TWI416268B - 光學近接效應之修正方法 - Google Patents

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Description

光學近接效應之修正方法
本發明係關於在成像一安排在投影物鏡的物體面之圖案至投影物鏡之影像面時，光學近接效應(光學近接修正，OPC)之修正方法。本發明進一步係關於一光學濾波器、一製造光學濾波器之方法、及一分配到至少一個光學濾波器之投影物鏡。
用於微影之投影物鏡係用在投影曝光機中以製造半導體組件及其他精細結構的裝置。這些光學成像系統適用於在縮小尺度以極高的解析度將光罩或經過有線條的平板圖案成像至一物件上，其中這些圖案係安排於投影物鏡的物體面，且通常被稱為遮罩或網線(masks or reticles)，而欲成像於其上的物件則係安排於投影物鏡的影像面，其上以感光層塗佈。當製造半導體組件時，圖案通常藉由欲製造之半導體組件的特定層之線及其他結構單元來形成。半導體組件之欲製造的結構可包含極小的金屬軌道及矽軌道與其他結構元件，其臨界尺寸(CD)實質上可小於用來成像的紫外光之波長，並可，舉例來說，為100nm或更小之數量級。
由於欲成像的結構之小尺寸，並由於投影系統之有限的尺寸及其他限制性的因素，特定問題因而產生。舉例來說，在成像尖角時所需的用的光之高頻分量部分無法通過投影物鏡，因而無法貢獻成像。此外，在一結構單元處產生的散射光會在某種程度上影響緊密相鄰的結構之成像，而此導致緊密相鄰的結構之電場的複雜交互作用。這些效應被指為「光學近接效應」。在所產生的結構之實例中，這些效應可致使所產生的結構以典型的方式偏離遮罩上關聯的結構形狀。尤其，這些效應包含不希望的線寬度變異，其為相鄰的線之空間密度的函數，其結果為半導體組件之訊號處理速率受損及線末端之縮短(線末端縮短)，且因而可能喪失在鄰接的結構元件間之所需的接觸。
欲減少這些問題之一貢獻為光學近接效應之修正(光學近接修正，OPC)。「光學近接修正」通常意指一方法，其借助於以目標方式修改遮罩上的結構元件之形狀以補償所述的微影製程之非理想的性質。在此實例中，為了要在欲建構的物件上獲得結構元件，所需的形狀係經過指定，且遮罩上對應的結構元件經過修改以增進臨界幾何的重現。為了補償縮短的線末端(線末端縮短)，遮罩結構之對應的線末端加寬為錘頭形狀。為了補償角之圓化，襯線(serif)被加至對應的遮罩結構之角或由對應的遮罩結構之角減去，以在建構的物件中產生配置更接近所需的理想角之形狀的角。習用的「光學近接修正」之任務因而在實質上為在經過指定之所需的欲建構之物件之幾何結構的實例中，找出一遮罩設計，其導致儘可能接近所需的理想結構之實際結構，同時考慮改變結構之微影製程的所有影響。
由於以微影製造精細結構裝置的製程範圍不斷變得更小之事實，對在建構的物件上確保所需結構之遮罩結構的計算及製造變得益發困難與昂貴。因此，習用的光學近接修正方法亦變得更加複雜。此外，微影製程之製程參數的小修改可具有的影響為：儘管所需結構之幾何並未改變，用於所需結構之遮罩卻必須改變。此導致微影製程總體上變得更加昂貴而更不穩定。
美國專利第5,701,014號敘述投影微影之方法及裝置，其中由光學近接效應在輻射感光塗佈材料中產生的對比於單一投影曝光步驟中移除。具有兩個開口的濾波器係為此目的而插入至投影系統之場平面區域中。開口之一用作輻射通過之通道，該輻射為成像所需並在輻射感光材料中產生所需結構。一部分的反向輻射通過另一開口至輻射感光材料上，從而移除由光學近接效應產生的對比。
本發明之一目標為提供一修正光學近接效應之方法，在其幫助下，可在使微影方法適配已改變的製程條件方面，減少支出及成本。
尤其，本發明提供具有專利申請範圍第1項之特性的方法以達到此目標。亦提供具有專利申請範圍第12項之特性的投影物鏡，與用於產生具有專利申請範圍第19項之特性的光學濾波器，及具有專利申請範圍第21項之特性的光學濾波器之方法。
有利的發展在相關的專利申請範圍中詳細指明。所有專利申請範圍之用語併入此專利說明書中以供參照。
根據本發明之一實施態樣，提供一修正光學近接效應之方法(光學近接修正，OPC)，當在投影物鏡的幫助下，成像一安排在投影物鏡的物體面之圖案至投影物鏡的影像面時，在投影物鏡的實例中，多個光學元件及至少一個經過傅立葉轉換至影像面之瞳孔面被安排於物體面及影像面間。該方法包含用於成像的光之光學濾波，其根據適配圖案並符合在成像系統之瞳孔面區域中的空間相依之傳輸濾波的OPC濾波器函數，在至少一個插入至物體面及影像面間之OPC濾波器的幫助下完成。在瞳孔面鄰近處的空間解析傳輸濾波，及/或在場表面區域之角度選擇傳輸濾波係與由遮罩圖案導致的繞射級位置之考慮合用，以便因為OPC濾波，由繞射級之干涉產生的位於投影物鏡之影像面(或在曝光基板)中之線寬度變異實質上較沒有OPC濾波之相同的投影物鏡之實例中更弱。
本發明之此實施態樣尤其係以一圖案之不同結構的部分圖案分別具有可以，舉例來說，繞射角度之不同頻譜、及/或繞射效應之不同方向、及/或不同散射效應表示之不同的繞射性質之考慮為基礎。以此方式，不同的部分圖案「看見」瞳孔面之不同區域，其為它們不同的結構性質之函數。如果符合在瞳孔面之區域中的空間相依傳輸濾波之OPC濾波現被實行，其可分別為不同結構的部分圖案設定準確適配的投影物鏡之傳輸，通常對各個部分圖案來說都不同。傳輸分佈經過選擇，以致其可至少部分地獲得光學近接效應之修正(光學近接修正，OPC)。此圖案針對性(pattern－specific)的OPC濾波有效而無關於場，也就是說，無關於欲成像之遮罩上的部分圖案之位置。
較佳的是將OPC濾波器安排在瞳孔面之區域中，在其中，傳輸隨瞳孔空間座標的函數而變化。或者，角度選擇濾波在經過傅立葉轉換至瞳孔面之場表面區域中亦是可行。適於此目的之光學濾波方法敘述於出自本申請人之DE 102 18 989 A1中，其所揭示的內容屬於此範圍者則併入此專利說明書以供參照。
如果使用其圖案由不同的部分圖案構成之遮罩，其可以OPC濾波器的圖案針對性傳輸函數來實現投影物鏡對遮罩之不同的部分圖案(舉例來說，具有不同線密度或週期性之部分圖案)保持不同但分別適配的傳輸性質，如此則圖案針對性之劑量變異有效地在曝光期間發生。因此，舉例來說，其可在單一曝光期間以第一劑量成像具有第一線密度之第一部分圖案，同時以異於第一劑量之第二劑量成像具有偏離第一線密度之第二線密度的第二部分圖案。第一及第二劑量可分別在OPC濾波的幫助下以大半獨立於彼此的方式加以設定，如此則第一及第二部分圖案兩者皆在各自最理想適合的成像條件下成像，至少對貢獻成像的輻射強度來說是如此。
通常，不同的部分圖案彼此位置緊鄰，或以一間隔或沒有間隔地彼此側向偏移。或者，部分圖案亦可在某些區域部分重疊及/或穿過彼此。
圖案針對性之劑量變異尤其可被最佳化，以致在瞳孔面鄰近的空間解析傳輸濾波，及/或在場表面區域中之角度選擇傳輸濾波係與由遮罩圖案導致的繞射級位置之考慮合用，以便因為OPC濾波，由繞射級之干涉產生的位於投影物鏡之影像面或在曝光基板中之線寬度變異實質上較沒有OPC濾波之相同的投影物鏡之例中更弱。
在某些實施例中，OPC濾波函數經過設定，以致對遮罩之部分圖案之不同的光柵常數P來說，在投影物鏡的影像面中之線寬度變異△LW’對所有發生在遮罩中的光柵常數是小於極限值L(△LW’)或對應於此極限值。以極限值表示的裕度是產品相關的。舉例來說，在重要性主要屬於資料傳輸率之邏輯電路的實例中，極限值可小於1.5%。積體密度在大容量儲存裝置(舉例來說，DRAM)的實例中是決定性的；此處，裕度通常較高，舉例來說，小於5%。因此，較佳的是保持：L(△LW’)≦P．0.05。不同的光柵常數之絕對值可彼此相異至少因數2，舉例來說，差異較大，以致最大的光柵常數為，舉例來說，最小光柵常數之至少2倍或至少6倍或至少8倍大。典型的光柵常數強烈地與產品相關；舉例來說，它們可位在介於60nm及2000nm間的範圍，尤其位在介於80nm及1000nm間的範圍。
經由範例，其可在這些條件下成像80nm節點之週期性結構，也就是說，結構具有80nm的半間距，或具有P＝160nm之光柵常數與4.8nm或更小的線寬度變異△LW’。其對65nm節點之結構將可相同地獲得△LW’≦3.9nm之線寬度變異等等。在這些位於週期性線結構之臨界尺寸中的微小變異之幫助下，其可最佳化LSI記憶體晶片(舉例來說，動態隨機存取記憶體(DRAM))之生產，尤其在可靠度、儲存密度、及/或存取速率方面。其亦可增進不同種類的積體電路之生產。
在特定投影物鏡的幫助下，分別對特定圖案之成像為最佳的OPC濾波器函數可以實驗測定，舉例來說，藉由在成像一圖案時分別使用不同濾波器，並針對獲得的線寬度變異△LW’評估分別曝光的基板。在一方法變體中，適當的OPC濾波函數以反向工程來測定。這一類根據濾波器函數實現光學濾波之用於製造光學濾波器的方法具有下列步驟：定義一圖案，其具有一具有一第一線密度之第一部分圖案，及至少一具有一異於第一線密度之第二線密度之第二部分圖案；在投影物鏡的幫助下，計算安排於投影物鏡的物體面之圖案至投影物鏡的影像面之成像，其中多個光學元件及至少一個經過傅立葉轉換至影像面之瞳孔面被安排在物體面及影像面間；定義光學濾波用於成像的光之濾波器函數，濾波器函數符合投影物鏡之瞳孔面區域中的空間相依傳輸濾波；測定在投影物鏡的影像面中之線寬度變異，其由圖案之繞射級干涉所產生；藉由濾波器函數中的步級變異來最佳化濾波器函數，及線寬度變異之反覆測定以測定最佳化的濾波器函數(OPC濾波器函數)，其中，所產生的線寬度變異低於一指定的極限值；及根據最佳化的濾波器函數製造光學濾波器。
透過疊代的程序，在這一類方法的幫助下，成像程序之「答案」可針對所產生的線寬度(CD回應)而最佳化，其中，舉例來說，適合的模型函數是不同的(舉例來說，代表在y方向定義的線之關於變數x的多項式)。在此方法幫助下所製造的光學濾波器因而具有適合特定遮罩之繞射性質與對應的投影物鏡之成像性質兩者之OPC濾波器函數，以致在投影物鏡的影像面或曝光基板中之圖案針對性的線寬度變異低於被視為臨界的定限。
本發明亦關於一光學濾波器(OPC濾波器)，其可或已經在這一類方法的幫助下被製造，或者其特別以另外的方式適配OPC濾波。
雖然OPC濾波器可設計為角度選擇濾波器，OPC濾波器較佳地係設計為適配插入投影物鏡之瞳孔面區域中的傳輸濾波器，其中，傳輸濾波器的傳輸隨著瞳孔空間座標的函數變化。
在某些應用中，如果OPC濾波器具有無旋的對稱傳輸可為有利的。舉例來說，傳輸函數可具有關於一光學軸之雙重輻射對稱，以致傳輸函數實質上只對傳輸濾波器旋轉180°為不變或為其整數倍數。舉例來說，傳輸濾波器可具有一橢圓的傳輸函數。其他倍數的輻射對稱亦可行，舉例來說，四重輻射對稱。
在某些實施例中，OPC濾波器具有一傳輸，其具有至少一個介於完全透明及完全不透明間的中間值。同時，完全透明或完全不透明的區域可出現。傳輸濾波器可設計為具有多個至少三個位於濾波器有效面積中之不同傳輸值的灰濾波器。傳輸可隨空間座標步級變化。在某些實施例中，傳輸隨著在傳輸濾波器上之位置至少位於傳輸濾波器之部分面積中而連續變化。尤其，傳輸可沿著至少一個橫截輻射方向的方向連續變化。假如以連續濾波器的方式使傳輸連續變化，傳輸可以空間變化的方式在OPC濾波器之各處調整而非步級調整，藉此則個別的瞳孔座標所需的局部傳輸之精確調整是為可行。
在某些應用中，傳輸濾波器適配具有線之圖案，其中，一部分的線或所有線之方位沿著垂直投影系統的光學軸之第一方向彼此平行，其中，傳輸濾波器具有在欲放置於光學軸上之中央區域為最大之傳輸，沿著欲校準為平行遮罩之第一方向的傳輸濾波器之第一方向，傳輸濾波器之傳輸實質上在所有瞳孔座標上為常數，且在傳輸濾波器之截面上變化之傳輸出現在欲校準為垂直欲成像之線的第二方向。
舉例來說，傳輸可由中央區域朝傳輸濾波器邊緣步級或連續減少。在某些實施例中，傳輸在第二方向之減少對稱於中央區域，以致傳輸濾波器之傳輸函數具有相對於中央區域之中心點的雙重輻射對稱。在第二方向的變異在其他實施例中可為不對稱的。
傳輸的變異量可改變。舉例來說，介於最大及最小傳輸間的傳輸差可大於最大傳輸的5%或10%或15%。最小傳輸可大於最大傳輸的50%，例如，大於最大傳輸的60%或70%或75%。在那些實例中，總光耗損可能相對較小，而在此同時，顯著的傳輸函數修正是為可行。
在許多應用中，遮罩被使用在圖案具有第一線密度之第一部分圖案，同時又具有異於第一線密度之第二線密度的第二部分圖案處。結果，具有不同結構之部分圖案的位置緊鄰彼此側向偏移或插入在彼此之間。
舉例來說，這類具有週期性線結構與不同線密度的圖案可用於具隨機存取之動態半導體記憶體(DRAM)的製造。舉例來說，在那些實例中，濾波器函數可經過選擇以致對遮罩之週期性部分圖案之不同的光柵常數P來說，在投影物鏡的影像面中之線寬度變異△LW’就所有出現在圖案中的光柵常數而言是小於一指定的極限值L(△LW’)或相當於此極限值，以致滿足條件L(△LW’)≦P．0.05。結果，在曝光基板中產生的的線寬度變異實質上可小於在沒有使用這類OPC濾波器之曝光中的值。
上述的這種OPC濾波器可用於投影物鏡之瞳孔傳輸(pupil transmission)的微調。尤其可藉由調整至由遮罩所提供的圖案(例如：網線)之瞳孔傳輸來實現，其中，可隨圖案或部分圖案中的鄰近線之空間密度而發生之不需要的線寬度變異被減少至臨界定限之下。
因此，藉由使用一或多個OPC濾波器，其可對彼此調整第一投影物鏡及第二投影物鏡，其中第二投影物鏡在至少一個光學成像性質上異於第一投影物鏡，關於該至少一個光學成像性質為第一投影物鏡及第二投影物鏡對特定圖案具有實質上相同的成像性質，而OPC濾波器之濾波器函數適配該特定圖案。此適合可藉由在至少一個獨立於圖案之OPC濾波器的幫助下，調整實質上對第一投影物鏡及第二投影物鏡皆相同的瞳孔傳輸來實現。
根據另一實施態樣，使其可在至少一個OPC濾波器的幫助下，使用與具有圖案之網線相關的第二投影物鏡，該圖案適配具有其他與第二投影物鏡不同的光學成像性質之第一投影物鏡。因此，本發明之一實施態樣係關於與具有適配具有其他與第二投影物鏡不同的成像性質之第一投影物鏡之圖案的網線相關的第二投影物鏡之使用，其中，第一及第二投影物鏡之成像性質使用如上述或下述的OPC濾波器而對特定圖案來說適配彼此。
本發明亦關於使用投影物鏡成像安排在投影物鏡的物體面之圖案至投影物鏡的影像面中之方法，其中多個光學元件及至少一個經過傅立葉轉換至影像面之瞳孔面被安排在物體面及影像面間，其中投影物鏡之光學元件不適配成像圖案，其中投影物鏡藉由在至少一個插入至物體面及影像面間之OPC濾波器的幫助下，根據適配圖案之OPC濾波器函數光學濾波用於成像的光而適配圖案，以致圖案可在包含OPC濾波器之投影物鏡的幫助下成像至影像面中。較佳地，OPC濾波器為具有空間變化傳輸之傳輸濾波器，其中傳輸濾波器被插入至瞳孔面區域之光束路徑中。
除了根據專利申請範圍外，這些及進一步的特性亦根據專利說明書及圖式所得，對個別的特性來說，其可分別獨立或以再組合的形式於本發明之一實施例或在其他領域中實施，並構成本身可申請專利之有利的設計。本發明之示範的實施例於圖式中闡明並在下文中有更詳細的解釋。
在圖1中概略地顯示一微影投影曝光機器PA，其可用於半導體組件及其他精細結構裝置之製造，並在來自真空紫外光(VUV)區域或深紫外光(DUV)區域之光的幫助下，操作以獲得下至幾微米的解析度。投影曝光機器適用於曝光一輻射感光基板W，其係安排在投影物鏡PO的影像面IS區域中，且具有至少一個遮罩M之圖案影像，遮罩M之圖案係安排在投影物鏡PO的物體面OS區域中。其包含用於接收來自主要光源LS之光並用於以照明輻射照明遮罩M之圖案的照明系統ILL、及安排在遮罩M及基板W之間的投影物鏡PO，其用於成像安排在其物體面中之圖案PAT至其與物體面OS光學共軛的影像面IS。
照明系統ILL具有一瞳孔定形裝置PF，其由多個光學元件構成且可作為在照明系統之瞳孔面PILL 中設定一定義的空間照度位準分佈，即所謂的「照度瞳孔」(illumination pupil)，之目的。瞳孔面PILL 位於或接近與照明系統之可能的下游瞳孔面光學共軛之位置，且面對投影物鏡PO之影像端瞳孔面PPO ，以致在投影物鏡之瞳孔PPO 中的空間光分佈由照明系統之瞳孔面中的空間光分佈(空間分佈)決定。此外，照明系統之瞳孔面位於經過傅立葉轉換至投影物鏡的物體面OS之平面中，或位於照明系統之光學共軛或等效於這類經過傅立葉轉換之平面的表面中。落在遮罩M上的照度輻射之角度分佈因而由瞳孔定形面PILL 中之照度位準分佈決定。在瞳孔面PILL 中之照度位準分佈在一組光學元件G的幫助下轉換為導向遮罩上之照明輻射。
舉例來說，照明系統的設計原理可與US 2005/0146704中所示之照明系統的組件一致。其他設計亦為可行。投影物鏡可為折射，或折射/反射(或catadioptric)或純粹反射(或catoptric)的設計。
在簡化的示範實例中，遮罩圖案PAT具有兩個位置彼此緊鄰且具有不同部分圖案之區域I及II。各個部分圖案由具有完全相同的線寬度LWI ＝LWII 之平行線構成，雖然區域I中之週期性長度PI 小於區域II中之週期性長度PII 。週期性長度在此處亦指稱為光柵常數或間距P。
在圖案PAT理想成像至投影物鏡的影像面IS以產生圖案之縮小影像PAT’之實例中，所有線的線寬度在成像後亦將完全一致，且位於影像面或曝光基板中之線寬度的絕對值LW’實質上將根據投影物鏡之減少的縮小比而縮小，舉例來說，4：1或5：1。不過，在習用的投影系統中，上述的情況可引起所謂的光學近接效應，尤其，其亦包含為鄰近線之空間密度(或間距)函數之不需要的線寬度變異(CD變異)。此效應概略地示於圖1(c)中，其顯示在未補償光學近接效應的情況下，圖1(b)所示之圖案PAT成像後之影像。可看出具有較高線密度(也就是說，具有較小週期性長度)之部分圖案I之實例在曝光基板上得出較線位於彼此距離較遠處之區域II的線之實例中更大的線寬度LWI ’。依照明設定及其他因素，比值亦可相反，以使具有較高線密度的部分圖案在曝光基板上產生較小的線寬度LW’。
此效應的某些原因現將在圖2及3的幫助下更詳細地加以解釋。圖2顯示通過折射投影物鏡PO之一縱剖面，其中，只顯示投影物鏡之一些代表性的鏡片。由投影物鏡產生、安排在物體面OS中之物體場OF至位於影像面IS中之影像場IF的成像由兩光束表示，其中之一(束B1)由位於光學軸AX上之物體點發出，而另一(束B2)則由離光學軸最遠之軸外的物體點發出。位於軸外束B2上、實質上垂直在此投影物鏡(其在物體側及影像側上為遠心(telecentric))中之物體面OS而發出之光線CR為影像之主要光線(首要光線)，其與光學軸之交點固定投影物鏡之瞳孔面PPO 之軸位置。在瞳孔面的鄰近處設置有一孔徑光闌(aperture stop)AS以限制瞳孔區域中之光束橫剖面，及固定用於影像端之數值孔徑NA。在各個實例中，由物體點至孔徑光闌邊緣之光線此處稱為「孔徑光線」或「邊緣光線」。
可看出不同的光線(實質上，與相等的光學路徑長度結合)走過不同的幾何路徑並以強烈變化的入射角照在光學表面。沿著光學軸或在非常接近光學軸之總長度上行進的近軸光線，比主要在鏡片邊緣行進的光線，在光學密實的鏡片材料內部經歷更大的吸收。相反地，在邊緣光線的實例中，確實在光學表面上存在特別大的入射角，其結果為，這些光線通常比在至少近乎垂直地穿過光學表面之光學軸的鄰近處行進的光線，產生更高的反射耗損。尤其可因而看出由一且相同的物體點發出的不同光線在它們穿過投影物鏡的路徑上「看到」不同的總傳輸(transmission，或稱穿透)。此效應於此處指為「切趾(apodization)」。
圖3表示穿過所謂的「瞳孔傳輸」TP 之切趾，在此實例中，投影物鏡之傳輸以正規化的瞳孔座標PK之函數加以標繪。虛線A表示折射投影物鏡的瞳孔傳輸之典型的、實質上可旋轉的對稱輪廓。可看出在光學軸的鄰近處(PK＝0)，瞳孔傳輸初始隨著離光學軸之徑向距離上升，而增加至相對較高的值，在位於瞳孔邊緣的鄰近處、離光學軸更大徑向距離，傳輸戲劇化地減少。
對穿過投影物鏡之不同的光線軌道，有效傳輸的強烈變異可大大影響成像品質。在圖3的幫助下，針對具所謂的「傾斜照明」之投影曝光程序加以解釋。為了設定此照明模式，瞳孔定形裝置PF之光學構件的適當設定被用來在照明系統ILL中設定一雙極照明，其特徵為照明瞳孔(圖1)之兩個照明位準最大值M1及M2，其位於光學軸之直徑相反處，且完全位於光學軸之外。作為照明輻射之繞射光柵的圖案PAT因而產生，具有相對較大的光柵常數(相對較大的間距或相對較小的線密度)之區域II的繞射角小於具有相對較大的線密度(相對較小的間距)之區域I的繞射角。第0個繞射級「0」位在光學軸之外，與照明系統之瞳孔面PILL 中之照明最大值的軸外位置一致，就此範例而言，其位於正規化瞳孔座標之近乎－0.75處。照明位準最大值的軸外位置經過選擇以使屬於具有相對較低線密度之區域II的第一繞射級1II 以實質上對稱的方式位在光學軸上瞳孔之相對端，即瞳孔座標PK＝＋0.75之處。區域I之較高線密度導致相對較大的繞射角，以致位於瞳孔最外部邊緣之相關的第一繞射級1I 位於瞳孔座標PK近乎0.95之處。第一繞射級之此邊緣位置顯示，對於投影物鏡之所選擇的數值孔徑來說，區域I之相對較高的線密度位於接近投影物鏡解析度極限之處。
不同的繞射級以對應它們位於瞳孔的位置之局部瞳孔傳輸而傳送，如此針對部分圖案的曝光劑量之不同的、圖案針對性的值被產生。在由曲線A所表示的無瞳孔濾波之投影物鏡的例中，區域II相對較粗糙的結構可藉由相對較高的劑量來成像，因為屬於第0個繞射級及相關的第一繞射級1II 之實質上為完全相同值的瞳孔傳輸值，位於近乎TP ＝0.96之最大值的鄰近處。相關的圖案針對性劑量實質上由施加於曝光基板上之屬於繞射級的強度總和I0 ＋III 所導致。相較之下，位於接近瞳孔邊緣處、具有較精細部分圖案之第一繞射級1I 的瞳孔傳輸明顯較低，其只位於近乎TP ＝0.9或更低處。圖案針對性劑量(I0 ＋II )因而遠低於用在相對較粗糙的結構之劑量。在此範例中，此貢獻的事實為：在曝光基板中相關的線具有的線寬度LWI ’遠大於(或小於)位於區域II中相距較遠的線之線寬度。此處所述之劑量差因而在曝光基板之臨界線寬度(CD變異)產生顯著的變異，且因此無法產生最佳成像。在此應用中，變異△LW’由產生的線之最大線寬度LW’MAX 及最小線寬度LW’MIN 之間的差來決定，並正規化為所需的線寬度LW’，也就是說：△LW’＝(LW’MAX －LW’MIN )/LW’。其他定義亦為可行。對於每一微影製程，典型為指定臨界線寬度(CD值)的值可容許相對一目標值變動的值。
在本發明於此處解釋之實施例中，藉由使用一引入至投影物鏡之瞳孔面的鄰近處之OPC濾波器(OPCF)(圖1及圖2)來防止，或至少減少CD變異以將瞳孔傳輸的函數之輪廓(圖3)適配(adapt to)遮罩圖案(其特徵為繞射級之位置)，以致對所有關心的結構區域來說，相關的繞射級之瞳孔傳輸相對於彼此而以最佳化的方式設定，以致CD變異與沒有OPC濾波器的系統相比，顯著的減少。在圖3的範例中，當考慮到圖案之繞射級位置時，位於瞳孔面PPO 鄰近處之空間解析傳輸濾波(spatial resolving transmission filtering)影響瞳孔傳輸函數曲線TP ，以致在所有貢獻成像的部份圖案，所成像的線寬度之變異實質上皆小於無OPC濾波器時的相同系統。在OPC濾波器引入至接近或位於瞳孔面PPO 之光束路徑後，較粗糙結構的區域II之第0個繞射級及第一個繞射級1II 持續具有實質上相同的傳輸。不過，由於在傳輸的邊緣下降之顯著縮小，屬於較密集結構區域I之第一繞射級1I 的傳輸現亦具有顯著的數量級。屬於個別繞射級的瞳孔傳輸值在各例中已經過最佳化，以致在針對具有相同線寬度但不同線密度之個別部分圖案之成像期間，產生適配於線密度之不同劑量值，以致儘管在部分圖案內部之線具有不同線密度與相同線寬度，在曝光基板上對應的線寬度亦分別實質地相同。此減少在所成像的線寬度中之變異。其因而可實現在成像程序期間，以相對較高的線密度出現的線在基板上保持實質上相同的線寬度，如同彼此相隔較遠之較粗糙結構的區域II之線。
圖4及5說明在投影物鏡之瞳孔面區域中，為了達到光學近接修正之空間相依(spatial dependent)傳輸濾波的另一範例。在此示範的實施例中，使用經過最佳化的遮罩，遮罩的最佳化係在針對投影系統之遮罩的OPC最佳化的商用程式之幫助下完成，在其幫助之下，在曝光基板上之50 nm的目標線寬度將對具有不同線密度之遮罩區域分別實現，歸因於具有成像端數值孔徑NA＝1.2之浸潤式微影及在瞳孔定形面之環狀照明。在各個實例中，遮罩具有十個不同線密度的區域，如同由描述線光柵之光柵常數或間距之參數P[nm]所表示一般。遮罩包含具有由130 nm至1000 nm的光柵常數之區域。商用OPC程式用於計算對各個不同的線密度之所謂的「遮罩偏移」。「遮罩偏移」一詞於此處敘述遮罩之已知的、故意的線寬度「失諧(detuning)」，以在曝光基板上設定所需的臨界線寬度CD(或LW’)。對不同線密度(由間距或光柵常數P[nm]表示)之遮罩偏移MB[nm]之經過計算的值列於表1中。
其產生的結果為，在不同的線密度區域中，以此計算為基礎所產生的遮罩將同樣地包含依照計算的遮罩偏移值之不同的線寬度，以在實行成像程序期間，對結構化基板上的線密度獲得相同的50 nm目標線寬度(目標CD)。
針對作為參考系統REF之外部系統最佳化的遮罩接著用來計算用於示範的實施例之OPC濾波器。此處，此遮罩之成像在示範的實施例之投影物鏡的幫助下被計算，且在曝光基板上結果的線寬度CD(IS)被決定。分別顯示在圖4之圖表中的左側之參考系統REF的長條顯示此投影物鏡之結果的線寬度。可由此看出，在示範的實施例之投影系統的實例中，針對另一投影系統最佳化的遮罩無法導致實質上與線密度相依的目標線寬度，但在基板上獲得的線寬度與線密度相依，且在某種程度上(相差達到近乎4%)強烈偏離所需的目標線寬度(50 nm)。在最精細圖案(間距≦140 nm)及最粗糙圖案(間距≧455 nm)的實例中，偏離尤其顯著；較精細的圖案產生過低的線寬度，而較粗糙圖案產生過高的線寬度。總的來說，沒有通則可導出，相對較大或相對較小的光柵常數之圖案是否具有較大的臨界尺寸。
CD值由欲成像的圖案之設計來決定。遮罩偏移及照明設定根據這些條件來最佳化。
概略地示於圖5之欲放置於投影物鏡的瞳孔面PPO 區域中之灰濾波器的傳輸函數輪廓，是經過計算以修正高達近乎2.5nm之數量級的殘餘誤差。此傳輸濾波器適配一圖案，在此圖案之實例中，所有線以彼此平行的方式沿著y方向校準，並垂直於投影系統之光學軸而行進。濾波器在其欲放置於光學軸上之中央區域(PK＝0處)具有最大傳輸(TOPC ＝1)。對在傳輸濾波器的y方向的TOPC ＝1處的所有瞳孔座標，傳輸濾波器之傳輸為常數(虛線)，傳輸濾波器之y方向被對正而平行於遮罩的y方向。相較之下，沿橫剖面變化的傳輸(實線)出現在x方向上，該x方向對正為垂直於欲成像的線。在此x方向，傳輸以鐘型曲線函數的方式連續朝濾波器之邊緣而減少，直到減少20%至TOPC ＝0.8止。引入此OPC濾波器或此濾波器函數至投影物鏡之瞳孔面區域後，其亦可使用針對具有示範的實施例之投影物鏡之參考系統最佳化之遮罩，以致對所有位於其上的線密度，產生在各個實例中所需的50 nm目標值，以作為基板上之線寬度LW’(線寬度變異△LW’＝0，見圖4中之有陰影線的長條)。
因此，在此範例中，可藉由沿垂直於欲成像的線之方向，變化瞳孔傳輸近乎20%，來修正近乎2.5 nm之線寬度誤差。由此，在選擇的線寬度區域，對濾波器元件之傳輸輪廓給定2%的準確性，可估計殘餘誤差可修正至小於0.5 nm的值。
通常，目標線寬度越小，則在曝光基板上或在成像平面中的臨界線寬度越難以控制。給定一適當的設計，此處所述的方法可以可接受的花費之方式使用，以獲得遮罩之部分圖案的光柵常數P之小於3%或小於2%的範圍內之線寬度變異。OPC濾波器函數可加以設定，以致，給定遮罩之週期性部分圖案的絕對光柵常數P，對所有發生在圖案中的光柵常數P，也就是說，對所有具有不同線密度之部分圖案，投影物鏡的影像面上線寬度變異△LW’小於一指定的極限值L(△LW’)，或對應於此極限值。尤其，L(△LW’)≦P．0.05之條件可被滿足，△LW’/P之比亦可在實質上小於3%，且，舉例來說，等於2.5%、2%或更小。
示範的實施例顯示在OPC濾波的幫助下，其可以比較低的設備花費使用已對以特定投影程序成像最佳化之遮罩於其他投影程序，同樣地，如果適當亦可用於在其他投影物鏡的幫助下之投影，而不需要遮罩之重新計算與更新製造。本發明因而致能一可能性與可接受的花費，其藉由精細控制投影物鏡之瞳孔傳輸而精細地控制不同結構之成像。藉由使瞳孔傳輸適配欲成像的結構同時考慮投影物鏡之成像性質，其因而可實現不同結構之CD一致性的可靠控制。
圖1顯示(a)一微影投影曝光機器之略圖，與(b)欲成像的遮罩線圖案及(c)在成像至一半導體晶圓上後之對應的線圖案；圖2顯示通過投影物鏡的概略縱剖面，其在投影物鏡之瞳孔面鄰近處具有OPC濾波器瞳孔面；圖3顯示瞳孔傳輸TP 之示意圖，其為投影物鏡之正規化瞳孔座標PK之函數(不具OPC濾波器者為虛線，具OPC濾波器者為實線)，以及不同圖案之繞射級在傳輸上的影響；圖4顯示在投影物鏡的影像平面中，指定圖案之線的臨界尺寸CD之相依圖，對不具OPC濾波器之參考系統REF，及對具有OPC濾波器的投影物鏡來說，指定圖案之線的臨界尺寸CD為遮罩上的線間距P之函數；及圖5顯示一OPC濾波器函數圖，其實現如圖4所示之與線密度相依之線寬度變異的減少。
PO．．．物鏡
OS．．．物體面
OF．．．物體場
IS．．．影像面
IF．．．影像場
AX．．．光學軸
CR．．．光線
AS．．．孔徑光闌

Claims (34)

  1. 一種在一投影物鏡的幫助下、將安排在一投影物鏡的物體面之圖案成像至該投影物鏡的影像面時、修正光學近接效應(OPC)的方法，其中，多個光學元件及經過傅立葉轉換至該影像面的至少一個瞳孔面被安排在該物體面及該影像面之間，其具有下列步驟：在插入至該物體面及該影像面間之至少一個OPC濾波器的幫助下，根據一OPC濾波器函數，光學濾波用於該成像的光，該OPC濾波器函數適配該圖案，並對應在該成像系統的該瞳孔面區域中之一空間相依的傳輸濾波(transmission filtering)，其中該OPC濾波器函數經過一方式選擇，連同對由該遮罩之該圖案產生的繞射級位置之考慮，使在該影像面中由繞射級之干涉產生的線寬度變異實質上弱於在不具有OPC濾波之該相同的投影物鏡之例中的對應值。
  2. 如專利申請範圍第1項之方法，其中OPC濾波在該瞳孔面區域中實施，而在OPC濾波中，傳輸(transmission)以該瞳孔空間座標之函數而變化。
  3. 如專利申請範圍第1或2項之方法，其中在一曝光期間，一具有一第一線密度之第一部分圖案以一第一劑量成像，而同時，一具有一偏離該第一線密度的第二線密度之第二部分圖案以一異於該第一劑量的第二劑量成像。
  4. 如專利申請範圍第3項之方法，其中該第二部分圖案以一側向偏移方式相鄰該第一部分圖案。
  5. 如專利申請範圍第1項之方法，其中該OPC濾波器函數被設定，以致對該遮罩之週期性部分圖案之不同的光柵常數P，對所有發生在該圖案中的光柵常數來說，在該投影物鏡的該影像面中之線寬度變異△LW’小於一指定的極限值L(△LW’)，或對應於此極限值以致L(△LW’)≦P‧0.05之條件被滿足。
  6. 如專利申請範圍第2項之方法，其中在該瞳孔面區域之OPC濾波根據一無旋的對稱傳輸函數來執行。
  7. 如專利申請範圍第6項之方法，其中相對於該投影物鏡之一光學軸，該傳輸函數具有一雙重輻射對稱(radial symmetry)。
  8. 如專利申請範圍第2項之方法，其中在該瞳孔面區域之OPC濾波是以位於濾波器有效區域中之至少三個的多個不同傳輸值來執行。
  9. 如專利申請範圍第2項之方法，其中該傳輸在該傳輸濾波器之至少一部分區域連續地變化。
  10. 如專利申請範圍第1項之方法，其中一傳輸濾波器被用在該瞳孔面區域，其中該傳輸濾波器適配一圖案，在該圖案 中，線以一垂直於該投影物鏡之該光學軸行進之第一方向彼此平行，其中該傳輸濾波器具有一傳輸，其在一欲放置於該光學軸上之中央區域最大，在該傳輸濾波器之一欲定位為平行該遮罩之該第一方向之一第一方向上的所有瞳孔座標，該傳輸濾波器之該傳輸實質上為常數，且在該傳輸濾波器之橫剖面上變化之一傳輸出現在欲定位為垂直該欲成像的線之一第二方向上。
  11. 如專利申請範圍第10項之方法，其中在該第二方向上，該傳輸由該中央區域往該濾波器之邊緣連續地減少。
  12. 一種用於安排在該投影物鏡的該物體面之圖案成像至該投影物鏡的該影像面中之投影物鏡，其中多個光學元件及經過傅立葉轉換至該影像面的至少一個瞳孔面被安排在該物體面及該影像面之間，其中該投影物鏡分配到至少一個OPC濾波器，以根據適配該圖案並對應在該影像系統的該瞳孔面區域中之一空間相依的傳輸濾波之OPC濾波器函數，供光學濾波用於該成像的光，且該投影物鏡係設計為在該圖案成像至該影像面期間修正光學近接效應，其中該OPC濾波器函數經過一方式選擇，連同對由該遮罩之該圖案產生的繞射級位置之考慮，在該影像面由繞射級之干涉產生的線寬度變異實質上弱於在不具有OPC濾波之該相同的投影物鏡之例中的對應值。
  13. 如專利申請範圍第12項之投影物鏡，其中一OPC濾波器 被安排在該瞳孔面區域中，在該OPC濾波器中，該傳輸以該瞳孔空間座標之函數而變化。
  14. 如專利申請範圍第13項之投影物鏡，其中OPC濾波器具有一無旋對稱傳輸函數。
  15. 如專利申請範圍第14項之投影物鏡，相對於該投影物鏡之一光學軸，該傳輸函數具有一雙重輻射對稱(radial symmetry)。
  16. 如專利申請範圍第13至15項之其一之投影物鏡，其中OPC濾波器在一濾波器有效區域具有至少三個的多個不同的傳輸值。
  17. 如專利申請範圍第13項之投影物鏡，其中該傳輸在該傳輸濾波器之至少一部分面積中連續地變化。
  18. 如專利申請範圍第12項之投影物鏡，其中該OPC濾波器函數被設定，以致對該遮罩之週期性部分圖案之不同的光柵常數P，對所有發生在該圖案中的光柵常數來說，在該投影物鏡的該影像面中之線寬度變異△LW’小於一指定的極限值L(△LW’)，或對應於此極限值以致L(△LW’)≦P‧0.05之條件被滿足。
  19. 一種製造一光學濾波器的方法，供用於根據一濾波器函數實施一光學濾波，其具有下列步驟： 定義一圖案，其具有一具有一第一線密度之第一部分圖案，及至少一具有一異於該第一線密度之第二線密度之第二部分圖案；計算在一投影物鏡的幫助下，安排於一投影物鏡的物體面之該圖案至該投影物鏡的影像面之成像，其中多個光學元件及經過傅立葉轉換至該影像面的至少一個瞳孔面被安排在該物體面及該影像面之間；定義一濾波器函數，供光學濾波用於該成像的光，該濾波器函數對應在該投影物鏡之該瞳孔面區域中之一空間相依的傳輸濾波；決定在該投影物鏡的該影像面中之線寬度變異，此變異由該圖案之繞射級干涉所產生；藉由在該濾波器函數中之步級變異及重複決定該線寬度變異來最佳化該濾波器函數，以決定一最佳化的濾波器函數(OPC濾波器函數)，其中產生的該線寬度變異低於一指定的極限值；及根據該最佳化濾波器函數來製造該光學濾波器。
  20. 如專利申請範圍第19項之方法，其中該OPC濾波器函數被設定，以致對該遮罩之週期性部分圖案之不同的光柵常數P，對所有發生在該圖案中的光柵常數來說，在該投影物鏡的該影像面中之線寬度變異△LW’小於一指定的極限值L(△LW’)，或對應於此極限值以致L(△LW’)≦P‧0.05之條件被滿足。
  21. 一種用於安裝在將安排在該投影物鏡的該物體面之一圖案成像至該投影物鏡的影像面之投影物鏡中的光學濾波器，其中多個光學元件及經過傅立葉轉換至該影像面的至少一個瞳孔面被安排在該物體面及該影像面之間，其中，該濾波器被設計為一OPC濾波器，以根據OPC濾波器函數，供光學式的濾波用於該成像的光，該OPC濾波器函數適配於該圖案並對應於該影像系統的該瞳孔面區域中之一空間相依的傳輸濾波，且該OPC濾波器函數被適配，以在該圖案成像至該影像面期間修正光學近接效應，其係藉由該OPC濾波器函數被設計，連同對由該遮罩之圖案造成的繞射級位置之考慮，使在該影像面上由繞射級間之干涉產生的線寬度變異實質上弱於在不具有OPC濾波之該相同的投影物鏡之例中的對應值。
  22. 如專利申請範圍第21項之光學濾波器，其係設計為一傳輸濾波器以安裝於該瞳孔面區域中，並具有一以該瞳孔空間座標之函數而變化的傳輸。
  23. 如專利申請範圍第22項之光學濾波器，其中OPC濾波器具有一無旋對稱傳輸函數。
  24. 如專利申請範圍第23項之光學濾波器，相對於該投影物鏡之一光學軸，該傳輸函數具有一雙重輻射對稱(radial symmetry)。
  25. 如專利申請範圍第22至24項之其一之光學濾波器，其中 OPC濾波器在一濾波器有效區域具有至少三個的多個不同的傳輸值。
  26. 如專利申請範圍第22項之光學濾波器，其中該傳輸在該傳輸濾波器之至少一部分面積中連續地變化。
  27. 如專利申請範圍第22項之光學濾波器，其中該傳輸濾波器適配一圖案，在該圖案中，線以一垂直於該投影物鏡之該光學軸行進之第一方向彼此平行，其中該傳輸濾波器具有一傳輸，其在一欲放置於該光學軸上之中央區域最大，在該傳輸濾波器之一欲定位為平行該遮罩之該第一方向之一第一方向上的所有瞳孔座標，該傳輸濾波器之該傳輸實質上為常數，且在該傳輸濾波器之橫剖面上變化之一傳輸出現在欲定位為垂直該欲成像的線之一第二方向上。
  28. 如專利申請範圍第27項之光學濾波器，其中在該第二方向，該傳輸由該中央區域向該濾波器之該邊緣連續地減少。
  29. 一種將一第一投影物鏡之針對一特殊圖案的成像性質適配成一第二投影物鏡的成像性質之方法，其中該第二投影物鏡在針對該特殊圖案之光學成像性質方面異於該第一投影物鏡，該方法包含：使用具有一適配該特殊圖案之濾波器函數之至少一個OPC濾波器，以致，對OPC濾波器之濾波器函數適配之該特殊圖案，該第一投影物鏡及該第二投影物鏡具有實質 上相同的成像性質。
  30. 如專利申請範圍第29項之方法，其中，依該圖案而定，在該至少一個OPC濾波器的幫助下，針對該第一及該第二投影物鏡，實質上該相同的瞳孔傳輸被調整。
  31. 一種在一投影物鏡的幫助下、將安排在該投影物鏡的物體面之圖案成像至該投影物鏡的影像面之方法，其中多個光學元件及經過傅立葉轉換至該影像面的至少一個瞳孔面備安排在該物體面及該影像面之間，其中該投影物鏡之該光學元件不適配成像該圖案，其中，在插入至該物體面及該影像面間之至少一個OPC濾波器的幫助下，依據一OPC濾波器函數，藉由光學式的濾波用於該成像的光，該投影物鏡被調整，OPC濾波器函數被配適於該圖案，以致該圖案以包含該OPC濾波器之該投影物鏡成像至該影像面。
  32. 如專利申請範圍第31項之方法，其中一具有空間變化傳輸之傳輸濾波在該瞳孔面區域中由該OPC濾波器執行。
  33. 如專利申請範圍第32項之方法，其中該OPC濾波器具有一無旋對稱傳輸函數。
  34. 如專利申請範圍第33項之方法，相對於該投影物鏡之一光學軸，該傳輸函數具有一雙重輻射對稱(radial symmetry)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101324402B1 (ko) * 2005-11-03 2013-11-01 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 프로젝션 노광 장치 및 이 장치의 교정방법
JP5299937B2 (ja) * 2006-05-18 2013-09-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光近接効果を補正する方法
KR100934855B1 (ko) * 2008-03-11 2010-01-06 주식회사 하이닉스반도체 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자 형성방법
KR20090097471A (ko) 2008-03-11 2009-09-16 주식회사 하이닉스반도체 노광마스크 및 이를 이용한 반도체소자의 형성방법
US7974819B2 (en) * 2008-05-13 2011-07-05 Aptina Imaging Corporation Methods and systems for intensity modeling including polarization
DE102012220909A1 (de) 2012-09-27 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Vereinzeln von Bereichen einer Halbleiterschicht
US10725372B2 (en) * 2015-02-12 2020-07-28 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for reticle optimization
DE102016205619A1 (de) * 2016-04-05 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Abschwächungsfilter für Projektionsobjektiv, Projektionsobjektiv mit Abschwächungsfilter für Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsanlage mit Projektionsobjektiv
WO2019129468A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method of processing data, method of obtaining calibration data
KR20210029495A (ko) 2019-09-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 Opc 방법 및 그 opc 방법을 이용한 마스크 제조방법
KR20210078812A (ko) * 2019-12-19 2021-06-29 삼성전자주식회사 광학 근접 보상 검증 방법 및 이를 포함하는 반도체 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06333803A (ja) * 1992-09-18 1994-12-02 Sharp Corp 投影型露光装置用フィルター
US5638211A (en) * 1990-08-21 1997-06-10 Nikon Corporation Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system
JPH09199390A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Hitachi Ltd パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法
US6700649B2 (en) * 2000-03-16 2004-03-02 Intel Corporation Method for improved resolution of patterning using binary masks with pupil filters
TW200527144A (en) * 2003-09-26 2005-08-16 Zeiss Carl Smt Ag Microlithographic illumination method as well as a projection illumination system for carrying out the method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3245882B2 (ja) 1990-10-24 2002-01-15 株式会社日立製作所 パターン形成方法、および投影露光装置
US5144362A (en) 1990-11-14 1992-09-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Projection aligner
JPH0684746A (ja) * 1992-03-09 1994-03-25 Hitachi Ltd 投影露光装置及びパタン形成方法
JP3463335B2 (ja) * 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JP3291849B2 (ja) 1993-07-15 2002-06-17 株式会社ニコン 露光方法、デバイス形成方法、及び露光装置
JPH0774080A (ja) * 1993-09-03 1995-03-17 Hitachi Ltd パターン形成方法
US5561008A (en) * 1995-01-27 1996-10-01 Lucent Technologies Inc. Process for device fabrication using projection lithography and an apparatus therefor
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP2785757B2 (ja) 1995-08-30 1998-08-13 日本電気株式会社 フォトマスク
JPH10303121A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Nikon Corp 投影露光方法
DE19929403A1 (de) 1999-06-26 2000-12-28 Zeiss Carl Fa Objektiv, insbesondere Objektiv für eine Halbleiter-Lithographie-Projektionsbelichtungsanlage und Herstellungverfahren
JP3351401B2 (ja) * 1999-09-10 2002-11-25 日本電気株式会社 投影露光装置
JP2001085315A (ja) 1999-09-16 2001-03-30 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2001217171A (ja) * 2000-01-21 2001-08-10 Promos Technol Inc 高密度パターンと低密度パターンとの変差を解消する方法と装置
DE10218989A1 (de) 2002-04-24 2003-11-06 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren und Projektionssystem mit optischer Filterung
DE10329793A1 (de) * 2003-07-01 2005-01-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US20060268251A1 (en) * 2003-07-16 2006-11-30 Markus Deguenther Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
US7456933B2 (en) * 2004-09-08 2008-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Method for improving the imaging properties of a projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2006134910A1 (ja) * 2005-06-14 2006-12-21 Nikon Corporation 光学素子、光学素子保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP1904894A1 (en) 2005-07-18 2008-04-02 Carl Zeiss SMT AG Pellicle for use in a microlithographic exposure apparatus
KR101324402B1 (ko) 2005-11-03 2013-11-01 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 프로젝션 노광 장치 및 이 장치의 교정방법
JP5299937B2 (ja) * 2006-05-18 2013-09-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光近接効果を補正する方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5638211A (en) * 1990-08-21 1997-06-10 Nikon Corporation Method and apparatus for increasing the resolution power of projection lithography exposure system
JPH06333803A (ja) * 1992-09-18 1994-12-02 Sharp Corp 投影型露光装置用フィルター
JPH09199390A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Hitachi Ltd パターン形成方法、投影露光装置および半導体装置の製造方法
US6700649B2 (en) * 2000-03-16 2004-03-02 Intel Corporation Method for improved resolution of patterning using binary masks with pupil filters
TW200527144A (en) * 2003-09-26 2005-08-16 Zeiss Carl Smt Ag Microlithographic illumination method as well as a projection illumination system for carrying out the method

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