TWI418672B - 矽晶圓之熱處理方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於在矽晶圓之高溫熱處理中，用於得到表面平坦之矽晶圓的熱處理方法。
在由藉丘克拉斯(CZ)法而拉起之矽單結晶錠製造矽晶圓的步驟中，係以減低晶圓表層之結晶缺陷、改善表面粗度(微觀粗糙度，microroughness)等為目的，而實施1100℃以上之熱處理。
例如，於日本專利第3292545號公報(專利文獻1)中，記載有於還原性氣體或惰性氣體環境中，對矽晶圓進行既定時間之1100℃以上之高溫熱處理後，降溫至850℃以下，並將上述環境置換為氮氣的熱處理方法。根據此種熱處理方法，藉由於晶圓表面形成氮化膜，可不致於使晶圓表面之粗度增大，而抑制起因於晶圓之氧化膜缺陷的發生。
矽晶圓表面之矽原子，係藉由於還原性氣體或惰性氣體之環境下進行1100℃以上之高溫熱處理，為了穩定化而進行再排列，使晶圓表面成為原子等級呈平坦化的構造。於上述再排列中，晶圓表面係形成有於表面上具有原子1~2個左右之原子等級階梯的階梯‧台(step-terrace)構造。
將熱處理前之矽晶圓進行研磨加工後，藉由原子間力顯微鏡(AFM)所測定之細微表面粗度(微觀粗糙度)，係每3
μm×3μm之Rms(均方粗度)為0.15~0.2nm，相對於此，如上述般經平坦化之矽晶圓表面藉AFM所測定的Rms為0.1nm左右。
由此可知，藉由上述般之熱處理，可達到表面粗度之減低化。
上述階梯‧台構造之台寬度，會因減小矽結晶之偏角(off angle)減小而變大，於熱處理後之AFM觀察中，可確認到更明確之階梯‧台構造。
例如，於日本專利特開平8-264401公報(專利文獻2)中記載，使面方位(100)之單結晶矽晶圓於(001)面之垂直線<110>方向上傾斜0.01~0.2∘之角度並切片，予以洗淨處理後，在氬環境中以600~1300℃進行熱處理，藉此可形成階梯‧台構造。
然而，於上述熱處理中，可知因環境而使熱處理後之矽晶圓表面粗度不同。例如，於氬氣體環境下進行熱處理後，降溫至700℃再將氬置換為氮並於氮氣體環境下進行出爐的情況下，每3μm×3μm之Rms為約0.07nm。相對於此，在氫氣環境下進行熱處理後，降溫至700℃再將氫置換為氮並於氮氣體環境下進行出爐的情況下，Rms為約0.1nm。
本發明者等人檢討了發生此種表面粗度相異之原因，結果發現，此現象並非受到1100℃以上之高溫熱處理時之氣體環境的影響，而是受到上述高溫處理後之降溫或降溫後所置換的氣體環境的影響。
本發明係根據上述檢討結果，進一步加以改良而完成者，其目的在於提供一種矽晶圓之熱處理方法，係針對藉1100℃以上之高溫熱處理而於原子等級經平坦化之矽晶圓表面，於高溫熱處理後，藉由達到至將矽晶圓進行出爐為止之降溫階段中之爐內環境的最適當化，而可保持上述晶圓表面之階梯‧台構造，並較習知技術更加減低晶圓表面粗度(微觀粗糙度)，且可穩定地形成此種晶圓之表面。
本發明之矽晶圓之熱處理方法，係於矽晶圓表面上形成階梯‧台構造者，其特徵為，將矽晶圓於還原性氣體或惰性氣體環境之熱處理爐內，以1100℃以上進行熱處理後，於降溫時在爐內溫度為500℃以上之階段將爐內氣體環境設為氬氣，並持續將氬氣導入至爐內，直至將矽晶圓出爐為止，藉此保持上述矽晶圓表面之階梯‧台構造，且使每3μm×3μm之均方粗度Rms成為0.06nm以下。
如此，針對藉1100℃以上高溫熱處理而於原子等級經平坦化之矽晶圓表面，將自高溫熱處理後之降溫階段至出爐為止的爐內環境設為氬氣，藉此可保持上述晶圓表面之階梯‧台構造，並較習知技術更加減低晶圓表面粗度。
於上述熱處理方法中，較佳係至少至載置有上述矽晶圓之晶舟(wafer boat)之晶圓載置部整體取出爐外為止，持續將氬氣導入爐內。
在自500℃至將矽晶圓進行出爐為止的降溫時，藉由保持為使矽晶圓表面由氬氣所包覆之狀態，則可不致使矽晶
圓表面之階梯‧台構造崩壞，而維持高平坦度。
另外，較佳係在上述晶舟之出爐時，使該晶舟整體被自爐內流出之氬氣所包圍。
藉此，可更加提高維持上述矽晶圓表面平坦度的效果。
再者，較佳係在將上述晶舟自爐底部進行出爐時，自爐底部開口部所流出之氬氣的流速為0.0192m/s以上且0.190m/s以下。
由以氬氣保護經出爐之矽晶圓表面的觀點而言，較佳係設為上述範圍內的氣體流速。
如上述般，根據本發明，針對藉1100℃以上之高溫熱處理而於原子等級經平坦化之矽晶圓表面，僅藉由於高溫熱處理後之降溫階段中之爐內氣體環境的置換，則即使於將晶圓表面之階梯‧台構造進行出爐後，亦可予以充分保持，結果可較習知技術更加減低晶圓之表面粗度，且可穩定地形成此種晶圓之表面。
以下，詳細說明本發明。
本發明之矽晶圓之熱處理方法中，首先，將矽晶圓於還原性氣體或惰性氣體之環境的熱處理爐內，以1100℃以上進行熱處理。上述高溫熱處理步驟後之降溫時，在爐內溫度為500℃以上之階段將爐內環境設為氬氣。然後，至矽晶圓出爐為止，持續將氬氣導入爐內。
本發明之特徵在於，經由此種熱處理步驟，保持矽晶圓表面之階梯‧台構造，且使每3μm×3μm之Rms成為0.06nm
以下。
亦即，本發明係根據下述發現而完成者：此種既定降溫階段之爐內環境的置換，係使矽晶圓表面粗度減低，穩定地形成更平坦化之表面的有效率之手段。
本發明中，進行熱處理的矽晶圓並無特別限定，例如可為將藉丘克拉斯(CZ)法、浮動帶(floating zone，FZ)法等所得之矽單結晶予以切片後，經鏡面加工之矽晶圓基板、磊晶晶圓、SOI晶圓等之任一種。
如上述，本發明之高溫熱處理步驟中，係將矽晶圓於還原性氣體或惰性氣體之環境下，以1100℃以上進行熱處理。
此種高溫熱處理係以尋求矽晶圓表層之結晶缺陷的減低、改善表面粗度等，而形成階梯‧台構造為目的所進行的處理。
上述熱處理中，為了保持矽晶圓之潔淨，而設為還原性氣體或惰性氣體的環境。作為還原性氣體，可舉例如氫、氨等，又，作為惰性氣體，可舉例如氦、氖、氬等。此等氣體可使用1種或2種以上之混合氣體。通常係使用氫氣或氬氣。
尚且，於上述高溫熱處理前，由保持矽晶圓潔淨的觀點而言，較佳係事先將矽晶圓保持於惰性氣體環境內。
另外，由減低晶圓結晶缺陷、改善表面粗度等之觀點而言，上述熱處理溫度較佳為高溫，如上述般，較佳為依1100℃以上之高溫進行。此高溫熱處理時間較佳為0.5~24
小時左右。
本發明之熱處理方法中，上述高溫熱處理步驟後，在降溫時之爐內溫度為500℃以上的階段，將爐內環境自還原性氣體或惰性氣體置換為氬氣。
藉由作成為氬氣，可解決習知技術中降溫時平坦度惡化的問題。
此時，在高溫熱處理之環境為氬氣的情況下，即使在降溫過程中，亦可保持原本的環境。
尚且，最佳係100%之氬氣環境，於熱處理時，在得到其他效果的目的之下，亦可導入少量之氬氣以外的氣體種類。
上述高溫熱處理後，將置換為氬氣的溫度設為500℃以上。
在上述置換時之溫度為未滿500℃的情況下，難以達到表面平坦化。
從而，較佳係於500℃以上之溫度下將環境置換為氬氣，藉此，可更加減低藉上述高溫熱處理而於原子等級經平坦化之晶圓的表面粗度惡化。
上述熱處理後之矽晶圓，係將爐內環境設為氬氣後，降溫至可進行出爐之溫度後再進行出爐，較佳係在完成出爐為止，將氬氣持續導入至爐內。
在將上述矽晶圓載置於晶舟上的情況下，較佳係至少至上述晶舟之晶圓載置部整體取出爐外為止，持續將氬氣導入爐內。
如此，在自500℃至矽晶圓進行出爐為止的降溫時，藉由保持為使矽晶圓表面由氬氣所包覆，則可不致於使上述高溫熱處理所形成之矽晶圓表面的階梯‧台構造崩壞，而維持高平坦度。
再者，較佳係於上述晶舟之出爐時，使該晶舟整體被自爐內所流出之氬氣所包圍的狀態。
相較於其他氣體，氬氣係較容易依附於矽晶圓上，至從爐之開口部取出上述晶舟為止，將氬氣持續導入至爐內，藉此於出爐後，可使氬氣暫時殘留覆蓋於矽晶圓表面。
因此，至將上述晶舟完全取出至爐外為止，持續將氬氣導入至爐內，藉此可使自爐內所流出之氬氣將晶舟整體包覆，並可提高維持上述矽晶圓表面平坦度的效果。
在將上述晶舟從爐底部進行出爐時，自爐底部開口部所流出之氬氣流速，較佳為0.0192m/s以上、0.190m/s以下。
此種範圍之氣體流速，係適合於由氬氣保護經出爐之矽晶圓表面。
在上述氣體流速為未滿0.0192m/s時，無法得到由氬氣所進行之矽晶圓表面的充分保護效果。氣體流速特佳為0.05m/s以上。
另一方面，在上述氣體流速超過0.190m/s的情況下，即使氣體流速變大，亦無法獲得更佳的效果，且有導致發塵之虞。
以下，根據實施例，更具體地說明本發明，但本發明並
不限定於下述實施例。
首先，將直徑8吋之矽(100)結晶錠朝<100>方向以偏角0.03∘進行切片而得到矽晶圓，並對其實施鏡面加工。
將此矽晶圓載置於晶舟上，填裝於氬氣環境之熱處理爐內。於700℃下將爐內自氬氣環境置換為氫氣環境，進行升溫，於1100℃下保持1小時，進行熱處理。
其後，進行降溫，於700℃下將爐內自氫氣環境置換為氬氣環境後，再降溫，直到將矽晶圓出爐為止，持續將氬氣導入至爐內。
然後，在將載置有矽晶圓之晶舟從爐底部之開口部進行出爐時，使上述開口部與晶舟之間的氬氣流速成為0.1m/s，將矽晶圓進行出爐。
為了參考，於圖9顯示上述熱處理步驟中之環境氣體與溫度之狀態的流程。
針對熱處理後之矽晶圓表面，藉AFM測定3μm×3μm區域之表面凹凸像及表面粗度Rms。
圖1表示由AFM觀察所得之矽晶圓的表面凹凸像。
除了將熱處理溫度1100℃改為1200℃以外，其餘依與實施例1相同的條件，進行矽晶圓之熱處理。
針對熱處理後之矽晶圓表面，藉AFM測定3μm×3μm區域之表面凹凸像及表面粗度Rms。
圖2表示由AFM觀察所得之矽晶圓的表面凹凸像。
除了將熱處理溫度1100℃改為1000℃以外，其餘依與實施例1相同的條件，進行矽晶圓之熱處理。
針對熱處理後之矽晶圓表面，藉AFM測定3μm×3μm區域之表面凹凸像及表面粗度Rms。
圖3表示由AFM觀察所得之矽晶圓的表面凹凸像。
由圖1~3之照片可知，熱處理溫度為1000℃的情況(比較例1)下，於矽晶圓表面上未形成階梯‧台構造，而在熱處理溫度為1100℃或1200℃的情況(實施例1、2)下，明確地確認到階梯‧台構造。
表面粗度Rms係於熱處理溫度為1000℃的情況(比較例1)下為0.158nm，相對於此，在1100℃的情況(實施例1)下為0.047nm，在1200℃的情況(實施例2)為0.049nm，確認到在1100℃以上的情況下可減低表面粗度。
尚且，在圖1之照片中，在熱處理溫度為1100℃的情況(實施例1)下，階梯‧台構造之階梯的線為朝右上，另一方面，於圖2之照片中，在熱處理溫度為1200℃的情況(實施例2)下，階梯‧台構造之階梯之線為朝左上，此係因為使偏角傾斜之方向因晶圓而有些許不同所致。
針對經由如同實施例2進行熱處理後之矽晶圓表面，藉AFM測定3μm×3μm區域之表面凹凸像及表面粗度Rms。
圖4表示由AFM觀察所得之矽晶圓的表面凹凸像。
另外，結果與實施例2出現差異的現象，可認定僅為晶
圓個體差異所致。
除了將環境設為常時氬氣以外，其餘依與實施例3相同的條件，進行熱處理。
針對熱處理後之矽晶圓表面，藉AFM測定3μm×3μm區域之表面凹凸像及表面粗度Rms。
圖5表示由AFM觀察所得之矽晶圓的表面凹凸像。
除了於升溫前在700℃下將爐內自氮氣環境置換為氫氣環境並進行熱處理，於降溫後在700℃下將爐內自氫氣環境置換為氮氣環境以外，其餘依與實施例3相同的條件，進行熱處理。
針對熱處理後之矽晶圓表面，藉AFM測定3μm×3μm區域之表面凹凸像及表面粗度Rms。
圖6表示由AFM觀察所得之矽晶圓的表面凹凸像。
除了於升溫前在700℃下將爐內自氮氣環境置換為氬氣環境並進行熱處理，於降溫後在700℃下將爐內自氬氣環境置換為氮氣環境以外，其餘依與實施例3相同的條件，進行熱處理。
針對熱處理後之矽晶圓表面，藉AFM測定3μm×3μm區域之表面凹凸像及表面粗度Rms。
圖7表示由AFM觀察所得之矽晶圓的表面凹凸像。
由圖4~7之照片可知，在氫氣環境下的熱處理中，由於
置換氣體而表面之階梯‧台構造大為不同，在將置換氣體設為氬的情況(實施例3)下，階梯線成波狀，在將置換氣體設為氮的情況(比較例2)下，階梯線為齒狀。
另外，於氬氣環境下之熱處理中，在將置換氣體設為氬(常時氬氣)的情況(實施例4)下，階梯線為波狀，在設為氮的情況(比較例3)下，觀察到階梯線具有鋸齒狀與波狀之中間形狀的階梯‧台構造。
另外，圖8表示由圖4~7之照片所測定之表面粗度Rms的比較圖表。
表面粗度Rms係於氫氣環境下之熱處理中，在氮氣置換的情況(比較例2)下為0.071nm，在氬氣置換的情況(實施例3)下為0.054nm，又，在氬氣環境下之熱處理中，在氮氣置換的情況(比較例3)下為0.062nm，在氬氣置換(常時氬氣)的情況(實施例4)為0.054nm。
由於階梯‧台形狀因置換氣體而異，故表面粗度亦不同，確認藉由將既定溫度下之置換氣體設為氬，則可將表面粗度Rms減低至0.06nm以下。
另外，將降溫時之爐內環境進行置換時的溫度，係於上述實施例及比較例中均設為700℃，但確認到即使在設為500℃的情況下，亦可得到同等效果。
依與實施例3相同之條件，進行熱處理後，予以降溫，於700℃下將爐內自氫氣環境置換為氬氣環境。
置換完成後，在晶舟出爐時使爐底部開口部之流出氣體
流速進行變化，依各氣體速度分別測定經出爐之矽晶圓的表面粗度Rms。
圖10表示爐底部開口部之流出氣體流速與矽晶圓表面粗度之關係的圖。
另外，上述實施例1~4所示之表面粗度之值的差異，可認為僅因晶圓個體差所致。
依與實施例3相同之條件，進行熱處理後，予以降溫，於700℃下將爐內自氫氣環境置換為氮氣環境。
置換完成後，在晶舟出爐時使爐底部開口部之流出氣體流速變化，依各氣體流速分別測定經出爐之矽晶圓的表面粗度Rms。
圖10表示將爐底部開口部之流出氣體流速與矽晶圓表面粗度之關係與實施例5合併的圖。
由圖10所示之圖表可知，矽晶圓出爐時之爐內環境中，氬氣(實施例5)較氮氣(比較例4)更能維持矽晶圓的表面平坦度，又，較佳係在將矽晶圓自爐取出為止，持續將氬氣導入至爐內。
上述實施例及比較例中，為了更明確地顯示表面粗度的減低效果與表面構造的不同，而使用依小至0.03∘之偏角所切片的矽晶圓，但本發明並不限制偏角大小，即使在增大偏角的情況下，亦可得到矽晶圓之表面粗度減低效果。
圖1為實施例1中矽晶圓表面(3μm×3μm)之AFM像照
片。
圖2為實施例2中矽晶圓表面(3μm×3μn)之AFM像照片。
圖3為比較例1中矽晶圓表面(3μm×3μm)之AFM像照片。
圖4為實施例3中矽晶圓表面(3μm×3μm)之AFM像照片。
圖5為實施例4中矽晶圓表面(3μm×3μm)之AFM像照片。
圖6為比較例2中矽晶圓表面(3μm×3μm)之AFM像照片。
圖7為比較例3中矽晶圓表面(3μm×3μm)之AFM像照片。
圖8為圖4~7之AFM像照片中之各表面粗度Rms的圖表。
圖9為用於說明實施例中之熱處理步驟的流程圖。
圖10為表示針對矽晶圓出爐時之爐內環境為氬氣的情況(實施例5)與氮氣的情況(比較例4)，爐底部開口部之流出氣體流速與矽晶圓表面粗度之關係。
Claims (3)
- 一種矽晶圓之熱處理方法，係於矽晶圓表面上形成階梯‧台(step-terrace)構造者，其特徵為，將矽晶圓於還原性氣體或惰性氣體環境之熱處理爐內，以1100℃以上進行熱處理後，於降溫時在爐內溫度為500℃以上之階段將爐內環境設為氬氣，並持續將氬氣導入至爐內，直至矽晶圓的出爐結束為止，在將載置有上述矽晶圓之晶舟自爐底部進行出爐時，使自爐底部開口部所流出之氬氣的流速成為0.0192m/s以上且0.190m/s以下，藉此保持上述矽晶圓表面之階梯‧台構造，且使每3μm×3μm之均方粗度Rms成為0.06nm以下。
- 如申請專利範圍第1項之矽晶圓之熱處理方法，其中，至少至載置有上述矽晶圓之晶舟(wafer boat)之晶圓載置部整體取出爐外為止，持續將氬氣導入爐內。
- 如申請專利範圍第2項之矽晶圓之熱處理方法，其中，在上述晶舟之出爐時，使該晶舟整體被自爐內流出之氬氣所包圍。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW533509B (en) * | 1998-09-14 | 2003-05-21 | Shinetsu Handotai Kk | Method for heat-treating silicon wafer and silicon wafer |
| TW508634B (en) * | 2000-07-13 | 2002-11-01 | Shinetsu Handotai Kk | Manufacturing method for silicon wafer |
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