4nπh/λ）｝ ……（３） であり、I0（０）＝4a2で正規化すれば、 I0（ｈ）＝｛１＋COS（4nπh/λ）｝/2 ……（４） となる。
レリーフ型回折格子のデユーテイ（溝底部31と溝上部
32の溝の配列方向に関する幅の比）を50％、すなわち、
第１図（Ａ）でW1＝W2とすれば、反射回折光はほとんど
±１次回折光とみなせるから、±１次回折光の強度I
1（ｈ）は、各々（５）式で表わされる。
32の溝の配列方向に関する幅の比）を50％、すなわち、
第１図（Ａ）でW1＝W2とすれば、反射回折光はほとんど
±１次回折光とみなせるから、±１次回折光の強度I
1（ｈ）は、各々（５）式で表わされる。
I1（ｈ）＝｛１−I0（ｈ）｝/2 ＝｛１−COS（4nπh/λ）｝/4 ……（５） 第３図に、ｎ＝1.5、λ＝0.78μｍのときの、溝深さ
ｈに対する、１次回折光の回折効率を例示する。
ｈに対する、１次回折光の回折効率を例示する。
±１次回折光で干渉光を形成する変位量測定装置で
は、１次回折光の強度（±１次回折光の総光量）ができ
るだけ大きく且つレリーフ型回折格子が変位した時の１
次回折光の強度変動が少ないほうが望ましい。この時、
１次回折光の強度変動を10％以内に押える条件は、第２
図に例示したような場合には溝深さｈが0.10μｍから0.
16μｍの間もしくは、0.36μｍから0.42μｍの間…にな
っていればよい。１次回折光の強度変動が10％以内とい
う条件を、一般式で表わすと、（５）式に基づいて
（６）式のように示すことができる。
は、１次回折光の強度（±１次回折光の総光量）ができ
るだけ大きく且つレリーフ型回折格子が変位した時の１
次回折光の強度変動が少ないほうが望ましい。この時、
１次回折光の強度変動を10％以内に押える条件は、第２
図に例示したような場合には溝深さｈが0.10μｍから0.
16μｍの間もしくは、0.36μｍから0.42μｍの間…にな
っていればよい。１次回折光の強度変動が10％以内とい
う条件を、一般式で表わすと、（５）式に基づいて
（６）式のように示すことができる。
ｍ＋COS-1（−0.8）/2π≦2nh/λ≦（ｍ＋１） −COS-1（−0.8）/2π ……（６） ここで、ｍはｍ＝0,1,2,3…である。（６）式におい
てCOS-1（−0.8）＝2.498radだから回折光の強度変動を
抑えるための溝深さｈの条件として、（７）式が得られ
る。
てCOS-1（−0.8）＝2.498radだから回折光の強度変動を
抑えるための溝深さｈの条件として、（７）式が得られ
る。
（λ/n）×（m/2＋0.199）≦ｈ≦（λ/n）× ｛（ｍ＋１）/2−0.199｝ ……（７） （７）式のように溝深さｈを決めてやれば、回折光の
強度変動が小さく抑えられて、受光素子から安定した出
力信号を得ることが可能になる。
強度変動が小さく抑えられて、受光素子から安定した出
力信号を得ることが可能になる。
本実施例では、光学式スケール100のレリーフ型回折
格子の溝深さｈが上記（７）式を満たすように、λ＝0.
78μｍ、ｎ＝1.5、ｈ＝0.13μｍとすることにより、精
度良く変位測定が行なえるようにしている。本実施例に
おける変位測定装置に関して、第１図（Ｂ）に基づいて
詳しく述べる。
格子の溝深さｈが上記（７）式を満たすように、λ＝0.
78μｍ、ｎ＝1.5、ｈ＝0.13μｍとすることにより、精
度良く変位測定が行なえるようにしている。本実施例に
おける変位測定装置に関して、第１図（Ｂ）に基づいて
詳しく述べる。
第１図（Ｂ）において、10はマルチモード半導体レー
ザー、11はコリメーターレンズ、12はビームスプリツタ
ー、131,132,133は反射鏡、15は受光素子である。レー
ザー10を出射した光束はコリメーターレンズ11によって
ほぼ平行な光束となり、ビームスプリツター12で透過光
束Ａと反射光束Ｂと２分割される。透過光束Ａと反射光
束Ｂは各々の光路に配した反射鏡131、132で反射され
て、光学式スケール100の同一個所に入射する。このと
き、回折格子に対する入射角θ（基板１の基板面法線と
成す角）を（８）式の如くすれば、光束Ａが反射回折さ
れて生じる−１次回折光と光束Ｂが反射回折されて生じ
る＋１次回折光とが基板面に垂直な方向（法線方向）に
出射する。
ザー、11はコリメーターレンズ、12はビームスプリツタ
ー、131,132,133は反射鏡、15は受光素子である。レー
ザー10を出射した光束はコリメーターレンズ11によって
ほぼ平行な光束となり、ビームスプリツター12で透過光
束Ａと反射光束Ｂと２分割される。透過光束Ａと反射光
束Ｂは各々の光路に配した反射鏡131、132で反射され
て、光学式スケール100の同一個所に入射する。このと
き、回折格子に対する入射角θ（基板１の基板面法線と
成す角）を（８）式の如くすれば、光束Ａが反射回折さ
れて生じる−１次回折光と光束Ｂが反射回折されて生じ
る＋１次回折光とが基板面に垂直な方向（法線方向）に
出射する。
θ＝Sin-1（λ/p） ……（８） ここで、λはレーザー10の波長ｐはレリーフ型回折格
子14のピツチ（溝の配列周期）である。この±１次の反
射回折光は反射鏡133で反射されて光学式スケール100に
向けられ、光学式スケール100を再照射する。この再照
射により、＋１次の回折光が再び＋１次の回折を受けて
＋１次再回折光となり、光束Ｂの光路（元の光路）へ向
けられ、一方−１次の回折光が再び−１次の回折を受け
て−１次回折光となり、光束Ａの光路（元の光路）へ向
けられる。
子14のピツチ（溝の配列周期）である。この±１次の反
射回折光は反射鏡133で反射されて光学式スケール100に
向けられ、光学式スケール100を再照射する。この再照
射により、＋１次の回折光が再び＋１次の回折を受けて
＋１次再回折光となり、光束Ｂの光路（元の光路）へ向
けられ、一方−１次の回折光が再び−１次の回折を受け
て−１次回折光となり、光束Ａの光路（元の光路）へ向
けられる。
こうして±１次の回折を２度ずつうけた光束A,Bが、
ビームスプリツター12を介して重畳せしめられ、互いに
干渉して干渉光を形成する。そして、この干渉光が受光
素子15に入射して、光電変換される。±１次の回折光の
移送は、回折格子が１ピツチ動くと、±２πだけ変化す
る。受光素子15には、±１次の回折を２度ずつ受けた光
による干渉光が入射するので、回折格子が１ピツチ動く
と、受光素子15からは、４個の正弦波信号が得られる。
たとえば、回折格子14のピツチｐを1.6μｍとすれば受
光素子15から0.4μｍ周期の正弦波信号が得られる。従
って、受光素子15からの信号に基づいて光学式スケール
100の図中矢印方向に関する変位量が測定できる。
ビームスプリツター12を介して重畳せしめられ、互いに
干渉して干渉光を形成する。そして、この干渉光が受光
素子15に入射して、光電変換される。±１次の回折光の
移送は、回折格子が１ピツチ動くと、±２πだけ変化す
る。受光素子15には、±１次の回折を２度ずつ受けた光
による干渉光が入射するので、回折格子が１ピツチ動く
と、受光素子15からは、４個の正弦波信号が得られる。
たとえば、回折格子14のピツチｐを1.6μｍとすれば受
光素子15から0.4μｍ周期の正弦波信号が得られる。従
って、受光素子15からの信号に基づいて光学式スケール
100の図中矢印方向に関する変位量が測定できる。
本実施例では、前述の通り、レリーフ型回折格子が形
成されている基板面とは反対側の基板面から、レーザー
10からの光束A,Bを光学式スケール100に入射させると共
に、光束A,Bの波長λ＝0.78μｍ、光透過性基板１の屈
折率ｎ＝1.5、レリーフ型回折格子の溝深さｈ＝0.13μ
ｍと設定しているので、レリーフ型回折格子で生じる±
１次反射回折光の強度が大きく変動することがない。従
って、回折光を干渉させ、その干渉光の明暗変化を受光
素子を介して検出して、被検物体の変位量を測定する
際、受光素子からは安定した出力信号が得られ、高精度
な測定が可能になるという効果がある。
成されている基板面とは反対側の基板面から、レーザー
10からの光束A,Bを光学式スケール100に入射させると共
に、光束A,Bの波長λ＝0.78μｍ、光透過性基板１の屈
折率ｎ＝1.5、レリーフ型回折格子の溝深さｈ＝0.13μ
ｍと設定しているので、レリーフ型回折格子で生じる±
１次反射回折光の強度が大きく変動することがない。従
って、回折光を干渉させ、その干渉光の明暗変化を受光
素子を介して検出して、被検物体の変位量を測定する
際、受光素子からは安定した出力信号が得られ、高精度
な測定が可能になるという効果がある。
第３図は本発明の他の実施例を示す概略図である。同
図において７は第１図（Ａ），（Ｂ）に示す基板１と同
じ光透過性基板で、ガラスなどを円板状に加工し、一方
の基板面に、等角度ピツチで周期的な溝を刻んだレリー
フ型回折格子が形成されている。そして反射膜３を溝面
（回折格子面）に蒸着してある。
図において７は第１図（Ａ），（Ｂ）に示す基板１と同
じ光透過性基板で、ガラスなどを円板状に加工し、一方
の基板面に、等角度ピツチで周期的な溝を刻んだレリー
フ型回折格子が形成されている。そして反射膜３を溝面
（回折格子面）に蒸着してある。
第１図（Ａ），（Ｂ）と同じく、光透過性基板７の、
レリーフ型回折格子を形成した面とは反対側の基板面６
側から光束を入射させることによって、回転角度測定に
ついても前記実施例と同等の効果を得ることができる。
レリーフ型回折格子を形成した面とは反対側の基板面６
側から光束を入射させることによって、回転角度測定に
ついても前記実施例と同等の効果を得ることができる。
以上説明した実施例では、光学式スケールの移動量若
しくは回転量（回転角）を測定する装置を例示したが、
光学式スケールの移動速度や回転速度を測定する装置に
も本発明は適用可能である。
しくは回転量（回転角）を測定する装置を例示したが、
光学式スケールの移動速度や回転速度を測定する装置に
も本発明は適用可能である。
又、干渉光を形成するための回折光として、±１次回
折光より高次の±２次回折光を用いる構成にすれば、測
定の分解能を向上させることができる。一方、レリーフ
型回折格子からは所定次数の回折光のみを取り出して、
この回折光と他の参照光とを重畳せしめて干渉光を形成
するようにしても良く、本発明の思想の範囲内で様々な
タイプの装置を構成し得る。
折光より高次の±２次回折光を用いる構成にすれば、測
定の分解能を向上させることができる。一方、レリーフ
型回折格子からは所定次数の回折光のみを取り出して、
この回折光と他の参照光とを重畳せしめて干渉光を形成
するようにしても良く、本発明の思想の範囲内で様々な
タイプの装置を構成し得る。
同様に、レリーフ型回折格子の形態も、矩形状に限ら
ず、正弦波状や三角波状の断面形状を有するものが適用
できる。
ず、正弦波状や三角波状の断面形状を有するものが適用
できる。
［発明の効果］ 以上、本発明では、その上に反射膜が施されたレリー
フ型回折格子が形成されている基板面とは反対側の基板
面側から光を照射し、レリーフ型回折格子で反射回折光
を発生させるようにすると共に、レリーフ型回折格子の
溝の深さを所定の値に定めることにより、レリーフ型回
折格子で生じる回折光の強度変動を小さく抑えた。従っ
て、高精度な測定を行なうことが可能な変位測定装置を
提供できる。
フ型回折格子が形成されている基板面とは反対側の基板
面側から光を照射し、レリーフ型回折格子で反射回折光
を発生させるようにすると共に、レリーフ型回折格子の
溝の深さを所定の値に定めることにより、レリーフ型回
折格子で生じる回折光の強度変動を小さく抑えた。従っ
て、高精度な測定を行なうことが可能な変位測定装置を
提供できる。
第１図（Ａ），（Ｂ）は本発明の一実施例を示す説明
図。 第２図はレリーフ型回折格子の溝深さと回折効率の関係
を例示したグラフ図。 第３図は本発明の他の実施例を示す概略図。 第４図は従来の変位測定装置を示すための説明図。 1,7……光透過性基板 ２……反射防止膜 ３……反射膜 ６……光束入射側基板面 10……レーザー 11……コリメーターレンズ 12……ビームスプリツター 131〜133……反射鏡 15……受光素子 100……光学式スケール
図。 第２図はレリーフ型回折格子の溝深さと回折効率の関係
を例示したグラフ図。 第３図は本発明の他の実施例を示す概略図。 第４図は従来の変位測定装置を示すための説明図。 1,7……光透過性基板 ２……反射防止膜 ３……反射膜 ６……光束入射側基板面 10……レーザー 11……コリメーターレンズ 12……ビームスプリツター 131〜133……反射鏡 15……受光素子 100……光学式スケール
フロントページの続き (72)発明者 築地 正彰 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−233318（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−10716（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−17413（ＪＰ，Ａ) 実公 昭61−39289（ＪＰ，Ｙ２)
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板の一方の基板面上にレリーフ型回
折格子を形成した光学式スケールを光で照明し、該レリ
ーフ型回折格子で生じた回折光を用いて干渉光を形成
し、該干渉光を光電変換することにより該光学式スケー
ルの変位を測定する装置において、該レリーフ型回折格
子上に形成した反射膜と、該透明基板の他方の基板面側
から該光学式スケールを照明して該回折光を生じせしめ
る照明手段とを有し、該透明基板の屈折率をｎ、該光の
波長をλ、ｍを整数（ｍ≧０）とした時に、該レリーフ
型回折格子の溝の深さｈが、 （λ/n）×（m/2＋0.199）≦ｈ≦ （λ/n）×｛（ｍ＋１）/2−0.199｝ なる条件を満たすことを特徴とする変位測定装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15416889A JP2603338B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 変位測定装置 |
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| DE69011918T DE69011918T3 (de) | 1989-03-28 | 1990-03-27 | Kodiereinrichtung. |
| EP90105852A EP0390092B2 (en) | 1989-03-28 | 1990-03-27 | Encoder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15416889A JP2603338B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 変位測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318720A JPH0318720A (ja) | 1991-01-28 |
| JP2603338B2 true JP2603338B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=15578320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15416889A Expired - Lifetime JP2603338B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-06-16 | 変位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603338B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5695478B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-04-08 | Dmg森精機株式会社 | 光学式変位測定装置 |
| JP5868058B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2016-02-24 | キヤノン株式会社 | 位置計測装置、光学部品の製造方法、および型の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15416889A patent/JP2603338B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318720A (ja) | 1991-01-28 |
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